JP2006190803A - 半導体発光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】GaN基板1の上にSiドープのGaNよりなるn型層2、SiドープのAlxGa1-x-yInyN(0<x<1、0<y<1)よりなる中間層3、SiドープのGaNよりなる第2のn型層4、アンドープのAlGaNよりなるバリア層5、多重量子井戸構造の活性層6、MgドープのAlGaNよりなるp型層7が順次形成され、p型層7の上にはp側電極8が形成され、p型層7から第2のn型層4までの多層構造の一部が除去されて露出された第2のn型層4の表面にn側電極9が形成された構成となっている。
【選択図】図1
Description
本発明の半導体発光素子に係る第1の変形例は、図5の断面図に示すように、GaN基板1の上にSiドープのGaNよりなるn型層2、SiドープのAlxGa1-x-yInyN(0<x<0.1、0<y<1)よりなる中間層3、アンドープのAlGaNよりなるバリア層5、多重量子井戸構造の活性層6、MgドープのAlGaNよりなるp型層7が順次形成され、p型層7の上にはp側電極8が形成され、p型層7からn型層2までの多層構造の一部が除去されて露出されたn型層2の表面にn側電極9が形成された構成となっている。この半導体発光素子に係る各半導体層の組成等の具体的な構成について、以下の表2に示す。なお、n側電極9直下のn型層2の層厚は500nmである。また、GaN基板1の主面の面方位は<11−20>方向に0.5°オフした(0001)である。
本発明の半導体発光素子に係る第2の変形例を図6の断面図に示す。この変形例に係る半導体発光素子の積層構造および電極構造は、基本的に上記第1の変形例に同じである。この変形例では、GaN基板1としてn型の導電型を有するものを用い、p型層7からGaN基板1に至るまでの多層構造の一部が除去されて露出されたGaN基板1の表面にn側電極9が形成された構成である。この半導体発光素子に係る各半導体層の組成等の具体的な構成は、表2と同様である。
本発明の半導体発光素子に係る第3の変形例を図7の断面図に示す。この変形例に係る半導体発光素子の積層構造および電極構造は、基本的に上記第1の変形例に同じである。この変形例では、GaN基板1としてn型の導電型を有するものを用い、GaN基板1の裏面にn側電極9が形成された構成である。この半導体発光素子に係る各半導体層の組成等の具体的な構成は、表2と同様である。
本発明の第4の変形例に係る半導体発光素子は、図8の断面図に示すように、GaN基板1の上にSiドープのAlxGa1-x-yInyN(0<x<0.1、0<y<1)よりなる中間層3、SiドープのGaNよりなるn型層2、アンドープのAlGaNよりなるバリア層5、多重量子井戸構造の活性層6、MgドープのAlGaNよりなるp型層7が順次形成され、p型層7の上にはp側電極8が形成され、p型層7からn型層2までの多層構造の一部が除去されて露出されたn型層2の表面にn側電極9が形成された構成となっている。この半導体発光素子に係る各半導体層の組成等の具体的な構成について、以下の表3に示す。なお、n側電極9直下のn型層2の層厚は500nmである。また、GaN基板1の主面の面方位は<11−20>方向に0.5°オフした(0001)である。
本発明の半導体発光素子に係る第5の変形例は、図9の断面図に示すように、GaN基板1の上にSiドープのAlGaNよりなるn型層2、SiドープのAlxGa1-x-yInyN(0<x<0.1、0<y<1)よりなる中間層3、アンドープのAlGaNよりなるバリア層5、多重量子井戸構造の活性層6、AlGaNよりなるノンドープ層10、MgドープのAlGaNよりなるp型層7が順次形成され、p型層7の上にはp側電極8が形成され、p型層7からn型層2までの多層構造の一部が除去されて露出されたn型層2の表面にn側電極9が形成された構成となっている。この半導体発光素子に係る各半導体層の組成等の具体的な構成について、以下の表4に示す。なお、n側電極9直下のn型層2の層厚は500nmである。また、GaN基板1の主面の面方位は<11−20>方向に0.5°オフした(0001)である。
2 n型層
3 中間層
4 第2のn型層
5 バリア層
6 活性層
7 p型層
8 p側電極
9 n側電極
10 ノンドープ層
Claims (7)
- III族窒化物半導体よりなる基板と、前記基板上に形成されたIII族窒化物半導体の複数層からなる第1導電型のクラッド構造と、前記第1導電型のクラッド構造の上に形成されたIII族窒化物半導体よりなる活性層と、前記活性層の上に形成されたIII族窒化物半導体よりなる第2導電型のクラッド層とを有し、前記第1導電型のクラッド構造はAlxGa1-x-yInyN(0.001≦x<0.1、0<y<1)よりなる中間層を有することを特徴とする半導体発光素子。
- 前記中間層の層厚は、50nm以上500nm以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 上面と下面とを有する段差を備え、前記上面は前記第2導電型のクラッド層上に設けられ、前記下面は前記第1導電型のクラッド構造上に設けられ、前記中間層は前記下面より前記活性側に設けられたことを特徴とする請求項1または2記載の半導体発光素子。
- 上面と下面とを有する段差を備え、前記上面は前記第2導電型のクラッド層上に設けられ、前記下面は前記第1導電型のクラッド構造上に設けられ、前記中間層は前記下面より前記基板側に設けられたことを特徴とする請求項1または2記載の半導体発光素子。
- 前記中間層は前記基板のすぐ上に設けられたことを特徴とする請求項4記載の半導体発光素子。
- 前記基板は六方晶よりなり、前記基板の主面は(0001)面であることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記基板の主面は(0001)面から0.2〜5°のオフ角を有することを特徴とする請求項6記載の半導体発光素子。
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JP2005001216A JP2006190803A (ja) | 2005-01-06 | 2005-01-06 | 半導体発光素子 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7948454B2 (en) | 2006-08-11 | 2011-05-24 | Sony Corporation | Method for driving light-emitting diode, light-emitting diode, method for driving display, display, method for driving electronic device, electronic device, method for driving optical communication apparatus, and optical communication apparatus |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH11266034A (ja) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体基板および窒化物半導体素子 |
JP2001044570A (ja) * | 1999-07-27 | 2001-02-16 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体レーザ素子 |
WO2003063215A1 (fr) * | 2002-01-21 | 2003-07-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Procede de fabrication d'un dispositif a semi-conducteurs a base de nitrures |
-
2005
- 2005-01-06 JP JP2005001216A patent/JP2006190803A/ja active Pending
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