JPH03205879A - 太陽電池 - Google Patents
太陽電池Info
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- JPH03205879A JPH03205879A JP2000661A JP66190A JPH03205879A JP H03205879 A JPH03205879 A JP H03205879A JP 2000661 A JP2000661 A JP 2000661A JP 66190 A JP66190 A JP 66190A JP H03205879 A JPH03205879 A JP H03205879A
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- solar cell
- glass substrate
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- glass
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野】
本発明は、短絡電流密度の高い高効率アモルファス太陽
電池に関する。
電池に関する。
従来の高効率アモルファスシリコン太陽電池は、特開昭
６１−２５１１７号公報に記載のように、ガラス基板上
に厚膜で凹凸の大きな透明電極（酸化錫）を形成しこの
上に、ｐ型ａ − Ｓ ｉ Ｃ ： Ｈ、ｉ型ａ−Ｓ
ｉ ： Ｈ． ｎ型微結晶Ｓｉ：Ｈ．金属電極を順次形
成した構造となっている。 これに対し，透明電極を凹凸化する代わりに、ガラス基
板表面を凹凸化し太陽電池基板に用いたものが特開昭５
７−４９２７５号公報に記載されている。 ［発明が解決しようする課題】 上記従来技術では，表面凹凸化のため透明電極が８００
０〜９０００Ａと厚く形成され、かつ低抵抗化のため不
純物添加がなされている。従って、該透明電極での光透
過率（７５〜８５％）が低いという問題があった。また
、透明電極の凹凸化は、透明電極形成時の化学反応によ
りなされるため制御性が悪く，凹凸形状が不規則であり
再現性に乏しいという問題があった。 さらに、上記従来技術で用いられた透明電極の代わりに
、パターン状金属電極を用いた場合、該パターン状金属
電極部での光遮蔽は太陽電池の短絡電流の低下をひきお
こす。従って該パターン状金属電極部の面積は出来る限
り狭くし、その分膜厚を厚くすることで電極の断面積を
広くし抵抗によるパワー損失が生じないようにする必要
があった。しかし、単に膜厚を厚くしたのでは、該電極
のエッジで半導体膜が段差切れを起こすという問題があ
った。 従って本発明の目的は，上記問題点を解決し、光電変換
効率の高いアモルファスシリコン太陽電池を提供するこ
とにある。
６１−２５１１７号公報に記載のように、ガラス基板上
に厚膜で凹凸の大きな透明電極（酸化錫）を形成しこの
上に、ｐ型ａ − Ｓ ｉ Ｃ ： Ｈ、ｉ型ａ−Ｓ
ｉ ： Ｈ． ｎ型微結晶Ｓｉ：Ｈ．金属電極を順次形
成した構造となっている。 これに対し，透明電極を凹凸化する代わりに、ガラス基
板表面を凹凸化し太陽電池基板に用いたものが特開昭５
７−４９２７５号公報に記載されている。 ［発明が解決しようする課題】 上記従来技術では，表面凹凸化のため透明電極が８００
０〜９０００Ａと厚く形成され、かつ低抵抗化のため不
純物添加がなされている。従って、該透明電極での光透
過率（７５〜８５％）が低いという問題があった。また
、透明電極の凹凸化は、透明電極形成時の化学反応によ
りなされるため制御性が悪く，凹凸形状が不規則であり
再現性に乏しいという問題があった。 さらに、上記従来技術で用いられた透明電極の代わりに
、パターン状金属電極を用いた場合、該パターン状金属
電極部での光遮蔽は太陽電池の短絡電流の低下をひきお
こす。従って該パターン状金属電極部の面積は出来る限
り狭くし、その分膜厚を厚くすることで電極の断面積を
広くし抵抗によるパワー損失が生じないようにする必要
があった。しかし、単に膜厚を厚くしたのでは、該電極
のエッジで半導体膜が段差切れを起こすという問題があ
った。 従って本発明の目的は，上記問題点を解決し、光電変換
効率の高いアモルファスシリコン太陽電池を提供するこ
とにある。
上記目的を達成するために本発明においては、パターン
状金属電極の遮光面積を狭くするためにパターン幅を狭
くし、その分、膜厚を厚くし、該パターン金属電極部で
の抵抗によるパワー損失を小さくする。かつ、該パター
ン電極をガラス表面に埋め込むことで、ガラス表面と電
極表面の段差を小さくし、該電極のエッジで半導体膜が
段差切れを起こさないようにする。また、該パターン状
金属電極を用いることにより、従来の太陽電池において
凹凸透明電極が兼ね備えていた光有効利用のための凹凸
形状と電流取り出し電極の役割を凹凸ガラス基板とパタ
ーン状金属電極に役割分担させるものである。 ［作用】 パターン状金属電極をガラス基板に形成する場合、ガラ
ス面に溝を形成した後この溝を埋めるように電極を形成
することにより、電極パターンの断面積を広くし、かつ
遮光面積を狭くする事ができる。従って、直列抵抗を小
さくしたまま短絡電流を高く、したがって、太陽電池の
光電変換効率を高くする事が出来る。第１図に示すパタ
ーン電極を考えると、該パターン電極の抵抗によるパワ
ー損失を１％以下にするには，Ｃｒ電極を用いる場合．
Ｃｒ膜厚＝ ０ ． ６ ｐ ｍ、電極間隔ｂ＝１００
μｍとすると電極幅ａは４μｍ以上なければならない。 すなわち、該パターン電極による遮光面積は４％となる
。ガラス面に溝を形成した後この溝を埋めるよう番こ膜
厚２，４μｍ以上のＣｒ電極を形成すれば電極幅は１μ
ｍ以下でよく、パターン電極による遮光面積は１％以下
となる。遮光面積が減少した分だけ短絡電流がます。 ガラス基板表面の凹凸化は、機械加工や型押しあるいは
フォトレジストによるパターニングと化学エッチング等
により実現可能であるため、透明電極の凹凸化に比べ制
御性、均質性が非常に高い。 従って、該凹凸ガラス基板は太陽電池の大面積化に適し
ている。さらに、光入射側電極にパターン状電極のみあ
るいは高抵抗薄膜透明電極との組合せを用いることによ
り光吸収損およびアモルファスシリコンとの反応を低減
することができ、アモルファスシリコン太陽電池の高効
率化が実現できる。パターン状電極のみを用いる場合に
は，ガラス基板の屈折率１．４５とアモルファスシリコ
ン系材料の屈折率３．５〜４．０の差が大きいため、両
者間に屈折率２．１前後、すなわち１．７〜２．５の光
透過膜を形成することにより光学マッチングを改善し、
入射光の界面反射損を低減させることが出来る。もちろ
ん多層構造とすることにより、反射損失をより低減する
ことが出来る。 また、パターン状金属電極あるいは高抵抗薄膜透明電極
側のアモルファスシリコン系材料を微結晶化することに
より、太陽電池の直列抵抗を下げることができ、太陽光
照射下での直列抵抗による特性低下を実現することがで
きる。 ［実施例】 以下、本発明の実施例を説明する。 実施例１ 第２図を用いて説明する。 ガラス基板２１の一表面に化学エッチング法により１μ
ｍ幅、３μｍ深さの溝を形成した。該溝入りガラス上に
Ｃｒを蒸着後平坦部のＣｒを除去しパターン状Ｃｒ電極
２２を形或した。次に、膜厚８００Ａの酸化錫透明電＃
＠２３を形成し、この上に、ｐ型半導体層４として，Ｂ
をドーパントとして含む１５０Ａ膜厚のａ − Ｓ ｉ
Ｃ ： Ｈ膜２４を，続いて，ｉ型Ｓｉ：Ｈ膜２５を
、さらに，ｎ型半導体層として、Ｐをドーパントとして
含む３００Ａ（７）微結晶Ｓｉ ：Ｈ膜２６をＲＦプラ
ズマＣｖＤ法により形或した。その後裏面電極としてＡ
１２７を蒸着し太陽電池とした。該太陽電池の短絡電流
密度は、厚膜の凹凸透明電極上を用いた従来太陽電池に
比べ５％高い値を示た。以上の如く、本実施例によれば
、短絡電流密度を高くでき、従って高効率太陽電池を得
ることができる。 実施例２ 第３図を用いて説明する。 ガラス基板３１の一表面に機械研削法を用い，山形の溝
を形成した。ここで山の頂間の距離を５０μｍ、山の高
さを４０μｍとした。該凹凸面上に、化学エッチング法
により１μｍ幅、３μｍ深さの溝を形成した。該溝部に
選択的にＣｒを形成し，パターン状Ｃｒ電極３２を形成
した。次に、ｐ型半導体層として，Ｂをドーパントとし
て含む１５０Ａ膜厚の微結晶ＳｉＣ：Ｈ膜３３を、マイ
クロ波プラズマＣＶＤ法により形成した。続いて，ｉ型
Ｓｉ ：Ｈ膜３４を、さらに，ｎ型半導体層として、Ｐ
をドーパントして含む３００Ａの微結晶ＳＩ ：Ｈ膜３
５をＲＦプラズマＣＶＤ法により形成した。その後裏面
電極としてＡ１３６を蒸着し太陽電池とした。該太陽電
池の短絡電流密度は、凹凸透明電極上にｐ型ａ−ＳｉＣ
：Ｈを形成した従来太陽電池に比べ５％高い値を示し，
かつｐ型半導体層に微結晶層を用いたため開放電圧が５
％大きい値を示した。なお，凹凸透明電極にｐ型微結晶
Ｓ ｉ Ｃ ： Ｈを直接形成した太陽電池では，透明
電極とｐ型層の反応等のためその光変換効率は上記従来
太陽電池の１／４以下の非常に悪い値であった。以上の
如く、本実施例によれば、短絡電流密度と開放電圧を高
くでき、従って高効率太陽電池を得ることができる。 実施例３ 第４図を用いて説明する。 実施例２と同様にガラス面を凹凸化し、パターン状Ｃｒ
電極４２を形成した。次に、屈折率２．２のＴｉＯ膜４
３を形成した，この上に，実施例２と同様に、ｐ型微結
晶Ｓ ｉ Ｃ ： Ｈ膜４４、ｉ型Ｓｉ：Ｈ膜４５、ｎ
型微結晶Ｓｉ ：Ｈ膜４６を形成した。その後裏面電極
としてＡｌ膜４７を蒸着し太陽電池とした。該太陽電池
の短絡電流密度は、凹凸透明電極上にｐ型ａ − Ｓ
ｉ Ｃ ： Ｈを形成した従来太陽電池に比べ１５％高
い値を示し、かつＰ型半導体層に微結晶層を用いたため
開放電圧が５％大きい値を示した。本実施例によれば、
短絡電流密度と開放電圧を高くでき、従って高効率太陽
電池を得ることができる。
状金属電極の遮光面積を狭くするためにパターン幅を狭
くし、その分、膜厚を厚くし、該パターン金属電極部で
の抵抗によるパワー損失を小さくする。かつ、該パター
ン電極をガラス表面に埋め込むことで、ガラス表面と電
極表面の段差を小さくし、該電極のエッジで半導体膜が
段差切れを起こさないようにする。また、該パターン状
金属電極を用いることにより、従来の太陽電池において
凹凸透明電極が兼ね備えていた光有効利用のための凹凸
形状と電流取り出し電極の役割を凹凸ガラス基板とパタ
ーン状金属電極に役割分担させるものである。 ［作用】 パターン状金属電極をガラス基板に形成する場合、ガラ
ス面に溝を形成した後この溝を埋めるように電極を形成
することにより、電極パターンの断面積を広くし、かつ
遮光面積を狭くする事ができる。従って、直列抵抗を小
さくしたまま短絡電流を高く、したがって、太陽電池の
光電変換効率を高くする事が出来る。第１図に示すパタ
ーン電極を考えると、該パターン電極の抵抗によるパワ
ー損失を１％以下にするには，Ｃｒ電極を用いる場合．
Ｃｒ膜厚＝ ０ ． ６ ｐ ｍ、電極間隔ｂ＝１００
μｍとすると電極幅ａは４μｍ以上なければならない。 すなわち、該パターン電極による遮光面積は４％となる
。ガラス面に溝を形成した後この溝を埋めるよう番こ膜
厚２，４μｍ以上のＣｒ電極を形成すれば電極幅は１μ
ｍ以下でよく、パターン電極による遮光面積は１％以下
となる。遮光面積が減少した分だけ短絡電流がます。 ガラス基板表面の凹凸化は、機械加工や型押しあるいは
フォトレジストによるパターニングと化学エッチング等
により実現可能であるため、透明電極の凹凸化に比べ制
御性、均質性が非常に高い。 従って、該凹凸ガラス基板は太陽電池の大面積化に適し
ている。さらに、光入射側電極にパターン状電極のみあ
るいは高抵抗薄膜透明電極との組合せを用いることによ
り光吸収損およびアモルファスシリコンとの反応を低減
することができ、アモルファスシリコン太陽電池の高効
率化が実現できる。パターン状電極のみを用いる場合に
は，ガラス基板の屈折率１．４５とアモルファスシリコ
ン系材料の屈折率３．５〜４．０の差が大きいため、両
者間に屈折率２．１前後、すなわち１．７〜２．５の光
透過膜を形成することにより光学マッチングを改善し、
入射光の界面反射損を低減させることが出来る。もちろ
ん多層構造とすることにより、反射損失をより低減する
ことが出来る。 また、パターン状金属電極あるいは高抵抗薄膜透明電極
側のアモルファスシリコン系材料を微結晶化することに
より、太陽電池の直列抵抗を下げることができ、太陽光
照射下での直列抵抗による特性低下を実現することがで
きる。 ［実施例】 以下、本発明の実施例を説明する。 実施例１ 第２図を用いて説明する。 ガラス基板２１の一表面に化学エッチング法により１μ
ｍ幅、３μｍ深さの溝を形成した。該溝入りガラス上に
Ｃｒを蒸着後平坦部のＣｒを除去しパターン状Ｃｒ電極
２２を形或した。次に、膜厚８００Ａの酸化錫透明電＃
＠２３を形成し、この上に、ｐ型半導体層４として，Ｂ
をドーパントとして含む１５０Ａ膜厚のａ − Ｓ ｉ
Ｃ ： Ｈ膜２４を，続いて，ｉ型Ｓｉ：Ｈ膜２５を
、さらに，ｎ型半導体層として、Ｐをドーパントとして
含む３００Ａ（７）微結晶Ｓｉ ：Ｈ膜２６をＲＦプラ
ズマＣｖＤ法により形或した。その後裏面電極としてＡ
１２７を蒸着し太陽電池とした。該太陽電池の短絡電流
密度は、厚膜の凹凸透明電極上を用いた従来太陽電池に
比べ５％高い値を示た。以上の如く、本実施例によれば
、短絡電流密度を高くでき、従って高効率太陽電池を得
ることができる。 実施例２ 第３図を用いて説明する。 ガラス基板３１の一表面に機械研削法を用い，山形の溝
を形成した。ここで山の頂間の距離を５０μｍ、山の高
さを４０μｍとした。該凹凸面上に、化学エッチング法
により１μｍ幅、３μｍ深さの溝を形成した。該溝部に
選択的にＣｒを形成し，パターン状Ｃｒ電極３２を形成
した。次に、ｐ型半導体層として，Ｂをドーパントとし
て含む１５０Ａ膜厚の微結晶ＳｉＣ：Ｈ膜３３を、マイ
クロ波プラズマＣＶＤ法により形成した。続いて，ｉ型
Ｓｉ ：Ｈ膜３４を、さらに，ｎ型半導体層として、Ｐ
をドーパントして含む３００Ａの微結晶ＳＩ ：Ｈ膜３
５をＲＦプラズマＣＶＤ法により形成した。その後裏面
電極としてＡ１３６を蒸着し太陽電池とした。該太陽電
池の短絡電流密度は、凹凸透明電極上にｐ型ａ−ＳｉＣ
：Ｈを形成した従来太陽電池に比べ５％高い値を示し，
かつｐ型半導体層に微結晶層を用いたため開放電圧が５
％大きい値を示した。なお，凹凸透明電極にｐ型微結晶
Ｓ ｉ Ｃ ： Ｈを直接形成した太陽電池では，透明
電極とｐ型層の反応等のためその光変換効率は上記従来
太陽電池の１／４以下の非常に悪い値であった。以上の
如く、本実施例によれば、短絡電流密度と開放電圧を高
くでき、従って高効率太陽電池を得ることができる。 実施例３ 第４図を用いて説明する。 実施例２と同様にガラス面を凹凸化し、パターン状Ｃｒ
電極４２を形成した。次に、屈折率２．２のＴｉＯ膜４
３を形成した，この上に，実施例２と同様に、ｐ型微結
晶Ｓ ｉ Ｃ ： Ｈ膜４４、ｉ型Ｓｉ：Ｈ膜４５、ｎ
型微結晶Ｓｉ ：Ｈ膜４６を形成した。その後裏面電極
としてＡｌ膜４７を蒸着し太陽電池とした。該太陽電池
の短絡電流密度は、凹凸透明電極上にｐ型ａ − Ｓ
ｉ Ｃ ： Ｈを形成した従来太陽電池に比べ１５％高
い値を示し、かつＰ型半導体層に微結晶層を用いたため
開放電圧が５％大きい値を示した。本実施例によれば、
短絡電流密度と開放電圧を高くでき、従って高効率太陽
電池を得ることができる。
本発明によれば、パターン状金属電極をガラス基板に埋
め込むことにより、該パターン状金属電極による抵抗損
を増さずに遮光面積を狭くする事が出来る。従って、短
絡電流密度の高い、高効率太陽電池を得ることができる
。 また、凹凸ガラス基板を用いることにより入射光の有効
利用ができ、低抵抗透明電極の代わりにパターン状金属
電極のみあるいは高抵抗透明電極との組合せを用いるこ
とによりアモルファスシリコン系材料との反応を低減さ
せることが出来るため，高効率のアモルファスシリコン
太陽電池を得ることができる。 また、パターン状金属電極と屈折率１．７〜２，５の光
透過膜を組み合わせることにより、短絡電流密度のさら
に高い太陽電池を得ることができる。光入射側のｐ型あ
るいはｎ型半導体層を微結晶シリコンあるいは微結晶シ
リコン合金とすることにより、また多層化により高い開
放電圧が得られる。上記高い短絡電流密度とあわせるこ
と■こより一層の高効率化を達成することが可能である
。
め込むことにより、該パターン状金属電極による抵抗損
を増さずに遮光面積を狭くする事が出来る。従って、短
絡電流密度の高い、高効率太陽電池を得ることができる
。 また、凹凸ガラス基板を用いることにより入射光の有効
利用ができ、低抵抗透明電極の代わりにパターン状金属
電極のみあるいは高抵抗透明電極との組合せを用いるこ
とによりアモルファスシリコン系材料との反応を低減さ
せることが出来るため，高効率のアモルファスシリコン
太陽電池を得ることができる。 また、パターン状金属電極と屈折率１．７〜２，５の光
透過膜を組み合わせることにより、短絡電流密度のさら
に高い太陽電池を得ることができる。光入射側のｐ型あ
るいはｎ型半導体層を微結晶シリコンあるいは微結晶シ
リコン合金とすることにより、また多層化により高い開
放電圧が得られる。上記高い短絡電流密度とあわせるこ
と■こより一層の高効率化を達成することが可能である
。
第ｌ図は本発明の一実施例のパターン状金属電極の平面
図、第２図ないし第４図は本発明の実施例の太陽電池を
示す縦断面図である。 符号の説明 ２１，３１、４１・・・ガラス基板 ２２、３２、４２・・・パターン状金属電極２３・・・
透明電極 ２４・・・ｐ型水素化アモルファスＳｉＣ４３・・・透
明膜 ３３，４４・・・ｐ型水素化微結晶ＳｉＣ２５．３４、
４５・・・ｉ型水素化アモルファスＳｉ２６、３５、４
６・・・ｎ型水素化微結晶Ｓｉ名 図 第 ２ 団 告
図、第２図ないし第４図は本発明の実施例の太陽電池を
示す縦断面図である。 符号の説明 ２１，３１、４１・・・ガラス基板 ２２、３２、４２・・・パターン状金属電極２３・・・
透明電極 ２４・・・ｐ型水素化アモルファスＳｉＣ４３・・・透
明膜 ３３，４４・・・ｐ型水素化微結晶ＳｉＣ２５．３４、
４５・・・ｉ型水素化アモルファスＳｉ２６、３５、４
６・・・ｎ型水素化微結晶Ｓｉ名 図 第 ２ 団 告
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ガラス基板を有する太陽電池において、ガラス基板
側のパターン状金属電極がガラス基板に埋め込まれてい
ることを特徴とする太陽電池。 ２、特許請求の範囲第１項記載の太陽電池において、太
陽電池が、アモルファスシリコン、アモルファスシリコ
ン合金、微結晶シリコン、微結晶シリコン合金等、アモ
ルファスシリコン系材料の積層からなることを特徴とす
る太陽電池。 ３、特許請求の範囲第１項もしくは第２項記載の太陽電
池において、ガラス基板表面に凹凸が形成されているこ
とを特徴とする太陽電池。 ４、特許請求の範囲第１項、第２項および第３項のいず
れかに記載の太陽電池において、パターン状金属電極と
アモルファスシリコン系材料の間の少なくとも一部分に
屈折率１．７〜２．５の光透過膜を形成したことを特徴
とする太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000661A JPH03205879A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000661A JPH03205879A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03205879A true JPH03205879A (ja) | 1991-09-09 |
Family
ID=11479912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000661A Pending JPH03205879A (ja) | 1990-01-08 | 1990-01-08 | 太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03205879A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6072117A (en) * | 1996-02-27 | 2000-06-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device provided with an opaque substrate having a specific irregular surface structure |
| WO2009108800A3 (en) * | 2008-02-28 | 2009-11-05 | Sunlight Photonics Inc. | Method and appartus for fabricating composite substrates for thin film electro-optical devices |
| CN109860324A (zh) * | 2019-02-27 | 2019-06-07 | 湖南红太阳光电科技有限公司 | 背面全钝化接触太阳能电池及其制备方法 |
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1990
- 1990-01-08 JP JP2000661A patent/JPH03205879A/ja active Pending
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