JP2002071981A - 光素子 - Google Patents
光素子Info
- Publication number
- JP2002071981A JP2002071981A JP2000265433A JP2000265433A JP2002071981A JP 2002071981 A JP2002071981 A JP 2002071981A JP 2000265433 A JP2000265433 A JP 2000265433A JP 2000265433 A JP2000265433 A JP 2000265433A JP 2002071981 A JP2002071981 A JP 2002071981A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- refractive index
- photonic crystal
- optical element
- holes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/1225—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths comprising photonic band-gap structures or photonic lattices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フォトニック結晶と通常媒質との界面におけ
る光の反射損失が小さい光素子を提供する。 【解決手段】 第１の屈折率を有する通常媒質領域１２
と、第１の屈折率と異なる第２の屈折率を平均屈折率と
して、位置によって屈折率が周期的に変化しているフォ
トニック結晶領域１３と、通常媒質領域１２とフォトニ
ック結晶領域１３との間に介在し、屈折率が第１の屈折
率から第２の屈折率へと徐々に変化している中間領域１
４とを具備する。
る光の反射損失が小さい光素子を提供する。 【解決手段】 第１の屈折率を有する通常媒質領域１２
と、第１の屈折率と異なる第２の屈折率を平均屈折率と
して、位置によって屈折率が周期的に変化しているフォ
トニック結晶領域１３と、通常媒質領域１２とフォトニ
ック結晶領域１３との間に介在し、屈折率が第１の屈折
率から第２の屈折率へと徐々に変化している中間領域１
４とを具備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に光素子に
関し、特に、位置によって屈折率が周期的に変化するフ
ォトニック結晶を用いた光素子に関する。
関し、特に、位置によって屈折率が周期的に変化するフ
ォトニック結晶を用いた光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、従来の光学結晶に比べて特異な分
散特性を示すフォトニック結晶の開発が進んでおり、光
変調素子や光偏向素子やスイッチング素子等の光素子へ
の応用が期待されている。フォトニック結晶は、第１の
材料中に屈折率の異なる第２の材料を光の波長程度の周
期で配列させることによって構成されており、位置によ
て屈折率が周期的に変化する性質を有している。このよ
うなフォトニック結晶が示す特性については、例えば、
H.Kosaka等による「Superprism phenomena in photonic
crystals」（Physical Review B Vol.58,No.16,1998年
10月15日)等に詳述されている。
散特性を示すフォトニック結晶の開発が進んでおり、光
変調素子や光偏向素子やスイッチング素子等の光素子へ
の応用が期待されている。フォトニック結晶は、第１の
材料中に屈折率の異なる第２の材料を光の波長程度の周
期で配列させることによって構成されており、位置によ
て屈折率が周期的に変化する性質を有している。このよ
うなフォトニック結晶が示す特性については、例えば、
H.Kosaka等による「Superprism phenomena in photonic
crystals」（Physical Review B Vol.58,No.16,1998年
10月15日)等に詳述されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フォト
ニック結晶を用いた従来の光素子においては、フォトニ
ック結晶と通常媒質との界面における光の反射損失が大
きく、未だ改良すべき問題点が残されていることが、本
発明者達の解析によって明らかになった。上記問題点に
鑑みて、本発明は、フォトニック結晶と通常媒質との界
面における光の反射損失が小さい光素子を提供すること
を目的とする。
ニック結晶を用いた従来の光素子においては、フォトニ
ック結晶と通常媒質との界面における光の反射損失が大
きく、未だ改良すべき問題点が残されていることが、本
発明者達の解析によって明らかになった。上記問題点に
鑑みて、本発明は、フォトニック結晶と通常媒質との界
面における光の反射損失が小さい光素子を提供すること
を目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る光素子は、第１の屈折率を有する通常
媒質領域と、第１の屈折率と異なる第２の屈折率を平均
屈折率として、位置によって屈折率が周期的に変化して
いるフォトニック結晶領域と、通常媒質領域とフォトニ
ック結晶領域との間に介在し、屈折率が第１の屈折率か
ら第２の屈折率へと徐々に変化している中間領域とを具
備する。
め、本発明に係る光素子は、第１の屈折率を有する通常
媒質領域と、第１の屈折率と異なる第２の屈折率を平均
屈折率として、位置によって屈折率が周期的に変化して
いるフォトニック結晶領域と、通常媒質領域とフォトニ
ック結晶領域との間に介在し、屈折率が第１の屈折率か
ら第２の屈折率へと徐々に変化している中間領域とを具
備する。
【０００５】本発明によれば、中間領域において屈折率
を第１の屈折率から第２の屈折率へと徐々に変えている
ため、通常媒質領域とフォトニック結晶領域との間にお
けるインピーダンスの不整合が中間領域において徐々に
解消される。従って、フォトニック結晶領域の界面にお
ける光の反射損失を抑えることができる。
を第１の屈折率から第２の屈折率へと徐々に変えている
ため、通常媒質領域とフォトニック結晶領域との間にお
