JP2002124827A - 局部発振器およびその使用方法 - Google Patents
局部発振器およびその使用方法Info
- Publication number
- JP2002124827A JP2002124827A JP2001227484A JP2001227484A JP2002124827A JP 2002124827 A JP2002124827 A JP 2002124827A JP 2001227484 A JP2001227484 A JP 2001227484A JP 2001227484 A JP2001227484 A JP 2001227484A JP 2002124827 A JP2002124827 A JP 2002124827A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- local oscillator
- apd
- signal
- resonance circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 32
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims description 14
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Chemical compound OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000098 azimuthal photoelectron diffraction Methods 0.000 description 20
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 11
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 11
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 11
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 11
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 11
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 11
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 5
- 101100379208 Arabidopsis thaliana APD2 gene Proteins 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 2
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 1
- 239000013641 positive control Substances 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03D—DEMODULATION OR TRANSFERENCE OF MODULATION FROM ONE CARRIER TO ANOTHER
- H03D9/00—Demodulation or transference of modulation of modulated electromagnetic waves
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/491—Details of non-pulse systems
- G01S7/4912—Receivers
- G01S7/4913—Circuits for detection, sampling, integration or read-out
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/08—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance
- H03B5/12—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/1237—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator
- H03B5/124—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance
- H03B5/1243—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element comprising lumped inductance and capacitance active element in amplifier being semiconductor device comprising means for varying the frequency of the generator the means comprising a voltage dependent capacitance the means comprising voltage variable capacitance diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/08—Details of the phase-locked loop
- H03L7/099—Details of the phase-locked loop concerning mainly the controlled oscillator of the loop
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L7/00—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation
- H03L7/06—Automatic control of frequency or phase; Synchronisation using a reference signal applied to a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/16—Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop
- H03L7/18—Indirect frequency synthesis, i.e. generating a desired one of a number of predetermined frequencies using a frequency- or phase-locked loop using a frequency divider or counter in the loop
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S17/00—Systems using the reflection or reradiation of electromagnetic waves other than radio waves, e.g. lidar systems
- G01S17/02—Systems using the reflection of electromagnetic waves other than radio waves
- G01S17/06—Systems determining position data of a target
- G01S17/08—Systems determining position data of a target for measuring distance only
- G01S17/32—Systems determining position data of a target for measuring distance only using transmission of continuous waves, whether amplitude-, frequency-, or phase-modulated, or unmodulated
- G01S17/36—Systems determining position data of a target for measuring distance only using transmission of continuous waves, whether amplitude-, frequency-, or phase-modulated, or unmodulated with phase comparison between the received signal and the contemporaneously transmitted signal
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01S—RADIO DIRECTION-FINDING; RADIO NAVIGATION; DETERMINING DISTANCE OR VELOCITY BY USE OF RADIO WAVES; LOCATING OR PRESENCE-DETECTING BY USE OF THE REFLECTION OR RERADIATION OF RADIO WAVES; ANALOGOUS ARRANGEMENTS USING OTHER WAVES
- G01S7/00—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00
- G01S7/48—Details of systems according to groups G01S13/00, G01S15/00, G01S17/00 of systems according to group G01S17/00
- G01S7/491—Details of non-pulse systems
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 構成部品のバラツキや周囲の変化に影響され
ず、構成部品数および電力消費量が少なくて足り、周波
数を安定化させた局部発振器を提供する。 【解決手段】 逆方向にバイアスされた（第１の）アバ
ランシェフォトダイオード（ＡＰＤ２）に入射する光信
号によりこの（第１の）アバランシェフォトダイオード
から生成される（第１の）受信信号と直接混合する狭帯
域の高周波信号を生成する局部発振器であって、（第１
の）アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ２）の空乏
層容量（ＣAPD ）が制御可能な高周波共振回路に設けら
れており、高周波信号を形成するこの共振回路の共振周
波数は、基準発振器（６）により駆動される制御ユニッ
トの選択可能な調節により決定させるようになっている
局部発振器。
ず、構成部品数および電力消費量が少なくて足り、周波
数を安定化させた局部発振器を提供する。 【解決手段】 逆方向にバイアスされた（第１の）アバ
ランシェフォトダイオード（ＡＰＤ２）に入射する光信
号によりこの（第１の）アバランシェフォトダイオード
から生成される（第１の）受信信号と直接混合する狭帯
域の高周波信号を生成する局部発振器であって、（第１
の）アバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ２）の空乏
層容量（ＣAPD ）が制御可能な高周波共振回路に設けら
れており、高周波信号を形成するこの共振回路の共振周
波数は、基準発振器（６）により駆動される制御ユニッ
トの選択可能な調節により決定させるようになっている
局部発振器。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、逆方向にバイアス
されたアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）を介し
てＡＰＤに当接する光信号から生成される受信信号と直
接信号混合するために、狭帯域の高周波信号（ＨＦ信
号）を生成するための局部発振器に関する。
されたアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）を介し
てＡＰＤに当接する光信号から生成される受信信号と直
接信号混合するために、狭帯域の高周波信号（ＨＦ信
号）を生成するための局部発振器に関する。
【０００２】
【従来の技術】アバランシェフォトダイオード（ＡＰ
Ｄ）は、特に繊細な光電子的な測定システムにおいて使
用される。すなわち、たとえば１００メートルまでの距
離を数ミリメートルの精度で光電子的に測定すること
は、多数の使用にとって、特に建設工業や設備建設にお
いて、極めて重要である。この種の距離測定システムの
動特性は、微弱な光受信信号も強いそれも処理できるよ
うにするために、できるだけ高くすべきである。それに
よって、基準場所からのその距離を定めるべき対象にお
いて定められた目標マークを使用することが、いらなく
なる。所定の表面において直接、すなわち目標マークな
しで、距離測定が可能になることは、特に上述した技術
領域とブランチにおいて、同時に製造誤差を減少させな
