JPS61222275A - 光起電力装置 - Google Patents
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- JPS61222275A JPS61222275A JP60064183A JP6418385A JPS61222275A JP S61222275 A JPS61222275 A JP S61222275A JP 60064183 A JP60064183 A JP 60064183A JP 6418385 A JP6418385 A JP 6418385A JP S61222275 A JPS61222275 A JP S61222275A
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-
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ） 産業上の利用分野
本発明は光照射により光起電力を発生する光起電力装置
に関し、太陽光発電等に利用される。
に関し、太陽光発電等に利用される。
（ロ） 従来の技術
この種光起電力装置の典型例として、光入射面を形成す
るガラス基板の一方の主面に順次受光面側の第１電極、
ｐｉｎ接合型非晶質半導体膜及び背面側の第２電極を積
層したものが存在し、例えば特開昭５７−９５６７７号
公報にあっては、上記ｐｉｎ接合型非晶質半導体膜とし
て、シリコン化合物ガスのプラズマ分解により得られる
非晶質シリコン（ａ −８３）を用いること、更には光
入射側のｐ型層として非晶質シリコンカーバイド（ａ−
５ｉｘＣ１４〉を用いることを提案している。即ち、従
来のｐ１ｎホモ接合を形成する非晶質シリコンのｐ型層
に代って非晶質シリコンカーバイドを用いることによっ
てｐｉｎヘテロ接合を構成し、斯るｐ型層に於ける光吸
収損失を減少きせる所謂窓効果を得、発電に寄与する実
質的な真性層への光照射量を増大させ光電変換効率の上
昇を図っている。
るガラス基板の一方の主面に順次受光面側の第１電極、
ｐｉｎ接合型非晶質半導体膜及び背面側の第２電極を積
層したものが存在し、例えば特開昭５７−９５６７７号
公報にあっては、上記ｐｉｎ接合型非晶質半導体膜とし
て、シリコン化合物ガスのプラズマ分解により得られる
非晶質シリコン（ａ −８３）を用いること、更には光
入射側のｐ型層として非晶質シリコンカーバイド（ａ−
５ｉｘＣ１４〉を用いることを提案している。即ち、従
来のｐ１ｎホモ接合を形成する非晶質シリコンのｐ型層
に代って非晶質シリコンカーバイドを用いることによっ
てｐｉｎヘテロ接合を構成し、斯るｐ型層に於ける光吸
収損失を減少きせる所謂窓効果を得、発電に寄与する実
質的な真性層への光照射量を増大させ光電変換効率の上
昇を図っている。
一方、上記非晶質シリコンに於ける感光波長を長波長側
に移行する素材として水素化非晶質シリコンゲルマニウ
ム（ａ−３ｉＧｅ：Ｈ）が見い出され、更に１９８４年
１１月神戸に於いて開催された第１回太陽光発電国際会
議に於いてフッ化水素化非晶質シリコンゲルマニウム（
以下ｈ−８ｉＧｅ：Ｈ：Ｆと略す）が従来のａ−８ｉＧ
ｅ：Ｈに比して高い米飯導度を有し、またドーピング効
率も良く非晶質太陽電池用の低バンドギャップ素材とし
て有力であることが報告されている（テクニカル ダイ
ジェスト 才ブ シイ インターナショナル ピブイエ
スイーシ−１、（Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ
ｏｆ ｔｈｅＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＰＶＳＥＣ
−１）、第４２９頁乃至第４３２頁、「フォトフンダク
