JP2002105033A - 液晶性化合物、高分子液晶性化合物、それらを含む電解質および二次電池 - Google Patents
液晶性化合物、高分子液晶性化合物、それらを含む電解質および二次電池Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 スメクチック液晶材料として有用な新規の液
晶性化合物を含むイオン伝導度の高い電解質を提供す
る。 【解決手段】 液晶性メソーゲン基と、該液晶性メソー
ゲン基と結合する２つの側鎖を有し、該２つの側鎖が
（ＯＣＨ2ＣＨ2）xあるいは（ＯＣＨ2ＣＨＣＨ3）
y（ｘ、ｙは３〜２５の整数を示す）骨格部分を有する
液晶性化合物と金属塩からなる電解質。その電解質は液
晶性を有し、金属塩がアルカリ金属塩であり、有機溶剤
を含み、イオン伝導性に異方性がある。
晶性化合物を含むイオン伝導度の高い電解質を提供す
る。 【解決手段】 液晶性メソーゲン基と、該液晶性メソー
ゲン基と結合する２つの側鎖を有し、該２つの側鎖が
（ＯＣＨ2ＣＨ2）xあるいは（ＯＣＨ2ＣＨＣＨ3）
y（ｘ、ｙは３〜２５の整数を示す）骨格部分を有する
液晶性化合物と金属塩からなる電解質。その電解質は液
晶性を有し、金属塩がアルカリ金属塩であり、有機溶剤
を含み、イオン伝導性に異方性がある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶性化合物、高分
子液晶性化合物、それらを含む電解質および二次電池に
関し、特にスメクチック液晶材料として有用な新規な化
合物、電池、センサデバイス等エレクトロニクス分野に
用いる電解質および二次電池に関する。
子液晶性化合物、それらを含む電解質および二次電池に
関し、特にスメクチック液晶材料として有用な新規な化
合物、電池、センサデバイス等エレクトロニクス分野に
用いる電解質および二次電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】スメクチック液晶は、液晶ディスプレー
の表示素子として利用されている他に、液晶の機能性か
ら様々な分野への応用が研究されている。例えば、光ス
イッチング素子への応用（Ｍ．Ｏｚａｋｉ ｅｔ ａ
ｌ，“Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．”，２３，ｐ
ｐＬ８４３，１９９０年）、非線形光学素子への応用
（Ｍ．Ｏｚａｋｉ ｅｔ ａｌ，“Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃ
ｔｒｉｃｓ”，１２１，ｐｐ２５９，１９９１年）等が
あり、それに伴い様々なスメクチック液晶化合物も合成
されている。
の表示素子として利用されている他に、液晶の機能性か
ら様々な分野への応用が研究されている。例えば、光ス
イッチング素子への応用（Ｍ．Ｏｚａｋｉ ｅｔ ａ
ｌ，“Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．”，２３，ｐ
ｐＬ８４３，１９９０年）、非線形光学素子への応用
（Ｍ．Ｏｚａｋｉ ｅｔ ａｌ，“Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃ
ｔｒｉｃｓ”，１２１，ｐｐ２５９，１９９１年）等が
あり、それに伴い様々なスメクチック液晶化合物も合成
されている。
【０００３】１９７３年にＷｒｉｇｈｔらによって、ポ
リエチレンオキシド（ＰＥＯ）とアルカリ金属塩の錯体
のイオン伝導特性が報告され、１９７９年にＡｒｍａｎ
ｄらにより電池に用いる電解質の可能性が示されたこと
により、固体電解質の研究が世界的に広まった。固体電
解質は形状が液体ではないので、部外への漏れがなく、
耐熱性、信頼性、安全性、デバイスの小型化に対して液
状電解質に比べ有利である。また、有機物は無機物に比
べ柔軟である為、加工し易いという利点がある。
リエチレンオキシド（ＰＥＯ）とアルカリ金属塩の錯体
のイオン伝導特性が報告され、１９７９年にＡｒｍａｎ
ｄらにより電池に用いる電解質の可能性が示されたこと
により、固体電解質の研究が世界的に広まった。固体電
解質は形状が液体ではないので、部外への漏れがなく、
耐熱性、信頼性、安全性、デバイスの小型化に対して液
状電解質に比べ有利である。また、有機物は無機物に比
べ柔軟である為、加工し易いという利点がある。
【０００４】一般に電解質のイオン伝導率はキャリア密
度と電荷、イオン移動度の積で表わされる為にイオンを
解離する為の高い極性と解離したイオンを移動させる為
の低い粘性が必要とされる。その観点ではＰＥＯは固体
電解質として十分な特性を備えているとは言えない。そ
もそもＰＥＯのイオン輸送機構はドナー性極性基部分ヘ
の配位により解離されたイオンが熱によるセグメント運
動により次々に手渡される配位子交換によるものであ
る。その為に温度依存性を受けやすい。また、キャリア
密度を増加させる為に金属イオンを多く溶解させると結
晶化が起こり、逆にイオン移動度が低下してしまう。こ
の結晶化を防ぐ為にウレタン架橋によるＰＥＯ（Ｍ．Ｗ
ａｔａｎａｂｅ ｅｔ ａｌ，“Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔ
ｅ Ｉｏｎｉｃｓ”，２８〜３０，９１１，１９８
８），更には低温でのイオン移動度を向上させる為に架
橋部分に側鎖を導入したＰＥＯ（“第４０回高分子討論
会予稿集”，３７６６，１９９１）も開発されている。
また最近ではＰＥＯの末端に塩を導入した溶融塩型のＰ
ＥＯ（Ｋ．Ｉｔｏ ｅｔ ａｌ．，“Ｓｏｌｉｄ Ｓｔ
ａｔｅ Ｉｏｎｉｃｓ”，８６〜８８，３２５，１９９
６、Ｋ．Ｉｔｏ ｅｔ ａｌ．，“Ｅｌｅｃｔｏｒｏｃ
ｈｉｍ． Ａｃｔａ”，４２，１５６１，１９９７）も
開発されている。しかしながら現状ではまだイオン伝導
率が十分に得られない為に高誘電率有機溶媒と低粘度溶
媒を混合した電解液あるいは電解液を有機高分子で固定
化したゲル電解質が主流となっている。また、固体電解
質を電池デバイスとして利用する場合、イオン輸送効率
だけではなく電極との接触面において電気化学反応の効
率性が問題となっている。液晶の配向を利用したチャネ
ルによるイオン伝導については、特開平１１−８６６２
９号公報等で開発されているが、ＰＥＯ側鎖が一本であ
り、末端が重合しているために本発明とは化合物が異な
り、また、高分子化方法も異なる。
度と電荷、イオン移動度の積で表わされる為にイオンを
解離する為の高い極性と解離したイオンを移動させる為
の低い粘性が必要とされる。その観点ではＰＥＯは固体
電解質として十分な特性を備えているとは言えない。そ
もそもＰＥＯのイオン輸送機構はドナー性極性基部分ヘ
の配位により解離されたイオンが熱によるセグメント運
動により次々に手渡される配位子交換によるものであ
る。その為に温度依存性を受けやすい。また、キャリア
密度を増加させる為に金属イオンを多く溶解させると結
晶化が起こり、逆にイオン移動度が低下してしまう。こ
の結晶化を防ぐ為にウレタン架橋によるＰＥＯ（Ｍ．Ｗ
ａｔａｎａｂｅ ｅｔ ａｌ，“Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔ
ｅ Ｉｏｎｉｃｓ”，２８〜３０，９１１，１９８
８），更には低温でのイオン移動度を向上させる為に架
橋部分に側鎖を導入したＰＥＯ（“第４０回高分子討論
会予稿集”，３７６６，１９９１）も開発されている。
また最近ではＰＥＯの末端に塩を導入した溶融塩型のＰ
ＥＯ（Ｋ．Ｉｔｏ ｅｔ ａｌ．，“Ｓｏｌｉｄ Ｓｔ
ａｔｅ Ｉｏｎｉｃｓ”，８６〜８８，３２５，１９９
６、Ｋ．Ｉｔｏ ｅｔ ａｌ．，“Ｅｌｅｃｔｏｒｏｃ
ｈｉｍ． Ａｃｔａ”，４２，１５６１，１９９７）も
開発されている。しかしながら現状ではまだイオン伝導
率が十分に得られない為に高誘電率有機溶媒と低粘度溶
媒を混合した電解液あるいは電解液を有機高分子で固定
化したゲル電解質が主流となっている。また、固体電解
質を電池デバイスとして利用する場合、イオン輸送効率
だけではなく電極との接触面において電気化学反応の効
率性が問題となっている。液晶の配向を利用したチャネ
ルによるイオン伝導については、特開平１１−８６６２
９号公報等で開発されているが、ＰＥＯ側鎖が一本であ
り、末端が重合しているために本発明とは化合物が異な
り、また、高分子化方法も異なる。
【０００５】また、スメクチック液晶の電解質への応用
として、メソーゲン基にエチレンオキシド鎖を１本導入
した液晶化合物（“Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．”，１
０７９〜１０８６，６（７），１９９６年）及びエチレ
ンオキシド鎖の両末端にメソーゲン基を導入した２量体
液晶（“日本液晶学会討論会予稿集”，４３２，１９９
８年）等が開発されているが、まだイオン伝導率が十分
に得られていない。また、リチウム負極のデンドライト
抑制の為、スメクチック液晶化合物を電解液に添加する
（特開平１０−１１２３３３号公報）ことなどが開発さ
れている。
として、メソーゲン基にエチレンオキシド鎖を１本導入
した液晶化合物（“Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．”，１
０７９〜１０８６，６（７），１９９６年）及びエチレ
ンオキシド鎖の両末端にメソーゲン基を導入した２量体
液晶（“日本液晶学会討論会予稿集”，４３２，１９９
８年）等が開発されているが、まだイオン伝導率が十分
に得られていない。また、リチウム負極のデンドライト
抑制の為、スメクチック液晶化合物を電解液に添加する
（特開平１０−１１２３３３号公報）ことなどが開発さ
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、この様な従
来技術に鑑みなされたものであり、スメクチック液晶材
料として有用な新規の液晶性化合物、高分子液晶性化合
物、それらを含むイオン伝導度の高い電解質および二次
電池を提供する事を目的とするものである。
来技術に鑑みなされたものであり、スメクチック液晶材
料として有用な新規の液晶性化合物、高分子液晶性化合
物、それらを含むイオン伝導度の高い電解質および二次
電池を提供する事を目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、液晶性
メソーゲン基と、該液晶性メソーゲン基と結合する２つ
の側鎖を有し、該２つの側鎖が（ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）x あ
るいは（ＯＣＨ2 ＣＨＣＨ3 ）y （ｘ、ｙは３〜２５の
整数を示す）骨格部分を有することを特徴とする液晶性
化合物である。
メソーゲン基と、該液晶性メソーゲン基と結合する２つ
の側鎖を有し、該２つの側鎖が（ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）x あ
るいは（ＯＣＨ2 ＣＨＣＨ3 ）y （ｘ、ｙは３〜２５の
整数を示す）骨格部分を有することを特徴とする液晶性
化合物である。
【０００８】また、本発明の液晶性化合物は、下記一般
式（１）で示される化合物が好ましい。
式（１）で示される化合物が好ましい。
【０００９】
【化８】
【００１０】（式中、Ａは液晶性メソーゲン基でＡ１−
Ｂ１−Ａ２−Ｂ２−Ａ３−Ｂ３−Ａ４−Ｂ４−Ａ５−Ｂ
５−Ａ６を示す。Ａ１，Ａ２，Ａ３は１，４−フェニレ
ン（１つ以上のＣＨはＣＦまたはＮに置き換わっていて
もよい）または１，４−シクロヘキシレンを示す。Ａ
４，Ａ５，Ａ６は単結合または１，４−フェニレン（１
つ以上のＣＨはＣＦまたはＮに置き換わっていてもよ
い）または１，４−シクロヘキシレンを示す。Ｂ１，Ｂ
２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５は単結合または−ＣＨ2 Ｏ−，−
ＯＣＨ2 −，−ＣＯＯ−または−ＯＯＣ−を示す。Ｘは
−ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ−または−ＣＨＣＨ3 ＣＨ2 Ｏ−を示
し、Ｙは−ＯＣＨ2 ＣＨ2 −または−ＯＣＨ2ＣＨＣＨ3
−を示す。Ｒ1 、Ｒ2 はそれぞれ独立に炭素原子数が
１から１００までの直鎖状または分岐状のアルキル基で
あり、該アルキル基中の１つ以上のメチレンは−Ｏ−，
−ＣＯ−，−Ｓ−，−ＣＨ＝ＣＨ−，−Ｃ（ＣＨ3 ）＝
ＣＨ−，−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ3 ）−，−Ｃ≡Ｃ−またはエ
ポキシ基に置き換わっていてもよい。また、該アルキル
基中の水素原子はフッ素原子に置き換わっていてもよ
い。ｍ，ｎは３〜２５の整数を示す。光学活性化合物で
もよい。） 更に、本発明は、前記一般式（１）で示される化合物の
Ａが下記一般式（１ａ）〜（１ｊ）で表される化合物で
ある。式中、ｚはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。
Ｂ１−Ａ２−Ｂ２−Ａ３−Ｂ３−Ａ４−Ｂ４−Ａ５−Ｂ
５−Ａ６を示す。Ａ１，Ａ２，Ａ３は１，４−フェニレ
ン（１つ以上のＣＨはＣＦまたはＮに置き換わっていて
もよい）または１，４−シクロヘキシレンを示す。Ａ
４，Ａ５，Ａ６は単結合または１，４−フェニレン（１
つ以上のＣＨはＣＦまたはＮに置き換わっていてもよ
い）または１，４−シクロヘキシレンを示す。Ｂ１，Ｂ
２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５は単結合または−ＣＨ2 Ｏ−，−
ＯＣＨ2 −，−ＣＯＯ−または−ＯＯＣ−を示す。Ｘは
−ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ−または−ＣＨＣＨ3 ＣＨ2 Ｏ−を示
し、Ｙは−ＯＣＨ2 ＣＨ2 −または−ＯＣＨ2ＣＨＣＨ3
−を示す。Ｒ1 、Ｒ2 はそれぞれ独立に炭素原子数が
１から１００までの直鎖状または分岐状のアルキル基で
あり、該アルキル基中の１つ以上のメチレンは−Ｏ−，
−ＣＯ−，−Ｓ−，−ＣＨ＝ＣＨ−，−Ｃ（ＣＨ3 ）＝
ＣＨ−，−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ3 ）−，−Ｃ≡Ｃ−またはエ
ポキシ基に置き換わっていてもよい。また、該アルキル
基中の水素原子はフッ素原子に置き換わっていてもよ
い。ｍ，ｎは３〜２５の整数を示す。光学活性化合物で
もよい。） 更に、本発明は、前記一般式（１）で示される化合物の
Ａが下記一般式（１ａ）〜（１ｊ）で表される化合物で
ある。式中、ｚはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。
【００１１】
【化９】
【００１２】
【化１０】
【００１３】また、本発明は液晶相を有する前記一般式
（１）の化合物である。更に本発明は、前記一般式
（１）で示される化合物と金属塩からなる事を特徴とす
る電解質である。また、前記電解質が液晶性を有する事
を特徴とする電解質である。また、前記金属塩がアルカ
リ金属塩である事を特徴とする電解質である。また、有
機溶剤を含む事を特徴とする前記一般式（１）で示され
る化合物と金属塩からなる電解質である。
（１）の化合物である。更に本発明は、前記一般式
（１）で示される化合物と金属塩からなる事を特徴とす