がら、減少された製造時間とコスト節約を可能にする。
Ｄ）は、特に繊細な光電子的な測定システムにおいて使
用される。すなわち、たとえば１００メートルまでの距
離を数ミリメートルの精度で光電子的に測定すること
は、多数の使用にとって、特に建設工業や設備建設にお
いて、極めて重要である。この種の距離測定システムの
動特性は、微弱な光受信信号も強いそれも処理できるよ
うにするために、できるだけ高くすべきである。それに
よって、基準場所からのその距離を定めるべき対象にお
いて定められた目標マークを使用することが、いらなく
なる。所定の表面において直接、すなわち目標マークな
しで、距離測定が可能になることは、特に上述した技術
領域とブランチにおいて、同時に製造誤差を減少させな
がら、減少された製造時間とコスト節約を可能にする。
【０００３】要請される高い動特性を保証することがで
きるようにし、かつ微弱な測定信号を検出するために、
敏感なＡＰＤの使用はどうしても不可避であって、かつ
原理的には高精度の光電子的距離測定のための方法と装
置において知られてもいる。多くの場合に、距離測定装
置においては、光源、特にレーザーダイオードの、好ま
しくはサイン形状の輝度変調されたビームが測定対象へ
向けられる（欧州特許第０７０１７０２号、ドイツ国特
許公開第１９６４３２８７号、米国特許第４４０３８５
７号明細書を参照）。測定対象から戻るように散乱され
た輝度変調された光は、フォトダイオードによって検出
される。測定すべき距離は、測定対象から戻るように散
乱されたサイン形状に変調された輝度の、求められた光
源の輝度に関する位相シフトから得られる。高精度の距
離又は位相測定システムにおいて温度および経時変化並
びに受信出力に依存する位相エラーを除去するために、
米国特許第４４０３８５７号に対する改良としてのドイ
ツ特許出願公開第１０００６４９３．１号では、メイン
エミッターおよび基準エミッターの輝度を同時に種々の
変調周波数で変調し、かつメイン受信機および基準受信
機としてＡＰＤを使用することにより、メインエミッタ
ーの輝度変調周波数を有する信号と基準エミッターの輝
度変調周波数を有する信号とを含む信号混合を生成する
ことが、提案された。このようにして生成された２つの
信号の位相を同時に測定し、かつ中間周波数領域におい
て２つの位相を分離することによって、一義的な距離説
明を有する障害のない距離測定が可能である。
きるようにし、かつ微弱な測定信号を検出するために、
敏感なＡＰＤの使用はどうしても不可避であって、かつ
原理的には高精度の光電子的距離測定のための方法と装
置において知られてもいる。多くの場合に、距離測定装
置においては、光源、特にレーザーダイオードの、好ま
しくはサイン形状の輝度変調されたビームが測定対象へ
向けられる（欧州特許第０７０１７０２号、ドイツ国特
許公開第１９６４３２８７号、米国特許第４４０３８５
７号明細書を参照）。測定対象から戻るように散乱され
た輝度変調された光は、フォトダイオードによって検出
される。測定すべき距離は、測定対象から戻るように散
乱されたサイン形状に変調された輝度の、求められた光
源の輝度に関する位相シフトから得られる。高精度の距
離又は位相測定システムにおいて温度および経時変化並
びに受信出力に依存する位相エラーを除去するために、
米国特許第４４０３８５７号に対する改良としてのドイ
ツ特許出願公開第１０００６４９３．１号では、メイン
エミッターおよび基準エミッターの輝度を同時に種々の
変調周波数で変調し、かつメイン受信機および基準受信
機としてＡＰＤを使用することにより、メインエミッタ
ーの輝度変調周波数を有する信号と基準エミッターの輝
度変調周波数を有する信号とを含む信号混合を生成する
ことが、提案された。このようにして生成された２つの
信号の位相を同時に測定し、かつ中間周波数領域におい
て２つの位相を分離することによって、一義的な距離説
明を有する障害のない距離測定が可能である。
【０００４】距離と技術的測定対象表面が大きい場合、
従って目標マークを使用しない場合には、極めて弱い信
号を考慮にいれなければならないので、敏感なＡＰＤの
使用が必要であって、そのＡＰＤはたとえばＰＩＮフォ
トダイオードに比較して、入射する光出力によって生成
される光電流の付加的な内部増幅をもたらす。この内部
増幅は、高い電場強さがその中に存在する、ＡＰＤのな
だれゾーンにおける電荷担体の多数倍増からもたらされ
る。この場の強さによって、光入射によって生成される
電荷担体は著しく加速されるので、電荷担体はその高い
エネルギ状態により他の電荷担体をＡＰＤの半導体材料
から遊離させ、それが光電流の付加的な増幅をもたら
す。
従って目標マークを使用しない場合には、極めて弱い信
号を考慮にいれなければならないので、敏感なＡＰＤの
使用が必要であって、そのＡＰＤはたとえばＰＩＮフォ
トダイオードに比較して、入射する光出力によって生成
される光電流の付加的な内部増幅をもたらす。この内部
増幅は、高い電場強さがその中に存在する、ＡＰＤのな
だれゾーンにおける電荷担体の多数倍増からもたらされ
る。この場の強さによって、光入射によって生成される
電荷担体は著しく加速されるので、電荷担体はその高い
エネルギ状態により他の電荷担体をＡＰＤの半導体材料
から遊離させ、それが光電流の付加的な増幅をもたら
す。
【０００５】ＡＰＤのなだれゾーン内で高い電場強さを
発生させるためには、逆方向の高い電圧が必要とされ
る。それは、それぞれＡＰＤの種類に応じ、４０Ｖから
５００Ｖの領域にある。光電流の典型的な増幅係数は、
１０と２００の間にある。その増幅係数は、それぞれの
半導体材料（たとえばＳｉ、ＩｎＧａＡｓ）、フォトダ
イオードの構造、逆電圧および温度に著しく依存する。
発生させるためには、逆方向の高い電圧が必要とされ
る。それは、それぞれＡＰＤの種類に応じ、４０Ｖから
５００Ｖの領域にある。光電流の典型的な増幅係数は、
１０と２００の間にある。その増幅係数は、それぞれの
半導体材料（たとえばＳｉ、ＩｎＧａＡｓ）、フォトダ
イオードの構造、逆電圧および温度に著しく依存する。
【０００６】特に技術的な表面における、上述した種類
の光電子的な距離測定における、すでに延べた問題は、
微弱な信号の検出である。その場合には、測定システム
内に極めてわずかな障害となる電子的ノイズおよび光送
信機（レーザー）からフォトダイオード受信機への極め
てわずかな電気的クロストーク（たとえば＜１１０ｄ
Ｂ）しか存在してはならない。
の光電子的な距離測定における、すでに延べた問題は、
微弱な信号の検出である。その場合には、測定システム
内に極めてわずかな障害となる電子的ノイズおよび光送
信機（レーザー）からフォトダイオード受信機への極め
てわずかな電気的クロストーク（たとえば＜１１０ｄ
Ｂ）しか存在してはならない。
【０００７】わずかなクロストークと外部の障害場（無
線場、デジタル障害）のできるだけ小さい結合を保証す
るために、受信機内で、たとえばすでに延べた米国特許
第４５０３８５７号から、かつセタ、オオイシ（Ｋ．Ｓ
ｅｔａ、Ｔ．Ｏｈ’Ｉｓｈｉ）の専門論文「レーザーダ
イオードから放出されるパルストレインを使用する距離
測定（Ｄｉｓｔａｎｃｅ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｕ
ｓｉｎｇ ａ Ｐｕｌｓｅ Ｔｒａｉｎ Ｅｍｉｔｔｅ
ｄ ｆｒｏｍ ａ Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）」日本応
用物理ジャーナル（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊ．ｏｆ Ａｐ
ｐｌ． Ｐｈｙｓｉｃｓ）第２６巻、第１０号、Ｌ１６
９０−Ｌ１６９２ページ、１９８７年１０月から知られ
ており、かつ同様にすでに延べたドイツ国特許出願公開
第１０００６４９３．０号にも特殊な好ましい変形例に
おいて提案されているような、直接信号混合方法を使用
することができる。この種の直接混合においては、ＡＰ
Ｄの逆電圧に、局部発振器の周波数ｆLOと１Ｖよりも大
きい振幅の、（好ましくは）正弦波形状の信号が重畳さ
れるので、逆電圧によってＡＰＤの増幅係数Ｍ、すなわ
ちその内部電流源も変調される。その場合にＡＰＤの出
力電流については、第１近似においてｉAPD （ｔ）＝Ｍ
（ｔ）・ｉFOTO（ｔ）が成立し、ここでＭ（ｔ）は時間
ｔに関係する変調されたＡＰＤの増幅度であり、ｉFOTO
（ｔ）は、光入射により生成された内部の光電流を表わ
している。ＡＰＤの増幅度と内部の光電流との間の非線
形の関係によって混合信号、すなわち中間周波数信号
（ＺＦ信号）が発生し、その中間周波数信号は局部発振
器の周波数ｆLOと変調された、検出された光出力の周波
数ｆMESSの間の周波数差により発振する。
線場、デジタル障害）のできるだけ小さい結合を保証す
るために、受信機内で、たとえばすでに延べた米国特許
第４５０３８５７号から、かつセタ、オオイシ（Ｋ．Ｓ
ｅｔａ、Ｔ．Ｏｈ’Ｉｓｈｉ）の専門論文「レーザーダ
イオードから放出されるパルストレインを使用する距離
測定（Ｄｉｓｔａｎｃｅ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔ Ｕ
ｓｉｎｇ ａ Ｐｕｌｓｅ Ｔｒａｉｎ Ｅｍｉｔｔｅ
ｄ ｆｒｏｍ ａ Ｌａｓｅｒ Ｄｉｏｄｅ）」日本応
用物理ジャーナル（Ｊａｐａｎｅｓｅ Ｊ．ｏｆ Ａｐ
ｐｌ． Ｐｈｙｓｉｃｓ）第２６巻、第１０号、Ｌ１６
９０−Ｌ１６９２ページ、１９８７年１０月から知られ
ており、かつ同様にすでに延べたドイツ国特許出願公開
第１０００６４９３．０号にも特殊な好ましい変形例に
おいて提案されているような、直接信号混合方法を使用
することができる。この種の直接混合においては、ＡＰ
Ｄの逆電圧に、局部発振器の周波数ｆLOと１Ｖよりも大
きい振幅の、（好ましくは）正弦波形状の信号が重畳さ
れるので、逆電圧によってＡＰＤの増幅係数Ｍ、すなわ
ちその内部電流源も変調される。その場合にＡＰＤの出
力電流については、第１近似においてｉAPD （ｔ）＝Ｍ
（ｔ）・ｉFOTO（ｔ）が成立し、ここでＭ（ｔ）は時間
ｔに関係する変調されたＡＰＤの増幅度であり、ｉFOTO
（ｔ）は、光入射により生成された内部の光電流を表わ
している。ＡＰＤの増幅度と内部の光電流との間の非線
形の関係によって混合信号、すなわち中間周波数信号
（ＺＦ信号）が発生し、その中間周波数信号は局部発振
器の周波数ｆLOと変調された、検出された光出力の周波
数ｆMESSの間の周波数差により発振する。
【０００８】従って周波数変換は、ＡＰＤの内部の電流
源内で行われる。低域通過フィルタリングによってより
高い周波数成分が除去される。ＡＰＤの出力信号、すな
わちＺＦ信号は、（比較的）低周波であって、従って問
題なくさらに処理される。混合プロセスはＡＰＤのチッ
プの内部で行われるので、混合装置の構造大きさは、典
型的には使用される変調波長よりも３から４桁だけ小さ
い。それによって外部の電磁的な障害出力の混信と電気
的なクロストークは、ほぼ無視される。混信された障害
出力は、原則的に増大されたノイズももたらす。従って
上述した手段によってノイズ特性も著しく改良される。
また、直接混合からもたらされるＺＦ信号は、通常比較
的極めて低周波であり、たとえば１０ｋＨｚから１００
ｋＨｚであることも、効果的である。この周波数領域に
おいては、障害混信は予測されない。その他の電子的な
構成素子の寄生的な特性も、この低周波においては、無
視できる。ＡＰＤの出力信号は、ＺＦ領域にあるので、
局部発振器の他の受信部分においては他の高周波構成部
品は必要とされない。従ってこの種のＡＰＤを搭載した
光電子的な距離測定システムの製造コスト、あるいはま
た電流消費は、劇的に減少する。
源内で行われる。低域通過フィルタリングによってより
高い周波数成分が除去される。ＡＰＤの出力信号、すな
わちＺＦ信号は、（比較的）低周波であって、従って問
題なくさらに処理される。混合プロセスはＡＰＤのチッ
プの内部で行われるので、混合装置の構造大きさは、典
型的には使用される変調波長よりも３から４桁だけ小さ
い。それによって外部の電磁的な障害出力の混信と電気
的なクロストークは、ほぼ無視される。混信された障害
出力は、原則的に増大されたノイズももたらす。従って
上述した手段によってノイズ特性も著しく改良される。
また、直接混合からもたらされるＺＦ信号は、通常比較
的極めて低周波であり、たとえば１０ｋＨｚから１００
ｋＨｚであることも、効果的である。この周波数領域に
おいては、障害混信は予測されない。その他の電子的な
構成素子の寄生的な特性も、この低周波においては、無
視できる。ＡＰＤの出力信号は、ＺＦ領域にあるので、
局部発振器の他の受信部分においては他の高周波構成部
品は必要とされない。従ってこの種のＡＰＤを搭載した
光電子的な距離測定システムの製造コスト、あるいはま
た電流消費は、劇的に減少する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしその場合に本発
明の課題となる問題が生じる。通常はできるだけ小さい
バッテリにより、望ましくはできるだけ少ない電力消費
量で駆動すべき距離測定器に用いられ、後段に５０オー
ムＨＦ増幅器が接続されたＰＬＬ（位相ロックループ）
発振器は、周波数混合のための局部発振器信号を生成す
るためには全く、あるいは不満足な結果でしか使用でき
ない。アバランシェフォトダイオードは純粋な容量性負
荷であるが、このＨＦ増幅器は安定した駆動のためには
低オームの５０オーム信号端子を必要とするので、増幅
