JP3647314B2 - イオン輸送方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、電池、センサデバイス等エレクトロニクス分野に用いる電解質において、ディスコチック液晶相を利用した新規なイオン輸送方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
イオン輸送機構(イオン輸送の方法)には、主に次に示す2つの機構が挙げられる。電解質が水溶液又は有機電解液である場合、溶媒との溶媒和により解離されたイオンの泳動による輸送機構、および有機固体電界質の場合、ポリエチレンオキシド(PEO)に代表されるようにドナー性極性基部分への配位により解離されたイオンがそのセグメント運動により、次々に手渡される配位子交換による輸送機構である。前者の輸送機構の場合、イオン輸送効率は高いが、液体状態を利用したものであり、実用性の上では制限が出てくる。後者の場合、その輸送機構が高分子鎖の熱によるセグメント運動に由来している為に温度依存性を受けやすく、また高分子鎖が無秩序に入り組んだ構造をしている為に効率の良いイオン輸送の方法であるとは言い難い。更に固体電界質を電池デバイスとして利用する場合、イオン輸送効率だけではなく、電極との接触面において電気化学反応が効率よく起こることが重要である。
【0003】
一方、ディスコティック液晶相は、1977年にS.Chandrasekharらにより発見された(“Pramana”9,471(1977))液晶相である。例えば、同著者らによって、“Discotic Liquid Crystals”と題して“Rep.Prog.Phys.”53(1990)57に、あるいは竹中俊介によって“ディスコチック液晶分子のデザインと合成”と題して日本化学会編“季刊化学総説”22巻60頁に解説されているように、ディスク(円盤)状のコアに比較的長い側鎖が複数個結合した化合物にみられる。
【0004】
その化合物の種類は主にコアの構造によって類別することができ、6置換ベンゼンおよび3置換ベンゼンの誘導体、フタロシアニンおよびポルフィリンの誘導体、トリフェニレン、トルクセン、ピリリウムの各誘導体、トリベンゾシクロノネン誘導体、アザクラウン誘導体、シクロヘキサン誘導体等があげられる。
【0005】
ディスコティック液晶の構造的な特徴から、過去、デバイスヘの応用を示唆するいくつかの報告がなされている。フタロシアニンやトリフェニレンのような共役パイ電子を有する系においては電子(またはホール)チャネルの応用(Piechocki et al.:“J.Am.Chem.Soc.”1982,104,pp5245)、コアがアザクラウンのような環状の場合には、中心の空隙部を選択的に分子が通過する分子チャネルの応用(“J.Chem.Soc.,Chem.Commun.”,1985,1794、“J.Chem.Soc.,Chem.Commun.”,1995,117,9957)等である。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、この様な従来技術に鑑みてなされたものであり、ディスコチック液晶相を利用した新規なイオン輸送方法を提供する事を目的とするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、ディスコチックメソーゲン基に下記の式(a)−(h)のいずれかの構造の側鎖が結合してなりディスコティック液晶相を有する液晶材料およびイオンを用いて、該液晶材料を前記ディスコチックメソーゲン基がカラムナー構造をとるディスコチック液晶相に保ち、該ディスコチック液晶相において前記ディスコチックメソーゲン基の側鎖が形成する前記カラムナー構造に平行なイオンチャネルにより前記イオンを輸送することを特徴とするイオン輸送方法である。
(a)O(CH 2 CH 2 O) n R 11
(b)O(CH 2 CH 2 CH 2 O) n R 11
(c)O(CHCH 3 CH 2 O) n R 11
(d)O(CH 2 ) P CH(CH 2 CH 2 O) n R 11 (CH 2 CH 2 O) m R 12
(e)COO(CH 2 CH 2 COO) n R 11
(f)OOC(CH 2 CH 2 OOC) n R 11
(g)O(CH 2 CH 2 NH) n R 11
(h)O(CH 2 CH 2 NCH 3 ) n R 11
