JPH07505233A - 電気光学変調器のためのバイアス制御装置および方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 電気光学変調器のためのバイアス制御装置および方法（技術分野） 本発明は、光通信に関し、特に光度′！Ａ器およびその制御に関する。

（背景技術） 強度変調光６１１号をｗ１得する主な方法の１つは、外部変調である。幾つかの タイプの外部変調器がこの［１的を供することができる。現在では、最も高度に 開発された外部変調器は、ニオブ酸リチウム（Ｌ　ｒ　Ｎ　ｂ　０５）結晶（例 えば、Ｍａｃｈ−Ｚｃｈｎｄｃｒ変ｇｌｉ器）を用いる集積電気光学変調器であ る。これらの変調器により、印加電圧により有効な光強度変調が得られる。

図１は、印加電圧の関数としてこのような電気光学変調器の光応答（即ち、増幅 特性カーブ）を測定するための興り的な構成を示す。制御される偏光によるＣＷ レーザ光源（即ち、キャリヤ光ビーム）が、偏光維持（ＰＭ）光ファイバを用い て変１１？、１に結合される。加えされたバイアス電圧が掃引されると、光応答 が光パワー・メータを用いて測定される。変調器の増幅特性カーブ即ち関数の典 型的なプロットは、正弦波形でありかつその端部間の短い直線部（図２Ａ、図２ Ｂお入力信号がこの直線領域に加えられる。これを行うために、ＤＣ光応答がカ ーブの最小値と最大値の略々中間にあるように、ＤＣバイアス電圧が変調器に加 えられる。図２への左部分により示されるように、入力信号（例えば、高データ 速度信号、データ・ビット・ストリー！・、無線周波（ＲＦ）信号、あるいは電 界センサから得る電界信号）が正常な動作点あるいはバイアス点でバイアスされ る変調器に加えられる時、理想的な条件下で最低の’ｌｚ’＋ｌ調波歪みおよび 相互変調を含む出力信号が生じる結果となる。

ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯａ）変調装置のバイアス点におけるドリフト即ち 変動は、安定な動作を妨げる重大な問題である。３つの主なタイプのバイアス・ ドリフトは、温度変化およびパイロ電気効果によるバイアスの変動、設定バイア ス点に加えられるＤＣ電圧における変動により生じる緩やかなドリフト、および バイアス点の変化を生じる光屈折効果による光損傷である。変調器をその最適の 動作点に維持するためには、バイアス点におけるこれらの変動は印加バイアス電 圧を変化させることにより補償されなければならない。

図２Ａ、　ｖ！４２Ｂおよび図２０は、３つの異なるバイアス条件を示す。図２ Ａにおいては、バイアスＢ１は増幅特性カーブに沿うた正常な中心点にある。こ のよ歪みの変調光出力信号を生じる結果となる。図２Ｂは、バイアス電圧Ｂ、が より高い値に変位される条件を示し、出力波形は」二端部において著しく歪めら れる。

同様に、図２０は、バイアス電圧Ｂ、がより低い値に変位される条件を示し、下 端部において光信号の歪みを生じる結果となる。信号の忠実度を維持するために は、変１ＪＩＬ％を正常なバイアス点で動作させることが望ましい。図２Ｂに示 されるように、パルス状のＲＦ　ａ号が増幅特性カーブの非線形領域即ち部分に おけるバイアス点Ｂ８を有する変調器に加えられる時、パルス状ＲＦ光信号の歪 みのあるバージョンが得られる。」一部におけるクリッピング効果により、出力 波形はＤＣ線に対して非対称的である。これは、ＲＦキャリヤの周波数で動作可 能な高速検出器により実験的に観察することができる。光度１４１％のバイアス を安定化させるため幾つかの方法および２１９１１システムが用いられた（例え ば、Ｗａｋｓｂｃｒｇ等の米国特許第３．７８０．２９６号、Ｒｉｃｅ等の同第 ３．９８８．７０４号、Ｗａｋｓｂｃｒｇの同第４．０７１．７５１号、Ｗａｋ ｓｂｃｒｇの同第４．３０６．１４２号、Ｋｏｍｕｒａｓａｋｉ等の同第４．２ ５３．７３４号、およびＳｈｉｍｏｓａｋａの同第４，９７７．５６５号、およ びＲ，Ｈ０Ｂｕｃｋｌｅｙ著「２乃至１８ＧＨｚｉ信のための堅固な２０Ｋｍ光 ファイバーリンク（ＡＬｉｏｎｓ）Ｊ　（ＳＰＩＥ　ＥＯ／Ｆｉｂｅｒ−９０、 Ｓａｎ　Ｊ０８０％カルフォルニアを参照）。