器のためには出力消費と結びついた強制的な整合を行わ
なければならない。そのために、たとえば２Ｖの振幅が
望ましい場合いは、たとえば４０ｍＷのＨＦ出力が必要
となる。しかしこれは、得ようと努力されているわずか
な電流消費では、実現できない。
明の課題となる問題が生じる。通常はできるだけ小さい
バッテリにより、望ましくはできるだけ少ない電力消費
量で駆動すべき距離測定器に用いられ、後段に５０オー
ムＨＦ増幅器が接続されたＰＬＬ（位相ロックループ）
発振器は、周波数混合のための局部発振器信号を生成す
るためには全く、あるいは不満足な結果でしか使用でき
ない。アバランシェフォトダイオードは純粋な容量性負
荷であるが、このＨＦ増幅器は安定した駆動のためには
低オームの５０オーム信号端子を必要とするので、増幅
器のためには出力消費と結びついた強制的な整合を行わ
なければならない。そのために、たとえば２Ｖの振幅が
望ましい場合いは、たとえば４０ｍＷのＨＦ出力が必要
となる。しかしこれは、得ようと努力されているわずか
な電流消費では、実現できない。
【００１０】上述したＫ．セタ他の専門論文によれば、
必要なＨＦ増幅器の信号端子整合のために、高周波変成
器が使用される。しかし、実際においては、これも同様
に問題であることが明らかにされた。というのは、必要
とされる局部発振器の高い周波数のために（たとえば１
ＧＨｚ）１：２の電圧変換比しか使用できず、変成器の
使用によりさらに著しいＥＭＩ問題が発生したからであ
る。
必要なＨＦ増幅器の信号端子整合のために、高周波変成
器が使用される。しかし、実際においては、これも同様
に問題であることが明らかにされた。というのは、必要
とされる局部発振器の高い周波数のために（たとえば１
ＧＨｚ）１：２の電圧変換比しか使用できず、変成器の
使用によりさらに著しいＥＭＩ問題が発生したからであ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に基づく解決にお
いては、逆方向にバイアスされたアバランシェフォトダ
イオード（ＡＰＤ）に入射する光信号から生成される
（第１の）受信信号と直接混合するための狭帯域のＨＦ
信号を生成する局部発振器が設けられ、ＡＰＤの空乏層
容量が制御可能なＨＦ共振回路に設けられ、ＨＦ信号を
形成するこもＨＦ共振回路の共振周波数は、基準発振器
により駆動される制御ユニットの選択可能な調節によっ
て決定されるようにする。
いては、逆方向にバイアスされたアバランシェフォトダ
イオード（ＡＰＤ）に入射する光信号から生成される
（第１の）受信信号と直接混合するための狭帯域のＨＦ
信号を生成する局部発振器が設けられ、ＡＰＤの空乏層
容量が制御可能なＨＦ共振回路に設けられ、ＨＦ信号を
形成するこもＨＦ共振回路の共振周波数は、基準発振器
により駆動される制御ユニットの選択可能な調節によっ
て決定されるようにする。
【００１２】本発明は、同時に直接混合器として用いら
れるＡＰＤの空乏層容量を発振を（一緒に）定める素子
として、特にＰＬＬ安定化ＨＦ発振器内へ取り入れる、
という考えに基づいており、その場合に特にＬＣ発振器
が興味の前景にある。このＰＬＬにより安定化された駆
動によって、測定信号として使用される受信信号との混
合のために必要とされる、局部発振器信号の要請される
狭帯域性が保証されるだけではない。電力消費量を比較
的わずかにした場合においても、電圧振幅を比較的高く
しうる。その場合に、ＰＬＬ回路の調節可能な分周比
は、基準発振器の周波数と共に、ＨＦ共振回路の固有周
波数を定める。
れるＡＰＤの空乏層容量を発振を（一緒に）定める素子
として、特にＰＬＬ安定化ＨＦ発振器内へ取り入れる、
という考えに基づいており、その場合に特にＬＣ発振器
が興味の前景にある。このＰＬＬにより安定化された駆
動によって、測定信号として使用される受信信号との混
合のために必要とされる、局部発振器信号の要請される
狭帯域性が保証されるだけではない。電力消費量を比較
的わずかにした場合においても、電圧振幅を比較的高く
しうる。その場合に、ＰＬＬ回路の調節可能な分周比
は、基準発振器の周波数と共に、ＨＦ共振回路の固有周
波数を定める。
【００１３】特に効果的で簡単な解決は、ＨＦ共振回路
がＬＣ共振回路として構成されており、その共振周波数
は、空乏層容量に対して並列または直列に接続され、か
つＰＬＬ回路によって制御可能な容量、特に容量性ダイ
オードによって調節される場合に、得られる。それに代
わる、あるいは補足する可能性は、周波数的に制御可能
な、ＡＰＤの空乏層容量に対して並列または直列のＨＦ
共振回路を、制御可能なインダクタンスによって実現す
ることにあって、その場合にたとえばインダクタンスと
して作用する制御可能なトランジスタが考えられる。
がＬＣ共振回路として構成されており、その共振周波数
は、空乏層容量に対して並列または直列に接続され、か
つＰＬＬ回路によって制御可能な容量、特に容量性ダイ
オードによって調節される場合に、得られる。それに代
わる、あるいは補足する可能性は、周波数的に制御可能
な、ＡＰＤの空乏層容量に対して並列または直列のＨＦ
共振回路を、制御可能なインダクタンスによって実現す
ることにあって、その場合にたとえばインダクタンスと
して作用する制御可能なトランジスタが考えられる。
【００１４】ＡＰＤの空乏層容量がその中へ取り入れら
れる、ＨＦ共振回路は、直接制御可能な、あるいは制御
可能な容量および／または制御可能なインダクタンスを
付加的に使用して制御可能な、共振器によっても実現す
ることができる。この種の共振器としては、たとえばク
ォーツ、誘電セラミック共振器、空胴共振器または出力
共振器が考えられ、その等価回路は、当業者によく知ら
れているように、ＬＣ回路に相当する。
れる、ＨＦ共振回路は、直接制御可能な、あるいは制御
可能な容量および／または制御可能なインダクタンスを
付加的に使用して制御可能な、共振器によっても実現す
ることができる。この種の共振器としては、たとえばク
ォーツ、誘電セラミック共振器、空胴共振器または出力
共振器が考えられ、その等価回路は、当業者によく知ら
れているように、ＬＣ回路に相当する。
【００１５】本発明の好適な形態は、従属請求項に記載
されており、以下で図１から７を参照して本発明の実施
例の説明との関連において詳細に説明する。
されており、以下で図１から７を参照して本発明の実施
例の説明との関連において詳細に説明する。
【００１６】
【発明の実施の形態】まず、図１を参照する。オーム抵
抗Ｒを介して、たとえば測定信号受信機として用いられ
るＡＰＤ２に高電圧が逆方向に供給される。ＡＰＤ２の
空乏層容量ＣAPD に対して、容量性ダイオード３の容量
ＣとインダクタンスＬとがＨＦ信号に関して並列に接続
されている。この回路配置は、ＬＣ並列共振回路を形成
し、そのＬＣ並列共振回路は無負荷においてはその共振
周波数で駆動される。ＡＰＤ２の陰極側の点、容量性ダ
イオード３、インダクタンスＬ、インダクタンスＬ、Ｈ
Ｆ増幅器４の出力端のそれぞれの間の回路内に存在して
いる結合容量ＣK は、共振周波数を有する信号に対し短
絡回路となる。これらは単に、当業者にとって周知のよ
うに、ＡＰＤ２、容量性ダイオード３およびインダクタ
ンスＬに印加すべき種々の直流電圧を減結合するために
用いられる。直接ＡＰＤ２内で形成される混合信号であ
る、ＡＰＤ２の受信信号と、本発明に基づくＬＣ発振器
を介して生成される狭帯域のＨＦ信号とから得られるＺ
Ｆ信号は、ＡＰＤ２の陽極側の低域通過フィルタ７を介
して取り出される。低域通過フィルタ７は、たとえばＨ
Ｆ信号にとって、すなわちＡＰＤ２の受信信号と、ＬＣ
発振器からもたらされる局部発振器信号にとっては、ア
ースへの容量的な短絡回路となることができるが、その
場合にＺＦ信号は阻止されずに通過することができる。
さらに、低域通過フィルタ７によって、ＡＰＤ２の陽極
は比較的高オームの抵抗を介してアースへ接続されてい
るので、この陽極の直流電圧成分はほぼ０ボルトとな
る。
抗Ｒを介して、たとえば測定信号受信機として用いられ
るＡＰＤ２に高電圧が逆方向に供給される。ＡＰＤ２の
空乏層容量ＣAPD に対して、容量性ダイオード３の容量
ＣとインダクタンスＬとがＨＦ信号に関して並列に接続
されている。この回路配置は、ＬＣ並列共振回路を形成
し、そのＬＣ並列共振回路は無負荷においてはその共振
周波数で駆動される。ＡＰＤ２の陰極側の点、容量性ダ
イオード３、インダクタンスＬ、インダクタンスＬ、Ｈ
Ｆ増幅器４の出力端のそれぞれの間の回路内に存在して
いる結合容量ＣK は、共振周波数を有する信号に対し短
絡回路となる。これらは単に、当業者にとって周知のよ
うに、ＡＰＤ２、容量性ダイオード３およびインダクタ
ンスＬに印加すべき種々の直流電圧を減結合するために
用いられる。直接ＡＰＤ２内で形成される混合信号であ
る、ＡＰＤ２の受信信号と、本発明に基づくＬＣ発振器
を介して生成される狭帯域のＨＦ信号とから得られるＺ
Ｆ信号は、ＡＰＤ２の陽極側の低域通過フィルタ７を介
して取り出される。低域通過フィルタ７は、たとえばＨ
Ｆ信号にとって、すなわちＡＰＤ２の受信信号と、ＬＣ
発振器からもたらされる局部発振器信号にとっては、ア
ースへの容量的な短絡回路となることができるが、その
場合にＺＦ信号は阻止されずに通過することができる。
さらに、低域通過フィルタ７によって、ＡＰＤ２の陽極
は比較的高オームの抵抗を介してアースへ接続されてい
るので、この陽極の直流電圧成分はほぼ０ボルトとな
る。
【００１７】たとえば高周波トランジスタの形式のＨＦ
増幅器４は、当業者にとっては原理的に知られているの
でここで詳しく説明する必要のない帰還回路網５と相俟
って、ＬＣ発振器の確実な発振開始を可能にする。さら
に、このようにして、損失が補償され、かつ一定の振幅
の発振が保証される。逆方向に接続された容量性ダイオ
ード３の容量Ｃは、それに印加される逆電圧に依存す
る。ＬＣ発振器信号の小さい成分は、増幅器４の出力信
号と一緒にＰＬＬ回路１へ供給され、その中でＬＣ発振
器信号の周波数はたとえば分周器によって下げられ、次
に基準発振器６によって生成された位相固定の基準発振
器信号と位相位置に関して比較される。ＰＬＬ回路１
は、容量性ダイオード３の逆電圧の変化によって、ダイ
オード容量Ｃとそれに伴なうＬＣ発振器の共振周波数と
を、周波数減少されたＬＣ発振器信号と基準発振器信号
との間で位相が同一となるように、制御する。この場合
にＬＣ発振器の共振周波数は、ＰＬＬ回路１の分周器の
調節可能な分周比と基準発振器６の周波数とに依存する
目標値をとる。その場合に、基準発振器６が、システム
全体の、従って特に、たとえば光電子的な距離測定装置
の、共通のマザー発振器とするのが効果的である。
増幅器４は、当業者にとっては原理的に知られているの
でここで詳しく説明する必要のない帰還回路網５と相俟
って、ＬＣ発振器の確実な発振開始を可能にする。さら
に、このようにして、損失が補償され、かつ一定の振幅
の発振が保証される。逆方向に接続された容量性ダイオ
ード３の容量Ｃは、それに印加される逆電圧に依存す
る。ＬＣ発振器信号の小さい成分は、増幅器４の出力信
号と一緒にＰＬＬ回路１へ供給され、その中でＬＣ発振
器信号の周波数はたとえば分周器によって下げられ、次
に基準発振器６によって生成された位相固定の基準発振
器信号と位相位置に関して比較される。ＰＬＬ回路１
は、容量性ダイオード３の逆電圧の変化によって、ダイ
オード容量Ｃとそれに伴なうＬＣ発振器の共振周波数と
を、周波数減少されたＬＣ発振器信号と基準発振器信号
との間で位相が同一となるように、制御する。この場合
にＬＣ発振器の共振周波数は、ＰＬＬ回路１の分周器の
調節可能な分周比と基準発振器６の周波数とに依存する
目標値をとる。その場合に、基準発振器６が、システム
全体の、従って特に、たとえば光電子的な距離測定装置
の、共通のマザー発振器とするのが効果的である。
【００１８】本発明にとって重要なことは、ＬＣ発振器
の共振周波数が、ＰＬＬ回路１の自由に選択可能な分周
比と基準発振器６の周波数とのみに依存することであ
る。すなわち、ＬＣ発振器の共振周波数は、特に、構成
要素の著しいばらつきと結びつくおそれがあるとともに
温度、電圧および受信出力に関係するＡＰＤ２の空乏層
容量ＣAPD には依存しないようにすることが重要であ
る。容量性ダイオード３の制御可能な容量Ｃによって、
ＡＰＤ容量ＣAPD の変動は、完全に補償される。
の共振周波数が、ＰＬＬ回路１の自由に選択可能な分周
比と基準発振器６の周波数とのみに依存することであ
る。すなわち、ＬＣ発振器の共振周波数は、特に、構成
要素の著しいばらつきと結びつくおそれがあるとともに
温度、電圧および受信出力に関係するＡＰＤ２の空乏層
容量ＣAPD には依存しないようにすることが重要であ
る。容量性ダイオード３の制御可能な容量Ｃによって、
ＡＰＤ容量ＣAPD の変動は、完全に補償される。
【００１９】温度および受信機出力に依存するＡＰＤ２
の容量変動は、局部発振器の位相特性に影響を及ぼすと
ともに、それに伴ってＡＰＤ２を介して得られる、中間
周波数領域における受信信号の、特に測定信号の、位相
特性にも影響を及ぼすので、同時にそれによってもたら
される距離測定エラーも除去される。従って障害となる
周囲条件とは関係なく、自動的に常に定められたシステ
ム状態が生じる。他の障害となる寄生的な回路容量も、
補償される。
の容量変動は、局部発振器の位相特性に影響を及ぼすと
ともに、それに伴ってＡＰＤ２を介して得られる、中間
周波数領域における受信信号の、特に測定信号の、位相
特性にも影響を及ぼすので、同時にそれによってもたら
される距離測定エラーも除去される。従って障害となる
