JP2002111028A - タンデム型薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents
タンデム型薄膜太陽電池の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 タンデム型薄膜太陽電池の性能を低下させる
ことなくその製造工程の融通性を高めかつ生産効率を改
善し得る製造方法を提供する。 【解決手段】 光入射側から順にｐ型層、ｉ型光電変換
層、およびｎ型層を含む光電変換ユニットの複数が基板
１上で積層されていて少なくとも光入射側から最も遠い
後方ユニットは結晶質ｉ型光電変換層を含む結晶質ユニ
ットであるタンデム型薄膜太陽電池の製造方法は、基板
１上で少なくとも１つのユニットがプラズマＣＶＤによ
って形成された後に引続いて５ｎｍ以下の厚さのｉ型境
界層６をプラズマＣＶＤで形成し、その後に基板１が大
気中に取出されることによってｉ型境界層６の表面が大
気に露呈され、その後にそのｉ型境界層６上に結晶質ユ
ニットがプラズマＣＶＤで形成されるステップを含む。
ことなくその製造工程の融通性を高めかつ生産効率を改
善し得る製造方法を提供する。 【解決手段】 光入射側から順にｐ型層、ｉ型光電変換
層、およびｎ型層を含む光電変換ユニットの複数が基板
１上で積層されていて少なくとも光入射側から最も遠い
後方ユニットは結晶質ｉ型光電変換層を含む結晶質ユニ
ットであるタンデム型薄膜太陽電池の製造方法は、基板
１上で少なくとも１つのユニットがプラズマＣＶＤによ
って形成された後に引続いて５ｎｍ以下の厚さのｉ型境
界層６をプラズマＣＶＤで形成し、その後に基板１が大
気中に取出されることによってｉ型境界層６の表面が大
気に露呈され、その後にそのｉ型境界層６上に結晶質ユ
ニットがプラズマＣＶＤで形成されるステップを含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はタンデム型薄膜太陽
電池の製造方法に関し、特に、その太陽電池の性能を低
下させることなく製造工程の融通性を高めかつ生産効率
を改善し得る製造方法に関するものである。
電池の製造方法に関し、特に、その太陽電池の性能を低
下させることなく製造工程の融通性を高めかつ生産効率
を改善し得る製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年では薄膜太陽電池も多様化し、従来
の非晶質薄膜太陽電池の他に結晶質薄膜太陽電池も開発
され、これらを積層したタンデム型（ハイブリッド）薄
膜太陽電池も実用化されつつある。
の非晶質薄膜太陽電池の他に結晶質薄膜太陽電池も開発
され、これらを積層したタンデム型（ハイブリッド）薄
膜太陽電池も実用化されつつある。
【０００３】半導体薄膜太陽電池は、一般に、少なくと
も表面が絶縁性の基板上に順に積層された第１電極、１
以上の半導体薄膜光電変換ユニット、および第２電極を
含んでいる。そして、１つの光電変換ユニットはｐ型層
とｎ型層でサンドイッチされたｉ型層を含んでいる。
も表面が絶縁性の基板上に順に積層された第１電極、１
以上の半導体薄膜光電変換ユニット、および第２電極を
含んでいる。そして、１つの光電変換ユニットはｐ型層
とｎ型層でサンドイッチされたｉ型層を含んでいる。
【０００４】光電変換ユニットの厚さの大部分を占める
ｉ型層は実質的に真性の半導体層であって、光電変換作
用は主としてこのｉ型層内で生じる。したがって、ｉ型
光電変換層は光吸収のためには厚い方が好ましいが、必
要以上に厚くすればその堆積のためのコストと時間が増
大することになる。
ｉ型層は実質的に真性の半導体層であって、光電変換作
用は主としてこのｉ型層内で生じる。したがって、ｉ型
光電変換層は光吸収のためには厚い方が好ましいが、必
要以上に厚くすればその堆積のためのコストと時間が増
大することになる。
【０００５】他方、ｐ型やｎ型の導電型層は光電変換ユ
ニット内に拡散電位を生じさせる役目を果たし、この拡
散電位の大きさによって薄膜太陽電池の重要な特性の１
つである開放端電圧の値が左右される。しかし、これら
の導電型層は光電変換に直接寄与しない不活性な層であ
り、導電型層にドープされた不純物によって吸収される
光は発電に寄与しない損失となる。したがって、ｐ型と
ｎ型の導電型層は、十分な拡散電位を生じさせ得る範囲
内で、できるだけ小さな厚さを有することが好ましい。
ニット内に拡散電位を生じさせる役目を果たし、この拡
散電位の大きさによって薄膜太陽電池の重要な特性の１
つである開放端電圧の値が左右される。しかし、これら
の導電型層は光電変換に直接寄与しない不活性な層であ
り、導電型層にドープされた不純物によって吸収される
光は発電に寄与しない損失となる。したがって、ｐ型と
ｎ型の導電型層は、十分な拡散電位を生じさせ得る範囲
内で、できるだけ小さな厚さを有することが好ましい。
【０００６】このようなことから、光電変換ユニットま
たは薄膜太陽電池は、それに含まれるｐ型とｎ型の導電
型層が非晶質か結晶質かにかかわらず、その主要部を占
めるｉ型の光電変換層が非晶質のものは非晶質ユニット
または非晶質薄膜太陽電池と称され、ｉ型層が結晶質の
ものは結晶質ユニットまたは結晶質薄膜太陽電池と称さ
れる。
たは薄膜太陽電池は、それに含まれるｐ型とｎ型の導電
型層が非晶質か結晶質かにかかわらず、その主要部を占
めるｉ型の光電変換層が非晶質のものは非晶質ユニット
または非晶質薄膜太陽電池と称され、ｉ型層が結晶質の
ものは結晶質ユニットまたは結晶質薄膜太陽電池と称さ
れる。
【０００７】ところで、薄膜太陽電池の変換効率を向上
させる方法として、２以上の光電変換ユニットを積層し
てタンデム型にする方法がある。この方法においては、
薄膜太陽電池の光入射側に大きなバンドギャップを有す
る光電変換層を含む前方ユニットを配置し、その後ろに
順に小さなバンドギャップを有する（たとえばＳｉ−Ｇ
ｅ合金などの）光電変換層を含む後方ユニットを配置す
ることにより、入射光の広い波長範囲にわたって光電変
換を可能にし、これによって太陽電池全体としての変換
効率の向上が図られる。このようなタンデム型薄膜太陽
電池の中でも、非晶質光電変換ユニットと結晶質光電変