(式中、R 11 ,R 12 はそれぞれ独立に炭素原子数が1〜20の直鎖状または分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換わっていてもよく、また1つ以上のメチレンはO、CO、−CH=CH−、−C≡C−、エポキシ基に置き換わっていてもよい。n,m,pは1〜20の整数を示す。)
【0008】
前記イオンチャネルを形成する為の手段がディスコチック液晶相を利用したものであるのが好ましい。
前記ディスコチック液晶相がサーモトロピック液晶相であるのが好ましい。
前記ディスコチック液晶相がリオトロピック液晶相であるのが好ましい。
前記イオンがアルカリ金属イオンであるのが好ましい。
【0011】
【発明の実施の形態】
本発明のイオン輸送化合物は、ディスコチック性メソーゲン基と極性鎖状側鎖を有し、かつディスコチック液晶相を有する化合物であり、該ディスコチック液晶相において極性鎖状側鎖部分にイオンチャネルを形成し、極性鎖状側鎖部分とイオンの相互作用によりイオンを輸送することを特徴とする。
【0012】
また、本発明によれば、上記のイオン輸送化合物において、ディスコチック性メソーゲン基と極性鎖状側鎖を有するディスコチック液晶相において、極性鎖状側鎖部分とイオンの相互作用によりイオンを輸送するイオン輸送の方法が提供される。
【0013】
図1はポリエチレンオキシド(PEO)のイオン輸送の方法を示す模式図である。これまでのイオン輸送の方法は、図1に示すように、ポリエチレンオキシド(PEO)のエチレンオキシドセグメントが絡み合った状態の中を、イオンは伝播される為に直線的に移動できる訳ではなくかなり遠回りをしながら移動すると思われる。また、高分子鎖のセグメント運動により伝播される為に、低温においてその運動性が損なわれると極端に移動度が低下してしまう。
【0014】
本発明のイオン輸送の方法は、図2に示す様に、ディスコチック液晶の自己集積性を利用することでイオンと相互作用する極性鎖状側鎖の秩序度を増大させ、イオンの移動するチャネルを形成させるものである。PEOの様に絡み合ったエチレンオキシドセグメントではなく、液晶状態により直線的に延びたエチレンオキシセグメントの中を、イオンはほぼ直線的に移動すると思われる。
【0015】
また、本発明のイオン輸送の方法においては、図3に示すように、擬似的なクラウンエーテル環を形成することで、側鎖のセグメント運動だけではなく、自由体積空間をホッピングして伝播する機構も存在すると思われ、その中でイオンは何の障害も受けずに直線的に移動することができる。セグメント運動に寄らないことは温度依存性の小さいイオン輸送の方法の可能性も示唆される。更に、本発明のイオン輸送の方法はイオン移動に異方性を持つことが期待される。即ち、図3に示した様にカラムナー構造に平行な方向(Y方向)と垂直な方向(X方向)のイオン移動は異なり、チャネルが形成されているY方向の移動度が高くなると思われる。
【0016】
これまでクラウンエーテル環をイオン輸送のチャネルとして利用することは前記した文献において知られている。しかしながら、そもそもクラウンエーテルはイオンを包接するものとして開発されたものであり、イオンの包接能力にはクラウンエーテル環のサイズが大きく関与している。従って適切なサイズの環を選ぶことで容易にイオンをトラップすることができるが、反対にイオンを放す場合には大きなエネルギーが必要となる。本発明は閉環されていない擬似的なクラウンエーテル環であるために環のサイズが容易に変化することができる。その為トラップしたイオンの放出も容易であり、スムーズにイオンが移動できると思われる。
【0017】
本発明のイオン輸送の方法を実現する為のイオン輸送化合物となる材料は、ディスコチック性メソーゲン基と極性鎖状側鎖を有し、かつディスコチック液晶相を有する化合物であり、それ自体がディスコチック液晶相を持つ化合物、あるいは2種以上の化合物を混合することによりディスコチック液晶相を持つ混合物、またはそれらが重合などにより固定化されたものである。
【0018】
また、ディスコチック液晶相がサーモトロピック液晶相またはリオトロピック液晶相であるのが好ましい。
【0019】
それ自体がディスコチック液晶相を持つ化合物のディスコチック性メソーゲン基としては3または6置換ベンゼン環、トリフェニレン環、トルクセン環、フタロシアニン環、ポルフィリン環、トリベンゾシクロノネン環、テトラベンゾシクロドデシレン環等が挙げられる。