る電解質である。また、前記電解質が液晶性を有する事
を特徴とする電解質である。また、前記金属塩がアルカ
リ金属塩である事を特徴とする電解質である。また、有
機溶剤を含む事を特徴とする前記一般式（１）で示され
る化合物と金属塩からなる電解質である。
【００１４】また、重合反応によって固定化された事を
特徴とする前記一般式（１）で示される化合物と金属塩
からなる電解質である。更に、イオン伝導性に異方性の
ある事を特徴とする前記一般式（１）で示される化合物
と金属塩からなる電解質である。
特徴とする前記一般式（１）で示される化合物と金属塩
からなる電解質である。更に、イオン伝導性に異方性の
ある事を特徴とする前記一般式（１）で示される化合物
と金属塩からなる電解質である。
【００１５】さらに、本発明は、上記の電解質を用いた
二次電池である。
二次電池である。
【００１６】更に、本発明は、液晶性メソーゲン基と、
該液晶性メソーゲン基と結合する２つの側鎖を有し、該
２つの側鎖が（ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）x あるいは（ＯＣＨ2
ＣＨＣＨ3 ）y （ｘ、ｙは３〜２５の整数を示す）骨格
部分を有するモノマーを重合してなることを特徴とする
高分子液晶性化合物である。
該液晶性メソーゲン基と結合する２つの側鎖を有し、該
２つの側鎖が（ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）x あるいは（ＯＣＨ2
ＣＨＣＨ3 ）y （ｘ、ｙは３〜２５の整数を示す）骨格
部分を有するモノマーを重合してなることを特徴とする
高分子液晶性化合物である。
【００１７】前記モノマーが下記一般式（１）で示され
る化合物からなるのが好ましい。
る化合物からなるのが好ましい。
【００１８】
【化１１】
【００１９】（式中、Ａは液晶性メソーゲン基でＡ１−
Ｂ１−Ａ２−Ｂ２−Ａ３−Ｂ３−Ａ４−Ｂ４−Ａ５−Ｂ
５−Ａ６を示す。Ａ１，Ａ２，Ａ３は１，４−フェニレ
ン（１つ以上のＣＨはＣＦまたはＮに置き換わっていて
もよい）または１，４−シクロヘキシレンを示す。Ａ
４，Ａ５，Ａ６は単結合または１，４−フェニレン（１
つ以上のＣＨはＣＦまたはＮに置き換わっていてもよ
い）または１，４−シクロヘキシレンを示す。Ｂ１，Ｂ
２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５は単結合または−ＣＨ2 Ｏ−，−
ＯＣＨ2 −，−ＣＯＯ−または−ＯＯＣ−を示す。Ｘは
−ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ−または−ＣＨＣＨ3 ＣＨ2 Ｏ−を示
し、Ｙは−ＯＣＨ2 ＣＨ2 −または−ＯＣＨ2ＣＨＣＨ3
−を示す。Ｒ1 、Ｒ2 はそれぞれ独立に炭素原子数が
１から１００までの直鎖状または分岐状のアルキル基で
あり、該アルキル基中の１つ以上のメチレンは−Ｏ−，
−ＣＯ−，−Ｓ−，−ＣＨ＝ＣＨ−，−Ｃ（ＣＨ3 ）＝
ＣＨ−，−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ3 ）−，−Ｃ≡Ｃ−またはエ
ポキシ基に置き換わっていてもよい。また、該アルキル
基中の水素原子はフッ素原子に置き換わっていてもよ
い。ｍ，ｎは３〜２５の整数を示す。光学活性化合物で
もよい。） また、高分子液晶性化合物は、下記一般式（２）乃至
（４）のいずれかで示される重合体からなるものが好ま
しい。
Ｂ１−Ａ２−Ｂ２−Ａ３−Ｂ３−Ａ４−Ｂ４−Ａ５−Ｂ
５−Ａ６を示す。Ａ１，Ａ２，Ａ３は１，４−フェニレ
ン（１つ以上のＣＨはＣＦまたはＮに置き換わっていて
もよい）または１，４−シクロヘキシレンを示す。Ａ
４，Ａ５，Ａ６は単結合または１，４−フェニレン（１
つ以上のＣＨはＣＦまたはＮに置き換わっていてもよ
い）または１，４−シクロヘキシレンを示す。Ｂ１，Ｂ
２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５は単結合または−ＣＨ2 Ｏ−，−
ＯＣＨ2 −，−ＣＯＯ−または−ＯＯＣ−を示す。Ｘは
−ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ−または−ＣＨＣＨ3 ＣＨ2 Ｏ−を示
し、Ｙは−ＯＣＨ2 ＣＨ2 −または−ＯＣＨ2ＣＨＣＨ3
−を示す。Ｒ1 、Ｒ2 はそれぞれ独立に炭素原子数が
１から１００までの直鎖状または分岐状のアルキル基で
あり、該アルキル基中の１つ以上のメチレンは−Ｏ−，
−ＣＯ−，−Ｓ−，−ＣＨ＝ＣＨ−，−Ｃ（ＣＨ3 ）＝
ＣＨ−，−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ3 ）−，−Ｃ≡Ｃ−またはエ
ポキシ基に置き換わっていてもよい。また、該アルキル
基中の水素原子はフッ素原子に置き換わっていてもよ
い。ｍ，ｎは３〜２５の整数を示す。光学活性化合物で
もよい。） また、高分子液晶性化合物は、下記一般式（２）乃至
（４）のいずれかで示される重合体からなるものが好ま
しい。
【００２０】
【化１２】
【００２１】（式中、Ａ、Ｘ、Ｙ、Ｒ1 、Ｒ2 、ｍ、ｎ
は前記と同じものを示す。
は前記と同じものを示す。
【００２２】Ｒ11、Ｒ12は
【００２３】
【化１３】 を示す。
【００２４】Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれ独立に単結合または
炭素原子数が１から１００までの直鎖状または分岐状の
アルキレン基であり、該アルキレン基中の１つ以上のメ
チレンは−Ｏ−，−ＣＯ−，−Ｓ−に置き換わっていて
もよい。また、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子
に置き換わっていてもよい。Ｐ、Ｑは下記の式で表わさ
れる基を示す。
炭素原子数が１から１００までの直鎖状または分岐状の
アルキレン基であり、該アルキレン基中の１つ以上のメ
チレンは−Ｏ−，−ＣＯ−，−Ｓ−に置き換わっていて
もよい。また、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子
に置き換わっていてもよい。Ｐ、Ｑは下記の式で表わさ
れる基を示す。
【００２５】
【化１４】 ｓ，ｔはそれぞれ独立に２〜１００００の整数を示す。
光学活性化合物でもよい。）
光学活性化合物でもよい。）
【００２６】また、前記高分子液晶性化合物の少なくと
も１種と金属塩を含有してなる電解質である。また、前
記電解質が液晶性を有する事を特徴とする電解質であ
る。また、前記金属塩がアルカリ金属塩である事を特徴
とする電解質である。
も１種と金属塩を含有してなる電解質である。また、前
記電解質が液晶性を有する事を特徴とする電解質であ
る。また、前記金属塩がアルカリ金属塩である事を特徴
とする電解質である。
【００２７】また、有機溶剤を含む事を特徴とする高分
子液晶性化合物と金属塩からなる電解質である。更に、
イオン伝導性に異方性のある事を特徴とする前記高分子
液晶性化合物と金属塩からなる電解質である。
子液晶性化合物と金属塩からなる電解質である。更に、
イオン伝導性に異方性のある事を特徴とする前記高分子
液晶性化合物と金属塩からなる電解質である。
【００２８】さらに、本発明は、上記の高分子液晶性化
合物の少なくとも１種と金属塩を含有してなる電解質を
用いた二次電池である。
合物の少なくとも１種と金属塩を含有してなる電解質を
用いた二次電池である。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明によれば、液晶性メソーゲ
ン基とそれと結合する２つの側鎖が（ＯＣＨ 2 ＣＨ2 ）
x あるいは（ＯＣＨ2 ＣＨＣＨ3 ）y （ｘ、ｙは３〜２
５の整数を示す）骨格部分を有する液晶性化合物が提供
される。
ン基とそれと結合する２つの側鎖が（ＯＣＨ 2 ＣＨ2 ）
x あるいは（ＯＣＨ2 ＣＨＣＨ3 ）y （ｘ、ｙは３〜２
５の整数を示す）骨格部分を有する液晶性化合物が提供
される。
【００３０】また、本発明の液晶性化合物は、下記一般
式（１）で示される化合物が好ましい。
式（１）で示される化合物が好ましい。
【００３１】
【化１５】
【００３２】一般式（１）において、Ａは液晶性メソー
ゲン基でＡ１−Ｂ１−Ａ２−Ｂ２−Ａ３−Ｂ３−Ａ４−
Ｂ４−Ａ５−Ｂ５−Ａ６を示す。Ａ１，Ａ２，Ａ３は
１，４−フェニレン（１つ以上のＣＨはＣＦまたはＮに
置き換わっていてもよい）または１，４−シクロヘキシ
レンを示す。Ａ４，Ａ５，Ａ６は単結合または１，４−
フェニレン（１つ以上のＣＨはＣＦまたはＮに置き換わ
っていてもよい）または１，４−シクロヘキシレンを示
す。
ゲン基でＡ１−Ｂ１−Ａ２−Ｂ２−Ａ３−Ｂ３−Ａ４−
Ｂ４−Ａ５−Ｂ５−Ａ６を示す。Ａ１，Ａ２，Ａ３は
１，４−フェニレン（１つ以上のＣＨはＣＦまたはＮに
置き換わっていてもよい）または１，４−シクロヘキシ
レンを示す。Ａ４，Ａ５，Ａ６は単結合または１，４−
フェニレン（１つ以上のＣＨはＣＦまたはＮに置き換わ
っていてもよい）または１，４−シクロヘキシレンを示
す。
【００３３】Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，Ｂ５は単結合ま
たは−ＣＨ2 Ｏ−，−ＯＣＨ2 −，−ＣＯＯ−または−
ＯＯＣ−を示す。Ｘは−ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ−または−ＣＨ
ＣＨ3 ＣＨ2 Ｏ−を示し、Ｙは−ＯＣＨ 2 ＣＨ2 −また
は−ＯＣＨ2 ＣＨＣＨ3 −を示す。
たは−ＣＨ2 Ｏ−，−ＯＣＨ2 −，−ＣＯＯ−または−
ＯＯＣ−を示す。Ｘは−ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ−または−ＣＨ
ＣＨ3 ＣＨ2 Ｏ−を示し、Ｙは−ＯＣＨ 2 ＣＨ2 −また
は−ＯＣＨ2 ＣＨＣＨ3 −を示す。
【００３４】Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に炭素原子数が
１〜１００、好ましくは１〜２５の直鎖状または分岐状
のアルキル基である。該アルキル基中の１つ以上のメチ
レンは−Ｏ−，−ＣＯ−，−Ｓ−，−ＣＨ＝ＣＨ−，−
Ｃ（ＣＨ3）＝ＣＨ−，−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ3）−，−Ｃ≡
Ｃ−またはエポキシ基に置き換わっていてもよい。ま
た、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換わ
っていてもよい。
１〜１００、好ましくは１〜２５の直鎖状または分岐状
のアルキル基である。該アルキル基中の１つ以上のメチ
レンは−Ｏ−，−ＣＯ−，−Ｓ−，−ＣＨ＝ＣＨ−，−
Ｃ（ＣＨ3）＝ＣＨ−，−ＣＨ＝Ｃ（ＣＨ3）−，−Ｃ≡
Ｃ−またはエポキシ基に置き換わっていてもよい。ま
た、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換わ
っていてもよい。
【００３５】ｍ，ｎは３〜２５、好ましくは３〜１５の
整数を示す。一般式（１）で示される化合物は光学活性
化合物でもよい。
整数を示す。一般式（１）で示される化合物は光学活性
化合物でもよい。
【００３６】また、本発明によれば、前記一般式（１）
で示される化合物のＡが下記一般式（１ａ）〜（１ｊ）
で表される化合物が提供される。式中、ｚはそれぞれ独
立に０〜４の整数を示す。
で示される化合物のＡが下記一般式（１ａ）〜（１ｊ）
で表される化合物が提供される。式中、ｚはそれぞれ独
立に０〜４の整数を示す。
【００３７】
【化１６】
【００３８】
【化１７】
【００３９】本発明の化合物は液晶相を有していること
が好ましいが、特にスメクチック液晶相が好ましい。更
に、本発明によれば前記一般式（１）で示される化合物
と金属塩を含有してなる電解質が提供される。
が好ましいが、特にスメクチック液晶相が好ましい。更
に、本発明によれば前記一般式（１）で示される化合物
と金属塩を含有してなる電解質が提供される。
【００４０】前記金属塩はアルカリ金属塩が好ましく、
例えばＭＣｌＯ4 ，ＭＢＦ4 ，ＭＰＦ6 ，ＭＣＦ3 ＳＯ
3 ，Ｌｉ（ＣＦ3 ＳＯ2 ）2 Ｎ（ＭはＬｉ，Ｎａ，Ｋを
示す。）といったアルカリ金属塩の他、ＣｕＳＯ4 ，Ｎ
ｉ（ＮＯ3 ）2 ，Ｎｉ（ＢＦ 4 ）2 等の金属塩を含有し
ていることが好ましい。特に好ましくは、ＬｉＣｌＯ
4 ，ＬｉＢＦ4 ，ＬｉＰＦ6 ，ＬｉＣＦ3 ＳＯ3 ，Ｌｉ
（ＣＦ3 ＳＯ2 ）2 Ｎ等のリチウム金属塩である。
例えばＭＣｌＯ4 ，ＭＢＦ4 ，ＭＰＦ6 ，ＭＣＦ3 ＳＯ
3 ，Ｌｉ（ＣＦ3 ＳＯ2 ）2 Ｎ（ＭはＬｉ，Ｎａ，Ｋを
示す。）といったアルカリ金属塩の他、ＣｕＳＯ4 ，Ｎ
ｉ（ＮＯ3 ）2 ，Ｎｉ（ＢＦ 4 ）2 等の金属塩を含有し
ていることが好ましい。特に好ましくは、ＬｉＣｌＯ
4 ，ＬｉＢＦ4 ，ＬｉＰＦ6 ，ＬｉＣＦ3 ＳＯ3 ，Ｌｉ
（ＣＦ3 ＳＯ2 ）2 Ｎ等のリチウム金属塩である。
【００４１】また、本発明の電解質に含有される金属塩
の含有量は、通常０．０１〜５０重量％、好ましくは
０．１から３０重量％が望ましい。
の含有量は、通常０．０１〜５０重量％、好ましくは
０．１から３０重量％が望ましい。
【００４２】本発明の電解質は有機溶剤を含有しても良
い。好ましくは極性有機溶剤であるが、例えばエチレン
カーボネート、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラ
クトン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルエチ
ルケトン、メチルプロピオネート、ジメトキシエタン、
グリコール類である。
い。好ましくは極性有機溶剤であるが、例えばエチレン
カーボネート、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラ
クトン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルエチ
ルケトン、メチルプロピオネート、ジメトキシエタン、
グリコール類である。
【００４３】本発明の電解質は液晶相を有していること
が好ましいが、特にスメクチック液晶相が好ましい。更
に、本発明の一般式（１）で示される化合物は、他の液
晶化合物、非液晶化合物の１種以上と適当な割合で混合
する事により、液晶相、液晶転移温度を調整する事が出
来る。
が好ましいが、特にスメクチック液晶相が好ましい。更
に、本発明の一般式（１）で示される化合物は、他の液
晶化合物、非液晶化合物の１種以上と適当な割合で混合
する事により、液晶相、液晶転移温度を調整する事が出
来る。
【００４４】次に、本発明の高分子液晶性化合物は、液
晶性メソーゲン基と、該液晶性メソーゲン基と結合する
２つの側鎖を有し、該２つの側鎖が（ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）
x あるいは（ＯＣＨ2 ＣＨＣＨ3 ）y （ｘ、ｙは３〜２
５の整数を示す）骨格部分を有するモノマーを重合して
なることを特徴とする。
晶性メソーゲン基と、該液晶性メソーゲン基と結合する
２つの側鎖を有し、該２つの側鎖が（ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）