けるインピーダンスの不整合が中間領域において徐々に
解消される。従って、フォトニック結晶領域の界面にお
ける光の反射損失を抑えることができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施形態について説明する。尚、以下に用いら
れる諸数値は、一例としての値であって、本発明の範囲
内において様々な値に変更することが可能である。
本発明の実施形態について説明する。尚、以下に用いら
れる諸数値は、一例としての値であって、本発明の範囲
内において様々な値に変更することが可能である。
【０００７】図１は、シリコンを材料とする基板１０１
の中央部にフォトニック結晶領域１０２を形成すること
によって構成される光素子１００を示す平面図である。
図１に示すフォトニック結晶領域１０２においては、円
柱状の複数の空孔１０３が、光の進行方向と直交して５
層に形成されて２次元三角格子状に配列されており、こ
れらの空孔１０３には空気が満たされている。本実施形
態においては、基板１０１の実効屈折率を３．０６５と
し、例えば、対象となる光の真空中の波長が１．５５μ
ｍである場合には、空孔１０３の半径ｒを０．３８７μ
ｍ、空孔１０３が配列されるピッチａを０．９３μｍと
する。
の中央部にフォトニック結晶領域１０２を形成すること
によって構成される光素子１００を示す平面図である。
図１に示すフォトニック結晶領域１０２においては、円
柱状の複数の空孔１０３が、光の進行方向と直交して５
層に形成されて２次元三角格子状に配列されており、こ
れらの空孔１０３には空気が満たされている。本実施形
態においては、基板１０１の実効屈折率を３．０６５と
し、例えば、対象となる光の真空中の波長が１．５５μ
ｍである場合には、空孔１０３の半径ｒを０．３８７μ
ｍ、空孔１０３が配列されるピッチａを０．９３μｍと
する。
【０００８】このようなフォトニック結晶領域１０２
は、例えば、基板１０１上の空孔１０３を形成しない部
分にレジストを形成した後、垂直性の良いドライエッチ
ングを基板１０１に施すことによって形成される。
は、例えば、基板１０１上の空孔１０３を形成しない部
分にレジストを形成した後、垂直性の良いドライエッチ
ングを基板１０１に施すことによって形成される。
【０００９】フォトニック結晶中の伝播光は、同結晶の
周期構造による多重散乱の影響を受け、その伝播特性
は、半導体における電子のバンド図に類似したフォトニ
ックバンド図によって説明される。例えば、図１に示す
フォトニック結晶領域１０２中を紙面に平行に光が伝播
し、その偏波面も紙面に平行である場合には、図２に示
すようなフォトニックバンド図（還元ゾーン形式）が得
られる。フォトニックバンド図は、逆格子空間における
波数ベクトルと、規格化周波数（Ω＝ωａ／（２πｃ）
但し、ωは光の角周波数、ａは空孔間のピッチ、ｃは
真空中の光速）との関係を与える。尚、図２の横軸に付
した各記号「Γ」や「Ｍ」や「Ｋ」は、図３に示すよう
な第１ブリルアンゾーン（the first Brillouin zone）
における特定の波数ベクトルを表している。
周期構造による多重散乱の影響を受け、その伝播特性
は、半導体における電子のバンド図に類似したフォトニ
ックバンド図によって説明される。例えば、図１に示す
フォトニック結晶領域１０２中を紙面に平行に光が伝播
し、その偏波面も紙面に平行である場合には、図２に示
すようなフォトニックバンド図（還元ゾーン形式）が得
られる。フォトニックバンド図は、逆格子空間における
波数ベクトルと、規格化周波数（Ω＝ωａ／（２πｃ）
但し、ωは光の角周波数、ａは空孔間のピッチ、ｃは
真空中の光速）との関係を与える。尚、図２の横軸に付
した各記号「Γ」や「Ｍ」や「Ｋ」は、図３に示すよう
な第１ブリルアンゾーン（the first Brillouin zone）
における特定の波数ベクトルを表している。
【００１０】図２にも示すように、フォトニックバンド
には、光がフォトニック結晶中を伝搬できない規格化周
波数帯域（フォトニックバンドギャップ）が存在する。
このため、フォトニックバンドギャップよりも低いか又
は高い規格化周波数帯域の光がフォトニック結晶中を伝
搬する。図２においては、０．２９〜０．４５の規格化
周波数帯域がフォトニックバンドギャップである。ま
た、０．４５〜０．８０の規格化周波数帯域（伝搬帯
域）において、フォトニック結晶領域１０２中をｙ軸の
負方向に伝搬する光（点Γ〜点Ｍの波数ベクトル）が存
在する。
には、光がフォトニック結晶中を伝搬できない規格化周
波数帯域（フォトニックバンドギャップ）が存在する。
このため、フォトニックバンドギャップよりも低いか又
は高い規格化周波数帯域の光がフォトニック結晶中を伝
搬する。図２においては、０．２９〜０．４５の規格化
周波数帯域がフォトニックバンドギャップである。ま
た、０．４５〜０．８０の規格化周波数帯域（伝搬帯
域）において、フォトニック結晶領域１０２中をｙ軸の
負方向に伝搬する光（点Γ〜点Ｍの波数ベクトル）が存
在する。
【００１１】フォトニック結晶の光の透過特性を利用し
て光素子を作製する場合には、フォトニック結晶の伝搬
帯域に属する光の、同結晶の透過前後における損失が低
いことが理想である。そこで、本発明者達は、図２にお
ける０．５〜０．７５の規格化周波数帯域に属するガウ
ス分布パルス光を図１の矢印方向へ伝搬させ、フォトニ
ック結晶領域１０２から出射された直後の位置Ｐにおい
てシミュレーションにより求められた光の強度に基づい
て透過率と反射率を計算した。尚、このシミュレーショ
ンは、フォトニック結晶の数値解析に一般的に用いられ
ているＦＤＴＤ法を用いて行われた。
て光素子を作製する場合には、フォトニック結晶の伝搬
帯域に属する光の、同結晶の透過前後における損失が低
いことが理想である。そこで、本発明者達は、図２にお
ける０．５〜０．７５の規格化周波数帯域に属するガウ
ス分布パルス光を図１の矢印方向へ伝搬させ、フォトニ
ック結晶領域１０２から出射された直後の位置Ｐにおい
てシミュレーションにより求められた光の強度に基づい
て透過率と反射率を計算した。尚、このシミュレーショ
ンは、フォトニック結晶の数値解析に一般的に用いられ
ているＦＤＴＤ法を用いて行われた。
【００１２】図４は、上記の計算によって得られた規格
化周波数と透過率及び反射率との関係を示す図である。
尚、図４において、実線は透過率、破線は反射率を表し
