JP2002134538A - ハンダバンプの形成方法 - Google Patents

ハンダバンプの形成方法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ボイド欠陥の発生を効果的に防止・抑制しな
がら所望の高さを持つハンダバンプを形成できるハンダ
バンプの形成方法を提供する。 【解決手段】 開口部３ａを持つマスク４ａを用いて、
ＬＳＩチップ２の電極１上にクリームハンダ層５ａを形
成した後、リフローして第１ハンダバンプ７ａを電極１
上に形成する。次に、第１ハンダバンプ７ａ上に、マス
ク４ｂを用いてクリームハンダ層５ｂを形成し、リフロ
ーにより第１ハンダバンプ７ａとクリームハンダ層５ｂ
とを溶融・一体化させた後、凝固させることにより、第
１ハンダバンプ７ａよりも大きい第２ハンダバンプ７ｂ
を電極１上に形成する。第１ハンダバンプ７ａの高さが
防止・抑制すべきボイドの最大寸法とほぼ一致するよう
に、マスク４ａの開口部３ａの容積が設定される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハンダバンプの形
成方法に関し、さらに言えば、ボイド欠陥の発生を抑制
・防止しながら所望の高さを持つハンダバンプを形成で
きるハンダバンプの形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ハンダバンプを使用する「フリップチッ
プ・ボンディング法」は、一般に、半導体集積回路（Ｌ
ＳＩ）のベアチップ（以下、単にＬＳＩチップあるいは
ベアチップともいう）の電極（ボンディングパッド）上
に略球状のハンダによる突起、すなわち「ハンダバン
プ」を設けておき、それらハンダバンプを実装基板の対
応する電極に接合することにより、ベアチップの電極を
実装基板の対応する電極に電気的に接続し、それと同時
にベアチップを実装基板に固定するために使用される。
こうして、ベアチップはフェースダウン状態で実装され
る。この技術は、ベアチップ以外の他の電子素子や電子
部品の実装や接合などにも使用され、その場合には、ハ
ンダバンプは実装基板の電極（ランド）や電子部品の電
極などの上に形成される。
【０００３】従来より、ハンダバンプの形成方法として
は種々のものが知られているが、利用する技術に応じて
いくつかに区分される。例えば、メッキ法や蒸着法で形
成したハンダ膜を利用する方法、ハンダボールを電極上
に搭載する方法、印刷したクリームハンダ（ハンダペー
スト）を利用する方法などである。最近では、メタルジ
ェットを利用する方法も開発されている。これらの方法
のいずれかによって電極上に設けられたハンダ層あるい
はハンダボールは、リフロー炉で加熱により一時的に溶
融せしめられる。こうして形成されるハンダ溶融体ない
しハンダ流動体は、表面張力によって略球状あるいは突
起状になるので、そのまま冷却して凝固させると、略球
状あるいは突起状のハンダバンプが得られる。
【０００４】これらの方法にはそれぞれ利点と難点があ
るから、通常は目的に応じて適宜、選択・利用される。
【０００５】製造コストの観点から見ると、印刷したハ
ンダペーストを予備ハンダとして利用する方法が最も好
ましい。それは、スクリーン印刷法を利用して予備ハン
ダを形成するため、簡単な設備で実施でき、低コスト化
が容易だからである。
【０００６】しかし、このスクリーン印刷を利用する方
法の一つの難点は、他の方法に比べて、得られるハンダ
バンプの高さが低いことである。これは、「ハンダブリ
ッジ」という欠陥やハンダ量のバラツキといった問題を
防止するために、一度の印刷で電極や配線上に供給する
ハンダの量を少な目にしなければならないことに起因す
る。他方、ハンダバンプの高さが低いと、実装基板の表
面に凹凸が存在していたり熱変形が生じていたりした場
合に、ハンダバンプと対応する電極の接合が不十分とな
って接続不良が生じる恐れがある。そこで、何らかの工
夫をして、欠陥を生じさせずに所望の高さのハンダバン
プを得ることが必要である。
【０００７】スクリーン印刷を利用する方法の他の難点
としては、使用するクリームハンダがハンダ粒子とフラ
ックスとの混合物であるため、電極への濡れ性が他の方
法に比べて劣り、その結果、ハンダバンプ中に「ボイ
ド」という欠陥が生じやすいことがある。ボイドが生じ
たハンダバンプは、対応する電極との実効接合面積の減
少を招き、またボイドが生じた部分に応力集中を引き起
こすため、実装の信頼性の低下という重大な問題につな
がる。
【０００８】以上のような理由により、スクリーン印刷
を利用するハンダバンプ形成方法では、低コストという
利点を生かしながら、ハンダバンプの高さが十分大きく
且つボイドのない良質のハンダバンプを形成できる方策
が求められる。そこで、従来より種々の改良が検討され
てきた。
【０００９】特開平１１−４０３９６号公報には、「ハ
ンダバンプの形成を、基板上にメタルマスクを介してク
リームハンダ（ハンダペースト）を印刷した後にリフロ
ーする工程を適宜繰り返して行う」というハンダバンプ
形成方法が開示されている。この方法では、１回の工程
でハンダバンプを形成するのではなく、その工程を適宜
繰り返してクリームハンダを少量ずつ基板上に供給して
いる。その結果、従来の実装設備を利用しても、マスク
の開口径が大きいために起こるハンダブリッジや、メタ
ルマスクの厚さが大きいことに由来する版抜けの悪さの
ために起こるハンダ量のバラツキがなくなる。このた
め、大きさの揃ったハンダバンプが得られる、とされて
いる。
【００１０】特開平１１−４０３９６号公報に開示され
たハンダバンプ形成方法では、必要に応じて、クリーム
ハンダの印刷の後にリフローする工程を繰り返すたび
に、メタルマスクの厚み、開口径および開口形状を適宜
変化させたり、クリームハンダ材料の組成および特性を
適宜変化させたり、印刷およびリフローの条件を適宜変
化させたりする。
【００１１】また、スクリーン印刷を利用するハンダバ
ンプ形成方法の他の改良された方法が、特開平１１−１
４５１７６号公報に開示されている。
【００１２】特開平１１−１４５１７６公報に開示され
たハンダバンプ形成方法は、「ハンダペースト（クリー
ムハンダ）をマスク開口部を有するマスクを用いて基板
上に印刷するハンダペースト印刷工程と、前記ハンダペ
ースト印刷工程の実施後に前記ハンダペーストを加熱溶
融してハンダバンプ層を形成する加熱工程とを１バンプ
層形成サイクルとし、当該１バンプ層形成サイクルを複
数回繰り返し実施する」というものである。このハンダ
バンプ形成方法では、必要に応じて、ハンダバンプ層の
上面を平坦化するフラッタニング工程を実施したり、前
記１バンプ層形成サイクルを繰り返し実施する際に、マ
スクの厚さを変えたり、ハンダペーストの特性を変えた
り、ハンダペーストの流動性を変えたり、マスク開口部
の面積を変えたりする。
【００１３】特開平１１−１４５１７６公報には、予備
ハンダ形成方法も開示されている。この予備ハンダ形成
方法は、「ハンダバンプを有した被接合体がフリップチ
ップ実装されると共にハンダバンプ接合位置にレジスト
開口部が形成されたレジスト膜が形成されてなる実装基
板に、前記ハンダバンプと接合する予備ハンダを形成す
る予備ハンダ形成方法であって、前記ハンダバンプの配
設位置に対応する位置にマスク開口部を有するマスクを
用い、ハンダペーストを前記実装基板に印刷するハンダ
ペースト印刷工程と、前記ハンダペースト印刷工程の実
施後に前記ハンダペーストを加熱溶融して予備ハンダを
形成する加熱工程とを有し、かつ、前記ハンダペースト
印刷工程で用いるマスクとして、前記レジスト開口部の
面積に対し大きな面積を有したマスク開口部が形成され
たものを用いる」ことを特徴とするものである。
【００１４】この予備ハンダ形成方法において、「予備
ハンダ」とは、半導体チップが実装される実装基板に配
設されるもので、その実装基板上のパッドと半導体チッ
プ上のハンダバンプとの電気的接続性を向上させる機能
を持つものである。したがって、この予備ハンダは、実
装基板のパッド上に形成される。