周囲条件とは関係なく、自動的に常に定められたシステ
ム状態が生じる。他の障害となる寄生的な回路容量も、
補償される。
【００２０】さらに、共振周波数においては、インダク
タンスＬの並列回路によって、特に構成要素のばらつ
き、温度、ＡＰＤ逆電圧および受信出力に関係なく、回
路容量が低域通過を制限する影響を除去する。これが、
回路の上方の限界周波数の増大をもたらす。
タンスＬの並列回路によって、特に構成要素のばらつ
き、温度、ＡＰＤ逆電圧および受信出力に関係なく、回
路容量が低域通過を制限する影響を除去する。これが、
回路の上方の限界周波数の増大をもたらす。
【００２１】ＰＬＬ回路１のプログラミング可能な分周
比によって、上述の定められた狭帯域のシステム状態
が、ＰＬＬ回路１の周波数捕捉領域内にある任意の周波
数において実現される。
比によって、上述の定められた狭帯域のシステム状態
が、ＰＬＬ回路１の周波数捕捉領域内にある任意の周波
数において実現される。
【００２２】選択的な可能性として、ＰＬＬ回路を図２
に示すデジタルの制御回路によって代用することができ
る。その場合にＬＣ発振器によってもたらされる局部発
振器信号の周波数の実際値は、周波数カウンタ２０によ
って基準発振器信号を用いて常に測定されて、次に制御
ユニット２１へ供給される。制御ユニット２１は、好ま
しくはデジタル計算機、従ってたとえばマイクロコント
ローラまたは信号プロセッサによって形成される。常に
測定される周波数実際値に基づいて、制御ユニット２１
は制御アルゴリズムを介してデジタル−アナログ変換器
２２によって適切な制御電圧を生成し、その制御電圧が
容量性ダイオード３へ供給されるので、共振周波数は予
め定められて安定化された目標値をとる。従ってＬＣ共
振器変量、空乏層容量ＣAPD およびインダクタンスＬに
おける変動は、制御アルゴリズムによって制御電圧を介
して変化される、容量性ダイオード３の容量Ｃによって
補償される。
に示すデジタルの制御回路によって代用することができ
る。その場合にＬＣ発振器によってもたらされる局部発
振器信号の周波数の実際値は、周波数カウンタ２０によ
って基準発振器信号を用いて常に測定されて、次に制御
ユニット２１へ供給される。制御ユニット２１は、好ま
しくはデジタル計算機、従ってたとえばマイクロコント
ローラまたは信号プロセッサによって形成される。常に
測定される周波数実際値に基づいて、制御ユニット２１
は制御アルゴリズムを介してデジタル−アナログ変換器
２２によって適切な制御電圧を生成し、その制御電圧が
容量性ダイオード３へ供給されるので、共振周波数は予
め定められて安定化された目標値をとる。従ってＬＣ共
振器変量、空乏層容量ＣAPD およびインダクタンスＬに
おける変動は、制御アルゴリズムによって制御電圧を介
して変化される、容量性ダイオード３の容量Ｃによって
補償される。
【００２３】また、制御されないシステムも考えられ
る。その場合には共振周波数は、デジタル−アナログ変
換器２２を有する制御ユニット２１によって生成され
る、容量性ダイオード３の制御電圧を介して大まかに調
節され、その場合にたとえばテーブル値を基礎にするこ
とができる。共振周波数の変動は、補償されない。すな
わち制御アルゴリズムは使用されない。しばしば調節さ
れた周波数値は予め設定された目標値には大体において
しか一致せず、すなわち目標値からのわずかな一定の偏
差および時間的な変動が許されている。しかし定められ
た時点における共振周波数ないしは局部発振器周波数の
実際値は、後の計算のためには正確にわかっていなけれ
ばならないことが多い。従って周波数カウンタ２０によ
って周波数の実際値が測定されて、制御ユニット２１へ
供給される。
る。その場合には共振周波数は、デジタル−アナログ変
換器２２を有する制御ユニット２１によって生成され
る、容量性ダイオード３の制御電圧を介して大まかに調
節され、その場合にたとえばテーブル値を基礎にするこ
とができる。共振周波数の変動は、補償されない。すな
わち制御アルゴリズムは使用されない。しばしば調節さ
れた周波数値は予め設定された目標値には大体において
しか一致せず、すなわち目標値からのわずかな一定の偏
差および時間的な変動が許されている。しかし定められ
た時点における共振周波数ないしは局部発振器周波数の
実際値は、後の計算のためには正確にわかっていなけれ
ばならないことが多い。従って周波数カウンタ２０によ
って周波数の実際値が測定されて、制御ユニット２１へ
供給される。
【００２４】図３は、ＬＣ発振器の変形例を示してい
る。容量性ダイオード３の容量Ｃは、ＡＰＤ２の空乏層
容量に対して直列に接続されている。この直列回路は、
インダクタンスＬと共に並列共振回路を形成する。イン
ダクタンスＬを介して容量性ダイオード３の陽極は、直
流電圧的に０ボルトに、すなわちアースに接続される。
ＰＬＬ回路１の正の制御電圧は、容量性ダイオード３の
陰極に再び供給される。
る。容量性ダイオード３の容量Ｃは、ＡＰＤ２の空乏層
容量に対して直列に接続されている。この直列回路は、
インダクタンスＬと共に並列共振回路を形成する。イン
ダクタンスＬを介して容量性ダイオード３の陽極は、直
流電圧的に０ボルトに、すなわちアースに接続される。
ＰＬＬ回路１の正の制御電圧は、容量性ダイオード３の
陰極に再び供給される。
【００２５】図４は、インダクタンスＬ、容量性ダイオ
ードの容量ＣおよびＡＰＤ空乏層容量ＣAPD からなる他
の直列発振回路を説明している。インダクタＤｒを介し
て、容量性ダイオード３の陽極は直流電圧的にアース電
位に接続される。
ードの容量ＣおよびＡＰＤ空乏層容量ＣAPD からなる他
の直列発振回路を説明している。インダクタＤｒを介し
て、容量性ダイオード３の陽極は直流電圧的にアース電
位に接続される。
【００２６】図３および４に示す配置の利点は、比較的
大きいダイオード容量Ｃ（たとえばＣAPD の１０倍大き
い）が必要な場合に、図１又は２に示す接続におけるよ
りも容量性ダイオード３を介して電圧振幅が小さくなる
ことである。振幅が大きい場合には、容量性ダイオード
３は局部発振器信号の半波において順方向に接続され
る。それによって振幅が制限され、局部発振器信号内に
強い高調波成分が発生する。従って容量性ダイオードに
おける振幅を減少させるために、図１の実施例において
は、ダイオード容量Ｃに対して通常さらに他の容量（図
示せず）を直列に接続しなければならない。これは、容
量性の分圧器に相当する。しかしこの手段によって、こ
の直列回路の実効容量は小さくなるので、共振回路の同
調可能な周波数領域も制限される。
大きいダイオード容量Ｃ（たとえばＣAPD の１０倍大き
い）が必要な場合に、図１又は２に示す接続におけるよ
りも容量性ダイオード３を介して電圧振幅が小さくなる
ことである。振幅が大きい場合には、容量性ダイオード
３は局部発振器信号の半波において順方向に接続され
る。それによって振幅が制限され、局部発振器信号内に
強い高調波成分が発生する。従って容量性ダイオードに
おける振幅を減少させるために、図１の実施例において
は、ダイオード容量Ｃに対して通常さらに他の容量（図
示せず）を直列に接続しなければならない。これは、容
量性の分圧器に相当する。しかしこの手段によって、こ
の直列回路の実効容量は小さくなるので、共振回路の同
調可能な周波数領域も制限される。
【００２７】特に図４に示す配置においては、供給線か
らもたらされるＡＰＤ２、容量性ダイオード３および結
合コンデンサの寄生的な誘導成分が、同様にＬＣ発振回
路内に結合されていることが、効果的に作用する。従っ
てわずかな寄生共振が発生するので、それが同調領域に
ポジティブに作用する。
らもたらされるＡＰＤ２、容量性ダイオード３および結
合コンデンサの寄生的な誘導成分が、同様にＬＣ発振回
路内に結合されていることが、効果的に作用する。従っ
てわずかな寄生共振が発生するので、それが同調領域に
ポジティブに作用する。
【００２８】図３および４に示す配置において注意すべ
きことは、容量性ダイオード３の可変の容量ＣとＡＰＤ
２の空乏層容量ＣAPD の直列回路によって、たとえば２
ｐＦの小さい空乏層容量によって、実効共振器容量の可
変の領域、すなわちＣとＣAP D との直列回路を、図１に
示す回路におけるように極めて小さくすることができる
ことである。それによって、発振回路の周波数同調領域
は制限される。さらに、ＡＰＤ２における電圧の振幅
は、ＣとＣAPD とからなる容量性の分圧器によって、容
量Ｃが可変であることによりＰＬＬの制御電圧に依存す
る。
きことは、容量性ダイオード３の可変の容量ＣとＡＰＤ
２の空乏層容量ＣAPD の直列回路によって、たとえば２
ｐＦの小さい空乏層容量によって、実効共振器容量の可
変の領域、すなわちＣとＣAP D との直列回路を、図１に
示す回路におけるように極めて小さくすることができる
ことである。それによって、発振回路の周波数同調領域
は制限される。さらに、ＡＰＤ２における電圧の振幅
は、ＣとＣAPD とからなる容量性の分圧器によって、容
量Ｃが可変であることによりＰＬＬの制御電圧に依存す
る。
【００２９】図５は、図１に示す原則的な回路配置のさ
らに補足された変形例を示している。この回路配置にお
いては、上述したＰＬＬにより安定化されたＬＣ発振器
は、この場合には光電子的な距離測定器の基準受信機と
して用いられるＡＰＤ２の第１の空乏層容量ＣAPD 、
Ｒ、測定信号受信機として使用されるＡＰＤ１０の空乏
層容量ＣAPD 、Ｍ、容量性ダイオード３の容量Ｃおよび
インダクタンスＬのＨＦ信号的な並列回路によって形成
される。基準受信機のＡＰＤ２は、レーザーダイオード
送信機（図示せず）から放出されたサイン形状の輝度変
調された光を、既知の光学的ルート長さを有する基準区
間の通過直後に受信する。測定受信機のＡＰＤ１０は、
離れた対象から戻るように散乱された同様にサイン形状
に輝度変調された光を検出する。ＡＰＤ２、１０内で生
成された２つの電気的な信号は、ＬＣ発振器からもたら
される局部発振器信号との直接混合によって、（比較
的）低周波の中間周波数領域へ変換される。付設されて
いる低域通過フィルタ７又は１１を介してＺＦ基準信号
ＺＦＲ又はＺＦ測定信号ＺＦＭが抽出される。２つの中
間周波数信号の位相差を定めることによって、測定すべ
き距離を求めることができる。レーザーダイオード送信
機によって形成される位相エラーは、この差形成によっ
て除去される。その点で、すでに述べてあり、かつドイ
ツ特許出願第１０００６４９３．０号に記載されている
光電子的な距離測定装置を参照することができる。
らに補足された変形例を示している。この回路配置にお
いては、上述したＰＬＬにより安定化されたＬＣ発振器
は、この場合には光電子的な距離測定器の基準受信機と
して用いられるＡＰＤ２の第１の空乏層容量ＣAPD 、
Ｒ、測定信号受信機として使用されるＡＰＤ１０の空乏
層容量ＣAPD 、Ｍ、容量性ダイオード３の容量Ｃおよび
インダクタンスＬのＨＦ信号的な並列回路によって形成
される。基準受信機のＡＰＤ２は、レーザーダイオード
送信機（図示せず）から放出されたサイン形状の輝度変
調された光を、既知の光学的ルート長さを有する基準区
間の通過直後に受信する。測定受信機のＡＰＤ１０は、
離れた対象から戻るように散乱された同様にサイン形状
に輝度変調された光を検出する。ＡＰＤ２、１０内で生
成された２つの電気的な信号は、ＬＣ発振器からもたら
される局部発振器信号との直接混合によって、（比較
的）低周波の中間周波数領域へ変換される。付設されて
いる低域通過フィルタ７又は１１を介してＺＦ基準信号
ＺＦＲ又はＺＦ測定信号ＺＦＭが抽出される。２つの中
間周波数信号の位相差を定めることによって、測定すべ
き距離を求めることができる。レーザーダイオード送信
機によって形成される位相エラーは、この差形成によっ
て除去される。その点で、すでに述べてあり、かつドイ
ツ特許出願第１０００６４９３．０号に記載されている
光電子的な距離測定装置を参照することができる。
【００３０】測定受信機のＡＰＤ１０と基準受信機のＡ
ＰＤ２の増幅係数をその空乏層電圧を介して個別に調節
可能であるようにしなければならないことが、重要では
ない場合には、２つのＡＰＤは図６の実施例に示すよう
にＨＦ信号に関しても直流電圧に関しても並列に接続さ
れる。
ＰＤ２の増幅係数をその空乏層電圧を介して個別に調節
可能であるようにしなければならないことが、重要では
ない場合には、２つのＡＰＤは図６の実施例に示すよう
にＨＦ信号に関しても直流電圧に関しても並列に接続さ
れる。
【００３１】図５又は６に示す回路配置において決定的
なことは、測定分岐のＡＰＤ１０と基準分岐のＡＰＤ２
とのＨＦ信号的な並列回路によって、ＡＰＤの内部抵抗
が無視できる場合には、局部発振器の共通の電圧信号が
ＡＰＤ２および１０のそれぞれの空乏層へ同位相で伝達
されることである。シリコンＡＰＤにおける内部抵抗
は、通常は０．１Ωよりも小さいので、この前提は実際
においても与えられている。局部発振器信号の位相は、
並列回路Ｃ||ＣAPD,R ||ＣAPD,M の合計容量によっての
み影響を受け、周囲の影響や構成要素のばらつきに依存
するＡＰＤ２および１０の個々の空乏層容量によっては
影響を受けない。直接混合においては、混合プロセスは
それぞれのＡＰＤの内部の電流源内で行われるので、高
周波の受信信号も、該当するＡＰＤの空乏層容量や他の
外部の寄生的な容量によっては影響を受けない。さら
に、周波数変換されたＺＦ信号は、周囲の影響や構成要
素のばらつきに依存する空乏層容量がそれについて何の
役割も果たさない程度に、低周波である。
なことは、測定分岐のＡＰＤ１０と基準分岐のＡＰＤ２