１つの比較的最近の簡便な方法は、変調器に連続的な低周波パイロット・トーン を注入することである（Ｔｃｒｂｒｏｃｋ等の米国特許第５．００３，６２４号 ＊ｆｆ１）。このトーンの振幅は、変調器出力の光ファイバ・タップにおけるフ ォトダイオードにより検出される。本方法および装置の目的は、バイアス電圧を 然るべく変化させることにより一定の検出信号を維持することである。その簡潔 さのゆえに、本方法は幾つかの短所を有する、即ち、有効に検出されるために注 入信号が大きくなければならないこと、バイアス・ドリフトに対する感度が小さ な信号レベルでは低いこと、バイアス点における増幅特性カーブの勾配について の情報を得ることが難しいことである。

別の方法は、変調器に電気的に印加される低周波バイポーラ方形波を用いる。

（Ｍ、Ｇ、Ｌｅｅ等の［光通６１のための新しい堅固なバイアス制御法（Ｎｅｗ ｒｏｂｕｓＬ　ｂｉａｓ　ｃｏｎＬｒｏｌ　ｍｃＬｈｏｄ　ｆｏｒ　ｏｐｔｉｃ ａｌ　ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ）Ｊ　（ｓｐｉｃ　Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ ｓ。

０ｐＬｉｃａｌ　ａｎｄ　ＤｉｇｉＬａｌ　ＧａＡｇ　Ｔｃｃｈｎｏｌｏｇｉｃ ｓ　ｆｏｒ　Ｓｉｇｎａｌ−ｒ’ｒｏｃｃｓｓｉｎｇ　ＡｐｐｌｉｃａＬｉｏｎ ｓ。

第１２９１巻、５５〜６５ページ、１９９０年４月）ｉｊ、照）、、変！ｌｌ器 出力における光ファイバ・タップには、正になるパルスと負になるパルスとが検 出される。

制御回路は、これら２つのパルス間の振幅差に応答してバイアス電圧の変化を生 じる。本方法は以前の方法よりも更に望ましいが、低周波パルスの高い振幅が変 ｖ４？５により送られる信号と干渉し得る。このようなパイロット・トーンの印 加が、パルスがオンである時間中バイアス電圧が実際にパルス振幅の量だけ偏移 される故に、理想的なバイアス点から本ττ的に逸脱する動作を結果として生じ る。従って、パイロット・トーンのレベルは、バイアス点に対してほとんど擾乱 を生じない低いレベルに保持されねばならない。

このように、光変調器に対するバイアス電圧を生じるこ逅ができ、かつ従来技術 の欠点を克服するバイアス側御手段に対する必要がある。

（発明の概要） 本発明の一般的［１的は、光変調器に対するバイアス信号を生じるためのバイア ス２１９１１回路の提供にある。

本発明の別の目的は、光変調器のパルス変調ＲＦ光出力をＲＦパルスの対称性の 関数であるバイアス信号に変換する回路の提供にある。

本発明の更に別の目的は、遅い時間応答を有する光検出器の動作に応答して入射 光ビームを変調するシステムの提供にある。

全（の１つの特定１］的は、パイロ電気効果および光屈折効果による光変調器に おける動作点のドリフトを制御する装置および方法の提供にある。

本発明によれば、パルス状ＲＦ入力信号とバイアス信号とに応答して入射するキ ャリヤ光ビームをパルス変調して複数のエンベロープ・パルスを特徴とするパル ス変調光出力を生じる光度ｇＡ２３手段と、この光変調器手段からの前記パルス 変調光出力を用いて、光度′！Ａ器手段からの前記出力を表わす電気信号を生じ る光検出手段と、この光検出手段からの前記電気信号を用いて、前記パルスの前 記エンベロープを表わすパルス・エンベロープ信号を生じる信号生成手段と、こ のパルス・エンベロープ信号を用いて、前記パルス・エンベロープの関数として 前記バイアス信号を生じるバイアス制御回路とを備える電気光学変調システムが 請求される。