【００１５】この予備ハンダ形成方法によれば、前記ハ
ンダペースト印刷工程で用いるマスクとして、前記レジ
スト開口部の面積に対し大きな面積を有したマスク開口
部が形成されたものを用いるので、印刷後にマスクを実
装基板から離脱させる際の抜け性が良好となる。その結
果、マスクを実装基板から離脱させる際にハンダペース
トがマスクに付着することを防止でき、よって所定形状
の予備ハンダを確実に形成できる。
【００１６】この予備ハンダ形成方法では、前記レジス
ト開口部およびマスク開口部に装填されたハンダペース
トを押圧処理する工程を追加できる。この場合、ハンダ
ペーストの充填性を向上することができる。また、ハン
ダペースト内に含まれるハンダ粒の粒径とマスク開口部
の径寸法とを所定の関係にすると、ハンダペーストの充
填性を向上することができることも開示されている。さ
らに、前記ハンダペースト印刷工程でマスクを実装基板
に装着する際、レジスト開口部に対しマスク開口部をず
らして配置することができ、こうすると、加熱工程でハ
ンダペーストを加熱溶融して予備ハンダを形成する際
に、予備ハンダ内にボイドが発生することを防止できる
ことも開示されている。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の一般的なスクリーン印刷を利用するハンダバンプ形成
方法では、得られるハンダバンプの高さが低く、ハンダ
バンプ中にボイドが生じやすいという難点があり、十分
な電気的・機械的接続の信頼性が得られないという問題
がある。
【００１８】特開平１１−４０３９６号公報に開示され
たハンダバンプ形成方法では、ハンダバンプ形成工程を
適宜繰り返してクリームハンダを少量ずつ基板上に供給
しているため、従来の実装設備を利用しても、ハンダブ
リッジやハンダ量のバラツキがなくなり、大きさの揃っ
たハンダバンプが得られる。しかし、この方法では、ハ
ンダバンプに生じやすいボイドを防止・抑制する点につ
いては何ら開示・示唆されていない。
【００１９】特開平１１−１４５１７６公報に開示され
たハンダバンプ形成方法においても、特開平１１−４０
３９６号公報の場合と同様に、ハンダバンプに生じやす
いボイドを防止・抑制する点については何ら開示・示唆
されていない。
【００２０】特開平１１−１４５１７６公報に開示され
た予備ハンダ形成方法では、ハンダペースト印刷工程で
マスクを実装基板に装着する際、レジスト開口部に対し
マスク開口部をずらして配置することにより、予備ハン
ダ内にボイドが発生することを防止できることが開示さ
れている。この場合にボイドが防止できる理由として
は、パッドの上面に存在する微細な凹凸の内部に空気が
存在しており、その空気がハンダペーストによって封止
されることによる、とされている。そして、レジスト開
口部に対しマスク開口部をずらして配置すると、溶融し
たハンダがパッド上に流れ込む際に上記の空気が押し出
されるため、ボイドが防止できる、とされている。
【００２１】しかし、特開平１１−１４５１７６公報の
予備ハンダ形成方法では、レジスト開口部を有するレジ
ストが実装基板上に形成されていること、およびそのレ
ジストの上にマスク開口部を持つマスクを配置すること
が必要である。しかも、そのマスクは、レジスト開口部
に対してマスクの開口部をずらして配置することが必要
がある。よって、ＬＳＩチップの電極上にハンダバンプ
を形成する場合には適用できず、また、予備ハンダ形成
工程が煩雑になるという問題がある。
【００２２】さらに言えば、特開平１１−１４５１７６
公報に開示された予備ハンダ形成方法は、ハンダバンプ
の形成方法とは異なっている。
【００２３】そこで、本発明の目的は、ボイド欠陥の発
生を効果的に防止・抑制しながら所望の高さを持つハン
ダバンプを形成できるハンダバンプの形成方法を提供す
ることにある。
【００２４】本発明の他の目的は、簡易な方法でボイド
欠陥を効果的に防止できるハンダバンプの形成方法を提
供することにある。
【００２５】上記以外の本発明の目的は、以下の説明に
よって明らかにされる。
【００２６】
【課題を解決するための手段】（１） 本発明の第１の
ハンダバンプの形成方法は、基体に設けた複数の電極上
に、複数の開口部を持つ第１マスクを用いてクリームハ
ンダを所定パターンで印刷し、第１クリームハンダ層を
複数の前記電極上にそれぞれ形成する工程と、前記第１
マスクを取り外してから、加熱により前記第１クリーム
ハンダ層を溶融させた後、凝固させることにより、第１
ハンダバンプを複数の前記電極上にそれぞれ形成する工
程と、複数の前記電極上にそれぞれ形成された前記第１
ハンダバンプ上に、第２マスクを用いてクリームハンダ
を所定パターンで印刷し、第２クリームハンダ層を複数
の前記電極上にそれぞれ形成する工程と、前記第２マス
クを取り外してから、加熱により前記第１ハンダバンプ
とその上に形成された前記第２クリームハンダ層とを溶
融・一体化させた後、凝固させることにより、前記第１
ハンダバンプよりも大きい第２ハンダバンプを複数の前
記電極上にそれぞれ形成する工程とを備え、前記第１ハ
ンダバンプの高さが前記電極の寸法を考慮して設定した
防止・抑制すべきボイドの最大寸法とほぼ一致するよう
に、前記第１マスクの開口部の容積が設定されており、
前記第２ハンダバンプの高さが所望の値になるように、
前記第２マスクの開口部の容積が設定されていることを
特徴とするものである。
【００２７】（２） 本発明の第２のハンダバンプの形
成方法は、基体に設けた複数の電極上に、第１マスクを
用いてクリームハンダを所定パターンで印刷し、第１ク
リームハンダ層を複数の前記電極上にそれぞれ形成する
工程と、前記第１マスクを取り外すことなく、加熱によ
り前記第１クリームハンダ層を溶融させた後、凝固させ
ることにより、第１ハンダバンプを複数の前記電極上に
それぞれ形成する工程と、前記第１マスクの上に第２マ
スクを形成し、複数の前記電極上にそれぞれ形成された
前記第１ハンダバンプ上に、前記第１マスクと前記第２
マスクを用いてクリームハンダを所定パターンで印刷
し、第２クリームハンダ層を複数の前記電極上にそれぞ
れ形成する工程と、前記第１マスクおよびと前記第２マ
スクを取り外すことなく、加熱により前記第１ハンダバ
ンプとその上に形成された前記第２クリームハンダ層と
を溶融・一体化させた後、凝固させることにより、前記
第１ハンダバンプよりも大きい第２ハンダバンプを複数
の前記電極上にそれぞれ形成する工程とを備え、前記第
１ハンダバンプの高さが前記電極の寸法を考慮して設定
した防止・抑制すべきボイドの最大寸法とほぼ一致する
ように、前記第１マスクの開口部の容積が設定されてお
り、前記第２ハンダバンプの高さが所望の値になるよう
に、前記第１マスクの開口部の容積と前記第２マスクの
開口部の容積の和が設定されていることを特徴とするも
のである。
【００２８】（３） 本発明の第３のハンダバンプの形
成方法は、基体に設けた複数の電極上に第１ハンダボー
ルをそれぞれ固着する工程と、加熱により前記第１ハン
ダボールを溶融させた後、凝固させることにより、第１
ハンダバンプを複数の前記電極上にそれぞれ形成する工
程と、複数の前記電極上にそれぞれ形成された前記第１
ハンダバンプ上に、第２ハンダボールをそれぞれ固着す
る工程と、加熱により前記第１ハンダバンプとその上に
固着された前記第２ハンダボールとを溶融・一体化させ
た後、凝固させることにより、前記第１ハンダバンプよ
りも大きい第２ハンダバンプを複数の前記電極上にそれ
ぞれ形成する工程とを備え、前記第１ハンダバンプの高
さが前記電極の寸法を考慮して設定した防止・抑制すべ
きボイドの最大寸法とほぼ一致するように、前記第１ハ
ンダボールの体積が設定されており、前記第２ハンダバ
ンプの高さが所望の値になるように、前記第２ハンダボ
ールの体積が設定されていることを特徴とするものであ
る。
【００２９】（４） 発明者の調査によると、ハンダバ
ンプ内にボイドという欠陥が生じる主な原因は、加熱・
溶融（リフロー）工程における電極とその上に配置され
たクリームハンダとの反応によって生じる種々のガスで
