JPH0793451B2 - 多接合型アモルファスシリコン系太陽電池 - Google Patents
多接合型アモルファスシリコン系太陽電池Info
- Publication number
- JPH0793451B2 JPH0793451B2 JP2247141A JP24714190A JPH0793451B2 JP H0793451 B2 JPH0793451 B2 JP H0793451B2 JP 2247141 A JP2247141 A JP 2247141A JP 24714190 A JP24714190 A JP 24714190A JP H0793451 B2 JPH0793451 B2 JP H0793451B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- junction
- amorphous silicon
- layer
- solar cell
- cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、短絡電流密度と曲線因子の高い光電変換特性
に優れた多接合型アモルファスシリコン系太陽電池に関
する。
に優れた多接合型アモルファスシリコン系太陽電池に関
する。
従来の多接合型アモルファスシリコン系太陽電池は、特
開昭61−25117号公報に記載のように、複数個のpin接合
セルを単に積層した構造のものである。
開昭61−25117号公報に記載のように、複数個のpin接合
セルを単に積層した構造のものである。
他方、pin接合セルとpin接合セルの間に透光性の金属薄
膜、酸化物、フッ化物、窒化物のいずれかを形成し、np
接合のオーミック特性を向上させた多接合型（多層構
造）のアモルファスシリコン系太陽電池が特開昭60−14
0441号公報において提案されている。
膜、酸化物、フッ化物、窒化物のいずれかを形成し、np
接合のオーミック特性を向上させた多接合型（多層構
造）のアモルファスシリコン系太陽電池が特開昭60−14
0441号公報において提案されている。
上述した従来の多接合型のアモルファスシリコン系太陽
電池の光電流の分光感度特性を第４図に示す。図におい
て、光入射側から第１接合セル、第２接合セル、第３接
合セルと呼び、各接合セルの分光感度特性を示してい
る。第４図において、第１接合セルの分光感度が、長波
長側でなだらかに減少している理由は次のとおりである
と考えられる。すなわち、多接合型のアモルファスシリ
コン系太陽電池では各接合セルの出力電流が同じになる
ように、第１接合セルのｉ層膜厚は薄く（1000Å以下）
と設定されている。したがって、第１接合セルでは入射
光が充分吸収されないために、その分光感度は長波長領
域において漸減する。この吸収しきれない光が第２接合
セルで吸収され光電変換される。上記の吸収しきれない
光は、第１接合セルにおいても第２接合セルにおいても
中途半端に吸収されるため、この波長領域光に対する光
電変換効率は他の波長領域の光に対する光電変換効率よ
りも悪くなっている。なお、セル特性としては曲線因子
が悪くなる。そして、第２接合セルの長波長側分光感度
も、第１接合セル程ではないがなだらかに減少し、第２
接合セルと第３接合セルの間においても上記第１接合セ
ル／第２接合セル間と同様の現象が生じる。
電池の光電流の分光感度特性を第４図に示す。図におい
て、光入射側から第１接合セル、第２接合セル、第３接
合セルと呼び、各接合セルの分光感度特性を示してい
る。第４図において、第１接合セルの分光感度が、長波
長側でなだらかに減少している理由は次のとおりである
と考えられる。すなわち、多接合型のアモルファスシリ
コン系太陽電池では各接合セルの出力電流が同じになる
ように、第１接合セルのｉ層膜厚は薄く（1000Å以下）
と設定されている。したがって、第１接合セルでは入射
光が充分吸収されないために、その分光感度は長波長領
域において漸減する。この吸収しきれない光が第２接合
セルで吸収され光電変換される。上記の吸収しきれない
光は、第１接合セルにおいても第２接合セルにおいても
中途半端に吸収されるため、この波長領域光に対する光
電変換効率は他の波長領域の光に対する光電変換効率よ
りも悪くなっている。なお、セル特性としては曲線因子
が悪くなる。そして、第２接合セルの長波長側分光感度
も、第１接合セル程ではないがなだらかに減少し、第２
接合セルと第３接合セルの間においても上記第１接合セ
ル／第２接合セル間と同様の現象が生じる。
また、上記従来技術における多接合型アモルファスシリ
コン系太陽電池に設けられている金属薄膜等は、np接合
