JPH0583199B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0583199B2 JPH0583199B2 JP63318553A JP31855388A JPH0583199B2 JP H0583199 B2 JPH0583199 B2 JP H0583199B2 JP 63318553 A JP63318553 A JP 63318553A JP 31855388 A JP31855388 A JP 31855388A JP H0583199 B2 JPH0583199 B2 JP H0583199B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- amorphous silicon
- glass substrate
- electrode
- patterned metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 7
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光電変換効率の高いアモルフアスシリ
コン太陽電池に関する。
コン太陽電池に関する。
従来の高効率アモルフアスシリコン太陽電池は
特開昭61−251177号公報に記載のように、ガラス
基板の上に膜厚の厚い凹凸の大きな透明電極（酸
化錫）を形成しこの上に、ｐ型ａ−SiC：Ｈ、ｉ
型ａ−Si：Ｈ、ｎ型μc（微結晶）−Si：Ｈ、金属電
極を順次形成した構造となつている。この構造で
は入射した光が凹凸状透明電極と金属電極の間に
閉じ込められ、有効に光生成キヤリアに変換でき
るという特長を有す。
特開昭61−251177号公報に記載のように、ガラス
基板の上に膜厚の厚い凹凸の大きな透明電極（酸
化錫）を形成しこの上に、ｐ型ａ−SiC：Ｈ、ｉ
型ａ−Si：Ｈ、ｎ型μc（微結晶）−Si：Ｈ、金属電
極を順次形成した構造となつている。この構造で
は入射した光が凹凸状透明電極と金属電極の間に
閉じ込められ、有効に光生成キヤリアに変換でき
るという特長を有す。
これに対し、透明電極を凹凸代する代りに、ガ
ラス基板表面に凹凸を形成し太陽電池基板に用い
たものが特開昭57−49275号公報にある。
ラス基板表面に凹凸を形成し太陽電池基板に用い
たものが特開昭57−49275号公報にある。
上記従来技術前者では、表面凹凸化のため透明
電極が8000〜9000Åと厚く形成され、かつ低抵抗
化のため不純物添加がなされている。従つて、該
透明電極での光透過率（75〜85％）が低いという
問題があつた。また、透明電極の凹凸化は、透明
電極形成時の化学反応によりなされるため制御性
が悪く、凹凸の形状が不規則であり再現性に乏し
いという問題があつた。
電極が8000〜9000Åと厚く形成され、かつ低抵抗
化のため不純物添加がなされている。従つて、該
透明電極での光透過率（75〜85％）が低いという
問題があつた。また、透明電極の凹凸化は、透明
電極形成時の化学反応によりなされるため制御性
が悪く、凹凸の形状が不規則であり再現性に乏し
いという問題があつた。
さらに、上記従来技術は両者とも透明電極とア
モルフアスシリコン膜との間に反応があり、該反
応がアモルフアスシリコン太陽電池の高効率化を
制限しているという問題があつた。特に上記従来
技術後者では透明電極にITO（酸化インジウム錫）
を用いているため上記反応による太陽電池の特性
低下の問題は大きかつた。
モルフアスシリコン膜との間に反応があり、該反
応がアモルフアスシリコン太陽電池の高効率化を
制限しているという問題があつた。特に上記従来
技術後者では透明電極にITO（酸化インジウム錫）
を用いているため上記反応による太陽電池の特性
低下の問題は大きかつた。
従つて本発明の目的は、上記問題点を解決し、
光電変換効率の高いアモルフアシリコン太陽電池
を提供することにある。
光電変換効率の高いアモルフアシリコン太陽電池
を提供することにある。
上記目的を達成するため、従来の太陽電池にお
いて凹凸透明電極が兼ね備えていた光有効利用の
ための凹凸形状と電流取り出し電極としての役割
を凹凸ガラス基板とパターン状金属電極に役割分
担させたものである。
いて凹凸透明電極が兼ね備えていた光有効利用の
ための凹凸形状と電流取り出し電極としての役割
を凹凸ガラス基板とパターン状金属電極に役割分
担させたものである。
上記目的を達成するため表面に凹凸を形成した
ガラス基板（凹凸ガラス基板と略す）を凹凸表面
上にパターン状金属電極を形成し、この上にpin
型アモルフアスシリコン太陽電池を形成したもの
である。
ガラス基板（凹凸ガラス基板と略す）を凹凸表面
上にパターン状金属電極を形成し、この上にpin
型アモルフアスシリコン太陽電池を形成したもの
である。
さらに、上記目的を達成するため、凹凸ガラス
基板上に、屈折率1.7〜2.5の絶縁光透過膜、パタ
ーン状金属電極、ｐ型微結晶シリコン、ｉおよび
ｎ型アモルフアスシリコン系材料層を順次形成し
アモルフアスシリコン太陽電池としたものであ
る。
基板上に、屈折率1.7〜2.5の絶縁光透過膜、パタ
ーン状金属電極、ｐ型微結晶シリコン、ｉおよび
ｎ型アモルフアスシリコン系材料層を順次形成し
アモルフアスシリコン太陽電池としたものであ
る。
また、上記目的を達成するために、凹凸ガラス
基板上に、パターン状金属電極と膜厚4000Å以下
あるいはシート抵抗30Ω／□以上の透明電極を形
成し、さらに、ｐ、ｉ、ｎ型アモルフアスシリコ
ン系材料層を順次形成しアモルフアスシリコン太
陽電池としたものである。
基板上に、パターン状金属電極と膜厚4000Å以下
あるいはシート抵抗30Ω／□以上の透明電極を形
成し、さらに、ｐ、ｉ、ｎ型アモルフアスシリコ
ン系材料層を順次形成しアモルフアスシリコン太
陽電池としたものである。
〔作用〕
ガラス基板表面の凹凸化は、機械加工や型押し
あるいはフオトレジストによるパターニングと化
学エツチング等により実現可能なため、透明電極
の凹凸化に比べ制御性・均質性が非常に高い。従
つて、該凹凸基板は太陽電池の大面積化に適して
いる。さらに、光入射側電極にパターン状金属電
極のみあるいは高抵抗薄膜透明電極との組み合わ
せを用いることにより光吸収損およびアモルフア
スシリコンとの反応を低減することができ、アモ
ルフアスシリコン太陽電池の高効率化が実現でき
る。従来型太陽電池用の凹凸透明電極は、膜厚
8000〜9000Å、シート抵抗５〜15Ω／□、光透過
75〜85％のSnO2であつた。シート抵抗と光透過
率の間には第５図に示す関係があり、シート抵抗
を30Ω／□以上とすることにより光透過率を90％
以上とすることができる。このとき膜厚は4000Å
以下となる。パターン状金属電極のみを用いる場
合には、ガラス基板の屈折率1.45とアモルフアス
シリコン系材料の屈折率3.5〜4.0の差が大きいた
め、両者間に屈折率2.1前後、即ち1.7〜25の光透
過膜を形成することにより光学マツチングを改善
し、入射光の界面反射損を低減させることができ
る。
あるいはフオトレジストによるパターニングと化
学エツチング等により実現可能なため、透明電極
の凹凸化に比べ制御性・均質性が非常に高い。従
つて、該凹凸基板は太陽電池の大面積化に適して
いる。さらに、光入射側電極にパターン状金属電
極のみあるいは高抵抗薄膜透明電極との組み合わ
せを用いることにより光吸収損およびアモルフア
スシリコンとの反応を低減することができ、アモ
ルフアスシリコン太陽電池の高効率化が実現でき
る。従来型太陽電池用の凹凸透明電極は、膜厚
8000〜9000Å、シート抵抗５〜15Ω／□、光透過
75〜85％のSnO2であつた。シート抵抗と光透過
率の間には第５図に示す関係があり、シート抵抗
を30Ω／□以上とすることにより光透過率を90％
以上とすることができる。このとき膜厚は4000Å
以下となる。パターン状金属電極のみを用いる場
合には、ガラス基板の屈折率1.45とアモルフアス
シリコン系材料の屈折率3.5〜4.0の差が大きいた
め、両者間に屈折率2.1前後、即ち1.7〜25の光透
過膜を形成することにより光学マツチングを改善
し、入射光の界面反射損を低減させることができ
る。
また、パターン状金属電極あるいは高抵抗薄膜
透明電極側のアモルフアスシリコン系材料を微結
晶化することにより、太陽電池の直列抵抗を下げ
ることができ、太陽光照射下ので直列抵抗による
特性低下を低減し、高効率化を実現することでき
る。
透明電極側のアモルフアスシリコン系材料を微結
晶化することにより、太陽電池の直列抵抗を下げ
ることができ、太陽光照射下ので直列抵抗による
特性低下を低減し、高効率化を実現することでき
る。
以下、本発明の実施例を説明する。
実施例 １
第１図と第２図を用いて説明する。
ガラス基板１の一表面に機械研削法を用い、山
形の溝を形成した。ここで山の頂間距離を50μ
ｍ、山の高さを40μｍとした。該凹凸面上に、パ
ターン状Cr電極２を形成した。この電極パター
ンの一例を第２図に示す。次に、ｐ型半導体層３
として、Ｂをドーパントとして含む150Å膜圧の
微結晶SiC：Ｈ膜を、マイクロ波プラズマCVD法
により形成した。続いて、ｉ型半導体層４として
5000ÅのアモルフアスSi：Ｈを、さらに、ｎ型半
導体層５としてＰをドーパントとして含む300Å
の微結晶Si：ＨをRFプラズマCVD法により形成
した。その後裏面電極６としてAlを蒸着し太陽
電池とした。該太陽電池の短絡電流密度は凹凸透
明電極上にｐ型アモルフアスSiC：Ｈを形成した
従来型太陽電池に比べ５％高い値を示し、かつｐ
型半導体層に微結晶層を用いたため開放電圧が５
％大きい値を示した。なお、凹凸透明電極にｐ型
微結晶SiC：Ｈを直接形成した太陽電池では透明
電極とｐ型層の反応等のためその光電変換効率は
上記従来型太陽電池の1/4以下の非常に悪い値で
あつた。以上の如く本実施例によれば、短絡電流
密度と開放電圧を高くでき、従つて高効率太陽電
池を得ることができる。
形の溝を形成した。ここで山の頂間距離を50μ
ｍ、山の高さを40μｍとした。該凹凸面上に、パ
ターン状Cr電極２を形成した。この電極パター
ンの一例を第２図に示す。次に、ｐ型半導体層３
として、Ｂをドーパントとして含む150Å膜圧の
微結晶SiC：Ｈ膜を、マイクロ波プラズマCVD法
により形成した。続いて、ｉ型半導体層４として
5000ÅのアモルフアスSi：Ｈを、さらに、ｎ型半
導体層５としてＰをドーパントとして含む300Å
の微結晶Si：ＨをRFプラズマCVD法により形成
した。その後裏面電極６としてAlを蒸着し太陽
電池とした。該太陽電池の短絡電流密度は凹凸透
明電極上にｐ型アモルフアスSiC：Ｈを形成した
従来型太陽電池に比べ５％高い値を示し、かつｐ
型半導体層に微結晶層を用いたため開放電圧が５
％大きい値を示した。なお、凹凸透明電極にｐ型
微結晶SiC：Ｈを直接形成した太陽電池では透明
電極とｐ型層の反応等のためその光電変換効率は
上記従来型太陽電池の1/4以下の非常に悪い値で
あつた。以上の如く本実施例によれば、短絡電流
密度と開放電圧を高くでき、従つて高効率太陽電
池を得ることができる。
実施例 ２
第３図を用いて説明する。
実施例１のガラス基板１とCr電極２の間に光
透過膜３１として600Å厚のTiO膜を熱CVD法に
より形成し、他は実施例１と全く同じ構造の第３
図に示す太陽電池を作成した。該太陽電池では、
ガラス、TiO、ｐ型微結晶SiC：Ｈの屈折率がそ
れぞれ1.45、2.2、3.6であるため、TiOを設ける
ことにより屈折率のマツチングが良くなり光の界
面反射損が低減した結果太陽電池の短絡電流密度
が上記従来型に比べ10％以上高い値を示した。
透過膜３１として600Å厚のTiO膜を熱CVD法に
より形成し、他は実施例１と全く同じ構造の第３
図に示す太陽電池を作成した。該太陽電池では、
ガラス、TiO、ｐ型微結晶SiC：Ｈの屈折率がそ
れぞれ1.45、2.2、3.6であるため、TiOを設ける
ことにより屈折率のマツチングが良くなり光の界
面反射損が低減した結果太陽電池の短絡電流密度
が上記従来型に比べ10％以上高い値を示した。
なお、光透過膜３１としては上記のTiO以外に
SiO、Ta2O5、MgO、ａ−Si3N4、ａ−Si0.5C0.5等
を用いてもよい。
SiO、Ta2O5、MgO、ａ−Si3N4、ａ−Si0.5C0.5等
を用いてもよい。
実施例 ３
実施例２におけるSiOを膜厚3000Å、シート抵
抗150Ω／□のSnO2膜に、ｐ型微結晶SiC：Ｈを
ｐ型アモルフアスSiC：Ｈに変更し、他は実施例
２と同じ構造の太陽電池を作成した。高シート抵
抗の薄膜SnO2の使用により光透過率が増したた
め、該太陽電池の短絡電流密度は上記従来型に比
べ10％以上高い値を示した。
抗150Ω／□のSnO2膜に、ｐ型微結晶SiC：Ｈを
ｐ型アモルフアスSiC：Ｈに変更し、他は実施例
２と同じ構造の太陽電池を作成した。高シート抵
抗の薄膜SnO2の使用により光透過率が増したた
め、該太陽電池の短絡電流密度は上記従来型に比
べ10％以上高い値を示した。
実施例 ４
第４図を用いて説明する。
上記実施例１〜４の太陽電池素子を直列接続す
る場合、ガラス基板１の素子部表面は凹凸化し、
素子間接続部は平坦なままとした。該ガラス基板
上に実施例２と同じ構造の太陽電池素子を形成し
た。即ち、TiO３１、パターン状Cr電極２、ｐ
型半導体層３、ｉ型半導体層４、ｎ型半導体層５
を順次形成した。次にこれら半導体層をレーザー
光によりパターニングし、この上にAl電極６を
マスク蒸着した。素子間接続部の基板表面を平坦
なままにすることにより半導体層のパターニング
が非常に容易となつた。
る場合、ガラス基板１の素子部表面は凹凸化し、
素子間接続部は平坦なままとした。該ガラス基板
上に実施例２と同じ構造の太陽電池素子を形成し
た。即ち、TiO３１、パターン状Cr電極２、ｐ
型半導体層３、ｉ型半導体層４、ｎ型半導体層５
を順次形成した。次にこれら半導体層をレーザー
光によりパターニングし、この上にAl電極６を
マスク蒸着した。素子間接続部の基板表面を平坦
なままにすることにより半導体層のパターニング
が非常に容易となつた。
本発明によれば、凹凸ガラス基板を用いること
により入射光の有効利用ができ、低抵抗透明電極
の代りにパターン状金属電極のみあるいは高抵抗
透明電極との組合わせを用いることによりアモル
フアスシリコン系材料との反応を低減させること
ができるため、短絡電流密度の高い、したがつて
高効率のアモルフアス太陽電池を得ることができ
る。
により入射光の有効利用ができ、低抵抗透明電極
の代りにパターン状金属電極のみあるいは高抵抗
透明電極との組合わせを用いることによりアモル
フアスシリコン系材料との反応を低減させること
ができるため、短絡電流密度の高い、したがつて
高効率のアモルフアス太陽電池を得ることができ