テイプ ニーニスアイシイ：エフ、エッチ アンド ト
ランスペアレント アイアールオニックス フオ ハイ
ーエフイシエンシイ アモルファス ソーラ セルズ（
Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ａ −Ｓ ｉＧｅ
： Ｈ、Ｆ ａｎｄ ＴｒａｎｓｐａｒｅｒｕＩ ｒｏ
ｘ ｆｏｒ Ｈｉｇｈ−Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ａｍ
ｏｒｐｈｏｕｓ ５ｏｌａｒＣｅｌｌｓ） Ｊ ）ｅ 然し乍ら、このａ−８ｉＧｅ： Ｈ： Ｆをｐｉｎ接合
型光起電力装置の主として光電変換する実質的な真性層
に用いた場合、単独では良好な膜特性を呈するにも拘ら
ず、光起電力装置として満足な結果を得るに至っていな
い。
に移行する素材として水素化非晶質シリコンゲルマニウ
ム（ａ−３ｉＧｅ：Ｈ）が見い出され、更に１９８４年
１１月神戸に於いて開催された第１回太陽光発電国際会
議に於いてフッ化水素化非晶質シリコンゲルマニウム（
以下ｈ−８ｉＧｅ：Ｈ：Ｆと略す）が従来のａ−８ｉＧ
ｅ：Ｈに比して高い米飯導度を有し、またドーピング効
率も良く非晶質太陽電池用の低バンドギャップ素材とし
て有力であることが報告されている（テクニカル ダイ
ジェスト 才ブ シイ インターナショナル ピブイエ
スイーシ−１、（Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｇｅｓｔ
ｏｆ ｔｈｅＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ ＰＶＳＥＣ
−１）、第４２９頁乃至第４３２頁、「フォトフンダク
テイプ ニーニスアイシイ：エフ、エッチ アンド ト
ランスペアレント アイアールオニックス フオ ハイ
ーエフイシエンシイ アモルファス ソーラ セルズ（
Ｐｈｏｔｏｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ ａ −Ｓ ｉＧｅ
： Ｈ、Ｆ ａｎｄ ＴｒａｎｓｐａｒｅｒｕＩ ｒｏ
ｘ ｆｏｒ Ｈｉｇｈ−Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ａｍ
ｏｒｐｈｏｕｓ ５ｏｌａｒＣｅｌｌｓ） Ｊ ）ｅ 然し乍ら、このａ−８ｉＧｅ： Ｈ： Ｆをｐｉｎ接合
型光起電力装置の主として光電変換する実質的な真性層
に用いた場合、単独では良好な膜特性を呈するにも拘ら
ず、光起電力装置として満足な結果を得るに至っていな
い。
（ハ） 発明が解決しようとする問題点 。
本発明は良好な膜特性を呈する上記ａ−ｓｉｃｅ：Ｈ：
Ｆを光電変換動作する実質的な真性層に用いることがで
きない点を解決しようとするものである。
Ｆを光電変換動作する実質的な真性層に用いることがで
きない点を解決しようとするものである。
（ニ） 問題点を解決するための手段
本発明光起電力装置は上記問題点を解決すべく、基板側
から見て、一導電型の水素化非晶質シリフンの第１の不
純物層と、フッ化水素化非晶質シリコンの実質的な第１
の真性層と、フッ化水素化非晶質シリコンゲルマニウム
（ａ−３ｉＧｅ：Ｈ：Ｆ）の実質的な第２の真性層と、
逆導電型の第２の不純物層と、を順次積層した光活性層
を備えた構成にある。
から見て、一導電型の水素化非晶質シリフンの第１の不
純物層と、フッ化水素化非晶質シリコンの実質的な第１
の真性層と、フッ化水素化非晶質シリコンゲルマニウム
（ａ−３ｉＧｅ：Ｈ：Ｆ）の実質的な第２の真性層と、
逆導電型の第２の不純物層と、を順次積層した光活性層
を備えた構成にある。
（ホ） 作用
上述の如く基板側に設けられた水素化非晶質シリコンの
第１の不純物層とａ−８ｉＧｅ：Ｈ：Ｆからなる実質的
な第２の真性層との間に配挿されたフッ化水素化非晶質
シリコンの実質的な第１の真性層は、ａ−８ｉＧａ：Ｈ
：Ｆと不純物層との直接的な接触を防止して、両者が直
接接触することによって発生し良好な光電変換特性が得
られない原因となっていた両界面の欠陥を低減すべく作
用する。
第１の不純物層とａ−８ｉＧｅ：Ｈ：Ｆからなる実質的
な第２の真性層との間に配挿されたフッ化水素化非晶質
シリコンの実質的な第１の真性層は、ａ−８ｉＧａ：Ｈ
：Ｆと不純物層との直接的な接触を防止して、両者が直
接接触することによって発生し良好な光電変換特性が得
られない原因となっていた両界面の欠陥を低減すべく作
用する。
（へ） 実施例
図は本発明光起電力装置の一実施例を示し、（１）はガ
ラス等の透光性且つ絶縁性の基板、（２）は該基板（１
）を受光側とすべくインジウム（Ｉ ｎ’）、スズ（Ｓ
ｎ）等の透光性導電酸化物（Ｔ ＣＯ）であるＩｎ２Ｏ
３、ＩＴＯ１Ｓｎ０２等から形成される受光面電極、（
３）は該受光面電極（２）上に形成され膜面に平行なｐ
ｉｎ接合を備えた半導体光活性層、（４）は該光活性層
（３）の背面側に設けられた背面□電極である。
ラス等の透光性且つ絶縁性の基板、（２）は該基板（１
）を受光側とすべくインジウム（Ｉ ｎ’）、スズ（Ｓ
ｎ）等の透光性導電酸化物（Ｔ ＣＯ）であるＩｎ２Ｏ
３、ＩＴＯ１Ｓｎ０２等から形成される受光面電極、（
３）は該受光面電極（２）上に形成され膜面に平行なｐ
ｉｎ接合を備えた半導体光活性層、（４）は該光活性層
（３）の背面側に設けられた背面□電極である。
上記半導体光活性層（３）は、光入射があると光電変換
に寄与する電子及び正孔の光キャリアを発生する実質的
な真性層（３１）と、この真性層（３１）にて発生した
電子及び正孔の光キャリアを各々背面電極（４）或いは
受光面電極（２）に移動を促進する接合電界を発生すべ
く上記真性層（３ｉ）を挾持する異種導電型の第１・第
２の不純物層（３ｄｘ） （３ｄｔ）と、からなり、上
述の如き膜面に平行なｐｉｎ接合が形成きれている。
に寄与する電子及び正孔の光キャリアを発生する実質的
な真性層（３１）と、この真性層（３１）にて発生した
電子及び正孔の光キャリアを各々背面電極（４）或いは
受光面電極（２）に移動を促進する接合電界を発生すべ
く上記真性層（３ｉ）を挾持する異種導電型の第１・第
２の不純物層（３ｄｘ） （３ｄｔ）と、からなり、上
述の如き膜面に平行なｐｉｎ接合が形成きれている。
而して、本発明の特徴は、基板（１）側から見て受光面
電極（２）と接する側の第１の不純物層（３ｄ１）はｐ
塑成いは・ｎ型の何れか一方の導Ｘ型を呈する水素化非
晶質シリコン（以下ａ−８ｊ：Ｈと略す）から構成され
、またこのａ−５ｉ：Ｈと接する真性層（３１）は基板
（１）側からフッ化水素化非晶質シリコン（以下ａ−３
ｉ：Ｈ：Ｆと略す）の実質的な第１の真性層（３ｉ１）
と、ａ−８ｉＧｅ： Ｈ： Ｆの実質的な第２の真性層
（３ｉｚ）とに２分割されている。即ち、ａ−９ｉ：Ｈ
の第１の不純物層（３ｄｔ）とａ−８ｉＧｅ：Ｈ：Ｆの
第２の真性層（３ｉ２）との間にａ−８ｉ：Ｈ：Ｆの第
１の真性層（３ｉ１）が配挿しである。
電極（２）と接する側の第１の不純物層（３ｄ１）はｐ
塑成いは・ｎ型の何れか一方の導Ｘ型を呈する水素化非
晶質シリコン（以下ａ−８ｊ：Ｈと略す）から構成され
、またこのａ−５ｉ：Ｈと接する真性層（３１）は基板
（１）側からフッ化水素化非晶質シリコン（以下ａ−３
ｉ：Ｈ：Ｆと略す）の実質的な第１の真性層（３ｉ１）
と、ａ−８ｉＧｅ： Ｈ： Ｆの実質的な第２の真性層
（３ｉｚ）とに２分割されている。即ち、ａ−９ｉ：Ｈ
の第１の不純物層（３ｄｔ）とａ−８ｉＧｅ：Ｈ：Ｆの
第２の真性層（３ｉ２）との間にａ−８ｉ：Ｈ：Ｆの第
１の真性層（３ｉ１）が配挿しである。
上記半導体光活性層（３）の形成方法としては、周知の
プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法が用いられる。 １３．
５６Ｍ Ｈｚの高周波数（ＲＦ）プラズマＣＶＤ法を用
いた一例を示すと、ＲＦパワー３０〜１００Ｗ、ガス圧
０．１＝ １．０Ｔｏｒｒ、基板温度１５０〜２５０℃
の反応条件に於いて、先ず第１の不純物層（３ｄｌ）と
してのｐ型ａ−３ｉ：ＨがＳ ｉＨ＋ −５Ｓ ＣＣＭ
（ｍｃｃ／分）Ｂ２Ｈ６−０，５％の反応ガスにより膜
厚約２００人程変形成され、次いで第１の真性層（３ｉ
１）であるａ−５ｉ：Ｈ：ＦがＳ ｉＦ ４−２００Ｓ
ＣＣＭ。
プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法が用いられる。 １３．
５６Ｍ Ｈｚの高周波数（ＲＦ）プラズマＣＶＤ法を用
いた一例を示すと、ＲＦパワー３０〜１００Ｗ、ガス圧
０．１＝ １．０Ｔｏｒｒ、基板温度１５０〜２５０℃
の反応条件に於いて、先ず第１の不純物層（３ｄｌ）と
してのｐ型ａ−３ｉ：ＨがＳ ｉＨ＋ −５Ｓ ＣＣＭ
（ｍｃｃ／分）Ｂ２Ｈ６−０，５％の反応ガスにより膜
厚約２００人程変形成され、次いで第１の真性層（３ｉ
１）であるａ−５ｉ：Ｈ：ＦがＳ ｉＦ ４−２００Ｓ
ＣＣＭ。
Ｈ２”３０５ＣＣＭの反応ガスにより膜厚約１０００変
形度形成され、そして第２の真性層（３ｉｚ）であるａ
−９ｉＧｅ： Ｈ： Ｆが上記ＳｉＦ４＝２００ＳＣＣ
Ｍ、Ｈ２−３０ＳＣＣＭにＧｅＦ＜ −１，４８ＧｅＭ
を付加した反応ガスにより膜厚約４０００〜５０００変
形度形成きれ、最後に第２の不純物層（３ｄｚ）として
のｎ型ａ−８ｉ：ＨがＳｉＨ＋ −１５ＳＣＣＭ％ＰＨ
５−３％の反応ガスにより膜厚約４００変形度形成され
る。
形度形成され、そして第２の真性層（３ｉｚ）であるａ
−９ｉＧｅ： Ｈ： Ｆが上記ＳｉＦ４＝２００ＳＣＣ
Ｍ、Ｈ２−３０ＳＣＣＭにＧｅＦ＜ −１，４８ＧｅＭ
を付加した反応ガスにより膜厚約４０００〜５０００変
形度形成きれ、最後に第２の不純物層（３ｄｚ）として
のｎ型ａ−８ｉ：ＨがＳｉＨ＋ −１５ＳＣＣＭ％ＰＨ
５−３％の反応ガスにより膜厚約４００変形度形成され
る。
斯る真性層（３１）がａ−８ｉ：Ｈ：Ｆの第１の真性層
（３ｉｘ）とａ−３ｉＧｅ：Ｈ：Ｆの第２の真性層（３
ｉ２）の２層構造にある本発明光起電力装置と、他の構
造の光起電力装置と、を光電変換特性と暗時のダイオー
ド特性について比較し本発明の光起電力装置として評価
した。比較に供せられた第１の比較例は第２図の如く本
発明光起電力装置から第１の真性層（３ｉ＞）を取り除
いた従来のｐ（ａ−８ｉ： Ｈ）／ ｉ （ａ−ＳｉＧ
ｅ： Ｈ： Ｆ）／ｎ（ａ−３ｉ：Ｈ）構造であり、ま
た第２の比較例は第３図の如く本発明光起電力装置のａ
−８ｉ：Ｈ：Ｆからなる第１の真性層（３ｉ１）に代っ
てａ−９ｉ：Ｈから ゛なる第１の真性層（３ｉ１’
）が用いられたｐ（ａ−８ｉ： Ｈ）／ｉ＜ａ−８ｉ；
Ｈ）／１（ａ−５ｊＧｅ： Ｈ： Ｆ）／ｎ（＠−８
ｉ： Ｈ）構造である。斯る第１及び第２の比較例に於
いて第１及び第２の不純物層（３ｄｓ）（３ｄ２）及び
ａ−８３Ｇｅ： Ｈ： Ｆからなる第２の真性層（３ｉ
２）については本発明光起電力装置と同一である。以下
に斯る本発明光起電力装置と第１及び第２比較例との比
較結果を示す。
（３ｉｘ）とａ−３ｉＧｅ：Ｈ：Ｆの第２の真性層（３
ｉ２）の２層構造にある本発明光起電力装置と、他の構
造の光起電力装置と、を光電変換特性と暗時のダイオー
ド特性について比較し本発明の光起電力装置として評価
した。比較に供せられた第１の比較例は第２図の如く本
発明光起電力装置から第１の真性層（３ｉ＞）を取り除
いた従来のｐ（ａ−８ｉ： Ｈ）／ ｉ （ａ−ＳｉＧ
ｅ： Ｈ： Ｆ）／ｎ（ａ−３ｉ：Ｈ）構造であり、ま
た第２の比較例は第３図の如く本発明光起電力装置のａ
−８ｉ：Ｈ：Ｆからなる第１の真性層（３ｉ１）に代っ
てａ−９ｉ：Ｈから ゛なる第１の真性層（３ｉ１’
）が用いられたｐ（ａ−８ｉ： Ｈ）／ｉ＜ａ−８ｉ；
Ｈ）／１（ａ−５ｊＧｅ： Ｈ： Ｆ）／ｎ（＠−８
ｉ： Ｈ）構造である。斯る第１及び第２の比較例に於
いて第１及び第２の不純物層（３ｄｓ）（３ｄ２）及び
ａ−８３Ｇｅ： Ｈ： Ｆからなる第２の真性層（３ｉ
２）については本発明光起電力装置と同一である。以下
に斯る本発明光起電力装置と第１及び第２比較例との比
較結果を示す。
また、本発明光起電力装置の他の実施例として、光入射
（基板）側に設けられた第１の不純物層（３ｄｚ）の導
電型と背面側の第２の不純物層（３ｄｔ）との導電型を
逆転しても上記比較結果と同一の結巣が得られた。
（基板）側に設けられた第１の不純物層（３ｄｚ）の導
電型と背面側の第２の不純物層（３ｄｔ）との導電型を
逆転しても上記比較結果と同一の結巣が得られた。
尚本発明に於ける実質的な真性層（３１）とは、ｐ塑成
いはｎ型決定不純物を含まない雰囲気中で形成されたノ
ンドープ層が僅かながらｎ型の性質を呈するために、こ
のノンドープ層や、ｎ型の性質を補うべくｐ型決定不純
物を僅かにドープしたドープ層や、更にはノンドープな
状態にｎ型決定不純物をドープしたドープ層を含む意味
に於いて使用されている。
いはｎ型決定不純物を含まない雰囲気中で形成されたノ
ンドープ層が僅かながらｎ型の性質を呈するために、こ
のノンドープ層や、ｎ型の性質を補うべくｐ型決定不純
物を僅かにドープしたドープ層や、更にはノンドープな
状態にｎ型決定不純物をドープしたドープ層を含む意味
に於いて使用されている。
（ト）発明の効果
本発明光起電力装置は以上の説明から明らかな如く、基
板側から見てａ−９ｔ：Ｈの第１の不純物層と、ａ−８
ｉＧｅ：Ｈ：Ｆの実質的な第２の真性層との間に、この
第２の真性層の形成に先立ってａ−３ｉ：Ｈ；Ｆの第１
の真性層を形成して配挿したので、斯るａ−３ｉ：Ｈ：
Ｆの第１の真性層がａ−８ｉＧｅ： Ｈ： Ｆの第２の
真性層の形成時に、第１の不純物層界面へのダメージを
防止し、不Ｍ物層と真性層との界面状態が改善され、良
好な膜特性を呈するａ−５ｉＧｅ： Ｈ： Ｆを光電変
換動作する実質的な真性層に用いることができる。
板側から見てａ−９ｔ：Ｈの第１の不純物層と、ａ−８
ｉＧｅ：Ｈ：Ｆの実質的な第２の真性層との間に、この
第２の真性層の形成に先立ってａ−３ｉ：Ｈ；Ｆの第１
の真性層を形成して配挿したので、斯るａ−３ｉ：Ｈ：
Ｆの第１の真性層がａ−８ｉＧｅ： Ｈ： Ｆの第２の
真性層の形成時に、第１の不純物層界面へのダメージを
防止し、不Ｍ物層と真性層との界面状態が改善され、良
好な膜特性を呈するａ−５ｉＧｅ： Ｈ： Ｆを光電変
換動作する実質的な真性層に用いることができる。
第１図は本発明光起電力装置の典型例を示す模式的断面
図、第２図及び第３図は本発明光起電力装置との第１及
び第２比較例を夫々示す模式的断面図、である。 （１）・・・基板、（３）・・・半導体光活性層、（３
ｄ１）・・・第１の不純物層、（３１）・・・真性層、
（３ｉ１）・・・第１の真性層、（３ｉｚ）・・・第２
の真性層。
図、第２図及び第３図は本発明光起電力装置との第１及
び第２比較例を夫々示す模式的断面図、である。 （１）・・・基板、（３）・・・半導体光活性層、（３
ｄ１）・・・第１の不純物層、（３１）・・・真性層、
（３ｉ１）・・・第１の真性層、（３ｉｚ）・・・第２
の真性層。
Claims (1)
- （１）基板側から見て、一導電型の水素化非晶質シリコ
ンの第１の不純物層と、フッ化水素化非晶質シリコンの
実質的な第１の真性層と、フッ化水素化非晶質シリコン
ゲルマニウムの実質的な第２の真性層と、逆導電型の第
２の不純物層と、を順次積層した光活性層を備えたこと
を特徴とする光起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60064183A JPS61222275A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60064183A JPS61222275A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61222275A true JPS61222275A (ja) | 1986-10-02 |
Family
ID=13250685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60064183A Pending JPS61222275A (ja) | 1985-03-28 | 1985-03-28 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61222275A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03131072A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Canon Inc | 光起電力素子 |
| JPH03131071A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Canon Inc | 光起電力素子 |
| JPH03131073A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Canon Inc | 光起電力素子 |
| US5256887A (en) * | 1991-07-19 | 1993-10-26 | Solarex Corporation | Photovoltaic device including a boron doping profile in an i-type layer |
-
1985
- 1985-03-28 JP JP60064183A patent/JPS61222275A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03131072A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Canon Inc | 光起電力素子 |
| JPH03131071A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Canon Inc | 光起電力素子 |
| JPH03131073A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Canon Inc | 光起電力素子 |
| US5256887A (en) * | 1991-07-19 | 1993-10-26 | Solarex Corporation | Photovoltaic device including a boron doping profile in an i-type layer |
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