のオーミック特性を良くするためのもので、単なる導電
性の光透過膜であり、この場合においても上記分光感度
特性低下の問題は残る。
コン系太陽電池に設けられている金属薄膜等は、np接合
のオーミック特性を良くするためのもので、単なる導電
性の光透過膜であり、この場合においても上記分光感度
特性低下の問題は残る。
本発明の目的は、上記従来技術における問題点を解決
し、短絡電流密度と曲線因子が高く、光電変換効率に優
れた多接合型アモルファスシリコン系太陽電池を提供す
ることにある。
し、短絡電流密度と曲線因子が高く、光電変換効率に優
れた多接合型アモルファスシリコン系太陽電池を提供す
ることにある。
上記本発明の目的を達成するために、多接合型アモルフ
ァスシリコン系太陽電池を構成する第１接合セルと第２
接合セルとの間に、第１接合セルの分光感度が漸減して
いる長波長側の波長領域内の特定波長より短波長の光の
みを反射する中間層を形成する。また、第１接合セルの
数が３個以上の時は、第２接合セルと第３接合セルとの
間にも、第２接合セルの分光感度が漸減している長波長
側の波長領域内の特定波長より短波長の光のみを反射す
る中間層を形成する。この中間層は金属の酸化膜、窒化
膜のうちの少なくとも１種からなる中間層であることが
好ましい。また、上記中間層はｐ、ｉ、ｎ各層よりも屈
折率の小さい金属の酸化物、窒化物、フッ化物のうちの
少なくとも１種からなる中間層であってもよい。さら
に、上記中間層は導電性光透過膜と絶縁性膜との積層膜
であってもよい。また、本発明の多接合型アモルファス
シリコン系太陽電池を構成する各pin接合セルは、アモ
ルファスシリコンおよびアモルファスシリコンゲルマニ
ウムからなることが好ましい。
ァスシリコン系太陽電池を構成する第１接合セルと第２
接合セルとの間に、第１接合セルの分光感度が漸減して
いる長波長側の波長領域内の特定波長より短波長の光の
みを反射する中間層を形成する。また、第１接合セルの
数が３個以上の時は、第２接合セルと第３接合セルとの
間にも、第２接合セルの分光感度が漸減している長波長
側の波長領域内の特定波長より短波長の光のみを反射す
る中間層を形成する。この中間層は金属の酸化膜、窒化
膜のうちの少なくとも１種からなる中間層であることが
好ましい。また、上記中間層はｐ、ｉ、ｎ各層よりも屈
折率の小さい金属の酸化物、窒化物、フッ化物のうちの
少なくとも１種からなる中間層であってもよい。さら
に、上記中間層は導電性光透過膜と絶縁性膜との積層膜
であってもよい。また、本発明の多接合型アモルファス
シリコン系太陽電池を構成する各pin接合セルは、アモ
ルファスシリコンおよびアモルファスシリコンゲルマニ
ウムからなることが好ましい。
本発明の多接合型アモルファスシリコン系太陽電池を構
成する各接合セルの間に設けた中間層により、特定波長
より短波長の光は、第１接合セルにおいて充分に吸収さ
れ、上記波長より長波長の光は第２接合セルで吸収され
て効率よく光電変換される。また、第２接合セルと第３
接合セルの間においても、上記の類似の膜からなる中間
層を形成することにより上記同様の作用が生じる。した
がって、第１接合セルと第１接合セルおよび第２接合セ
ルと第３接合セルの長波長側分光感度特性は、従来の多
接合型アモルファスシリコン系太陽電池の分光感度特性
よりも急峻となると同時に、分光感度がクロスする波長
領域光下のセル特性、特に曲線因子が向上し、光電変換
効率の高い多接合型アモルファスシリコン系太陽電池が
得られる。
成する各接合セルの間に設けた中間層により、特定波長
より短波長の光は、第１接合セルにおいて充分に吸収さ
れ、上記波長より長波長の光は第２接合セルで吸収され
て効率よく光電変換される。また、第２接合セルと第３
接合セルの間においても、上記の類似の膜からなる中間
層を形成することにより上記同様の作用が生じる。した
がって、第１接合セルと第１接合セルおよび第２接合セ
ルと第３接合セルの長波長側分光感度特性は、従来の多
接合型アモルファスシリコン系太陽電池の分光感度特性
よりも急峻となると同時に、分光感度がクロスする波長
領域光下のセル特性、特に曲線因子が向上し、光電変換
効率の高い多接合型アモルファスシリコン系太陽電池が
得られる。
以下、本発明の一実施例を挙げ、図面を用いてさらに詳
細に説明する。
細に説明する。
（実施例 １） 第１図に、本実施例において作製した多接合型アモルフ
ァスシリコン系太陽電池の構成を示す。図に示すごと
く、まず、ガラス基板１上に、8000ÅのSnO2透明電極２
を形成し、この上にプラズマCVD法を用い基板温度250℃
で第１接合セルを形成する。まずB2H6ガス,CH4ガス,SiH