あることが判明した。加熱・溶融工程の後に電極上で溶
融したクリームハンダが凝固する際に、そのガスがハン
ダバンプ内に閉じ込められるため、その部分がハンダの
存在しない空洞、すなわちボイドとなるのである。さら
に、これらのガスは、ハンダバンプが球状に近ければ近
いほどハンダバンプ内に閉じ込められやすく（つまりボ
イドが発生する確率が高く）、また、ハンダバンプが球
状に近ければ近いほど生じうるボイドの寸法が大きくな
る、ということも判明した。これは、逆に言えば、ハン
ダバンプが球状から遠ざかるすなわち平面に近ければ近
いほど、ボイドが生じにくく、しかも生じうるボイドの
寸法も小さくなる、ということを意味する。本発明は、
このような知見に基づいてなされたものである。
【００３０】本発明の第１のハンダバンプの形成方法で
は、前記第１ハンダバンプの高さが、前記電極の寸法を
考慮して設定した防止・抑制すべきボイドの最大寸法と
ほぼ一致するように、前記第１マスクの開口部の容積が
設定されている。このため、ガスによって前記第１ハン
ダバンプの内部に空洞部が形成されても、防止・抑制す
べきボイドの最大寸法とほぼ一致する大きさを持つ空洞
部は、容易に破裂して消滅し、前記第１ハンダバンプの
内部に残存しない。防止・抑制すべきボイドの最大寸法
よりも小さい空洞部は、前記第１ハンダバンプの内部に
残存する可能性があるが、防止・抑制すべきボイドの最
大寸法を適当に設定すれば、容易に、そのような小さな
空洞部によって生じるボイドが実用上問題を引き起こさ
ないようにすることができる。
【００３１】前記のガスは、電極とクリームハンダとい
った異なる金属間の反応によって生じるものであるか
ら、前記第１ハンダバンプと前記第２クリームハンダ層
との加熱・溶融工程では、そのようなガスは発生しな
い。このため、この加熱・溶融工程で形成する第２ハン
ダバンプの高さを抑える必要がない。
【００３２】よって、本発明の第１のハンダバンプの形
成方法によれば、ボイド欠陥の発生を効果的に防止・抑
制しながら必要な高さを持つハンダバンプを電極上に形
成することが可能となる。また、この方法は、特別な工
程の追加やクリームハンダの印刷条件に対して特殊な設
定が不要であるから、簡易に実行できるものである。
【００３３】ここで述べたことは、本発明の第２および
第３のハンダバンプの形成方法にも当てはまるので、こ
れらの方法においても、本発明の第１のハンダバンプの
形成方法と同様の効果が得られる。
【００３４】（５） 本発明の第１のハンダバンプの形
成方法の好ましい例では、前記第１マスクの厚さが複数
の前記電極の厚さより大きく、且つ前記第１マスクの複
数の開口部のそれぞれが、対応する前記電極の大きさよ
りも大きく設定され、前記第２マスクの厚さが前記第１
マスクの厚さより大きく、前記第２マスクの複数の開口
部のそれぞれが、前記第１マスクの対応する開口部の大
きさよりも大きく設定される。
【００３５】本発明の第２のハンダバンプの形成方法の
好ましい例では、前記第１マスクの厚さが複数の前記電
極の厚さより大きく、且つ前記第１マスクの複数の開口
部のそれぞれが、対応する前記電極の大きさよりも大き
く設定され、前記第２マスクの複数の開口部のそれぞれ
が、前記第１マスクの対応する開口部とほぼ同じ大きさ
に設定される。
【００３６】本発明の第３のハンダバンプの形成方法の
好ましい例では、前記第２ハンダボールの直径が、複数
の前記電極の寸法より大きく設定される。
【００３７】（６） 本発明の第１〜第３のハンダバン
プの形成方法では、前記基体としては、通常はＬＳＩチ
ップやプリント配線板（ＰＷＢ）が使用されるが、他の
電子部品や回路板などでもよい。ハンダバンプを用いて
接続すべき電極や回路などの導電体を有するものであれ
ば、任意のものが使用できる。
【００３８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
について添付図面を参照しながら説明する。
【００３９】（第１実施形態）図１は、本発明の第１実
施形態のハンダバンプの形成方法を示す。
【００４０】ここで使用するＬＳＩチップ２は、所定レ
イアウトで表面に配置された複数の円形の電極（ボンデ
ィングパッド）１を有している。説明を簡単化するため
に、図４に示すように、すべての電極１は同じ直径Ｄ１
と同じ厚さＴ１を持っているとする。図１では、表示を
簡単にするために３個の電極１のみを示している。電極
１の直径は、例えば１３５μｍである。
【００４１】ここで使用する第１メタルマスク４ａは、
チップ２の電極１の各々に対応する位置に円形の開口部
３ａを持つ。これらの開口部３ａは、チップ２のレイア
ウトと同じレイアウトで配置されている。図４に示すよ
うに、各開口部３ａの直径Ｄ３ａは対応する電極１の直
径Ｄ１よりも大きく（Ｄ３ａ＞Ｄ１）、第１メタルマス
ク４ａの厚さＴ４ａは対応する電極１の厚さＴ１よりも
大きい（Ｔ４ａ＞Ｔ１）。
【００４２】第１メタルマスク４ａは、例えば、Ｎｉ、
Ｎｉ／Ｃｏ、あるいはステンレス製である。アディディ
ブ法やエッチング法で製作される。第１メタルマスク４
ａの厚さＴ４ａは例えば３０μｍ、その開口部３ａの直
径Ｄ３ａは例えば１５０μｍである。
【００４３】まず最初に、チップ２の表面に、第１メタ
ルマスク４ａの各開口部３ａがチップ２の対応する電極
１と重なるように、第１メタルマスク４ａを載せる。こ
の時第１メタルマスク４ａの各開口部３ａの中心がチッ
プ２の対応する電極１の中心に整合するようにする。し
たがって、図１（ａ）に示すように、第１メタルマスク
４ａの下面はチップ２の表面に接触し、チップ２の各電
極１は第１メタルマスク４ａの対応する開口部３ａの内
部中央に位置する。
【００４４】次に、スクリーン印刷法により、クリーム
ハンダ５をチップ２の表面に所望パターンで印刷する。
すなわち、図１（ａ）に示すように、第１メタルマスク
４ａの上面全体に所定量のクリームハンダ５を載せてか
ら、スキージ６を用いて第１メタルマスク４ａの開口部
３ａの内部にクリームハンダ５を埋め込む。
【００４５】こうして、開口部３ａの全体がクリームハ
ンダ５で充填されると、第１メタルマスク４ａをチップ
２から取り除く。この時の状態は図１（ｂ）に示す通り
である。第１メタルマスク４ａの開口部３の直径と厚さ
は、いずれも電極１の直径と厚さよりも大きいので、図
１（ｂ）に示すように、各電極１の上面だけでなく側面
もクリームハンダ層５ａで覆われる。
【００４６】続いて、クリームハンダ層５ａが形成され
たチップ２をリフロー炉の中に入れ、所定温度で所定時
間加熱する。クリームハンダ５は、有機物質からなるフ
ラックスの中に微細なハンダ粒子を混合・分散させたも
のであるから、加熱によりクリームハンダ５中のフラッ
クスが気化・放散する。他方、クリームハンダ５中のハ
ンダ粒子は溶融して一体化するが、その時、そのハンダ
溶融体の表面は表面張力によって丸くなる。
【００４７】その後、チップ２をリフロー炉から取り出
して冷却すると、各電極１上のハンダ溶融体はほぼその
ままの状態で凝固する。こうして、図１（ｃ）に示すよ
うに、各電極１上に第１ハンダバンプ７ａが形成され
る。これらの第１ハンダバンプ７ａは、図５に示すよう
に、高さＨ７ａを持つが、その直径は電極１の直径Ｄ１
に等しい。
【００４８】ここで、第１ハンダバンプ７ａ内において
防止・抑制すべきボイドの最大寸法（直径）が、例えば
２０μｍとすると、第１ハンダバンプ７ａの高さＨ７ａ
もほぼ２０μｍとなるようにする。これにより、第１ハ
ンダバンプ７ａの内部に直径が２０μｍを越えるボイド
が生成されるのを防止できる。
【００４９】スクリーン印刷の工程で第１メタルマスク
４ａの各開口部３ａに充填されるクリームハンダ５の量
は、電極１の直径Ｄ１に対応して通常必要とされる量よ
りも十分少なく設定されているので、リフロー工程で電
極１上に形成されるハンダ溶融体の量も十分少なくな
る。その結果、そのハンダ溶融体は球状にはならず、図
１（ｃ）に示すように、平面に近い球面の一部（部分球
面）となる。このため、所望の直径を有するボイド欠陥
の発生を防止ないし抑制できる。その理由は以下の通り
