JPH0715025A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPH0715025A JPH0715025A JP5149047A JP14904793A JPH0715025A JP H0715025 A JPH0715025 A JP H0715025A JP 5149047 A JP5149047 A JP 5149047A JP 14904793 A JP14904793 A JP 14904793A JP H0715025 A JPH0715025 A JP H0715025A
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- oxide film
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】
【目的】 第１の光電変換素子のｉ層を構成しているａ
−ＳｉＧｅ中のＧｅ及びＨが第２の光電変換素子の形成
中にｎ層中に混入したり拡散するのを防止することがで
きる光起電力装置の製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 第１のｎｉｐ型光電変換素子３を形成した
後、基板を反応室から外に出し、大気にさらすことによ
り上記第１のｎｉｐ型光電変換素子３のｐ1 層３ｃ上に
自然酸化膜１０を形成し、第２の光電変換素子のｎ層を
形成する際に上記ｎ層にＧｅやＨが混入，拡散するのを
上記自然酸化膜１０によって阻止する。
−ＳｉＧｅ中のＧｅ及びＨが第２の光電変換素子の形成
中にｎ層中に混入したり拡散するのを防止することがで
きる光起電力装置の製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 第１のｎｉｐ型光電変換素子３を形成した
後、基板を反応室から外に出し、大気にさらすことによ
り上記第１のｎｉｐ型光電変換素子３のｐ1 層３ｃ上に
自然酸化膜１０を形成し、第２の光電変換素子のｎ層を
形成する際に上記ｎ層にＧｅやＨが混入，拡散するのを
上記自然酸化膜１０によって阻止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、非晶質半導体を用いた
光起電力装置の製造方法に関する。
光起電力装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】クリーンなエネルギーとして、太陽光発
電が注目を集めている。その中でも特に非晶質太陽電池
は低コスト化に有望であることから、研究開発が積極的
に進められている。
電が注目を集めている。その中でも特に非晶質太陽電池
は低コスト化に有望であることから、研究開発が積極的
に進められている。
【０００３】一般的な非晶質太陽電池は、ｐ型非晶質半
導体膜（以下、ｐ層と略記する）、ｉ型非晶質半導体膜
（以下、ｉ層と略記する）、及びｎ型非晶質半導体膜
（以下、ｎ層と略記する）を備える。そして、上記のｉ
層として、非晶質シリコンゲルマニウム（以下、ａ−Ｓ
ｉＧｅと略記する）を用いた非晶質太陽電池は、非晶質
シリコン（以下、ａ−Ｓｉと略記する）では吸収できな
い長波長光に対して感度を持つことから、効率の飛躍的
向上が期待されている。
導体膜（以下、ｐ層と略記する）、ｉ型非晶質半導体膜
（以下、ｉ層と略記する）、及びｎ型非晶質半導体膜
（以下、ｎ層と略記する）を備える。そして、上記のｉ
層として、非晶質シリコンゲルマニウム（以下、ａ−Ｓ
ｉＧｅと略記する）を用いた非晶質太陽電池は、非晶質
シリコン（以下、ａ−Ｓｉと略記する）では吸収できな
い長波長光に対して感度を持つことから、効率の飛躍的
向上が期待されている。
【０００４】その代表的な構造としては、第３回高効率
太陽電池ワークショップ（１９９２、１０、５〜６ シ
ャープ）予稿集ｐ１００に開示されているように、高反
射裏面電極を有する基板の上に、太陽光のスペクトル成
分のうち、長波長光成分を活用するために、ａ−ＳｉＧ