4ガスとを混合したガスを用いて、Ｂドープ水素化アモ
リファスシリコンカーバイドｐ層３、次に、SiH4ガスを
用いてノンドープ水素化アモルファスシリコンｉ層４、
さらに、PH3ガスとSiH4ガスとを混合したガスを用い
て、Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ層５を形成する。
各層の厚さは、ｐ層100Å、ｉ層600Å、ｎ層100Å程度
とする。この全面に、基板温度150〜250℃の範囲内で真
空蒸着法にてSbドープSnO2膜６を100Åの厚さ形成す
る。この上に、50μｍ間隔のストライプ状のTa2O5膜７
を形成する。次に、第２接合セルとして、第１接合セル
同様に、Ｂドープ水素化微結晶シリコンｐ層８、ノンド
ープ水素化アモルファスシリコンｉ層４、Ｐドープ水素
化微結晶シリコンｎ層５を形成する。各層の厚さは、ｐ
層100Å、ｉ層1800Å、ｎ層100Å程度とする。この全面
に、SbドープSnO2膜６と膜厚50Åのノンドープ窒化シリ
コン膜12を形成する。さらに、この上に第３接合セルと
してＢドープ水素化微結晶シリコンｐ層８、ノンドープ
水素化アモルファスシリコンゲルマニウム（ａ−SiGe:
H）ｉ層14、Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ層５を順
次形成する。ノンドープ水素化アモルファスシリコンゲ
ルマニウムｉ層14は、SiH4ガスとGeH4ガスを混合したガ
スを用いて形成する。各層の厚さは、ｐ層100Å、ｉ層5
000Å、ｎ層100Å程度とする。最後に、ITO（Indium Ti
n Oxide…InとSnの酸化物）膜16とAg膜17を形成する。
本実施例において作製した多接合型アモルファスシリコ
ン系太陽電池の光電変換特性は、擬似太陽光100mW/cm2
照射下で、曲線因子0.68、変換効率12.7％が得られ、np
接合間に中間層を有しない従来の３層構造の太陽電池
（曲線因子:0.62、変換効率:11.2％）に比べて優れた特
性を示した。
ァスシリコン系太陽電池の構成を示す。図に示すごと
く、まず、ガラス基板１上に、8000ÅのSnO2透明電極２
を形成し、この上にプラズマCVD法を用い基板温度250℃
で第１接合セルを形成する。まずB2H6ガス,CH4ガス,SiH
4ガスとを混合したガスを用いて、Ｂドープ水素化アモ
リファスシリコンカーバイドｐ層３、次に、SiH4ガスを
用いてノンドープ水素化アモルファスシリコンｉ層４、
さらに、PH3ガスとSiH4ガスとを混合したガスを用い
て、Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ層５を形成する。
各層の厚さは、ｐ層100Å、ｉ層600Å、ｎ層100Å程度
とする。この全面に、基板温度150〜250℃の範囲内で真
空蒸着法にてSbドープSnO2膜６を100Åの厚さ形成す
る。この上に、50μｍ間隔のストライプ状のTa2O5膜７
を形成する。次に、第２接合セルとして、第１接合セル
同様に、Ｂドープ水素化微結晶シリコンｐ層８、ノンド
ープ水素化アモルファスシリコンｉ層４、Ｐドープ水素
化微結晶シリコンｎ層５を形成する。各層の厚さは、ｐ
層100Å、ｉ層1800Å、ｎ層100Å程度とする。この全面
に、SbドープSnO2膜６と膜厚50Åのノンドープ窒化シリ
コン膜12を形成する。さらに、この上に第３接合セルと
してＢドープ水素化微結晶シリコンｐ層８、ノンドープ
水素化アモルファスシリコンゲルマニウム（ａ−SiGe:
H）ｉ層14、Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ層５を順
次形成する。ノンドープ水素化アモルファスシリコンゲ
ルマニウムｉ層14は、SiH4ガスとGeH4ガスを混合したガ
スを用いて形成する。各層の厚さは、ｐ層100Å、ｉ層5
000Å、ｎ層100Å程度とする。最後に、ITO（Indium Ti
n Oxide…InとSnの酸化物）膜16とAg膜17を形成する。
本実施例において作製した多接合型アモルファスシリコ
ン系太陽電池の光電変換特性は、擬似太陽光100mW/cm2
照射下で、曲線因子0.68、変換効率12.7％が得られ、np
接合間に中間層を有しない従来の３層構造の太陽電池
（曲線因子:0.62、変換効率:11.2％）に比べて優れた特
性を示した。
（実施例 ２） 第２図に、本実施例において作製した多接合型アモルフ
ァスシリコン系太陽電池の構成を示す。図に示すごと
く、まず、SUS基板21上に、まず、Ti膜22、Ag膜17およ