である。
【００５０】第１ハンダバンプ７ａ内にボイド欠陥が生
じる主な原因は、リフロー工程における電極１とクリー
ムハンダ層５ａとの反応によって生じる種々のガスであ
る。リフロー工程の後に溶融したハンダペースト層５ａ
が凝固する際に、そのガスが第１ハンダバンプ７ａ内に
閉じ込められるため、そこがハンダが存在しない空洞、
すなわちボイドとなる。これらのガスは、第１ハンダバ
ンプ７ａが球状に近ければ近いほど、第１ハンダバンプ
７ａ内に閉じ込められやすい、つまりボイドが発生する
確率が高い。また、第１ハンダバンプ７ａが球状に近け
れば近いほど生じうるボイドの寸法も大きくなる。これ
は、逆に言えば、第１ハンダバンプ７ａが球状から遠ざ
かる、すなわち平面に近ければ近いほど、ボイドが生じ
にくく、しかも生じうるボイドの寸法も小さくなる、と
いうことを意味する。
【００５１】上述したように、本発明の第１実施形態の
ハンダバンプの形成方法では、第１ハンダバンプ７ａの
高さＨ７ａが、電極１の直径Ｄ１を考慮して設定した防
止・抑制すべきボイドの最大寸法（２０μｍ）とほぼ一
致するように、第１メタルマスク４ａの開口部３ａの容
積が設定されている。このため、ガスによって第１ハン
ダバンプ７ａの内部に空洞部が形成されても、防止・抑
制すべきボイドの最大寸法とほぼ一致する大きさを持つ
空洞部は、容易に破裂して消滅し、第１ハンダバンプ７
ａの内部に残存しない。防止・抑制すべきボイドの最大
寸法よりも小さい空洞部は、第１ハンダバンプ７ａの内
部に残存する可能性があるが、防止・抑制すべきボイド
の最大寸法を適当に設定すれば、容易に、そのような小
さな空洞部によって生じるボイドが実用上問題を引き起
こさないようにすることができる。よって、第１ハンダ
バンプ７ａを形成する際にボイド欠陥を効果的に防止す
ることができる。
【００５２】以上のようにして各電極１上に第１ハンダ
バンプ７ａが形成されると、続いて、図１（ｄ）に示す
ように、第２メタルマスク４ｂを用いて、１回目のスク
リーン印刷と同様にして２回目のスクリーン印刷を行
う。
【００５３】ここで使用する第２メタルマスク４ｂは、
第１メタルマスク４ａと同様に、チップ２の電極１の各
々に対応する位置に円形の開口部３ｂを持つ。これらの
開口部３ｂは、チップ２のレイアウトと同じレイアウト
で配置されている。図６に示すように、各開口部３ｂの
直径Ｄ３ｂは対応する電極１の直径Ｄ１よりも大きく、
第２メタルマスク４ｂの厚さＴ４ｂは対応する電極１の
厚さＴ１よりも大きい。さらに、各開口部３ｂの直径Ｄ
３ｂは、第１メタルマスク４ａの対応する開口部３ａの
直径Ｄ３ａよりも大きい、すなわち、Ｄ３ｂ＞Ｄ３ａで
ある。第２メタルマスク４ｂの厚さＴ４ｂは、第１メタ
ルマスク４ａの厚さＴ３ａよりも大きい、すなわち、Ｔ
４ｂ＞Ｔ４ａである。
【００５４】第２メタルマスク４ｂは、第１メタルマス
ク４ａと同様に、例えばＮｉ、Ｎｉ／Ｃｏ、あるいはス
テンレス製であり、アディディブ法やエッチング法で製
作される。第２メタルマスク４ｂの厚さは例えば８０μ
ｍ、その開口部３ｂの直径は例えば１８０μｍである。
【００５５】２回目のスクリーン印刷では、図１（ｄ）
に示すように、チップ２の表面に、第２メタルマスク４
ｂの各開口部３ｂがチップ２の対応する電極１（つまり
第１バンプ７ａ）と重なるように、第２メタルマスク４
ｂを載せる。この時、第２メタルマスク４ｂの各開口部
３ｂの中心が対応する電極１（つまり第１バンプ７ａ）
の中心に整合するようにする。したがって、第２メタル
マスク４ｂの下面はチップ２の表面に接触し、チップ２
の各電極１（つまり第１バンプ７ａ）は第２メタルマス
ク４ｂの対応する開口部３ｂの内部中央に位置する。
【００５６】次に、スクリーン印刷法により、クリーム
ハンダ５をチップ２の表面に所望パターンで印刷する。
すなわち、図１（ｄ）に示すように、第２メタルマスク
４ｂの上面全体に所定量のクリームハンダ５を載せてか
ら、スキージ６を用いて第２メタルマスク４ｂの開口部
３ｂの内部にクリームハンダ５を埋め込む。
【００５７】こうして、開口部３ｂの全体がクリームハ
ンダ５で充填されると、第２メタルマスク４ｂをチップ
２から取り除く。この時の状態は図１（ｅ）に示す通り
である。第２メタルマスク４ｂの開口部３ｂの直径Ｄ３
ｂは、電極１の直径Ｄ１よりも大きい。また、第２メタ
ルマスク４ｂの厚さＴ４ｂは、電極１の厚さＴ１と第１
バンプ７ａの高さＨ７ａの和よりも大きい。このため、
図１（ｅ）に示すように、各第１バンプ７ａと電極１の
上面だけでなく側面もクリームハンダ層５ｂで覆われ
る。
【００５８】続いて、クリームハンダ層５ｂが形成され
たチップ２をリフロー炉の中に入れ、所定温度で所定時
間加熱する。加熱により、第２クリームハンダ層５ｂ中
のフラックスが気化・放散し、他方、第２クリームハン
ダ層５ｂ中のハンダ粒子は溶融して第１バンプ７ａと一
体化する。その時、そのハンダ溶融体の表面は表面張力
によって丸くなる。
【００５９】その後、チップ２をリフロー炉から取り出
して冷却すると、各電極１上のハンダ溶融体はほぼその
ままの状態で凝固する。こうして、図１（ｆ）に示すよ
うに、各電極１上に第２ハンダバンプ７ｂが形成され
る。第２ハンダバンプ７ｂは、ほぼ球状であり、対応す
る電極１のほぼ全体を包含している。
【００６０】こうして形成された第２ハンダバンプ７ａ
は、図７に示すように、電極１からの高さＨ７ｂを持つ
が、その直径Ｄ７ｂは電極１の直径Ｄ１より大きい。第
２ハンダバンプ７ａのチップ２の表面からの高さＨ７
ｂ’は、電極１からの高さＨ７ｂと電極１の厚さＴ１の
和である。すなわち、Ｈ７ｂ’＝Ｈ７ｂ＋Ｔ１である。
【００６１】第１ハンダバンプ７ａの高さＨ７ａを２０
μｍとした場合、第２ハンダバンプ７ｂの高さＨ７ｂ
は、例えば８０μｍとなる。
【００６２】以上説明したように、本発明の第１実施形
態のハンダバンプの形成方法では、第１ハンダバンプ７
ａの高さＨ７ａが、電極１の直径Ｄ１を考慮して設定し
た防止・抑制すべきボイドの最大寸法（例えば２０μ
ｍ）とほぼ一致するように、第１マスク４ａの開口部３
ａの容積が設定されているため、第１クリームハンダ層
５ａと電極１との熱反応によってガスが発生しても、そ
のガスは第１ハンダバンプ７ａ内に閉じ込められ難い。
よって、ボイド欠陥を効果的に防止しながら、所望の高
さを持つハンダバンプ７ｂを電極１上に形成することが
できる。
【００６３】この方法は、特別な工程の追加やクリーム
ハンダの印刷条件に対して特殊な設定が不要であるか
ら、簡易に実行できるものである。
【００６４】上述した第１実施形態のハンダバンプの形
成方法では、メタルマスクを使用しているが、それに代
えてレジストマスクを使用しても良い。また、第２メタ
ルマスク４ｂの開口部３ｂを直径１８０μｍの円形とし
ているが、一辺１８０μｍの正方形としても同様の結果
が得られる。さらに、必要に応じて、さらに、第３（お
よび第４以降）のマスクを使用してスクリーン印刷工程
とリフロー工程を３回あるいはそれ以上繰り返してもよ
い。
【００６５】（第２実施形態）図２は、本発明の第２実
施形態のハンダバンプの形成方法を示す。この方法は、
第１実施形態において、第１および第２のメタルマスク
４ａ、４ｂに代えて、第１および第２のレジストマスク
１４ａ、１４ｂをそれぞれ使用したものである。レジス
トマスク１４ａ、１４ｂは、通常、フォトレジスト膜を
パターン化して形成される。また、使用するＬＳＩチッ
プ２は、第１実施形態で使用したものと同じであるか
ら、それについての説明は省略する。
【００６６】第１レジストマスク１４ａは、チップ２の
電極１の各々に対応する位置に円形の開口部１３ａを持
つ。これらの開口部１３ａは、チップ２のレイアウトと
同じレイアウトで配置されている。各開口部１３ａの直
径Ｄ１３ａは対応する電極１の直径Ｄ１よりも大きく
（Ｄ１３ａ＞Ｄ１）、第１レジストマスク１４ａの厚さ
Ｔ１４ａは対応する電極１の厚さＴ１よりも大きい（Ｔ
１４ａ＞Ｔ１）。
【００６７】まず最初に、チップ２の表面に、第１レジ
ストマスク１４ａの各開口部１３ａがチップ２の対応す