電気光学変調システｌ、におけるバイアス側御の問題を解決する際に本発明によ り用いられる試みは簡単かつ有効であり、またこれは他の用途のため増幅特性カ ーブにおけるいずれかの点に沿って一定のバイアスを維持する柔軟性をも提供す る。例えば、変Ｗ４器が周波数２倍器として使用される時、これは単に検出され たパルスをある振幅および方向に維持することにより行うことができる。

本発明の他の多くの利点および特徴については、実施態様が記述される本発明の 以降の詳細な説明、請求の範囲および添付図面から容易に明らかになるであろう 。

（図面の簡単な説明） 図１は、光度′！Ａ器の増幅特性カーブが得られる１つの手段の概略図、図２Ａ 、図２Ｂおよび図２０は、光変調器が動作させられるバイアス点における変化の 作用および本発明の基本的概念を示す図、図３は、本発明の主題であるバイアス 制御システムのブロック図、および！２１４は、２人力光変調器のブロック図で ある。

（実施例） 本発明は多くの異なる形態で実施が容易であるが、本発明の１つの特定の実施態 様が図面に示され、また本文に詳細に述べられる。しかし、この開示が本発明の 原理の例示であり本発明を図示される特定の実施例に限定する意図がないことを 理解すべきである。

茫杢眞慝禽 本発明の構成要素を記述する前に、本発明が基礎とする基本的概念について述べ ることにする。図２Δ、図２Ｂおよび図２Ｃに示されるように、一連の対称ＲＦ パルスがバイアス電圧に重ねられて３つの異なるバイアス条件に対する出力信号 を生じる。バイアスが図２Ａに示される如き正常動作点Ｂ１にある時、光出力信 号は一連の対称的ＲＦパルス５を含むことが観察される。この出力信・号がフォ トダイオード６により検出され、ＲＦ酸成分阻止しパルス成分を通過させる低域 通過フィルタを経て濾波されるならば、ゼロのパルス振幅波形７が同図の右側に 示されるように得られる１、この低域通過フィルタの効果は、高周波信号５の「 平均ｆｐ’ｊ　Ｊを生じることである。図２八では、パルスのオン・サイクル５ ａの間の平均値がパルスのオフ・サイクル５ｂの間の平均値と等しい故に、ゼロ のパルス振幅が得られる。

しかし、（例えば、ドリフ！・などにより）バイアスが図２Ｂに示される如くよ り高い値Ｂ、に変化するならば、入力信号は対称のままであるが、光出力信号は 、上端部５３′における比較的平坦な応答を持つ一連の非対称ＲＦパルスを含む ことになる。この一連の非対称ＲＦパルスから得られる平均波形７′は、図の右 側に示される如き一連の負になるパルスとなる。パルスのオン・サイクル５ａ′ の間の平均値がパルスのオフ・サイクル５ｂ’の間の平均（／はり低い故に、負 になるパルスが得られるつ 同様に、図２０は、平均化波形に対する一連の正になるパルス７′を結果として 生じる条件を示す。このため、この平均化パルス波形は、バイアス点についての 情報を与えるフィードバック信号として用いることができる。特に、振幅の強さ 即ち大きさは、正常なバイアスからの偏り度を示し、パルスの方向は増幅特性カ ーブの勾配を示す。

ぺ埴其屯Ｖ友法 図３においては、本発明を具現する変調システム１０のブロック図が示される。

基本的構成要素は、レーザ光源１２と、光変調器１４と、変調器の出力における 光信号結合器即ちタップ１６と、平均検出器１８と、バイアス・コントローラ２ ０とである。レーザ光源１２の出力は、光ファイバ・ケーブル１３により変調器 １４へ送られる。変？Ａ？、、”４１４の変調先出）Ｊの一部は、光信号結合器 １６により平均検出器１８へ送られる。

１つの特定の実施例においては、変調器１４は、カルフォルニアのＣｒｙｓ　ｔ ａｌ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙにより作られたＭａｃｈ−Ｚｃｈｎｄｃｒ光変調器 であり、レーザ光源１２は、Ａｍｏｃｏ　Ｌａ５ｃｒ　Ｃｏｍｐａｎｙのダイオ ード・ポンブトＮｄ：ＹΔにレーザであった。