x あるいは（ＯＣＨ2 ＣＨＣＨ3 ）y （ｘ、ｙは３〜２
５の整数を示す）骨格部分を有するモノマーを重合して
なることを特徴とする。
【００４５】前記モノマーには、上記の一般式（１）で
示される化合物で不飽和結合およびエポキシ基を有する
化合物が用いられる。重合は光重合、熱重合により行な
われる。
示される化合物で不飽和結合およびエポキシ基を有する
化合物が用いられる。重合は光重合、熱重合により行な
われる。
【００４６】高分子液晶性化合物には、重合により得ら
れる下記一般式（２）乃至（４）のいずれかで示される
重合体を含有する。
れる下記一般式（２）乃至（４）のいずれかで示される
重合体を含有する。
【００４７】
【化１８】
【００４８】式中、Ａ、Ｘ、Ｙ、Ｒ1 、Ｒ2 、ｍ、ｎは
前記と同じものを示す。
前記と同じものを示す。
【００４９】Ｒ11、Ｒ12は
【００５０】
【化１９】 を示す。
【００５１】Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれ独立に単結合または
炭素原子数が１から１００までの直鎖状または分岐状の
アルキレン基であり、該アルキレン基中の１つ以上のメ
チレンは−Ｏ−，−ＣＯ−，−Ｓ−，に置き換わってい
てもよい。また、該アルキル基中の水素原子はフッ素原
子に置き換わっていてもよい。Ｐ、Ｑは下記の式で表わ
される基を示す。
炭素原子数が１から１００までの直鎖状または分岐状の
アルキレン基であり、該アルキレン基中の１つ以上のメ
チレンは−Ｏ−，−ＣＯ−，−Ｓ−，に置き換わってい
てもよい。また、該アルキル基中の水素原子はフッ素原
子に置き換わっていてもよい。Ｐ、Ｑは下記の式で表わ
される基を示す。
【００５２】
【化２０】
【００５３】ｓ，ｔはそれぞれ独立に２〜１００００、
好ましくは２〜１０００の整数を示す。光学活性化合物
でもよい。
好ましくは２〜１０００の整数を示す。光学活性化合物
でもよい。
【００５４】本発明の高分子液晶性化合物の重合度は、
２〜１００００である事が望ましい。更に好ましくは、
２〜１０００である事が望ましい。さらに、本発明の高
分子液晶性化合物は液晶相を有していることが好ましい
が、特にスメクチック液晶相が好ましい。更に、本発明
の高分子液晶性化合物は、重合反応の際に、他のモノマ
ー化合物と適当な割合で混合して、共重合する事によ
り、液晶相、液晶転移温度、重合度を調整する事が出来
る。
２〜１００００である事が望ましい。更に好ましくは、
２〜１０００である事が望ましい。さらに、本発明の高
分子液晶性化合物は液晶相を有していることが好ましい
が、特にスメクチック液晶相が好ましい。更に、本発明
の高分子液晶性化合物は、重合反応の際に、他のモノマ
ー化合物と適当な割合で混合して、共重合する事によ
り、液晶相、液晶転移温度、重合度を調整する事が出来
る。
【００５５】また、本発明は、上記の高分子液晶性化合
物と金属塩を含有してなる電解質が提供される。
物と金属塩を含有してなる電解質が提供される。
【００５６】前述したように、スメクチック液晶の電解
質への応用として、メソーゲン基と結合する１つの側鎖
がエチレンオキシド鎖骨格部分を有する液晶化合物
（“Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．”，１０７９〜１０８
６，６（７），１９９６年）及びエチレンオキシド鎖の
両末端にメソーゲン基を導入した２量体液晶（“日本液
晶学会討論会予稿集”，４３２，１９９８年）等が開発
されているが、本発明の化合物はメソーゲン基と結合す
る２つの側鎖がエチレンオキシド鎖あるいはプロピレン
オキシド鎖の骨格部分を有する化合物であり構造が異な
る。また、前者はスメクチック液晶相の温度範囲が狭
く、後者はエチレンオキシド鎖の両末端にメソーゲン基
が有る為、エチレンオキシド鎖の自由度が少ない等の課
題が有り、まだイオン伝導率が十分に得られていない。
質への応用として、メソーゲン基と結合する１つの側鎖
がエチレンオキシド鎖骨格部分を有する液晶化合物
（“Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．”，１０７９〜１０８
６，６（７），１９９６年）及びエチレンオキシド鎖の
両末端にメソーゲン基を導入した２量体液晶（“日本液
晶学会討論会予稿集”，４３２，１９９８年）等が開発
されているが、本発明の化合物はメソーゲン基と結合す
る２つの側鎖がエチレンオキシド鎖あるいはプロピレン
オキシド鎖の骨格部分を有する化合物であり構造が異な
る。また、前者はスメクチック液晶相の温度範囲が狭
く、後者はエチレンオキシド鎖の両末端にメソーゲン基
が有る為、エチレンオキシド鎖の自由度が少ない等の課
題が有り、まだイオン伝導率が十分に得られていない。
【００５７】本発明の電解質はイオン伝導性に異方性を
備えたものであるが、その起因となるものは、イオン伝
導性の小さいフェニレン等から構成される液晶メソーゲ
ン基とイオン伝導性の大きいエチレンオキシド鎖が、そ
のモノマーの液晶性から規則的に配列された構造体をつ
くることにある。即ち、液晶相の層構造に対して平行方
向にイオンが移動する場合、エチレンオキシド鎖が連続
して並んでいる為にその伝導度は高いが、垂直方向の場
合、エチレンオキシド鎖とメソーゲン基が交互に配列す
る為に、イオンはメソーゲン基を飛び越えなければ移動
できない。そこには大きなポテンシャルが存在し、その
為にイオン伝導度は小さくなる。それゆえ、液晶相の２
方向（ＸとＹ方向、図２参照）のイオン伝導度に差が生
じ、異方性を持つものである。
備えたものであるが、その起因となるものは、イオン伝
導性の小さいフェニレン等から構成される液晶メソーゲ
ン基とイオン伝導性の大きいエチレンオキシド鎖が、そ
のモノマーの液晶性から規則的に配列された構造体をつ
くることにある。即ち、液晶相の層構造に対して平行方
向にイオンが移動する場合、エチレンオキシド鎖が連続
して並んでいる為にその伝導度は高いが、垂直方向の場
合、エチレンオキシド鎖とメソーゲン基が交互に配列す
る為に、イオンはメソーゲン基を飛び越えなければ移動
できない。そこには大きなポテンシャルが存在し、その
為にイオン伝導度は小さくなる。それゆえ、液晶相の２
方向（ＸとＹ方向、図２参照）のイオン伝導度に差が生
じ、異方性を持つものである。
【００５８】次に、本発明の一般式（１）で示される化
合物の具体的な構造を表１〜１１に示す。但し、本発明
はこれらのみに限定されるものではない。尚、表中のＡ
の略記は、以下の基を示す。
合物の具体的な構造を表１〜１１に示す。但し、本発明
はこれらのみに限定されるものではない。尚、表中のＡ
の略記は、以下の基を示す。
【００５９】
【化２１】
【００６０】
【化２２】
【００６１】
【表１】
【００６２】
【表２】
【００６３】
【表３】
【００６４】
【表４】
【００６５】
【表５】
【００６６】
【表６】
【００６７】
【表７】
【００６８】
【表８】
【００６９】
【表９】
【００７０】
【表１０】
【００７１】
【表１１】
【００７２】次に本発明の高分子液晶性化合物の具体的
な構造を表１２〜１３に示す。但し、本発明はこれらの
みに限定されるものではない。
な構造を表１２〜１３に示す。但し、本発明はこれらの
みに限定されるものではない。
【００７３】
【表１２】
【００７４】
【表１３】
【００７５】（注）表中のｓ，ｔは２〜１００の値を示
す。
す。
【００７６】次に、本発明の電解質の応用例として、二
次電池について説明する。図１は二次電池の模式的な構
成例である。１１、１２はそれぞれ負、正の電極であ
る。１３が電解質層であって、この層を通路として特定
極性のイオンが負電極から正電極へ、あるいは正電極か
ら負電極へ伝達される。上記負および正の電極はイオン
の放出と吸収の機能、外部デバイスとの連携機能（例え
ば電子伝導性機能）、機械的な支持機能等、多義に渉る
機能が要求されることから通常機能分離された複数の部
材からなる複合体となる場合が多い。
次電池について説明する。図１は二次電池の模式的な構
成例である。１１、１２はそれぞれ負、正の電極であ
る。１３が電解質層であって、この層を通路として特定
極性のイオンが負電極から正電極へ、あるいは正電極か
ら負電極へ伝達される。上記負および正の電極はイオン
の放出と吸収の機能、外部デバイスとの連携機能（例え
ば電子伝導性機能）、機械的な支持機能等、多義に渉る
機能が要求されることから通常機能分離された複数の部
材からなる複合体となる場合が多い。
【００７７】負電極１１は外部回路との電子的接続機能
を兼ねた銅、アルミニウム、金、白金などの電子伝導性
支持体１１１に負極活物質１１２をコーティングしたも
のが用いられる。或いは支持体としての機能をかねた負
極活物質を用いることもできる。負極活物質材料として
はＬｉイオン、Ｎａイオン、Ｋイオン等のアルカリイオ
ン、アルカリ土類イオン、水素イオン等のカチオンを放
出する能力を有する材料として、金属材料のなかからリ
チウム金属箔、リチウム−アルミニウム合金等が、高分
子材料のなかから好ましくはｎ型にドープされたポリア
セチレン、ポリチオフェン、ポリｐ−フェニレン、ポリ
アセン等およびその誘導体が、また炭素系材料のなかか
らグラファイト（黒鉛）、ピッチ、コークス、有機高分
子の焼結体、あるいはこれらの材料と有機高分子の複合
体が適宜選択的に用いられる。
を兼ねた銅、アルミニウム、金、白金などの電子伝導性
支持体１１１に負極活物質１１２をコーティングしたも
のが用いられる。或いは支持体としての機能をかねた負
極活物質を用いることもできる。負極活物質材料として
はＬｉイオン、Ｎａイオン、Ｋイオン等のアルカリイオ
ン、アルカリ土類イオン、水素イオン等のカチオンを放
出する能力を有する材料として、金属材料のなかからリ
チウム金属箔、リチウム−アルミニウム合金等が、高分
子材料のなかから好ましくはｎ型にドープされたポリア
セチレン、ポリチオフェン、ポリｐ−フェニレン、ポリ
アセン等およびその誘導体が、また炭素系材料のなかか
らグラファイト（黒鉛）、ピッチ、コークス、有機高分
子の焼結体、あるいはこれらの材料と有機高分子の複合
体が適宜選択的に用いられる。
【００７８】正電極１２は、外部回路との電子的接続機
能を兼ねた銅、アルミニウム、金、白金などの電子伝導
性支持体１２１に正極活物質１２２をコーティングした
ものが用いられる。或いは支持体としての機能をかねた
正極活物質を用いることもできる。正極活物質材料とし
ては無機材料のなかからコバルト、バナジウム、チタ
ン、モリブデン、鉄、マンガンなど遷移金属のカルコゲ
ン化合物及び酸化物、さらにこれらとリチウムの複合体
が、炭素系材料のなかからグラファイト、弗化カーボン
など一連の層状化合物、あるいはこれらの材料と有機高
分子の複合体が、高分子材料のなかから好ましくはｐ型
またはｎ型にドープされたポリアセチレン、ポリアニリ
ン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリｐ−フェニレ
ン、ポリアセン、ポリフタロシアニン、ポリピリジン
等、およびこれらの誘導体が適宜選択的に用いられる。
能を兼ねた銅、アルミニウム、金、白金などの電子伝導
性支持体１２１に正極活物質１２２をコーティングした
ものが用いられる。或いは支持体としての機能をかねた
正極活物質を用いることもできる。正極活物質材料とし
ては無機材料のなかからコバルト、バナジウム、チタ
ン、モリブデン、鉄、マンガンなど遷移金属のカルコゲ
ン化合物及び酸化物、さらにこれらとリチウムの複合体
が、炭素系材料のなかからグラファイト、弗化カーボン
など一連の層状化合物、あるいはこれらの材料と有機高
分子の複合体が、高分子材料のなかから好ましくはｐ型
またはｎ型にドープされたポリアセチレン、ポリアニリ
ン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリｐ−フェニレ
ン、ポリアセン、ポリフタロシアニン、ポリピリジン
等、およびこれらの誘導体が適宜選択的に用いられる。
【００７９】
【実施例】以下、実施例により本発明について更に詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。
に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるも
のではない。
【００８０】実施例１ ４’−［メチルオキシジ（エチレンオキシ）エチルオキ
シ］−４−ビフェニルカルボン酸 ４−［メチルオキシ
ジ（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４’−ビフェニ
ル（例示化合物Ｎｏ．１）の製造例 （１）メチルオキシジ（エチレンオキシ）エチルオキシ
トシレートの製造 １００ｍｌナスフラスコにトリエチレングリコールモノ
メチルエーテル２０ｇ（１２２ｍｍｏｌ）とピリジン２
０ｍｌを仕込み、氷浴で０℃に冷却した。ｐ−トルエン
スルホン酸クロライド３０．２ｇ（１５８ｍｍｏｌ）を
ゆっくりと添加し、０℃で１２時間撹拌した。水を加え
クロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウム
で乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラ
フィー（クロロホルム／メタノール＝１００／１）で分
離精製して、メチルオキシジ（エチレンオキシ）エチル
オキシトシレート３６．８ｇ（１１６ｍｍｏｌ），収率
９５％を得た。
シ］−４−ビフェニルカルボン酸 ４−［メチルオキシ
ジ（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４’−ビフェニ
ル（例示化合物Ｎｏ．１）の製造例 （１）メチルオキシジ（エチレンオキシ）エチルオキシ
トシレートの製造 １００ｍｌナスフラスコにトリエチレングリコールモノ
メチルエーテル２０ｇ（１２２ｍｍｏｌ）とピリジン２
０ｍｌを仕込み、氷浴で０℃に冷却した。ｐ−トルエン
スルホン酸クロライド３０．２ｇ（１５８ｍｍｏｌ）を
ゆっくりと添加し、０℃で１２時間撹拌した。水を加え
クロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウム
で乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラ
フィー（クロロホルム／メタノール＝１００／１）で分
離精製して、メチルオキシジ（エチレンオキシ）エチル
オキシトシレート３６．８ｇ（１１６ｍｍｏｌ），収率
９５％を得た。
【００８１】（２）４’−［メチルオキシジ（エチレン
オキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸の
製造 ５００ｍｌナスフラスコに４’−ヒドロキシ−４−カル
ボン酸３ｇ（１４ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム１．８
ｇ、メタノール２５０ｍｌを仕込み、１時間加熱還流を
行った。メチルオキシジ（エチレンオキシ）エチルオキ
シトシレート４．２ｇ（１４ｍｍｏｌ）を加え、更に２
４時間加熱還流を行った。
オキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸の
製造 ５００ｍｌナスフラスコに４’−ヒドロキシ−４−カル
ボン酸３ｇ（１４ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム１．８
ｇ、メタノール２５０ｍｌを仕込み、１時間加熱還流を
行った。メチルオキシジ（エチレンオキシ）エチルオキ
シトシレート４．２ｇ（１４ｍｍｏｌ）を加え、更に２
４時間加熱還流を行った。
【００８２】反応溶液を室温まで冷やし、１Ｎ塩酸で中
和した後、水を加えクロロホルムで抽出した。有機層を
無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリ
カゲルクロマトグラフィー（クロロホルム／メタノール
＝３０／１）で分離精製して、白色固体の４’−［メチ
ルオキシジ（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４−ビ
フェニルカルボン酸４．３ｇ（１２．０ｍｍｏｌ），収
率６１％を得た。
和した後、水を加えクロロホルムで抽出した。有機層を
無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリ
カゲルクロマトグラフィー（クロロホルム／メタノール
＝３０／１）で分離精製して、白色固体の４’−［メチ
ルオキシジ（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４−ビ
フェニルカルボン酸４．３ｇ（１２．０ｍｍｏｌ），収
率６１％を得た。
【００８３】（３）４’−［メチルオキシジ（エチレン
オキシ）エチルオキシ］−４−ヒドロキシビフェニルの
製造 ５００ｍｌナスフラスコに４，４’−ビフェノール２．
６ｇ（１４ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム１．８ｇ、メタ
ノール２５０ｍｌを仕込み、１時間加熱還流を行った。
メチルオキシジ（エチレンオキシ）エチルオキシトシレ
ート４．２ｇ（１４ｍｍｏｌ）を加え、更に２４時間加
熱還流を行った。反応溶液を室温まで冷やし、１Ｎ塩酸
で中和した後、水を加えクロロホルムで抽出した。有機
層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、
シリカゲルクロマトグラフィー（クロロホルム／メタノ
ール＝５０／１）で分離精製して、白色固体の４’−
［メチルオキシジ（エチレンオキシ）エチルオキシ］−
４−ヒドロキシビフェニル２．５ｇ（７．５ｍｍｏ
ｌ），収率５３．６％を得た。
オキシ）エチルオキシ］−４−ヒドロキシビフェニルの
製造 ５００ｍｌナスフラスコに４，４’−ビフェノール２．
６ｇ（１４ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム１．８ｇ、メタ
ノール２５０ｍｌを仕込み、１時間加熱還流を行った。
メチルオキシジ（エチレンオキシ）エチルオキシトシレ
ート４．２ｇ（１４ｍｍｏｌ）を加え、更に２４時間加
熱還流を行った。反応溶液を室温まで冷やし、１Ｎ塩酸
で中和した後、水を加えクロロホルムで抽出した。有機
層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、
シリカゲルクロマトグラフィー（クロロホルム／メタノ
ール＝５０／１）で分離精製して、白色固体の４’−
［メチルオキシジ（エチレンオキシ）エチルオキシ］−
４−ヒドロキシビフェニル２．５ｇ（７．５ｍｍｏ
ｌ），収率５３．６％を得た。
【００８４】（４）４’−［メチルオキシジ（エチレン
オキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸
４−［メチルオキシジ（エチレンオキシ）エチルオキ
シ］−４’−ビフェニル（例示化合物Ｎｏ．１）の製造 １００ｍｌナスフラスコに４’−［メチルオキシジ（エ
チレンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボ
ン酸１．４１ｇ（３．９ｍｍｏｌ）、４’−［メチルオ
キシジ（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４−ヒドロ
キシビフェニル１．３０ｇ（３．９ｍｍｏｌ）、１，３
−ジシクロカルボジイミド０．４ｇ（５．１ｍｍｏ
ｌ）、４−ジメチルアミノピリジン０．４８ｇ（３．９
ｍｍｏｌ）、乾燥クロロホルム２０ｍｌを仕込み、２４
時間室温撹拌を行った。
オキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸
４−［メチルオキシジ（エチレンオキシ）エチルオキ
シ］−４’−ビフェニル（例示化合物Ｎｏ．１）の製造 １００ｍｌナスフラスコに４’−［メチルオキシジ（エ
チレンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボ
ン酸１．４１ｇ（３．９ｍｍｏｌ）、４’−［メチルオ
キシジ（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４−ヒドロ
キシビフェニル１．３０ｇ（３．９ｍｍｏｌ）、１，３
−ジシクロカルボジイミド０．４ｇ（５．１ｍｍｏ
ｌ）、４−ジメチルアミノピリジン０．４８ｇ（３．９
ｍｍｏｌ）、乾燥クロロホルム２０ｍｌを仕込み、２４
時間室温撹拌を行った。
【００８５】反応終了後、水を加えクロロホルムで抽出
した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減
圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー（クロロホル
ム／メタノール＝３０／１）で分離精製した後、再結晶
（メタノール／アセトン＝１／１）を行い、白色固体の
４’−［メチルオキシジ（エチレンオキシ）エチルオキ
シ］−４−ビフェニルカルボン酸 ４−［メチルオキシ
ジ（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４’−ビフェニ
ル（例示化合物Ｎｏ．１）１．８ｇ（２．６ｍｍｏ
ｌ），収率６６．６％を得た。
した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減
圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー（クロロホル
ム／メタノール＝３０／１）で分離精製した後、再結晶
（メタノール／アセトン＝１／１）を行い、白色固体の
４’−［メチルオキシジ（エチレンオキシ）エチルオキ
シ］−４−ビフェニルカルボン酸 ４−［メチルオキシ
ジ（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４’−ビフェニ
ル（例示化合物Ｎｏ．１）１．８ｇ（２．６ｍｍｏ
ｌ），収率６６．６％を得た。
【００８６】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣ１3 ／ＴＭＳ，σｐ
ｐｍ）：３．４（６Ｈ，ｓ）、３．６〜４．２（２４
Ｈ，ｍ）、７．０（４Ｈ，ｍ）、７．３（２Ｈ，ｄ）、
７．５〜７．７（８Ｈ，ｍ）、８．３（２Ｈ，ｄ）
ｐｍ）：３．４（６Ｈ，ｓ）、３．６〜４．２（２４
Ｈ，ｍ）、７．０（４Ｈ，ｍ）、７．３（２Ｈ，ｄ）、
７．５〜７．７（８Ｈ，ｍ）、８．３（２Ｈ，ｄ）
【００８７】相転移温度を以下に示す。 昇温過程： Ｋ（６３℃）ＳｍＸ（１２０℃）ＳｍＣ
（１８７℃）Ｎ（２２３℃）Ｉｓｏ 降温過程； Ｉｓｏ（２２１℃）Ｎ（１８５℃）ＳｍＣ
（１１６℃）ＳｍＸ（１７℃）Ｋ Ｋ：結晶相、ＳｍＸ：高次のスメクチック相、ＳｍＣ；
スメクチックＣ相、Ｉｓｏ：等方相、Ｎ：ネマチック相
（１８７℃）Ｎ（２２３℃）Ｉｓｏ 降温過程； Ｉｓｏ（２２１℃）Ｎ（１８５℃）ＳｍＣ
（１１６℃）ＳｍＸ（１７℃）Ｋ Ｋ：結晶相、ＳｍＸ：高次のスメクチック相、ＳｍＣ；
スメクチックＣ相、Ｉｓｏ：等方相、Ｎ：ネマチック相
【００８８】実施例２ （１）液晶電解質Ａの製造 例示化合物Ｎｏ．１：１０１ｍｇ（０．１５ｍｍｏｌ）
に乾燥クロロホルム４ｍｌを加え、撹拌し完全に溶解さ
せた。それにトリフルオロメタンスルホン酸リチウム
７．０２ｍｇ（０．０４５ｍｍｏｌ）を溶解したＴＨＦ
溶液１ｍｌを加え２時間撹拌した。溶媒をゆっくりと減
圧留去した後、減圧乾燥し、液晶電解質Ａを得た。
に乾燥クロロホルム４ｍｌを加え、撹拌し完全に溶解さ
せた。それにトリフルオロメタンスルホン酸リチウム
７．０２ｍｇ（０．０４５ｍｍｏｌ）を溶解したＴＨＦ
溶液１ｍｌを加え２時間撹拌した。溶媒をゆっくりと減
圧留去した後、減圧乾燥し、液晶電解質Ａを得た。
【００８９】相転移温度を以下に示す。 昇温過程： ＳｍＸ（１０７℃）ＳｍＣ（１８０℃）Ｓ
ｍＡ（１９９℃）Ｎ（２１３℃）Ｉｓｏ 降温過程： Ｉｓｏ（２１２℃）Ｎ（１９８℃）ＳｍＡ
（１７９℃）ＳｍＣ（１０３℃）ＳｍＸ ＳｍＸ：高次のスメクチック相、ＳｍＣ：スメクチック
Ｃ相、ＳｍＡ：スメクチックＡ相、Ｎ：ネマチック相、
Ｉｓｏ：等方相
ｍＡ（１９９℃）Ｎ（２１３℃）Ｉｓｏ 降温過程： Ｉｓｏ（２１２℃）Ｎ（１９８℃）ＳｍＡ
（１７９℃）ＳｍＣ（１０３℃）ＳｍＸ ＳｍＸ：高次のスメクチック相、ＳｍＣ：スメクチック
Ｃ相、ＳｍＡ：スメクチックＡ相、Ｎ：ネマチック相、
Ｉｓｏ：等方相
【００９０】（２）液晶電解質Ａのイオン伝導度の評価 ２枚のガラス板を用意し、１枚のガラス板上に金膜を４
００Å形成し、図２に示すパターンにエッチングを行っ
た。それぞれのガラス板上にポリイミド樹脂前駆体［東
レ（株）製ＳＰ−７１０］１．５％ジメチルアセトアミ
ド溶液を回転数２０００ｒ．ｐ．ｍ．のスピナーで１５
秒間塗布した。成膜後、６０分間、３００℃加熱縮合焼
成処理を施した。この時の塗膜の膜厚は約２５０Åであ
った。この焼成後の被膜にはアセテート植毛布によるラ
ビング処理がなされ、その後、イソプロピルアルコール
液で洗浄し、平均粒径２．０μｍのシリカビーズを一方
のガラス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸
が互いに平行となるようにし、接着シール剤［三井東圧
（株）ストラクトボンド］を用いてガラス板を張り合わ
せ、６０分間、１７０℃にて加熱乾燥しセルＡを作成し
た。
００Å形成し、図２に示すパターンにエッチングを行っ
た。それぞれのガラス板上にポリイミド樹脂前駆体［東
レ（株）製ＳＰ−７１０］１．５％ジメチルアセトアミ
ド溶液を回転数２０００ｒ．ｐ．ｍ．のスピナーで１５
秒間塗布した。成膜後、６０分間、３００℃加熱縮合焼
成処理を施した。この時の塗膜の膜厚は約２５０Åであ
った。この焼成後の被膜にはアセテート植毛布によるラ
ビング処理がなされ、その後、イソプロピルアルコール
液で洗浄し、平均粒径２．０μｍのシリカビーズを一方
のガラス板上に散布した後、それぞれのラビング処理軸
が互いに平行となるようにし、接着シール剤［三井東圧
（株）ストラクトボンド］を用いてガラス板を張り合わ
せ、６０分間、１７０℃にて加熱乾燥しセルＡを作成し
た。
【００９１】このセルＡに液晶電解質Ａを等方性液体状
態で注入し、等方相から２０℃／ｈでスメクチックＡ相
を示す温度まで冷却した。このセルを偏光顕微鏡でクロ
スニコル下、テクスチャーを観察した所、スメクチック
Ａ相のホモジニアス均一配向が観測された。次に０．０
０１〜１００ｋＨｚ、３０００ｍＶの交流電圧を印加し
た時の電流を測定して複素インピーダンスを測定し、イ
オン伝導率を算出した。図２はインピーダンス測定のセ
ルのパターン図である。その結果を以下に示す。
態で注入し、等方相から２０℃／ｈでスメクチックＡ相
を示す温度まで冷却した。このセルを偏光顕微鏡でクロ
スニコル下、テクスチャーを観察した所、スメクチック
Ａ相のホモジニアス均一配向が観測された。次に０．０
０１〜１００ｋＨｚ、３０００ｍＶの交流電圧を印加し
た時の電流を測定して複素インピーダンスを測定し、イ
オン伝導率を算出した。図２はインピーダンス測定のセ
ルのパターン図である。その結果を以下に示す。
【００９２】Ｘ方向 測定温度 イオン伝導率 １４０℃ １．２×１０-6Ｓ／ｃｍ １６０℃ ３．８×１０-6Ｓ／ｃｍ １８０℃ １．２×１０-4Ｓ／ｃｍ Ｙ方向 測定温度 イオン伝導率 １４０℃ １．６×１０-4Ｓ／ｃｍ １６０℃ ２．２×１０-4Ｓ／ｃｍ １８０℃ ３．１×１０-4Ｓ／ｃｍ
【００９３】実施例３ （１）液晶電解質Ｂの製造 例示化合物Ｎｏ．１０：１０８ｍｇ（０．１５ｍｍｏ
ｌ）に乾燥クロロホルム４ｍｌを加え、撹拌し完全に溶
解させた。それにトリフルオロメタンスルホン酸リチウ
ム７．０２ｍｇ（０．０４５ｍｍｏｌ）を溶解したＴＨ
Ｆ溶液１ｍｌを加え２時間撹拌した。溶媒をゆっくりと
減圧留去した後、減圧乾燥し、液晶電解質Ｂを得た。
ｌ）に乾燥クロロホルム４ｍｌを加え、撹拌し完全に溶
解させた。それにトリフルオロメタンスルホン酸リチウ
ム７．０２ｍｇ（０．０４５ｍｍｏｌ）を溶解したＴＨ
Ｆ溶液１ｍｌを加え２時間撹拌した。溶媒をゆっくりと
減圧留去した後、減圧乾燥し、液晶電解質Ｂを得た。
【００９４】（２）液晶電解質Ｂのイオン伝導度の評価 実施例２と同様の方法によりセルＡを作成し、液晶電解
質Ａの代わりに液晶電解質Ｂを用いる以外は実施例２と
同様の方法により注入し、イオン伝導率を算出した。そ
の結果を以下に示す。
質Ａの代わりに液晶電解質Ｂを用いる以外は実施例２と
同様の方法により注入し、イオン伝導率を算出した。そ
の結果を以下に示す。
【００９５】
【００９６】実施例４ （１）液晶電解質Ｃの製造 例示化合物Ｎｏ．１３６：１００．５ｍｇ（０．１５ｍ
ｍｏｌ）に乾燥クロロホルム４ｍｌを加え、撹拌し完全
に溶解させた。それにトリフルオロメタンスルホン酸リ
チウム７．０２ｍｇ（０．０４５ｍｍｏｌ）を溶解した
ＴＨＦ溶液１ｍｌを加え２時間撹拌した。溶媒をゆっく
りと減圧留去した後、減圧乾燥し、液晶電解質Ｃを得
た。
ｍｏｌ）に乾燥クロロホルム４ｍｌを加え、撹拌し完全
に溶解させた。それにトリフルオロメタンスルホン酸リ
チウム７．０２ｍｇ（０．０４５ｍｍｏｌ）を溶解した
ＴＨＦ溶液１ｍｌを加え２時間撹拌した。溶媒をゆっく
りと減圧留去した後、減圧乾燥し、液晶電解質Ｃを得
た。
【００９７】（２）液晶電解質Ｃのイオン伝導度の評価 実施例２と同様の方法によリセルＡを作成し、液晶電解
質Ａの代わりに液晶電解質Ｃを用いる以外は実施例２と
同様の方法により注入し、イオン伝導率を算出した。そ
の結果を以下に示す。
質Ａの代わりに液晶電解質Ｃを用いる以外は実施例２と
同様の方法により注入し、イオン伝導率を算出した。そ
の結果を以下に示す。
【００９８】
【００９９】実施例５ （１）液晶電解質Ｄの製造 例示化合物Ｎｏ．１３９：１００．２ｍｇ（０．１５ｍ
ｍｏｌ）に乾燥クロロホルム４ｍｌを加え、撹拌し完全
に溶解させた。それにトリフルオロメタンスルホン酸リ
チウム７．０２ｍｇ（０．０４５ｍｍｏｌ）を溶解した
ＴＨＦ溶液１ｍｌを加え２時間撹拌した。溶媒をゆっく
りと減圧留去した後、減圧乾燥し、液晶電解質Ｄを得
た。
ｍｏｌ）に乾燥クロロホルム４ｍｌを加え、撹拌し完全
に溶解させた。それにトリフルオロメタンスルホン酸リ
チウム７．０２ｍｇ（０．０４５ｍｍｏｌ）を溶解した
ＴＨＦ溶液１ｍｌを加え２時間撹拌した。溶媒をゆっく
りと減圧留去した後、減圧乾燥し、液晶電解質Ｄを得
た。
【０１００】（２）液晶電解質Ｄのイオン伝導度の評価 実施例２と同様の方法によりセルＡを作成し、液晶電解
