JP3143392B2 - 積層型太陽電池 - Google Patents
積層型太陽電池Info
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Description
1、第2及び第3の光電変換層が積層されてなる積層型
太陽電池において、長時間の光照射後における光電変換
効率を向上させる技術に関するものである。
導体膜を用いた太陽電池は、結晶系半導体を用いた太陽
電池に比べ低温で製造することができ、また容易に大面
積化を図ることができる、という利点を有している。
っては、入射光の有効利用を図りその光電変換効率を向
上させるために、例えば特開昭58−116779号に
開示される如く、複数の光電変換層を積層した積層型太
陽電池が提案されている。
概念図である。
g、Al等の金属からなる櫛型の集電極であり2はIT
O,ZnO等の透光性導電膜からなる透光性電極であ
る。そして、SC1、SC2及びSC3は夫々第1、第
2及び第3の光電変換層であり、夫々p型の非晶質シリ
コンカーバイド(a−SiC)膜からなるp層3p,4
p,5p、真性のa−SiC膜、非晶質シリコン(a−
Si)膜或いは非晶質シリコンゲルマニウム(a−Si
Ge)膜からなるi層3i,4i,5i及びn型のa−
Si膜からなるn層3n,4n,5nが積層されて構成
されている。
の光透過側に配されたAg,Al等の反射性の金属から
なる背面電極であり、その表面で光を散乱させるために
凹凸面を有している。また、7はプラスチックあるいは
表面がSiO2,SiN等の絶縁膜で覆われたステンレ
ス等の絶縁性表面を有する基板である。
すると、この光はまず光入射側に配された第1の光電変
換層SC1にてその短波長成分が吸収され、次いで該層
SC1で吸収されずに透過した光の一部が第2の光電変
換層SC2で吸収される。従って、従来上記第1の光電
変換層SC1のi層3iは、光学的バンドギャップの広
いa−SiC膜或いはa−Si膜で構成されると共に、
第2の光電変換層SC2のi層4iは、前記i層3iを
構成するa−SiC膜或いはa−Si膜よりも光学的バ
ンドギャップの狭いa−Si膜或いはa−SiGe膜で
構成される。
収されず該層を透過した長波長光は第3の光電変換層S
C3で吸収されることとなる。また、光電変換層SC3
を透過した光は背面電極6により反射され、該層SC3
に再入射してこの部分で吸収されることとなる。このた
め、第3の光電変換層SC3のi層5iは、より光学的
バンドギャップの狭いa−SiGe膜で構成される。
る各光電変換層SC3、SC4及びSC5に在るi層3
i,4i及び5iの光学的バンドギャップは、光入射側
から順次狭くなるように設計されていた。
陽電池にあっては、各光電変換層SC1、SC2及びS
C3が直列接続された構造であるために、最大の光電変
換効率を得るためには各光電変換層で発生される光電流
を略等しくする必要がある。
っては、第2の光電変換層SC2のi層4iの厚さを、
他の光電変換層に在るi層3i及び5iに比べて極めて
厚くする必要があった。以下にこの理由を詳述する。
っては各i層3i,4i及び5iの光学的バンドギャッ
プは、光入射側から順次狭くなるように設定されてい
る。そして、各光電変換層SC1、SC2及びSC3で
は順に、入射光のうち短波長成分、中波長成分、及び長
波長成分が吸収されることとなる。
成する光学的バンドギャップの広いa−SiC膜或いは
a−Si膜は、その短波長での吸収係数が大きいため
に、上記i層3iの厚さは約1000Å以下と非常に薄
膜とすることができる。
入射側に配された他の光電変換層SC1及びSC2を透
過した光に加えて、その光透過側に配された背面電極6
で反射された光も吸収するために、そのi層5iの厚さ
も、やはり約1500Å以下と極めて薄膜にすることが
できる。
と、この部分での拡散反射の効果が大きくなるために、
背面電極6で反射された光の大部分が光電変換層SC3
で吸収されることとなる。従って、光電変換層SC3の
厚さをさらに薄膜化とすることができた。
びSC3の間に配された第2の光電変換層SC2では、
第1の光電変換層SC1を透過した光しか吸収すること
ができず、このためその厚さを、他のi層3i,5iの
厚さと比して非常に大きく約3000Å以上とする必要
があった。
体には、光を照射するとその光電変換特性が劣化する光
劣化という問題が存在し、そしてこの光劣化は厚さが厚
いほど大きくなる。
厚さの厚い第2の光電変換層SC2に在るi層4iでの
光劣化が大きく、このため太陽電池素子全体としても光
劣化が大きくなっていた。
薄くすると、この部分で発生する光電流が小さくなるた
めに光電変換効率そのものが低下していた。
めに、本願の積層型太陽電池は、光入射側から第1、第
2及び第3の光電変換層が順次積層され、前記第3の光
電変換層の光透過側に凹凸面を有する背面電極が配され
てなる積層型太陽電池であって、前記第2の光電変換層
に在るi層が、前記各光電変換層に在るi層のうち最も
狭い光学的バンドギャップを有することを特徴としてい
る。
層に在るi層の光学的バンドギャップを夫々Eg1,E
g2及びEg3とした時に、これらが Eg2≦Eg3<Eg1 なる関係を満たすことを特徴としている。
に在るi層が共に非晶質シリコンゲルマニウム膜からな
るとともに、夫々の膜中のシリコン原子数CSi2,
CSi3、ゲルマニウム原子数CGe2,CGe3及び水素原子
数CH2,CH3が、 1.3[CH2]/([CSi2]+[CGe2])-0.6[CGe2]/([CSi2]+[C Ge2 ]) ≦1.3[CH3]/([CSi3]+[CGe3])-0.6[CGe3]/([CSi3]+[CGe3]) なる関係を満たすことを特徴としている。
施形態を示す。尚、素子構造は図1に示した従来構造と
同一であるので、図1を参照して説明する。
点は、第2の光電変換層に在るi層4iの光学的バンド
ギャップを、他のi層3i及び5iのそれよりも狭くし
た点にある。即ち第1、第2及び第3の光電変換層に在
る各i層3i,4i及び5iの光学的バンドギャップを
夫々Eg1,Eg2及びEg3とした時に、従来が数1
を満たす関係としていた各光学的バンドギャップを、数
2を満たす関係とした点にある。
電変換層を構成する非晶質半導体膜の材質、光学的バン
ドギャップ及び厚さを示す。また、従来構造に於ける各
層の値も合わせて示す。
用い、原料ガスを適宜切り替えることにより行った。ま
た、基板7としては表面がSiO2膜で絶縁コートされ
たステンレスを用い、背面電極6の形成はスパッタ法を
用いてAgを厚さ5000Å堆積することにより行っ
た。ここで、形成時の温度を200℃〜300℃の範囲
とすることにより、表面に凹凸面を有する背面電極6を
形成することができる。
を用いて厚さ700ÅのITOを堆積して行い、集電極
1の形成はスクリーン印刷を用いてAgを櫛型状に堆積
することにより行った。
吸収過程について以下に詳述する。
各光電変換層中のi層3i,4i或いは5iのうち、最
も狭い光学的バンドギャップを有するi層の光吸収特性
で決定される。即ち本実施形態の太陽電池にあっては、
光学的バンドギャップが1.50eVのa−SiGe膜
からなる第2の光電変換層SC2のi層4iで決定さ
れ、従来構造の太陽電池にあっては、光学的バンドギャ
ップが1.50eVのa−SiGe膜からなる第3の光
電変換層SC3のi層5iで決定される。そして、両者
とも光学的バンドギャップの値は1.50eVと同じで
あるので、利用できる光の波長は等しい。尚、光学的バ
ンドギャップは hν vs (αhν)1/3の関係から導
出した(Japanese Journal of Applied Physics, 30(19
91)1008)。
ければ小さい程、より長波長領域の光まで吸収できるこ
ととなる。然し乍ら、光学的バンドギャップの小さい材
料として利用されているa−SiGe膜の電気的特性
は、光学的バンドギャップが狭くなるほど劣悪なものと
なり、光の吸収は増えるものの生成された電子・正孔対
を有効に外部に取り出すことができない。従って、現状
では、太陽電池のi層として利用できる最も狭い光学的
バンドギャップの値は1.50eV程度であり、これ以
下の値になると太陽電池に用いた場合にその光電変換特
性が低下してしまう。然し乍ら、電気的特性を良好に保
つことができるならば、もっと狭い光学的バンドギャッ
プを有する材料を用いて、より長波長の光まで利用を図
ることができる。
きる光の波長は最も狭い光学的バンドギャップを有する
i層で決定されるが、各光電変換層SC1、SC2及び
SC3で発生する光電流の和も又該i層の厚さで決定さ
れる。
層で発生する光電流の和は、最も狭い光学的バンドギャ
ップを有するi層を含む光電変換層で構成される単層の
太陽電池で発生する光電流と略等しくなるのである。
陽電池にあっては、第1、第2及び第3の光電変換層S
C1、SC2及びSC3で発生される光電流の和は、第
2の光電変換層SC2のみからなる単層の太陽電池で発
生される光電流と略等しくなる。そして、従来構造の積
層型太陽電池にあっては、各第1、第2及び第3の光電
変換層SC1、SC2及びSC3で発生される光電流の
和は、第3の光電変換層SC3のみからなる単層の太陽
電池で発生される光電流の和と等しくなるのである。
っては第2の光電変換層SC2、また従来構造にあって
は第3の光電変換層SC3のみからなる単層の太陽電池
で発生される光電流は、そのi層4iもしくは5iの光
学的バンドギャップとその厚さで決定されるのである。
っても従来構造の積層型太陽電池にあっても、このi層
の厚さは略等しく1000Å程度であるので、各光電変
換層で発生される光電流の和も略等しくなり、21mA
/cm2程度であった。
はその光電変換特性を最大にするために、各光電変換層
で発生される光電流を略等しくする必要がある。従っ
て、本実施形態及び従来構造の積層型太陽電池にあって
は、各光電変換層で発生される光電流の和が21mA/
cm2程度であるので、各光電変換層で発生される光電
流を夫々7mA/cm2程度にする必要がある。
SC3の各i層の最適な厚さを決定するにあたって、各
光電変換層のみからなる単層の太陽電池を複数個形成
し、この電流値から各i層の厚さの最適値を求めた。
i層3iの厚さを決定するにあたっては、光入射側から
集電極/ITO/p型a−SiC/i型a−Si/n型
a−Si/SnO2構造の太陽電池を形成し、この太陽
電池の光電変換特性を波長480nm以上の光をカット
する光学フィルタ下で測定し、この時の短絡電流値が略
7mA/cm2となるようにi層の厚さを決定した。
在るi層4iの厚さを決定するにあたっては、光入射側
から集電極/ITO/p型a−SiC/i型a−SiG
e/n型a−Si/SnO2構造の太陽電池を形成し、
この太陽電池の光電変換特性を波長約450nm以下の
短波長光及び約700nm以上の長波長光をカットする
光学フィルタ下で測定し、この時の短絡電流値が略7m
A/cm2となるようにi層の厚さを決定した。
るi層5iの厚さを決定するにあたっては、光入射側か
ら集電極/ITO/p型a−SiC/i型a−Si/n
型a−Si/凹凸表面を有するAg構造の太陽電池を形
成し、この太陽電池の光電変換特性を波長650nm以
下の光をカットする光学フィルタ下で測定し、この時の
短絡電流値が略7mA/cm2となるようにi層の厚さ
を決定した。
び5iの厚さを単層の太陽電池で決定でき、積層型太陽
電池を形成する必要がないことから、短時間で各i層の
最適な厚さを決定することができる。
以上の如くして決定した最適値である。
陽電池に於ける各光電変換層SC1、SC2及びSC3
の光感度を表す特性図である。同図において(A)は本
実施形態の積層型太陽電池に関する特性図であり、
(B)は従来構造の積層型太陽電池に関する特性図であ
る。
る光電変換層SC2の収集効率である。本実施形態の積
層型太陽電池に於いては、光電変換層SC2に在るi層
4iが最も狭い光学的バンドギャップを有しているの
で、その波長感度は長波長側まで広がり、従来構造に比
べて広範囲の波長領域にわたって光電流を発生してい
る。
反射光は光透過側の光電変換層SC3で殆ど吸収されて
しまうために、光電変換層SC2で吸収される光は1回
透過の光のみである。即ち、該光電変換層SC2におい
ては、入射光のうち、光入射側の光電変換層SC1を透
過してきた光だけしか吸収することができない。従っ
て、光電変換層SC2に在るi層4iの厚さを薄くする
ためには、この1回透過光を十分利用すべく広い波長領
域にわたって光感度を有していることが重要である。こ
のために、本実施形態にあっては、光電変換層SC2に
在るi層4iの光学的バンドギャップを1.50eVと
最も狭くしている。この結果、本実施形態にあっては、
光電変換層SC2に在るi層4iの厚さを約1000Å
と、従来の約1/3に薄膜化することが可能となった。
は、元々入射光の短波長成分しか吸収されないので、そ
のi層3iの光学的バンドギャップは従来と同様広いも
ので良い。逆に、この部分での光学的バンドギャップを
狭くすると入射光の長波長成分がこの部分で吸収されて
しまい、第2及び第3の光電変換層SC2及びSC3に
透過する長波長光が減ることとなるので、光入射側の光
電変換層3iの光学的バンドギャップは他のi層4i及
び5iの光学的バンドギャップよりも広くする必要があ
る。
は、光電変換層SC1及びSC2を透過した光及び背面
電極6で反射された光を吸収することとなる。ここで、
本実施形態にあっては、光電変換層SC2に在るi層4
iの光学的バンドギャップを狭くしているので、該光電
変換層SC2を透過する光の波長成分は従来構造よりも
長波長成分が減ることになる。
は、本実施形態にあっても従来と同様約14mA/cm
2の光電流に対応する光しか吸収されず、残り約7mA
/cm2の光電流に対応する光は透過している。加え
て、本実施形態にあっては光電変換層SC2に在るi層
4iの光学的バンドギャップが従来よりも小さく、光の
長波長成分はその大部分が該i層4iで吸収されるの
で、透過した光は従来よりもその長波長成分が少ない。
従って、光透過側の光電変換層SC3に在るi層5iの
光学的バンドギャップは従来よりも広くすることができ
る。また、該光電変換層SC3では背面電極6で反射さ
れる光も利用できるので、厚さを厚くする必要もなく、
本実施形態にあっては約1500Åであった。
陽電池について、長時間の光照射後の光電変換特性を比
較した。表2は、本実施形態及び従来構造の積層型太陽
電池について、長時間の光照射試験を行う前後の光電変
換特性を示す。ここで、光照射試験は、AM1.5,5
00mW/cm2の光を48℃で6時間照射して行っ
た。
換特性については10.5%と両者とも等しいが、光照
射試験後の光電変換特性については本実施形態の方が
9.5%と従来よりも高い値が得られた。これは、前述
したとおり本実施形態においては、中間に位置する光電
変換層SC2に在るi層4iを構成する非晶質半導体膜
の光学的バンドギャップを1.50eVと最も狭くした
ことにより、その厚さを約1000Åと従来構造の約1
/3に薄膜化できたことに因る。
料として用いられるa−SiGe膜のバンドギャップE
gは、その膜中のシリコン原子数、ゲルマニウム原子数
及び水素原子数で決定されることが知られている(Japa
nese Journal of AppliedPhysics, 32(1993)4894)。そ
して、a−SiGe膜中のシリコン原子数を[CS i]、
ゲルマニウム原子数を[CGe]、水素原子数を[CH]
とすると、その光学的バンドギャップEgは数3で表す
ことができる。
2、SC3に在るi層4i及び5iをa−SiGe膜か
ら構成した場合には、夫々の膜中のシリコン原子数、ゲ
ルマニウム原子数及び水素原子数を[CSi2],
[CSi3],[CGe2],[CGe3],[CH2],
[CH3]とすると、これらは数4の関係を満たすことと
なる。
対側の方向から光8が入射する構造の太陽電池について
説明したが、基板としてガラス基板を用い、この上に透
光性電極、第1、第2、第3の光電変換層及び背面電極
を積層し、基板側から光が入射する構造の太陽電池にあ
っても本発明を適用できるのは言うまでもない。
電池によれば、中間に位置する光電変換層SC2に在る
i層4iの厚さを薄くできるので、長時間の光照射後の
光電変換特性を良好なものとすることができる。
ける、各光電変換層の光感度を表す特性図である。
層、SC3…第3の光電変換層、3p,4p,5p…p
層、3i,4i,5i…i層、3n,4n,5n…n
層、6…背面電極
Claims (3)
- 【請求項1】 光入射側から第1、第2及び第3の光電
変換層が順次積層され、前記第3の光電変換層の光透過
側に凹凸面を有する背面電極が配されてなる積層型太陽
電池であって、 前記第2の光電変換層に在るi層が、前記各光電変換層
に在るi層のうち最も狭い光学的バンドギャップを有す
ることを特徴とする積層型太陽電池。 - 【請求項2】 前記第1、第2及び第3の光電変換層に
在るi層の光学的バンドギャップを夫々Eg1,Eg2
及びEg3とした時に、これらが Eg2≦Eg3<Eg1 なる関係を満たすことを特徴とする請求項1記載の積層
型太陽電池。 - 【請求項3】 前記第2及び第3の光電変換層に在るi
層が共に非晶質シリコンゲルマニウム膜からなるととも
に、夫々の膜中のシリコン原子数CSi2,CSi3、ゲルマ
ニウム原子数CGe2,CGe3及び水素原子数CH2,C
H3が、 1.3[CH2]/(([CSi2]+[CGe2])-0.6[CGe2]/([CSi2]+[CGe2]) ≦1.3[CH3]/([CSi3]+[CGe3])-0.6[CGe3]/([CSi3]+[CGe3]) なる関係を満たすことを特徴とする請求項1または2記
載の積層型太陽電池。
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JPH09260698A JPH09260698A (ja) | 1997-10-03 |
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---|---|---|---|
JP08070617A Expired - Fee Related JP3143392B2 (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 積層型太陽電池 |
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- 1996-03-26 JP JP08070617A patent/JP3143392B2/ja not_active Expired - Fee Related
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