|
AU2002328130B2
(en)
*
|
2001-06-06 |
2008-05-29 |
Ammono Sp. Z O.O. |
Process and apparatus for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
|
|
TWI231321B
(en)
|
2001-10-26 |
2005-04-21 |
Ammono Sp Zoo |
Substrate for epitaxy
|
|
JP4383172B2
(ja)
*
|
2001-10-26 |
2009-12-16 |
アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン |
窒化物バルク単結晶層を用いる発光素子構造及びその製造方法
|
|
US6791120B2
(en)
*
|
2002-03-26 |
2004-09-14 |
Sanyo Electric Co., Ltd. |
Nitride-based semiconductor device and method of fabricating the same
|
|
US20060138431A1
(en)
*
|
2002-05-17 |
2006-06-29 |
Robert Dwilinski |
Light emitting device structure having nitride bulk single crystal layer
|
|
WO2003097906A1
(en)
*
|
2002-05-17 |
2003-11-27 |
Ammono Sp.Zo.O. |
Bulk single crystal production facility employing supercritical ammonia
|
|
JP4416648B2
(ja)
*
|
2002-05-17 |
2010-02-17 |
アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン |
発光素子の製造方法
|
|
JP2004107114A
(ja)
*
|
2002-09-17 |
2004-04-08 |
Toyoda Gosei Co Ltd |
Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体基板の製造方法
|
|
AU2003285767A1
(en)
*
|
2002-12-11 |
2004-06-30 |
Ammono Sp. Z O.O. |
Process for obtaining bulk monocrystalline gallium-containing nitride
|
|
JP4558502B2
(ja)
*
|
2002-12-11 |
2010-10-06 |
アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン |
テンプレート型基板の製造方法
|
|
EP1830416B1
(en)
*
|
2002-12-20 |
2011-06-08 |
Cree Inc. |
Methods of forming semiconductor devices including mesa structures and multiple passivation layers and related devices
|
|
GB2400234A
(en)
*
|
2003-04-02 |
2004-10-06 |
Sharp Kk |
Semiconductor device and method of manufacture
|
|
US7462882B2
(en)
*
|
2003-04-24 |
2008-12-09 |
Sharp Kabushiki Kaisha |
Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus
|
|
US7462983B2
(en)
*
|
2003-06-27 |
2008-12-09 |
Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. |
White light emitting device
|
|
US7122842B2
(en)
*
|
2003-09-08 |
2006-10-17 |
Group Iv Semiconductor Inc. |
Solid state white light emitter and display using same
|
|
JP4326297B2
(ja)
*
|
2003-09-30 |
2009-09-02 |
シャープ株式会社 |
モノリシック多波長レーザ素子およびその製造方法
|
|
DE602005011881C5
(de)
|
2004-04-02 |
2016-07-28 |
Nichia Corp. |
Nitrid-Halbleiterlaservorrichtung
|
|
US8398767B2
(en)
*
|
2004-06-11 |
2013-03-19 |
Ammono S.A. |
Bulk mono-crystalline gallium-containing nitride and its application
|
|
PL371405A1
(pl)
*
|
2004-11-26 |
2006-05-29 |
Ammono Sp.Z O.O. |
Sposób wytwarzania objętościowych monokryształów metodą wzrostu na zarodku
|
|
KR100707187B1
(ko)
*
|
2005-04-21 |
2007-04-13 |
삼성전자주식회사 |
질화갈륨계 화합물 반도체 소자
|
|
JP2007081183A
(ja)
*
|
2005-09-15 |
2007-03-29 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
半導体発光素子
|
|
DE112006002450T5
(de)
*
|
2005-09-15 |
2008-07-03 |
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma |
Halbleiter-Lichtemitterbauelement
|
|
JP2007081182A
(ja)
*
|
2005-09-15 |
2007-03-29 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
半導体発光素子
|
|
JP2007081181A
(ja)
*
|
2005-09-15 |
2007-03-29 |
Matsushita Electric Ind Co Ltd |
半導体発光素子
|
|
KR101221067B1
(ko)
*
|
2006-02-09 |
2013-01-11 |
삼성전자주식회사 |
리지 도파형 반도체 레이저 다이오드
|
|
US7518139B2
(en)
*
|
2006-10-31 |
2009-04-14 |
Lehigh University |
Gallium nitride-based device and method
|
|
US7843980B2
(en)
*
|
2007-05-16 |
2010-11-30 |
Rohm Co., Ltd. |
Semiconductor laser diode
|
|
US8432946B2
(en)
*
|
2007-12-06 |
2013-04-30 |
Rohm Co., Ltd. |
Nitride semiconductor laser diode
|
|
JP2010041035A
(ja)
*
|
2008-06-27 |
2010-02-18 |
Sanyo Electric Co Ltd |
半導体レーザ素子およびその製造方法ならびに光ピックアップ装置
|
|
JP2011044648A
(ja)
*
|
2009-08-24 |
2011-03-03 |
Sharp Corp |
窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法
|
|
JP2011204914A
(ja)
*
|
2010-03-25 |
2011-10-13 |
Sony Corp |
光発振装置及び記録装置
|
|
JP5589671B2
(ja)
*
|
2010-08-20 |
2014-09-17 |
ソニー株式会社 |
レーザ装置、レーザ増幅変調方法。
|
|
US9318875B1
(en)
*
|
2011-01-24 |
2016-04-19 |
Soraa Laser Diode, Inc. |
Color converting element for laser diode
|
|
JP2012244099A
(ja)
*
|
2011-05-24 |
2012-12-10 |
Renesas Electronics Corp |
半導体発光素子
|
|
WO2016147512A1
(ja)
*
|
2015-03-19 |
2016-09-22 |
ソニー株式会社 |
半導体発光素子及び半導体発光素子組立体
|
|
JP2020537360A
(ja)
*
|
2017-10-16 |
2020-12-17 |
クリスタル アイエス, インコーポレーテッドCrystal Is, Inc. |
電子及び光電子デバイスのための窒化アルミニウム基板の電気化学的除去
|
|
JP7639610B2
(ja)
|
2021-08-19 |
2025-03-05 |
ウシオ電機株式会社 |
窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
|