【0020】
また、極性鎖状側鎖部分としては、ポリエーテル類、ポリエステル類、ポリイミン類等が挙げられ、具体的には次の(a)〜(h)で示される構造が好ましい。
(a)O(CH2CH2O)nR11
(b)O(CH2CH2CH2O)nR11
(c)O(CHCH3CH2O)nR11
(d)O(CH2)PCH(CH2CH2O)nR11(CH2CH2O)mR12
(e)COO(CH2CH2COO)nR11
(f)OOC(CH2CH2OOC)nR11
(g)O(CH2CH2NH)nR11
(h)O(CH2CH2NCH3)nR11
【0021】
(式中、R11,R12はそれぞれ独立に炭素原子数が1〜20の直鎖状または分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換わっていてもよく、また1つ以上のメチレンはO、CO、−CH=CH−、−C≡C−、エポキシ基に置き換わっていてもよい。n,m,pは1〜20の整数を示す。)
その中でも特に好ましくは(a)〜(d)で示される構造である。
【0022】
また、本発明のイオン輸送化合物は、好ましくは下記一般式(I)で示される化合物である。
【0023】
【化1】
【0024】
一般式(I)において、R1,R2,R3,R4,R5,R6はそれぞれ独立に2つ以上のOCH2CH2セグメントあるいはOCH2CH2CH2セグメントから構成され、末端部分に炭素原子数1〜20の分岐状または直鎖状のアルキル基がついた側鎖を示す。但し、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換わっていてもよく、また1つ以上のメチレン基はO、CO、−CH=CH−、−C≡C−またはエポキシ基に置き換わっていてもよい。
【0025】
前記一般式(I)において、好ましくはR1,R2,R3,R4,R5,R6がそれぞれ独立に(OCH2CH2)nOR7または(OCH2CH2CH2)nOR7である。式中nは1〜20の整数であり、R7は炭素原子数4〜20の分岐状または直鎖状のアルキル基を示す。該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換わっていてもよく、また1つ以上のメチレンはO、CO、−CH=CH−、−C≡C−またはエポキシ基に置き換わっていてもよい。
【0026】
以下、本発明で用いられるイオン輸送化合物の具体的な構造式を表1〜9に示す。但し、本発明はこれらのみに限定されるものではない。
【0027】
【表1】
【0028】
【表2】
【0029】
【表3】
【0030】
【表4】
【0031】
【表5】
【0032】
【表6】
【0033】
【表7】
【0034】
【表8】
【0035】
【表9】
【0036】
また、本発明のイオン輸送組成物において、2種以上の化合物を混合する場合は上記のディスコチック液晶化合物同士を混合しても良いが、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチルエチルケトン、メチルプロピオネート、ジメトキシエタン、グリコール類といった有機溶剤と混合してもよい。また、水との混合によるリオトロピック液晶相を持つ混合物も好ましい。更にこれらの材料はMClO4 ,MBF4 ,MPF6 ,MCF3 SO2 (MはLi,Na,Kを示す。)といったアルカリ金属塩の他、CuSO4 ,Ni(NO3 )2 ,Ni(BF4 )2 等の金属塩と混合してもよい。この場合、好ましくはLiClO4 ,LiBF4 ,LiPF6 ,LiCF3 SO2 等のリチウム金属塩である。固定化して用いる場合はディスコチック液晶化合物の1乃至8個の側鎖の末端にアクリル基、メタクリル基、エポキシ基、ビニル基といった重合性基をつけたものを重合する方法と他の重合性化合物と共重合する方法がある。他の重合性化合物は特に制限はないがアクリル酸誘導体、メタクリル酸誘導体、ビニル誘導体、スチレン誘導体、ウレタン誘導体、エポキシ誘導体等が挙げられる。
【0037】
本発明のイオン輸送の方法を実現する為のイオン輸送化合物およびイオン輸送組成は、電解質として用いることができる。
次に、本発明のイオン輸送化合物およびイオン輸送組成の電解質の応用例として、二次電池について説明する。
【0038】
図4は二次電池の模式的な構成例である。41、42はそれぞれ負、正の電極である。43が電解質層であって、この層を通路として特定極性のイオンが負電極から正電極へ、あるいは正電極から負電極へ伝達される。上記負および正の電極はイオンの放出と吸収の機能、外部デバイスとの連携機能(例えば電子伝導性機能)、機械的な支持機能等、多義に渉る機能が要求されることから通常機能分離された複数の部材からなる複合体となる場合が多い。
【0039】
負電極41は外部回路との電子的接続機能を兼ねた銅、アルミニウム、金、白金などの電子伝導性支持体411に負極活物質412をコーティングしたものが用いられる。或いは支持体としての機能をかねた負極活物質を用いることもできる。負極活物質材料としてはLiイオン、Naイオン、Kイオン等のアルカリイオン、アルカリ土類イオン、水素イオン等のカチオンを放出する能力を有する材料として、金属材料のなかからリチウム金属箔、リチウム−アルミニウム合金等が、高分子材料のなかから好ましくはn型にドープされたポリアセチレン、ポリチオフェン、ポリp−フェニレン、ポリアセン等およびその誘導体が、また炭素系材料のなかからグラファイト(黒鉛)、ピッチ、コークス、有機高分子の焼結体、あるいはこれらの材料と有機高分子の複合体が適宜選択的に用いられる。
【0040】
正電極42は、外部回路との電子的接続機能を兼ねた銅、アルミニウム、金、白金などの電子伝導性支持体421に正極活物質422をコーティングしたものが用いられる。或いは支持体としての機能をかねた正極活物質を用いることもできる。正極活物質材料としては無機材料のなかからコバルト、バナジウム、チタン、モリブデン、鉄、マンガンなど遷移金属のカルコゲン化合物及び酸化物、さらにこれらとリチウムの複合体が、炭素系材料のなかからグラファイト、弗化カーボンなど一連の層状化合物、あるいはこれらの材料と有機高分子の複合体が、高分子材料のなかから好ましくはp型またはn型にドープされたポリアセチレン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリp−フェニレン、ポリアセン、ポリフタロシアニン、ポリピリジン等、およびこれらの誘導体が適宜選択的に用いられる。
【0041】
【実施例】
以下、実施例により本発明について更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
先ず、本実施例で使用したディスコチック液晶の製造例を示す。
【0042】
製造例1
2,3,6,7,10,11−ヘキサ(2−ヘキシルオキシエチルオキシ)トリフェニレン(例示化合物T−6)の製造
(1)p−トルエンスルホン酸2−ヘキシルオキシエチルの製造
反応容器に2−ヘキシルオキシエタノール3.29g(22.5mmol)とピリジン5.33g(67.5mmol)を入れ、それに氷浴中、p−トルエンスルホン酸クロリド4.72g(24.7mmol)を加え、1時間撹拌した後、室温で更に3時間撹拌した。反応終了後、3N−HClを加え酸性とした後、トルエンで2回抽出した。抽出液を水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムを加え乾燥した。溶媒を留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離溶媒:トルエン/酢酸エチル=10/1)により精製し、p−トルエンスルホン酸2−ヘキシルオキシエチル6.45g(21.5mmol)を得た。収率95%
【0043】
(2) 2,3,6,7,10,11−ヘキサ(2−ヘキシルオキシエチルオキシ)トリフェニレンの製造
反応容器に乾燥N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)15mlと水素化ナトリウム(60% in oil(鉱油))0.77g(19.3mmol)を入れ、それに水浴中、2,3,6,7,10,11−ヘキサヒドロキシトリフェニレン0.92g(2.84mmol)を加え1時間撹拌した。その後、p−トルエンスルホン酸2−ヘキシルオキシエチル6.3g(21.0mmol)と乾燥DMF5mlの混合液を滴下し、80℃で5時間撹拌した。反応終了後、水を加えトルエンで2回抽出した。抽出液を水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムを加え乾燥した。溶媒を留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離溶媒:トルエン/酢酸エチル=5/1)を2回行い精製し、2,3,6,7,10,11−ヘキサ(2−ヘキシルオキシエチルオキシ)トリフェニレン1.15g(1.0mmol)を得た。収率35%
【0044】
得られた化合物のDSCによる相転移温度を以下に示す。
昇温過程
Cry(−24℃)Xl(17℃)X2(29℃)Dh(84℃)Iso
冷却過程
Iso(81℃)Dh(16℃)X2(5℃)Xl(<−50℃)Cry
Cry:結晶相、X1,X2:未同定の相、Dh:ディスコチック液晶相、Iso:等方相
【0045】
製造例2
2,3,6,7,10,11−ヘキサ(1,4,7−トリオキサトリデシル)トリフェニレン(例示化合物T−16)の製造
(1)p−トルエンスルホン酸1,4,7−トリオキサトリデシルの製造
反応容器に2−(2−ヘキシルオキシエチルオキシ)エタノール8.55g(45.0mmol)とピリジン10.7g(135mmol)を入れ、それに氷浴中、p−トルエンスルホン酸クロリド9.43g(49.5mmol)を加え、1時間撹拌した後、室温で更に2時間撹拌した。反応終了後、3N−HClを加え酸性とした後、トルエンで2回抽出した。抽出液を水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムを加え乾燥した。溶媒を留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離溶媒:トルエン/酢酸エチル=15/1)により精製し、p−トルエンスルホン酸1,4,7−トリオキサトリデシル13.24g(38.5mmol)を得た。収率86%
【0046】
(2)2,3,6,7,10,11−ヘキサ(1,4,7−トリオキサトリデシル)トリフェニレンの製造
反応容器に乾燥DMFl5mlと水素化ナトリウム(60% in oil(鉱油))0.77g(19.3mmol)を入れ、それに水浴中、2,3,6,7,10,11−ヘキサヒドロキシトリフェニレン0.92g(2.84mmol)を加え1時間撹拌した。その後、p−トルエンスルホン酸1,4,7−トリオキサトリデシル7.3g(20.9mmol)と乾燥DMF 5mlの混合液を滴下し、80℃で6時間撹拌した。反応終了後、水を加えトルエンで2回抽出した。抽出液を水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムを加え乾燥した。溶媒を留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離溶媒:クロロホルム)を3回行い精製し、2,3,6,7,10,11−ヘキサ(1,4,7−トリオキサトリデシル)トリフェニレン0.95g(0.70mmol)を得た。収率25%
【0047】
得られた化合物の相転移温度を以下に示す。
昇温過程
Cry(16℃)Dh(35℃)Iso
冷却過程
Iso(30℃)Dh(16℃)Cry
Cry:結晶相、Dh:ディスコチック液晶相、Iso:等方相
【0048】
製造例3
2,3,6,7,10,11−ヘキサ(1,4,7−トリオキサオクチル)トリフェニレン(例示化合物T−11)の製造
(1)p−トルエンスルホン酸1,4,7−トリオキサオクチルの製造
反応容器にジエチレングリコールモノメチルエーテル3.0g(25.0mml)とピリジン5.93g(75mmol)を入れ、それに氷浴中、p−トルエンスルホン酸クロリド5.24g(27.5mmol)を加え、1時間撹拌した後、室温で更に3時間撹拌した。反応終了後、3N−HClを加え酸性とした後、トルエンで2回抽出した。抽出液を水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムを加え乾燥した。溶媒を留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離溶媒:トルエン/酢酸エチル=6/1)により精製し、p−トルエンスルホン酸1,4,7−トリオキサオクチル6.57g(24.0mmol)を得た。収率96%
【0049】
(2)2,3,6,7,10,11−ヘキサ(1,4,7−トリオキサオクチル)トリフェニレンの製造