る電極１と重なるように、第１レジストマスク１４ａを
載せる。この時第１レジストマスク１４ａの各開口部１
３ａの中心がチップ２の対応する電極１の中心に整合す
るようにする。したがって、図２（ａ）に示すように、
第１レジストマスク１４ａの下面はチップ２の表面に接
触し、チップ２の各電極１は第１レジストマスク１４ａ
の対応する開口部１３ａの内部中央に位置する。
【００６８】次に、スクリーン印刷法により、クリーム
ハンダ５をチップ２の表面に所望パターンで印刷する。
すなわち、図２（ａ）に示すように、第１レジストマス
ク１４ａの上面全体に所定量のクリームハンダ５を載せ
てから、スキージ６を用いて第１レジストマスク１４ａ
の開口部１３ａの内部にクリームハンダ５を埋め込む。
こうして、開口部１３ａの全体がクリームハンダ５で充
填されると、各電極１の上面だけでなく側面もクリーム
ハンダ層１５ａで覆われる。これは、第１レジストマス
ク１４ａの開口部１３ａの直径Ｄ１３ａと厚さＴ１４ａ
が、電極１の直径Ｄ１と厚さＴ１よりもそれぞれ大きい
からである。
【００６９】以上の工程は、第１実施形態と同じであ
る。
【００７０】続いて、第１レジストマスク１４ａを取り
除くことなく、クリームハンダ５が充填されたチップ２
をリフロー炉の中に入れ、所定温度で所定時間加熱す
る。加熱によりクリームハンダ層１５ａ中のフラックス
が気化・放散する。他方、クリームハンダ層１５ａ中の
ハンダ粒子は溶融して一体化するが、その時、そのハン
ダ溶融体の表面は表面張力によって丸くなる。この時の
加熱温度は、第１レジストマスク１４ａの耐熱温度より
低く設定する、あるいは、加熱温度より高い耐熱温度を
持つ第１レジストマスク１４ａを使用する。
【００７１】その後、チップ２をリフロー炉から取り出
して冷却すると、各電極１上のハンダ溶融体はほぼその
ままの状態で凝固する。こうして、図２（ｂ）に示すよ
うに、第１レジストマスク１４ａの開口部１３ａの内部
において、各電極１上に第１ハンダバンプ１７ａが形成
される。これらの第１ハンダバンプ１７ａは、高さＨ１
７ａを持つが、その直径は電極１の直径Ｄ１にほぼ等し
い。
【００７２】スクリーン印刷の工程で第１レジストマス
ク１４ａの各開口部１３ａに充填されるクリームハンダ
５の量は、電極１の直径Ｄ１に比べて十分少なく設定さ
れているので、電極１上に形成されるハンダ溶融体の量
も電極１の直径Ｄ１に比べて十分少なくなる。その結
果、そのハンダ溶融体は球状にはならず、図２（ｂ）に
示すように、平面に近い球面の一部（部分球面）とな
る。このため、ボイド欠陥の発生を防止ないし抑制でき
る。その理由は第１実施形態で述べた通りである。
【００７３】このように、本発明の第２実施形態のハン
ダバンプの形成方法では、第１ハンダバンプ１７ａの高
さＨ１７ａが、電極１の直径Ｄ１を考慮して設定した防
止・抑制すべきボイドの最大寸法（例えば２０μｍ）と
ほぼ一致するように、第１レジストマスク１４ａの開口
部１３ａの容積が設定されているため、前記のガスが発
生しても第１ハンダバンプ１７ａ内に閉じ込められ難
い。よって、第１ハンダバンプ１７ａを形成する際にボ
イド欠陥を効果的に防止することができる。
【００７４】以上のようにして各電極１上に第１ハンダ
バンプ１７ａが形成されると、続いて、図２（ｃ）に示
すように、第１レジストマスク１４ａの上に第２レジス
トマスク４ｂを重ねて形成する。そして、両レジストマ
スク１４ａと１４ｂを用いて、１回目のスクリーン印刷
と同様にして２回目のスクリーン印刷を行う。
【００７５】ここで使用する第２レジストマスク１４ｂ
は、第１レジストマスク１４ａと同じパターンを持つ。
また、第２レジストマスク１４ｂの各開口部１３ｂは、
第１レジストマスク１４ａの各開口部１３ａと同じ形状
と大きさと厚さを持つ。したがって、Ｄ１３ｂ＝Ｄ１３
ａ、Ｔ１４ｂ＝Ｔ１４ａである。
【００７６】積層形成した２枚のレジストマスク１４ａ
と１４ｂを用いる２回目のスクリーン印刷では、図２
（ｃ）に示すように、第２レジストマスク１４ｂの上面
全体に所定量のクリームハンダ５を載せてから、スキー
ジ６を用いて両レジストマスク１４ｂと１４ａの開口部
１３ｂと１３ａの内部にクリームハンダ５を埋め込む。
こうして、開口部１３ｂと１３ａの全体がクリームハン
ダ５で充填する。。この時、両レジストマスク１４ｂと
１４ａの厚さ（Ｔ１４ｂ＋Ｔ１４ａ）は、電極１の厚さ
Ｔ１と第１バンプ１７ａの高さＨ１７ａの和（Ｔ１＋Ｈ
１７ａ）よりも大きいので、図２（ｃ）に示すように、
各第１バンプ１７ａと電極１の上面だけでなく側面もク
リームハンダ層１５ｂで覆われる。
【００７７】続いて、両レジストマスク１４ｂ、１４ａ
をチップ２から取り除くことなく、クリームハンダ層１
５ｂが形成されたチップ２をリフロー炉の中に入れ、所
定温度で所定時間加熱する。加熱により、クリームハン
ダ層１５ｂ中のフラックスが気化・放散し、他方、クリ
ームハンダ層１５ｂ中のハンダ粒子は溶融して第１ハン
ダバンプ１７ａと一体化する。その時、そのハンダ溶融
体の表面は表面張力によって丸くなる。なお、加熱温度
は、第１および第２のレジストマスク１４ａと１４ｂの
耐熱温度より低く設定する、あるいは、加熱温度より高
い耐熱温度を持つ第１および第２のレジストマスク１４
ａと１４ｂを使用する。
【００７８】その後、チップ２をリフロー炉から取り出
して冷却すると、各電極１上のハンダ溶融体はほぼその
ままの状態で凝固する。こうして、図２（ｄ）に示すよ
うに、各電極１上に所望の高さを持つ第２ハンダバンプ
１７ｂが形成される。
【００７９】最後に、両レジストマスク１４ｂ、１４ａ
をチップ２から取り除くと、図２（ｅ）に示すように、
各電極１上に所望の高さを持つ第２ハンダバンプ１７ｂ
が形成される。第２ハン第２ハンダバンプ１７ｂは、ほ
ぼ球状であり、対応する電極１のほぼ全体を包含してい
る。
【００８０】こうして形成された第２ハンダバンプ１７
ａは、電極１からの高さＨ１７ｂを持つが、その直径Ｄ
１７ｂは電極１の直径Ｄ１より大きい。第２ハンダバン
プ１７ａのチップ２の表面からの高さＨ１７ｂ’は、電
極１からの高さＨ１７ｂと電極１の厚さＴ１の和であ
る、すなわち、Ｈ１７ｂ’＝Ｈ１７ｂ＋Ｔ１である。
【００８１】以上説明したように、本発明の第２実施形
態のハンダバンプの形成方法では、本発明の第１実施形
態のハンダバンプの形成方法と同じ理由により、ボイド
欠陥を効果的に防止しながら、所望の高さを持つハンダ
バンプ１７ｂを電極１上に形成することができる。ま
た、この方法は簡易に実行できるものである。
【００８２】上述した第２実施形態のハンダバンプの形
成方法において、必要に応じて、さらに、第３（および
第４以降）のマスクを使用してスクリーン印刷工程とリ
フロー工程を繰り返してもよい。
【００８３】（第３実施形態）図３は、本発明の第３実
施形態のハンダバンプの形成方法を示す。この方法は、
第１実施形態において、第１および第２のメタルマスク
４ａ、４ｂを使用するスクリーン印刷に代えて、吸着ツ
ール３１を用いてハンダボール３２ａと３２ｂを電極１
上に載せるようにしたものである。使用するＬＳＩチッ
プ２は、第１実施形態で使用したものと同じである。
【００８４】この方法では、公知の吸着ツール３１を用
いて、図３（ａ）に示すように、各電極１の上に第１ハ
ンダボール３２ａを載せ、所定の圧力で押し付ける。こ
こで使用する吸着ツール３１は、真空ポンプなどで排気
されて所定の真空度に設定される内部空間３１ａと、そ
の内部空間３１ａに連通し且つ各電極１と重なる位置に
形成された透孔３１ａを有している。第１ハンダボール
３２ａは、真空吸着により各透孔３１ａの先端に保持さ
れる。こうして保持された第１ハンダボール３２ａは、
図３（ａ）に示すようにして、各電極１の上に圧着せし
められる。
【００８５】次に、各電極１の上に第１ハンダボール３
２ａが載せられたチップ２をリフロー炉の中に入れ、所
定温度で所定時間加熱する。第１ハンダボール３２ａ
は、加熱により溶融してハンダ流動体となるが、その
時、そのハンダ流動体の表面は表面張力によって丸くな