特定の事例では、レー→！尤源１２は、約ｓｏｓｎｍの波長を持つ光ボンピング 手段と組合わせたネオジニウムをドープしたＹＡＧ　（Ｎｄ　：ＹＡＧ）レーザ 物質を含む。この波長の光でポンプされる時、Ｎｄ：ＹΔには、約１１０６４ｎ あるいは約１３１９ｎｍの波長を有する光を発光する。適当な光ボンピング手段 は、これに限定されるものではないが、レーザ・ダイオード発光ダイオード（超 発光ダイオードおよび超発光ダイオード・アレイを含む）、およびレーザ・ダイ オード・アレイを補助パッケージまたは拾造と共に含んでいる。本発明の目的の ため、用語「光ボンピング手段」は、ヒート・シンク、前記レーザ・ダイオード と関連する熱電効果冷却器またはパッケージ、発光ダイオード、およびレーザ・ ダイオード・アレイを含む。

平均検出器１８は、光検出器１７と、ＡＣ結合増幅器１７ａと、低域通過フィル タ１９とを含む。光検出器１７（例えば、米国ニューシャーシー州のＥｐｉｔａ ｘｘ社５５）は、社訓５１４からの光信号の一部を電気信号］、７′に変換する 。

低域通過フィルタ１９に人力される前に、この信号は、ＤＣレベルが出力におい てゼロに変換されるようにＤＣ成分を阻止するＡＣ結合増幅器１７ａにより増幅 される。

光検出器１７からの電気信号は、数Ｋｌ−ＩＺの上縁周波数で低域通過フィルタ １９を通されてパルス成分を通過させる。この「濾波された」波形は、バイアス ・コントローラ２０に対する人力である。。

平均検出器１８は、印加される光パルスの比率を検出することができさえすれば よい。前に述べたように、平均検出８３１８はＲＦキャリヤの周波数には応答し ないため、出力光信号におけるＲＦキャリヤは「平均化」される（即ち、積分に 相当する）。その結果、平均検出器１８からの出力は、パルス変調されたＲＦ出 力九Ｆ７．のパルス・エンベロープ波形７．７′または７’　（Ｐ１２Ａ、１ｍ ２Ｂおよび１１Ｎ２Ｃの右側に示される）のみを保存する。このパルス・エンベ ロープ波形は、中心即ち正常なバイアス点Ｂ１に対する実際のバイアス点Ｂ２ま たはＢ、に従って、正になる７′（即ち、図２０参照）または負になる７′（即 ち、図２Ｂ参照）のいずれかであり得る。変調２ｉｉ１４が中心即ち正常なバイ アス点Ｂ１でバイアスされるならば、明瞭なパルス・エンベロープのない平坦な 波形７（図２Ａ参照）が観察され、これは、変調された光信号が平均してＤＣＩ Ｑ電圧に等しい対称である故である。

大切な点は、増幅特性カーブにおけるバイアス点の実際の場所を示す手段として 平均検出器１８の「平均化効果（ａｖｃｒａｇｉｎｇ　ｃｆ［ｃｃｔ）Ｊである 。

バイアス・コントローラ２０は、平均検出器１８からの濾波され３た波形１９′ の振幅および方向を分析して、変調器１４に対する適当なりＣ補償およびバイア ス信号４１を出力する。この実施例においては、バイアス・コントローラは、エ ラー・トラッキング回路２１と、プローブ信号発生器２２と、固定ＤＣバイアス 源２３と、加算増幅器２４とを含む。

エラー・トラッキング回路２１は、低域通過フィルタ１９からの濾波された波形 １９′のパルス振幅を補足して記憶することが機能であるサンプリング／保持デ バイス２１ａを含む。波形１９′のパルス振幅の値は、そのオン・サイクルの間 に測定され、そのオフ・サイクルの間は一定に保持される。クロック２２ａは、 サンプリング／保持デバイス２１８をそのオン・サイクルとオフ・サイクルに駆 動するため使用される信号を生じる。測定されるパルスの振幅は、バイアスのエ ラーの表示として使用される。先に述べたように、このバイアス・エラーはパル スの振幅の高さに比例する。パルスの振幅の符号（正または負）は、バイアス点 が置かれる増幅特性カーブの勾配を示す１．オフ・サイクルにおいて、積分器２ １ｂは、エラー信号をオフ・サイクルと等しい期間にわたり積分して、出力とし てバイアス補償信号を加算増幅２’５２４へ与える。

プローブ信号発生器２２は、クロック２２ａと、スイッチ２２ｃと、ＲＦ発振？ ！３２２ｂとを含む。クロック発生器２２１は、スイッチ２２Ｃおよびサンプリ ング／保持デバイス２１８の双方を駆動するため使用されるパルス波形２２ａ′ を生じる。パルス２２ａ′がハイ（即ち、オン・サイクル）である時、スイッチ はｒオン」にされ、これが発振２３２２ｂからの連続的なＲＦ信号２２ｂが加算 増幅器２４を通過することを許容する１、パルス２２ａがロー（即ち、オフ・サ イクル）である時、スイッチ２２Ｃは「オフ」にされる１、このように、パルス 状ＲＦ波形２２Ｃ′はスイッチ２２Ｃの出力に現れる。一連の対称ＲＦパルスか らなるこの波形は、バイアス点を見出してエラー信号を得る「１的のため変調器 １４へ注入される「プローブ信号」として働く。このプローブ信号のパターンお よびタイミングは、クロック信号を介してエラー・トラッキング回路と同期させ られるため、プローブ信号と対応する変３ｉ器の応答は、ユーザの入力信号の存 在の如何に拘わらずエラー・トラッキング回路によりバイアス・エラーに対して 個々に検出され分析されることができる（例えば、ユーザのＮＹＳは、エラー・ トラッキング回路に関して、無作為の未知の不連続なＲＦ信号であり得る）。

プローブ信号は有効にサブキャリヤ変調（ＳＣＭ）システムにおける信号チャン ネルの１つであるパルス変’ＪＲＦキャリヤを用いる故に、バイアス点を見出す 目的のためパルスが加えられる時、従来技術とは異なりバイアス点は擾乱されな い。当業者は、これが非常に満足し得る特徴であることを認識されよう。本発明 の更に別の利点は、ＲＦ信号の振幅が小さいため干渉を最小限に抑えることがで きることである。また、パルス状ＲＦ信号の周波数は、ユーザの信号との相互変 調を最小限に抑えるため、システムの帯域幅以内で任意に選択することができる 。

本発明の一原型においては、本システムは、レンジＲＦキャリヤを数百ＫＨｚか ら数ＧＨｚまでを許容し得る。本システムにおけるプローブ信号に対して選択さ れるキャリヤ周波数は６００ＫＨｚであった。

加算増幅？５２４は、ＤＣバイアス源２３からのＤＣバイアス電圧と、プローブ 信η−発生器２２からのプローブ信号と、エラー・トラッキング回路２１からの バイアス補償信号とを組合わせる。この組合わされた信号は、光変調？５１４へ 送られる。光度”ｔ１４器１４に対するバイアス電圧がバイアス補償信号に対し て然るべく調整されることは明らかである。バイアス補償信号が正ならば、この 信号は加算増幅器２４によりＤＣバイアス源２３からのＤＣバイアス電圧に加算 される。同様に、補償信号が負ならば、これは差引かれる。このように、エラー 信号が検出されるならば、バイアス・コントローラ２０は、自動的にバイアス電 圧を調整することになる。

以」二の記述から、当業者には多くの変更、代替および修正が明らかであろう。

従って、本文の記述は、１ｉｔ、に例示に過ぎないと解釈されるべきであり、本 発明の実施方法を当業者に教示するためのものである。様々な変更が可能であり 、材料を変更し、本発明の特徴を利用することが可能である。例えば、パルスの 高さとＤＣレベルの双方を測定することができる更に複雑なエラー・トラッキン グ回路が実現されるならば、ＤＣレベルをゼロに変換するため信号１７′をＡＣ 結合することは不要である。同様に、図３は３人力の変調器１４が用いられる発 明を示しているが、バイアス・コントローラ２０は、図４に示されるように２人 力の光度ｖ！４器１４′と共に使用することができる。結合器のＤＣバイアス信 号４１およびＲＦ出力は、バイアス・Ｔ−接続５０を用いて一緒に混成される。

このように、請求の範囲に記載される如き本発明の趣旨および範囲から逸脱する ことなく、種々の変更、代替および修正などが可能なことが明らかである。全て のかかる変更は、無論、請求の範囲により本発明の範囲内に包含されるべきもの である。

浄書（内容に変更なし） ＦＩＧ、１　従来技術 手続補正書（方式） 工、事件の表示 ＰＣＴ／ＵＳ　９２１０９８８７ 平成５年特許願第５０９４６７号 ２、発明の名称 電気光学変調器のためのバイアス制御装置および方法３、補正をする者 事件との関係　特許出願人 住所 名　称　アモコ・コーポレーション ４、代理人 住　所　東京都千代田区大手町二丁目２番１号新大手町ビル２０６区 ５、補正命令の日付　平成６年１１月２９日（発送日）６、補正の対象 鮮明に浄書した図面の翻訳文 国際調査報告

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．（ａ）パルスＲＦ入力信号およびバイアス信号に応答して入射キャリや光ビ ームをパルス変調し、かつ複数のエンベロープ・パルスを特徴とするパルス変調 光出力を生じる光変調手段と。 （ｂ）前記光変調手段からの前記パルス変調光出力を用いて、該光変調手段から の前記出力を表わす電気信号を生じる光検出手段と、（ｃ）前記光検出手段から の前記電気信号を用いて、前記パルスの前記エンベロープを表わすパルス・エン ベロープ信号を生じる信号生成手段とであって、前記パルス・エンベロープの周 期にわたり前記電気信号を平均化することにより前記パルス・エンベロープ信号 を生じる該信号生成手段と、（ｄ）前記パルス・エンベロープ信号を用いて、該 パルス・エンベロープの関数として前記バイアス信号を生じるバイアス制御回路 と、を備える電気光学変調システム。 ２．前記バイアス制御回路が、 前記パルス・エンベロープ信号を受取り、大きさが前記エンベロープ・パルスの 名々の持続時間にわたる前記パルス・エンベロープ信号の振幅の関数であるＤＣ エラー信号を生じるエラー・トラッキング手段と、前記エンベロープ・パルスの 名々の持続時間にわたるＲＦ信号を発生するプローブ信号発生器と、 固定されたＤＣ信号を生じるＤＣバイアス源と、前記ＤＣエラー信号と、前記プ ローブ信号発生器からの前記ＲＦ信号と、前記固定ＤＣ信号とを加算して、前記 バイアス信号を生じる加算増幅器とを備える請求の範囲第１項記載のシステム。 ３．前記プローブ信号発生器が、ＲＦ発振器と、クロックと、および該クロック により開閉され、前記ＲＦ発振器の出力を受取り、かつ前記ＲＦ信号を出力とし て有するスイッチと、を含む請求の範囲第２項記載のシステム。 ４．前記エラー・トラッキング手段が、前記信号生成手段から前記パルス・エン ベロープ信号を受取り、前記クロックによるオン・サイクルとオフ・サイクルと の問でゲートされ、かつ前記クロックによりオンにされる時パルス・エンベロー プ信号のパルス振幅を測定するサンプリング／保持デバイスと、 前記オフ・サイクルの問動作して、前記サンプリング／保持デバイスからの前記 測定されたパルス振幅を積分して前記ＤＣエラー信号を生じる積分手段とを備え る請求の範囲第３項記載のシステム。 ５．前記信号生成手段が、前記光検出手段からの前記電気信号が印加される入力 を有し、かつ前記パルスの前記エンベロープを表わす出力を有する低域通過フィ ルタを含む請求の範囲第１項記載のシステム。 ６．前記バイアス制御回路が、 前記パルス・エンベロープ信号の振幅と、前記パルス・エンベロープ信号の方向 と、前記パルス・エンベロープ信号の形状と、前記パルス・エンベロープ信号の 対称性と、前記パルス・エンベロープ信号のＤＣレベルの少なくとも１つの関数 として、前記バイアス信号を生じる請求の範囲第１項記載のシステム。 ７．前記バイアス制御回路が、前記パルス・エンベロープ信号の特性の関数とし て前記バイアス信号を生じ、該パルス・エンベロープ信号が、振幅と方向との少 なくとも１つを特徴とする請求の範囲第１項記載のシステム。 ８．前記キャリヤ光ビームがダイオード・ポンプド・ソリッドステート・レーザ から得られる請求の範囲第１項記載のシステム。 ９．前記光変調手段が、最大と最小とにより挟まれた直線部を含む増幅特性カー ブを有し、 前記バイアス信号が前記直線部内に通常位置される平均値を有し、前記バイアス 信号が、パイロ電気効果と光の屈折効果との少なくとも１つの結果としてドリフ トを受ける請求の範囲第１項記載のシステム。 １０．前記光変調手段が、Ｍａｃｈ−Ｚｃｈｎｄｃｒ電気光学変調器を含む請求 の範囲第９項記載のシステム， １１．前記信号生成手段が、 （ａ）前記パルス変調光出力を電気出力に変換する光検出器と、（ｂ）前記電気 出力を受取って前記電気信号を生じる低域通過フィルタ手段とを含む請求の範囲 第１項記載の装置。 １２．ＲＦ信号入力とＤＣバイアス信号入力とに応答して、一連のパルス・エン ベロープを特徴とするパルス変調光出力を生じる光変調器における、入射光ビー ムの変調を特御する方法において、 （ａ）前記光変調器からの前記パルス変調光出力をこのパルス変調光出力を表わ す電気信号に変換し、 （ｂ）前記パルスＲＦ入力キャリヤに関連する緩やかな時間応答を有する低域通 過フィルタヘ前記電気信号を送り、 （ｃ）前記一連のパルス・エンベロープの振幅と前記一連のパルス・エンベロー プの符号との少なくとも一方の関数として、前記低域通過フィルタの出力をＤＣ バイアス信号に変換し、 （ｄ）前記ＤＣバイアス信号を前記光変調器に対して入力するステップを含む方 法。 １３．前記ステップ（ｃ）が、 （１）前記低域通過フィルタの前記出力を、該低域通過フィルタからの前記出力 の大きさを捕捉するオン・サイクルを有し、かつオフ・サイクルを有するクロッ クで動作させられるサンプリング／保持回路に送出し、（２）前記サンプリング ／保持回路の前記オフ・サイクルの問前記振幅を積分するステップを含む請求の 範囲第１２項記載の方法。 １４．前記ステップ（ｃ）が更に、 （３）前記クロックを用いて、前記オン・サイクルの問ＲＦ発振器出力を供給し 、 （４）前記クロックされたＲＦ発振器出力と、前記低域通過フィルタからの前記 出力の前記積分された大きさを加算するステップを含む請求の範囲第１３項記載 の方法。 １５．レーザ光源と、レーザ光を受取り、情報信号入力とＤＣバイアス信号入力 とに応答して、一連のパルス・エンベロープを特徴とするパルス変調光出力を生 じる光変調器と、前記変調器出力を受信機に接続する光ファイバとを備える光通 信システムにおける、前記光変調器を制御する方法において、（ａ）前記光変調 器からの前記パルス変調光出力を該パルス変調光出力を表わす電気信号に変換し 、 （ｂ）前記情報信号の周波数に関連する緩やかな時間応答を有する低域通過フィ ルタヘ前記電気信号を送出し、 （ｃ）前記一連のパルス・エンベロープの振幅と該一連のパルス・エンベロープ の符号との関数として、前記低域通過フィルタの出力をＤＣバイアス信号に変換 し、 （ｄ）前記ＤＣバイアス信号を前記光変調器に入力するステップを含む方法。 １６．前記ステップ（ｃ）が、 （１）前記低域通過フィルタの前記出力を、クロックにより動作させられ、該記 低域通過フィルタからの前記出力の大きさを捕捉するオン・サイクルを有し、か つオフ・サイクルを有するサンプリング／保持回路に送出し、（２）前記サンプ リング／保持回路の前記オフ・サイクルの問前記振幅を積介してＤＣ出力を生じ るステップを含む請求の範囲第１５項記載の方法。 １７．前記ステップ（ｃ）が更に、 （３）前記オン・サイクルの問発振器出力を供給するために前記クロックを用い 、 （４）前記クロックされた発振器出力と、前記低域通過フィルタがらの前記出力 の前記積分された大きさとを加算するステップとを含む請求の範囲第１６項記載 の方法。