反応容器に乾燥DMFl5mlと水素化ナトリウム(60% in oil(鉱油))0.77g(19.3mmol)を入れ、それに水浴中、2,3,6,7,10,11−ヘキサヒドロキシトリフェニレン0.92g(2.84mmol)を加え1時間撹拌した。その後、p−トルエンスルホン酸1,4,7−トリオキサオクチル6.4g(23.3mmol)と乾燥DMF5mlの混合液を滴下し、80℃で5時間撹拌した。反応終了後、水を加えトルエンで2回抽出した。抽出液を水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムを加え乾燥した。溶媒を留去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離溶媒:クロロホルム)を3回及びジエチルエーテルで再結晶を行い精製し、2,3,6,7,10,11−ヘキサ(1,4,7−トリオキサオクチル)トリフェニレン0.14g(0.15mmol)を得た。収率5%、mp54℃
【0050】
次に金属塩との混合例を示す。
【0051】
混合例1
製造例1で合成した2,3,6,7,10,11−ヘキサ(2−ヘキシルオキシエチルオキシ)トリフェニレン65.6mg(0.06mmol)に乾燥ジクロロメタン1mlを加え、撹拌し完全に溶解させた。それに過塩素酸リチウム0.64mg(0.006mmol)と乾燥エタノールlmlを加え2時間撹拌した。完全に溶解していることを確認した後、溶媒を留去し、減圧乾燥してリチウム塩l0mol%を含有する混合物Aを得た。
【0052】
得られた混合物Aの相転移温度を示す。
昇温過程
Cry(−3℃)X1(19℃)X2(27℃)Dh(86℃)Iso
冷却過程
Iso(84℃)Dh(7℃)X2(−18℃)Xl(<−50℃)Cry
Cry:結晶相、X1,X2:未同定の相、Dh:ディスコチック液晶相、Iso:等方相
【0053】
混合例2
製造例1で合成した2,3,6,7,10,11−ヘキサ(2−ヘキシルオキシエチルオキシ)トリフェニレン65.6mg(0.06mmol)に乾燥ジクロロメタンlmlを加え、撹拌し完全に溶解させた。それに過塩素酸リチウム3.19mg(0.03mmol)と乾燥エタノールlmlを加え2時間撹拌した。完全に溶解していることを確認した後、溶媒を留去し、減圧乾燥してリチウム塩50mol%を含有する混合物Bを得た。
【0054】
得られた混合物Bの相転移温度を示す。
昇温過程
Cry(−2℃)Xl(19℃)X2(27℃)Dh(87℃)Iso
冷却過程
Iso(85℃)Dh(7℃)X2(−16℃)Xl(<−50℃)Cry
Cry:結晶相、X1,X2:未同定の相、Dh:ディスコチック液晶相、Iso:等方相
【0055】
混合例3
製造例2で合成した2,3,6,7,10,11−ヘキサ(1,4,7−トリオキサトリデシル)トリフェニレン81.5mg(0.06mmol)に乾燥ジクロロメタンlmlを加え、撹拌し完全に溶解させた。それに過塩素酸リチウム0.64mg(0.006mmol)と乾燥エタノールlmlを加え2時間撹拌した。完全に溶解していることを確認した後、溶媒を留去し、減圧乾燥してリチウム塩10mol%を含有する混合物Cを得た。
【0056】
得られた混合物Cの相転移温度を示す。
昇温過程
Cry(8℃)Dh(38℃)Iso
冷却過程
Iso(28℃)Dh(3℃)Cry
Cry:結晶相、Dh:ディスコチック液晶相、Iso:等方相
【0057】
次に得られた化合物、混合物の配向性及びインピーダンス測定によるイオン伝導率の結果を示す。
【0058】
実施例1
透明電極として厚さ700ÅのITO膜を形成した厚さ1.1mmの一対のガラス基板を用意した。該ガラス基板の透明電極上に、一方の基板上にスペーサーとして、平均粒径2.4μmのシリカビーズを散布し、均一なセルギャップのセルを作製した。このセルに製造例1で合成した2,3,6,7,10,11−ヘキサ(2−ヘキシルオキシエチルオキシ)トリフェニレン(例示化合物T−6)を等方性液体状態で注入し、等方相から20℃/hでディスコチック液晶相を示す温度まで冷却した。このセルを偏光顕微鏡でクロスニコル下、テクスチャーを観察した所、暗視野が得られ、ディスコチック液晶相がホメオトロピック配向をしていることがわかった。
【0059】
次に、0.001〜100kHz、10mVの交流電圧を印加した時の電流を測定して複素インピーダンスを測定し、イオン伝導率を算出した。その結果を以下に示す。
【0060】
測定温度 イオン伝導率
30℃ 3.3×10-13 S/cm
50℃ 1.8×10-12 S/cm
70℃ 7.2×10-12 S/cm
【0061】
実施例2
例示化合物T−6の代わりに2,3,6,7,10,11−ヘキサ(1,4,7−トリオキサトリデシル)トリフェニレン(例示化合物T−16)を用いる以外は実施例1と同様の手法によリセルを作製、注入し、偏光顕微鏡でテクスチャーを観察した所、暗視野が得られ、ディスコチック液晶相がホメオトロピック配向をしていることがわかった。
【0062】
実施例1と同様の手法で複素インピーダンスを測定し、イオン伝導率を算出した。その結果を以下に示す。
【0063】
測定温度 イオン伝導率
10℃ 1.6×10-11 S/cm
30℃ 2.5×10-10 S/cm
【0064】
実施例3〜5
例示化合物T−6の代わりに混合物A,B,Cを用いる以外は実施例1と同様の手法によりセルを作製、注入し、偏光顕微鏡でテクスチャーを観察した所、何れも良好な暗視野が得られ、ディスコチック液晶相がホメオトロピック配向をしていることがわかった。
【0065】
実施例1と同様の手法で複素インピーダンスを測定し、イオン伝導率を算出した。その結果を以下に示す。
▲1▼混合物A
測定温度 イオン伝導率
30℃ 3.3×10-10 S/cm
50℃ 1.6×10-9 S/cm
70℃ 4.9×10-9 S/cm
【0066】
▲2▼混合物B
測定温度 イオン伝導率
30℃ 4.9×10-10 S/cm
50℃ 2.4×10-9 S/cm
70℃ 8.3×10-9 S/cm
【0067】
▲3▼混合物C
測定温度 イオン伝導率
10℃ 2.0×10-9S/cm
30℃ 1.4×10-8S/cm
50℃ 4.6×10-8S/cm
【0068】
【発明の効果】
以上説明した様に、本発明によれば、ディスコチック液晶相を利用した新規なイオン輸送の方法を得るこができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】PEOのイオン輸送の方法を示す模式図である。
【図2】本発明のイオン輸送の方法を示す模式図である。
【図3】本発明のイオン輸送の方法を示す模式図である。
【図4】二次電池の模式的な構成図である。
【符号の説明】
41 負電極
42 正電極
43 電解質層
411、421 電子伝導性支持体
412 負極活物質
422 正極活物質
Claims (5)
- ディスコチックメソーゲン基に下記の式(a)−(h)のいずれかの構造の側鎖が結合してなりディスコティック液晶相を有する液晶材料およびイオンを用いて、該液晶材料を前記ディスコチックメソーゲン基がカラムナー構造をとるディスコチック液晶相に保ち、該ディスコチック液晶相において前記ディスコチックメソーゲン基の側鎖が形成する前記カラムナー構造に平行なイオンチャネルにより前記イオンを輸送することを特徴とするイオン輸送方法。
(a)O(CH 2 CH 2 O) n R 11
(b)O(CH 2 CH 2 CH 2 O) n R 11
(c)O(CHCH 3 CH 2 O) n R 11
(d)O(CH 2 ) P CH(CH 2 CH 2 O) n R 11 (CH 2 CH 2 O) m R 12
(e)COO(CH 2 CH 2 COO) n R 11
(f)OOC(CH 2 CH 2 OOC) n R 11
(g)O(CH 2 CH 2 NH) n R 11
(h)O(CH 2 CH 2 NCH 3 ) n R 11
(式中、R 11 ,R 12 はそれぞれ独立に炭素原子数が1〜20の直鎖状または分岐状のアルキル基であり、該アルキル基中の水素原子はフッ素原子に置き換わっていてもよく、また1つ以上のメチレンはO、CO、−CH=CH−、−C≡C−、エポキシ基に置き換わっていてもよい。n,m,pは1〜20の整数を示す。) - 前記ディスコチック液晶相がサーモトロピック液晶相である請求項1記載のイオン輸送方法。
- 前記ディスコチック液晶相がリオトロピック液晶相である請求項1記載のイオン輸送方法。
- 前記イオンがアルカリ金属イオンである請求項1乃至3のいずれかの項に記載のイオン輸送方法。
- 前記液晶材料が、電極を備えた基板で作成されたセル内でホメオトロピック配向している液晶材料である請求項1乃至4の何れかに記載のイオン輸送方法。
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