ｅをｉ層に持つｎｉｐ構造部（光電変換素子）を形成
し、光入射側に主に短波長・中波長光成分の光を活用す
るためにａ−Ｓｉやａ−ＳｉＣをｉ層に持つｎｉｐ構造
部を積層形成したものが知られている。即ち、互いにバ
ンドギャップが異なるａ−ＳｉＣ，ａ−Ｓｉ及びａ−Ｓ
ｉＧｅ等をｉ層に用いた光電変換素子を多段に設け、可
能なかぎり太陽光の多くのスペクトル成分を活用しよう
とするものである。
太陽電池ワークショップ（１９９２、１０、５〜６ シ
ャープ）予稿集ｐ１００に開示されているように、高反
射裏面電極を有する基板の上に、太陽光のスペクトル成
分のうち、長波長光成分を活用するために、ａ−ＳｉＧ
ｅをｉ層に持つｎｉｐ構造部（光電変換素子）を形成
し、光入射側に主に短波長・中波長光成分の光を活用す
るためにａ−Ｓｉやａ−ＳｉＣをｉ層に持つｎｉｐ構造
部を積層形成したものが知られている。即ち、互いにバ
ンドギャップが異なるａ−ＳｉＣ，ａ−Ｓｉ及びａ−Ｓ
ｉＧｅ等をｉ層に用いた光電変換素子を多段に設け、可
能なかぎり太陽光の多くのスペクトル成分を活用しよう
とするものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
造の非晶質太陽電池は、光電変換効率としては１１％程
度しか得られず、太陽光の多くのスペクトル成分を活用
することにより期待される光電変換効率は得ていない。
造の非晶質太陽電池は、光電変換効率としては１１％程
度しか得られず、太陽光の多くのスペクトル成分を活用
することにより期待される光電変換効率は得ていない。
【０００６】これは、非晶質太陽電池の製造方法に原因
があるものと考えられる。即ち、上記積層構造の光起電
力装置を製造する場合、まず、裏面電極上にｎ層、ｉ層
（ａ−ＳｉＧｅ）、ｐ層をＣＶＤ法により順次成膜して
第１光電変換素子を形成し、更に同様に上記ｐ層上にｎ
層、ｉ層（ａ−Ｓｉ又はａ−ＳｉＣ）、ｐ層をＣＶＤ法
により成膜して第２光電変換素子を形成するが、このと
きに、第１光電変換素子のｉ層のＧｅが第２光電変換素
子のｎ層に混入する。Ｇｅが混入したｎ層は、ｎ型ａ−
ＳｉＧｅとなり、このｎ型ａ−ＳｉＧｅの特性は悪いた
めに当該光起電力装置の特性が悪くなると考えられる
（ＩＥＥＥ ＰＶＳＣ Ｐｒｏｃ．（１９８８，９，２
６〜３０参照）。もちろん第１光電変換素子のｐ層へも
Ｇｅが混入するがａ−ＳｉＣの場合、ａ−Ｓｉほど影響
は受けない。
があるものと考えられる。即ち、上記積層構造の光起電
力装置を製造する場合、まず、裏面電極上にｎ層、ｉ層
（ａ−ＳｉＧｅ）、ｐ層をＣＶＤ法により順次成膜して
第１光電変換素子を形成し、更に同様に上記ｐ層上にｎ
層、ｉ層（ａ−Ｓｉ又はａ−ＳｉＣ）、ｐ層をＣＶＤ法
により成膜して第２光電変換素子を形成するが、このと
きに、第１光電変換素子のｉ層のＧｅが第２光電変換素
子のｎ層に混入する。Ｇｅが混入したｎ層は、ｎ型ａ−
ＳｉＧｅとなり、このｎ型ａ−ＳｉＧｅの特性は悪いた
めに当該光起電力装置の特性が悪くなると考えられる
（ＩＥＥＥ ＰＶＳＣ Ｐｒｏｃ．（１９８８，９，２
６〜３０参照）。もちろん第１光電変換素子のｐ層へも
Ｇｅが混入するがａ−ＳｉＣの場合、ａ−Ｓｉほど影響
は受けない。
【０００７】また、第１光電変換素子のｉ層を構成する
ａ−ＳｉＧｅ中のＨ（水素）は、Ｇｅ−Ｈの結合で存在
するのであるが、これはＳｉ−Ｈの結合に比べて結合力
が小さく、抜け出しやすいという性質がある。第１光電
変換素子単体では第１光電変換素子のｐ層中のＨ量は豊
富なのでａ−ＳｉＧｅ中のＨの抜け出しは防止される
が、その上に第２光電変換素子を積むことにより、第１
光電変換素子のｐ層中のＨと共に第２光電変換素子に上
記ａ−ＳｉＧｅ中のＨが抜け出してこれに入り込み、こ
のことが第１光電変換素子の特性を劣化することに加え
て第２光電変換素子の特性をも劣化させるためと考えら
れる。
ａ−ＳｉＧｅ中のＨ（水素）は、Ｇｅ−Ｈの結合で存在
するのであるが、これはＳｉ−Ｈの結合に比べて結合力
が小さく、抜け出しやすいという性質がある。第１光電
