JPS61196583A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPS61196583A JPS61196583A JP60036211A JP3621185A JPS61196583A JP S61196583 A JPS61196583 A JP S61196583A JP 60036211 A JP60036211 A JP 60036211A JP 3621185 A JP3621185 A JP 3621185A JP S61196583 A JPS61196583 A JP S61196583A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PIN type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、基板上に、ｎ型アモルファス層、真性アモル
ファス層、ｎ型アモルファス層Ｇ 一単位とするｐ−１
−ｎ層が二単位以上積層された光起電力装置に関する。
ファス層、ｎ型アモルファス層Ｇ 一単位とするｐ−１
−ｎ層が二単位以上積層された光起電力装置に関する。
（従来の技術およびその問題点）
一般に、アモルファス半導体層を用いた光起電力装置は
、第２図に示すように１基板ａ上に順次ｐ型アモルファ
スｒｆｉｂ、真性アモルファス層Ｃ５ｎ型アモルファス
層ｄ、ｉ３明導電膜ｅおよび電極ｒが積層された構造で
ある。
、第２図に示すように１基板ａ上に順次ｐ型アモルファ
スｒｆｉｂ、真性アモルファス層Ｃ５ｎ型アモルファス
層ｄ、ｉ３明導電膜ｅおよび電極ｒが積層された構造で
ある。
ところで、電力用太陽電池を考えた場合、変換効率を考
慮すると、第２図に示した構造のものよりも、第３図に
示すような、ｎ型アモルファス層す、 ｌ￥、性アモ
ルファス層ｃ、ｎ型アモルファス層ｄを一単位とするｐ
−１−ｎ層ｇが二単位以上積層された構造のものの方が
光の吸収効率に優れており有利である。
慮すると、第２図に示した構造のものよりも、第３図に
示すような、ｎ型アモルファス層す、 ｌ￥、性アモ
ルファス層ｃ、ｎ型アモルファス層ｄを一単位とするｐ
−１−ｎ層ｇが二単位以上積層された構造のものの方が
光の吸収効率に優れており有利である。
しかし、第３図に示すような太陽電池は、各単位間でｎ
型アモルファス層とｎ型アモルファス層とが直接接触す
る構造であるため、膜作成時において下地の影響を受け
る。このため、太陽電池としての特性および信頼性にも
悪影響を及ばず可能性がある。また、太陽電池の耐熱性
を考慮した場合、互いに接触するｎ型アモルファス層と
ｎ型アモルファス層での相互拡散も十分者えられ、信頼
性に欠けるといった問題がある。
型アモルファス層とｎ型アモルファス層とが直接接触す
る構造であるため、膜作成時において下地の影響を受け
る。このため、太陽電池としての特性および信頼性にも
悪影響を及ばず可能性がある。また、太陽電池の耐熱性
を考慮した場合、互いに接触するｎ型アモルファス層と
ｎ型アモルファス層での相互拡散も十分者えられ、信頼
性に欠けるといった問題がある。
（発明の目的）
本発明は９上記したような従来の多層型光起電力装置の
変換効率および信頼性の問題点に鑑み。
変換効率および信頼性の問題点に鑑み。
高変換効率、高信頼性の光起電力装置を提供することを
目的する。
目的する。
（発明の構成）
本発明の光起電力装置は、靭板トに、ｐ型アモルファス
層、真性アモルファス層、ｎ型アモルファス層を一単位
とするｐ−１−ｎ層が二単位以上積層され、各単位間に
、膜厚が１００Å以下のシリコン酸化膜もしくはシリコ
ン窒化膜が形成されているものである。
層、真性アモルファス層、ｎ型アモルファス層を一単位
とするｐ−１−ｎ層が二単位以上積層され、各単位間に
、膜厚が１００Å以下のシリコン酸化膜もしくはシリコ
ン窒化膜が形成されているものである。
（実施例）
以下９本発明の構成を実施例につき図面を参照して説明
する。
する。
第１図は本発明に係る光起電力装置の概略図である。
基板１上に、ｐ型アモルファス層２．真性アモルファス
Ｊｆｉｆ３．ｎ型アモルファス層４を一単位とするｐ−
１−ｎ層５が二単位積層されており、それら各単位５．
５間に、膜厚が１００Å以下のシリコン酸化膜もくしは
シリコン窒化膜６が形成されている。なお５図中、７は
上側のｐ−１−ｎ層５上に設けられた透明導電膜、８は
この透明導電膜７ヒに設けられた電極である。
Ｊｆｉｆ３．ｎ型アモルファス層４を一単位とするｐ−
１−ｎ層５が二単位積層されており、それら各単位５．
５間に、膜厚が１００Å以下のシリコン酸化膜もくしは
シリコン窒化膜６が形成されている。なお５図中、７は
上側のｐ−１−ｎ層５上に設けられた透明導電膜、８は
この透明導電膜７ヒに設けられた電極である。
上記ｐ型アモルファス層２．真性アモルファス層３．ｎ
型アモルファス層４の各層は、モノシラン雰囲気中での
グロー放電分解により作成される。
型アモルファス層４の各層は、モノシラン雰囲気中での
グロー放電分解により作成される。
Ｅ記シリコン酸化膜６はモノシランに酸素ガスを添加し
、また、シリコン窒化膜６はアンモニアガス或いは窒化
ガスを添加して上記各層と同様グロー放電分解により容
易に形成できる。このようにして形成されるシリコン酸
化＃６もしくはシリコン窒化膜６の膜厚を１００Å以下
としたのは次の点からである。
、また、シリコン窒化膜６はアンモニアガス或いは窒化
ガスを添加して上記各層と同様グロー放電分解により容
易に形成できる。このようにして形成されるシリコン酸
化＃６もしくはシリコン窒化膜６の膜厚を１００Å以下
としたのは次の点からである。
すなわち、これら両膜は１周知のように良好な絶縁膜で
あるため、膜が厚いと電流が取り出せなくなる。しかし
、１００Å以下の膜厚になるとトンネル現象により電流
が流れるといった点からである。
あるため、膜が厚いと電流が取り出せなくなる。しかし
、１００Å以下の膜厚になるとトンネル現象により電流
が流れるといった点からである。
また、これらの膜６が不純物（リン、ボロン）の相互拡
散を押さえ、装置の信頼性を高めている。
散を押さえ、装置の信頼性を高めている。
（発明の効果）
以−ト述べたように２本発明の光起電力装置は。
変換効率および信頼性に優れている。
また、単位間に形成されるシリコン酸化膜もくしはシリ
コン窒化膜はガスの種類を変えるだけで容易に形成する
ことができるため、製造が容易である。
コン窒化膜はガスの種類を変えるだけで容易に形成する
ことができるため、製造が容易である。
第１図は本発明の光起電力装置の一実施例を示す概略図
、第２図および第３図は従来例を示す概略図である。 １・・・基板 ２・・・ｐ型アモルファス層 ３・・・真性アモルファス層 ４・・・ｎ型アモルファス層 ５・・・ｐ−１−ｎ層 ６・・・シリコン酸化膜（シリコン窒化膜）第７図
、第２図および第３図は従来例を示す概略図である。 １・・・基板 ２・・・ｐ型アモルファス層 ３・・・真性アモルファス層 ４・・・ｎ型アモルファス層 ５・・・ｐ−１−ｎ層 ６・・・シリコン酸化膜（シリコン窒化膜）第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）基板上に、ｐ型アモルファス層、真性アモルファス
層、ｎ型アモルファス層を一単位とするｐ−ｉ−ｎ層が
二単位以上積層された光起電力装置において、 各単位間に、膜厚が１００Å以下のシリコ ン酸化膜もしくはシリコン窒化膜が形成されていること
を特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60036211A JPS61196583A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60036211A JPS61196583A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61196583A true JPS61196583A (ja) | 1986-08-30 |
Family
ID=12463417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60036211A Pending JPS61196583A (ja) | 1985-02-25 | 1985-02-25 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61196583A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63503103A (ja) * | 1985-09-30 | 1988-11-10 | 鐘淵化学工業株式会社 | マルチジャンクション型半導体デバイス |
| JPH04127580A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Hitachi Ltd | 多接合型アモルファスシリコン系太陽電池 |
| JP2005159320A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-06-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
| WO2005088734A1 (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-22 | Kaneka Corp | 薄膜光電変換装置 |
| WO2006093275A1 (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-08 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 積層型有機太陽電池 |
| JP2006279011A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 積層型有機太陽電池 |
| WO2009144944A1 (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置 |
-
1985
- 1985-02-25 JP JP60036211A patent/JPS61196583A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63503103A (ja) * | 1985-09-30 | 1988-11-10 | 鐘淵化学工業株式会社 | マルチジャンクション型半導体デバイス |
| JPH04127580A (ja) * | 1990-09-19 | 1992-04-28 | Hitachi Ltd | 多接合型アモルファスシリコン系太陽電池 |
| JP2005159320A (ja) * | 2003-10-27 | 2005-06-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 太陽電池及び太陽電池の製造方法 |
| WO2005088734A1 (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-22 | Kaneka Corp | 薄膜光電変換装置 |
| WO2006093275A1 (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-08 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 積層型有機太陽電池 |
| JP2006279011A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-10-12 | Matsushita Electric Works Ltd | 積層型有機太陽電池 |
| US8237048B2 (en) | 2005-03-04 | 2012-08-07 | Panasonic Corporation | Multilayer organic solar cell |
| WO2009144944A1 (ja) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置 |
| JP4671002B2 (ja) * | 2008-05-30 | 2011-04-13 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置 |
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