JP2007081181A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】GaN基板1の上にSiドープのGaNよりなるn型層2、SiドープのGa1-xInxN(0<x<1)よりなる中間層3、SiドープのGaNよりなる第2のn型層4、アンドープのAlGaNよりなるクラッド層5、多重量子井戸構造の活性層6、MgドープのAlGaNよりなるp型層7が順次形成され、p型層7の上にはp側電極8が形成され、p型層7から第2のn型層4までの多層構造の一部が除去されて露出された第2のn型層4の表面にn側電極9が形成された構成となっている。
【選択図】図1
Description
本発明の半導体発光素子に係る第1変形例は、図3の断面図に示すように、GaN基板1の上にSiドープのGaNよりなるn型層2、SiドープのGa1-xInxN(0<x<1)よりなる中間層3、アンドープのAlGaNよりなるクラッド層5、多重量子井戸構造の活性層6、MgドープのAlGaNよりなるp型層7が順次形成され、p型層7の上にはp側電極8が形成され、p型層7からn型層2までの多層構造の一部が除去されて露出されたn型層2の表面にn側電極9が形成された構成となっている。この半導体発光素子に係る各半導体層の組成等の具体的な構成について、以下の表2に示す。なお、n側電極9直下のn型層2の層厚は500nmである。また、GaN基板1の主面の面方位は(0001)である。
本発明の第2の変形例に係る半導体発光素子は、図4の断面図に示すように、GaN基板1の上にSiドープのGa1-xInxN(0<x<1)よりなる中間層3、SiドープのGaNよりなるn型層2、アンドープのAlGaNよりなるクラッド層5、多重量子井戸構造の活性層6、MgドープのAlGaNよりなるp型層7が順次形成され、p型層7の上にはp側電極8が形成され、p型層7からn型層2までの多層構造の一部が除去されて露出されたn型層2の表面にn側電極9が形成された構成となっている。この半導体発光素子に係る各半導体層の組成等の具体的な構成について、以下の表3に示す。なお、n側電極9直下のn型層2の層厚は500nmである。また、GaN基板1の主面の面方位は(0001)である。
2 n型層
3 中間層
4 第2のn型層
5 クラッド層
6 活性層
7 p型層
8 p側電極
9 n側電極
Claims (7)
- III族窒化物半導体よりなる基板と、前記基板上に形成されたIII族窒化物半導体の複数層からなる第1導電型の構造と、前記第1導電型の構造の上に形成されたIII族窒化物半導体よりなる活性層と、前記活性層の上に形成されたIII族窒化物半導体よりなる第2導電型の構造とを有し、前記第1導電型の構造はGa1-xInxN(0<x<1)よりなる中間層を有することを特徴とする半導体発光素子。
- 前記中間層の層厚は、10nm以上500nm以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 上面と下面とを有する段差を備え、前記上面は前記第2導電型のクラッド層上に設けられ、前記下面は前記第1導電型の構造上に設けられ、前記半導体層は前記下面より前記活性側に設けられたことを特徴とする請求項1または2記載の半導体発光素子。
- 上面と下面とを有する段差を備え、前記上面は前記第2導電型のクラッド層上に設けられ、前記下面は前記第1導電型の構造上に設けられ、前記半導体層は前記下面より前記基板側に設けられたことを特徴とする請求項1または2記載の半導体発光素子。
- 前記半導体層は前記基板のすぐ上に設けられたことを特徴とする請求項4記載の半導体発光素子。
- 前記基板は六方晶よりなり、前記基板の主面は(0001)面であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記基板の主面は(0001)面から0.2〜5°のオフ角を有することを特徴とする請求項6記載の半導体発光素子。
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