変換素子単体では第１光電変換素子のｐ層中のＨ量は豊
富なのでａ−ＳｉＧｅ中のＨの抜け出しは防止される
が、その上に第２光電変換素子を積むことにより、第１
光電変換素子のｐ層中のＨと共に第２光電変換素子に上
記ａ−ＳｉＧｅ中のＨが抜け出してこれに入り込み、こ
のことが第１光電変換素子の特性を劣化することに加え
て第２光電変換素子の特性をも劣化させるためと考えら
れる。
【０００８】本発明は、上記の事情に鑑み、第１の光電
変換素子のｉ層を構成しているａ−ＳｉＧｅ中のＧｅ及
びＨが第２の光電変換素子の形成中にこれに混入したり
拡散するのを防止することができる光起電力装置の製造
方法を提供することを目的とする。
変換素子のｉ層を構成しているａ−ＳｉＧｅ中のＧｅ及
びＨが第２の光電変換素子の形成中にこれに混入したり
拡散するのを防止することができる光起電力装置の製造
方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光起電力装置の
製造方法は、上記の課題を解決するために、非晶質シリ
コンゲルマニウムをｉ層に用いた第１のｎｉｐ型光電変
換素子を形成した後、この第１のｎｉｐ型光電変換素子
のｐ層上に第２のｎｉｐ型光電変換素子を形成する工程
を有する光起電力装置の製造方法において、前記第１の
ｎｉｐ型光電変換素子を形成した後に基板を反応室から
外に出し、大気にさらすことにより上記ｐ層上に自然酸
化膜を形成する工程を含めたことを特徴とする。
製造方法は、上記の課題を解決するために、非晶質シリ
コンゲルマニウムをｉ層に用いた第１のｎｉｐ型光電変
換素子を形成した後、この第１のｎｉｐ型光電変換素子
のｐ層上に第２のｎｉｐ型光電変換素子を形成する工程
を有する光起電力装置の製造方法において、前記第１の
ｎｉｐ型光電変換素子を形成した後に基板を反応室から
外に出し、大気にさらすことにより上記ｐ層上に自然酸
化膜を形成する工程を含めたことを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記の構成によれば、第１の光電変換素子の形
成後に基板を反応室外に出して大気にさらすため、第１
の光電変換素子のｐ層上に自然酸化膜が形成される。従
って、第２の光電変換素子のｎ層を形成する際には、上
記自然酸化膜がバリアーとして機能し、上記ｎ層へのＧ
ｅやＨの混入，拡散が阻止される。これにより、第２の
ｎｉｐ型光電変換素子の特性劣化が防止されることにな
り、光起電力装置の特性向上が図れる。
成後に基板を反応室外に出して大気にさらすため、第１
の光電変換素子のｐ層上に自然酸化膜が形成される。従
って、第２の光電変換素子のｎ層を形成する際には、上
記自然酸化膜がバリアーとして機能し、上記ｎ層へのＧ
ｅやＨの混入，拡散が阻止される。これにより、第２の
ｎｉｐ型光電変換素子の特性劣化が防止されることにな
り、光起電力装置の特性向上が図れる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図に基づい
て説明する。
て説明する。
【００１２】図１は、ａ−Ｓｉ太陽電池の製造方法を工
程順に示す断面図である。
程順に示す断面図である。
【００１３】まず、同図（ａ）に示すように、ガラス或
いはステンレス等からなる支持基板１上に銀（Ａｇ）等
からなる高反射裏面電極２をスパッタ法により２０００
Åの膜厚に形成する。
いはステンレス等からなる支持基板１上に銀（Ａｇ）等
からなる高反射裏面電極２をスパッタ法により２０００
Åの膜厚に形成する。
【００１４】次に、同図（ｂ）に示すように、ｎ1 層３
ａ（３００Å）、ｉ1 層３ｂ（３０００Å）、ｐ1 層３
ｃ（１００Å）を順に成膜し、第１光電変換素子３を形
成する。上記各層の成膜は、プラズマＣＶＤ法により行
い、その成膜条件は、基板温度２００℃、圧力０．１Ｔ
ｏｒｒ、ＲＦパワー３０Ｗとした。
ａ（３００Å）、ｉ1 層３ｂ（３０００Å）、ｐ1 層３
ｃ（１００Å）を順に成膜し、第１光電変換素子３を形
成する。上記各層の成膜は、プラズマＣＶＤ法により行
い、その成膜条件は、基板温度２００℃、圧力０．１Ｔ
ｏｒｒ、ＲＦパワー３０Ｗとした。
【００１５】また、ｎ層３ａの成膜においては、反応ガ
スとしてシランガス（ＳｉＨ4 ：１０ＳＣＣＭ）とホス
フィン（ＰＨ3 ：１％）を用い、ｉ1 層３ｂの成膜にお
いてはシランガス（ＳｉＨ4 ：１０ＳＣＣＭ）とゲルマ
ンガス（ＧｅＨ4 ：５ＳＣＣＭ）を用い、ｐ1 層３ｃの
成膜においてはシランガス（ＳｉＨ4 ：１０ＳＣＣＭ）
とメタンガス（ＣＨ4 ：５ＳＣＣＭ）とジボランガス
（Ｂ2 Ｈ6 ：１％）を用いた。
スとしてシランガス（ＳｉＨ4 ：１０ＳＣＣＭ）とホス
フィン（ＰＨ3 ：１％）を用い、ｉ1 層３ｂの成膜にお
いてはシランガス（ＳｉＨ4 ：１０ＳＣＣＭ）とゲルマ
ンガス（ＧｅＨ4 ：５ＳＣＣＭ）を用い、ｐ1 層３ｃの
成膜においてはシランガス（ＳｉＨ4 ：１０ＳＣＣＭ）
とメタンガス（ＣＨ4 ：５ＳＣＣＭ）とジボランガス
（Ｂ2 Ｈ6 ：１％）を用いた。
【００１６】そして、以上のようにして第１光電変換素
子３を形成した後、反応室内の真空状態を解除し、基板
を反応室の外に出して大気にさらす。
子３を形成した後、反応室内の真空状態を解除し、基板
を反応室の外に出して大気にさらす。
【００１７】このとき、第１光電変換素子３のｐ1 層３
ｃ上には、ｐ1 層３ｃを形成しているＳｉと大気中のＯ
2 や水分が反応することにより自然酸化膜（ＳｉＯ
2 膜）１０が形成される。自然酸化膜１０の膜厚と大気
との関係については後述する。
ｃ上には、ｐ1 層３ｃを形成しているＳｉと大気中のＯ
2 や水分が反応することにより自然酸化膜（ＳｉＯ
2 膜）１０が形成される。自然酸化膜１０の膜厚と大気
との関係については後述する。
【００１８】次に上記の自然酸化膜１０が形成された基
板を再び反応室（新たな反応室又は元の反応室）内に戻
す。
板を再び反応室（新たな反応室又は元の反応室）内に戻
す。
【００１９】そして、同図（ｃ）に示すように、ｎ2 層
４ａ（１００Å）、ｉ2 層４ｂ（１０００Å）、ｐ2 層
４ｃ（２００Å）を順に成膜し、第２光電変換素子４を
形成する。
４ａ（１００Å）、ｉ2 層４ｂ（１０００Å）、ｐ2 層
４ｃ（２００Å）を順に成膜し、第２光電変換素子４を
形成する。
【００２０】上記各層の成膜は、プラズマＣＶＤ法によ
り行い、その成膜条件は、第１光電変換素子３を形成す
るときの条件と同じく、基板温度２００℃、圧力０．１
Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー３０Ｗとした。
り行い、その成膜条件は、第１光電変換素子３を形成す
るときの条件と同じく、基板温度２００℃、圧力０．１
Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー３０Ｗとした。
【００２１】また、ｎ2 層４ａの成膜においては、シラ
ンガス（ＳｉＨ4 ：１０ＳＣＣＭ）とホスフィン（ＰＨ
3 ：１％）を用い、ｉ1 層４ｂの成膜においては、シラ
ンガス（ＳｉＨ4 ：１０ＳＣＣＭ）を用い、ｐ2 層４ｃ
の成膜においては、シランガス（ＳｉＨ4 ：１０ＳＣＣ
Ｍ）とメタンガス（ＣＨ4 ：５ＳＣＣＭ）とジボランガ
ス（Ｂ2 Ｈ6 ：１％）を用いた。
ンガス（ＳｉＨ4 ：１０ＳＣＣＭ）とホスフィン（ＰＨ
3 ：１％）を用い、ｉ1 層４ｂの成膜においては、シラ
ンガス（ＳｉＨ4 ：１０ＳＣＣＭ）を用い、ｐ2 層４ｃ
の成膜においては、シランガス（ＳｉＨ4 ：１０ＳＣＣ
Ｍ）とメタンガス（ＣＨ4 ：５ＳＣＣＭ）とジボランガ
ス（Ｂ2 Ｈ6 ：１％）を用いた。
【００２２】次に、同図（ｄ）に示すように、透明電極
（例えばＩＴＯ）５をスパッタ法により１０００Åの膜
厚に形成し、更に取り出し電極６，７を形成する。
（例えばＩＴＯ）５をスパッタ法により１０００Åの膜
厚に形成し、更に取り出し電極６，７を形成する。
【００２３】以上の工程により、互いにバンドギャップ
が異なる第１光電変換素子３と第２光電変換素子４を有
する二層構造のａ−Ｓｉ太陽電池が得られる。
が異なる第１光電変換素子３と第２光電変換素子４を有
する二層構造のａ−Ｓｉ太陽電池が得られる。
【００２４】上記の製法においては、第１光電変換素子
３を形成した後に一旦基板を反応室外に出し、大気にさ
らしてｐ1 層３ｃ上に自然酸化膜１０を形成するため、
上記自然酸化膜１０を有しない従来方法による構造のａ
−Ｓｉ太陽電池に比べ、特性を向上させることができ
た。
３を形成した後に一旦基板を反応室外に出し、大気にさ
らしてｐ1 層３ｃ上に自然酸化膜１０を形成するため、
上記自然酸化膜１０を有しない従来方法による構造のａ
−Ｓｉ太陽電池に比べ、特性を向上させることができ
た。
【００２５】下記の表１に両者の各種特性についての比
較結果を示す。
較結果を示す。
【００２６】
【表１】 （ＡＭ−１．５ １００ｍＷ／ｃｍ2 光．セル面積１ｃ
ｍ2 ）
ｍ2 ）
【００２７】このように特性の向上が見られたのは、ｐ
1 層３ｃ上に形成された自然酸化膜１０がブロッキング
膜として機能し、第２光電変換素子４の形成中にそのｎ
2 層４ａにＧｅやＨが混入，拡散するのを防止できるた
めと考えられる。
1 層３ｃ上に形成された自然酸化膜１０がブロッキング
膜として機能し、第２光電変換素子４の形成中にそのｎ
2 層４ａにＧｅやＨが混入，拡散するのを防止できるた
めと考えられる。
【００２８】ここで、上記の自然酸化膜１０は、上記の
ブロッキング膜としての機能のみを考えるならば、その
膜厚が厚いほど良好な特性が得られると考えられる。
ブロッキング膜としての機能のみを考えるならば、その
膜厚が厚いほど良好な特性が得られると考えられる。
【００２９】しかし、膜厚が厚くなれば酸化膜による絶
縁性の影響が強くなり、このことがａ−Ｓｉ太陽電池の
特性（短絡電流，曲線因子）を低下させることになる。
縁性の影響が強くなり、このことがａ−Ｓｉ太陽電池の
特性（短絡電流，曲線因子）を低下させることになる。
【００３０】従って、自然酸化膜の厚みは、ブロッキン
グ膜としての機能を発揮すると共に、光起電力装置の各
種特性に悪影響を与えないような膜厚に設定される。
グ膜としての機能を発揮すると共に、光起電力装置の各
種特性に悪影響を与えないような膜厚に設定される。
【００３１】具体的には、上記自然酸化膜１０は、数Å
〜２０Å程度の膜厚とするのが望ましい。この範囲であ
れば、トンネル効果により必要な短絡電流が得られるか
らである。なお、単に従来構造のものよりも高い特性を
得るのであれば、上記自然酸化膜１０の膜厚は５０Å程
度まで許容される。
〜２０Å程度の膜厚とするのが望ましい。この範囲であ
れば、トンネル効果により必要な短絡電流が得られるか
らである。なお、単に従来構造のものよりも高い特性を
得るのであれば、上記自然酸化膜１０の膜厚は５０Å程
度まで許容される。
【００３２】次に、大気中での放置時間をどのくらいに
するか、また、この放置時間と大気の状態（気温，湿度
等）との関係等について検討する。上記自然酸化膜１０
の膜厚は、大気放置時間や大気の状態によって影響を受
けるからである。
するか、また、この放置時間と大気の状態（気温，湿度
等）との関係等について検討する。上記自然酸化膜１０
の膜厚は、大気放置時間や大気の状態によって影響を受
けるからである。
【００３３】図２は、大気中での放置時間と発電効率と
の関係を示すグラフである。発電効率は従来方法による
構造の太陽電池を１．０として表わしている。また、図
のグラフ（ａ）は室温２０℃、湿度５０％である場合を
示し、グラフ（ｂ）は室温３０℃、湿度７０％である場
合を示している。なお、いずれも基板温度は、１００℃
である。
の関係を示すグラフである。発電効率は従来方法による
構造の太陽電池を１．０として表わしている。また、図
のグラフ（ａ）は室温２０℃、湿度５０％である場合を
示し、グラフ（ｂ）は室温３０℃、湿度７０％である場
合を示している。なお、いずれも基板温度は、１００℃
である。
【００３４】上記のグラフから分かるように、大気放置
時間が約４０秒〜１分である場合に最も高い光電変換効
率が得られ、それ以上の時間では徐々に効率は低下し、
約１００分以上になると、従来構造と同程度の効率にな
る。従って、上記条件の下のでは大気放置時間は長くて
も１００分とするのが良い。
時間が約４０秒〜１分である場合に最も高い光電変換効
率が得られ、それ以上の時間では徐々に効率は低下し、
約１００分以上になると、従来構造と同程度の効率にな
る。従って、上記条件の下のでは大気放置時間は長くて
も１００分とするのが良い。
【００３５】また、上記グラフでは、基板温度が１００
℃である場合について示したが、この基板温度が異なれ
ば、最適な大気放置時間も異なってくる。因みに、室温
２０℃、湿度５０％の条件下では、最適な大気放置時間
は下記の表２に示す時間となる。
℃である場合について示したが、この基板温度が異なれ
ば、最適な大気放置時間も異なってくる。因みに、室温
２０℃、湿度５０％の条件下では、最適な大気放置時間
は下記の表２に示す時間となる。
【００３６】
【表２】
【００３７】なお、本実施例では、ｉ層を二層構造とし
たものについて説明したが、三層以上の積層構造として
も同様の効果が得られるものである。
たものについて説明したが、三層以上の積層構造として
も同様の効果が得られるものである。
【００３８】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、第１光
電変換素子を形成した後に基板を一旦大気にさらし、自
然酸化膜を形成するようにしたので、その後に形成され
る第２光電変換素子中へのＧｅやＨの混入，拡散が抑制
され、光起電力装置の特性を向上させることができた。
電変換素子を形成した後に基板を一旦大気にさらし、自
然酸化膜を形成するようにしたので、その後に形成され
る第２光電変換素子中へのＧｅやＨの混入，拡散が抑制
され、光起電力装置の特性を向上させることができた。
【図１】本発明の光起電力装置の製造方法を工程順に示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】本発明の大気放置時間と発電効率との関係を示
すグラフである。
すグラフである。
１ 支持基板 ２ 高反射裏面電極 ３ 第１光電変換素子 ４ 第２光電変換素子 ５ 透明電極 １０ 自然酸化膜
Claims (1)
- 【請求項１】 非晶質シリコンゲルマニウムをｉ層に用
いた第１のｎｉｐ型光電変換素子を形成した後、この第
１のｎｉｐ型光電変換素子のｐ層上に第２のｎｉｐ型光
電変換素子を形成する工程を有する光起電力装置の製造
方法において、 前記第１のｎｉｐ型光電変換素子を形
成した後に基板を反応室から外に出し、大気にさらすこ
とにより上記ｐ層上に自然酸化膜を形成する工程を含め
たことを特徴とする光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5149047A JPH0715025A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5149047A JPH0715025A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0715025A true JPH0715025A (ja) | 1995-01-17 |
Family
ID=15466491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5149047A Pending JPH0715025A (ja) | 1993-06-21 | 1993-06-21 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0715025A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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