ている。図４に示すように、図１のフォトニック結晶領
域１０２の伝搬領域に属する光を同領域１０２中に伝搬
させたにも拘わらず、透過率は−８ｄＢ〜−１０ｄＢで
あり、光の強度がフォトニック結晶領域１０２の透過前
後において１桁近く落ちていることが分かる。一方、フ
ォトニック結晶領域１０２の伝搬領域に属する光の、同
領域１０２の界面における反射率は高い。従って、フォ
トニック結晶領域１０２の界面における反射損失が、同
領域１０２の透過前後における光強度の低下の主な原因
であると推察される。このような損失は、フォトニック
結晶の伝搬領域に属する透過光を利用する場合には不適
当であり、出力信号のＳ／Ｎが悪化したり光源のハイパ
ワー化が必要になる。
化周波数と透過率及び反射率との関係を示す図である。
尚、図４において、実線は透過率、破線は反射率を表し
ている。図４に示すように、図１のフォトニック結晶領
域１０２の伝搬領域に属する光を同領域１０２中に伝搬
させたにも拘わらず、透過率は−８ｄＢ〜−１０ｄＢで
あり、光の強度がフォトニック結晶領域１０２の透過前
後において１桁近く落ちていることが分かる。一方、フ
ォトニック結晶領域１０２の伝搬領域に属する光の、同
領域１０２の界面における反射率は高い。従って、フォ
トニック結晶領域１０２の界面における反射損失が、同
領域１０２の透過前後における光強度の低下の主な原因
であると推察される。このような損失は、フォトニック
結晶の伝搬領域に属する透過光を利用する場合には不適
当であり、出力信号のＳ／Ｎが悪化したり光源のハイパ
ワー化が必要になる。
【００１３】フォトニック結晶領域１０２においては、
面積比からも分かるように空孔１０３が支配的であるこ
とから、同領域１０２の平均屈折率はシリコンに比べて
低い。空孔が２次元三角格子状に配列しているフォトニ
ック結晶領域の平均屈折率Ｎ AVは、次の数式（１）によ
って与えられる。 ＮAV＝Ｎ1πｒ2＋Ｎ2｛ａ2ｓｑｒｔ（３）／２−πｒ2｝…（１） ここで、 Ｎ1：空孔に充填された材料の屈折率 Ｎ2：背景材料の屈折率 ｓｑｒｔ（ｘ）：ｘの正の平方根を求める関数式 を表している。
面積比からも分かるように空孔１０３が支配的であるこ
とから、同領域１０２の平均屈折率はシリコンに比べて
低い。空孔が２次元三角格子状に配列しているフォトニ
ック結晶領域の平均屈折率Ｎ AVは、次の数式（１）によ
って与えられる。 ＮAV＝Ｎ1πｒ2＋Ｎ2｛ａ2ｓｑｒｔ（３）／２−πｒ2｝…（１） ここで、 Ｎ1：空孔に充填された材料の屈折率 Ｎ2：背景材料の屈折率 ｓｑｒｔ（ｘ）：ｘの正の平方根を求める関数式 を表している。
【００１４】例えば、（１）式に次の各数値、Ｎ1＝
１、Ｎ2＝３．０６５、ａ＝０．９３μｍ、ｒ＝０．３
８７μｍを代入すると、平均屈折率ＮAVが１．３２とな
る。この場合に通常媒質領域の材料が屈折率Ｎ＝３．０
６５であると、屈折率Ｎと平均屈折率ＮAVとの比が２．
３と大きい値を示す。従って、フォトニック結晶の伝搬
帯域に属する光であっても、フォトニック結晶と通常媒
質との界面におけるインピーダンスの不整合が大きいた
めに、その光が界面から強く反射されてしまうと考えら
れる。そして、屈折率Ｎと平均屈折率ＮAVとの比が２．
３より大きくなると、フォトニック結晶と通常媒質との
界面において光がさらに強く反射される。
１、Ｎ2＝３．０６５、ａ＝０．９３μｍ、ｒ＝０．３
８７μｍを代入すると、平均屈折率ＮAVが１．３２とな
る。この場合に通常媒質領域の材料が屈折率Ｎ＝３．０
６５であると、屈折率Ｎと平均屈折率ＮAVとの比が２．
３と大きい値を示す。従って、フォトニック結晶の伝搬
帯域に属する光であっても、フォトニック結晶と通常媒
質との界面におけるインピーダンスの不整合が大きいた
めに、その光が界面から強く反射されてしまうと考えら
れる。そして、屈折率Ｎと平均屈折率ＮAVとの比が２．
３より大きくなると、フォトニック結晶と通常媒質との
界面において光がさらに強く反射される。
【００１５】そこで、本発明者達は、以下に説明するよ
うな中間領域を通常媒質領域とフォトニック結晶領域の
間に介在させることによって、フォトニック結晶の伝搬
帯域に属する光の透過率の向上を試みた。
うな中間領域を通常媒質領域とフォトニック結晶領域の
間に介在させることによって、フォトニック結晶の伝搬
帯域に属する光の透過率の向上を試みた。
【００１６】図５は、本発明の第１の実施形態に係る光
素子の構成を示す平面図である。光素子１０は、シリコ
ンを媒質とする基板１１の中央部にフォトニック結晶領
域１３を形成し、さらに、基板１１の上部の通常媒質領
域１２とフォトニック結晶領域１３との間に中間領域１
４を形成することによって構成されている。
素子の構成を示す平面図である。光素子１０は、シリコ
ンを媒質とする基板１１の中央部にフォトニック結晶領
域１３を形成し、さらに、基板１１の上部の通常媒質領
域１２とフォトニック結晶領域１３との間に中間領域１
４を形成することによって構成されている。
【００１７】フォトニック結晶領域１３においては、円
柱状の複数の空孔１５が２次元三角格子状に配列されて
おり、これらの空孔１５には空気が満たされている。一
方、中間領域１４においては、通常媒質領域１２に向け
て先細りとなった突部１７を有する空孔１６が横１列
（ｘ軸の正方向）に等間隔に配列されており、突部１７
の下半分は半円柱部１８となっている。フォトニック結
晶領域１３の場合と同様に、これらの空孔１６にも空気
が満たされている。
柱状の複数の空孔１５が２次元三角格子状に配列されて
おり、これらの空孔１５には空気が満たされている。一
方、中間領域１４においては、通常媒質領域１２に向け
て先細りとなった突部１７を有する空孔１６が横１列
（ｘ軸の正方向）に等間隔に配列されており、突部１７
の下半分は半円柱部１８となっている。フォトニック結
晶領域１３の場合と同様に、これらの空孔１６にも空気
が満たされている。
【００１８】本発明者達は、中間領域１４における空孔
１６の突部１７の長さｂと、フォトニック結晶領域１３
における空孔１５間のピッチａとの比であるアスペクト
比を変えて、フォトニック結晶領域１３の伝搬帯域に属
する光の同領域１３に対する透過率と反射率を計測し
た。図６〜図１５は、アスペクト比が１〜１０の各々の
場合における、規格化周波数と透過率及び反射率との関
係を示す図である。尚、各図において、実線は透過率、