る。
また、パターン状金属電極と屈折率1.7〜2.5の
光透過膜を組み合わせることにより、短絡電流密
度のさらに高い太陽電池を得ることができる。
光透過膜を組み合わせることにより、短絡電流密
度のさらに高い太陽電池を得ることができる。
また、光入射側のｐ型あるいはｎ型半導体層を
微結晶シリコンあるいは微結晶シリコン合金とす
ることにより、高い開放電圧が得られる。上記高
い短絡電流密度とあわせることにより一層の高効
率化を達成することが可能である。
微結晶シリコンあるいは微結晶シリコン合金とす
ることにより、高い開放電圧が得られる。上記高
い短絡電流密度とあわせることにより一層の高効
率化を達成することが可能である。
さらに、本発明を集積化アモルフアス太陽電池
に適用する場合、素子間接合部のガラス表面を平
坦なまま、あるいはなめらかにすることにより、
集積型太陽電池の作製を容易にすることができ
る。
に適用する場合、素子間接合部のガラス表面を平
坦なまま、あるいはなめらかにすることにより、
集積型太陽電池の作製を容易にすることができ
る。
第１図は本発明の実施例１を示す縦断面図、第
２図は本発明の実施例１のCr電極パターン図で
ある。第３図は本発明の実施例２を示す縦断面
図、第４図は本発明の実施例４を示す縦断面図で
ある。第５図は酸化錫透明電極のシート抵抗と光
透過率の関係を示す図である。 １……ガラス基板、２……パターン状金属電
極、３……ｐ型半導体層、４……ｉ型半導体層、
５……ｎ型半導体層、６……金属電極、３１……
光透過膜。
２図は本発明の実施例１のCr電極パターン図で
ある。第３図は本発明の実施例２を示す縦断面
図、第４図は本発明の実施例４を示す縦断面図で
ある。第５図は酸化錫透明電極のシート抵抗と光
透過率の関係を示す図である。 １……ガラス基板、２……パターン状金属電
極、３……ｐ型半導体層、４……ｉ型半導体層、
５……ｎ型半導体層、６……金属電極、３１……
光透過膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 表面に凹凸が形成されたガラス基板と、該ガ
ラス基板の凹凸表面上にアモルフアスシリコン系
材料で構成された太陽電池素子が集積型に形成さ
れたアモルフアスシリコン太陽電池において、上
記太陽電池素子間の接合部の上記ガラス基板表面
の凹凸は上記太陽電池素子形成部よりも全体的に
ゆるやかであることを特徴とするアモルフアスシ
リコン太陽電池。 ２ 上記太陽電池素子の上記ガラス基板側の電極
としてパターン状金属電極を有する請求項１記載
のアモルフアスシリコン太陽電池。 ３ 上記パターン状金属電極の上記ガラス基板側
および反対側の少なくとも一方に接して屈折率が
1.7〜2.5の光透過膜が形成されている請求項２記
載のアモルフアスシリコン太陽電池。 ４ 上記パターン状金属電極の上記ガラス基板側
および反対側の少なくとも一方にシート抵抗が30
Ω／□以上の透明電極が形成されている請求項２
又は３記載のアモルフアスシリコン太陽電池。 ５ 上記太陽電池素子を構成するアモルフアスシ
リコン系材料のうち上記パターン状金属電極に最
も近接したｐ型またはｎ型のアモルフアスシリコ
ン系材料は、微結晶シリコンまたは微結晶シリコ
ン合金である請求項２乃至４のいずれか一項に記
載のアモルフアスシリコン太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63318553A JPH02164077A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | アモルファスシリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63318553A JPH02164077A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | アモルファスシリコン太陽電池 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02164077A JPH02164077A (ja) | 1990-06-25 |
| JPH0583199B2 true JPH0583199B2 (ja) | 1993-11-25 |
Family
ID=18100417
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63318553A Granted JPH02164077A (ja) | 1988-12-19 | 1988-12-19 | アモルファスシリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02164077A (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05267702A (ja) * | 1992-03-19 | 1993-10-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 集積型太陽電池装置 |
| JPH07283429A (ja) * | 1994-04-04 | 1995-10-27 | Hitachi Ltd | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| JP3431776B2 (ja) * | 1995-11-13 | 2003-07-28 | シャープ株式会社 | 太陽電池用基板の製造方法および太陽電池用基板加工装置 |
| KR100908711B1 (ko) * | 2002-11-13 | 2009-07-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막형 실리콘 태양 전지 |
| JP2007201304A (ja) | 2006-01-30 | 2007-08-09 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池およびその製造方法 |
| US20080178932A1 (en) * | 2006-11-02 | 2008-07-31 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| US8012317B2 (en) * | 2006-11-02 | 2011-09-06 | Guardian Industries Corp. | Front electrode including transparent conductive coating on patterned glass substrate for use in photovoltaic device and method of making same |
| KR100997112B1 (ko) * | 2008-07-23 | 2010-11-30 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 |
| WO2010044269A1 (ja) | 2008-10-17 | 2010-04-22 | 株式会社アルバック | 太陽電池の製造方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5651880A (en) * | 1979-10-04 | 1981-05-09 | Fuji Electric Co Ltd | Amorphous semiconductor photocell |
| JPS5749278A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | Amorphous silicone solar cell |
| JPS57173982A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-26 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | Solar battery module |
| JPS5827377A (ja) * | 1981-08-11 | 1983-02-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 太陽電池素子の製造方法 |
| JPS60102773A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-06 | Hitachi Ltd | アモルフアス系太陽電池 |
| JPS61241983A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPS61278171A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜光電変換素子 |
| JPS62276884A (ja) * | 1986-05-24 | 1987-12-01 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池素子 |
| JPS6350145B2 (ja) * | 1979-07-26 | 1988-10-06 | Emu Aa Enu Rooranto Dorutsukumashiinen Ag |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6350145U (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-05 |
-
1988
- 1988-12-19 JP JP63318553A patent/JPH02164077A/ja active Granted
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6350145B2 (ja) * | 1979-07-26 | 1988-10-06 | Emu Aa Enu Rooranto Dorutsukumashiinen Ag | |
| JPS5651880A (en) * | 1979-10-04 | 1981-05-09 | Fuji Electric Co Ltd | Amorphous semiconductor photocell |
| JPS5749278A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-23 | Mitsubishi Electric Corp | Amorphous silicone solar cell |
| JPS57173982A (en) * | 1981-04-21 | 1982-10-26 | Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd | Solar battery module |
| JPS5827377A (ja) * | 1981-08-11 | 1983-02-18 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 太陽電池素子の製造方法 |
| JPS60102773A (ja) * | 1983-11-09 | 1985-06-06 | Hitachi Ltd | アモルフアス系太陽電池 |
| JPS61241983A (ja) * | 1985-04-18 | 1986-10-28 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPS61278171A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜光電変換素子 |
| JPS62276884A (ja) * | 1986-05-24 | 1987-12-01 | Sharp Corp | 薄膜太陽電池素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02164077A (ja) | 1990-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07131041A (ja) | 光起電力素子 | |
| JPH0560674B2 (ja) | ||
| JP2003142709A (ja) | 積層型太陽電池およびその製造方法 | |
| JP2986875B2 (ja) | 集積化太陽電池 | |
| JPH04127580A (ja) | 多接合型アモルファスシリコン系太陽電池 | |
| JPH0583199B2 (ja) | ||
| JP3616824B2 (ja) | ｐｉｎ型光電変換素子及び製造方法 | |
| JP4568531B2 (ja) | 集積型太陽電池及び集積型太陽電池の製造方法 | |
| JP2000133828A (ja) | 薄膜太陽電池及びその製造方法 | |
| WO2010150358A1 (ja) | 光起電力装置およびその製造方法 | |
| JP3196155B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH09102623A (ja) | 光起電力素子 | |
| CN114203831A (zh) | 一种背接触钙钛矿硅叠层电池组件及其制备方法和太阳能电池 | |
| JP2968404B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2001015785A (ja) | 光電変換素子 | |
| JP4358493B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JPH03205879A (ja) | 太陽電池 | |
| JPH05145095A (ja) | 光起電力素子 | |
| CN221861670U (zh) | 异质结电池 | |
| JPS6152992B2 (ja) | ||
| JP2975751B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPS612372A (ja) | 光起電力装置 | |
| JP2869178B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH07105509B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH0273672A (ja) | 薄膜光電変換素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |