JPS62151040A

JPS62151040A - 光出力安定化方式

Info

Publication number: JPS62151040A
Application number: JP60290721A
Authority: JP
Inventors: Osamu Kinoshita; 修木下; Toshifumi Tamura; 敏文田村
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1985-12-25
Filing date: 1985-12-25
Publication date: 1987-07-06

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔発明の属する技術分野〕本発明は、半導体発光素子を用いた光送信器において、
光出力の安定化を行うための光出力安定化（以下これを
ＡＰＣ（Ａｕｋｏｗａｔｉｃ　Ｐｏｗｅｒ　Ｃｏｎｔｒ
ｏｌ）と呼ぶ）方式に関する。

〔発明の技術的背景とその問題点〕光ファイバの低損失性、広帯域性の特質を活かした光伝
送システムは、広汎な分野で導入されつつある。しかし
、光伝送システムで用いられる半導体発光素子の特性は
、温度に対して敏感である。

半導体受光素子の一形態であるレーザダイオードは、高
出力性、高速性の観点から長距離、大容量の情報伝送に
好適な素子であるが、レーザ発振閾値電流が温度に対し
て非常に敏感であり、レーザダイオードを駆動する直流
バイアス電流を制御することにより光出力を安定化する
必要があることは広く知られている。元ファイバの損失
が小さい、波長１．０〜１，６μｍの所謂、長波長と呼
ばれる波長帯で用いられるレーザダイオードは、活性層
をＩｎＧａＡｓＰとした物が用いられているが、材料固
有の性質として、吸収による損失の温度特性が大きいた
めに、上記レーザ発振閾値電流に加えて、外部微分量効
率の温度依存性が大きい。このようなレーザダイオード
の駆動電流と光出力の特性を第５図に例示する。温度が
Ｔ１の時のレーザ発振閾値電流１１で表わされるが、温
度が上昇しｈ　Ｔ２となるとレーザ発振閾値電流も上昇
しｓ　Ｉ２となる。レーザ発振閾値以上の領域における
駆動電流対光出力の傾きを微分電気・光変換係数ζで表
わすと、温度ＴｕＣおいて微分電気・光変換係数ζｌで
あった物は、温度が上昇し％Ｔ２となると微分電気・光
変換係数は低下し、ζ２となる。図に示すような温度特
性をもつ半導体発光素子を温度にかかわらず一定の直流
バイアス電流とパルス電流とを重畳して駆動した場合、
光出力は大きな温度依存性をもつことは明きらかである
。光出力を安定化するために光出力の一部をモニタし、
モニタ信号の平均値により半導体発光素子を駆動する直
流バイアス電流を制御する場合を考える。温度ＴＩの時
、半導体発光素子は、第５図に示されるように、レーザ
発振閾値電流に等しい直流バイアス電流１１と振幅Ｉｐ
のパルス電流とを重畳した電流で駆動されるとすると、
図中に示す光出力Ｐ１を出力する。温度がＴ１からＴ２
に変化すると、図中に斜線を施した光出力の平均値を一
定に保つために直流バイアス電流を上昇させるべく制御
系が動作する。制御された結果、温度Ｔ２においては、
半導体発光素子は、直流バイアス電流ＩＢ２と振幅工ｐ
のパルス電流とを重畳した電流で駆動イ引　を出−ｈｐ
。冬出自ナス　？の賎光虫力ｐ。

と光出力Ｐ２の平均値は等しい。半導体発光素子を駆動
するパルス電流分が温度にかかわらず一定であり、半導
体発光素子の微分電気・光変換係数が温度上昇と共に減
少するため、光出力のＨｉｇｈレベルとＬｏｗレベルと
の差（ビーク−ピーク値と呼ぶ）は温度上昇と共に減少
する。光出力のビーク−ピーク値が温度上昇と共に減少
するにもかかわらず、光出力の平均値を一定に保つため
には、光出力のＬＯＷレベルを上昇させざるを得ない。

したがって光出力の一部をモニタし、モニタ信号の平均
値により半導体発光素子を駆動する直流バイアス電流を
制御する光出力安定化方式においては、第５図に示すよ
うに、温度上昇と共に、光出力のＬｏｗレベルが上昇し
、光出力のビーク・ピーク値が減少する。光出力の信号
分はビーク・ピーク値であり、ビーク・ピーク値の減少
は信号分の減少を意味する。また光出力のＬｏｗ　Ｌｅ
ｖｅｌ分は受光プロセスを経てシ目ット雑音を発生させ
るため、可能な限り小さな値になることが好ましい。光
出力のＨｉｇｈＬｅｖｅｌとＬｏｗ　Ｌｅｖｅｌとの化
は消光圧と呼ばれ、消光比を一定値以上に設定すること
が、光伝送システムでは要求される。このように、モニ
タ信号の平均値により半導体発光素子を駆動する直流バ
イアス電流を制御する光出力安定化方式には、温度変化
により、光出力のビーク・ピーク値が変動する。さらに
は消光比が劣化するといら問題点があった。

上記の問題点を解決するためには、半導体発光素子を駆
動する直流バイアス電流のみならず、パルス電流の振幅
を制御する必要がある。第６図は、光出力のＨｉｇｈ　
ＬｅｖｅｌとＬｏｗ　Ｌｅｖｅｌの双方を安定化するた
めに、半導体発光素子を駆動する直流バイアス電流どパ
ルス電流の振幅を共に制御する従来の方式の系統図であ
る。図中ＬＤはレーザ・ダイオード、　ＰＤは光出力モ
ニタ用フォトダイオード、ＡはＰＤの電気出力を増巾す
る回路、ＳＨｂは光出力がＬｏｗの時の増巾回路Ａの出
力をサンプル・ホールドする回路、　ＳＨｐは光出力が
Ｈｉｇｈの時の増巾回路Ａの出力をサンプルホールドす
る回路。

ＳＰＧはサンプルホールド回路ＳＨｂおよびＳＨｐにサ
ンプリングパルスを供給するパルス発生回路、Ｒｖｂ、
Ｒｖｐはそれぞれ基準電圧Ｍｂ、Ｖ、を発生する可変抵
抗器、　Ａｂはサンプル・ホールド回路ＳＨｂの出力と
基準電圧ｖｂとを比較増巾する比較増巾器、Ａｐはサン
プルホールド回路ＳＨｐの出力と基準電圧ｖｐとを比較
増巾する比較増巾器、　ｃｃｂは比較増巾器Ａｂの出力
に比例した直流バイアス電流ＩｂをレーザダイオードＬ
Ｄに供給する定電流回路、ＣＣｐは比較増巾器Ａｐの出
力に比例した振幅のパルス電流Ｉｐを高速スイッチング
回路ｙ経由でレーザダイオードＬＤに供給する定電流回
路、歴は変調人力Ｓｉｎを受けて定電流回路ＣＣｐより
供給される電流Ｉｐをｏｎｌｏｆｆｌ、てレーザダイオ
ードに供給する高速スイッチング回路である。この構成
によれば、光出力のＨｌｇｈ　Ｌｅｖｅｌを検出するこ
とによりレーザダイオードを駆動するパルス電流の振幅
を制御し、光出力のＬｏｗ　Ｌｅｖｅｌを検出すること
によりレーザダイオオードを駆動する直流バイアス電流
を制御するため第′５図に示した制御方法の場合のよう
な欠点は生じない。しかしながら、第６図に示した構成
は、構成ハードウェアの実現に困難さがあり、特に変調
速度が上昇した場合には系の実現が不可能に近い。すな
わち、第６図に示した構成において、サンプリングパル
スを供給するパルス発生回路ＳＰＧは第７図に示される
動作を行うことが要求される。第７図において、（ａ）
は変調人力Ｓｉｎの波形、（ｂ）は光出力がＬｏｗ　Ｌ
６７６１の時の出力をサンプルホールドする回路ＳＨｂ
に与えられるサンプリングパルスの波形、（Ｃ）は光出
力がＨｉｇｈＬｅｖｅｌの時の出力をサンプルホールド
する回路ＳＨｐに与えられるサンプリングパルスの波形
ヲ示す。第７図（ｄ）は変調速度がやや高い場合の増巾
回路Ａの出力を示し、モニタ用フォトダイオードＰＤお
よび増巾回路Ａの周波数帯域が、変調速度に比して十分
には広くないことによる帯域制限の効果が現われている
。帯域制限の効果が無視し得ない場合、サンプルホール
ドされる光出力のＨｌｇｈＬｅｖｅ　ｌ　、Ｌｏｗ　Ｌ
ｅｖｅｌは先行する符号パターンノ影響を受ける。この
ため、Ｈｉｇｈ　ＬｅｖｅｌおよびＬｏｗＬｅｖｅｌの
正確なサンプル番ホールドができず、光出力の安定化が
不完全となる。また上記光出力安定化方式においては、
サンプルホールド回路への入力波形は光出力を忠実に反
映させる必要があり、モニタ用フォトダイオードＰＤの
静電容量Ｃと負荷抵抗Ｒで形成されるＣＲ時定数による
高域遮断による波形歪みを回避するために負荷抵抗Ｒを
小さな値に設定する必要があり、このことはモニタ信号
のＳ／Ｎ比劣化を招き、やはり光出力の安定化が不完全
となる。更に上記光出力安定化方式においては第７図に
示したようにサンプリングパルスを光出力がＨｌｇｈ　
Ｌｅｖｅｌの時点およびＬＯＷ　ＬｅｖｅＡ！の時点に
合わせて正確に位相合わせする必要があるが、変調速度
が上昇すると、僅かな位相設定誤差も光出力のＨｉｇｈ
　Ｌｅｖｅｌ、Ｌｏｗ　Ｌｅｖｅｌを正確にサンプリン
グしないことになる。これは位相設定の調整を困難とす
ることを意味すると同時に、環境温度、動作゛シ源電圧
の変動に対してサンプリングパルスとモニタ信号波形の
相互の位相の変化が無視しえる程小さなハードウェアが
要求されることを意味し、変調速度が数１００Ｍｂｉｔ
　／　ｓｅｅ以上になると、現状技術では実現不可能で
おる。

〔発明の目的〕

本発明は上記した従来技術の欠点を除去し、半導体発光
素子の温度特性を救済し、環境温度の変化に対して、変
調速度が上昇しても正確に光出力を安定化することを可
能とする光出力安定化方式を提供することを目的とする
。

〔発明の概要〕

本発明は、半導体発光素子の光出力の一部をモニタする
半導体受光素子で光検出し、この光検出信号により光出
力を安定化する方式において、光検出信号に含まれる変
調信号に固有な周波数成分のレベルを第１の参照信号と
比較し、この比較結果により半導体発光素子を１駆動す
る変調信号成分の電流振幅を制御し、光検信号に含まれ
る低周波成分のレベルを第２の参照信号と比較し、この
比較結果により半導体発光素子を駆動する直流バイアス
電流を制御するものである。

〔発明の効果〕

本発明によれば、微分電気・光変換係数が温度依存性を
持つ半導体発光素子を用いても光出力の信号分の温度変
動を低減できる。％に従来技術では不可能であった、変
調速度が超高速になった場合にも光出力の安定化が可能
となる。まだ、光出力の信号分の検出を狭帯域で行うこ
とができるため、検出Ｓ／Ｎ比が良好であり正確な制御
が可能となる。本発明をＰＣＭ伝送に用いた場合、光出
力の平均値および消光比の安定化が可能となる。光出力
安定化の制御系が十分に機能するためには、一定のルー
プ利得が必要であるが、このためには半導体発光素子の
光出力をモニタする半導体受光素子として大口径の物を
用いたがモニタ効率が上がり、系を構成しやすい。しか
し、大口径の半導体受光素子は静電容量が大きく、ＣＲ
時定数による帯域制限のために、広帯域な受信が困難と
なる。

しかるに、本発明においては、光出力の信号分の検出を
狭帯域で行うことができるため、半導体受光素子に付随
する静電容量を同調等の手段により補償することが可能
であり、変調速度が高い場合にも、大口径の半導体受光
素子を用いることができ、ループ利得も大きくできる。

〔発明の実施例〕

以下、本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。

第１図は本発明による光出力安定化方式を具現化する基
本構成の一例である。説明を簡潔にするため、図に於い
ては、パルス変調を行う場合を示しているが、構成を一
部変更することによりアナログ変調の場合にも適用でき
る。入力端子（１）に加えられるパルス信号は、パルス
駆動部（２）により適宜増巾され、半導体発光素子（３
）を駆動するパルス電流に変換される。半導体発光素子
（３）は上記パルス電流と、バイアス印加部（４）から
供給される直流バイアス電流とを重畳した電流で駆動さ
れる。半導体発光素子（３）からの出力光は、光ファイ
バ等により外部に取り出されると共に、一部の光が半導
体受光素子（５）を照射する。半導体発光素子（３）か
らの出力光の一部は、半導体受光素子（５）により光検
出され、光検出された信号は、必要に応じて設けられる
増幅器（６）で増幅される。増幅器（６）の出力は２分
され、一方は第一の帯域戸波器（以下ＢＰＦｍと呼ぶ）
（７）へ入力されろ。ＢＰＦｍ（７）の中心周波数は変
調入力信号に含まれる固有の周波数にほぼ一致して設定
される。入力パルス信号がＲｅｔｕｒｒ　ｔ。

Ｚｏｒｏ　ＰＧＭ符号の場合を例にとると、上記、固有
の周波数はクロック周波数である。ＢＰＦｍ（７）の出
力は第一のレベル検出器（８）に入力され、半導体発光
素子（３）の出力光に含まれる上記固有周波数成分の振
幅を検出する。第一のレベル検出器（１８１の出力は、
第一の比較器（９）により、第一の参照信号（１〔と比
較され、第一のレベル検出器（８）の出力が第一の参照
信号部に比し小さい場合にはパルス駆動部（２）からの
出力パルス電流振幅が増大するように制御し、第一のレ
ベル検出器（８）の出方が第一の参照信号Ｑｔ）に比し
大きい場合にはパルス駆動部（２）からの出力パルス電
流振幅が減少するように制御する。、第一の参照信号（
１１は、変調信号に含まれる固有の周波数成分の振幅が
、パルス駆動部（２）からの出力パルス電流振幅を制御
する負帰還ループの応答時間内で、一定と見做せる場合
には、一定の直流電圧とすれば良い。そうでない場合Ｖ
こは、第１図に示されるように、入力端子（１７Ｖｃ加
えられる信号を分岐し、第二の帯域戸波器（以下ＢＰＦ
ｒと呼ぶ）αυにより入力信号に含まれる固有の周波数
成分を抽出し、第二のレベル検出器α２により、固有の
周波数成分の振幅を検出し、必要に応じて設けられる減
衰器ｑ９により振幅を調整した結果を第一の参照信号Ｑ
ｌとする。ＢＰＦｒの中心周波数はＢＰＦｍの中心周波
数とほぼ一致させる。２分された増幅器ａｅの出方の他
の一方は、第一の低域戸波器（以下ＬＰＦｍと呼ぶ）０
滲へ入力され、光出力の低周波成分を抽出する。

ＬＰＦｍ　（１４）の出力は、第二の比較器ａ５により
、第二の参照信号αｅと比較され、ＴＪ’Ｆｍａ４の出
力が第二の参照信号（１［９に比し小ざい場合にはバイ
アス印加部（４）からの出力である直流バイアス電流が
増大するように制御し、　ＬＰＦｍ　（１４１の出力が
第二の参照信号α０に比し大きい場合にはバイアス印加
部（４）からの出力である直流バイアス電流が減少する
ように制御する。第二の参照信号αｅは、変調信号の平
均値が一定である場合には、一定の直流電圧とすれば良
い。

そうでない場合には、第１図に示されるように、入力端
子（１）に加えられる信号を分岐し、第二の低域戸波器
（ＬＰＦｒ　）　（１７１により入力信号に含まれる低
周波成分を抽出し、必要に応じて設けられる減衰器（壇
により振幅を調整した結果を第二の参照信号１１６）と
する。パルス駆動部（２）からの出力パルス電流の羞振
幅を制御するループにおける第一の参照信号（［０ある
いは、バイアス印加部（４）からの出力である直流バイ
アス電流を制御するループにおける第二の参照信号Ｏｅ
を一定の直流電位にするか、入力信号を処理した信号に
するかは、入力信号の性質、求める特性等により相合的
に判断し設定すればよい。

ここで、変調信号に固有な周波数成分について説明を加
えておく。変調信号の例としてベースバンド２値ＰＣＭ
信号を考える。２値ＰＣＭ信号は、原信号を符号化し、
定まった繰り返しの時点ごとに”ｌ’か０”かの信号に
より情報を伝送するものである。定まりた繰り返し時点
ごとに、信号の遷移があり得るために、　ＰＣＭ信号の
スペクトルには、定まった繰り返し時間に対応した線ス
ペクトルが存在する。”１＃、“Ｏｎの符号系列をラン
ダムとし、パルス形式をＲｅｔｕｒｒ　ｔｏ　Ｚｅｒｏ
とした場合のスペクトルを第２図に示す。図から明きら
かなように、定まった繰り返し時間の逆数であるクロッ
ク周波数の所に線スペクトルが存在する。ベースバンド
２値ＰＣＭ信号の場合を例に挙げて変調信号に固有な周
波数成分の存在を説明したが、　ＰＣＭ信号は一般に固
有な周波数成分をもつ。さらに他の信号形式においても
固有な周波数成分をもつ場合が多い。

固有の周波数成分を抽出するための帯域ｐ波器帯域幅は
、固有の周波数成分の安定度と、帯域戸器自体の安定度
、そして光出力安定化の制御ループに要求される応答速
度を勘案して設計される。

これらの点から定まる帯域は十分に狭帯域に設定できる
ため、抽出された変調信号に固有な周波数成分のＳ／Ｎ
比は十分に高く保持できる。このため制御が確実に行わ
れる。用いる帯域ろ波器としてＩハ、弾性表面波フィル
タ、セラミックフィルタ。

ＬＣフィルタ、アクティブフィルタ等積々考えらへ要求
性能、周波数帯、価格の点から具体的な物が選択される
。

変調信号に固有の周波数成分を抽出するためには、第１
図を用いた原理的な形態を変形し、ミキサを用いた形態
でも実現できる。特にＧＨｚ以上に周波数が高くなると
、特性が良好な帯域ｐ波器の実現が困難となるが、この
場合には、ミキサを用いると問題が解決する。第３図に
ミキサを用いた場合の帯域戸波方法を示す。第１図にお
ける入力端子（１）に加えられる変調信号、もしくは同
図の半導体受光素子（５）により光検出された信号が、
第３図の入力端子Ｇυに加えられる。今、変調信号に固
有な周波数をｆＱとする。入力端子１３１）に加えられ
た信号はミキ？Ｃ３２に入力される。この時、必要に応
じて、中心周波数ｆＯのブリフィルム（至）を介してミ
キサ国を介してミキサ■に入力してもよい。ミキサＬ３
２には同時に局部発振器（財）から周波数ｆ１の信号が
加えられる。ミ牛すＧつにより、ミキシングが行われ、
周波数ｆｏ＋ｆ１１１　ｆｏ　　ｆｔ　ｌの２つのビー
ト信号が発生する。２つのビート信号のうち一方は帯域
戸波器（ト）により抽出される。帯域ｐ波器（至）の中
心周波数はｆｏ＋ｆ１またはＩｆｆ−ｆｉｌに設定され
る。ミ中サ（３２と帯域ｐ波器Ｇ９の間には必要に応じ
て増幅器（■を設ける。

本発明によれば、光出力の信号分を、変調信号に固有な
周波数成分の振幅により検出している。

したがって光出力の信号分の検出を狭帯域で行うことが
できるため、半導体受光素子に付随する静電容量を補償
することができる。第４図（ａ）は半導体受光素子に付
随する静電容量を補償するための半導体受光素子まわり
の回路構成例である。半導体受光素子（５）は抵抗Ｒ（
４１）　、インダクタＬ［４Ｚを介して電圧源によって
逆バイアスされる。半導体受光素子（５）と抵抗Ｒ４υ
との接続点には、必要に応じてデカップリング用コンデ
ンサＣｏ（４３が接続される。

光検出信号の低周波成分は端子（４４！から出力され、
変調信号に固有な周波数成分は端子（４！ｉｔから出力
される。この回路の交流等価回路は第４図（ｂ）に示さ
れる。図中、破線で囲んだ部分は半導体受光素子の等何
回路を表わし、光検出電流を出力する電流源（４Ｇｌと
半導体受光素子の静電容量Ｃｄ１４ηとの並列回路から
成る。第４図（ｃ）は低周波数領域における等何回路を
示す。インダクタＬ　（４？Ｊは周波数が低いため短絡
と見做せる。この回路は低域Ｐ波特性を値し、高域遮断
周波数は１／（２π（Ｃｄ＋Ｃｏ）・Ｒ）で与えられる
。デカップリング用コンデスサＣｏ（４３及び抵抗Ｒ（
４１）は系の動作に支障が無い範囲で大きい値に設定さ
れる。第４図（ｄ）は高周波領域における等何回路を示
す。デカップリング用コンデンサＣｏ（４３は周波数が
高いため短絡と見做せる。この回路は周波数１／（２π
シロ１）で共振する特性を示すが、この共振周波数を変
調信号に固有な周波数にほぼ一致させておく。インダク
タＬ　（４３が無い場合には、周波数が高くなると、電
流源（４ｆｊＩから出力される光検出信号電流は、半導
体受光素子が持つ静電容量Ｃｄ　（４７！に流れてしま
い、半導体受光素子の外部に出力される電流は減少する
。インダクタＬ　（４２１を付けることにより、共振周
波数近傍で、静電容量Ｃｄ　（４７！の効果が補償され
、有効に光検出信号電流を半導体受光素子の外部に堰り
出すことができる。

半導体受光素子の静電容量の補償法の一例を示したが、
他の方法でも補償は可能である。補償が可能である理由
は、光出力の信号分を特定の１つの周波数成分のみに着
目しているためであり、波形を忠実に再生する場合に必
要な広帯域性が不要な点にある。以上の理由により、本
発明によれば半導体発光素子の出力光をモニタする半導
体受出素子として静電容量の大きな物、すなわち大口径
の物を用いることができるため、ループ利得を大きく設
定できる。

以上、述べたように、本発明の基本は、半導体発光素子
の光出力を安定化するために、光検出信号に含まれる変
調信号に固有な周波数成分のレベルをモニタし、半導体
発光素子を駆動する信号成分の電流振幅を制御すること
によって、半導体発光素子を駆動する直流バイアス電流
制御と併せて正確な光安定化を行う点にあり、各構形部
分の実現方法は、上記基本的者え方を逸脱しない範囲で
多様な形態がありうることは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の基本構成の一例を示すための図、第２
図はベースバンド２値ＰＣＭ信号の周波数スペクトルを
示す図％第３図はミキサを用いた場合の帯域ろ彼方法を
示す図、第４図は半導体受光素子の静電容量を補償する
回路構成例、第５図はレーザダイオードの温度特性及び
従来の光出力安定化の動作を説明するための図、第６図
は従来例の構成図、第７図は従来における各部波形を示
す図である。ｌ・・・入力端子、　２・・・パルス駆動部、３・・・
半導体発光素子、　　４・・・バイアス印加部、５・・
・半導体受光素子、　　６・・・増幅器。７．１１．１４，１７・・・帯域ｐ波器、８．−１２・
・・レベル検出器、９．１５・・・比較器、１０．１６
・・・参照信号、ｉ３．１８・・・減衰器。代理人　弁理士　則　近　憲　佑同　　　　竹　花　喜久男ｆ７第１図周友敷第３図第５図第６図第７図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）半導体発光素子と、該半導体発光素子の光出力の
一部をモニタし、必要に応じて周波数補償された半導体
受光素子と、半導体受光素子の光検出信号から半導体発
光素子を駆動する変調信号に固有の周波数成分を抽出す
る手段（帯域ろ波手段）と、抽出された固有の周波数成
分の振幅を検出する手段（レベル検出手段）と、抽出さ
れた固有の周波数成分の振幅と第一の参照信号とを比較
する第一の比較器と、該比較器の出力により半導体発光
素子を駆動する変調電流の振幅が負帰還制御される駆動
部と、半導体発光素子の光検出信号から低周波成分を抽
出する手段と、抽出された低周波数成分の振幅と第二の
参照信号とを比較する第二の比較器と、該比較器の出力
により半導体発光素子を駆動する直流バイアス電流が負
帰還制御されるバイアス印加部を有することを特徴とす
る光出力安定化方式。
（２）変調信号はＰＣＭ信号であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の光出力安定化方式。
（３）変調信号に固有の周波数成分を抽出する手段は帯
域ろ波器であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光出力安定化方式。
（４）変調信号に固有の周波数成分を抽出する手段は、
ミキサと局部発振器と帯域ろ波器を具備することを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の光出力安定化方式。
（５）第一の参照信号は一定の直流電圧であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光出力安定化方式
。
（６）第二の参照信号は一定の直流電圧であることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の光出力安定化方式
。
（７）第一の参照信号は、半導体発光素子を駆動する変
調信号を第二の帯域ろ波手段および第二のレベル検出手
段を介して得た信号に比例した信号であることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の光出力安定化方式。
（８）光出力をモニタする半導体受光素子は、該半導体
受光素子に直列に接続されたインダクタにより周波数補
償されていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の光出力安定化方式。
（９）半導体発光素子を駆動する変調電流の振幅を負帰
還制御する応答速度と、半導体発光素子を駆動する直流
バイアス電流を負帰還制御する応答速度が異なることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光出力安定化方
式。