破線は反射率を表している。これらの図に示されている
ように、アスペクト比を３以上とすると、フォトニック
結晶の伝搬帯域（０．５〜０．７５の規格化周波数帯
域）の広範囲に亘って、伝搬領域に属する光の同結晶に
対する透過率の増加が見られ、平均的には透過率が４ｄ
Ｂ〜５ｄＢ改善されることが分かる。この場合におい
て、中間領域１４の平均屈折率とフォトニック結晶領域
１３の平均屈折率との比は、２．３未満とする。
１６の突部１７の長さｂと、フォトニック結晶領域１３
における空孔１５間のピッチａとの比であるアスペクト
比を変えて、フォトニック結晶領域１３の伝搬帯域に属
する光の同領域１３に対する透過率と反射率を計測し
た。図６〜図１５は、アスペクト比が１〜１０の各々の
場合における、規格化周波数と透過率及び反射率との関
係を示す図である。尚、各図において、実線は透過率、
破線は反射率を表している。これらの図に示されている
ように、アスペクト比を３以上とすると、フォトニック
結晶の伝搬帯域（０．５〜０．７５の規格化周波数帯
域）の広範囲に亘って、伝搬領域に属する光の同結晶に
対する透過率の増加が見られ、平均的には透過率が４ｄ
Ｂ〜５ｄＢ改善されることが分かる。この場合におい
て、中間領域１４の平均屈折率とフォトニック結晶領域
１３の平均屈折率との比は、２．３未満とする。
【００１９】本実施形態においては、中間領域１４にお
ける空孔１６を通常媒質領域１２に向けて先細りの形状
とすることによって、中間領域１４において、屈折率を
通常媒質領域１２の屈折率からフォトニック結晶領域１
３の平均屈折率へと徐々に下げている。従って、通常媒
質領域１２とフォトニック結晶領域１３の間におけるイ
ンピーダンスの不整合が中間領域１４において徐々に解
消され、フォトニック結晶領域１３の界面における光の
反射損失を抑えることができる。
ける空孔１６を通常媒質領域１２に向けて先細りの形状
とすることによって、中間領域１４において、屈折率を
通常媒質領域１２の屈折率からフォトニック結晶領域１
３の平均屈折率へと徐々に下げている。従って、通常媒
質領域１２とフォトニック結晶領域１３の間におけるイ
ンピーダンスの不整合が中間領域１４において徐々に解
消され、フォトニック結晶領域１３の界面における光の
反射損失を抑えることができる。
【００２０】上述したように、通常媒質領域１２の屈折
率Ｎとフォトニック結晶領域１３の平均屈折率ＮAVとの
比が２．３より大きくなると、通常媒質領域１２とフォ
トニック結晶領域１３との界面において光が強く反射さ
れるが、上述したような中間領域１４を設けることによ
って、上記実施形態と同様に、フォトニック結晶領域１
３の界面における光の反射損失を抑えることができる。
率Ｎとフォトニック結晶領域１３の平均屈折率ＮAVとの
比が２．３より大きくなると、通常媒質領域１２とフォ
トニック結晶領域１３との界面において光が強く反射さ
れるが、上述したような中間領域１４を設けることによ
って、上記実施形態と同様に、フォトニック結晶領域１
３の界面における光の反射損失を抑えることができる。
【００２１】図１６は、本発明の第２の実施形態に係る
光素子の構成を示す平面図である。以下、図５と共通す
る要素に同じ参照符号を付して、これらの説明を省略す
る。光素子２０の中間領域１４においては、フォトニッ
ク結晶領域１３よりも大きいピッチで、円柱状の複数の
空孔２１が２次元三角格子状に配列されており、これら
の空孔２１にも空気が満たされている。
光素子の構成を示す平面図である。以下、図５と共通す
る要素に同じ参照符号を付して、これらの説明を省略す
る。光素子２０の中間領域１４においては、フォトニッ
ク結晶領域１３よりも大きいピッチで、円柱状の複数の
空孔２１が２次元三角格子状に配列されており、これら
の空孔２１にも空気が満たされている。
【００２２】本実施形態においては、フォトニック結晶
領域１３の空孔１５と同じ形状の空孔２１を、フォトニ
ック結晶領域１３よりも低密度で中間領域１４に配列さ
せることによって、通常媒質領域１２とフォトニック結
晶領域１３の間におけるインピーダンスの不整合を徐々
に解消させている。従って、本実施形態によって第１の
実施形態と同様の効果を達成できる。
領域１３の空孔１５と同じ形状の空孔２１を、フォトニ
ック結晶領域１３よりも低密度で中間領域１４に配列さ
せることによって、通常媒質領域１２とフォトニック結
晶領域１３の間におけるインピーダンスの不整合を徐々
に解消させている。従って、本実施形態によって第１の
実施形態と同様の効果を達成できる。
【００２３】図１７は、本発明の第２の実施形態に係る
光素子の構成を示す平面図である。光素子３０の中間領
域１４においては、フォトニック結晶領域１３と同じピ
ッチで、円柱状の複数の空孔３１が２次元三角格子状に
配列されているものの、これらの空孔３１には、通常媒
質領域１２の材料（例えば、シリコン）よりも屈折率が
小さく空気よりも屈折率が大きい材料（例えば、硝子）
が充填されている。
光素子の構成を示す平面図である。光素子３０の中間領
域１４においては、フォトニック結晶領域１３と同じピ
ッチで、円柱状の複数の空孔３１が２次元三角格子状に
配列されているものの、これらの空孔３１には、通常媒
質領域１２の材料（例えば、シリコン）よりも屈折率が
小さく空気よりも屈折率が大きい材料（例えば、硝子）
が充填されている。
【００２４】本実施形態においては、フォトニック結晶
領域１３と同じ密度で配列された空孔３１に、通常媒質
領域１２を構成する材料よりも屈折率が小さく空気より
も屈折率が大きい材料を充填することによって、通常媒
質領域１２とフォトニック結晶領域１３の間におけるイ
ンピーダンスの不整合を徐々に解消させている。従っ
て、本実施形態によって第１の実施形態と同様の効果を
達成できる。
領域１３と同じ密度で配列された空孔３１に、通常媒質
領域１２を構成する材料よりも屈折率が小さく空気より
も屈折率が大きい材料を充填することによって、通常媒
質領域１２とフォトニック結晶領域１３の間におけるイ
ンピーダンスの不整合を徐々に解消させている。従っ
て、本実施形態によって第１の実施形態と同様の効果を
達成できる。
【００２５】尚、第１〜第３の実施形態において、フォ
トニック結晶領域における空孔の配列は、図２のような
２次元三角格子配列に限らず、２次元正方格子配列等の
他の２次元的な周期配列や３次元的な周期配列であって