質Ａの代わりに液晶電解質Ｄを用いる以外は実施例２と
同様の方法により注入し、イオン伝導率を算出した。そ
の結果を以下に示す。
質Ａの代わりに液晶電解質Ｄを用いる以外は実施例２と
同様の方法により注入し、イオン伝導率を算出した。そ
の結果を以下に示す。
【０１０１】
【０１０２】実施例６ 例示化合物Ｎｏ．１１の製造 （１）メチルオキシトリ（エチレンオキシ）エチルオキ
シトシレートの製造 １００ｍｌナスフラスコにテトラエチレングリコールモ
ノメチルエーテル２０ｇ（９６ｍｍｏｌ）とピリジン２
０ｍｌを仕込み、氷浴で０℃に冷却した。ｐ−トルエン
スルホン酸クロライド２３．８ｇ（１２５ｍｍｏｌ）を
ゆっくりと添加し、０℃で１２時間攪拌した。水を加え
クロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウム
で乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラ
フィー（クロロホルム／メタノール＝１００／１）で分
離精製して、メチルオキシジ（エチレンオキシ）エチル
オキシトシレート３４．５ｇ（９５．２ｍｍｏｌ，収率
９９％）を得た。
シトシレートの製造 １００ｍｌナスフラスコにテトラエチレングリコールモ
ノメチルエーテル２０ｇ（９６ｍｍｏｌ）とピリジン２
０ｍｌを仕込み、氷浴で０℃に冷却した。ｐ−トルエン
スルホン酸クロライド２３．８ｇ（１２５ｍｍｏｌ）を
ゆっくりと添加し、０℃で１２時間攪拌した。水を加え
クロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウム
で乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラ
フィー（クロロホルム／メタノール＝１００／１）で分
離精製して、メチルオキシジ（エチレンオキシ）エチル
オキシトシレート３４．５ｇ（９５．２ｍｍｏｌ，収率
９９％）を得た。
【０１０３】（２）４’−［メチルオキシトリ（エチレ
ンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸
の製造 ５００ｍｌナスフラスコに４’−ヒドロキシ−４−ビフ
ェニルカルボン酸５ｇ（２３ｍｍｏｌ）、水酸化カリウ
ム３．３ｇ、メタノール４００ｍｌを仕込み、１時間加
熱還流を行った。メチルオキシトリ（エチレンオキシ）
エチルオキシトシレート８．５ｇ（２３ｍｍｏｌ）を加
え、更に２４時間加熱還流を行った。反応溶液を室温ま
で冷やし、１Ｎ塩酸で中和した後、水を加えクロロホル
ムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、
溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー（ク
ロロホルム／メタノール＝３０／１）で分離精製して、
白色固体４’−［メチルオキシトリ（エチレンオキシ）
エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸３．８ｇ
（９．４ｍｍｏｌ，収率４０％）を得た。
ンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸
の製造 ５００ｍｌナスフラスコに４’−ヒドロキシ−４−ビフ
ェニルカルボン酸５ｇ（２３ｍｍｏｌ）、水酸化カリウ
ム３．３ｇ、メタノール４００ｍｌを仕込み、１時間加
熱還流を行った。メチルオキシトリ（エチレンオキシ）
エチルオキシトシレート８．５ｇ（２３ｍｍｏｌ）を加
え、更に２４時間加熱還流を行った。反応溶液を室温ま
で冷やし、１Ｎ塩酸で中和した後、水を加えクロロホル
ムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、
溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー（ク
ロロホルム／メタノール＝３０／１）で分離精製して、
白色固体４’−［メチルオキシトリ（エチレンオキシ）
エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸３．８ｇ
（９．４ｍｍｏｌ，収率４０％）を得た。
【０１０４】（３）４’−［メチルオキシトリ（エチレ
ンオキシ）エチルオキシ］−４−ヒドロキシビフェニル
の製造 ５００ｍｌナスフラスコに４、４’−ビフェノール２．
６ｇ（１４ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム１．８ｇ、メタ
ノール２５０ｍｌを仕込み、１時間加熱還流を行った。
メチルオキシトリ（エチレンオキシ）エチルオキシトシ
レート５．１ｇ（１４ｍｍｏｌ）を加え、更に２４時間
加熱還流を行った。反応溶液を室温まで冷やし、１Ｎ塩
酸で中和した後、水を加えクロロホルムで抽出した。有
機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去
し、シリカゲルクロマトグラフィー（クロロホルム／メ
タノール＝５０／１）で分離精製して、白色固体４’−
［メチルオキシトリ（エチレンオキシ）エチルオキシ］
−４−ヒドロキシビフェニル１．８ｇ（４．７ｍｍｏ
ｌ，収率３３．６％）を得た。
ンオキシ）エチルオキシ］−４−ヒドロキシビフェニル
の製造 ５００ｍｌナスフラスコに４、４’−ビフェノール２．
６ｇ（１４ｍｍｏｌ）、水酸化カリウム１．８ｇ、メタ
ノール２５０ｍｌを仕込み、１時間加熱還流を行った。
メチルオキシトリ（エチレンオキシ）エチルオキシトシ
レート５．１ｇ（１４ｍｍｏｌ）を加え、更に２４時間
加熱還流を行った。反応溶液を室温まで冷やし、１Ｎ塩
酸で中和した後、水を加えクロロホルムで抽出した。有
機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去
し、シリカゲルクロマトグラフィー（クロロホルム／メ
タノール＝５０／１）で分離精製して、白色固体４’−
［メチルオキシトリ（エチレンオキシ）エチルオキシ］
−４−ヒドロキシビフェニル１．８ｇ（４．７ｍｍｏ
ｌ，収率３３．６％）を得た。
【０１０５】（４）４’−［メチルオキシトリ（エチレ
ンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸
４−［メチルオキシトリ（エチレンオキシ）エチルオ
キシ］−４’−ビフェニル（例示化合物Ｎｏ．１１）の
製造 １００ｍｌナスフラスコに４’−［メチルオキシトリ
（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカ
ルボン酸２ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、４’−［メチルオキ
シジ（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４−ヒドロキ
シビフェニル１．９ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、１，３−ジ
シクロカルボジイミド０．８ｇ（１０ｍｍｏｌ）、４−
ジメチルアミノピリジン０．６ｇ（５ｍｍｏｌ）、乾燥
クロロホルム２０ｍｌを仕込み、２４時間室温攪拌を行
った。反応終了後、水を加えクロロホルムで抽出した。
有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去
し、シリカゲルクロマトグラフィー（クロロホルム／メ
タノール＝３０／１）で分離精製した後、再結晶（アセ
トン）を行い、白色固体４’−［メチルオキシトリ（エ
チレンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボ
ン酸 ４−［メチルオキシトリ（エチレンオキシ）エチ
ルオキシ］−４’−ビフェニル２．９ｇ（３．８ｍｍｏ
ｌ，収率７５．２％）を得た。
ンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸
４−［メチルオキシトリ（エチレンオキシ）エチルオ
キシ］−４’−ビフェニル（例示化合物Ｎｏ．１１）の
製造 １００ｍｌナスフラスコに４’−［メチルオキシトリ
（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカ
ルボン酸２ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、４’−［メチルオキ
シジ（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４−ヒドロキ
シビフェニル１．９ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、１，３−ジ
シクロカルボジイミド０．８ｇ（１０ｍｍｏｌ）、４−
ジメチルアミノピリジン０．６ｇ（５ｍｍｏｌ）、乾燥
クロロホルム２０ｍｌを仕込み、２４時間室温攪拌を行
った。反応終了後、水を加えクロロホルムで抽出した。
有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去
し、シリカゲルクロマトグラフィー（クロロホルム／メ
タノール＝３０／１）で分離精製した後、再結晶（アセ
トン）を行い、白色固体４’−［メチルオキシトリ（エ
チレンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボ
ン酸 ４−［メチルオキシトリ（エチレンオキシ）エチ
ルオキシ］−４’−ビフェニル２．９ｇ（３．８ｍｍｏ
ｌ，収率７５．２％）を得た。
【０１０６】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3／ＴＭＳ，σｐｐ
ｍ）：３．４（６Ｈ，ｓ）、３．６〜４．２（３２Ｈ，
ｍ）、７．０（４Ｈ，ｍ）、７．３（２Ｈ，ｄ）、７．
５〜７．７（８Ｈ，ｍ）、８．２（２Ｈ，ｄ）
ｍ）：３．４（６Ｈ，ｓ）、３．６〜４．２（３２Ｈ，
ｍ）、７．０（４Ｈ，ｍ）、７．３（２Ｈ，ｄ）、７．
５〜７．７（８Ｈ，ｍ）、８．２（２Ｈ，ｄ）
【０１０７】相転移温度を以下に示す。 昇温過程： Ｋ（５１℃）ＳｍＸ（１０４℃）ＳｍＣ
（１５４℃）Ｎ（１７３℃）Ｉｓｏ 降温過程： Ｉｓｏ（１７０℃）Ｎ（１５０℃）ＳｍＣ
（９９℃）ＳｍＸ（９℃）Ｋ Ｋ：結晶相、ＳｍＸ：高次のスメクチック相、ＳｍＣ：
スメクチックＣ相、Ｎ：ネマチック相、Ｉｓｏ：等方相
（１５４℃）Ｎ（１７３℃）Ｉｓｏ 降温過程： Ｉｓｏ（１７０℃）Ｎ（１５０℃）ＳｍＣ
（９９℃）ＳｍＸ（９℃）Ｋ Ｋ：結晶相、ＳｍＸ：高次のスメクチック相、ＳｍＣ：
スメクチックＣ相、Ｎ：ネマチック相、Ｉｓｏ：等方相
【０１０８】実施例７ （１）電解質Ｅの製造 例示化合物Ｎｏ．１１ ５０ｍｇ（０．０６６ｍｍｏ
ｌ）に乾燥クロロホルム４ｍｌを加え、攪拌し完全に溶
解させた。それにトリフルオロメタンスルホン酸リチウ
ム４．０９ｍｇ（０．０２６ｍｍｏｌ）を溶解したＴＨ
Ｆ溶液１ｍｌを加え２時間攪拌した。溶媒をゆっくりと
減圧留去した後、減圧乾燥し、電解質Ｅを得た。
ｌ）に乾燥クロロホルム４ｍｌを加え、攪拌し完全に溶
解させた。それにトリフルオロメタンスルホン酸リチウ
ム４．０９ｍｇ（０．０２６ｍｍｏｌ）を溶解したＴＨ
Ｆ溶液１ｍｌを加え２時間攪拌した。溶媒をゆっくりと
減圧留去した後、減圧乾燥し、電解質Ｅを得た。
【０１０９】相転移温度を以下に示す。 昇温過程： ＳｍＸ（９４℃）ＳｍＣ（１５１℃）Ｓｍ
Ａ（１６５℃）Ｎ（１７１℃）Ｉｓｏ 降温過程： Ｉｓｏ（１６９℃）Ｎ（１６４℃）ＳｍＡ
（１５１℃）ＳｍＣ（８９℃）ＳｍＸ ＳｍＸ：高次のスメクチック相、ＳｍＡ：スメクチック
Ａ相、ＳｍＣ：スメクチックＣ相、Ｎ：ネマチック相、
Ｉｓｏ：等方相
Ａ（１６５℃）Ｎ（１７１℃）Ｉｓｏ 降温過程： Ｉｓｏ（１６９℃）Ｎ（１６４℃）ＳｍＡ
（１５１℃）ＳｍＣ（８９℃）ＳｍＸ ＳｍＸ：高次のスメクチック相、ＳｍＡ：スメクチック
Ａ相、ＳｍＣ：スメクチックＣ相、Ｎ：ネマチック相、
Ｉｓｏ：等方相
【０１１０】（２）液晶電解質Ｅのイオン伝導度の評価 実施例２と同様の方法によりセルＡ作成し、液晶電解質
Ａの代わりに液晶電解質Ｅを用いる以外は実施例２と同
様の方法により注入しイオン伝導率を算出した。その結
果を以下に示す。また、このセルを偏光顕微鏡でクロス
ニコル下、テクスチャーを観察した所、スメクチックＡ
相のホモジニアス均一配向が観測された。
Ａの代わりに液晶電解質Ｅを用いる以外は実施例２と同
様の方法により注入しイオン伝導率を算出した。その結
果を以下に示す。また、このセルを偏光顕微鏡でクロス
ニコル下、テクスチャーを観察した所、スメクチックＡ
相のホモジニアス均一配向が観測された。
【０１１１】
【０１１２】実施例８ （１）電解質Ｆの製造 例示化合物Ｎｏ．１１ ３０ｍｇ（０．０３９ｍｍｏ
ｌ）に乾燥クロロホルム４ｍｌを加え、攪拌し完全に溶
解させた。それにＬｉ（ＣＦ3ＳＯ2）2Ｎ４．５２ｍｇ
（０．０１６ｍｍｏｌ）を溶解したＴＨＦ溶液１ｍｌを
加え２時間攪拌した。溶媒をゆっくりと減圧留去した
後、減圧乾燥し、電解質Ｆを得た。
ｌ）に乾燥クロロホルム４ｍｌを加え、攪拌し完全に溶
解させた。それにＬｉ（ＣＦ3ＳＯ2）2Ｎ４．５２ｍｇ
（０．０１６ｍｍｏｌ）を溶解したＴＨＦ溶液１ｍｌを
加え２時間攪拌した。溶媒をゆっくりと減圧留去した
後、減圧乾燥し、電解質Ｆを得た。
【０１１３】相転移温度を以下に示す。 昇温過程： ＳｍＸ（９０℃）ＳｍＣ（１３７℃）Ｓｍ
Ａ（１６６℃）Ｉｓｏ 降温過程： Ｉｓｏ（１６４℃）ＳｍＡ（１３５℃）Ｓ
ｍＣ（７９℃）ＳｍＸ ＳｍＸ：高次のスメクチック相、ＳｍＡ：スメクチック
Ａ相、ＳｍＣ：スメクチックＣ相、Ｉｓｏ：等方相
Ａ（１６６℃）Ｉｓｏ 降温過程： Ｉｓｏ（１６４℃）ＳｍＡ（１３５℃）Ｓ
ｍＣ（７９℃）ＳｍＸ ＳｍＸ：高次のスメクチック相、ＳｍＡ：スメクチック
Ａ相、ＳｍＣ：スメクチックＣ相、Ｉｓｏ：等方相
【０１１４】（２）液晶電解質Ｆのイオン伝導度の評価 実施例２と同様の方法によりセルＡ作成し、液晶電解質
Ａの代わりに液晶電解質Ｆを用いる以外は実施例２と同
様の方法により注入しイオン伝導率を算出した。その結
果を以下に示す。また、このセルを偏光顕微鏡でクロス
ニコル下、テクスチャーを観察した所、スメクチックＡ
相のホモジニアス均一配向が観測された。
Ａの代わりに液晶電解質Ｆを用いる以外は実施例２と同
様の方法により注入しイオン伝導率を算出した。その結
果を以下に示す。また、このセルを偏光顕微鏡でクロス
ニコル下、テクスチャーを観察した所、スメクチックＡ
相のホモジニアス均一配向が観測された。
【０１１５】
【０１１６】実施例９ 例示化合物Ｎｏ．１２５の製造 （１）４−メチルオキシトリ（エチレンオキシ）エチル
オキシ−１−ベンジルオキシベンゼンの製造 １００ｍｌナスフラスコに４−ベンジルオキシフェノー
ル１．１ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ１５ｍｌを仕込
み、氷浴中でメチルオキシトリ（エチレンオキシ）エチ
ルオキシトシレート２．０ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、炭酸
セシウム３．６ｇ（１１ｍｍｏｌ）を加えた後、３時間
撹拌を行った。室温に戻し、さらに７２時間撹拌を行っ