換ユニットの両方を含むものは特にハイブリッド薄膜太
陽電池と称されることもある。
させる方法として、２以上の光電変換ユニットを積層し
てタンデム型にする方法がある。この方法においては、
薄膜太陽電池の光入射側に大きなバンドギャップを有す
る光電変換層を含む前方ユニットを配置し、その後ろに
順に小さなバンドギャップを有する（たとえばＳｉ−Ｇ
ｅ合金などの）光電変換層を含む後方ユニットを配置す
ることにより、入射光の広い波長範囲にわたって光電変
換を可能にし、これによって太陽電池全体としての変換
効率の向上が図られる。このようなタンデム型薄膜太陽
電池の中でも、非晶質光電変換ユニットと結晶質光電変
換ユニットの両方を含むものは特にハイブリッド薄膜太
陽電池と称されることもある。
【０００８】たとえば、ｉ型非晶質シリコンが光電変換
し得る光の波長は長波長側において８００ｎｍ程度まで
であるが、ｉ型結晶質シリコンはそれより長い約１１０
０ｎｍ程度の波長の光までを光電変換することができ
る。ここで、光吸収係数の大きな非晶質シリコン光電変
換層は光吸収のためには単層でも０．３μｍ以下の厚さ
で十分であるが、光吸収係数の小さな結晶質シリコン光
電変換層は長波長の光をも十分に吸収するためには単層
では２〜３μｍ程度以上の厚さを有することが好まし
い。すなわち、結晶質光電変換層は、通常は、非晶質光
電変換層に比べて１０倍程度に大きな厚さを有すること
が望まれる。
し得る光の波長は長波長側において８００ｎｍ程度まで
であるが、ｉ型結晶質シリコンはそれより長い約１１０
０ｎｍ程度の波長の光までを光電変換することができ
る。ここで、光吸収係数の大きな非晶質シリコン光電変
換層は光吸収のためには単層でも０．３μｍ以下の厚さ
で十分であるが、光吸収係数の小さな結晶質シリコン光
電変換層は長波長の光をも十分に吸収するためには単層
では２〜３μｍ程度以上の厚さを有することが好まし
い。すなわち、結晶質光電変換層は、通常は、非晶質光
電変換層に比べて１０倍程度に大きな厚さを有すること
が望まれる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述のようなタンデム
型薄膜太陽電池において、それが非晶質ユニットと結晶
質ユニットの両方を含む場合に、非晶質ユニットを形成
する際に最適なプラズマＣＶＤ条件と結晶質ユニットを
形成するのに最適なプラズマＣＶＤ条件とは互いに異な
るので、互いに別々のプラズマＣＶＤ装置でそれぞれの
最適条件のもとで形成することが好ましい。また、結晶
質ユニットは非晶質ユニットに比べて長い形成時間を要
するので、単一の製造ラインで形成された非晶質ユニッ
ト上に、結晶質ユニットを複数の製造ラインで迅速に形
成することが望まれる場合もある。さらに、タンデム型
薄膜太陽電池において、それが複数の結晶質ユニットの
みを含む場合でも、光吸収効率の最適化を図るために、
光入射側に近い前方ユニットとその後ろに形成される後
方ユニットとの間では互いに厚さやその他の特性が変え
られるので、各ユニットを別々のプラズマＣＶＤ装置で
形成することが望まれる場合が多い。
型薄膜太陽電池において、それが非晶質ユニットと結晶
質ユニットの両方を含む場合に、非晶質ユニットを形成
する際に最適なプラズマＣＶＤ条件と結晶質ユニットを
形成するのに最適なプラズマＣＶＤ条件とは互いに異な
るので、互いに別々のプラズマＣＶＤ装置でそれぞれの
最適条件のもとで形成することが好ましい。また、結晶
質ユニットは非晶質ユニットに比べて長い形成時間を要
するので、単一の製造ラインで形成された非晶質ユニッ
ト上に、結晶質ユニットを複数の製造ラインで迅速に形
成することが望まれる場合もある。さらに、タンデム型
薄膜太陽電池において、それが複数の結晶質ユニットの
みを含む場合でも、光吸収効率の最適化を図るために、
光入射側に近い前方ユニットとその後ろに形成される後
方ユニットとの間では互いに厚さやその他の特性が変え
られるので、各ユニットを別々のプラズマＣＶＤ装置で
形成することが望まれる場合が多い。
【００１０】しかしながら、このような状況下におい
て、たとえば透明基板側から順にｐｉｎの接合を含むｐ
ｉｎ型非晶質ユニットを形成した後に、その基板をプラ
ズマＣＶＤ装置から一旦大気中に取出して他のプラズマ
ＣＶＤ装置に移してｐｉｎ型結晶質ユニットをさらに形
成した場合、得られるタンデム型薄膜太陽電池の光電変
換特性は基板を大気中に取出すことなく両ユニットを連
続的に形成した場合に比べて低下するという事実を本発
明者たちは経験した。具体的には、光電変換効率の絶対
値による比較において０．５％以上の低下が見られた。
て、たとえば透明基板側から順にｐｉｎの接合を含むｐ
ｉｎ型非晶質ユニットを形成した後に、その基板をプラ
ズマＣＶＤ装置から一旦大気中に取出して他のプラズマ
ＣＶＤ装置に移してｐｉｎ型結晶質ユニットをさらに形
成した場合、得られるタンデム型薄膜太陽電池の光電変
換特性は基板を大気中に取出すことなく両ユニットを連
続的に形成した場合に比べて低下するという事実を本発
明者たちは経験した。具体的には、光電変換効率の絶対
値による比較において０．５％以上の低下が見られた。
【００１１】このような本発明者たちが経験した知見に
基づいて、本発明は、タンデム型薄膜太陽電池の性能を
低下させることなくその製造工程の融通性を高めかつ生
産効率を改善し得る製造方法を提供することを目的とし
ている。
基づいて、本発明は、タンデム型薄膜太陽電池の性能を
低下させることなくその製造工程の融通性を高めかつ生
産効率を改善し得る製造方法を提供することを目的とし
ている。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、光入射
側から順にｐ型層、ｉ型光電変換層、およびｎ型層を含
む光電変換ユニットの複数が基板上で積層されていて、
少なくとも光入射側から最も遠い後方ユニットは結晶質
ｉ型光電変換層を含む結晶質ユニットであるタンデム型
薄膜太陽電池の製造方法は、基板上で少なくとも１つの
ユニットがプラズマＣＶＤによって形成された後に引続
いて５ｎｍ以下の厚さのｉ型境界層をプラズマＣＶＤで
形成し、その後に基板が大気中に取出されることによっ
てｉ型境界層の表面が大気に露呈され、その後にそのｉ