とのＨＦ信号的な並列回路によって、ＡＰＤの内部抵抗
が無視できる場合には、局部発振器の共通の電圧信号が
ＡＰＤ２および１０のそれぞれの空乏層へ同位相で伝達
されることである。シリコンＡＰＤにおける内部抵抗
は、通常は０．１Ωよりも小さいので、この前提は実際
においても与えられている。局部発振器信号の位相は、
並列回路Ｃ||ＣAPD,R ||ＣAPD,M の合計容量によっての
み影響を受け、周囲の影響や構成要素のばらつきに依存
するＡＰＤ２および１０の個々の空乏層容量によっては
影響を受けない。直接混合においては、混合プロセスは
それぞれのＡＰＤの内部の電流源内で行われるので、高
周波の受信信号も、該当するＡＰＤの空乏層容量や他の
外部の寄生的な容量によっては影響を受けない。さら
に、周波数変換されたＺＦ信号は、周囲の影響や構成要
素のばらつきに依存する空乏層容量がそれについて何の
役割も果たさない程度に、低周波である。
【００３２】従って距離測定器の場合には、測定分岐の
ＡＰＤ１０と基準分岐のＡＰＤ２は、同一の局部発振器
によって供給を受け、かつ合計容量の変動は２つの分岐
について等しく作用するので、それぞれのＺＦ信号の位
相の差を形成することによって、所定の限界内でエラー
補償を行うことができる。極めて正確な補償は、もちろ
ん不可能である。というのは、局部発振器信号のための
ＡＰＤの結合容量と接続端容量は他の、しかし極めてわ
ずかな、位相エラーを含んでいるからである。それぞれ
のＡＰＤの空乏層内の電荷担体の異なるドリフト時間に
より生じる、受信信号内の位相変化も、補償されない。
しかし、それにもかかわらず図５又は６に示す回路配置
の使用によって、著しい位相エラー源、すなわち空乏層
容量の特性を除去することができるので、特に光電子的
な距離測定においてエラーの減少が達成される。
ＡＰＤ１０と基準分岐のＡＰＤ２は、同一の局部発振器
によって供給を受け、かつ合計容量の変動は２つの分岐
について等しく作用するので、それぞれのＺＦ信号の位
相の差を形成することによって、所定の限界内でエラー
補償を行うことができる。極めて正確な補償は、もちろ
ん不可能である。というのは、局部発振器信号のための
ＡＰＤの結合容量と接続端容量は他の、しかし極めてわ
ずかな、位相エラーを含んでいるからである。それぞれ
のＡＰＤの空乏層内の電荷担体の異なるドリフト時間に
より生じる、受信信号内の位相変化も、補償されない。
しかし、それにもかかわらず図５又は６に示す回路配置
の使用によって、著しい位相エラー源、すなわち空乏層
容量の特性を除去することができるので、特に光電子的
な距離測定においてエラーの減少が達成される。
【００３３】しかし効果的なのは、これが回路の高周波
信号にとってのみ当てはまり、あまり重要ではない低周
波のＺＦ−信号にとっては当てはまらないことであっ
て、そのＺＦ信号にとっては寄生的な容量は大体におい
て無視できる。しかしそれを増幅するために、通常は測
定分岐と基準分岐内で中間周波数増幅器が使用される。
信号振幅が著しく異なる場合には、場合によっては増幅
も異なるように選択されなければならないので、信号位
相は両方の分岐において異なるように影響を受ける可能
性がある。ＺＦ増幅器（図示せず）の個体のばらつき
は、付加的なエラーをもたらすおそれがある。その場合
にこの位相エラーは、計算機的に考慮しなければなら
ず、あるいはドイツ特許出願第１０００６４９３．０号
に記載されているような装置によって、自動的に除去さ
れる。
信号にとってのみ当てはまり、あまり重要ではない低周
波のＺＦ−信号にとっては当てはまらないことであっ
て、そのＺＦ信号にとっては寄生的な容量は大体におい
て無視できる。しかしそれを増幅するために、通常は測
定分岐と基準分岐内で中間周波数増幅器が使用される。
信号振幅が著しく異なる場合には、場合によっては増幅
も異なるように選択されなければならないので、信号位
相は両方の分岐において異なるように影響を受ける可能
性がある。ＺＦ増幅器（図示せず）の個体のばらつき
は、付加的なエラーをもたらすおそれがある。その場合
にこの位相エラーは、計算機的に考慮しなければなら
ず、あるいはドイツ特許出願第１０００６４９３．０号
に記載されているような装置によって、自動的に除去さ
れる。
【００３４】特に効果的なことは、インダクタンスＬが
ＺＦ信号にとって良性の短絡となり、それによって基準
信号分岐から測定信号分岐へのＺＦ信号のクロストーク
が著しく減少されることである。その場合にそれぞれの
容量性ダイオードとＬＣ発振回路による容量の補償はそ
れほど重要ではなく、本発明に基づく並列回路によって
２つのＡＰＤ−空乏層に位相の等しい局部発振器信号が
供給される、従って差形成によって位相変動を補償でき
る、という事実が重要である。これに関連して、容量の
補償は、一定の共振周波数を発生させるためだけに重要
である。
ＺＦ信号にとって良性の短絡となり、それによって基準
信号分岐から測定信号分岐へのＺＦ信号のクロストーク
が著しく減少されることである。その場合にそれぞれの
容量性ダイオードとＬＣ発振回路による容量の補償はそ
れほど重要ではなく、本発明に基づく並列回路によって
２つのＡＰＤ−空乏層に位相の等しい局部発振器信号が
供給される、従って差形成によって位相変動を補償でき
る、という事実が重要である。これに関連して、容量の
補償は、一定の共振周波数を発生させるためだけに重要
である。
【００３５】図７に示す実施例においては、たとえば基
準受信機と測定受信機の、ＨＦ信号に関して並列に接続
されたアバランシェフォトダイオード２と１０の空乏層
容量ＣAPD,R およびＣAPD,M は、ＬＣ直列共振回路内へ
結合されている。その場合にＬＣ回路は、インダクタン
スＬと、このＬに対して直列に接続された容量性ダイオ
ード３の容量ＣおよびＬに対して直列に接続された並列
接続のＡＰＤ２および１０の合計容量ＣAPD,R およびＣ
APD,M とによって形成される。この場合、結合容量ＣK
は、ここでもＨＦ信号に対し短絡回路となる。低域通過
フィルタ７および１１は、測定チャネルと基準チャネル
のＺＦ信号を減結合するために用いられ、比較的高オー
ムの抵抗を介してアースへの接続が形成されることによ
り、ＡＰＤ２および１０の陽極にほぼ０ボルトの直流電
圧成分を発生させる。低域通過フィルタ７、１１は、Ｈ
Ｆ信号、すなわちＡＰＤ２および１０の受信信号および
ＬＣ発振器からもたらされる局部発振器信号を通過させ
ない。増幅器４は、帰還回路網５と共に、ここでも一定
の振幅を有するＬＣ発振器の安定した駆動をもたらす。
準受信機と測定受信機の、ＨＦ信号に関して並列に接続
されたアバランシェフォトダイオード２と１０の空乏層
容量ＣAPD,R およびＣAPD,M は、ＬＣ直列共振回路内へ
結合されている。その場合にＬＣ回路は、インダクタン
スＬと、このＬに対して直列に接続された容量性ダイオ
ード３の容量ＣおよびＬに対して直列に接続された並列
接続のＡＰＤ２および１０の合計容量ＣAPD,R およびＣ
APD,M とによって形成される。この場合、結合容量ＣK
は、ここでもＨＦ信号に対し短絡回路となる。低域通過
フィルタ７および１１は、測定チャネルと基準チャネル
のＺＦ信号を減結合するために用いられ、比較的高オー
ムの抵抗を介してアースへの接続が形成されることによ
り、ＡＰＤ２および１０の陽極にほぼ０ボルトの直流電
圧成分を発生させる。低域通過フィルタ７、１１は、Ｈ
Ｆ信号、すなわちＡＰＤ２および１０の受信信号および
ＬＣ発振器からもたらされる局部発振器信号を通過させ
ない。増幅器４は、帰還回路網５と共に、ここでも一定
の振幅を有するＬＣ発振器の安定した駆動をもたらす。
【００３６】共振周波数は、この例においても上述した
ように、ＰＬＬ回路によって容量性ダイオード３におけ
る逆電圧の調節により制御される。インダクタＤｒを介
して容量性ダイオードの陽極は、直流電圧的に接地さ
れ、すなわちアースに接続される。インダクタＤｒは、
ＨＦ信号を通過させず、低周波のＺＦ信号にとっては短
絡回路となるので、基準信号分岐から測定信号分岐への
ＺＦ信号のクロストークは、ここでも著しく減少され
る。結合容量ＣK は、低周波のＺＦ信号にとっては高イ
ンピーダンスを示す。測定受信機のＡＰＤ１０と基準受
信機のＡＰＤ２の増幅係数をその空乏層電圧を介して個
別に調節可能であるようにしなければならないことが重
要でない場合には、ＡＰＤ２および１０の陰極における
結合容量が導通する接続によって代用されることによ
り、２つのＡＰＤ２および１０は図６におけるのと同様
に、直流電圧的にも並列に接続することができる。
ように、ＰＬＬ回路によって容量性ダイオード３におけ
る逆電圧の調節により制御される。インダクタＤｒを介
して容量性ダイオードの陽極は、直流電圧的に接地さ
れ、すなわちアースに接続される。インダクタＤｒは、
ＨＦ信号を通過させず、低周波のＺＦ信号にとっては短
絡回路となるので、基準信号分岐から測定信号分岐への
ＺＦ信号のクロストークは、ここでも著しく減少され
る。結合容量ＣK は、低周波のＺＦ信号にとっては高イ
ンピーダンスを示す。測定受信機のＡＰＤ１０と基準受
信機のＡＰＤ２の増幅係数をその空乏層電圧を介して個
別に調節可能であるようにしなければならないことが重
要でない場合には、ＡＰＤ２および１０の陰極における
結合容量が導通する接続によって代用されることによ
り、２つのＡＰＤ２および１０は図６におけるのと同様
に、直流電圧的にも並列に接続することができる。
【００３７】図８に示す実施例においては、たとえば基
準受信機と測定受信機の、ＨＦ信号に関して直列に接続
されたアバランシェフォトダイオード２および１０の空
乏層容量ＣAPD,R およびＣAPD,M は、ＬＣ直列共振回路
内に結合されている。この回路は、インダクタンスＬ
と、このＬに対して直列に接続された容量性ダイオード
３の容量Ｃおよび同様にＬに対して直列に接続されたＡ
ＰＤ２および１０の容量ＣAPD,R およびＣAPD,M とから
構成されている。ここでも結合容量ＣK は、ＨＦ信号に
とって短絡回路となる。低域通過フィルタ７および１１
は、測定チャネルと基準チャネルのＺＦ信号を減結合す
るために用いられ、ＨＦ信号、従ってＡＰＤ２および１
０の受信信号とＬＣ発振器からもたらされる局部発信器
信号とを通さない。増幅器４は、帰還回路網５と共に、
一定の振幅を有する発振器の安定した駆動をもたらす。
共振周波数は、この例においてもＰＬＬ回路１によって
容量性ダイオード３における逆電圧の調節により制御さ
れる。インダクタＤｒ１およびＤｒ２を介して容量性ダ
イオード３の陽極とＡＰＤ２および１０の陽極とは、直
流電圧的に接地され、すなわちアースへ導かれている。
インダクタはＨＦ信号を通さず、かつ低周波のＺＦ信号
にとっては短絡となるので、基準信号分岐から測定信号
分岐へのＺＦ信号のクロストークは著しく減少される。
結合容量ＣK は、低周波のＺＦ信号にとっては高インピ
ーダンスを有している。測定受信機のＡＰＤ１０と基準
受信機のＡＰＤ２との増幅係数をその空乏層電圧を介し
て個別に調節可能としなければならないことが重要でな
い場合には、図８においてそれらの間の結合容量が導通
接続によって代用されることにより、２つのＡＰＤ２お
よび１０の陰極を直流電圧的にも接続することができ
る。
準受信機と測定受信機の、ＨＦ信号に関して直列に接続
されたアバランシェフォトダイオード２および１０の空
乏層容量ＣAPD,R およびＣAPD,M は、ＬＣ直列共振回路
内に結合されている。この回路は、インダクタンスＬ
と、このＬに対して直列に接続された容量性ダイオード
３の容量Ｃおよび同様にＬに対して直列に接続されたＡ
ＰＤ２および１０の容量ＣAPD,R およびＣAPD,M とから
構成されている。ここでも結合容量ＣK は、ＨＦ信号に
とって短絡回路となる。低域通過フィルタ７および１１
は、測定チャネルと基準チャネルのＺＦ信号を減結合す
るために用いられ、ＨＦ信号、従ってＡＰＤ２および１
０の受信信号とＬＣ発振器からもたらされる局部発信器
信号とを通さない。増幅器４は、帰還回路網５と共に、
一定の振幅を有する発振器の安定した駆動をもたらす。
共振周波数は、この例においてもＰＬＬ回路１によって
容量性ダイオード３における逆電圧の調節により制御さ
れる。インダクタＤｒ１およびＤｒ２を介して容量性ダ
イオード３の陽極とＡＰＤ２および１０の陽極とは、直
流電圧的に接地され、すなわちアースへ導かれている。
インダクタはＨＦ信号を通さず、かつ低周波のＺＦ信号
にとっては短絡となるので、基準信号分岐から測定信号
分岐へのＺＦ信号のクロストークは著しく減少される。
結合容量ＣK は、低周波のＺＦ信号にとっては高インピ
ーダンスを有している。測定受信機のＡＰＤ１０と基準
受信機のＡＰＤ２との増幅係数をその空乏層電圧を介し
て個別に調節可能としなければならないことが重要でな
い場合には、図８においてそれらの間の結合容量が導通
接続によって代用されることにより、２つのＡＰＤ２お
よび１０の陰極を直流電圧的にも接続することができ
る。
【００３８】図７および８に示す変形例の、図６に示す
本発明の実施例に比較しての利点と欠点とは、図３およ
び４における同様な実施例の説明においてすでに詳細に
論じられている。その場合に利点は、容量性ダイオード
３を介してのより小さい電圧振幅において裏付けられて
いる。特に図８に示す配置においては、さらに、ＡＰＤ
２および１０、容量性ダイオード３および結合コンデン
サＣK の寄生的な誘導成分は、ＬＣ振動回路の構成部分
であるので、発生する寄生共振はわずかとなる。しか
し、図７および８に示す配置において注意しなければな
らないのは、容量性ダイオード３とＡＰＤ２および１０