る。
【００８６】その後、チップ２をリフロー炉から取り出
して冷却すると、各電極１上のハンダ流動体はほぼその
ままの状態で凝固する。こうして、図３（ｂ）に示すよ
うに、各電極１上に第１ハンダバンプ２７ａが形成され
る。これらの第１ハンダバンプ２７ａは、高さＨ２７ａ
を持つが、その直径は電極１の直径Ｄ１にほぼ等しい。
【００８７】第１ハンダボール３２ａの直径は、電極１
の直径Ｄ１に比べて十分少なく設定されているので、電
極１上に形成されるハンダ溶融体の量も電極１の直径Ｄ
１に比べて十分少なくなる。その結果、そのハンダ溶融
体は球状にはならず、図３（ｂ）に示すように、平面に
近い球面の一部（部分球面）となる。このため、第１ハ
ンダバンプ２７ａ内でのボイド欠陥の発生を防止ないし
抑制できる。
【００８８】以上のようにして各電極１上に第１ハンダ
バンプ２７ａが形成されると、続いて、吸着ツール３１
を用いて、図３（ｃ）に示すように、各第１ハンダバン
プ２７ａの上に第２ハンダボール３２ｂを載せ、所定の
圧力で押し付ける。こうして、各第１ハンダバンプ２７
ａの上に第２ハンダボール３２ｂが圧着せしめられる。
【００８９】次に、各第１ハンダバンプ２７ａの上に第
２ハンダボール３２ｂが載せられたチップ２をリフロー
炉の中に入れ、所定温度で所定時間加熱する。第２ハン
ダボール３２ａは、加熱により溶融して第１ハンダバン
プ２７ａと一体化してハンダ溶融体となるが、その時、
そのハンダ溶融体の表面は表面張力によって丸くなる。
【００９０】その後、チップ２をリフロー炉から取り出
して冷却すると、各電極１上のハンダ溶融体はほぼその
ままの状態で凝固する。こうして、図３（ｄ）に示すよ
うに、各電極１上に第２ハンダバンプ２７ｂが形成され
る。これらの第２ハンダバンプ２７ｂは、高さＨ２７ｂ
を持つが、その直径は電極１の直径Ｄ１よりも大きい。
第２ハンダバンプ２７ｂは、ほぼ球状であり、対応する
電極１のほぼ全体を包含している。
【００９１】こうして形成された第２ハンダバンプ２７
ａは、電極１からの高さＨ２７ｂを持つが、その直径Ｄ
２７ｂは電極１の直径Ｄ１より大きい。第２ハンダバン
プ２７ａのチップ２の表面からの高さＨ２７ｂ’は、電
極１からの高さＨ２７ｂと電極１の厚さＴ１の和であ
る、すなわち、Ｈ２７ｂ’＝Ｈ２７ｂ＋Ｔ１である。
【００９２】以上説明したように、本発明の第３実施形
態のハンダバンプの形成方法では、第１ハンダバンプ２
７ａの高さＨ２７ａが、電極１の直径Ｄ１を考慮して設
定した防止・抑制すべきボイドの最大寸法（例えば２０
μｍ）とほぼ一致するように、第１ハンダボール３２ａ
の直径（すなわち体積）が設定されている。このため、
第１ハンダボール３２ａと電極１との熱反応によってガ
スが発生しても、そのガスは第１ハンダバンプ７ａ内に
閉じ込められ難い。よって、ボイド欠陥を効果的に防止
しながら、所望の高さを持つハンダバンプ２７ｂを電極
１上に形成することができる。
【００９３】また、この方法は、特別な工程の追加やク
リームハンダの印刷条件に対して特殊な設定が不要であ
るから、簡易に実行できるものである。
【００９４】上述した第３実施形態のハンダバンプの形
成方法においても、必要に応じて、さらに、第３（およ
び第４以降）のハンダボールを使用してハンダボール固
着工程とリフロー工程を繰り返してもよい。
【００９５】（変形例）上記第１〜第３実施形態では、
ＬＳＩチップのすべての電極が円形で、しかも同じ直径
と同じ厚さを持っているとしているが、本発明はこの態
様に限定されないことは言うまでもない。ＬＳＩチップ
の複数の電極は、異なる形状であってもよいし異なる寸
法を持っていてもよい。その場合は、電極の形状と寸法
に対応して、使用するマスクの開口部の形状と寸法を調
整すればよい。
【００９６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のハンダバ
ンプの形成方法によれば、ボイド欠陥の発生を効果的に
防止・抑制しながら必要な高さを持つハンダバンプを電
極上に形成することが可能となる。また、簡易に実行で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施形態のハンダバンプの形成方
法の各工程を示す要部概略断面図である。
【図２】本発明の第２実施形態のハンダバンプの形成方
法の各工程を示す要部概略断面図である。
【図３】本発明の第３実施形態のハンダバンプの形成方
法の各工程を示す要部概略断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態のハンダバンプの形成方
法において、第１メタルマスクの開口部と電極の寸法関
係を示す部分拡大断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態のハンダバンプの形成方
法において、第１ハンダバンプと電極の寸法関係を示す
部分拡大断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態のハンダバンプの形成方
法において、第２メタルマスクの開口部と第１ハンダバ
ンプの寸法関係を示す部分拡大断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態のハンダバンプの形成方
法において、第２ハンダバンプと電極の寸法関係を示す
部分拡大断面図である。
【符号の説明】
１ 電極 ２ ＬＳＩチップ ３ａ、３ｂ メタルマスクの開口部 ４ａ 第１メタルマスク ４ｂ 第２メタルマスク ５ クリームハンダ ５ａ、５ｂ クリームハンダ層 ６ スキージ ７ａ 第１ハンダバンプ ７ｂ 第２ハンダバンプ １３ａ、１３ｂ レジストマスクの開口部 １４ａ 第１レジストマスク １４ｂ 第２レジストマスク １５ クリームハンダ １５ａ、１５ｂ クリームハンダ層 １６ スキージ １７ａ 第１ハンダバンプ １７ｂ 第２ハンダバンプ ２７ａ 第１ハンダバンプ ２７ｂ 第２ハンダバンプ ３１ ハンダボールの吸着ツール ３２ａ 第１ハンダボール ３２ｂ 第２ハンダボール

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基体に設けた複数の電極上に、複数の開
    口部を持つ第１マスクを用いてクリームハンダを所定パ
    ターンで印刷し、第１クリームハンダ層を複数の前記電
    極上にそれぞれ形成する工程と、 前記第１マスクを取り外してから、加熱により前記第１
    クリームハンダ層を溶融させた後、凝固させることによ
    り、第１ハンダバンプを複数の前記電極上にそれぞれ形
    成する工程と、 複数の前記電極上にそれぞれ形成された前記第１ハンダ
    バンプ上に、第２マスクを用いてクリームハンダを所定
    パターンで印刷し、第２クリームハンダ層を複数の前記
    電極上にそれぞれ形成する工程と、 前記第２マスクを取り外してから、加熱により前記第１
    ハンダバンプとその上に形成された前記第２クリームハ
    ンダ層とを溶融・一体化させた後、凝固させることによ
    り、前記第１ハンダバンプよりも大きい第２ハンダバン
    プを複数の前記電極上にそれぞれ形成する工程とを備
    え、 前記第１ハンダバンプの高さが前記電極の寸法を考慮し
    て設定した防止・抑制すべきボイドの最大寸法とほぼ一
    致するように、前記第１マスクの開口部の容積が設定さ
    れており、 前記第２ハンダバンプの高さが所望の値になるように、
    前記第２マスクの開口部の容積が設定されていることを
    特徴とするハンダバンプの形成方法。
  2. 【請求項２】 前記第１マスクの厚さが複数の前記電極
    の厚さより大きく、且つ前記第１マスクの複数の開口部
    のそれぞれが対応する前記電極の大きさよりも大きく設
    定され、 前記第２マスクの厚さが前記第１マスクの厚さより大き
    く、前記第２マスクの複数の開口部のそれぞれが前記第
    １マスクの対応する開口部の大きさよりも大きく設定さ
    れている請求項１に記載のハンダバンプの形成方法。
  3. 【請求項３】 基体に設けた複数の電極上に、第１マス
    クを用いてクリームハンダを所定パターンで印刷し、第
    １クリームハンダ層を複数の前記電極上にそれぞれ形成
    する工程と、 前記第１マスクを取り外すことなく、加熱により前記第
    １クリームハンダ層を溶融させた後、凝固させることに
    より、第１ハンダバンプを複数の前記電極上にそれぞれ
    形成する工程と、 前記第１マスクの上に第２マスクを形成し、複数の前記
    電極上にそれぞれ形成された前記第１ハンダバンプ上
    に、前記第１マスクと前記第２マスクを用いてクリーム
    ハンダを所定パターンで印刷し、第２クリームハンダ層
    を複数の前記電極上にそれぞれ形成する工程と、 前記第１マスクおよびと前記第２マスクを取り外すこと
    なく、加熱により前記第１ハンダバンプとその上に形成
    された前記第２クリームハンダ層とを溶融・一体化させ
    た後、凝固させることにより、前記第１ハンダバンプよ
    りも大きい第２ハンダバンプを複数の前記電極上にそれ
    ぞれ形成する工程とを備え、 前記第１ハンダバンプの高さが前記電極の寸法を考慮し
    て設定した防止・抑制すべきボイドの最大寸法とほぼ一
    致するように、前記第１マスクの開口部の容積が設定さ
    れており、 前記第２ハンダバンプの高さが所望の値になるように、
    前記第１マスクの開口部の容積と前記第２マスクの開口
    部の容積の和が設定されていることを特徴とするハンダ
    バンプの形成方法。
  4. 【請求項４】 前記第１マスクの厚さが複数の前記電極
    の厚さより大きく、且つ前記第１マスクの複数の開口部
    のそれぞれが対応する前記電極の大きさよりも大きく設
    定され、 前記第２マスクの複数の開口部のそれぞれが前記第１マ
    スクの対応する開口部とほぼ同じ大きさに設定されてい
    る請求項３に記載のハンダバンプの形成方法。
  5. 【請求項５】 基体に設けた複数の電極上に、第１マス
    クを用いてクリーム基体に設けた複数の電極上に第１ハ
    ンダボールをそれぞれ固着する工程と、 加熱により前記第１ハンダボールを溶融させた後、凝固
    させることにより、第１ハンダバンプを複数の前記電極
    上にそれぞれ形成する工程と、 複数の前記電極上にそれぞれ形成された前記第１ハンダ
    バンプ上に、第２ハンダボールをそれぞれ固着する工程
    と、 加熱により前記第１ハンダバンプとその上に固着された
    前記第２ハンダボールとを溶融・一体化させた後、凝固
    させることにより、前記第１ハンダバンプよりも大きい
    第２ハンダバンプを複数の前記電極上にそれぞれ形成す
    る工程とを備え、 前記第１ハンダバンプの高さが前記電極の寸法を考慮し
    て設定した防止・抑制すべきボイドの最大寸法とほぼ一
    致するように、前記第１ハンダボールの体積が設定され
    ており、 前記第２ハンダバンプの高さが所望の値になるように、
    前記第２ハンダボールの体積が設定されていることを特
    徴とするハンダバンプの形成方法。
  6. 【請求項６】 前記第２ハンダボールの直径が、複数の
    前記電極の寸法より大きく設定されている請求項５に記
    載のハンダバンプの形成方法。
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005101468A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Kyocera Corp 半導体素子及びその製造方法
JP2005235161A (ja) * 2004-01-19 2005-09-02 Ricoh Co Ltd Ｓｉｍｄ型プロセッサ及び画像処理プロセッサ
JP2006074587A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置およびこれを用いた電子部品モジュール
JP2006165336A (ja) * 2004-12-08 2006-06-22 Mitsubishi Materials Corp バンプ形成用ハンダペースト
JP2009129951A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Shinko Electric Ind Co Ltd 導電性バンプの形成方法
JP2011060964A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Tamura Seisakusho Co Ltd バンプの形成方法
JP2012064911A (ja) * 2010-09-16 2012-03-29 Fujitsu Ltd パッケージ基板ユニット及びパッケージ基板ユニットの製造方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6386435B1 (en) * 2000-08-11 2002-05-14 Emc Corporation Systems and methods for distributing solder paste using a tool having a solder paste aperture with a non-circular cross-sectional shape
US7547623B2 (en) 2002-06-25 2009-06-16 Unitive International Limited Methods of forming lead free solder bumps
US20040232562A1 (en) * 2003-05-23 2004-11-25 Texas Instruments Incorporated System and method for increasing bump pad height
US20050051604A1 (en) * 2003-09-09 2005-03-10 Texas Instruments Incorporated Method and system for forming ball grid array ("BGA") packages
CN1635634A (zh) * 2003-12-30 2005-07-06 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 生产芯片级封装用焊垫的方法与装置
KR100642746B1 (ko) * 2004-02-06 2006-11-10 삼성전자주식회사 멀티 스택 패키지의 제조방법
US6979636B1 (en) * 2005-02-09 2005-12-27 Compeq Manufacturing Co., Ltd. Method for forming heightened solder bumps on circuit boards
US7375431B1 (en) * 2005-03-18 2008-05-20 National Semiconductor Corporation Solder bump formation in electronics packaging
US7569164B2 (en) * 2007-01-29 2009-08-04 Harima Chemicals, Inc. Solder precoating method
US8039960B2 (en) * 2007-09-21 2011-10-18 Stats Chippac, Ltd. Solder bump with inner core pillar in semiconductor package
US7994043B1 (en) 2008-04-24 2011-08-09 Amkor Technology, Inc. Lead free alloy bump structure and fabrication method
US8304290B2 (en) * 2009-12-18 2012-11-06 International Business Machines Corporation Overcoming laminate warpage and misalignment in flip-chip packages
BR112013033481A2 (pt) 2011-06-30 2019-09-24 3M Innovative Properties Co aparelho e método para impressão por microcontato em mantas de comprimento indefinido
US9426901B2 (en) 2011-10-12 2016-08-23 General Electric Company Patterning method for component boards
US9461008B2 (en) * 2012-08-16 2016-10-04 Qualcomm Incorporated Solder on trace technology for interconnect attachment
US9960105B2 (en) * 2012-09-29 2018-05-01 Intel Corporation Controlled solder height packages and assembly processes
US9905525B1 (en) * 2016-08-18 2018-02-27 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor wafer and method of ball drop on thin wafer with edge support ring
DE102016220678A1 (de) * 2016-10-21 2018-04-26 Robert Bosch Gmbh Druckvorrichtung und Druckverfahren zum Auftragen eines viskosen oder pastösen Materials
US10037957B2 (en) 2016-11-14 2018-07-31 Amkor Technology, Inc. Semiconductor device and method of manufacturing thereof
CN115917719A (zh) * 2020-06-23 2023-04-04 西门子股份公司 用于接触基底上的功率半导体的方法以及具有功率半导体和基底的功率半导体模块
CN114654035B (zh) * 2022-04-29 2024-05-24 天津光电惠高电子有限公司 一种利用预制焊料降低lga器件焊接空洞的方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2862576B2 (ja) 1989-08-14 1999-03-03 日産自動車株式会社 カチオン電着塗料組成物
US5872051A (en) * 1995-08-02 1999-02-16 International Business Machines Corporation Process for transferring material to semiconductor chip conductive pads using a transfer substrate
JP3146345B2 (ja) * 1996-03-11 2001-03-12 アムコー テクノロジー コリア インコーポレーティド バンプチップスケール半導体パッケージのバンプ形成方法
GB2320167B (en) 1996-12-06 2002-08-21 Distrib Systems Res Inst The Integrated information communication system
JPH1140936A (ja) 1997-07-18 1999-02-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd ソルダーバンプ形成法
JPH11145176A (ja) 1997-11-11 1999-05-28 Fujitsu Ltd ハンダバンプの形成方法及び予備ハンダの形成方法
US6013877A (en) * 1998-03-12 2000-01-11 Lucent Technologies Inc. Solder bonding printed circuit boards
JP3420703B2 (ja) * 1998-07-16 2003-06-30 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US6399426B1 (en) * 1998-07-21 2002-06-04 Miguel Albert Capote Semiconductor flip-chip package and method for the fabrication thereof
JP3403677B2 (ja) * 1999-09-06 2003-05-06 マイクロ・テック株式会社 半田ボール形成方法
JP3968554B2 (ja) * 2000-05-01 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 バンプの形成方法及び半導体装置の製造方法
US6348401B1 (en) * 2000-11-10 2002-02-19 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Method of fabricating solder bumps with high coplanarity for flip-chip application

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005101468A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Kyocera Corp 半導体素子及びその製造方法
JP2005235161A (ja) * 2004-01-19 2005-09-02 Ricoh Co Ltd Ｓｉｍｄ型プロセッサ及び画像処理プロセッサ
JP4641151B2 (ja) * 2004-01-19 2011-03-02 株式会社リコー Ｓｉｍｄ型プロセッサ及び画像処理プロセッサ
JP2006074587A (ja) * 2004-09-03 2006-03-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波装置およびこれを用いた電子部品モジュール
JP4556568B2 (ja) * 2004-09-03 2010-10-06 パナソニック株式会社 弾性表面波装置の製造方法
JP2006165336A (ja) * 2004-12-08 2006-06-22 Mitsubishi Materials Corp バンプ形成用ハンダペースト
JP4672352B2 (ja) * 2004-12-08 2011-04-20 三菱マテリアル株式会社 バンプ形成用ハンダペースト
JP2009129951A (ja) * 2007-11-20 2009-06-11 Shinko Electric Ind Co Ltd 導電性バンプの形成方法
JP2011060964A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Tamura Seisakusho Co Ltd バンプの形成方法
JP2012064911A (ja) * 2010-09-16 2012-03-29 Fujitsu Ltd パッケージ基板ユニット及びパッケージ基板ユニットの製造方法

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