型境界層上に結晶質ユニットがプラズマＣＶＤで形成さ
れるステップを含むことを特徴としている。
側から順にｐ型層、ｉ型光電変換層、およびｎ型層を含
む光電変換ユニットの複数が基板上で積層されていて、
少なくとも光入射側から最も遠い後方ユニットは結晶質
ｉ型光電変換層を含む結晶質ユニットであるタンデム型
薄膜太陽電池の製造方法は、基板上で少なくとも１つの
ユニットがプラズマＣＶＤによって形成された後に引続
いて５ｎｍ以下の厚さのｉ型境界層をプラズマＣＶＤで
形成し、その後に基板が大気中に取出されることによっ
てｉ型境界層の表面が大気に露呈され、その後にそのｉ
型境界層上に結晶質ユニットがプラズマＣＶＤで形成さ
れるステップを含むことを特徴としている。
【００１３】各光電変換ユニットが基板側から順にｐ型
層、ｉ型光電変換層、およびｎ型層を含む場合には、ｉ
型境界層上に結晶質ユニットを形成する直前に付加的な
ｎ型層がプラズマＣＶＤで形成されることが好ましい。
層、ｉ型光電変換層、およびｎ型層を含む場合には、ｉ
型境界層上に結晶質ユニットを形成する直前に付加的な
ｎ型層がプラズマＣＶＤで形成されることが好ましい。
【００１４】光入射側に最も近い前方ユニットとして、
非晶質ｉ型光電変換層を含む非晶質ユニットが基板上で
最初のユニットとして形成されることが好ましい。
非晶質ｉ型光電変換層を含む非晶質ユニットが基板上で
最初のユニットとして形成されることが好ましい。
【００１５】プラズマＣＶＤには、Ｈ2で希釈されたＳ
ｉＨ4を含むガスが反応ガスとして好ましく利用され得
る。
ｉＨ4を含むガスが反応ガスとして好ましく利用され得
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】前述のように基板上にｐｉｎ型非
晶質ユニットを形成した後にその基板をプラズマＣＶＤ
装置から一旦大気中に取出して他のプラズマＣＶＤ装置
に移してｐｉｎ型結晶質ユニットをさらに形成した場合
に、得られるタンデム型薄膜太陽電池の光電変換特性が
基板を大気中に取出すことなく両ユニットを連続的に形
成した場合に比べて低下することの原因について、本発
明者たちが検討した。その結果、この原因の１つとし
て、非晶質ユニットと結晶質ユニットを連続的に形成し
た場合には非晶質ユニットのｎ層として微結晶層が形成
され（ｎ層はｐ層に比べて結晶化しやすい）、そのｎ層
の微結晶が結晶核として作用してその上に良質の結晶質
ユニットが形成され得るのに対して、非晶質ユニットの
形成後にそれが一旦大気に露呈されれば、そのｎ層表面
の酸化や異物の付着などによって、その後に形成される
結晶質ユニットの結晶化が阻害されるという理由が考え
られた。
晶質ユニットを形成した後にその基板をプラズマＣＶＤ
装置から一旦大気中に取出して他のプラズマＣＶＤ装置
に移してｐｉｎ型結晶質ユニットをさらに形成した場合
に、得られるタンデム型薄膜太陽電池の光電変換特性が
基板を大気中に取出すことなく両ユニットを連続的に形
成した場合に比べて低下することの原因について、本発
明者たちが検討した。その結果、この原因の１つとし
て、非晶質ユニットと結晶質ユニットを連続的に形成し
た場合には非晶質ユニットのｎ層として微結晶層が形成
され（ｎ層はｐ層に比べて結晶化しやすい）、そのｎ層
の微結晶が結晶核として作用してその上に良質の結晶質
ユニットが形成され得るのに対して、非晶質ユニットの
形成後にそれが一旦大気に露呈されれば、そのｎ層表面
の酸化や異物の付着などによって、その後に形成される
結晶質ユニットの結晶化が阻害されるという理由が考え
られた。
【００１７】また、微結晶ｎ層にリンがドープされてい
ればその表面がポーラスになりやすく、特にそのドープ
量が多くなるほどその傾向が強くなる。したがって、そ
のようなｎ層のポーラスな表面を大気に露呈すれば、平
坦な表面に比べて、より酸化や異物の付着などが促進さ
れやすいと考えられる。
ればその表面がポーラスになりやすく、特にそのドープ
量が多くなるほどその傾向が強くなる。したがって、そ
のようなｎ層のポーラスな表面を大気に露呈すれば、平
坦な表面に比べて、より酸化や異物の付着などが促進さ
れやすいと考えられる。
【００１８】これらの問題を解消するために、非晶質ユ
ニットのｎ層をかなり厚めに形成した後にそれを大気中
に露呈し、その後に何らかのエッチングガスでそのｎ層
の表面層をエッチング除去してから、引続いてプラズマ
ＣＶＤで結晶質ユニットを形成することが考えられる。
しかし、この場合には、ｎ層を厚く堆積することとエッ
チング工程が追加的に必要となることから、製造ライン
に要する時間の延長、エッチング用のチャンバと配管の
追加、さらには非晶質ユニットのｉｎ界面におけるエッ
チングによるダメージなどの問題を生じることになる。
ニットのｎ層をかなり厚めに形成した後にそれを大気中
に露呈し、その後に何らかのエッチングガスでそのｎ層
の表面層をエッチング除去してから、引続いてプラズマ
ＣＶＤで結晶質ユニットを形成することが考えられる。
しかし、この場合には、ｎ層を厚く堆積することとエッ
チング工程が追加的に必要となることから、製造ライン
に要する時間の延長、エッチング用のチャンバと配管の
追加、さらには非晶質ユニットのｉｎ界面におけるエッ
チングによるダメージなどの問題を生じることになる。
【００１９】上述のような本発明者たちの分析に基づい
て、以下において本発明の好ましい実施の形態について
図面を参照しつつ説明する。なお、本願の各図におい
て、厚さや長さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化
のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を表わ
してはいない。
て、以下において本発明の好ましい実施の形態について
図面を参照しつつ説明する。なお、本願の各図におい
て、厚さや長さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化
のために適宜に変更されており、実際の寸法関係を表わ
してはいない。
【００２０】まず図１において、本発明の実施の形態の
一例による製法によって作製されたタンデム型薄膜太陽