の空乏層容量との直列回路によって、ＡＰＤ容量がたと
えば２ｐＦと小さいために、実効共振器容量の可変領域
が小さくなることがあるので、発振回路の周波数同調領
域が制限されることである。さらに、ＡＰＤ電圧の振幅
は、容量的な分圧器と容量性ダイオード３の可変の容量
Ｃによって、ＰＬＬ回路１の制御電圧に依存する。図８
に示す変形例においてさらに注意すべきことは、空乏層
容量ＣAPD,R およびＣAPD,M が異なる場合に、局部発振
器信号はそれぞれのＡＰＤ２および１０へ非対称に伝達
されることである。それによって、構成要素のばらつき
と受信位相へ及ぼされる周囲の影響は、他の例の場合よ
りも余り良好には補償されない。さらに、ＡＰＤ空乏層
容量の直列回路によって、それによりもたらされる容量
的な分圧器により、それぞれのＡＰＤ２および１０にお
ける電圧振幅は半分にされる。しかし、効率の高い直接
混合のためには、ＬＯ信号の振幅はできるだけ高くすべ
きである。
本発明の実施例に比較しての利点と欠点とは、図３およ
び４における同様な実施例の説明においてすでに詳細に
論じられている。その場合に利点は、容量性ダイオード
３を介してのより小さい電圧振幅において裏付けられて
いる。特に図８に示す配置においては、さらに、ＡＰＤ
２および１０、容量性ダイオード３および結合コンデン
サＣK の寄生的な誘導成分は、ＬＣ振動回路の構成部分
であるので、発生する寄生共振はわずかとなる。しか
し、図７および８に示す配置において注意しなければな
らないのは、容量性ダイオード３とＡＰＤ２および１０
の空乏層容量との直列回路によって、ＡＰＤ容量がたと
えば２ｐＦと小さいために、実効共振器容量の可変領域
が小さくなることがあるので、発振回路の周波数同調領
域が制限されることである。さらに、ＡＰＤ電圧の振幅
は、容量的な分圧器と容量性ダイオード３の可変の容量
Ｃによって、ＰＬＬ回路１の制御電圧に依存する。図８
に示す変形例においてさらに注意すべきことは、空乏層
容量ＣAPD,R およびＣAPD,M が異なる場合に、局部発振
器信号はそれぞれのＡＰＤ２および１０へ非対称に伝達
されることである。それによって、構成要素のばらつき
と受信位相へ及ぼされる周囲の影響は、他の例の場合よ
りも余り良好には補償されない。さらに、ＡＰＤ空乏層
容量の直列回路によって、それによりもたらされる容量
的な分圧器により、それぞれのＡＰＤ２および１０にお
ける電圧振幅は半分にされる。しかし、効率の高い直接
混合のためには、ＬＯ信号の振幅はできるだけ高くすべ
きである。
【００３９】ＬＣ発振回路にまとめるために、他の組合
せも考えられる。たとえば、インダクタンスと、直列に
接続されたＡＰＤ空乏層容量を有する容量性ダイオード
の直列回路とからなる並列振動回路を使用することがで
きる。インダクタンスと、並列に接続されたＡＰＤ空乏
層容量を有する容量性ダイオードの直列回路とからなる
並列振動回路も可能である。ＡＰＤの接続は、それぞれ
使用に応じて高周波信号的または直流電圧的に行うこと
ができる。もちろん、すべての実施例において、ＰＬＬ
により制御される局部発振器の代わりに、図２に示すデ
ジタルの制御ユニットを使用することも可能であって、
その場合に図２についての説明に従って、制御されるシ
ステムも制御されないシステムも可能である。
せも考えられる。たとえば、インダクタンスと、直列に
接続されたＡＰＤ空乏層容量を有する容量性ダイオード
の直列回路とからなる並列振動回路を使用することがで
きる。インダクタンスと、並列に接続されたＡＰＤ空乏
層容量を有する容量性ダイオードの直列回路とからなる
並列振動回路も可能である。ＡＰＤの接続は、それぞれ
使用に応じて高周波信号的または直流電圧的に行うこと
ができる。もちろん、すべての実施例において、ＰＬＬ
により制御される局部発振器の代わりに、図２に示すデ
ジタルの制御ユニットを使用することも可能であって、
その場合に図２についての説明に従って、制御されるシ
ステムも制御されないシステムも可能である。
【００４０】本発明に基づく、局部発振器の回路の本質
的な利点は、次のものから得られる：ＡＰＤは、内部で
生成された光電流を供給する電流源である。ＡＰＤの空
乏層容量は、その電流源に対して並列である。周波数が
高い場合には、空乏層容量によって信号が短絡されるの
で、低域通過特性がもたらされる。局部発振器信号も、
この空乏層容量に「直面し」、かつその空乏層容量によ
って同様にアースへ短絡される。しかしこれは、局部発
振器信号が、たとえば増幅器を介して供給される場合に
のみ、そうなる。上述した場合において、かつ局部発振
器信号がＬＣ−共振回路自体によって形成される、本発
明に従って、容量性の影響と、それに伴ってそれぞれの
空乏層容量からもたらされる低域通過特性も、並列又は
直列に接続されたインダクタンスＬによって除去され、
すなわち除くように調節される。空乏層容量は、共振回
路に内蔵されており、従ってもはや低域通過特性を発生
させることはない。低域通過特性は、半導体内部で形成
される電荷担体のドリフト時間によってのみ、まだ形成
される。
的な利点は、次のものから得られる：ＡＰＤは、内部で
生成された光電流を供給する電流源である。ＡＰＤの空
乏層容量は、その電流源に対して並列である。周波数が
高い場合には、空乏層容量によって信号が短絡されるの
で、低域通過特性がもたらされる。局部発振器信号も、
この空乏層容量に「直面し」、かつその空乏層容量によ
って同様にアースへ短絡される。しかしこれは、局部発
振器信号が、たとえば増幅器を介して供給される場合に
のみ、そうなる。上述した場合において、かつ局部発振
器信号がＬＣ−共振回路自体によって形成される、本発
明に従って、容量性の影響と、それに伴ってそれぞれの
空乏層容量からもたらされる低域通過特性も、並列又は
直列に接続されたインダクタンスＬによって除去され、
すなわち除くように調節される。空乏層容量は、共振回
路に内蔵されており、従ってもはや低域通過特性を発生
させることはない。低域通過特性は、半導体内部で形成
される電荷担体のドリフト時間によってのみ、まだ形成
される。
【００４１】従って本発明に基づく特徴を備えた局部発
振器は、次の好ましい特性を特徴としている： −クロストークおよび外部の電磁的な障害出力の寄生に
より生じるおそれのある障害は、極めて小さい構造が可
能であることにより、わずかとなる。 −受信信号、たとえば測定信号の通路内には、測定信号
又はＡＰＤ受信信号が狭帯域であるので、ＥＭＩに敏感
な高周波信号、高周波要素および高周波構造は存在しな
い。 −１つ又は複数のＡＰＤを介して生成される出力信号
は、たとえば１０ｋＨｚから１００ｋＨｚの領域の低周
波であって、従って問題なくさらに処理され、かつ少な
いノイズで増幅される。インピーダンス整合、アッセン
ブリの構造上の大きさ、反射、クロストーク、ＥＭＩお
よび他の寄生的効果に対する問題は、生じない。 −構成部品数が削減され、それに伴って原理的に、シス
テムコストも削減される。 −電流消費は、高周波伝送に対する従来の解決策、ある
いはインピーダンス整合が不可避なシステムに比較し
て、著しく減少される。 −それぞれのＡＰＤ陰極における損失出力は、ＬＣ共振
回路における電圧振幅が高い場合の無負荷駆動によっ
て、わずかになる。 −信号特性に加わる、温度のような妨害となるおそれの
ある周囲の影響、受信出力の著しい変動、空乏層電圧の
変化および構成要素のばらつきは、寄生容量の除去によ
って自動的に補償される。 −構成要素のばらつきや生じるおそれのある周囲の影響
に関係なく、所定のシステム状態を受信部分および信号
処理部分内に自由に定めることができる。 −本発明を光電子的な距離測定装置に使用する場合に
は、測定精度が著しく改良される。 −周囲の影響や構成要素のばらつきとは関係なく、回路
容量の除去により低域通過制限特性を自動的に除去す
る。 −生じるおそれのある構成要素のばらつきや周囲の影響
に依存せずに、所定の局部発振器周波数が保証される。 −局部発振器周波数と信号位相特性が、基準発振器の周
波数およびＰＬＬ回路の分周比のみに依存する。 −位相時間又は動作時間の変化は、光電子距離測定装置
においては、測定受信機および基準受信機におけるＬＣ
発振回路内の基準ＡＰＤおよび測定ＡＰＤのＨＦ信号並
列回路によって除去される。
振器は、次の好ましい特性を特徴としている： −クロストークおよび外部の電磁的な障害出力の寄生に
より生じるおそれのある障害は、極めて小さい構造が可
能であることにより、わずかとなる。 −受信信号、たとえば測定信号の通路内には、測定信号
又はＡＰＤ受信信号が狭帯域であるので、ＥＭＩに敏感
な高周波信号、高周波要素および高周波構造は存在しな
い。 −１つ又は複数のＡＰＤを介して生成される出力信号
は、たとえば１０ｋＨｚから１００ｋＨｚの領域の低周
波であって、従って問題なくさらに処理され、かつ少な
いノイズで増幅される。インピーダンス整合、アッセン
ブリの構造上の大きさ、反射、クロストーク、ＥＭＩお
よび他の寄生的効果に対する問題は、生じない。 −構成部品数が削減され、それに伴って原理的に、シス
テムコストも削減される。 −電流消費は、高周波伝送に対する従来の解決策、ある
いはインピーダンス整合が不可避なシステムに比較し
て、著しく減少される。 −それぞれのＡＰＤ陰極における損失出力は、ＬＣ共振
回路における電圧振幅が高い場合の無負荷駆動によっ
て、わずかになる。 −信号特性に加わる、温度のような妨害となるおそれの
ある周囲の影響、受信出力の著しい変動、空乏層電圧の
変化および構成要素のばらつきは、寄生容量の除去によ
って自動的に補償される。 −構成要素のばらつきや生じるおそれのある周囲の影響
に関係なく、所定のシステム状態を受信部分および信号
処理部分内に自由に定めることができる。 −本発明を光電子的な距離測定装置に使用する場合に
は、測定精度が著しく改良される。 −周囲の影響や構成要素のばらつきとは関係なく、回路
容量の除去により低域通過制限特性を自動的に除去す
る。 −生じるおそれのある構成要素のばらつきや周囲の影響
に依存せずに、所定の局部発振器周波数が保証される。 −局部発振器周波数と信号位相特性が、基準発振器の周
波数およびＰＬＬ回路の分周比のみに依存する。 −位相時間又は動作時間の変化は、光電子距離測定装置
においては、測定受信機および基準受信機におけるＬＣ
発振回路内の基準ＡＰＤおよび測定ＡＰＤのＨＦ信号並
列回路によって除去される。
【図１】 ＡＰＤの空乏層容量に対して並列に接続され
た容量性ダイオードを備えたＰＬＬ安定化ＬＣ並列発振
回路として実現された、本発明に基づく局部発振器の第
１の実施例を示す。
た容量性ダイオードを備えたＰＬＬ安定化ＬＣ並列発振
回路として実現された、本発明に基づく局部発振器の第
１の実施例を示す。
【図２】 第１の実施例の変形例を示し、この場合図１
のＰＬＬ回路の代りにデジタル制御回路を用いている。
のＰＬＬ回路の代りにデジタル制御回路を用いている。
【図３】 ＡＰＤの空乏層容量に対して直列に接続され
た容量性ダイオードを有するＬＣ並列発振回路に基づ
く、本発明による局部発振器の第２の実施例を示す。
た容量性ダイオードを有するＬＣ並列発振回路に基づ
く、本発明による局部発振器の第２の実施例を示す。
【図４】 ＬＣ直列発振回路に基づく、本発明の局部発
振器の第３の実施例を示す。
振器の第３の実施例を示す。
【図５】 ＰＬＬ安定化ＬＣ発振器に基づく、本発明の
第４の実施例を示し、この場合ＬＣ並列共振回路に結合
された２つの高周波に対する並列接続ＡＰＤが設けられ
ている。
第４の実施例を示し、この場合ＬＣ並列共振回路に結合
された２つの高周波に対する並列接続ＡＰＤが設けられ
ている。
【図６】 ＰＬＬ安定化ＬＣ発振器の他の変形例を示
し、この場合２つのＡＰＤは高周波および直流電圧の双
方に対し並列接続されている。
し、この場合２つのＡＰＤは高周波および直流電圧の双
方に対し並列接続されている。
【図７】 ＰＬＬ安定化ＬＣ発振器の更に他の実施例を
示し、この場合２つのＡＰＤは高周波に対して並列に接
続されており、かつＬＣ直流共振回路に結合されてい
る。
示し、この場合２つのＡＰＤは高周波に対して並列に接
続されており、かつＬＣ直流共振回路に結合されてい
る。
【図８】 ＰＬＬ安定化ＬＣ発振器の更に他の実施例を
示し、この場合２つのＡＰＤは高周波に対して直列に接
続されており、かつＬＣ直列共振回路に結合されてい
る。
示し、この場合２つのＡＰＤは高周波に対して直列に接
続されており、かつＬＣ直列共振回路に結合されてい
る。
１ ＰＬＬ（位相ロックループ）回路 ２ ＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード） ３ 容量性ダイオード ４ ＨＦ（高周波）増幅器 ５ 帰還回路網 ６ 基準発振器 ７ 低域通過フィルタ ２０ 周波数カウンタ ２１ 制御ユニット ２２デジタル−アナログ変換器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｌ 7/099 Ｈ０３Ｌ 7/08 Ｆ (72)発明者 ゴゴッラ トルステン オーストリア国 6820 フラスタンツ イ ム ブーフホルツ 17 (72)発明者 ヴィンテル アンドレアス オーストリア国 6800 フェルトキルヒ マルクトガッセ ９−11 (72)発明者 ザイフェルト ヘルムート ドイツ国 07616 セルバ アイゼンバー ガー シュトラーセ 24アー Ｆターム(参考） 5J081 AA02 AA11 BB10 CC44 DD01 EE02 EE03 EE05 EE08 EE09 EE13 KK02 KK09 KK22 LL05 MM01 5J084 AA05 AD02 BA36 DA01 EA01 5J106 AA04 BB09 CC01 JJ01 KK40
