JPS6358974A - アモルフアス光起電力素子 - Google Patents
アモルフアス光起電力素子Info
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- JPS6358974A JPS6358974A JP61204573A JP20457386A JPS6358974A JP S6358974 A JPS6358974 A JP S6358974A JP 61204573 A JP61204573 A JP 61204573A JP 20457386 A JP20457386 A JP 20457386A JP S6358974 A JPS6358974 A JP S6358974A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、太＠電池や光センサー等のアモルファス光起
電力素子に関する。
電力素子に関する。
大腸電池や光センサー等の光起電力素子は太陽光その他
の光エネルギーを電気エネルギーに変換する半導体素子
であり、その半導体材料としてはアモルファスシリフン
（ａ−８ｉ：Ｈ）等のアモルファス半導体が安価で大面
積化、薄膜化が可能であり、組成の自由度が大きく、電
気的及び光学的特性を広い範囲で制御できる等の利点を
有するために注目され多くの研究が為されている。
の光エネルギーを電気エネルギーに変換する半導体素子
であり、その半導体材料としてはアモルファスシリフン
（ａ−８ｉ：Ｈ）等のアモルファス半導体が安価で大面
積化、薄膜化が可能であり、組成の自由度が大きく、電
気的及び光学的特性を広い範囲で制御できる等の利点を
有するために注目され多くの研究が為されている。
か＼るアモルファス光起電力素子、とりわけアモルファ
ス太陽電池では光変換効率を高めることが重要な課題で
あり、第３図に示すように、光により生成する電子・正
孔対のうち拡散距離の短い正孔を収集しやすいように、
ｐ型層３を透明基板１上に形成した透明電極２上に、即
ち光入射側に配置して光の総合収集効率を高め、ｐ型層
３とｎ型層５の間に真性半導体の１型層４を介在させ、
ｎ型層Ｓ上に金属電極６を形成したものが多い。
ス太陽電池では光変換効率を高めることが重要な課題で
あり、第３図に示すように、光により生成する電子・正
孔対のうち拡散距離の短い正孔を収集しやすいように、
ｐ型層３を透明基板１上に形成した透明電極２上に、即
ち光入射側に配置して光の総合収集効率を高め、ｐ型層
３とｎ型層５の間に真性半導体の１型層４を介在させ、
ｎ型層Ｓ上に金属電極６を形成したものが多い。
又、第４図に示すように、ｐ型層３，９、ｉ型層４，１
０及びｎ型層５，１１を単位セルとして２単位セル以上
を積層し、各層の光学的エネルギーギャップの適正化ひ
図ることにより太陽スペクトルを有効利用せんとする多
層構造のアモルファス太陽電池も知られている。
０及びｎ型層５，１１を単位セルとして２単位セル以上
を積層し、各層の光学的エネルギーギャップの適正化ひ
図ることにより太陽スペクトルを有効利用せんとする多
層構造のアモルファス太陽電池も知られている。
更に、キャリヤ生成域の１型層に多くのフォトンを導き
、太陽光等の長波長側の光の有効利用２図る為にｐ型層
に禁止帯の広い炭素や窒素を添加したり、太陽光等の短
波長側の光を有効に利用する為に１型層にゲルマニウム
や錫を添加する等の試みも行なわれている。
、太陽光等の長波長側の光の有効利用２図る為にｐ型層
に禁止帯の広い炭素や窒素を添加したり、太陽光等の短
波長側の光を有効に利用する為に１型層にゲルマニウム
や錫を添加する等の試みも行なわれている。
しかし、従来のアモルファス太陽電池においては、透明
電極２とｐ型層３との界面抵抗が高い為に曲線因子（Ｆ
Ｆ）の向上が妨げられ、光変換効率（Ｅ Ｆ Ｆ）の
大幅な向上が達成できなかった。透明電極２とｐ型層３
との界面抵抗を低くするために結晶質のｐ型層を用いた
アモルファス太陽電池も提案されているが、結晶質のｐ
型層とこれと接する非晶質の１型層とでは異種材料の接
合となるので格子の整合がとれず、界面準位が多く発生
し、キャリヤの再結合によるＦＩＦのほか短絡電流（Ｊ
ｓｃ）及び開放電圧（Ｗｏｅ）の低下がおこり、ＫＦＦ
の大幅向上には結びついていない現状である。
電極２とｐ型層３との界面抵抗が高い為に曲線因子（Ｆ
Ｆ）の向上が妨げられ、光変換効率（Ｅ Ｆ Ｆ）の
大幅な向上が達成できなかった。透明電極２とｐ型層３
との界面抵抗を低くするために結晶質のｐ型層を用いた
アモルファス太陽電池も提案されているが、結晶質のｐ
型層とこれと接する非晶質の１型層とでは異種材料の接
合となるので格子の整合がとれず、界面準位が多く発生
し、キャリヤの再結合によるＦＩＦのほか短絡電流（Ｊ
ｓｃ）及び開放電圧（Ｗｏｅ）の低下がおこり、ＫＦＦ
の大幅向上には結びついていない現状である。
（発明が解決しようとする問題点〕
本発明は上記の事情に鑑み、透明電極と′ｐｐ型層の界
面抵抗ひ低下させ、同時に９型、７と１型署との界面で
のキャリヤの再結合をなくして、高い光変換効率を有す
るアモルファス光起電力素子を提供することを目的とす
る。
面抵抗ひ低下させ、同時に９型、７と１型署との界面で
のキャリヤの再結合をなくして、高い光変換効率を有す
るアモルファス光起電力素子を提供することを目的とす
る。
本発明のアモルファス光起；力素子はｐｉｎ単位セルな
有し、このｐ型層を結晶質３含むｐ層と、１型層に接合
した非晶質のみからなるＰ 層とで構成したことを特徴
とする。
有し、このｐ型層を結晶質３含むｐ層と、１型層に接合
した非晶質のみからなるＰ 層とで構成したことを特徴
とする。
本発明は通常のアモルファス太陽電池は勿論、ｐｉｎ単
位セルを２個以上積層した多層構造のアモルファス太陽
電池にも適用でき、各ｐ ４− Ｈ単位セルのｐ型層な
上記構成しても良い。
位セルを２個以上積層した多層構造のアモルファス太陽
電池にも適用でき、各ｐ ４− Ｈ単位セルのｐ型層な
上記構成しても良い。
本発明のアモルファス起電力素子においては、ｐ 層は
結晶質を含み低抵抗となるので、ｐ 層と透明電極との
界面抵抗が低下する。この℃層＋ １ と１型層との間に非晶質のみからなるｐ 層を形成する
ので、同時にｐ 層と１型層との界面準位が低下してキ
ャリヤの再結合を防止できる。
結晶質を含み低抵抗となるので、ｐ 層と透明電極との
界面抵抗が低下する。この℃層＋ １ と１型層との間に非晶質のみからなるｐ 層を形成する
ので、同時にｐ 層と１型層との界面準位が低下してキ
ャリヤの再結合を防止できる。
ｐ 層は結晶質を１００〜５％含むことが好ましく、結
晶質が５％未満ではこの層の抵抗値が１０−４Ω俤−１
以下となって界面抵抗を低下させることができない。又
、Ｐ 層の結晶質の割合をｐ 層に向って漸次減少する
ように形成すれば、ｐ 層とｐ２層との界面準位も低下
し、−層良好な特性が達成できる。ｐ 層の結晶質の割
合を漸次減少させる方法は、例えばＲＦパワーを漸次減
少させたり、水素希釈量を漸次減少させたりする方法等
がある。
晶質が５％未満ではこの層の抵抗値が１０−４Ω俤−１
以下となって界面抵抗を低下させることができない。又
、Ｐ 層の結晶質の割合をｐ 層に向って漸次減少する
ように形成すれば、ｐ 層とｐ２層との界面準位も低下
し、−層良好な特性が達成できる。ｐ 層の結晶質の割
合を漸次減少させる方法は、例えばＲＦパワーを漸次減
少させたり、水素希釈量を漸次減少させたりする方法等
がある。
又、高ＲＩＰパワー、高水素希釈のま＼で成膜温度を漸
次上昇させていく方法もある。
次上昇させていく方法もある。
尚、ｉ型層は非晶質であるが、ｎ型層は結晶質を含んで
いても良い。
いても良い。
フ 層の膜厚は１０〜１５０λ及びｐ の膜厚は５０〜
２０００λが好ましく、又ｐ層及びｐ層にはこれらの層
での光吸収を少なくする為に炭素や窒素等の禁止帯の広
い元素を添加してもよい。
２０００λが好ましく、又ｐ層及びｐ層にはこれらの層
での光吸収を少なくする為に炭素や窒素等の禁止帯の広
い元素を添加してもよい。
更に、ｐｉｎ単位セルを２個以上積層した多層構造のア
モルファス太陽電池の各ｐ１ｎ単位セルのｐ型層をｐ層
とｐ 層で構成すれば、上記の効果以外に、ｎ／ｐ接合
界面を共に結晶質と含むｐ 層とｎ型層とで形成するこ
とができるので、オーミック接合が得られ、キャリヤの
再結合が容易となり、ｎ／ｐ接合界面での電圧・電流損
が小さくなる。
モルファス太陽電池の各ｐ１ｎ単位セルのｐ型層をｐ層
とｐ 層で構成すれば、上記の効果以外に、ｎ／ｐ接合
界面を共に結晶質と含むｐ 層とｎ型層とで形成するこ
とができるので、オーミック接合が得られ、キャリヤの
再結合が容易となり、ｎ／ｐ接合界面での電圧・電流損
が小さくなる。
実施例１
第１図に示すアモルファス太陽電池３以下の方法で製造
した。
した。
ガラス基板１上に酸化錫の透明電極２を形成し、その上
に１３．５６ ＭＨｚの高周波を用いたプラズマＣＶＤ
法により、９層７．９層８、ｉ型層４及びｎｌ
２ 型層５を下記条件により順次形成した。
に１３．５６ ＭＨｚの高周波を用いたプラズマＣＶＤ
法により、９層７．９層８、ｉ型層４及びｎｌ
２ 型層５を下記条件により順次形成した。
９１層７の形成は、基板温度ｉｓｏ ｃで、Ｈで希釈し
た１０％ＳｉＨを１０５ｃａｎＳＨで希釈した５００ｐ
ｐｍのＢ Ｈ’ｘ ５０ ｓｅｃｍ及び１００％Ｈを１
００５ｃｃｚで供給し、圧力５ ｔｏｒｒ及び高周波電
力２００Ｗで行なった。９２層８の形成は、基板温度２
１０ ｃで、Ｈで希釈した１０％ＳｉＨを５０ ｓｃｃ
ｍ及びＨで希釈した５００ ’ｐｐｍのＢ Ｈｆ ３０
ｓｃｃｍ供給し、圧力１ｔ（＋ｒｒ及び高周波電力３
０ Ｗで行なった１層層４の形成は、基板温度２１０Ｃ
で、Ｈで希釈した１０％ＳｉＨ４を５０５ｃａｎ供給し
圧力１ ｔｏｒｒ及び高周波電力３０ Ｗで行なった。
た１０％ＳｉＨを１０５ｃａｎＳＨで希釈した５００ｐ
ｐｍのＢ Ｈ’ｘ ５０ ｓｅｃｍ及び１００％Ｈを１
００５ｃｃｚで供給し、圧力５ ｔｏｒｒ及び高周波電
力２００Ｗで行なった。９２層８の形成は、基板温度２
１０ ｃで、Ｈで希釈した１０％ＳｉＨを５０ ｓｃｃ
ｍ及びＨで希釈した５００ ’ｐｐｍのＢ Ｈｆ ３０
ｓｃｃｍ供給し、圧力１ｔ（＋ｒｒ及び高周波電力３
０ Ｗで行なった１層層４の形成は、基板温度２１０Ｃ
で、Ｈで希釈した１０％ＳｉＨ４を５０５ｃａｎ供給し
圧力１ ｔｏｒｒ及び高周波電力３０ Ｗで行なった。
ｎ層５の形成は、基板温度２１０ ｔ：’で、Ｈで希釈
した１０％ＳｉＨｆ １０ ｓｃａｍ％Ｈで希釈した１
０００ ｖ、ｐｐｍのＰＨを５０ ｓｃｃｍ及び１００
％Ｈを１００ ｓｃｃｍで供給し、圧力２ ｔｏｒｒ及
び高周波電力２００Ｗで行なった。最後に、Ｒ型層５上
に銀の金属電極６号真空蒸着により形成した。
した１０％ＳｉＨｆ １０ ｓｃａｍ％Ｈで希釈した１
０００ ｖ、ｐｐｍのＰＨを５０ ｓｃｃｍ及び１００
％Ｈを１００ ｓｃｃｍで供給し、圧力２ ｔｏｒｒ及
び高周波電力２００Ｗで行なった。最後に、Ｒ型層５上
に銀の金属電極６号真空蒸着により形成した。
かくして形成したｐｍは膜厚が５ｏｘで８０％が結晶質
であり、光学的エネルギーギャップはＥｇ＝ １．９５
ｅＶ 、電気伝導度はσｄ＝５Ｘ１０−’ΩｃＩｎ−
’、ａ ｐｈ ＝ ７ Ｘ １０−’２０％−’ テア
ツタ。ｐ 層は５厚カｓｏｆで非結晶質のみテアリ、
Ｅｇ−１，８５ｅＶ、 σｄ＝＋＋＋４Ｘ１０−’Ω儂
１、σＩ）ｈ ＝ ５ Ｘ １０−’Ωｃｒｎ″″１で
あった。ｉ型層は膜厚が０．５ Ａｍの非結晶質で、Ｋ
ｇ ＝ １．７５ ｅＶであった。
であり、光学的エネルギーギャップはＥｇ＝ １．９５
ｅＶ 、電気伝導度はσｄ＝５Ｘ１０−’ΩｃＩｎ−
’、ａ ｐｈ ＝ ７ Ｘ １０−’２０％−’ テア
ツタ。ｐ 層は５厚カｓｏｆで非結晶質のみテアリ、
Ｅｇ−１，８５ｅＶ、 σｄ＝＋＋＋４Ｘ１０−’Ω儂
１、σＩ）ｈ ＝ ５ Ｘ １０−’Ωｃｒｎ″″１で
あった。ｉ型層は膜厚が０．５ Ａｍの非結晶質で、Ｋ
ｇ ＝ １．７５ ｅＶであった。
又、ｎ型層は膜厚がｓｏｏ Ｒで結晶質を８０％含み、
Ｋｇ＝２．ＯｅＶ、 ６ｄ＝ １０Ｘ １０Ω’ｍｒ’
、σｐｈ＝２Ｘ１ｃＰΩ俤−１であった。
Ｋｇ＝２．ＯｅＶ、 ６ｄ＝ １０Ｘ １０Ω’ｍｒ’
、σｐｈ＝２Ｘ１ｃＰΩ俤−１であった。
比較例として、ｐ型層が上記ｐ 層と同じ膜特性ひ有し
膜厚１３０ｘである以外は上記実施例と同一構造の第３
図に示す従来のアモルファス太］！池ひ製造した。
膜厚１３０ｘである以外は上記実施例と同一構造の第３
図に示す従来のアモルファス太］！池ひ製造した。
これら二つのアモルファス太陽電池の特性を下記第１表
に示した。
に示した。
第 １ 表
特 性 本発明 従来例
Ｊｓｃ（ｍＡ／Ｇ１１２） １６．２ １４．
９Ｖｏｃ （Ｖ） ０．８９ ０．８９ＦＦ（
２） ７３６８ ＥＦＩＦ（４） １０．５ ９．０実施例２ ｐｉｎ単位セルを２個積層した２層溝造のアモルファス
太陽電池の各ｐ１１単位セルのｐ 型、’？ｊ ’５：
ｐＨとｐ 層で構成した第２図に示すアモルフアス太陽
電池を製造した。
９Ｖｏｃ （Ｖ） ０．８９ ０．８９ＦＦ（
２） ７３６８ ＥＦＩＦ（４） １０．５ ９．０実施例２ ｐｉｎ単位セルを２個積層した２層溝造のアモルファス
太陽電池の各ｐ１１単位セルのｐ 型、’？ｊ ’５：
ｐＨとｐ 層で構成した第２図に示すアモルフアス太陽
電池を製造した。
この実施例で、第１単位セルのｉ型層４と第２単位セル
の１型層１０は膜厚が夫々８００ Ａ及び５００ Ｘで
エネルギーギャップは共に１．７５ｅＶであり、ｎ／ｐ
界面を構成するｐ 層１２の膜厚を１０ＯＲとした以外
は上記実施例１と同一条件のｐｉｎ単位セルとした。
の１型層１０は膜厚が夫々８００ Ａ及び５００ Ｘで
エネルギーギャップは共に１．７５ｅＶであり、ｎ／ｐ
界面を構成するｐ 層１２の膜厚を１０ＯＲとした以外
は上記実施例１と同一条件のｐｉｎ単位セルとした。
又、比較例として、第４図に示アようにｐ型層３．９が
非晶質のみからなり、第１単位セルのｐ型層３の膜厚１
３０Ｒ及び第２単位セルのｐ型層の膜厚１８０ｘである
以外は実施例２と同様のアモルファス太陽電池を製造し
た。
非晶質のみからなり、第１単位セルのｐ型層３の膜厚１
３０Ｒ及び第２単位セルのｐ型層の膜厚１８０ｘである
以外は実施例２と同様のアモルファス太陽電池を製造し
た。
これら二つのアモルファス太陽電池の特性を下記第２表
に示した。
に示した。
第 ２ 表
特 性 本発明 従来例
Ｊｓｃ （ｍＡ／ｍ２） ６．０ ５．５Ｖ
ｏｃ （Ｖ） １．８２ １．６９７Ｆ（イ
） ７２６８ Ｅ Ｆ Ｆ（イ） ７．９ ６．３尚、実施
例２では、ｉ型層のエネルギーギャップが第１単位セル
と第２単位セルが同一である例を示したが、片方の１型
層にａ−８ｉＧｅ等を用いて異なるエネルギーギャップ
の１型層を有テる多層構造アモルファス太陽電池として
も良い。
ｏｃ （Ｖ） １．８２ １．６９７Ｆ（イ
） ７２６８ Ｅ Ｆ Ｆ（イ） ７．９ ６．３尚、実施
例２では、ｉ型層のエネルギーギャップが第１単位セル
と第２単位セルが同一である例を示したが、片方の１型
層にａ−８ｉＧｅ等を用いて異なるエネルギーギャップ
の１型層を有テる多層構造アモルファス太陽電池として
も良い。
本発明によれば、透明電極とｐ型層との界面抵抗な低下
させると同時にｐ型層と１型層との界面準位を低下させ
キャリヤの再結合をなくすことができるので、短絡電流
、開放電圧、曲線因子の各特性を向上させて、高い光変
換効率を有するアモルファス光起電力素子ひ提供するこ
とができる。
させると同時にｐ型層と１型層との界面準位を低下させ
キャリヤの再結合をなくすことができるので、短絡電流
、開放電圧、曲線因子の各特性を向上させて、高い光変
換効率を有するアモルファス光起電力素子ひ提供するこ
とができる。
更に、本発明を多層構造のアモルファス太陽電池に適用
して各単位セルのｐ型層をｐ 層と℃ 層”２ で構成すれば、結晶質を含むｎ型層とｎＱとで＋ １ ｎ／ｐ接合を形成できるのでオーミック接合が得られ、
キャリヤの再結合が容易となり、ｎ／ｐ接合界面での電
圧損・電流損を低下させることができる。
して各単位セルのｐ型層をｐ 層と℃ 層”２ で構成すれば、結晶質を含むｎ型層とｎＱとで＋ １ ｎ／ｐ接合を形成できるのでオーミック接合が得られ、
キャリヤの再結合が容易となり、ｎ／ｐ接合界面での電
圧損・電流損を低下させることができる。
第１図及び第２図は本発明のアモルファス太陽電池の一
例Ｐ夫々示す断面図であり、第３図及び第４図は夫々従
来のアモルファス太陽電池の断面図である。 １・・透明基板 ２・・透明電極 ３，９・・ｐ型層４
．１０・・ｉ型層 ５，１１・・ｎ型層６・・金属電極
７，１２・・ｐ 層 ８．１３・・ｐ層
例Ｐ夫々示す断面図であり、第３図及び第４図は夫々従
来のアモルファス太陽電池の断面図である。 １・・透明基板 ２・・透明電極 ３，９・・ｐ型層４
．１０・・ｉ型層 ５，１１・・ｎ型層６・・金属電極
７，１２・・ｐ 層 ８．１３・・ｐ層
Claims (3)
- （１）ｐｉｎ単位セルを有するアモルファス光起電力素
子において、ｐ型層を結晶質を含むｐ＿１層と、ｉ型層
に接合した非晶質のみからなるｐ＿２層とで構成したこ
とを特徴とするアモルファス光起電力素子。 - （２）ｐ層は結晶質を１００〜５％含むことを特徴とす
る、特許請求の範囲（１）項記載のアモルファス光起電
力素子。 - （３）ｐ＿１層の結晶質の割合がｐ＿２層に向つて漸次
減少していることを特徴とする、特許請求の範囲（２）
項記載のアモルファス光起電力素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61204573A JPS6358974A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | アモルフアス光起電力素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61204573A JPS6358974A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | アモルフアス光起電力素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6358974A true JPS6358974A (ja) | 1988-03-14 |
Family
ID=16492707
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61204573A Pending JPS6358974A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | アモルフアス光起電力素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6358974A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04219981A (ja) * | 1990-12-20 | 1992-08-11 | Canon Inc | 光起電力装置 |
| JP2010533969A (ja) * | 2007-07-18 | 2010-10-28 | アイメック | エミッタ構造の作製方法とその結果のエミッタ構造 |
| US20110067753A1 (en) * | 2005-07-28 | 2011-03-24 | General Electric Company | Compositionally-graded and structurally-graded photovoltaic devices and methods of fabricating such devices |
| WO2011096338A1 (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-11 | 株式会社アルバック | 太陽電池用透明導電膜付き基板、太陽電池及びそれらの製造方法 |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP61204573A patent/JPS6358974A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04219981A (ja) * | 1990-12-20 | 1992-08-11 | Canon Inc | 光起電力装置 |
| US20110067753A1 (en) * | 2005-07-28 | 2011-03-24 | General Electric Company | Compositionally-graded and structurally-graded photovoltaic devices and methods of fabricating such devices |
| US8962978B2 (en) * | 2005-07-28 | 2015-02-24 | General Electric Company | Compositionally-graded and structurally-graded photovoltaic devices and methods of fabricating such devices |
| JP2010533969A (ja) * | 2007-07-18 | 2010-10-28 | アイメック | エミッタ構造の作製方法とその結果のエミッタ構造 |
| WO2011096338A1 (ja) * | 2010-02-02 | 2011-08-11 | 株式会社アルバック | 太陽電池用透明導電膜付き基板、太陽電池及びそれらの製造方法 |
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