電池セルが模式的な断面図で示されている。すなわち、
この太陽電池セルでは、絶縁基板１上に第１電極２が形
成される。第１電極２上には、第１の光電変換ユニット
に含まれる１導電型層３、実質的に真性半導体の光電変
換層４、および逆導電型層５がプラズマＣＶＤで順次に
堆積され、これに引続いて実質的に真性半導体の境界層
６がトンネル効果を生じ得る５ｎｍ以下の厚さにプラズ
マＣＶＤで堆積される。
一例による製法によって作製されたタンデム型薄膜太陽
電池セルが模式的な断面図で示されている。すなわち、
この太陽電池セルでは、絶縁基板１上に第１電極２が形
成される。第１電極２上には、第１の光電変換ユニット
に含まれる１導電型層３、実質的に真性半導体の光電変
換層４、および逆導電型層５がプラズマＣＶＤで順次に
堆積され、これに引続いて実質的に真性半導体の境界層
６がトンネル効果を生じ得る５ｎｍ以下の厚さにプラズ
マＣＶＤで堆積される。
【００２１】その後、基板１がプラズマＣＶＤ装置から
大気中に引出され、それによって境界層６の表面が大気
に露呈される。その後に、基板１が他のプラズマＣＶＤ
装置内に導入され、第２の光電変換ユニットに含まれる
１導電型層７、実質的に真性の結晶質光電変換層８およ
び逆導電型層９が順次プラズマＣＶＤで堆積され、最後
に第２電極１０が形成される。
大気中に引出され、それによって境界層６の表面が大気
に露呈される。その後に、基板１が他のプラズマＣＶＤ
装置内に導入され、第２の光電変換ユニットに含まれる
１導電型層７、実質的に真性の結晶質光電変換層８およ
び逆導電型層９が順次プラズマＣＶＤで堆積され、最後
に第２電極１０が形成される。
【００２２】このようなタンデム型薄膜太陽電池セルの
製造方法において、真性半導体の境界層６は大気中に露
呈されても逆導電型層５に比べてその表面が劣化しにく
い。したがって、そのような境界層６上にプラズマＣＶ
Ｄで形成された結晶質光電変換ユニット７，８，９は、
大気に露呈された逆導電型層５上に直接形成される場合
に比べて良好な結晶性を有し、基板１が第１の光電変換
ユニット３，４，５の形成後に一旦大気中に取出される
ことによる悪影響を軽減することができる。
製造方法において、真性半導体の境界層６は大気中に露
呈されても逆導電型層５に比べてその表面が劣化しにく
い。したがって、そのような境界層６上にプラズマＣＶ
Ｄで形成された結晶質光電変換ユニット７，８，９は、
大気に露呈された逆導電型層５上に直接形成される場合
に比べて良好な結晶性を有し、基板１が第１の光電変換
ユニット３，４，５の形成後に一旦大気中に取出される
ことによる悪影響を軽減することができる。
【００２３】このようにして第１ユニット３，４，５と
第２ユニット７，８，９とが別々のＣＶＤ装置で形成す
ることが可能になれば、それぞれのユニットに求められ
る最良の特性を実現するために最も適合するＣＶＤ条件
を別々に設定することができ、タンデム型薄膜太陽電池
セル全体としての性能をむしろ改善し得ると期待され
る。また、それぞれのユニットのために複数の製造ライ
ンを利用することができるので生産効率を高めることが
でき、さらに複数のプラズマＣＶＤ装置の利用によって
それらの装置のメンテナンスを順次円滑に行なうことが
できるようになる。
第２ユニット７，８，９とが別々のＣＶＤ装置で形成す
ることが可能になれば、それぞれのユニットに求められ
る最良の特性を実現するために最も適合するＣＶＤ条件
を別々に設定することができ、タンデム型薄膜太陽電池
セル全体としての性能をむしろ改善し得ると期待され
る。また、それぞれのユニットのために複数の製造ライ
ンを利用することができるので生産効率を高めることが
でき、さらに複数のプラズマＣＶＤ装置の利用によって
それらの装置のメンテナンスを順次円滑に行なうことが
できるようになる。
【００２４】図２においては、本発明の他の実施の形態
による製法によって作製されたハイブリッド薄膜太陽電
池セルが模式的な断面図で示されている。この太陽電池
セルでは、ガラスなどの透明基板１上に透明導電性酸化
物からなる透明電極２が形成される。透明電極２上に
は、非晶質光電変換ユニットに含まれるｐ型層３ｐ、実
質的に真性半導体の非晶質ｉ型光電変換層４ｉ、および
ｎ型層５ｎがプラズマＣＶＤで順次に堆積され、これに
引続いて実質的に真性半導体のｉ型境界層６ｉが５ｎｍ
以下の厚さにプラズマＣＶＤで堆積される。
による製法によって作製されたハイブリッド薄膜太陽電
池セルが模式的な断面図で示されている。この太陽電池
セルでは、ガラスなどの透明基板１上に透明導電性酸化
物からなる透明電極２が形成される。透明電極２上に
は、非晶質光電変換ユニットに含まれるｐ型層３ｐ、実
質的に真性半導体の非晶質ｉ型光電変換層４ｉ、および
ｎ型層５ｎがプラズマＣＶＤで順次に堆積され、これに
引続いて実質的に真性半導体のｉ型境界層６ｉが５ｎｍ
以下の厚さにプラズマＣＶＤで堆積される。
【００２５】その後、透明基板１がプラズマＣＶＤ装置
から大気中に引出され、それによってｉ型境界層６ｉの
表面が大気に露呈される。その後に、透明基板１が他の
プラズマＣＶＤ装置内に導入され、ｉ型境界層６ｉ上
に、まず付加的なｎ型層６ｎがプラズマＣＶＤで堆積さ
れる。そして、この付加的ｎ型層６ｎ上に、結晶質光電
変換ユニットに含まれるｐ型層７ｐ、実質的に真性半導
体の結晶質ｉ型光電変換層８ｉ、およびｎ型層９ｎがプ
ラズマＣＶＤで順次に堆積され、最後に裏面金属電極１
０が形成される。
から大気中に引出され、それによってｉ型境界層６ｉの
表面が大気に露呈される。その後に、透明基板１が他の
プラズマＣＶＤ装置内に導入され、ｉ型境界層６ｉ上
に、まず付加的なｎ型層６ｎがプラズマＣＶＤで堆積さ
れる。そして、この付加的ｎ型層６ｎ上に、結晶質光電
変換ユニットに含まれるｐ型層７ｐ、実質的に真性半導
体の結晶質ｉ型光電変換層８ｉ、およびｎ型層９ｎがプ
ラズマＣＶＤで順次に堆積され、最後に裏面金属電極１
０が形成される。
【００２６】このような図２の実施の形態は、結晶質光
電変換ユニット７ｐ，８ｉ，９ｎが形成される前にｎ型
層６ｎがプラズマＣＶＤによって堆積されることにおい
て図１の実施の形態と異なっている。一般に、ｐ型層は