びTi膜22よりなる３層電極を形成する。この３層電極上
に、プラズマCVD法で、基板温度250℃にてPH3ガスとSiH
4ガスとを混合したガスを用いて、Ｐドープ水素化微結
晶シリコンｎ層５を、次に、SiH4ガスとGeH4ガスを混合
したガスを用いて、ノンドープ水素化アモルファスシリ
コンゲルマニウム（ａ−SiGe:H）ｉ層14を、さらにその
上に、B2H6ガスとSiH4ガスとを混合したガスを用いて、
Ｂドープ水素化微結晶シリコンｐ層８を順次形成する。
各層の膜厚は、例えばｎ層300Å、ｉ層5000Å、ｐ層100
Å程度で良い。次に、その全面に、基板温度150〜250℃
の範囲内で真空蒸着法にてSbドープSnO2膜６を100Åの
厚さに形成する。この上に、30μｍ間隔のストライプ状
の高抵抗金属酸化膜であるTa2O5膜７を形成する。しか
る後、さらに、Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ層５、
ノンドープ水素化アモルファスシリコンｉ層４、Ｂドー
プ水素化微結晶シリコンｐ層８の順に形成する。各層の
厚さは、ｎ層75Å、ｉ層4000Å、ｐ層80Å程度とする。
この上に、膜厚100ÅのSbドープSnO2膜６と膜厚50ÅのT
a2O5膜７を形成する。しかる後、さらに、Ｐドープ水素
化微結晶シリコンｎ層５、ノンドープ水素化アモルファ
スシリコンｉ層４、Ｂドープ水素化アモルファスシリコ
ンカーバイドｐ層３の順に形成する。各層の厚さは、ｐ
層75Å、ｉ層1800Å、ｐ層80Å程度とする。最後に、全
面にITO膜16を1800Åの厚さ形成する。本実施例におい
て作製した多接合型アモルファスシリコン系太陽電池の
光電変換特性は、擬似太陽光100mW/cm2照射下で、曲線
因子0.70、変換効率13.2％が得られ、np接合間に中間層
を有しない従来の３層構造の太陽電池（曲線因子:0.6
2、変換効率:11.2％）に比べて優れた特性を示した。
ァスシリコン系太陽電池の構成を示す。図に示すごと
く、まず、SUS基板21上に、まず、Ti膜22、Ag膜17およ
びTi膜22よりなる３層電極を形成する。この３層電極上
に、プラズマCVD法で、基板温度250℃にてPH3ガスとSiH
4ガスとを混合したガスを用いて、Ｐドープ水素化微結
晶シリコンｎ層５を、次に、SiH4ガスとGeH4ガスを混合
したガスを用いて、ノンドープ水素化アモルファスシリ
コンゲルマニウム（ａ−SiGe:H）ｉ層14を、さらにその
上に、B2H6ガスとSiH4ガスとを混合したガスを用いて、
Ｂドープ水素化微結晶シリコンｐ層８を順次形成する。
各層の膜厚は、例えばｎ層300Å、ｉ層5000Å、ｐ層100
Å程度で良い。次に、その全面に、基板温度150〜250℃
の範囲内で真空蒸着法にてSbドープSnO2膜６を100Åの
厚さに形成する。この上に、30μｍ間隔のストライプ状
の高抵抗金属酸化膜であるTa2O5膜７を形成する。しか
る後、さらに、Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ層５、
ノンドープ水素化アモルファスシリコンｉ層４、Ｂドー
プ水素化微結晶シリコンｐ層８の順に形成する。各層の
厚さは、ｎ層75Å、ｉ層4000Å、ｐ層80Å程度とする。
この上に、膜厚100ÅのSbドープSnO2膜６と膜厚50ÅのT
a2O5膜７を形成する。しかる後、さらに、Ｐドープ水素
化微結晶シリコンｎ層５、ノンドープ水素化アモルファ
スシリコンｉ層４、Ｂドープ水素化アモルファスシリコ
ンカーバイドｐ層３の順に形成する。各層の厚さは、ｐ
層75Å、ｉ層1800Å、ｐ層80Å程度とする。最後に、全
面にITO膜16を1800Åの厚さ形成する。本実施例におい
て作製した多接合型アモルファスシリコン系太陽電池の
光電変換特性は、擬似太陽光100mW/cm2照射下で、曲線
因子0.70、変換効率13.2％が得られ、np接合間に中間層
を有しない従来の３層構造の太陽電池（曲線因子:0.6
2、変換効率:11.2％）に比べて優れた特性を示した。
（実施例 ３） 第３図に、本実施例において作製した多接合型アモルフ
ァスシリコン系太陽電池の構成を示す。
ァスシリコン系太陽電池の構成を示す。
実施例２と同様に、SUS基板21上に、まずTi膜22、Ag膜1
7およびTi膜22よりなる３層電極を形成し、該電極上に
第１接合セルとして、Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ
層５を、ａ−SiGe:Hi層14を、Ｂドープ水素化微結晶シ
リコンｐ層８を順次形成する。次に、その全面に、Sbド