た。反応溶液を減圧留去した後、水を加えクロロホルム
で抽出した。飽和食塩水で有機層を洗い、無水硫酸ナト
リウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマ
トグラフィー（クロロホルム／メタノール＝１００／
１）で分離精製して、４−メチルオキシトリ（エチレン
オキシ）エチルオキシ−１−ベンジルオキシベンゼン
１．７ｇ（４．４ｍｍｏｌ，収率７９％）を得た。
オキシ−１−ベンジルオキシベンゼンの製造 １００ｍｌナスフラスコに４−ベンジルオキシフェノー
ル１．１ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ１５ｍｌを仕込
み、氷浴中でメチルオキシトリ（エチレンオキシ）エチ
ルオキシトシレート２．０ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、炭酸
セシウム３．６ｇ（１１ｍｍｏｌ）を加えた後、３時間
撹拌を行った。室温に戻し、さらに７２時間撹拌を行っ
た。反応溶液を減圧留去した後、水を加えクロロホルム
で抽出した。飽和食塩水で有機層を洗い、無水硫酸ナト
リウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマ
トグラフィー（クロロホルム／メタノール＝１００／
１）で分離精製して、４−メチルオキシトリ（エチレン
オキシ）エチルオキシ−１−ベンジルオキシベンゼン
１．７ｇ（４．４ｍｍｏｌ，収率７９％）を得た。
【０１１７】（２）４−メチルオキシトリ（エチレンオ
キシ）エチルオキシフェノールの製造 １００ｍｌナスフラスコに４−メチルオキシトリ（エチ
レンオキシ）エチルオキシ−１−ベンジルオキシベンゼ
ン１．７ｇ（４．４ｍｍｏｌ）、エタノール５０ｍｌ、
１０％Ｐｄ／Ｃ ０．４ｇを仕込み、反応系内を水素置
換し、室温で８時間撹拌を行った。反応溶液を減圧濾過
し、濾液を減圧留去した後、水を加えクロロホルムで抽
出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を
減圧留去し、４−メチルオキシトリ（エチレンオキシ）
エチルオキシフェノール１．３ｇ（４．２ｍｍｏｌ，収
率９６％）を得た。
キシ）エチルオキシフェノールの製造 １００ｍｌナスフラスコに４−メチルオキシトリ（エチ
レンオキシ）エチルオキシ−１−ベンジルオキシベンゼ
ン１．７ｇ（４．４ｍｍｏｌ）、エタノール５０ｍｌ、
１０％Ｐｄ／Ｃ ０．４ｇを仕込み、反応系内を水素置
換し、室温で８時間撹拌を行った。反応溶液を減圧濾過
し、濾液を減圧留去した後、水を加えクロロホルムで抽
出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を
減圧留去し、４−メチルオキシトリ（エチレンオキシ）
エチルオキシフェノール１．３ｇ（４．２ｍｍｏｌ，収
率９６％）を得た。
【０１１８】（３）４’−［メチルオキシトリ（エチレ
ンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸
４−メチルオキシトリ（エチレンオキシ）エチルオキ
シフェニル（例示化合物Ｎｏ．１２５）の製造 １００ｍｌナスフラスコに４’−［メチルオキシトリ
（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカ
ルボン酸２ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、４−メチルオキシト
リ（エチレンオキシ）エチルオキシフェノール１．５ｇ
（５．０ｍｍｏｌ）、１，３−ジシクロカルボジイミド
０．８ｇ（１０ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジ
ン０．６ｇ（５ｍｍｏｌ）、乾燥クロロホルム２０ｍｌ
を仕込み、２４時間室温攪拌を行った。反応終了後、水
を加えクロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナト
リウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマ
トグラフィー（クロロホルム／メタノール＝５０／１）
で分離精製した後、白色固体４’−［メチルオキシトリ
（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカ
ルボン酸 ４−メチルオキシトリ（エチレンオキシ）エ
チルオキシフェニル１．０ｇ（１．６ｍｍｏｌ，収率３
３％）を得た。
ンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸
４−メチルオキシトリ（エチレンオキシ）エチルオキ
シフェニル（例示化合物Ｎｏ．１２５）の製造 １００ｍｌナスフラスコに４’−［メチルオキシトリ
（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカ
ルボン酸２ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、４−メチルオキシト
リ（エチレンオキシ）エチルオキシフェノール１．５ｇ
（５．０ｍｍｏｌ）、１，３−ジシクロカルボジイミド
０．８ｇ（１０ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジ
ン０．６ｇ（５ｍｍｏｌ）、乾燥クロロホルム２０ｍｌ
を仕込み、２４時間室温攪拌を行った。反応終了後、水
を加えクロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナト
リウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマ
トグラフィー（クロロホルム／メタノール＝５０／１）
で分離精製した後、白色固体４’−［メチルオキシトリ
（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカ
ルボン酸 ４−メチルオキシトリ（エチレンオキシ）エ
チルオキシフェニル１．０ｇ（１．６ｍｍｏｌ，収率３
３％）を得た。
【０１１９】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3／ＴＭＳ，σｐｐ
ｍ）：３．４（６Ｈ，ｓ）、３．６〜４．２（３２Ｈ，
ｍ）、７．０（４Ｈ，ｍ）、７．１（２Ｈ，ｄ）、７．
６〜７．７（４Ｈ，ｍ）、８．２（２Ｈ，ｄ）
ｍ）：３．４（６Ｈ，ｓ）、３．６〜４．２（３２Ｈ，
ｍ）、７．０（４Ｈ，ｍ）、７．１（２Ｈ，ｄ）、７．
６〜７．７（４Ｈ，ｍ）、８．２（２Ｈ，ｄ）
【０１２０】相転移温度を以下に示す。 昇温過程： ＳｍＸ（４０℃）Ｉｓｏ 降温過程： Ｉｓｏ（４２℃）ＳｍＣ（３１℃）ＳｍＸ ＳｍＸ：高次のスメクチック相、ＳｍＣ：スメクチック
Ｃ相、Ｉｓｏ：等方相
Ｃ相、Ｉｓｏ：等方相
【０１２１】実施例１０ （１）電解質Ｇの製造 例示化合物Ｎｏ．１２５ ３０ｍｇ（０．０４４ｍｍｏ
ｌ）に乾燥クロロホルム４ｍｌを加え、攪拌し完全に溶
解させた。それにトリフルオロメタンスルホン酸リチウ
ム２．７３ｍｇ（０．０１７ｍｍｏｌ）を溶解したＴＨ
Ｆ溶液１ｍｌを加え２時間攪拌した。溶媒をゆっくりと
減圧留去した後、減圧乾燥し、電解質Ｇを得た。
ｌ）に乾燥クロロホルム４ｍｌを加え、攪拌し完全に溶
解させた。それにトリフルオロメタンスルホン酸リチウ
ム２．７３ｍｇ（０．０１７ｍｍｏｌ）を溶解したＴＨ
Ｆ溶液１ｍｌを加え２時間攪拌した。溶媒をゆっくりと
減圧留去した後、減圧乾燥し、電解質Ｇを得た。
【０１２２】相転移温度を以下に示す。 昇温過程： ＳｍＸ（３０℃）ＳｍＣ（４８℃）Ｉｓｏ 降温過程： Ｉｓｏ（４６℃）ＳｍＡ（３１℃）ＳｍＣ
（１６℃）ＳｍＸ ＳｍＸ：高次のスメクチック相、ＳｍＡ：スメクチック
Ａ相、ＳｍＣ：スメクチックＣ相、Ｉｓｏ：等方相
（１６℃）ＳｍＸ ＳｍＸ：高次のスメクチック相、ＳｍＡ：スメクチック
Ａ相、ＳｍＣ：スメクチックＣ相、Ｉｓｏ：等方相
【０１２３】（２）液晶電解質Ｇのイオン伝導度の評価 実施例２と同様の方法によりセルＡ作成し、液晶電解質
Ａの代わりに液晶電解質Ｇを用いる以外は実施例２と同
様の方法により注入しイオン伝導率を算出した。その結
果を以下に示す。また、このセルを偏光顕微鏡でクロス
ニコル下、テクスチャーを観察した所、スメクチックＡ
相のホモジニアス均一配向が観測された。
Ａの代わりに液晶電解質Ｇを用いる以外は実施例２と同
様の方法により注入しイオン伝導率を算出した。その結
果を以下に示す。また、このセルを偏光顕微鏡でクロス
ニコル下、テクスチャーを観察した所、スメクチックＡ
相のホモジニアス均一配向が観測された。
【０１２４】Ｘ方向 測定温度 イオン伝導率 ２０℃ ８．６×１０-6Ｓ／ｃｍ ４０℃ ４．２×１０-6Ｓ／ｃｍ ６０℃ ２．２×１０-4Ｓ／ｃｍ Ｙ方向 測定温度 イオン伝導率 ２０℃ １．５×１０-4Ｓ／ｃｍ ４０℃ ３．３×１０-4Ｓ／ｃｍ ６０℃ ２．２×１０-4Ｓ／ｃｍ
【０１２５】実施例１１ ４’−［メチルオキシトリ（エチレンオキシ）エチルオ
キシ］−４−ビフェニルカルボン酸 ４−［アクリロイ
ルオキシジ（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４’−
ビフェニル（例示化合物Ｎｏ．１５４）の製造 （１）４’−ヒドロキシジ（エチレンオキシ）エチルオ
キ−４−ヒドロキシ−ビフェニルの製造 反応容器に、４、４’−ビフェノール１．９ｇ（１０ｍ
ｍｏｌ）、炭酸カリウム３．０ｇ、エタノール４０ｍｌ
を仕込み、３時間加熱還流を行った。ヒドロキシトリ
（エチレンオキシ）エチルクロライド１．７ｇ（１０ｍ
ｍｏｌ）を加え、更に２４時間加熱還流を行った。反応
溶液を室温まで冷やし、ろ過を行った後、濾液を減圧留
去した後、１Ｎ塩酸で中和し、水を加えクロロホルムで
抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒
を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エ
チル）で分離精製して、４’−ヒドロキシジ（エチレン
オキシ）エチルオキ−４−ヒドロキシ−ビフェニル１．
８ｇ（５．７ｍｍｏｌ，収率５７％）を得た。
キシ］−４−ビフェニルカルボン酸 ４−［アクリロイ
ルオキシジ（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４’−
ビフェニル（例示化合物Ｎｏ．１５４）の製造 （１）４’−ヒドロキシジ（エチレンオキシ）エチルオ
キ−４−ヒドロキシ−ビフェニルの製造 反応容器に、４、４’−ビフェノール１．９ｇ（１０ｍ
ｍｏｌ）、炭酸カリウム３．０ｇ、エタノール４０ｍｌ
を仕込み、３時間加熱還流を行った。ヒドロキシトリ
（エチレンオキシ）エチルクロライド１．７ｇ（１０ｍ
ｍｏｌ）を加え、更に２４時間加熱還流を行った。反応
溶液を室温まで冷やし、ろ過を行った後、濾液を減圧留
去した後、１Ｎ塩酸で中和し、水を加えクロロホルムで
抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒
を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラフィー（酢酸エ
チル）で分離精製して、４’−ヒドロキシジ（エチレン
オキシ）エチルオキ−４−ヒドロキシ−ビフェニル１．
８ｇ（５．７ｍｍｏｌ，収率５７％）を得た。
【０１２６】（２）４’−［メチルオキシトリ（エチレ
ンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸
４−［ヒドロキシジ（エチレンオキシ）エチルオキ
シ］−４’−ビフェニルの製造 反応容器に、４’−［メチルオキシトリ（エチレンオキ
シ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸１ｇ
（２．５ｍｍｏｌ）、４’−ヒドロキシジ（エチレンオ
キシ）エチルオキ−４−ヒドロキシ−ビフェニル０．８
ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、１，３−ジシクロカルボジイミ
ド１．０ｇ（５ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジ
ン０．３ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、乾燥クロロホルム２０
ｍｌを仕込み、２４時間室温攪拌を行った。反応終了
後、水を加えクロロホルムで抽出した。有機層を無水硫
酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲル
クロマトグラフィー（クロロホルム／メタノール＝５０
／１）で分離精製した後、４’−［メチルオキシトリ
（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカ
ルボン酸 ４−［ヒドロキシジ（エチレンオキシ）エチ
ルオキシ］−４’−ビフェニル１．１ｇ（１．５ｍｍｏ
ｌ，収率６０％）を得た。
ンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸
４−［ヒドロキシジ（エチレンオキシ）エチルオキ
シ］−４’−ビフェニルの製造 反応容器に、４’−［メチルオキシトリ（エチレンオキ
シ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸１ｇ
（２．５ｍｍｏｌ）、４’−ヒドロキシジ（エチレンオ
キシ）エチルオキ−４−ヒドロキシ−ビフェニル０．８
ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、１，３−ジシクロカルボジイミ
ド１．０ｇ（５ｍｍｏｌ）、４−ジメチルアミノピリジ
ン０．３ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、乾燥クロロホルム２０
ｍｌを仕込み、２４時間室温攪拌を行った。反応終了
後、水を加えクロロホルムで抽出した。有機層を無水硫
酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲル
クロマトグラフィー（クロロホルム／メタノール＝５０
／１）で分離精製した後、４’−［メチルオキシトリ
（エチレンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカ
ルボン酸 ４−［ヒドロキシジ（エチレンオキシ）エチ
ルオキシ］−４’−ビフェニル１．１ｇ（１．５ｍｍｏ
ｌ，収率６０％）を得た。
【０１２７】（３）４’−［メチルオキシトリ（エチレ
ンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸
４−［アクリロイルオキシジ（エチレンオキシ）エチ
ルオキシ］−４’−ビフェニル（例示化合物Ｎｏ．１５
４）の製造 反応容器に４’−［メチルオキシトリ（エチレンオキ
シ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸４−
［ヒドロキシジ（エチレンオキシ）エチルオキシ］−
４’−ビフェニル２００ｍｇ（０．２８ｍｍｏｌ）、ト
リエチルアミン０．１ｍｌ、乾燥クロロホルム５ｍｌを
仕込み、氷浴で０℃に冷却した。アクリル酸クロライド
７０ｍｇ（０．７９ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下した
後、０℃で４時間撹拌を行った。反応終了後、水を加え
クロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウム
で乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラ
フィー（クロロホルム／メタノール＝５０／１）で分離
精製した後、再結晶（メタノール／アセトン）を行い、
白色結晶４’−［メチルオキシトリ（エチレンオキシ）
エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸 ４−［ア
クリロイルオキシジ（エチレンオキシ）エチルオキシ］
−４’−ビフェニル１４０ｍｇ（０．１８ｍｍｏｌ，収
率６９％）を得た。
ンオキシ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸
４−［アクリロイルオキシジ（エチレンオキシ）エチ
ルオキシ］−４’−ビフェニル（例示化合物Ｎｏ．１５
４）の製造 反応容器に４’−［メチルオキシトリ（エチレンオキ
シ）エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸４−
［ヒドロキシジ（エチレンオキシ）エチルオキシ］−
４’−ビフェニル２００ｍｇ（０．２８ｍｍｏｌ）、ト
リエチルアミン０．１ｍｌ、乾燥クロロホルム５ｍｌを
仕込み、氷浴で０℃に冷却した。アクリル酸クロライド
７０ｍｇ（０．７９ｍｍｏｌ）をゆっくりと滴下した
後、０℃で４時間撹拌を行った。反応終了後、水を加え
クロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸ナトリウム
で乾燥後、溶媒を減圧留去し、シリカゲルクロマトグラ
フィー（クロロホルム／メタノール＝５０／１）で分離
精製した後、再結晶（メタノール／アセトン）を行い、
白色結晶４’−［メチルオキシトリ（エチレンオキシ）
エチルオキシ］−４−ビフェニルカルボン酸 ４−［ア
クリロイルオキシジ（エチレンオキシ）エチルオキシ］
−４’−ビフェニル１４０ｍｇ（０．１８ｍｍｏｌ，収
率６９％）を得た。
【０１２８】1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3／ＴＭＳ，σｐｐ
ｍ）：３．４（３Ｈ，ｓ）、３．６〜４．３（３８Ｈ，
ｍ）、５．８（１Ｈ，ｄ）、６．２（１Ｈ，ｑ）、６．
４（１Ｈ，ｄ）、７．０（４Ｈ，ｍ）、７．３（２Ｈ，
ｄ）、７．５〜７．７（８Ｈ，ｍ）、８．２（２Ｈ，
ｄ）
ｍ）：３．４（３Ｈ，ｓ）、３．６〜４．３（３８Ｈ，
ｍ）、５．８（１Ｈ，ｄ）、６．２（１Ｈ，ｑ）、６．
４（１Ｈ，ｄ）、７．０（４Ｈ，ｍ）、７．３（２Ｈ，
ｄ）、７．５〜７．７（８Ｈ，ｍ）、８．２（２Ｈ，
ｄ）
【０１２９】相転移温度を以下に示す。 昇温過程： ＳｍＸ（１０３℃）ＳｍＣ（１６６℃）Ｎ
（１８６℃）Ｉｓｏ 降温過程： Ｉｓｏ（１８６℃）Ｎ（１６４℃）ＳｍＣ
（１００℃）ＳｍＸ ＳｍＸ：高次のスメクチック相、ＳｍＣ：スメクチック
Ｃ相、Ｎ：ネマチック相、Ｉｓｏ：等方相
（１８６℃）Ｉｓｏ 降温過程： Ｉｓｏ（１８６℃）Ｎ（１６４℃）ＳｍＣ
（１００℃）ＳｍＸ ＳｍＸ：高次のスメクチック相、ＳｍＣ：スメクチック
Ｃ相、Ｎ：ネマチック相、Ｉｓｏ：等方相
【０１３０】実施例１２ （１）電解質Ｈの製造 例示化合物Ｎｏ．１５４：５０ｍｇ（０．０６６ｍｍｏ
ｌ）に乾燥クロロホルム４ｍｌ、２，６−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−メチルフェノール０．５ｍｇ、光重合開始剤１
−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン２．５ｍｇ
を加え、攪拌し完全に溶解させた。それにトリフルオロ
メタンスルホン酸リチウム４．０９ｍｇ（０．０２６ｍ
ｍｏｌ）を溶解したＴＨＦ溶液１ｍｌを加え２時間攪拌
した。溶媒をゆっくりと減圧留去した後、減圧乾燥し、
電解質Ｈを得た。
ｌ）に乾燥クロロホルム４ｍｌ、２，６−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−メチルフェノール０．５ｍｇ、光重合開始剤１
−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン２．５ｍｇ
を加え、攪拌し完全に溶解させた。それにトリフルオロ
メタンスルホン酸リチウム４．０９ｍｇ（０．０２６ｍ
ｍｏｌ）を溶解したＴＨＦ溶液１ｍｌを加え２時間攪拌
した。溶媒をゆっくりと減圧留去した後、減圧乾燥し、
電解質Ｈを得た。
【０１３１】相転移温度を以下に示す。 昇温過程： ＳｍＸ（８５℃）ＳｍＣ（１３８℃）Ｓｍ
Ａ（１４９℃）Ｎ（１６１℃）Ｉｓｏ 降温過程： Ｉｓｏ（１６０℃）Ｎ（１４８℃）ＳｍＡ
（１３７℃）ＳｍＣ（８３℃）ＳｍＸ ＳｍＸ：高次のスメクチック相、ＳｍＡ：スメクチック
Ａ相、ＳｍＣ：スメクチックＣ相、Ｎ：ネマチック相、
Ｉｓｏ：等方相
Ａ（１４９℃）Ｎ（１６１℃）Ｉｓｏ 降温過程： Ｉｓｏ（１６０℃）Ｎ（１４８℃）ＳｍＡ
（１３７℃）ＳｍＣ（８３℃）ＳｍＸ ＳｍＸ：高次のスメクチック相、ＳｍＡ：スメクチック
Ａ相、ＳｍＣ：スメクチックＣ相、Ｎ：ネマチック相、
Ｉｓｏ：等方相
【０１３２】（２）液晶電解質Ｈのイオン伝導度の評価 実施例２と同様の方法によりセルＡ作成し、液晶電解質
Ａの代わりに液晶電解質Ｈを用いる以外は実施例２と同
様の方法により注入しイオン伝導率を算出した。その結
果を以下に示す。また、このセルを偏光顕微鏡でクロス
ニコル下、テクスチャーを観察した所、スメクチックＡ
相のホモジニアス均一配向が観測された。
Ａの代わりに液晶電解質Ｈを用いる以外は実施例２と同
様の方法により注入しイオン伝導率を算出した。その結
果を以下に示す。また、このセルを偏光顕微鏡でクロス
ニコル下、テクスチャーを観察した所、スメクチックＡ
相のホモジニアス均一配向が観測された。
【０１３３】Ｘ方向 測定温度 イオン伝導率 １１０℃ ９．８×１０-6Ｓ／ｃｍ １３０℃ ３．１×１０-5Ｓ／ｃｍ １５０℃ １．１×１０-4Ｓ／ｃｍ Ｙ方向 測定温度 イオン伝導率 １１０℃ ７．７×１０-5Ｓ／ｃｍ １３０℃ １．２×１０-4Ｓ／ｃｍ １５０℃ １．６×１０-4Ｓ／ｃｍ
【０１３４】実施例１３ 高分子液晶電解質Ｉ（例示化合物Ｎｏ．１５７）の製造
及びイオン伝導度の評価 実施例２と同様の方法によりセルＡ作成し、実施例１２
で作製した電解質Ｈを、等方相で注入し、等方相から２
０℃／ｈでスメクチック相を示す温度まで冷却した。こ
のセルを偏光顕微鏡でクロスニコル下、テクスチャーを
観察した所、スメクチックＡ相のホモジニアス均一配向
が観測された。次に、この温度で高圧水銀ランプを用い
て、ＵＶ光（１０ｍＷ／ｃｍ2）を１分間照射して重合
を行い、高分子液晶電解質Ｉを得た。この高分子液晶
は、−２０℃から２００℃の温度領域において、スメク
チックＡ相が保持されていた。
及びイオン伝導度の評価 実施例２と同様の方法によりセルＡ作成し、実施例１２
で作製した電解質Ｈを、等方相で注入し、等方相から２
０℃／ｈでスメクチック相を示す温度まで冷却した。こ
のセルを偏光顕微鏡でクロスニコル下、テクスチャーを
観察した所、スメクチックＡ相のホモジニアス均一配向
が観測された。次に、この温度で高圧水銀ランプを用い
て、ＵＶ光（１０ｍＷ／ｃｍ2）を１分間照射して重合
を行い、高分子液晶電解質Ｉを得た。この高分子液晶
は、−２０℃から２００℃の温度領域において、スメク
チックＡ相が保持されていた。
【０１３５】次に０．００１〜１００ｋＨｚ、３０００
ｍＶの交流電圧を印加した時の電流を測定して複素イン
ピーダンスを測定し、イオン伝導率を算出した。その結
果を以下に示す。
ｍＶの交流電圧を印加した時の電流を測定して複素イン
ピーダンスを測定し、イオン伝導率を算出した。その結
果を以下に示す。
【０１３６】Ｘ方向 測定温度 イオン伝導率 １１０℃ １．１×１０-7Ｓ／ｃｍ １３０℃ ４．５×１０-7Ｓ／ｃｍ １５０℃ １．７×１０-6Ｓ／ｃｍ Ｙ方向 測定温度 イオン伝導率 １１０℃ ６．９×１０-5Ｓ／ｃｍ １３０℃ ８．４×１０-5Ｓ／ｃｍ １５０℃ １．０×１０-4Ｓ／ｃｍ
【０１３７】実施例１４ ２，５−ビス［４−メチルオキシトリ（エチレンオキ
シ）エチルオキシフェニル］ピリミジン（例示化合物Ｎ
ｏ．１５５）の製造 ナスフラスコに２，５−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ピリミジン０．４２ｇ（１．６ｍｍｏｌ）、メチル
オキシトリ（エチレンオキシ）エチルオキシトシレート
１．１６ｇ（３．２ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム２．０９
ｇ（６．４ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ１０ｍｌを仕込み、室温
で７２時間撹拌した。反応終了後、クロロホルムを加
え、析出した結晶をろ過して除去した。得られたろ液を
濃縮したのち、水を加えクロロホルムで抽出した。抽出
液を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム／
メタノール＝３０／１）で分離精製、更に再結晶（メタ
ノール）により精製して２，５−ビス［４−メチルオキ
シトリ（エチレンオキシ）エチルオキシフェニル］ピリ
ミジン ０．９ｇ（１．４ｍｍｏｌ）を得た。収率８８
％、ｍｐ９２℃
シ）エチルオキシフェニル］ピリミジン（例示化合物Ｎ
ｏ．１５５）の製造 ナスフラスコに２，５−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ピリミジン０．４２ｇ（１．６ｍｍｏｌ）、メチル
オキシトリ（エチレンオキシ）エチルオキシトシレート
１．１６ｇ（３．２ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム２．０９
ｇ（６．４ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ１０ｍｌを仕込み、室温
で７２時間撹拌した。反応終了後、クロロホルムを加
え、析出した結晶をろ過して除去した。得られたろ液を
濃縮したのち、水を加えクロロホルムで抽出した。抽出
液を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム／
メタノール＝３０／１）で分離精製、更に再結晶（メタ
ノール）により精製して２，５−ビス［４−メチルオキ
シトリ（エチレンオキシ）エチルオキシフェニル］ピリ
ミジン ０．９ｇ（１．４ｍｍｏｌ）を得た。収率８８
％、ｍｐ９２℃
【０１３８】実施例１５ ２，５−ビス［４−メチルオキシテトラ（エチレンオキ
シ）エチルオキシフェニル］ピリミジン（例示化合物Ｎ
ｏ．１５６）の製造 ナスフラスコに２，５−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ピリミジン０．４２ｇ（１．６ｍｍｏｌ）、メチル
オキシテトラ（エチレンオキシ）エチルオキシトシレー
ト１．３０ｇ（３．２ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム２．０
９ｇ（６．４ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ１０ｍｌを仕込み、室
温で７２時間撹拌した。反応終了後、クロロホルムを加
え、析出した結晶をろ過して除去した。得られたろ液を
濃縮したのち、水を加えクロロホルムで抽出した。抽出
液を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム／
メタノール＝３０／１）で分離精製、更に再結晶（メタ
ノール）により精製して２，５−ビス［４−メチルオキ
シテトラ（エチレンオキシ）エチルオキシフェニル］ピ
リミジン０．８ｇ（１．１ｍｍｏｌ）を得た。収率６８
％
シ）エチルオキシフェニル］ピリミジン（例示化合物Ｎ
ｏ．１５６）の製造 ナスフラスコに２，５−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ピリミジン０．４２ｇ（１．６ｍｍｏｌ）、メチル
オキシテトラ（エチレンオキシ）エチルオキシトシレー
ト１．３０ｇ（３．２ｍｍｏｌ）、炭酸セシウム２．０
９ｇ（６．４ｍｍｏｌ）、ＤＭＦ１０ｍｌを仕込み、室
温で７２時間撹拌した。反応終了後、クロロホルムを加
え、析出した結晶をろ過して除去した。得られたろ液を
濃縮したのち、水を加えクロロホルムで抽出した。抽出
液を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を減圧留去し、
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム／
メタノール＝３０／１）で分離精製、更に再結晶（メタ
ノール）により精製して２，５−ビス［４−メチルオキ
シテトラ（エチレンオキシ）エチルオキシフェニル］ピ
リミジン０．８ｇ（１．１ｍｍｏｌ）を得た。収率６８
％
【０１３９】得られた化合物の相転移温度を示す。 昇温過程： Ｋ（１７℃）ＳｍＸ（７１℃）Ｉｓｏ 降温過程： Ｉｓｏ（６８℃）ＳｍＸ（１４℃）Ｋ Ｋ：結晶相、ＳｍＸ：高次のスメクチック相、Ｉｓｏ：
等方相
等方相
【０１４０】以上の結果より、本発明の液晶性化合物お
よび高分子液晶性化合物は、スメクチック液晶材料とし
て有用である。また、本発明の電解質はイオン伝導度が
高く、イオン伝導性に異方性があることがわかる。
よび高分子液晶性化合物は、スメクチック液晶材料とし
て有用である。また、本発明の電解質はイオン伝導度が
高く、イオン伝導性に異方性があることがわかる。
【０１４１】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、ス
メクチック液晶材料として有用な新規な液晶性化合物、
高分子液晶性化合物、および電池、センサデバイス等エ
レクトロニクス分野に用いる電解質においてイオン伝導
性に異方性がある電解質および二次電池を提供する事が
出来る。
メクチック液晶材料として有用な新規な液晶性化合物、
高分子液晶性化合物、および電池、センサデバイス等エ
レクトロニクス分野に用いる電解質においてイオン伝導
性に異方性がある電解質および二次電池を提供する事が
出来る。
【図１】二次電池の模式的な構成図である。
【図２】インピーダンス測定のセルのパターン図であ
る。
る。
１１ 負電極 １２ 正電極 １３ 電解質層 １１１、１２１ 電子伝導性支持体 １１２ 負極活物質 １２２ 正極活物質
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０８Ｆ 120/30 Ｃ０８Ｆ 120/30 ５Ｈ０２９ Ｃ０８Ｇ 65/329 Ｃ０８Ｇ 65/329 Ｈ０１Ｂ 1/06 Ｈ０１Ｂ 1/06 Ａ Ｈ０１Ｍ 10/40 Ｈ０１Ｍ 10/40 Ａ Ｂ Ｆターム(参考） 4C055 AA01 BA02 BA08 BA17 BB04 BB08 CA02 CA42 CB02 CB15 DA01 GA03 4H006 AA01 AB46 AB64 AC48 BJ50 BP10 BP30 KA06 KA14 KD10 4J005 AA02 BD03 BD04 BD05 4J100 AL08P BA08P BA15P BC43P CA01 JA32 5G301 CA14 CA16 CA17 CD01 5H029 AJ02 AJ06 AK01 AK02 AK03 AK05 AK07 AK16 AL06 AL07 AL12 AL16 AM02 AM03 AM04 AM16 CJ08 HJ02
Claims (20)
- 【請求項１】 液晶性メソーゲン基と、該液晶性メソー
ゲン基と結合する２つの側鎖を有し、該２つの側鎖が
（ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）x あるいは（ＯＣＨ2 ＣＨＣＨ3 ）
y （ｘ、ｙは３〜２５の整数を示す）骨格部分を有する
ことを特徴とする液晶性化合物。 - 【請求項２】 下記一般式（１）で示される化合物から
なる請求項１記載の液晶性化合物。 【化１】 （式中、Ａは液晶性メソーゲン基でＡ１−Ｂ１−Ａ２−
Ｂ２−Ａ３−Ｂ３−Ａ４−Ｂ４−Ａ５−Ｂ５−Ａ６を示
す。Ａ１，Ａ２，Ａ３は１，４−フェニレン（１つ以上
のＣＨはＣＦまたはＮに置き換わっていてもよい）また
は１，４−シクロヘキシレンを示す。Ａ４，Ａ５，Ａ６
は単結合または１，４−フェニレン（１つ以上のＣＨは
ＣＦまたはＮに置き換わっていてもよい）または１，４
−シクロヘキシレンを示す。Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，
Ｂ５は単結合または−ＣＨ2 Ｏ−，−ＯＣＨ2 −，−Ｃ
ＯＯ−または−ＯＯＣ−を示す。Ｘは−ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ
−または−ＣＨＣＨ3 ＣＨ2 Ｏ−を示し、Ｙは−ＯＣＨ
2 ＣＨ2 −または−ＯＣＨ2ＣＨＣＨ3 −を示す。Ｒ
1 、Ｒ2 はそれぞれ独立に炭素原子数が１から１００ま
での直鎖状または分岐状のアルキル基であり、該アルキ
ル基中の１つ以上のメチレンは−Ｏ−，−ＣＯ−，−Ｓ
−，−ＣＨ＝ＣＨ−，−Ｃ（ＣＨ3 ）＝ＣＨ−，−ＣＨ
＝Ｃ（ＣＨ3 ）−，−Ｃ≡Ｃ−またはエポキシ基に置き
換わっていてもよい。また、該アルキル基中の水素原子
はフッ素原子に置き換わっていてもよい。ｍ，ｎは３〜
２５の整数を示す。光学活性化合物でもよい。） - 【請求項３】 前記一般式（Ｉ）で示される化合物のＡ
が下記構造式（１ａ）〜（１ｊ）である請求項２記載の
液晶性化合物。 【化２】 【化３】 （式中、ｚはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。） - 【請求項４】 液晶相を有する請求項１乃至３のいずれ
かの項に記載の液晶性化合物。 - 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれかに記載の液晶
性化合物の少なくとも１種と金属塩を含有してなる電解
質。 - 【請求項６】 液晶相を有する請求項５記載の電解質。
- 【請求項７】 前記金属塩がアルカリ金属塩である請求
項５または６記載の電解質。 - 【請求項８】 有機溶剤を含む請求項５乃至７のいずれ
かの項に記載の電解質。 - 【請求項９】 重合反応によって固定化された請求項５
乃至８のいずれかの項に記載の電解質。 - 【請求項１０】 イオン伝導性に異方性のある請求項５
乃至９のいずれかの項に記載の電解質。 - 【請求項１１】 請求項５乃至１０のいずれかに記載の
電解質を用いた二次電池。 - 【請求項１２】 液晶性メソーゲン基と、該液晶性メソ
ーゲン基と結合する２つの側鎖を有し、該２つの側鎖が
（ＯＣＨ2 ＣＨ2 ）x あるいは（ＯＣＨ2 ＣＨＣＨ3 ）
y （ｘ、ｙは３〜２５の整数を示す）骨格部分を有する
モノマーを重合してなることを特徴とする高分子液晶性
化合物。 - 【請求項１３】 前記モノマーが下記一般式（１）で示
される化合物からなる請求項１２記載の高分子液晶性化
合物。 【化４】 （式中、Ａは液晶性メソーゲン基でＡ１−Ｂ１−Ａ２−
Ｂ２−Ａ３−Ｂ３−Ａ４−Ｂ４−Ａ５−Ｂ５−Ａ６を示
す。Ａ１，Ａ２，Ａ３は１，４−フェニレン（１つ以上
のＣＨはＣＦまたはＮに置き換わっていてもよい）また
は１，４−シクロヘキシレンを示す。Ａ４，Ａ５，Ａ６
は単結合または１，４−フェニレン（１つ以上のＣＨは
ＣＦまたはＮに置き換わっていてもよい）または１，４
−シクロヘキシレンを示す。Ｂ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４，
Ｂ５は単結合または−ＣＨ2 Ｏ−，−ＯＣＨ2 −，−Ｃ
ＯＯ−または−ＯＯＣ−を示す。Ｘは−ＣＨ2 ＣＨ2 Ｏ
−または−ＣＨＣＨ3 ＣＨ2 Ｏ−を示し、Ｙは−ＯＣＨ
2 ＣＨ2 −または−ＯＣＨ2ＣＨＣＨ3 −を示す。Ｒ
1 、Ｒ2 はそれぞれ独立に炭素原子数が１から１００ま
での直鎖状または分岐状のアルキル基であり、該アルキ
ル基中の１つ以上のメチレンは−Ｏ−，−ＣＯ−，−Ｓ
−，−ＣＨ＝ＣＨ−，−Ｃ（ＣＨ3 ）＝ＣＨ−，−ＣＨ
＝Ｃ（ＣＨ3 ）−，−Ｃ≡Ｃ−またはエポキシ基に置き
換わっていてもよい。また、該アルキル基中の水素原子
はフッ素原子に置き換わっていてもよい。ｍ，ｎは３〜
２５の整数を示す。光学活性化合物でもよい。） - 【請求項１４】 下記一般式（２）乃至（４）のいずれ
かで示される重合体からなる請求項１２または１３記載
の高分子液晶性化合物。 【化５】 （式中、Ａ、Ｘ、Ｙ、Ｒ1 、Ｒ2 、ｍ、ｎは前記と同じ
ものを示す。Ｒ11、Ｒ12は 【化６】 を示す。Ｒ3 、Ｒ4 はそれぞれ独立に単結合または炭素
原子数が１から１００までの直鎖状または分岐状のアル
キレン基であり、該アルキレン基中の１つ以上のメチレ
ンは−Ｏ−，−ＣＯ−，−Ｓ−に置き換わっていてもよ
い。また、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置
き換わっていてもよい。Ｐ、Ｑは下記の式で表わされる
基を示す。 【化７】 ｓ，ｔはそれぞれ独立に２〜１００００の整数を示す。
光学活性化合物でもよい。） - 【請求項１５】 請求項１２乃至１４のいずれかに記載
の高分子液晶性化合物の少なくとも１種と金属塩を含有
してなる電解質。 - 【請求項１６】 液晶相を有する請求項１５記載の電解
質。 - 【請求項１７】 前記金属塩がアルカリ金属塩である請
求項１５または１６記載の電解質。 - 【請求項１８】 有機溶剤を含む請求項１５乃至１７の
いずれかの項に記載の電解質。 - 【請求項１９】 イオン伝導性に異方性のある請求項１
５乃至１８のいずれかの項に記載の電解質。 - 【請求項２０】 請求項１５乃至１９のいずれかに記載
の電解質を用いた二次電池。
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| US09/908,699 US6936186B2 (en) | 2000-07-24 | 2001-07-20 | Mesomorphic compound, polymeric mesomorphic compound, and electrolyte and secondary battery including same |
| EP01306293A EP1176184B1 (en) | 2000-07-24 | 2001-07-23 | Mesomorphic compound, polymeric mesomorphic compound, and electrolyte and secondary battery including same |
| DE60125654T DE60125654D1 (de) | 2000-07-24 | 2001-07-23 | Mesomorphe Verbindung, polymere mesomorphe Verbindung, und Elektrolyt und sekundäre Batterie, die diesen enthält |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-222857 | 2000-07-24 | ||
| JP2000222857 | 2000-07-24 | ||
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|---|---|---|---|
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| EP (1) | EP1176184B1 (ja) |
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| KR101752849B1 (ko) * | 2015-11-17 | 2017-06-30 | 한국과학기술원 | 전고체 구조전지 |
| JP2017222878A (ja) * | 2017-08-30 | 2017-12-21 | 国立大学法人東京工業大学 | 液晶表示素子 |
| JP2019151819A (ja) * | 2018-02-28 | 2019-09-12 | ウシオケミックス株式会社 | 導電性混合液晶組成物 |
| CN114171790A (zh) * | 2021-12-02 | 2022-03-11 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种液晶聚合物电解质及包含其的锂二次电池 |
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|---|---|---|---|---|
| JP4366116B2 (ja) * | 2003-05-20 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 電界効果型有機トランジスタ |
| JP4194436B2 (ja) * | 2003-07-14 | 2008-12-10 | キヤノン株式会社 | 電界効果型有機トランジスタ |
| JP2005093921A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-07 | Canon Inc | 電界効果型有機トランジスタおよびその製造方法 |
| WO2005070992A2 (en) * | 2004-01-27 | 2005-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Conjugated thiophene compound, conprising perfluorinated and alkylated sidechains, conductive organic thin film containing the compound, and field-effect type organic transistor employing the thin film |
| KR101386163B1 (ko) * | 2007-07-19 | 2014-04-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 복합 음극활물질, 이를 채용한 음극 및 리튬 전지 |
| CN103855423A (zh) * | 2012-11-29 | 2014-06-11 | 沈阳工业大学 | 液晶离聚物peo/pmma固体电解质及其制备方法 |
| KR101864927B1 (ko) | 2015-03-31 | 2018-07-04 | 주식회사 엘지화학 | 액정 소자 |
| KR101839780B1 (ko) * | 2015-03-31 | 2018-03-19 | 주식회사 엘지화학 | 액정 소자 |
| FR3041358B1 (fr) * | 2015-09-21 | 2017-11-24 | Commissariat Energie Atomique | Electrolyte pour generateur electrochimique |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US5482650A (en) * | 1992-04-28 | 1996-01-09 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Liquid crystal compounds having perfluoroether terminal portions |
| DE69416057T2 (de) | 1993-08-31 | 1999-07-01 | Canon Kk | Mesomorphe Verbindung, eine diese enthaltene Flüssigkristallzusammensetzung, eine diese Zusammensetzung verwendende Flüssigkristallvorrichtung, Flüssigkristallapparat und Anzeigeverfahren |
| EP0641850B1 (en) | 1993-09-06 | 2000-04-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Mesomorphic compound, liquid crystal composition containing the compound, liquid crystal device using the composition, liquid crystal apparatus and display method |
| DE4408171A1 (de) * | 1994-03-11 | 1995-09-14 | Basf Ag | Neue polymerisierbare flüssigkristalline Verbindungen |
| US5567349A (en) * | 1994-03-30 | 1996-10-22 | Hoffmann-La Roche Inc. | Photo cross-linkable liquid crystals |
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| DE19716822A1 (de) | 1997-04-22 | 1998-10-29 | Basf Ag | Verfahren zur Herstellung polymerisierbarer flüssigkristalliner Verbindungen |
| JPH1180064A (ja) | 1997-09-11 | 1999-03-23 | Chisso Corp | エ−テル結合を有するフルオロアルコキシベンゼン誘導体、液晶組成物および液晶表示素子 |
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-
2001
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