ｎ型層に比べて結晶化しにくいが、この付加的なｎ型層
６ｎは容易に微結晶化され得る。したがって、この付加
的なｎ型層６ｎの微結晶が結晶核として作用し、その上
に良質の結晶質ユニット７ｐ，８ｉ，９ｎが形成され得
る。
電変換ユニット７ｐ，８ｉ，９ｎが形成される前にｎ型
層６ｎがプラズマＣＶＤによって堆積されることにおい
て図１の実施の形態と異なっている。一般に、ｐ型層は
ｎ型層に比べて結晶化しにくいが、この付加的なｎ型層
６ｎは容易に微結晶化され得る。したがって、この付加
的なｎ型層６ｎの微結晶が結晶核として作用し、その上
に良質の結晶質ユニット７ｐ，８ｉ，９ｎが形成され得
る。
【００２７】なお、上述のような実施の形態の製造方法
によって得られるタンデム型薄膜太陽電池において、各
光電変換ユニットが効率的に光を吸収することができる
ように、光電変換されるべき光は各光電変換ユニットの
ｐ型層側から入射させられる。また、タンデム型薄膜太
陽電池が非晶質ユニットと結晶質ユニットとの両方を含
むハイブリッド薄膜太陽電池である場合には、より短い
波長の光を吸収し得る非晶質光電変換ユニットが光入射
側に近い前方ユニットとして配置され、より長い波長の
光を吸収し得る結晶質光電変換ユニットは光入射側から
遠い後方ユニットとして配置される。
によって得られるタンデム型薄膜太陽電池において、各
光電変換ユニットが効率的に光を吸収することができる
ように、光電変換されるべき光は各光電変換ユニットの
ｐ型層側から入射させられる。また、タンデム型薄膜太
陽電池が非晶質ユニットと結晶質ユニットとの両方を含
むハイブリッド薄膜太陽電池である場合には、より短い
波長の光を吸収し得る非晶質光電変換ユニットが光入射
側に近い前方ユニットとして配置され、より長い波長の
光を吸収し得る結晶質光電変換ユニットは光入射側から
遠い後方ユニットとして配置される。
【００２８】ところで、以上の実施の形態では２つの光
電変換ユニットが積層された２段タンデム型薄膜太陽電
池のみについて説明されたが、本発明は３段以上の光電
変換ユニットを含むタンデム型薄膜太陽電池にも適用し
得ることは言うまでもない。
電変換ユニットが積層された２段タンデム型薄膜太陽電
池のみについて説明されたが、本発明は３段以上の光電
変換ユニットを含むタンデム型薄膜太陽電池にも適用し
得ることは言うまでもない。
【００２９】以下においては、図２の実施の形態に対応
する積層構造を含む集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の
製造方法の実施例が、図３を参照しつつ比較例とともに
説明される。
する積層構造を含む集積型ハイブリッド薄膜太陽電池の
製造方法の実施例が、図３を参照しつつ比較例とともに
説明される。
【００３０】（実施例）図３は、実施例において作製さ
れた集積型ハイブリッド薄膜太陽電池を模式的な断面図
で図解している。この太陽電池の製造において、まず、
ガラス基板１上に、微細な表面凹凸構造（表面テクスチ
ャ）を有する酸化スズ膜からなる透明電極層２が形成さ
れた。この透明電極層２は、ＹＡＧレーザを用いたレー
ザスクライブによって形成された溝２ａによって複数の
短冊状の透明電極領域に分離された。すなわち、透明電
極分離溝２ａは、図３の紙面に対して垂直方向に延びて
いる。
れた集積型ハイブリッド薄膜太陽電池を模式的な断面図
で図解している。この太陽電池の製造において、まず、
ガラス基板１上に、微細な表面凹凸構造（表面テクスチ
ャ）を有する酸化スズ膜からなる透明電極層２が形成さ
れた。この透明電極層２は、ＹＡＧレーザを用いたレー
ザスクライブによって形成された溝２ａによって複数の
短冊状の透明電極領域に分離された。すなわち、透明電
極分離溝２ａは、図３の紙面に対して垂直方向に延びて
いる。
【００３１】その後、透明電極層２上には、１８５℃の
基板温度のもとで、ｐｉｎ型の非晶質光電変換ユニット
層４０がＳｉＨ4とＨ2を含む原料ガスを利用してプラズ
マＣＶＤによって形成された。この非晶質光電変換ユニ
ット層４０に含まれるｐ型シリコン層は、１０ｎｍの厚
さに堆積された。ノンドープのｉ型非晶質シリコン光電
変換層は、０．２４μｍの厚さに堆積された。そして、
ｎ型シリコン層は、ＳｉＨ4／ＰＨ3（Ｈ2ベースで０．
５％ドープ）／Ｈ2のそれぞれのガスの流量比が１／
０．６／１００のもとで８ｎｍの厚さに堆積され、さら
にＰＨ3の流量比を０にした状態で厚さ４ｎｍのｉ型境
界層が堆積された。
基板温度のもとで、ｐｉｎ型の非晶質光電変換ユニット
層４０がＳｉＨ4とＨ2を含む原料ガスを利用してプラズ
マＣＶＤによって形成された。この非晶質光電変換ユニ
ット層４０に含まれるｐ型シリコン層は、１０ｎｍの厚
さに堆積された。ノンドープのｉ型非晶質シリコン光電
変換層は、０．２４μｍの厚さに堆積された。そして、
ｎ型シリコン層は、ＳｉＨ4／ＰＨ3（Ｈ2ベースで０．
５％ドープ）／Ｈ2のそれぞれのガスの流量比が１／
０．６／１００のもとで８ｎｍの厚さに堆積され、さら
にＰＨ3の流量比を０にした状態で厚さ４ｎｍのｉ型境
界層が堆積された。
【００３２】その後基板がＣＶＤ装置のアンロードチャ
ンバ内に搬送され、そのチャンバが速やかにＮ2ガスで
満たされた後に、基板１が大気中に取出されて、ｉ型境
界層６ｉの表面が大気に露呈された。
ンバ内に搬送され、そのチャンバが速やかにＮ2ガスで
満たされた後に、基板１が大気中に取出されて、ｉ型境
界層６ｉの表面が大気に露呈された。
【００３３】さらにその後、基板１が他のＣＶＤ装置の
ロードチャンバ内にセットされ、１８５℃に昇温された
後に、厚さ３０ｎｍの微結晶ｎ型シリコン層６ｎの堆積
に続いてｐｉｎ型の結晶質光電変換ユニット層８０が堆
積された。この結晶質光電変換ユニット層８０に含まれ
るｐ型微結晶シリコン層は１５ｎｍの厚さに堆積され、
ノンドープのｉ型結晶質シリコン光電変換層が１．７μ
ｍの厚さに堆積され、そしてｎ型微結晶シリコン層が２
０ｎｍの厚さに堆積された。さらに、裏面電極層１０の
一部として働く厚さ６０ｎｍの酸化亜鉛膜が、結晶質光
電変換ユニット層８０上を覆うようにスパッタリングに
よって形成された。
ロードチャンバ内にセットされ、１８５℃に昇温された
後に、厚さ３０ｎｍの微結晶ｎ型シリコン層６ｎの堆積