Claims (21)
- 【請求項１】 逆方向にバイアスされた第１のアバラン
シェフォトダイオード（ＡＰＤ２）に入射する光信号に
よりこの第１のアバランシェフォトダイオードから生成
される第１の受信信号と直接混合する狭帯域の高周波信
号を生成する局部発振器であって、第１のアバランシェ
フォトダイオード（ＡＰＤ２）の空乏層容量（ＣAPD ）
が制御可能な高周波共振回路に設けられており、高周波
信号を形成するこの共振回路の共振周波数は、基準発振
器（６）により駆動される制御ユニットの選択可能な調
節により決定させるようになっている局部発振器。 - 【請求項２】 前記制御ユニットが周波数又は位相制御
用のＰＬＬ回路（１）であり、その調節可能な分周比が
基準発振器（６）の周波数を用いて高周波共振回路の周
波数を決定するようになっていることを特徴とする請求
項１に記載の局部発振器。 - 【請求項３】 前記制御ユニットがデジタル計算ユニッ
トであり、このデジタル計算ユニットはこれによって生
成される制御信号により高周波共振回路の周波数を調節
し、かつ基準発振器の周波数に基づいて高周波共振回路
の周波数の実際値を求めるようになっていることを特徴
とする請求項１に記載の局部発振器。 - 【請求項４】 前記デジタル計算ユニットは、基準発振
器（６）の周波数と高周波共振回路の周波数の求められ
た実際値とを用いて、調整器とデジタル計算ユニットに
より生成された制御信号とを介して、高周波共振回路の
周波数の目標値を決定するようになっていることを特徴
とする請求項３に記載の局部発振器。 - 【請求項５】 前記調整器が計算プログラムによって実
現されていることを特徴とする請求項４に記載の局部発
振器。 - 【請求項６】 前記高周波共振回路は、空乏層容量（Ｃ
APD ）に対して並列または直列に接続された制御可能な
容量（Ｃ）を有する高周波共振回路であることを特徴と
する請求項２または３に記載の局部発振器。 - 【請求項７】 前記制御可能な容量が、容量性ダイオー
ド（３）であることを特徴とする請求項６に記載の局部
発振器。 - 【請求項８】 前記高周波共振回路は、空乏層容量（Ｃ
APD ）に対して並列または直列に接続された制御可能な
インダクタンスを有する高周波共振回路であることを特
徴とする請求項２または３に記載の局部発振器。 - 【請求項９】 前記高周波共振回路は、第１のアバラン
シェフォトダイオード（ＡＰＤ２）の空乏層容量（Ｃ
APD ）と一緒に、共振器と、制御可能な容量および制御
可能なインダクタンスの双方またはいずれか一方とによ
って形成されていることを特徴とする請求項２または３
および／または６または８に記載の局部発振器。 - 【請求項１０】 前記共振器が、ＬＣ直列またはＬＣ並
列共振回路であることを特徴とする請求項９に記載の局
部発振器。 - 【請求項１１】 前記共振器が、空胴共振器であること
を特徴とする請求項９に記載の局部発振器。 - 【請求項１２】 前記共振器が、線路共振器であること
を特徴とする請求項９に記載の局部発振器。 - 【請求項１３】 前記共振器が、水晶共振器または表面
弾性波共振器であることを特徴とする請求項９に記載の
局部発振器。 - 【請求項１４】 前記共振器が、誘電体セラミック共振
器であることを特徴とする請求項９に記載の局部発振
器。 - 【請求項１５】 損失を補償し、かつ高周波共振回路の
一定の振幅の発振を維持するために、高周波共振回路に
帰還増幅器（４、５）が接続されていることを特徴とす
る請求項２または３に記載の局部発振器。 - 【請求項１６】 所望の中間周波数信号を越える限界周
波数を有するとともに、第１のアバランシェフォトダイ
オードの混合信号出力を生じるように接続された低域通
過フィルタ（７）が設けられていることを特徴とする請
求項１に記載の局部発振器。 - 【請求項１７】 直接混合によって他の周波数領域へ変
換すべき第２の受信周波数を生成する逆方向バイアスの
第２のアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ１０）が
設けられ、その空乏層容量（ＣAPD,M ）が第１のアバラ
ンシェフォトダイオード（ＡＰＤ２）の空乏層容量（Ｃ
APD,R ）に対しておよびＬＣ共振回路に対して並列に接
続されていることを特徴とする請求項１から１６のいず
れか一項に記載の局部発振器。 - 【請求項１８】 直接混合によって他の周波数領域へ変
換すべき第２の受信信号を生成する逆方向バイアスの第
２のアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ１０）が設
けられ、その空乏層容量（ＣAPD,M ）が第１のアバラン
シェフォトダイオード（ＡＰＤ２）の空乏層容量（Ｃ
APD,R ）と並列に接続されており、この並列回路の全容
量（ＣAPD,M ＋ＣAPD,R ）がＬＣ直列共振回路に対して
直列に接続されていることを特徴とする請求項１から１
６のいずれか一項に記載の局部発振器。 - 【請求項１９】 直接混合によって他の周波数領域へ変
換すべき第２の受信信号を生成する逆方向バイアスの第
２のアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ１０）が設
けられ、その空乏層容量（ＣAPD,M ）が第１のアバラン
シェフォトダイオード（ＡＰＤ２）の空乏層容量（Ｃ
APD,R ）およびＬＣ直列共振回路と直列に接続されてい
ることを特徴とする請求項１から１６のいずれか一項に
記載の局部発振器。 - 【請求項２０】 直接混合によって他の周波数領域へ変
換すべき第２の受信信号を生成する逆方向バイアスの第
２のアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ１０）が設
けられ、その空乏層容量（ＣAPD,M ）が第１のアバラン
シェフォトダイオード（ＡＰＤ２）の空乏層容量（Ｃ
APD,R ）と直列に接続されており、この直列回路の全容
量がＬＣ並列共振回路に対して並列に接続されているこ
とを特徴とする請求項１から１６のいずれか一項に記載
の局部発振器。 - 【請求項２１】 少なくとも１つのアバランシェフォト
ダイオードを、光学的測定信号および基準信号の双方ま
たはいずれか一方のための受信素子として使用する請求
項１から２０のいずれか一項に記載の局部発振器の、光
電子的な距離測定装置における使用方法。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10037209 | 2000-07-31 | ||
| DE10065353A DE10065353B4 (de) | 2000-07-31 | 2000-12-27 | Lokaloszillator zur Erzeugung eines HF-Signals zur Direktmischung mittels Avalanche-Fotodioden |
| DE10037209:0 | 2000-12-27 | ||
| DE10065353:7 | 2000-12-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002124827A true JP2002124827A (ja) | 2002-04-26 |
| JP4719383B2 JP4719383B2 (ja) | 2011-07-06 |
Family
ID=26006566
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001227484A Expired - Lifetime JP4719383B2 (ja) | 2000-07-31 | 2001-07-27 | 局部発振器およびその使用方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6950639B2 (ja) |
| EP (1) | EP1191697B1 (ja) |
| JP (1) | JP4719383B2 (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2864726B1 (fr) * | 2003-12-29 | 2007-12-07 | St Microelectronics Sa | Boucle a verrouillage d'amplitude integrable dotee d'un resonateur acoustique |
| FR2864733A1 (fr) * | 2003-12-29 | 2005-07-01 | St Microelectronics Sa | Boucle a verrouillage de phase integrable dotee d'un resonateur acoustique |
| FR2864727B1 (fr) * | 2003-12-29 | 2007-05-11 | St Microelectronics Sa | Circuit electronique comportant un resonateur destine a etre integre dans un produit semi-conducteur |
| FR2864728B1 (fr) * | 2003-12-29 | 2007-12-07 | St Microelectronics Sa | Circuit electronique integre comportant un resonateur accordable |
| FR2864729B1 (fr) * | 2003-12-29 | 2006-05-05 | St Microelectronics Sa | Resonateur acoustique integrable , et procede d'integration d'un tel resonateur |
| TWI345369B (en) * | 2004-01-28 | 2011-07-11 | Mediatek Inc | High dynamic range time-varying integrated receiver for elimination of off-chip filters |
| FR2883432B1 (fr) * | 2005-03-18 | 2008-02-22 | St Microelectronics Sa | Circuit de filtrage accordable en frequence integrable, comportant un jeu de resonateurs baw |
| FR2888060A1 (fr) * | 2005-07-01 | 2007-01-05 | St Microelectronics Sa | Circuit de filtrage passe-bande dote de resonateurs acoustiques |
| DE102006001964A1 (de) * | 2006-01-13 | 2007-07-19 | Robert Bosch Gmbh | Messgerät, insbesondere Entfernungsmessgerät |
| FR2904492A1 (fr) * | 2006-07-28 | 2008-02-01 | St Microelectronics Sa | Circuit de filtrage dote de resonateurs acoustiques |
| FR2920612B1 (fr) * | 2007-09-03 | 2009-12-04 | St Microelectronics Sa | Circuit d'accord en frequence pour filtre treillis |
| US8742316B2 (en) * | 2009-12-09 | 2014-06-03 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Photo detector having coupling capacitor |
| US9052065B2 (en) * | 2010-12-01 | 2015-06-09 | Gp Strategies Corporation | Liquid dispenser |
| US9354165B2 (en) | 2012-06-19 | 2016-05-31 | Klein Medical Limited | Spectroscopic analysis |
| US10128398B1 (en) * | 2014-05-23 | 2018-11-13 | Stc.Unm | Resonance avalanche photodiodes for dynamic biasing |
| US10707905B2 (en) * | 2015-06-23 | 2020-07-07 | Skyworks Solutions, Inc. | Wideband multiplexer for radio-frequency applications |
| US11181626B2 (en) * | 2016-03-14 | 2021-11-23 | Plethron Inc. | Injecting an RF local oscillator signal into an avalanche photo diode using photons emitted from a light emitting diode |
| EP3333776B1 (en) * | 2016-12-07 | 2021-01-27 | Porta Saber Lda | Activating rfid transponder with light |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137304A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-15 | Fujitsu General Ltd | 変形クラツプ発振回路 |
| JPH0323384A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-31 | Katsuyuki Kawaguchi | 浮体式波動ポンプ |
| JPH03293583A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-25 | Omron Corp | 位相差計測装置 |
| JPH0465691A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-03-02 | Omron Corp | 距離測定装置 |
| JPH08146136A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 光波測距装置 |
| JPH0921875A (ja) * | 1995-07-06 | 1997-01-21 | Asahi Optical Co Ltd | 光波距離測定装置 |
| JP2001516042A (ja) * | 1997-09-09 | 2001-09-25 | ミアラ インコーポレイテッド | 高精度三次元面ディジタル化システム及び方法 |
| JP2001521313A (ja) * | 1997-10-17 | 2001-11-06 | インテル・コーポレーション | 同調可能なエネルギー効率のよいｐｌｌクロック |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3694753A (en) * | 1970-08-07 | 1972-09-26 | George D Arndt | System for improving signal-to-noise ratio of a communication signal |
| CH634419A5 (de) * | 1978-10-11 | 1983-01-31 | Kern & Co Ag | Verfahren zur elektrooptischen distanzmessung, sowie vorrichtung zur durchfuehrung des verfahrens. |
| US4856899A (en) * | 1985-12-20 | 1989-08-15 | Yokogawa Electric Corporation | Optical frequency analyzer using a local oscillator heterodyne detection of incident light |
| JPH088470Y2 (ja) * | 1989-07-18 | 1996-03-06 | 株式会社ニコン | 光波測距儀 |
| DE4002356C2 (de) * | 1990-01-26 | 1996-10-17 | Sick Optik Elektronik Erwin | Abstandsmeßgerät |
| JP2584875Y2 (ja) * | 1992-05-26 | 1998-11-11 | 株式会社ニコン | 光波測距装置 |
| JP2513109B2 (ja) * | 1992-09-28 | 1996-07-03 | 株式会社島津製作所 | 粉粒体の混合比推定方法 |
| US5396510A (en) * | 1993-09-30 | 1995-03-07 | Honeywell Inc. | Laser sensor capable of measuring distance, velocity, and acceleration |
| JPH0868859A (ja) * | 1994-02-23 | 1996-03-12 | Kansei Corp | 距離測定装置 |
| US5812296A (en) * | 1995-08-23 | 1998-09-22 | Ntt Mobile Communications Networks Inc. | Fiber optics transmission system |
| US5742379A (en) * | 1995-11-29 | 1998-04-21 | Reifer; Michael H. | Device and method for electronically measuring distances |
| US5867274A (en) | 1997-02-14 | 1999-02-02 | Harris Instrument Corporation | System for the measurement of the cut length of moving articles |
| US6240283B1 (en) * | 1997-08-07 | 2001-05-29 | Integration Associates, Inc. | Apparatus and method for feedback mitigation in a low speed communications receiver |
| US6288777B1 (en) * | 1998-10-08 | 2001-09-11 | Z+F Zoller & Fröhlich GmbH | System and method for determining at least one physical quantity |
-
2001
- 2001-07-20 EP EP01810722A patent/EP1191697B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-23 US US09/911,272 patent/US6950639B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-27 JP JP2001227484A patent/JP4719383B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58137304A (ja) * | 1982-02-10 | 1983-08-15 | Fujitsu General Ltd | 変形クラツプ発振回路 |
| JPH0323384A (ja) * | 1989-06-20 | 1991-01-31 | Katsuyuki Kawaguchi | 浮体式波動ポンプ |
| JPH03293583A (ja) * | 1990-04-12 | 1991-12-25 | Omron Corp | 位相差計測装置 |
| JPH0465691A (ja) * | 1990-07-04 | 1992-03-02 | Omron Corp | 距離測定装置 |
| JPH08146136A (ja) * | 1994-11-25 | 1996-06-07 | Matsushita Electric Works Ltd | 光波測距装置 |
| JPH0921875A (ja) * | 1995-07-06 | 1997-01-21 | Asahi Optical Co Ltd | 光波距離測定装置 |
| JP2001516042A (ja) * | 1997-09-09 | 2001-09-25 | ミアラ インコーポレイテッド | 高精度三次元面ディジタル化システム及び方法 |
| JP2001521313A (ja) * | 1997-10-17 | 2001-11-06 | インテル・コーポレーション | 同調可能なエネルギー効率のよいｐｌｌクロック |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1191697A3 (de) | 2002-08-14 |
| US20020032014A1 (en) | 2002-03-14 |
| EP1191697B1 (de) | 2011-12-21 |
| US6950639B2 (en) | 2005-09-27 |
| JP4719383B2 (ja) | 2011-07-06 |
| EP1191697A2 (de) | 2002-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002124827A (ja) | 局部発振器およびその使用方法 | |
| JP3188282B2 (ja) | 距離測定装置 | |
| US5130675A (en) | Voltage-controlled oscillator | |
| US8258877B2 (en) | Feed-back and feed-forward systems and methods to reduce oscillator phase-noise | |
| US7615983B2 (en) | High frequency power device for protecting an amplifying element therein | |
| US5367529A (en) | Apparatus and method for improved time synchronization of pulsed laser systems | |
| JP2004077479A (ja) | レーザ測距装置及びレーザ測距方法 | |
| US20220397649A1 (en) | Narrowband tia and signaling for optical distance measurement systems | |
| AU2007208690A1 (en) | VCO driving circuit and frequency synthesizer | |
| AU2012245734B2 (en) | Low noise oscillators | |
| US5032800A (en) | Tunable oscillator with noise degeneration | |
| JP2002033548A (ja) | モード同期半導体レーザの駆動方法及び装置 | |
| JP2001203565A (ja) | 近接センサ | |
| US7023249B1 (en) | Phase locked loop with low phase noise and fast tune time | |
| US6577270B2 (en) | Radar transceiver | |
| JP3891361B2 (ja) | 周波数シンセサイザー | |
| JP4699402B2 (ja) | 発振器及び周波数シンセサイザ | |
| CN219107397U (zh) | 频率发生器布置结构、雷达发射器、雷达接收器和雷达系统 | |
| JP2002016491A (ja) | 周波数制御発振器 | |
| KR101046990B1 (ko) | 미세 신호 검출장치 | |
| US20020021178A1 (en) | Phase-locked loop circuit having rate-of-change detector | |
| DE10065353B4 (de) | Lokaloszillator zur Erzeugung eines HF-Signals zur Direktmischung mittels Avalanche-Fotodioden | |
| JP2001033533A (ja) | 磁気インピーダンスセンサ回路 | |
| JPS62151040A (ja) | 光出力安定化方式 | |
| JPH0440104A (ja) | 超高周波ダイオード発振器の位相同期回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080606 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101116 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101119 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110217 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110329 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110404 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4719383 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140408 Year of fee payment: 3 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |