JP5296451B2 - メモリ制御回路並びにこれを組み込んだ半導体集積回路 - Google Patents
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Description
該メモリ制御回路は、該クロック信号を監視することによって該データ取得のタイミングが到来したか否かを判別するデータ取得タイミング判別手段と、該データ取得のタイミングの到来が判別される迄、該データストローブ信号の有意状態を維持するデータストローブ信号補償手段と、を含み、前記データ取得タイミング判別手段及び前記データストローブ信号補償手段は、前記データストローブ信号の活性化状態を保持する第1のSRラッチ回路と、前記第1のSRラッチ回路に保持されたデータストローブ信号の活性化状態からの立下がりを検出して第1の検出信号を活性化状態にする立下がり検出回路と、前記データ取得のタイミングとして前記クロック信号の立上がりを検出して第2の検出信号を活性化状態にする立上がり検出回路と、前記第2の検出信号の活性化状態を保持すると共に、これを前記第1の検出信号の活性状態に応じてリセットする第2のSRラッチ回路と、前記データストローブ信号の非活性化状態と前記第2のSRラッチ回路によって保持された活性化状態とに応じて第3の検出信号を活性化状態にするAND回路と、を含み、前記第1のSRラッチ回路は、前記第3の検出信号の活性化状態に応じて、前記データストローブ信号の活性化状態の保持をリセットすることを特徴とする。
<データストローブ信号補償回路>
上記したように、メモリデバイス(400)から出力されるデータストローブ信号dqs(254)を保持回路2(104)と保持回路3(105)のクロック信号としてダイレクトに使用した場合、時刻T14の/dqs_delay(225)の立上がりにより、保持回路4(106)の入力(212)が時刻T16の正相のクロックclk(200)の立上がりよりも前に不定データに更新され、保持回路4(106)において不定データが取得されてしまう(図4参照)。
101 アドレス/コマンド生成部
102 遅延回路
103、104、105、106 保持回路
107 インバータ回路
108、109 入力バッファ
110、111、112 出力バッファ
120、121 SRラッチ
122 AND回路
123 立下り検出回路
124 立上り検出回路
300、301、302、303、304、305 終端抵抗
400 メモリデバイス
600 メモリ制御回路
700 データストローブ信号補償回路
900 半導体集積回路
Claims (4)
- クロック信号を生成して外部メモリデバイスに供給するクロック生成回路と、前記外部メモリデバイスから供給されるデータ信号を、これと共に供給されるデータストローブ信号の有意状態下においてのみ保持する少なくとも1つの保持回路とを含み、前記保持回路からのデータ取得を前記クロック信号に従って制御するメモリ制御回路であって、
前記クロック信号を監視することによって前記データ取得のタイミングが到来したか否かを判別するデータ取得タイミング判別手段と、前記データ取得のタイミングの到来が判別される迄、前記データストローブ信号の有意状態を維持するデータストローブ信号補償手段と、を含み、
前記データ取得タイミング判別手段及び前記データストローブ信号補償手段は、
前記データストローブ信号の活性化状態を保持する第1のSRラッチ回路と、
前記第1のSRラッチ回路に保持されたデータストローブ信号の活性化状態からの立下がりを検出して第1の検出信号を活性化状態にする立下がり検出回路と、
前記データ取得のタイミングとして前記クロック信号の立上がりを検出して第2の検出信号を活性化状態にする立上がり検出回路と、
前記第2の検出信号の活性化状態を保持すると共に、これを前記第1の検出信号の活性状態に応じてリセットする第2のSRラッチ回路と、
前記データストローブ信号の非活性化状態と前記第2のSRラッチ回路によって保持された活性化状態とに応じて第3の検出信号を活性化状態にするAND回路と、
を含み、
前記第1のSRラッチ回路は、前記第3の検出信号の活性化状態に応じて、前記データストローブ信号の活性化状態の保持をリセットすることを特徴とするメモリ制御回路。 - 前記データストローブ信号補償手段は、前記外部メモリデバイスから供給されたデータストローブ信号が前記有意状態から不定状態になるのをマスキング処理することによって、前記有意状態を維持することを特徴とする請求項1記載のメモリ制御回路。
- 前記データストローブ信号補償手段に供給されるデータストローブ信号に予め遅延を与える遅延回路をさらに含むことを特徴とする請求項1又は2記載のメモリ制御回路。
- 中央演算処理装置と前記中央演算処理装置からの制御信号に応じて外部メモリデバイスを制御するメモリ制御回路とを含み、前記メモリ制御回路は、クロック信号を生成して前記外部メモリデバイスに供給するクロック生成回路と、前記外部メモリデバイスから供給されるデータ信号を、これと共に供給されるデータストローブ信号の有意状態下においてのみ保持する少なくとも1つの保持回路とを含むことによって前記保持回路からのデータ取得を前記クロック信号に従って制御する半導体集積回路であって、
前記メモリ制御回路は、前記クロック信号を監視することによって前記データ取得のタイミングが到来したか否かを判別するデータ取得タイミング判別手段と、前記データ取得のタイミングの到来が判別される迄、前記データストローブ信号の有意状態を維持するデータストローブ信号補償手段と、を含み、
前記データ取得タイミング判別手段及び前記データストローブ信号補償手段は、
前記データストローブ信号の活性化状態を保持する第1のSRラッチ回路と、
前記第1のSRラッチ回路に保持されたデータストローブ信号の活性化状態からの立下がりを検出して第1の検出信号を活性化状態にする立下がり検出回路と、
前記データ取得のタイミングとして前記クロック信号の立上がりを検出して第2の検出信号を活性化状態にする立上がり検出回路と、
前記第2の検出信号の活性化状態を保持すると共に、これを前記第1の検出信号の活性状態に応じてリセットする第2のSRラッチ回路と、
前記データストローブ信号の非活性化状態と前記第2のSRラッチ回路によって保持された活性化状態とに応じて第3の検出信号を活性化状態にするAND回路と、
を含み、
前記第1のSRラッチ回路は、前記第3の検出信号の活性化状態に応じて、前記データストローブ信号の活性化状態の保持をリセットすることを特徴とする半導体集積回路。
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