に続いてｐｉｎ型の結晶質光電変換ユニット層８０が堆
積された。この結晶質光電変換ユニット層８０に含まれ
るｐ型微結晶シリコン層は１５ｎｍの厚さに堆積され、
ノンドープのｉ型結晶質シリコン光電変換層が１．７μ
ｍの厚さに堆積され、そしてｎ型微結晶シリコン層が２
０ｎｍの厚さに堆積された。さらに、裏面電極層１０の
一部として働く厚さ６０ｎｍの酸化亜鉛膜が、結晶質光
電変換ユニット層８０上を覆うようにスパッタリングに
よって形成された。
【００３４】その後、基板が大気中に取出され、ＹＡＧ
レーザを用いたレーザスクライブによって半導体層分割
溝８０ａが形成された。そして、さらに裏面電極１０に
含まれる厚さ３０ｎｍの酸化亜鉛膜、２００ｎｍの銀
膜、および厚さ５ｎｍのチタン膜がそれぞれスパッタリ
ングによって形成された。最後に、裏面電極層１０を複
数の短冊状裏面電極に分離するために、ＹＡＧレーザを
用いたレーザスクライブによって裏面電極分離溝１０ａ
が形成された。こうして、図３に示されているように左
右に隣接する短冊状ハイブリッドセルが互いに電気的に
直列接続された集積型ハイブリッド薄膜太陽電池が製造
された。
レーザを用いたレーザスクライブによって半導体層分割
溝８０ａが形成された。そして、さらに裏面電極１０に
含まれる厚さ３０ｎｍの酸化亜鉛膜、２００ｎｍの銀
膜、および厚さ５ｎｍのチタン膜がそれぞれスパッタリ
ングによって形成された。最後に、裏面電極層１０を複
数の短冊状裏面電極に分離するために、ＹＡＧレーザを
用いたレーザスクライブによって裏面電極分離溝１０ａ
が形成された。こうして、図３に示されているように左
右に隣接する短冊状ハイブリッドセルが互いに電気的に
直列接続された集積型ハイブリッド薄膜太陽電池が製造
された。
【００３５】この実施例１において製造された集積型ハ
イブリッド薄膜太陽電池において、ソーラシミュレータ
を用いてＡＭ１．５の光を１ｋＷ／ｍ2のエネルギ密度
で２５℃のもとで照射することによって光電変換特性が
測定された。
イブリッド薄膜太陽電池において、ソーラシミュレータ
を用いてＡＭ１．５の光を１ｋＷ／ｍ2のエネルギ密度
で２５℃のもとで照射することによって光電変換特性が
測定された。
【００３６】（比較例１）比較例１による集積型ハイブ
リッド薄膜太陽電池の製造においては、非晶質光電変換
ユニット層４０に含まれるｎ型層が３０ｎｍの厚さに堆
積され、ｉ型境界層６ｉと付加的な微結晶ｎ型層６ｎが
形成されることなくそのまま引続いて結晶質光電変換ユ
ニット層８０が堆積されたことのみにおいて実施例と異
なっていた。この比較例１の製造方法によって得られた
集積型ハイブリッド薄膜太陽電池についても実施例の場
合と同様の条件で光照射して、その光電変換効率が測定
された。
リッド薄膜太陽電池の製造においては、非晶質光電変換
ユニット層４０に含まれるｎ型層が３０ｎｍの厚さに堆
積され、ｉ型境界層６ｉと付加的な微結晶ｎ型層６ｎが
形成されることなくそのまま引続いて結晶質光電変換ユ
ニット層８０が堆積されたことのみにおいて実施例と異
なっていた。この比較例１の製造方法によって得られた
集積型ハイブリッド薄膜太陽電池についても実施例の場
合と同様の条件で光照射して、その光電変換効率が測定
された。
【００３７】（比較例２）比較例２の製造方法において
は、ｉ型境界層６ｉが形成されたなかったことのみにお
いて実施例と異なっている。この比較例２の製造方法で
得られた集積型ハイブリッド薄膜太陽電池についても、
実施例の場合と同様の光照射条件のもとで光電変換特性
が測定された。
は、ｉ型境界層６ｉが形成されたなかったことのみにお
いて実施例と異なっている。この比較例２の製造方法で
得られた集積型ハイブリッド薄膜太陽電池についても、
実施例の場合と同様の光照射条件のもとで光電変換特性
が測定された。
【００３８】上述の実施例、比較例１、および比較例２
のそれぞれにおいて３つのサンプルについて光電変換特
性が測定された。表１は比較例１による集積型ハイブリ
ッド薄膜太陽電池における光電変換性を基準として、実
施例と比較例２による集積型ハイブリッド薄膜太陽電池
の光電変換効率が規格化されて示されている。
のそれぞれにおいて３つのサンプルについて光電変換特
性が測定された。表１は比較例１による集積型ハイブリ
ッド薄膜太陽電池における光電変換性を基準として、実
施例と比較例２による集積型ハイブリッド薄膜太陽電池
の光電変換効率が規格化されて示されている。
【００３９】
【表１】
【００４０】表１からわかるように、集積型ハイブリッ
ド薄膜太陽電池においてｉ型境界層６ｉを形成した後に
基板が大気中に露呈されても、最終的に得られる太陽電
池の光電変換効率は、ｉ型境界層６ｉが形成されること
なく非晶質光電変換ユニット層４０と結晶質光電変換ユ
ニット層８０が連続的に形成された比較例１に比べて最
大でも３％程度以内の低下に留まることがわかる。
ド薄膜太陽電池においてｉ型境界層６ｉを形成した後に
基板が大気中に露呈されても、最終的に得られる太陽電
池の光電変換効率は、ｉ型境界層６ｉが形成されること
なく非晶質光電変換ユニット層４０と結晶質光電変換ユ
ニット層８０が連続的に形成された比較例１に比べて最
大でも３％程度以内の低下に留まることがわかる。
【００４１】なお、比較例１において非晶質光電変換ユ
ニット層４０と結晶質光電変換ユニット層８０を連続的
にプラズマＣＶＤで形成する際には基板ホルダの熱容量
の関係から温度を変更することが困難なことから１８５
℃の一定温度のもとでそれらの光電変換ユニット層が形
成された。そして、この比較例１との比較を明瞭化する
ために、実施例においても非晶質光電変換ユニット層４
０と結晶質光電変換ユニット層８０の堆積時における基
板温度も１８５℃の一定温度に維持された。しかし、非
晶質光電変換ユニット層４０のより好ましい堆積温度は
２００℃であり、結晶質光電変換ユニット層８０のより
好ましい堆積温度は１５０℃である。したがって、もし
実施例においてこれらの最適温度が採用されていたなら
ば、実施例の薄膜太陽電池は比較例に比べて光電変換効
率がむしろ改善されるのではないかという可能性もあ
る。
ニット層４０と結晶質光電変換ユニット層８０を連続的
にプラズマＣＶＤで形成する際には基板ホルダの熱容量
の関係から温度を変更することが困難なことから１８５
℃の一定温度のもとでそれらの光電変換ユニット層が形
成された。そして、この比較例１との比較を明瞭化する
ために、実施例においても非晶質光電変換ユニット層４
０と結晶質光電変換ユニット層８０の堆積時における基
板温度も１８５℃の一定温度に維持された。しかし、非
晶質光電変換ユニット層４０のより好ましい堆積温度は
２００℃であり、結晶質光電変換ユニット層８０のより
好ましい堆積温度は１５０℃である。したがって、もし
実施例においてこれらの最適温度が採用されていたなら
ば、実施例の薄膜太陽電池は比較例に比べて光電変換効
率がむしろ改善されるのではないかという可能性もあ
る。
【００４２】他方、比較例２においては、ｉ型境界層６
ｉが形成されることなく非晶質光電変換ユニット層４０
に含まれるｎ型層が大気に露呈されたので、実施例に比
べて明らかに光電変換効率が低下していることがわか
る。
ｉが形成されることなく非晶質光電変換ユニット層４０
に含まれるｎ型層が大気に露呈されたので、実施例に比
べて明らかに光電変換効率が低下していることがわか
る。
【００４３】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、タンデ
ム型薄膜太陽電池の性能を低下させることなくその製造
工程の融通性を高めかつ生産効率を改善し得る製造方法
を提供することができる。
ム型薄膜太陽電池の性能を低下させることなくその製造
工程の融通性を高めかつ生産効率を改善し得る製造方法
を提供することができる。
【図１】 本発明の実施の形態の一例による製造方法に
よって作製されるタンデム型薄膜太陽電池を示す模式的
な断面図である。
よって作製されるタンデム型薄膜太陽電池を示す模式的
な断面図である。
【図２】 本発明の他の実施の形態による製造方法によ
り作製されるハイブリッド薄膜太陽電池を示す模式的な
断面図である。
り作製されるハイブリッド薄膜太陽電池を示す模式的な
断面図である。
【図３】 図２の実施の形態による半導体積層構造を有
する集積型ハイブリッド薄膜太陽電池を示す模式的な断
面図である。
する集積型ハイブリッド薄膜太陽電池を示す模式的な断
面図である。
１ 絶縁基板、２ 第１電極、３ １導電型層、４ 真
性半導体の光電変換層、５ 逆導電型層、６ 真性半導
体の境界層、７ １導電型層、８ 真性半導体の結晶質
光電変換層、９ 逆導電型層、１０ 第２電極、３ｐ
ｐ型層、４ｉｉ型光電変換層、５ｎ ｎ型層、６ｉ ｉ
型境界層、６ｎ 付加的なｎ型層、７ｐ ｐ型層、８ｉ
ｉ型光電変換層、９ｎ ｎ型層、２ａ 透明電極分離
溝、１０ａ 裏面電極分離溝、４０ ｐｉｎ型非晶質光
電変換ユニット層、８０ ｐｉｎ型結晶質光電変換ユニ
ット層、８０ａ 半導体層分割溝。
性半導体の光電変換層、５ 逆導電型層、６ 真性半導
体の境界層、７ １導電型層、８ 真性半導体の結晶質
光電変換層、９ 逆導電型層、１０ 第２電極、３ｐ
ｐ型層、４ｉｉ型光電変換層、５ｎ ｎ型層、６ｉ ｉ
型境界層、６ｎ 付加的なｎ型層、７ｐ ｐ型層、８ｉ
ｉ型光電変換層、９ｎ ｎ型層、２ａ 透明電極分離
溝、１０ａ 裏面電極分離溝、４０ ｐｉｎ型非晶質光
電変換ユニット層、８０ ｐｉｎ型結晶質光電変換ユニ
ット層、８０ａ 半導体層分割溝。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F045 AA08 AB03 AB04 AC01 AD05 AF07 BB08 CA13 DA52 EB08 HA22 5F051 AA04 AA05 CA02 CA03 CA04 CA15 CB12 CB28 DA04 DA18 EA02 EA16 FA03 FA19 GA03
Claims (4)
- 【請求項１】 光入射側から順にｐ型層、ｉ型光電変換
層、およびｎ型層を含む光電変換ユニットの複数が基板
上で積層されていて、少なくとも光入射側から最も遠い
後方ユニットは結晶質ｉ型光電変換層を含む結晶質ユニ
ットであるタンデム型薄膜太陽電池の製造方法であっ
て、 前記基板上で少なくとも１つの前記ユニットがプラズマ
ＣＶＤによって形成された後に引続いて５ｎｍ以下の厚
さのｉ型境界層をプラズマＣＶＤで形成し、その後に前
記基板が大気中に取出されることによって前記ｉ型境界
層の表面が大気に露呈され、その後にそのｉ型境界層上
に結晶質ユニットがプラズマＣＶＤで形成されるステッ
プを含むことを特徴とする製造方法。 - 【請求項２】 各前記光電変換ユニットは基板側から順
にｐ型層、ｉ型光電変換層、およびｎ型層を含み、前記
ｉ型境界層上に前記結晶質ユニットを形成する直前に付
加的なｎ型層がプラズマＣＶＤで形成されることを特徴
とする請求項１に記載の製造方法。 - 【請求項３】 光入射側に最も近い前方ユニットとし
て、非晶質ｉ型光電変換層を含む非晶質ユニットが前記
基板上で最初のユニットとして形成されることを特徴と
する請求項２に記載の製造方法。 - 【請求項４】 前記プラズマＣＶＤにはＨ2で希釈され
たＳｉＨ4を含むガスが反応ガスとして利用されること
を特徴とする請求項１から３のいずれかの項に記載の製
造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000304417A JP4618694B2 (ja) | 2000-10-04 | 2000-10-04 | タンデム型薄膜太陽電池の製造方法 |
| US09/970,332 US6566159B2 (en) | 2000-10-04 | 2001-10-02 | Method of manufacturing tandem thin-film solar cell |
| EP01123269.1A EP1198013B1 (en) | 2000-10-04 | 2001-10-04 | Method of producing tandem thin-film solar cell |
| EP07150352.8A EP1906456B1 (en) | 2000-10-04 | 2001-10-04 | Method of manufacturing tandem thin-film solar cell |
| EP07150358A EP1906457A1 (en) | 2000-10-04 | 2001-10-04 | Method of Manufacturing Tandem Thin-Film Solar Cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000304417A JP4618694B2 (ja) | 2000-10-04 | 2000-10-04 | タンデム型薄膜太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002111028A true JP2002111028A (ja) | 2002-04-12 |
| JP4618694B2 JP4618694B2 (ja) | 2011-01-26 |
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|---|---|---|---|
| JP2000304417A Expired - Fee Related JP4618694B2 (ja) | 2000-10-04 | 2000-10-04 | タンデム型薄膜太陽電池の製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP4618694B2 (ja) |
Cited By (5)
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|---|---|---|---|---|
| JP2002237609A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | タンデム型薄膜太陽電池の製造方法 |
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| WO2010087198A1 (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-05 | 株式会社アルバック | 光電変換装置の製造方法，光電変換装置，光電変換装置の製造システム，及び光電変換装置製造システムの使用方法 |
| JP2011503848A (ja) * | 2007-11-02 | 2011-01-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 堆積プロセス間のプラズマ処置 |
| CN105489669A (zh) * | 2015-11-26 | 2016-04-13 | 新奥光伏能源有限公司 | 一种硅异质结太阳能电池及其界面处理方法 |
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| JPH0715025A (ja) * | 1993-06-21 | 1995-01-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
| JP2000252496A (ja) * | 1999-02-26 | 2000-09-14 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | タンデム型の薄膜光電変換装置の製造方法 |
-
2000
- 2000-10-04 JP JP2000304417A patent/JP4618694B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Cited By (12)
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| JP4674780B2 (ja) * | 2001-02-08 | 2011-04-20 | 株式会社カネカ | タンデム型薄膜太陽電池の製造方法 |
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| JPWO2004114417A1 (ja) * | 2003-06-19 | 2006-08-03 | 株式会社カネカ | 薄膜光電変換装置 |
| US7678992B2 (en) | 2003-06-19 | 2010-03-16 | Kaneka Corporation | Thin-film photoelectric converter |
| JP4558646B2 (ja) * | 2003-06-19 | 2010-10-06 | 株式会社カネカ | 集積化薄膜光電変換装置 |
| KR101067354B1 (ko) | 2003-06-19 | 2011-09-23 | 가부시키가이샤 가네카 | 집적화 박막 광전 변환 장치 |
| JP2011503848A (ja) * | 2007-11-02 | 2011-01-27 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 堆積プロセス間のプラズマ処置 |
| WO2010087198A1 (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-05 | 株式会社アルバック | 光電変換装置の製造方法，光電変換装置，光電変換装置の製造システム，及び光電変換装置製造システムの使用方法 |
| JPWO2010087198A1 (ja) * | 2009-01-30 | 2012-08-02 | 株式会社アルバック | 光電変換装置の製造方法，光電変換装置，光電変換装置の製造システム，及び光電変換装置製造システムの使用方法 |
| TWI413267B (zh) * | 2009-01-30 | 2013-10-21 | Ulvac Inc | 光電轉換裝置之製造方法、光電轉換裝置、光電轉換裝置之製造系統、及光電轉換裝置製造系統之使用方法 |
| CN105489669A (zh) * | 2015-11-26 | 2016-04-13 | 新奥光伏能源有限公司 | 一种硅异质结太阳能电池及其界面处理方法 |
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