ープSnO2膜６を100Åの厚さに形成する。この上に、100
μｍ間隔の10μｍ幅のストライプ状Cr電極23と、その隙
間にTiO2膜24を形成する。さらに、SbドープSnO2膜６を
100Åの厚さ形成する。しかる後、第２接合セルとして
実施例２と同様に、Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ層
５、ノンドープ水素化アモルファスシリコンｉ層４、Ｂ
ドープ水素化微結晶シリコンｐ層８の順に形成する。こ
の上に、膜厚100ÅのSbドープSnO2膜６を、ついで、Cr
電極23とTa2O5膜７をストライプ状に形成する。しかる
後、第３接合セルとして実施例２同様に、Ｂドープ水素
化微結晶シリコンｎ層５、ノンドープ水素化アモルファ
スシリコンｉ層４、Ｂドープ水素化アモルファスシリコ
ンカーバイドｐ層３の順に形成する。最後に、全面にIT
O膜16を1800Åの厚さ形成する。本実施例において作製
した多接合型アモルファスシリコン系太陽電池の光電変
換特性は、擬似太陽光100mW/cm2照射下で、曲線因子0.6
9、変換効率13.0％が得られ、np接合間に中間層を有し
ない従来の３層構造太陽電池（曲線因子:0.62、変換効
率:11.2％）に比べて優れた特性を示した。
7およびTi膜22よりなる３層電極を形成し、該電極上に
第１接合セルとして、Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ
層５を、ａ−SiGe:Hi層14を、Ｂドープ水素化微結晶シ
リコンｐ層８を順次形成する。次に、その全面に、Sbド
ープSnO2膜６を100Åの厚さに形成する。この上に、100
μｍ間隔の10μｍ幅のストライプ状Cr電極23と、その隙
間にTiO2膜24を形成する。さらに、SbドープSnO2膜６を
100Åの厚さ形成する。しかる後、第２接合セルとして
実施例２と同様に、Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ層
５、ノンドープ水素化アモルファスシリコンｉ層４、Ｂ
ドープ水素化微結晶シリコンｐ層８の順に形成する。こ
の上に、膜厚100ÅのSbドープSnO2膜６を、ついで、Cr
電極23とTa2O5膜７をストライプ状に形成する。しかる
後、第３接合セルとして実施例２同様に、Ｂドープ水素
化微結晶シリコンｎ層５、ノンドープ水素化アモルファ
スシリコンｉ層４、Ｂドープ水素化アモルファスシリコ
ンカーバイドｐ層３の順に形成する。最後に、全面にIT
O膜16を1800Åの厚さ形成する。本実施例において作製
した多接合型アモルファスシリコン系太陽電池の光電変
換特性は、擬似太陽光100mW/cm2照射下で、曲線因子0.6
9、変換効率13.0％が得られ、np接合間に中間層を有し
ない従来の３層構造太陽電池（曲線因子:0.62、変換効
率:11.2％）に比べて優れた特性を示した。
以上詳細に説明したごとく、本発明の多接合型アモルフ
ァスシリコン系太陽電池において、第１接合セルと第２
接合セルの間に中間層を設けることにより、特定波長よ
り短波長の光は第１接合セルにおいて充分に吸収され、
該波長より長波長の光は第２接合セルで吸収され効率よ
く光電変換される。また、第２接合セルと第３接合セル
の間においても上記と同様の中間層を設けることにより
上記と同様の効果が得られる。したがって、光電変換効
率の高い多接合型アモルファスシリコン系太陽電池を実
現することができる。
ァスシリコン系太陽電池において、第１接合セルと第２
接合セルの間に中間層を設けることにより、特定波長よ
り短波長の光は第１接合セルにおいて充分に吸収され、
該波長より長波長の光は第２接合セルで吸収され効率よ
く光電変換される。また、第２接合セルと第３接合セル
の間においても上記と同様の中間層を設けることにより
上記と同様の効果が得られる。したがって、光電変換効
率の高い多接合型アモルファスシリコン系太陽電池を実
現することができる。
第１図は本発明の実施例１において作製した多接合型ア
モルファスシリコン系太陽電池の構成の一例を示す模式
図、第２図は本発明の実施例２において作製した多接合
型アモルファスシリコン系太陽電池の構成の一例を示す
模式図、第３図は本発明の実施例３において作製した多
接合型アモルファスシリコン系太陽電池の構成の一例を
示す模式図、第４図は従来の多接合型のアモルファスシ
リコン系太陽電池の光電流の分光感度特性を示すグラフ
である。 １……ガラス基板、２……SnO2透明電極 ３……Ｂドープ水素化アモルファスシリコンカーバイド
ｐ層 ４……ノンドープ水素化アモルファスシリコンｉ層 ５……Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ層 ６……SbドープSnO2膜 ７……Ta2O5膜 ８……Ｂドープ水素化微結晶シリコンｐ層 12……ノンドープ窒化シリコン膜 14……ノンドープ水素化アモルファスシリコンゲルマニ
ウム（ａ−SiGe:H）ｉ層 16……ITO（InとSnの酸化物）膜 17……Ag膜、21……SUS基板 22……Ti膜、23……Cr電極 24……TiO2膜
モルファスシリコン系太陽電池の構成の一例を示す模式
図、第２図は本発明の実施例２において作製した多接合
型アモルファスシリコン系太陽電池の構成の一例を示す
模式図、第３図は本発明の実施例３において作製した多
接合型アモルファスシリコン系太陽電池の構成の一例を
示す模式図、第４図は従来の多接合型のアモルファスシ
リコン系太陽電池の光電流の分光感度特性を示すグラフ
である。 １……ガラス基板、２……SnO2透明電極 ３……Ｂドープ水素化アモルファスシリコンカーバイド
ｐ層 ４……ノンドープ水素化アモルファスシリコンｉ層 ５……Ｐドープ水素化微結晶シリコンｎ層 ６……SbドープSnO2膜 ７……Ta2O5膜 ８……Ｂドープ水素化微結晶シリコンｐ層 12……ノンドープ窒化シリコン膜 14……ノンドープ水素化アモルファスシリコンゲルマニ
ウム（ａ−SiGe:H）ｉ層 16……ITO（InとSnの酸化物）膜 17……Ag膜、21……SUS基板 22……Ti膜、23……Cr電極 24……TiO2膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 嶋田 寿一 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 平２−237172（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−77167（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−211987（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−196583（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】複数のpin接合セルを積層して構成した多
接合型アモルファスシリコン系太陽電池において、上記
pin接合セルとpin接合セルとの間に、光入射側のpin接
合セルの分光感度特性の長波長側の漸減領域の特定波長
よりも短い波長の光を反射する中間層が設けられてお
り、上記中間層の少なくとも１つは導電性膜とストライ
プ状の絶縁性膜を有する積層膜からなることを特徴とす
る多接合型アモルファスシリコン系太陽電池。 - 【請求項２】上記中間層の屈折率は上記pin接合セルを
構成するｐ、ｉ、ｎ各層よりも小さい請求項１記載の多
接合型アモルファスシリコン系太陽電池。 - 【請求項３】上記中間層を構成する上記絶縁性膜は金属
の酸化物、窒化物、フッ化物のうちから選ばれる少なく
とも１種の薄膜からなる請求項１又は２記載の多接合型
アモルファスシリコン系太陽電池。 - 【請求項４】上記多接合型アモルファスシリコン系太陽
電池はアモルファスシリコン層およびアモルファスシリ
コンゲルマニウム層を有している請求項１乃至３のいず
れか一項に記載の多接合型アモルファスシリコン系太陽
電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2247141A JPH0793451B2 (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 多接合型アモルファスシリコン系太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2247141A JPH0793451B2 (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 多接合型アモルファスシリコン系太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04127580A JPH04127580A (ja) | 1992-04-28 |
| JPH0793451B2 true JPH0793451B2 (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=17159044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2247141A Expired - Fee Related JPH0793451B2 (ja) | 1990-09-19 | 1990-09-19 | 多接合型アモルファスシリコン系太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793451B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101958354A (zh) * | 2009-07-17 | 2011-01-26 | 三洋电机株式会社 | 太阳能电池模块和太阳能电池模块的制造方法 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19935046C2 (de) * | 1999-07-26 | 2001-07-12 | Schott Glas | Plasma-CVD-Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer mikrokristallinen Si:H-Schicht auf einem Substrat sowie deren Verwendung |
| WO2003007049A1 (en) | 1999-10-05 | 2003-01-23 | Iridigm Display Corporation | Photonic mems and structures |
| JP4110718B2 (ja) * | 2000-08-29 | 2008-07-02 | 富士電機アドバンストテクノロジー株式会社 | 多接合型薄膜太陽電池の製造方法 |
| US7560750B2 (en) | 2003-06-26 | 2009-07-14 | Kyocera Corporation | Solar cell device |
| EP1724840B1 (en) * | 2004-02-20 | 2013-05-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photoelectric cell |
| US11211510B2 (en) * | 2005-12-13 | 2021-12-28 | The Boeing Company | Multijunction solar cell with bonded transparent conductive interlayer |
| JP5143136B2 (ja) * | 2007-09-18 | 2013-02-13 | 三菱電機株式会社 | 薄膜太陽電池素子の製造方法 |
| JP4940309B2 (ja) * | 2007-10-30 | 2012-05-30 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池 |
| JP5180640B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-04-10 | 株式会社カネカ | 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置 |
| US8410355B2 (en) | 2007-11-02 | 2013-04-02 | Kaneka Corporation | Thin film photoelectric conversion device having a stacked transparent oxide and carbon intermediate layer |
| JP2009117463A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Kaneka Corp | 薄膜光電変換装置 |
| JP5180574B2 (ja) * | 2007-12-14 | 2013-04-10 | 株式会社カネカ | 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置 |
| RU2485626C2 (ru) * | 2007-12-21 | 2013-06-20 | Квалкомм Мемс Текнолоджис, Инк. | Многопереходные фотогальванические элементы |
| JPWO2010087312A1 (ja) * | 2009-01-28 | 2012-08-02 | 三菱電機株式会社 | 薄膜光電変換装置およびその製造方法 |
| KR100990111B1 (ko) * | 2009-08-19 | 2010-10-29 | 엘지전자 주식회사 | 태양전지 |
| JP2018160657A (ja) * | 2017-03-23 | 2018-10-11 | 株式会社東芝 | 太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60211987A (ja) * | 1984-04-06 | 1985-10-24 | Hitachi Ltd | 多層構造シリコン太陽電池 |
| JPS61196583A (ja) * | 1985-02-25 | 1986-08-30 | Sharp Corp | 光起電力装置 |
| JPS6377167A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 積層型光起電力装置 |
| JP2738557B2 (ja) * | 1989-03-10 | 1998-04-08 | 三菱電機株式会社 | 多層構造太陽電池 |
-
1990
- 1990-09-19 JP JP2247141A patent/JPH0793451B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101958354A (zh) * | 2009-07-17 | 2011-01-26 | 三洋电机株式会社 | 太阳能电池模块和太阳能电池模块的制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04127580A (ja) | 1992-04-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5409007B2 (ja) | 高効率の太陽電池及びその調製方法 | |
| KR101219926B1 (ko) | 역 적층 구조를 갖는 이종접촉 태양전지 | |
| US5021100A (en) | Tandem solar cell | |
| US4292461A (en) | Amorphous-crystalline tandem solar cell | |
| JPH0793451B2 (ja) | 多接合型アモルファスシリコン系太陽電池 | |
| JP2006319068A (ja) | 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置、及びその製造方法 | |
| JP3469729B2 (ja) | 太陽電池素子 | |
| JP2539780B2 (ja) | 反射防止二重層コ−テイングを備えた光感応半導体デバイス | |
| JPH0693519B2 (ja) | 非晶質光電変換装置 | |
| JP2002118273A (ja) | 集積型ハイブリッド薄膜光電変換装置 | |
| US20090014066A1 (en) | Thin-Film Photoelectric Converter | |
| KR20180076433A (ko) | 양면 수광형 텐덤 태양전지 및 이의 제조방법 | |
| JP3342257B2 (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH0583199B2 (ja) | ||
| US4857115A (en) | Photovoltaic device | |
| JP2669834B2 (ja) | 積層型光起電力装置 | |
| JP2936269B2 (ja) | アモルファス太陽電池 | |
| JPS63194372A (ja) | 非晶質光電変換装置 | |
| JP2710318B2 (ja) | 半透光性太陽電池 | |
| JP3143392B2 (ja) | 積層型太陽電池 | |
| JP4358493B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JP2630657B2 (ja) | 集積型多層アモルファス太陽電池の製造方法 | |
| JP2680577B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JP2000150935A (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH0521891Y2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |