JP2002108693A - データ読み出し方法、メモリコントローラ及び半導体集積回路装置 - Google Patents

データ読み出し方法、メモリコントローラ及び半導体集積回路装置

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JP2002108693A
JP2002108693A JP2000303554A JP2000303554A JP2002108693A JP 2002108693 A JP2002108693 A JP 2002108693A JP 2000303554 A JP2000303554 A JP 2000303554A JP 2000303554 A JP2000303554 A JP 2000303554A JP 2002108693 A JP2002108693 A JP 2002108693A
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memory
circuit
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Makoto Kumazawa
誠 熊澤
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F13/00Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
    • G06F13/38Information transfer, e.g. on bus
    • G06F13/42Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation
    • G06F13/4204Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation on a parallel bus
    • G06F13/4234Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation on a parallel bus being a memory bus
    • G06F13/4239Bus transfer protocol, e.g. handshake; Synchronisation on a parallel bus being a memory bus with asynchronous protocol

Abstract

(57)【要約】 【課題】周囲状況の変化やクロック周波数の変化に因ら
ず安定に外部に接続した装置からの信号をクロック信号
に同期してデータを取り込むことができるメモリコント
ローラを提供すること。 【解決手段】メモリコントローラ21の制御回路22
は、タイミング較正処理において、メモリにリードコマ
ンドを発行し、遅延データ選択回路25は、較正信号C
ALに応答して実施するタイミング較正処理において、
リードコマンドに応答したメモリ1からの入力信号を入
力し、該信号を機能マクロが取り込み可能なタイミング
で出力するためのタイミング情報を記憶し、通常動作時
にタイミング情報に基づいてメモリ1からの入力信号に
基づくリードデータRDATA−7:0の出力タイミン
グを調整して機能マクロに出力する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はデータ読み出し方
法、メモリコントローラ及び半導体集積回路装置に関す
るものである。
【0002】近年、半導体集積回路装置は、その動作速
度の高速化とともに低消費電力化が進められている。こ
のような半導体集積回路装置とともに使用される半導体
記憶装置の動作速度を高速化するために、外部クロック
に同期して動作する半導体記憶装置(メモリ)が使用さ
れ、半導体集積回路装置にはそのメモリに対して書き込
み/読み出しを行う機能マクロとともに、それらを制御
する制御回路(メモリコントローラ)が搭載される。メ
モリからのデータを取り込むタイミングは、周囲状況の
変動やアクセスクロックの周波数の変更により変化す
る。そのため、このような半導体集積回路装置におい
て、メモリからの読み出しの安定化が求められている。
【0003】
【従来の技術】従来、図12に示すように、メモリ1が
接続された半導体集積回路装置(LSI)2のチップ上
には、CPU3と、メモリ1をアクセスする周辺回路等
の内部回路としての機能マクロ4と、そのアクセスを制
御する制御回路(メモリコントローラ)5が搭載されて
いる。
【0004】メモリコントローラ5と外部接続されたメ
モリ1は所定の信号を送受するように、LSIの内部配
線と外部配線により接続されている。機能マクロ4は、
メモリコントローラ5に対し、アクセス方法を決定する
リードライト信号W/R、アクセス要求のためのリクエ
スト信号REQ、ライトデータWDATA7:0(7:
0は、7〜0を示す)、及びアドレス信号A22:0を
出力し、メモリコントローラ5は機能マクロ4に対し、
リードデータRDATA7〜0とその出力タイミング
(機能マクロにとっては入力タイミング)であるアクノ
リッジ信号ACKを出力する。
【0005】図13は、従来のメモリコントローラ5の
ブロック回路図を示す。メモリコントローラ5は、制御
回路11、出力バッファ12、入力バッファ13、フリ
ップフロップ14を含む。
【0006】制御回路11は、リードライト信号W/R
に基づいて、出力データと入力データが衝突しないよう
にスリーステートバッファである出力バッファ12を制
御する。また、制御回路11は、クロック信号CLK_
CONに基づいて生成した内部クロック信号ICLKを
フリップフロップ14に出力する。フリップフロップ1
4は、内部クロック信号ICLKに応答して入力バッフ
ァ13からの入力データをラッチし、そのラッチした入
力データをリードデータRDATA7:0として図12
の機能マクロ4に出力する。更に、制御回路11は、ア
クノリッジ信号ACKを出力する。
【0007】図14は、キャスレイテンシ(CL)が2
に設定されたメモリ1(DRAM)からデータを読み出
す場合のタイミング図である。尚、図では、メモリ1と
メモリコントローラ5の間で授受される各種信号のタイ
ミングを、それぞれの端子におけるレベルの変化として
表し、各種信号を端子の符号を用いて説明する。
【0008】タイミング(−1)でリクエスト信号RE
Qを受け取ったメモリコントローラ5は、クロック信号
CLK_CONの立ち上がりに応答してT1サイクルで
最初のリードコマンド(RD1)が発行される。メモリ
1は、クロック信号CLK_DRやリードコマンドRD
1等を受け取り、リードコマンドRD1に応答してリー
ドアドレスBA1のデータ(D1)をデータ信号D_D
Rとしてクロック信号CLK_DRの立ち上がりから出
力の動作に必要な時間tACだけ遅れて出力する。メモリ
コントローラ5は、データ信号D_CONによりデータ
D1を受け取る。
【0009】LSI2の内部配線及びそのLSI2とメ
モリ1とを接続する外部配線は、メモリコントローラ5
からメモリ1への各信号に第1遅延時間tD1の遅れを生
じさせ、メモリ1からメモリコントローラ5への各信号
に第2遅延時間tD2の遅れを生じさせる。
【0010】クロック信号CLK_CONの周期が、第
1及び第2遅延時間tD1,tD2に比べて十分に大きい場
合、メモリコントローラは2クロック遅れのT3サイク
ルからデータ信号D_CON(データD1)を取り込め
るため、それに合わせてアクノリッジ信号ACKをアサ
ートする。機能マクロ4は、アクノリッジ信号ACKが
アサートされると、内部クロック信号ICLKの立ち上
がりに応答してデータD1を取り込む。
【0011】CPU3は、LSI2の動作状態等に基づ
いて、モード切替信号MODEを出力する。機能マクロ
間及びメモリコントローラ5は、動作クロックの周波数
を低くする。これにより、LSI2の消費電力が低減さ
れる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】ところで、LSI2
は、更なる動作速度の高速化が求められ、それに対応し
てクロック信号CLK_CON,CLK_DR,ICL
Kの周波数が高くなる。これに対し、第1及び第2遅延
時間tD1,tD2はLSI2及びメモリ1の配置及び接続
配線により決定される。このため、図15に示すよう
に、データ(D_CON)を取り込めるのはT4サイク
ル以降になるので、制御回路11は、アクノリッジ信号
ACKのアサートを1クロック遅らせる必要がある。
【0013】上記第1及び第2遅延時間tD1,tD2は、
使用環境の温度変化や製造バラツキにより変動する。遅
延時間tD1,tD2が大きくなった場合や、更にクロック
信号CLK_CONの周波数が高くなった場合には、図
16に示すように、データ(D_CON)の変化点がメ
モリコントローラの内部クロック信号ICLKの変化点
と時間的に近くなることがある。これにより、内部クロ
ック信号ICLKの立ち上がりに対してデータ信号D_
CONのセットアップ時間を規定時間だけ確保すること
ができなくなり、データを各サイクルで安定して取り込
むことができないという問題がある。
【0014】図17に示すように、更に配線遅延時間t
D1,tD2が大きくなるかクロック信号CLK_CONの
周波数が高くなった場合には、T5サイクル以降でデー
タを安定して取り込める。しかし、図15のアクノリッ
ジ信号ACKのタイミングでは、データD1を取り込む
ことができないため、データを安定して取り込めるよう
に、アクノリッジ信号ACKをアサートするタイミング
を変更しなければならないという問題がある。
【0015】このように、配線遅延時間の変動やクロッ
ク信号の周波数変更に対するデータの取り込み点(AC
K信号をアサートする)タイミングは、従来CPU3に
よるメモリコントローラ5内部のレジスタ設定やスイッ
チの切り替え等により行われてきた。
【0016】しかしながら、データ(D_CON)の出
力タイミングは、(チップ、使用環境)温度や製造バラ
ツキによりダイナミック(動的)に、また不規則に変化
する。このため、配線遅延時間tD1,tD2や、パワーセ
ーブ等の目的でUP/DOWNされるCLK_CONの
周波数の変化に対して常に最適な取り込み点(ACK信
号をアサートするタイミング)を設定するのは困難であ
った。
【0017】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであって、その目的は周囲状況の変化やクロッ
ク周波数の変化に因らず安定に外部に接続した装置から
の信号をクロック信号に同期してデータを取り込むこと
ができるデータ読み出し方法、メモリコントローラ及び
半導体集積回路装置を提供することにある。
【0018】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1に記載の発明によれば、メモリにデータを
読み出すための読み出し信号を出力し、該信号に応答し
たメモリが出力する読み出しデータを入力し、該読み出
しデータを内部回路が取り込み可能なタイミングで出力
するためのタイミング情報を記憶するタイミング較正処
理を実施し、メモリコントローラは、通常動作時にタイ
ミング情報に基づいてメモリからの読み出しデータを内
部回路に出力する。これにより、内部回路は、安定して
読み出しデータが取り込める。
【0019】請求項2に記載の発明によれば、タイミン
グ較正処理において、メモリからの入力信号を遅延させ
て遅延時間の異なる複数の遅延信号を生成し、該複数の
遅延信号から内部クロック信号に基づいて内部回路の取
り込みタイミングに適した遅延信号を検出してタイミン
グ情報として記憶し、メモリコントローラは、通常動作
時にタイミング情報に基づいて複数の遅延信号のうちの
1つを選択して内部回路へ出力する。
【0020】請求項3に記載の発明によれば、タイミン
グ較正処理において、内部クロック信号をカウントし、
メモリへの読み出し信号を出力してから内部クロック信
号に同期して読み出しデータが期待値と一致するまでの
カウント値をタイミング情報として記憶し、メモリコン
トローラは、通常動作時にタイミング情報に基づいて内
部回路が読み出しデータを取り込むタイミングを示す受
け取り信号を出力する。
【0021】請求項4,8に記載の発明によれば、タイ
ミング較正処理において、期待値の第1データをメモリ
の所定の第1アドレスに書き込むとともに、期待値と異
なる第2データを所定アドレスの前後の第2及び第3ア
ドレスに書き込み、第2アドレスから第3アドレスまで
連続して読み出しを行い、第1アドレスの読み出し信号
を出力し、メモリから読み出された第1データに基づい
てタイミング情報を記憶する。これにより、タイミング
情報の誤記憶を防止する。
【0022】請求項5に記載の発明によれば、制御回路
は、メモリにデータを読み出すための読み出し信号をメ
モリへ出力し、遅延データ選択回路は、読み出し信号に
応答したメモリが出力するデータを入力し、該データを
内部回路が取り込み可能なタイミングで出力するための
タイミング情報を記憶し、通常動作時にタイミング情報
に基づいてメモリからの読み出しデータを内部回路に出
力する。これにより、内部回路は、安定して読み出しデ
ータが取り込める。
【0023】遅延データ選択回路は、請求項6に記載の
発明のように、メモリからの入力信号を遅延させて遅延
時間の異なる複数の遅延信号を生成する遅延器と、複数
の遅延信号と期待値とを比較し、期待値と一致する遅延
信号から内部回路の取り込みタイミングに最適な遅延信
号を検出して検出信号を出力し、該検出信号に基づく検
出終了信号を出力する最適データ検出回路と、複数の遅
延信号から検出信号に対応する信号を選択して読み出し
データとして出力する選択回路と、検出終了信号に応答
して最適データ検出回路の少なくとも一部の動作を停止
する制御回路と、を備える。
【0024】制御回路は、請求項7に記載の発明のよう
に、カウンタと記憶回路とを備え、該カウンタは、較正
信号に応答して、タイミング較正処理時に内部クロック
信号をアップカウントするとともに該カウント値を検出
終了信号に応答して記憶回路に出力し、通常動作時にコ
マンド出力信号に応答して記憶回路から読み出したカウ
ント値から内部クロック信号をダウンカウントするとと
もに該カウント値が所定値と一致するときに受け取り信
号を出力する。
【0025】請求項9に記載の発明によれば、半導体集
積回路装置には、請求項5〜8のうちの何れか一項記載
のメモリコントローラが備えられ、メモリからの読み出
しデータを内部回路へ出力する出力タイミングが調整さ
れる。
【0026】
【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
の形態を図1〜図7に従って説明する。図1は、本実施
形態のメモリコントローラ21のブロック回路図であ
り、このメモリコントローラ21は、図12のメモリコ
ントローラ5に代えて用いられる。
【0027】メモリコントローラ21は、制御回路2
2、出力バッファ23、入力バッファ24、遅延データ
選択回路25から構成される。制御回路22は、図12
の内部回路としての機能マクロ4からクロック信号CL
KIN、リードライト信号W/R、リクエスト信号RE
Q及びアドレス信号A−20:0を入力する。制御回路
22は、図12のメモリ1をアクセス(読み出し/書き
込み)するために、入力信号に基づいて生成したクロッ
ク信号DRAMCLK、コマンドを与えるための各種信
号XRAS,XCAS,XWE、アドレス信号BA−1
1:0を出力する。
【0028】制御回路22は、リードライト信号W/R
に基づいて生成したゲート制御信号WTCTLを出力バ
ッファ23に出力する。出力バッファ23はスリーステ
ートバッファであり、制御信号WTCTLに応答して、
メモリ1へデータを書き込む(ライトする)場合には機
能マクロ4からのライトデータWDATA7:0を増幅
して出力し、メモリ1からデータを読み込む(リードす
る)場合には出力端子をハイインピーダンスにする。
【0029】入力バッファ24はメモリ1からのデータ
D−7:0を増幅して遅延データ選択回路25に出力す
る。制御回路22は、クロック信号CLKINに基づい
て生成した内部クロック信号ICLKを遅延データ選択
回路25に出力する。また、制御回路22は、LSIの
動作開始時や所定時間毎に所定レベル(例えばHレベ
ル)の補正信号CALを遅延データ選択回路25に出力
する。更に、制御回路22は、メモリ1に対してリード
コマンドを発行する時に同タイミングで遅延データ選択
回路25に出力するコマンド発行信号RDをアクティブ
にする。
【0030】遅延データ選択回路25は、入力バッファ
24からの入力信号をリードデータRDATA−7:0
として機能マクロ4に出力するともに、アクノリッジ信
号ACKをアサートする。遅延データ選択回路25は、
補正信号CALに応答してリードデータRDATA−
7:0及びアクノリッジ信号ACKのタイミング較正処
理を実施する。
【0031】タイミング較正処理において、制御回路2
2は、予めメモリ1に期待値を持つデータを所定アドレ
スに書き込む。次に、制御回路22は、補正信号CAL
を遅延データ選択回路に出力し、メモリ1に所定アドレ
スに対するリードコマンドを発行し、コマンド発行信号
RDをアクティブにする。
【0032】遅延データ選択回路25は、入力バッファ
24からの入力信号(メモリ1から読み出された期待値
を持つリード信号)から遅延時間の異なる複数の遅延信
号を生成する。そして、遅延データ選択回路25は、複
数の遅延信号から機能マクロ4の入力タイミングに適し
た信号を選択するとともに、その選択情報とタイミング
情報を記憶する。
【0033】通常動作時に、遅延データ選択回路25
は、入力バッファ24からの入力信号から生成した複数
の遅延信号のうち、記憶した選択情報に対応する1つの
遅延信号をリードデータRDATA−7:0として出力
し、記憶したタイミング情報に基づいてアクノリッジ信
号ACKをアサートする。
【0034】このように、メモリコントローラ21は、
タイミング較正処理を実施して機能マクロ4の入力タイ
ミングに合わせてリードデータRDATA−7:0を出
力するとともにアクノリッジ信号ACKをアサートす
る。従って、タイミング較正処理を適宜実施すること
で、配線遅延時間の変動やクロック信号の周波数変更に
因るリードデータRDATA−7:0及びアクノリッジ
信号ACKのタイミングと機能マクロ4の読み取りタイ
ミングの相対的なズレを補正する。これにより、機能マ
クロ4は、リードデータRDATA−7:0を安定して
取り込むことができる。
【0035】次に、遅延データ選択回路25の構成を説
明する。図2は、遅延データ選択回路25のブロック回
路図である。遅延データ選択回路25は、遅延器31、
レジスタ32、最適データ検出回路33、制御回路3
4、選択回路35から構成される。
【0036】図3に示すように、遅延器31は直列に接
続された複数(本実施形態では(n−1)個)の遅延セ
ル311 〜31n-1 から構成されている。各遅延セル3
11〜31n-1 は、入力信号を所定時間td 遅延させた
信号を出力する。
【0037】初段の第1遅延セル311 には信号Sin
(入力バッファ24の出力信号であり、8ビットの信
号)が入力され、その入力信号Sinは第1の遅延信号S
D0 として出力される。そして、第1遅延セル311 の
出力信号が第2の遅延信号SD1として出力される。同
様に、第2遅延セル312 の出力信号が第3の遅延信号
SD2 として出力され、第n-1 遅延セル31n-1 の出力
信号が第nの遅延信号SDn-1 として出力される。
【0038】このように、遅延器31は、入力信号Sin
に基づいて、入力信号Sinに対する遅延時間がそれぞれ
異なるn個の遅延信号SD0 〜SDn-1 を生成し、それ
ら第1〜第n遅延信号SD0 〜SDn-1 を最適データ検
出回路33に出力する。
【0039】レジスタ32には、予めメモリ1にセット
する期待値が記憶され、その期待値はキャリブレーショ
ン時に読み出されて最適データ検出回路33に8ビット
の比較信号REFとして入力される。
【0040】図4に示すように、最適データ検出回路3
3は、n個の一致回路411 〜41n 、(n−2)個の
アンド回路421 〜42n-1 、フリップフロップ43、
優先回路44、オア回路45から構成される。
【0041】各一致回路411 〜41n はEOR回路で
あり、2つの入力端子A,Bから入力する8ビットの入
力信号をEOR演算し、その演算結果を出力端子Xから
1ビットの信号として出力する。
【0042】各一致回路411 〜41n の入力端子Aに
は遅延信号SD0 〜SDn-1 が入力され、入力端子Bに
は共通に比較信号REFが入力される。従って、各一致
回路411 〜41n は、遅延信号SD0 〜SDn-1 と比
較信号REFが一致する場合にHレベルの信号を出力す
る。
【0043】各遅延信号SD0 〜SDn-1 は、第1遅延
信号SD0 から第n遅延信号SDn-1 にかけて遅延時間
td だけその立ち上がり及び立ち下がりが遅延している
信号である。従って、一致回路411 〜41n は、この
順番でHレベル又はLレベルの信号を出力する。
【0044】各アンド回路421 〜42n-1 は3入力ア
ンド回路であり、対応する3つの一致回路の出力信号が
入力される。即ち、第1アンド回路421 には、対応す
る第1〜第3一致回路411 〜413 の出力信号が入力
され、第2アンド回路422には、対応する第2〜第4
一致回路412 〜414 の出力信号が入力される。そし
て、第n-2 アンド回路には、対応する第n-2 〜第n 一致
回路41n-2 〜41nの出力信号が入力される。各アン
ド回路421 〜42n-2 の出力信号SA1 〜SAn-2 は
フリップフロップ回路43に入力される。
【0045】各アンド回路421 〜42n-1 の出力、例
えば、アンド回路423 の出力信号SA3 が「1」とな
ることは、即ち遅延器31の出力信号SD2 ,SD3 ,
SD4 が全て期待値と一致していることである。「1」
を出力するアンド回路の数は、クロックの周期Tとアン
ド回路421 〜42n-1 の入力数mと遅延時間td によ
り、 td ≧T−mtd >0 のとき;1個、 2td ≧T−mtd >td のとき;2個、 3td ≧T−mtd >2td のとき;3個、 4td ≧T−mtd >3td のとき;4個、 5td ≧T−mtd >4td のとき;5個、 と概算できる。
【0046】フリップフロップ43はラッチ用クロック
信号SCKを入力し、そのラッチ用クロック信号SCK
に応答して入力信号SA1 〜SAn-2 をラッチして生成
した出力信号をSB1 〜SBn-2 を優先回路44に出力
する。
【0047】優先回路44は、入力する信号SB1 〜S
Bn-2 の数より1つ少ない数のゲート回路441 〜44
n-3 から構成され、各ゲート回路441 〜44n-3 は、
第1番目からそれぞれに対応する第2〜第n-2 番目まで
の信号SB1 〜SBn-2 を入力する。即ち、第1ゲート
回路441 は第1及び第2番目の信号SB1 ,SB2を
入力し、第2ゲート442 は第1〜第3番目の信号SB
1 〜SB3 を入力する。
【0048】各ゲート回路441 〜44n-3は、対応す
る第2〜第n-2 番目の信号SB2 〜SBn-2 と、それよ
り前の信号の反転論理を論理積(AND)演算し、その
演算結果に基づく検出信号SL1 〜SLn-2 を出力す
る。これにより、各ゲート回路441 〜44n-3 は、対
応する第2〜第n-2 番目の信号SB2 〜SBn-2 より前
の信号がHレベルであれば、Lレベルの検出信号SL1
〜SLn-2 を出力する。例えば、第1ゲート回路441
は、第1及び第2番目の信号SB1 ,SB2 がHレベル
の場合にLレベルの検出信号SL2 を出力し、第1番目
の信号SB1 がLレベル、第2番目の信号SB2 がHレ
ベルの場合にHレベルの検出信号SL2 を出力する。
【0049】このように、優先回路44は、信号SB1
〜SBn-2 を入力し、それら信号SB1 〜SBn-2 に基
づいて、1つの信号のみを優先してHレベルとした検出
信号SL1 〜SLn-2 を出力する。優先順位は、入力信
号SB1 〜SBn-2 の変化する順番に対応している。即
ち、入力信号SB1 〜SBn-2 は、各遅延信号SD0〜
SDn-1 のうちの複数の信号が比較信号REFと一致す
ることで、その一致する順番にHレベルとなる。更に、
入力信号SB1 〜SBn-2 は、各遅延信号SD0 〜SD
n-1 それぞれの遅延時間td とパルス幅との関係によ
り、複数の信号がHレベルとなる。これら複数のHレベ
ルの信号のうち、最も早くHレベルとなった信号を優先
し、その優先信号にてHレベルの検出信号を出力する。
このことは、複数の遅延信号SD0 〜SDn-1 のうち、
入力信号Sinにからの遅れが少ない遅延信号を選択する
ように、各検出信号SL1 〜SLn-2 を生成する。
【0050】オア回路45は検出信号SL1 〜SLn-2
を入力し、それらの論理和演算した結果に基づく検出終
了信号SELを出力する。この検出終了信号SELは、
検出信号SL1 〜SLn-2 の何れかがHレベルにて出力
されるとHレベルとなる。
【0051】図2の制御回路34は、内部クロック信号
ICLK、補正信号CAL、コマンド発行信号RD、検
出終了信号SELを入力し、それらに基づいて生成した
ラッチ用クロック信号SCK、アクノリッジ信号ACK
を出力する。
【0052】図5に示すように、制御回路34は、アッ
プ/ダウンカウンタ46と記憶回路47とから構成され
る。アップ/ダウンカウンタ46は、内部クロック信号
ICLK、補正信号CAL、コマンド発行信号RDが入
力される。
【0053】カウンタ46は、補正信号CALに基づい
て、タイミング較正時にはアップカウンタとして動作
し、通常動作時にはダウンカウンタとして動作する。そ
して、タイミング較正時に、カウンタ46は、コマンド
発行信号RDに基づくリードコマンド発行から入力する
内部クロック信号ICLKをアップカウントするととも
に、クロック信号ICLKをラッチ用クロック信号SC
Kとして出力する。
【0054】このラッチ用クロック信号SCKによっ
て、図4のフリップフロップ43は、その信号SCK即
ち内部クロック信号ICLKに同期して各アンド回路4
21 〜42n-2 の出力信号SA1 〜SAn-2 をラッチす
る。そして、検出信号SL1 〜SLn-2 は、内部クロッ
ク信号ICLKのタイミングに応じた一つの信号のみが
Hレベルとして出力され、Hレベルの検出終了信号SE
Lを出力する。
【0055】図5のカウンタ46は、Hレベルの検出終
了信号SELに応答してラッチ用クロック信号SCKを
停止し、その時のカウント値を記憶回路47に記憶す
る。図4のフリップフロップ43はそのラッチ用クロッ
ク信号SCKに応答してラッチ信号即ち出力信号SB1
〜SBn-2 を保持する。従って、制御回路34は、検出
終了信号SELに応答してラッチ用クロック信号SCK
を停止することで、最適データ検出回路33のフリップ
フロップ43のラッチ動作を停止させ、その時の出力信
号SB1 〜SBn-2 を記憶させる。
【0056】通常動作時において、カウンタ46は、コ
マンド発行信号RDに基づくリードコマンド発行から、
記憶回路47に記憶したカウント値を読み込み、内部ク
ロック信号ICLKに応答してダウンカウントする。そ
して、カウンタ46は、カウント値が「0」になるとア
クノリッジ信号ACKをアサートする。即ち、カウンタ
46は、記憶回路47に記憶したカウント値に基づい
て、Hレベルの検出終了信号SELの入力タイミングで
アクノリッジ信号ACKをアサートする。
【0057】図2の選択回路35は、第2〜第n-1 番目
の遅延信号SD1 〜SDn-2 と、選択回路SL1 〜SL
n-2 が入力され、Hレベルの検出信号SL1 〜SLn-2
に対応する遅延信号SD1 〜SDn-2 を選択し、その選
択信号を出力信号S1として出力する。例えば、第1検
出信号SL1 がHレベルの場合、それに対応する第2番
目の遅延信号SD1 を選択してそれを信号S1とする。
この信号S1が図1のリードデータRDATA−7:0
となる。
【0058】このように、遅延データ選択回路25は、
遅延器31にて生成した複数の遅延信号SD0 〜SDn-
1 から最適データ検出回路33にて期待値と一致しかつ
内部クロック信号ICLKに対応する遅延信号を選択
し、それをリードデータRDATA−7:0として出力
する。このリードデータRDATA−7:0は、入力信
号Sinより遅れ、内部クロック信号ICLKに対応して
いる。従って、内部クロック信号ICLKの周波数が変
更されても、それのタイミングこのリードデータRDA
TA−7:0は対応している。従って、図12の機能マ
クロ4は、内部クロックICLKにてリードデータRD
ATA−7:0を安定して取り込める。
【0059】図6は、メモリコントローラ21における
タイミング較正処理のフローチャートである。先ず、キ
ャリブレーションが開始されると、メモリコントローラ
21は、図12のメモリ1の任意のアドレス(BA=
N)に期待値(ここではAAhだが、他の値でもよい)
を書き込み、その前後のアドレス(BA=N−1,N+
1)に期待値の反転(期待値がAAhの場合は55h)
を書き込む(ステップ51)。これは、次にこれらライ
トしたデータをリードした時に、期待値がどのタイミン
グで出るかを検出し、誤判定を防ぐ。即ち、期待値を書
き込んだアドレスの前後のアドレスに期待値と同じデー
タが記憶されている場合、それを読み出したタイミング
に間違えて較正することを防ぐためである。
【0060】次に、メモリコントローラ21は、上記の
3つのアドレスにリードコマンドを発行する(ステップ
52)。そして、メモリコントローラ21は、図2の最
適データ検出回路33からの検出終了信号SELが
「1」か否かを判断し(ステップ53)、「1」ではな
い場合は内部クロック信号ICLKの1周期分を待機
(ウエイト)し(ステップ54)、ステップ53に戻
る。これは、読み出したデータと期待値が一致するのを
待つためである。
【0061】そして、検出終了信号SELが「1」の場
合、メモリコントローラ21はその時のリードタイミン
グ(図5のカウンタ46のカウント値)を記憶する(ス
テップ55)。
【0062】次に、上記のように構成されたメモリコン
トローラの作用を図7に従って説明する。T1〜T3サ
イクルにおいてメモリ1にリードコマンドを発行する
と、そのメモリ1からリードデータD_DRが出力さ
れ、そのデータは第2遅延時間tD2遅れてメモリコント
ローラ21にリードデータD_CONとして入力され
る。
【0063】メモリコントローラ21は、このリードデ
ータD_CONを図2の入力信号Sin(図3の遅延信号
SD0 )とし、それから遅延時間td ずつ遅延させた複
数(図において4つ)の遅延信号SD1 〜SD4 を生成
する。これら遅延信号SD0〜SD4 と期待値とを比較
し、その比較結果の3つを1つずつずらして論理積(A
ND)演算して信号SA1 〜SA3 を生成する。
【0064】これら信号SA1 〜SA3 をラッチ用クロ
ック信号SCKによりフリップフロップ43にラッチさ
せ、優先回路44により検出信号SL1 を生成する。こ
の時、検出信号の論理和である検出終了信号SELによ
り、選択回路45は遅延信号SD1 を選択してこれを信
号S1(リードデータRDATA−7:0)として出力
する。
【0065】また、メモリコントローラ21は、カウン
タ46のカウント値を記憶し、そのカウント値に基づい
て通常動作においてアクノリッジ信号ACKをアサート
する。このように出力される信号S1は、内部クロック
信号ICLKに対して、少なくともtD のセットアッ
プ、ホールドを保証できるため、リードデータRDAT
A−7:0を安定に内部クロック信号ICLKで取り込
むことができる。
【0066】以上記述したように、本実施の形態によれ
ば、以下の効果を奏する。 (1)メモリコントローラ21の制御回路22は、タイ
ミング較正処理において、メモリ1にリードコマンドを
発行し、遅延データ選択回路25は、較正信号CALに
応答して実施するタイミング較正処理において、リード
コマンドに応答したメモリ1からの入力信号Sinを入力
し、該信号Sinを機能マクロ4が取り込み可能なタイミ
ングで出力するためのタイミング情報を記憶し、通常動
作時にタイミング情報に基づいてメモリ1からの入力信
号Sinに基づくリードデータRDATA−7:0の出力
タイミングを調整して機能マクロ4に出力するようにし
た。この結果、機能マクロ4は、周囲状況の変化やクロ
ック周波数の変化に因らず安定して読み出しデータを取
り込むことができる。
【0067】(2)遅延データ選択回路25は、遅延器
31、最適データ検出回路33、制御回路34、選択回
路35を備える。遅延器31は、メモリ1からの入力信
号Sinを遅延させて遅延時間の異なる複数の遅延信号S
D0 〜SDn-1 を生成する。最適データ検出回路33
は、複数の遅延信号SD0 〜SDn-1 と期待値とを比較
し、ラッチ用クロック信号SCKに同期して期待値と一
致する遅延信号から機能マクロ4の取り込みタイミング
に最適な遅延信号を検出して検出信号SL1 〜SLn-2
を出力し、該検出信号SL1 〜SLn-2 に基づく検出終
了信号SELを出力する。選択回路35は、複数の遅延
信号から検出信号に対応する信号を選択した信号S1を
出力する。制御回路34は、較正信号CALに基づくタ
イミング較正処理において内部クロック信号ICLKに
同期したラッチ用クロック信号SCKを出力するととも
に該ラッチ用クロック信号SCKを検出終了信号SEL
に応答して停止して最適データ検出回路33の動作を停
止するようにした。その結果、最適なタイミングを容易
に検出することができる。
【0068】(3)制御回路34は、アップ/ダウンカ
ウンタ46と記憶回路47とを備える。カウンタ46
は、較正信号CALに応答して、タイミング較正処理時
に内部クロック信号ICLKをアップカウントするとと
もに該カウント値を検出終了信号SELに応答して記憶
回路47に出力する。また、カウンタ46は、通常動作
時にコマンド出力信号RDに応答して記憶回路47から
読み出したカウント値から内部クロック信号ICLKを
ダウンカウントするとともに該カウント値が「0」にな
るとアクノリッジ信号ACKを出力するようにした。こ
の結果、機能マクロ4がデータを受け取るためのアクノ
リッジ信号ACKをデータの出力タイミングに容易に合
わせてアサートすることができる。
【0069】(4)メモリコントローラ21は、期待値
をメモリ1の所定アドレスに書き込むとともに、その期
待値を反転した値を所定アドレスの前後に書き込み、そ
れらを読み出すようにした。その結果、期待値を読み出
すタイミングを正確に検出でき、タイミングの誤調整を
防止することができる。
【0070】尚、前記実施形態は、以下の態様に変更し
てもよい。 ・上記実施形態において、タイミング較正処理(キャリ
ブレーション)を、LSIの初期化時、所定時間毎、ク
ロック周波数変更時、温度変化検出時等の適宜のタイミ
ングで行うようにしてもよい。
【0071】・上記実施形態では、タイミング較正時に
メモリコントローラ21からメモリ1に較正用データを
書き込むようにしたが、図8に示すように、メモリ1の
記憶領域61に較正用データを保持しておく領域62,
63,64を確保してもよい。このようにすれば、図6
のステップ51における期待値の書き込みを最初のタイ
ミング較正時のみ行えばよく、任意のタイミングで実行
するタイミング較正処理に要する時間を短縮することが
できる。
【0072】・上記実施形態において、メモリ1にDR
AMを用い、定期的にタイミング較正処理を実施する場
合、処理毎にロウアドレスを変更してメモリ1をアクセ
スし、一定期間(DRAMのリフレッシュ時間の規格)
内に全てのロウアドレスについてタイミング較正処理を
実行する。例えば、図9はロウ数R、カラム数CのDR
AMを示し、この場合、毎回ロウアドレスを変えて計R
回のキャリブレーションを行う。このことで、メモリ1
のリフレッシュを省略できる。なぜなら、一定期間に全
てのロウアドレスをアクティブにすることが即ちリフレ
ッシュであるからである。
【0073】・上記実施形態では、メモリ1の入出力単
位を8ビット(リードデータRDATA−7:0)とし
た、8ビット単位でタイミング較正処理を実施したが、
1ビット以上の任意のビット単位でタイミング較正処理
を実施してもよい。
【0074】・上記実施形態の優先回路44は、フリッ
プフロップ43の出力信号SB1 〜SBn-2 のうち、最
も遅延時間の少ない信号を優先するように較正したが、
例えば2番目のように任意の信号を優先する優先回路を
用いて実施してもよい。このようにすれば、リードデー
タのマージンを増すことができる。
【0075】・上記実施形態の遅延データ選択回路25
の構成を適宜変更しても良い。例えば、図10に示すよ
うに構成した遅延データ選択回路71を用いて実施して
もよい。この遅延データ選択回路71は、遅延器31、
レジスタ32、一致検出回路72、制御回路73、マイ
コン74、選択回路75から構成される。一致検出回路
72は、図11に示すように、図4の優先回路44が省
略されている。即ち、一致検出回路72は、遅延器31
にて生成した複数の遅延信号SD0 〜SDn-1とレジス
タ72からの期待値とが一致するか否かを検出し、その
検出信号SB1〜SBn-2 をマイコン74に出力する。
また、オア回路45は、検出信号SB1〜SBn-2 を論
理和した検出終了信号SELを制御回路73に出力す
る。
【0076】制御回路73は図5の制御回路34と同様
に構成され、検出終了信号SELに応答してラッチ用ク
ロック信号SCKを停止して一致検出回路72の一部
(フリップフロップ43)の動作を停止させる。更に、
制御回路73は、通常動作時に内部クロック信号ICL
Kをカウントしてアクノリッジ信号ACKを出力する。
【0077】図10のマイコン74は、検出信号SB1
〜SBn-2 に基づいて、どの遅延時間によるデータを選
択するかを判断するプログラムを実行し、その実行結果
に基づくセレクト信号を選択回路75に出力する。選択
回路75は、セレクト信号に基づいて、入力する遅延信
号SD1 〜SDn-2 のうちの1つを選択し、その選択し
た信号を信号S1として出力する。
【0078】・上記実施形態において、LSIチップ上
にCPU3を搭載したが、CPU3が別のチップに搭載
されていてもよい。また、機能マクロ4がCPUであっ
てもよい。
【0079】・上記実施形態の補正信号CALを制御回
路22以外、例えばCPU3(図12参照)から出力す
る、LSI2に信号生成回路を備える、LSI2の外部
から供給する、等に変更して実施してもよい。
【0080】・上記実施形態の最適データ検出回路33
(一致検出回路72)を構成するアンド回路421 〜4
2n-2 の入力数を変更して実施してもよい。例えば、4
入力とすると、対応する4つの遅延信号が期待値と一致
する場合にHレベルの信号を出力する。このように入力
数を増やせば、保証できるセットアップ、ホールド量も
増加させることができる。
【0081】・上記実施形態では、最適データ検出回路
33を構成するフリップフロップ43にてアンド回路4
21 〜42n-2 の出力信号、即ち検出信号SL1 〜SL
n-2を保持するようにしたが、例えば図2において最適
データ検出回路33と選択回路35の間に検出信号SL
1 〜SLn-2 を保持するフリップフロップを設けてもよ
い。
【0082】・上記実施形態では、最適データ検出回路
33のフリップフロップ43に供給するラッチ用クロッ
ク信号SCKを最適データ検出後(検出終了信号SEL
の入力後)は停止するようにしたが、フリップフロップ
43と優先回路44の間、又は優先回路44の後段にラ
ッチ回路を設け、フリップフロップ43に内部クロック
信号ICLKを供給し、ラッチ回路に検出終了信号SE
Lに基づくラッチ信号を与えて検出信号SL1 〜SLn-
2 を保持するようにしても良い。
【0083】・上記実施形態では、レジスタ32に予め
期待値を記憶したが、これを例えば図12のCPU3等
から記憶させるようにしてもよい。また、期待値及びそ
の反転した値を、メモリコントローラ21がレジスタ3
2に記憶した期待値を読み出してメモリ1に書き込む、
又は例えばCPU3が期待値をメモリ3に書き込むよう
にしてもよい。
【0084】・上記実施形態において、図2の制御回路
は、最適データ検出回路33の少なくとも一部の動作を
停止させれば良く、例えば図4の一致回路411 〜41
n の動作を停止させるように構成してもよい。また、フ
リップフロップ43と一致回路411 〜41n の動作を
停止させるように構成してもよい。
【0085】以上の様々な実施の形態をまとめると、以
下のようになる。 (付記1) メモリコントローラを介して外部メモリか
ら内部回路へデータを読み出すデータ読み出し方法であ
って、前記メモリにデータを読み出すための読み出し信
号を出力し、該信号に応答したメモリが出力する読み出
しデータを入力し、該読み出しデータを前記内部回路が
取り込み可能なタイミングで出力するためのタイミング
情報を記憶するタイミング較正処理を実施し、前記メモ
リコントローラは、通常動作時に前記タイミング情報に
基づいて前記メモリからの読み出しデータを前記内部回
路に出力することを特徴とするデータ読み出し方法。 (付記2) 前記タイミング較正処理において、前記メ
モリからの入力信号を遅延させて遅延時間の異なる複数
の遅延信号を生成し、該複数の遅延信号から前記内部ク
ロック信号に基づいて前記内部回路の取り込みタイミン
グに適した遅延信号を検出して前記タイミング情報とし
て記憶し、前記メモリコントローラは、通常動作時に前
記タイミング情報に基づいて前記複数の遅延信号のうち
の1つを選択して前記内部回路へ出力することを特徴と
する付記1記載のデータ読み出し方法。 (付記3) 前記タイミング較正処理において、前記内
部クロック信号をカウントし、前記メモリへの読み出し
信号を出力してから前記内部クロック信号に同期して前
記読み出しデータが期待値と一致するまでのカウント値
を前記タイミング情報として記憶し、前記メモリコント
ローラは、通常動作時に前記タイミング情報に基づいて
前記内部回路が前記読み出しデータを取り込むタイミン
グを示す受け取り信号を出力することを特徴とする付記
1記載のデータ読み出し方法。 (付記4) 前記タイミング較正処理において、前記メ
モリからの入力信号を遅延させて遅延時間の異なる複数
の遅延信号を生成し、該複数の遅延信号から前記内部ク
ロック信号に基づいて前記内部回路の取り込みタイミン
グに適した遅延信号を検出した検出信号と、前記内部ク
ロック信号をカウントし、前記メモリへの読み出し信号
を出力してから前記内部クロック信号に同期して前記読
み出しデータが期待値と一致するまでのカウント値を前
記タイミング情報として記憶し、前記メモリコントロー
ラは、通常動作時に前記タイミング情報に基づいて前記
複数の遅延信号のうちの1つを選択して前記内部回路へ
出力するとともに、前記タイミング情報に基づいて前記
内部回路が前記読み出しデータを取り込むタイミングを
示す受け取り信号を出力することを特徴とする付記1記
載のデータ読み出し方法。 (付記5) 前記メモリからの入力信号を遅延させて遅
延時間が異なる複数の遅延信号を生成し、該複数の遅延
信号の値と期待値とを比較し、前記期待値と一致する遅
延信号を前記内部クロック信号に同期して取出し、該取
り出した複数の遅延信号のうちの1つを優先して検出信
号を生成し、該検出信号に対応する前記複数の遅延信号
のうちの1つを前記内部回路へ出力することを特徴とす
る付記1〜4のうちの何れか一項記載のデータ読み出し
方法。 (付記6) 前記タイミング較正処理を、初期化時に実
施することを特徴とする付記1記載のデータ読み出し方
法。 (付記7) 前記タイミング較正処理を、定期的に実施
することを特徴とする付記1記載のデータ読み出し方
法。 (付記8) 前記タイミング較正処理において、期待値
の第1データを前記メモリの所定の第1アドレスに書き
込むとともに、前記期待値と異なる第2データを前記所
定アドレスの前後の第2及び第3アドレスに書き込み、
前記第2アドレスから前記第3アドレスまで連続して読
み出しを行い、第1アドレスの読み出し信号を出力し、
前記メモリから読み出された前記第1データに基づいて
前記タイミング情報を記憶することを特徴とする付記1
〜7のうちの何れか一項記載のデータ読み出し方法。 (付記9) 内部回路とともに1つの半導体チップ上に
搭載され、外部に接続されたメモリから読み出したデー
タを内部クロック信号に同期して取り込む内部回路に出
力するメモリコントローラにおいて、前記メモリにデー
タを読み出すための読み出し信号を前記メモリへ出力す
る制御回路と、前記読み出し信号に応答したメモリが出
力するデータを入力し、該データを前記内部回路が取り
込み可能なタイミングで出力するためのタイミング情報
を記憶し、通常動作時に前記タイミング情報に基づいて
前記メモリからの読み出しデータを前記内部回路に出力
する遅延データ選択回路を備えたことを特徴とするメモ
リコントローラ。 (付記10) 前記遅延データ選択回路は、前記メモリ
からの入力信号を遅延させて遅延時間の異なる複数の遅
延信号を生成する遅延器と、前記複数の遅延信号と期待
値とを比較し、前記期待値と一致する遅延信号から前記
内部回路の取り込みタイミングに最適な遅延信号を検出
して検出信号を出力し、該検出信号に基づく検出終了信
号を出力する最適データ検出回路と、前記複数の遅延信
号から前記検出信号に対応する信号を選択して出力する
選択回路と、前記検出終了信号に応答して前記最適デー
タ検出回路の少なくとも一部の動作を停止する制御回路
と、を備えたことを特徴とする付記9記載のメモリコン
トローラ。 (付記11) 前記制御回路は、カウンタと記憶回路と
を備え、該カウンタは、前記較正信号に応答して、タイ
ミング較正処理時に前記内部クロック信号をアップカウ
ントするとともに該カウント値を前記検出終了信号に応
答して前記記憶回路に出力し、通常動作時にコマンド出
力信号に応答して前記記憶回路から読み出したカウント
値から前記内部クロック信号をダウンカウントするとと
もに該カウント値が所定値と一致するときに前記受け取
り信号を出力することを特徴とする付記10記載のメモ
リコントローラ。 (付記12) 前記最適データ検出回路は、前記複数の
遅延信号がそれぞれ入力されるとともに前記期待値が入
力される複数の一致回路と、前記複数の一致回路の出力
信号を複数入力するアンド回路と、前記ラッチ用クロッ
ク信号に基づいて前記各アンド回路の出力信号をラッチ
するフリップフロップと、前記遅延信号に対応した優先
順位にて前記フリップフロップの出力信号のうちの1つ
を優先して前記複数の検出信号を生成する優先回路と、
前記複数の検出信号を論理和演算して前記検出終了信号
を生成するオア回路と、を備えたことを特徴とする付記
10記載のメモリコントローラ。 (付記13) 前記遅延データ選択回路は、前記メモリ
からの入力信号を遅延させて遅延時間の異なる複数の遅
延信号を生成する遅延器と、前記複数の遅延信号と期待
値とを比較し、前記期待値と一致する遅延信号をラッチ
して複数の検出信号を出力し、該検出信号に基づく検出
終了信号を出力する一致検出回路と、前記複数の検出信
号から前記内部回路の取り込みタイミングに最適な遅延
信号を選択するように生成した選択信号を出力するマイ
コンと、前記選択信号に応答して前記複数の遅延信号か
ら選択した信号を出力する選択回路と、前記検出終了信
号に応答して前記一致検出回路の少なくとも一部の動作
を停止する制御回路と、を備えたことを特徴とする付記
9記載のメモリコントローラ。 (付記14) 期待値の第1データを前記メモリの所定
の第1アドレスに書き込むとともに、前記期待値と異な
る第2データを前記所定アドレスの前後の第2及び第3
アドレスに書き込み、前記第2アドレスから前記第3ア
ドレスまで連続して読み出しを行い、第1アドレスの読
み出し信号を出力し、前記遅延データ選択回路は前記メ
モリから読み出された前記第1データに基づいて前記タ
イミング情報を記憶することを特徴とする付記9〜13
のうちの何れか一項記載のメモリコントローラ。 (付記15) 付記9〜14のうちの何れか一項記載の
メモリコントローラを備えたことを特徴とする半導体集
積回路装置。
【0086】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
周囲状況の変化やクロック周波数の変化に因らず安定に
外部に接続した装置からの信号をクロック信号に同期し
てデータを取り込むことができるデータ読み出し方法、
メモリコントローラ及び半導体集積回路装置を提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 一実施形態のメモリコントローラのブロック
回路図である。
【図2】 遅延データ選択回路のブロック回路図であ
る。
【図3】 遅延器のブロック回路図である。
【図4】 最適データ検出回路の回路図である。
【図5】 制御回路のブロック回路図である。
【図6】 キャリブレーション動作のフロー図である。
【図7】 一実施形態のタイミング図である。
【図8】 メモリのアドレスマップである。
【図9】 メモリの説明図である。
【図10】 別の遅延データ選択回路のブロック回路図
である。
【図11】 別の最適データ検出回路の回路図である。
【図12】 メモリをアクセスするシステムLSIの説
明図である。
【図13】 従来のメモリコントローラのブロック回路
図である。
【図14】 従来例のタイミング図である。
【図15】 従来例のタイミング図である。
【図16】 従来例のタイミング図である。
【図17】 従来例のタイミング図である。
【符号の説明】
1 メモリ 4 機能マクロ 21 メモリコントローラ 22 制御回路 25 遅延データ選択回路 31 遅延器 33 最適データ検出回路 34 制御回路 35 選択回路 46 アップ/ダウンカウンタ 47 記憶回路 ACK アクノリッジ信号 CAL 較正信号 ICLK 内部クロック信号 RD コマンド出力信号 RDATA−7:0 リードデータ SCK ラッチ用クロック信号 SD0 〜SDn-1 遅延信号 SL1 〜SLn-2 検出信号 SEL 検出終了信号 Sin 入力信号

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 メモリコントローラを介して外部メモリ
    から内部回路へデータを読み出すデータ読み出し方法で
    あって、 前記メモリにデータを読み出すための読み出し信号を出
    力し、該信号に応答したメモリが出力する読み出しデー
    タを入力し、該読み出しデータを前記内部回路が取り込
    み可能なタイミングで出力するためのタイミング情報を
    記憶するタイミング較正処理を実施し、 前記メモリコントローラは、通常動作時に前記タイミン
    グ情報に基づいて前記メモリからの読み出しデータを前
    記内部回路に出力することを特徴とするデータ読み出し
    方法。
  2. 【請求項2】 前記タイミング較正処理において、前記
    メモリからの入力信号を遅延させて遅延時間の異なる複
    数の遅延信号を生成し、該複数の遅延信号から前記内部
    クロック信号に基づいて前記内部回路の取り込みタイミ
    ングに適した遅延信号を検出して前記タイミング情報と
    して記憶し、 前記メモリコントローラは、通常動作時に前記タイミン
    グ情報に基づいて前記複数の遅延信号のうちの1つを選
    択して前記内部回路へ出力することを特徴とする請求項
    1記載のデータ読み出し方法。
  3. 【請求項3】 前記タイミング較正処理において、前記
    内部クロック信号をカウントし、前記メモリへの読み出
    し信号を出力してから前記内部クロック信号に同期して
    前記読み出しデータが期待値と一致するまでのカウント
    値を前記タイミング情報として記憶し、 前記メモリコントローラは、通常動作時に前記タイミン
    グ情報に基づいて前記内部回路が前記読み出しデータを
    取り込むタイミングを示す受け取り信号を出力すること
    を特徴とする請求項1記載のデータ読み出し方法。
  4. 【請求項4】 前記タイミング較正処理において、期待
    値の第1データを前記メモリの所定の第1アドレスに書
    き込むとともに、前記期待値と異なる第2データを前記
    所定アドレスの前後の第2及び第3アドレスに書き込
    み、前記第2アドレスから前記第3アドレスまで連続し
    て読み出しを行い、第1アドレスの読み出し信号を出力
    し、前記メモリから読み出された前記第1データに基づ
    いて前記タイミング情報を記憶することを特徴とする請
    求項1〜3のうちの何れか一項記載のデータ読み出し方
    法。
  5. 【請求項5】 内部回路とともに1つの半導体チップ上
    に搭載され、外部に接続されたメモリから読み出したデ
    ータを内部クロック信号に同期して取り込む内部回路に
    出力するメモリコントローラにおいて、 前記メモリにデータを読み出すための読み出し信号を前
    記メモリへ出力する制御回路と、 前記読み出し信号に応答したメモリが出力するデータを
    入力し、該データを前記内部回路が取り込み可能なタイ
    ミングで出力するためのタイミング情報を記憶し、通常
    動作時に前記タイミング情報に基づいて前記メモリから
    の読み出しデータを前記内部回路に出力する遅延データ
    選択回路を備えたことを特徴とするメモリコントロー
    ラ。
  6. 【請求項6】 前記遅延データ選択回路は、 前記メモリからの入力信号を遅延させて遅延時間の異な
    る複数の遅延信号を生成する遅延器と、 前記複数の遅延信号と期待値とを比較し、前記期待値と
    一致する遅延信号から前記内部回路の取り込みタイミン
    グに最適な遅延信号を検出して検出信号を出力し、該検
    出信号に基づく検出終了信号を出力する最適データ検出
    回路と、 前記複数の遅延信号から前記検出信号に対応する信号を
    選択して前記読み出しデータとして出力する選択回路
    と、 前記検出終了信号に応答して前記最適データ検出回路の
    少なくとも一部の動作を停止する制御回路と、を備えた
    ことを特徴とする請求項5記載のメモリコントローラ。
  7. 【請求項7】 前記制御回路は、カウンタと記憶回路と
    を備え、 該カウンタは、前記較正信号に応答して、前記タイミン
    グ較正処理時に前記内部クロック信号をアップカウント
    するとともに該カウント値を前記検出終了信号に応答し
    て前記記憶回路に出力し、通常動作時にコマンド出力信
    号に応答して前記記憶回路から読み出したカウント値か
    ら前記内部クロック信号をダウンカウントするとともに
    該カウント値が所定値と一致するときに前記受け取り信
    号を出力することを特徴とする請求項6記載のメモリコ
    ントローラ。
  8. 【請求項8】 期待値の第1データを前記メモリの所定
    の第1アドレスに書き込むとともに、前記期待値と異な
    る第2データを前記所定アドレスの前後の第2及び第3
    アドレスに書き込み、前記第2アドレスから前記第3ア
    ドレスまで連続して読み出しを行い、第1アドレスの読
    み出し信号を出力し、前記遅延データ選択回路は、前記
    メモリから読み出された前記第1データに基づいて前記
    タイミング情報を記憶することを特徴とする請求項5〜
    7のうちの何れか一項記載のメモリコントローラ。
  9. 【請求項9】 請求項5〜8のうちの何れか一項記載の
    メモリコントローラを備えたことを特徴とする半導体集
    積回路装置。
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