も良い。このように空孔を配列させた場合にも第１〜第
３の実施形態を適用することによって、同じ効果を達成
できる。
トニック結晶領域における空孔の配列は、図２のような
２次元三角格子配列に限らず、２次元正方格子配列等の
他の２次元的な周期配列や３次元的な周期配列であって
も良い。このように空孔を配列させた場合にも第１〜第
３の実施形態を適用することによって、同じ効果を達成
できる。
【００２６】また、第１〜第３の実施形態において、フ
ォトニック結晶領域の空孔や媒質を電場によって屈折率
が変化する材料により構成すれば、光素子を光変調素
子、光偏向素子又は光のスイッチング素子として用いる
ことができる。即ち、光素子のフォトニック結晶領域の
各端面に電極を対向するように取り付け、これらの電極
間に電場を印加してフォトニック結晶領域の屈折率を変
化させることによって、この領域を通過する光の強度や
向きを変えることができ、光の変調、偏向、スイッチン
グ等を行うことができる。尚、電場によって屈折率を変
えることができる材料としては、例えば、ニオブ酸リチ
ウムを挙げることができる。
ォトニック結晶領域の空孔や媒質を電場によって屈折率
が変化する材料により構成すれば、光素子を光変調素
子、光偏向素子又は光のスイッチング素子として用いる
ことができる。即ち、光素子のフォトニック結晶領域の
各端面に電極を対向するように取り付け、これらの電極
間に電場を印加してフォトニック結晶領域の屈折率を変
化させることによって、この領域を通過する光の強度や
向きを変えることができ、光の変調、偏向、スイッチン
グ等を行うことができる。尚、電場によって屈折率を変
えることができる材料としては、例えば、ニオブ酸リチ
ウムを挙げることができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
フォトニック結晶と通常媒質との界面における光の反射
損失を抑えることができ、光の透過性に優れた光素子を
提供することができる。
フォトニック結晶と通常媒質との界面における光の反射
損失を抑えることができ、光の透過性に優れた光素子を
提供することができる。
【図１】光素子の一般的な構造を示す平面図である。
【図２】図１に示すフォトニック結晶領域中を光が紙面
に平行に伝播し、その偏波面も紙面に平行である場合に
おけるフォトニックバンド図である。
に平行に伝播し、その偏波面も紙面に平行である場合に
おけるフォトニックバンド図である。
【図３】図１のフォトニック結晶の第１ブリルアンゾー
ンを特定の規格化周波数で輪切りにした図である。
ンを特定の規格化周波数で輪切りにした図である。
【図４】図１に示すフォトニック結晶領域の伝搬帯域に
属する光を同領域に透過させた場合における規格化周波
数と透過率及び反射率との関係を示す図である。
属する光を同領域に透過させた場合における規格化周波
数と透過率及び反射率との関係を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る光素子の構造を
示す平面図である。
示す平面図である。
【図６】図５に示す中間領域におけるアスペクト比を１
とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属する
光を同領域に透過させた場合における規格化周波数と透
過率及び反射率との関係を示す図である。
とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属する
光を同領域に透過させた場合における規格化周波数と透
過率及び反射率との関係を示す図である。
【図７】図５に示す中間領域におけるアスペクト比を２
とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属する
光を同領域に透過させた場合における規格化周波数と透
過率及び反射率との関係を示す図である。
とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属する
光を同領域に透過させた場合における規格化周波数と透
過率及び反射率との関係を示す図である。
【図８】図５に示す中間領域におけるアスペクト比を３
とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属する
光を同領域に透過させた場合における規格化周波数と透
過率及び反射率との関係を示す図である。
とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属する
光を同領域に透過させた場合における規格化周波数と透
過率及び反射率との関係を示す図である。
【図９】図５に示す中間領域におけるアスペクト比を４
とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属する
光を同領域に透過させた場合における規格化周波数と透
過率及び反射率との関係を示す図である。
とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属する
光を同領域に透過させた場合における規格化周波数と透
過率及び反射率との関係を示す図である。
【図１０】図５に示す中間領域におけるアスペクト比を
５とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属す
る光を同領域に透過させた場合における規格化周波数と
透過率及び反射率との関係を示す図である。
５とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属す
る光を同領域に透過させた場合における規格化周波数と
透過率及び反射率との関係を示す図である。
【図１１】図５に示す中間領域におけるアスペクト比を
６とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属す
る光を同領域に透過させた場合における規格化周波数と
透過率及び反射率との関係を示す図である。
６とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属す
る光を同領域に透過させた場合における規格化周波数と
透過率及び反射率との関係を示す図である。
【図１２】図５に示す中間領域におけるアスペクト比を
７とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属す
る光を同領域に透過させた場合における規格化周波数と
透過率及び反射率との関係を示す図である。
７とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属す
る光を同領域に透過させた場合における規格化周波数と
透過率及び反射率との関係を示す図である。
【図１３】図５に示す中間領域におけるアスペクト比を
８とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属す
る光を同領域に透過させた場合における規格化周波数と
透過率及び反射率との関係を示す図である。
８とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属す
る光を同領域に透過させた場合における規格化周波数と
透過率及び反射率との関係を示す図である。
【図１４】図５に示す中間領域におけるアスペクト比を
９とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属す
る光を同領域に透過させた場合における規格化周波数と
透過率及び反射率との関係を示す図である。
９とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属す
る光を同領域に透過させた場合における規格化周波数と
透過率及び反射率との関係を示す図である。
【図１５】図５に示す中間領域におけるアスペクト比を
１０とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属
する光を同領域に透過させた場合における規格化周波数
と透過率及び反射率との関係を示す図である。
１０とし、同図のフォトニック結晶領域の伝搬帯域に属
する光を同領域に透過させた場合における規格化周波数
と透過率及び反射率との関係を示す図である。
【図１６】本発明の第２の実施形態に係る光素子の構造
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図１７】本発明の第３の実施形態に係る光素子の構造
を示す平面図である。
を示す平面図である。
１０、２０、３０ 光素子 １１ 基板 １２ 通常媒質領域 １３ フォトニック結晶領域 １４ 中間領域 １５、１６、２１、３１ 空孔 １７ 突部 １８ 半円柱部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/03 ５０５ Ｇ０２Ｆ 1/29 1/29 Ｇ０２Ｂ 6/12 Ｚ Ｎ Ｆターム(参考） 2H047 QA01 RA08 2H049 CA05 CA15 CA30 2H079 AA02 CA05 DA01 2K002 AB04 BA06 CA03 CA30 HA08
Claims (11)
- 【請求項１】 第１の屈折率を有する通常媒質領域と、 前記第１の屈折率と異なる第２の屈折率を平均屈折率と
して、位置によって屈折率が周期的に変化しているフォ
トニック結晶領域と、 前記通常媒質領域と前記フォトニック結晶領域との間に
介在し、屈折率が前記第１の屈折率から前記第２の屈折
率へと徐々に変化している中間領域と、を具備する光素
子。 - 【請求項２】 前記フォトニック結晶領域は、前記通常
媒質領域を構成する第１の材料の一部に複数の空孔、又
は、前記第１の材料と異なる第２の材料を配列すること
によって構成されており、 前記中間領域は、前記第１の材料の他の一部に複数の空
孔、又は、前記第１の材料と異なる第３の材料を配列す
ることによって構成されており、前記中間領域に配列さ
れた空孔、又は、第３の材料は、前記通常媒質領域に向
けて先細りとなる突部を有する形状であることを特徴と
する請求項１記載の光素子。 - 【請求項３】 前記中間領域に配列された空孔、又は、
第３の材料における突部の長さと、前記フォトニック結
晶領域に配列された空孔、又は、第２の材料の配列ピッ
チとの比であるアスペクト比が３以上であることを特徴
とする請求項２記載の光素子。 - 【請求項４】 前記フォトニック結晶領域は、前記通常
媒質領域を構成する第１の材料の一部に複数の空孔、又
は、前記第１の材料と異なる第２の材料を配列すること
によって構成されており、 前記中間領域は、前記第１の材料の他の一部に複数の空
孔、又は、前記第１の材料と異なる第３の材料を前記フ
ォトニック結晶領域よりも低密度で配列することによっ
て構成されていることを特徴とする請求項１記載の光素
子。 - 【請求項５】 前記フォトニック結晶領域は、前記通常
媒質領域を構成する第１の材料の一部に複数の空孔、又
は、前記第１の材料と異なる第２の材料を配列すること
によって構成されており、 前記中間領域は、前記第１の材料の他の一部に前記第１
の材料及び前記第２の材料と異なる第３の材料を配列す
ることによって構成されていることを特徴とする請求項
１記載の光素子。 - 【請求項６】 前記通常媒質領域における屈折率と前記
フォトニック結晶領域における平均屈折率との比が２．
３以上であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか
１項記載の光素子。 - 【請求項７】 前記フォトニック結晶領域において、前
記第１の材料中に空孔又は前記第２の材料が２次元三角
格子状に配列されていることを特徴とする請求項２〜６
のいずれか１項記載の光素子。 - 【請求項８】 前記第１の材料がシリコンであることを
特徴とする請求項２〜７のいずれか１項記載の光素子。 - 【請求項９】 前記光素子は、光の変調に用いられる光
変調素子であることを特徴とする請求項１〜８のいずれ
か１項記載の光素子。 - 【請求項１０】 前記光素子は、波長又は入射角度に応
じて光を偏向するのに用いられる光偏向素子であること
を特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の光素
子。 - 【請求項１１】 前記光素子は、スイッチング素子であ
ることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の
光素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000265433A JP3923244B2 (ja) | 2000-09-01 | 2000-09-01 | 光素子 |
| EP01120593A EP1184690B1 (en) | 2000-09-01 | 2001-08-29 | Optical element |
| DE60118475T DE60118475T2 (de) | 2000-09-01 | 2001-08-29 | Optisches Element |
| US09/941,740 US6522448B2 (en) | 2000-09-01 | 2001-08-30 | Optical element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000265433A JP3923244B2 (ja) | 2000-09-01 | 2000-09-01 | 光素子 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002071981A true JP2002071981A (ja) | 2002-03-12 |
| JP2002071981A5 JP2002071981A5 (ja) | 2005-11-04 |
| JP3923244B2 JP3923244B2 (ja) | 2007-05-30 |
Family
ID=18752701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000265433A Expired - Fee Related JP3923244B2 (ja) | 2000-09-01 | 2000-09-01 | 光素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6522448B2 (ja) |
| EP (1) | EP1184690B1 (ja) |
| JP (1) | JP3923244B2 (ja) |
| DE (1) | DE60118475T2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004109344A1 (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ３次元周期構造体およびその製造方法 |
| WO2005022221A1 (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-10 | Japan Science And Technology Agency | 電磁波周波数フィルタ |
| JP2006047442A (ja) * | 2004-08-02 | 2006-02-16 | Yokohama National Univ | 光学素子、光学素子への光の入射方法、及び、スーパープリズム |
| JP2007017494A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Sharp Corp | フォトニック結晶導波路 |
| JP2007532958A (ja) * | 2004-04-16 | 2007-11-15 | ディ．ケイ． アンド イー．エル． マクフェイル エンタープライジーズ プロプライエタリー リミテッド | 空洞構造を備えた光学的活性基材 |
| JP2008040230A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Kyoto Institute Of Technology | フォトニック結晶導波路 |
| JP2009231578A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Yokohama National Univ | 半導体レーザ |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI228179B (en) * | 1999-09-24 | 2005-02-21 | Toshiba Corp | Process and device for producing photonic crystal, and optical element |
| US6822784B2 (en) * | 2001-03-22 | 2004-11-23 | Matsushita Electric Works, Ltd | Light-beam deflecting device with photonic crystal, optical switch using the same, and light-beam deflecting method |
| JP3743637B2 (ja) * | 2001-08-23 | 2006-02-08 | 独立行政法人理化学研究所 | フォトニック結晶および光導波素子 |
| US6791732B2 (en) * | 2002-06-20 | 2004-09-14 | Agilent Technologies, Inc. | Systems and methods for altering the propagation of optical signals within optical media |
| CN1668948A (zh) * | 2002-07-08 | 2005-09-14 | 日本板硝子株式会社 | 光子晶体光波导 |
| JP4254189B2 (ja) * | 2002-10-02 | 2009-04-15 | 株式会社ニコン | 光学素子、分光装置、及び集光装置 |
| JP2004258169A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Alps Electric Co Ltd | 光偏向素子及びそれを用いた光スイッチ |
| US20050084195A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-21 | Hamann Hendrik F. | Method and apparatus for forming lateral electrical contacts for photonic crystal devices |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19610656A1 (de) * | 1996-03-05 | 1997-09-11 | Deutsche Telekom Ag | Optische Mehrwege-Weiche mit elektrisch einstellbaren Photonenkristallen |
| EP1007998A1 (en) * | 1997-02-11 | 2000-06-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Polymeric photonic band gap materials |
| DE59811997D1 (de) * | 1997-03-29 | 2004-10-28 | Deutsche Telekom Ag | Faser-integrierte photonenkristalle und -systeme |
| GB9710062D0 (en) * | 1997-05-16 | 1997-07-09 | British Tech Group | Optical devices and methods of fabrication thereof |
| US20010012149A1 (en) * | 1997-10-30 | 2001-08-09 | Shawn-Yu Lin | Optical elements comprising photonic crystals and applications thereof |
| US5999308A (en) * | 1998-04-01 | 1999-12-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and systems for introducing electromagnetic radiation into photonic crystals |
| US6040936A (en) * | 1998-10-08 | 2000-03-21 | Nec Research Institute, Inc. | Optical transmission control apparatus utilizing metal films perforated with subwavelength-diameter holes |
| JP4536866B2 (ja) * | 1999-04-27 | 2010-09-01 | キヤノン株式会社 | ナノ構造体及びその製造方法 |
| JP3456166B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2003-10-14 | 日本電気株式会社 | フォトニック結晶を用いた光結合素子および光結合方法 |
| US20020070352A1 (en) * | 1999-11-30 | 2002-06-13 | Douglas C Allan | Creation of three-dimensional structures using ultrashort low energy laser exposure and structures formed thereby |
| US6542682B2 (en) * | 2000-08-15 | 2003-04-01 | Corning Incorporated | Active photonic crystal waveguide device |
| JP2002071982A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | 光素子、光偏向素子、光合波素子及び走査装置 |
-
2000
- 2000-09-01 JP JP2000265433A patent/JP3923244B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-08-29 DE DE60118475T patent/DE60118475T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-29 EP EP01120593A patent/EP1184690B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-08-30 US US09/941,740 patent/US6522448B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004109344A1 (ja) * | 2003-06-05 | 2004-12-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | ３次元周期構造体およびその製造方法 |
| US7303626B2 (en) | 2003-06-05 | 2007-12-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Three-dimensional periodic structure and method for producing the same |
| WO2005022221A1 (ja) * | 2003-08-29 | 2005-03-10 | Japan Science And Technology Agency | 電磁波周波数フィルタ |
| US7321707B2 (en) | 2003-08-29 | 2008-01-22 | Japan Science And Technology Agency | Electromagnetic wave frequency filter |
| JP2007532958A (ja) * | 2004-04-16 | 2007-11-15 | ディ．ケイ． アンド イー．エル． マクフェイル エンタープライジーズ プロプライエタリー リミテッド | 空洞構造を備えた光学的活性基材 |
| JP2006047442A (ja) * | 2004-08-02 | 2006-02-16 | Yokohama National Univ | 光学素子、光学素子への光の入射方法、及び、スーパープリズム |
| JP4535373B2 (ja) * | 2004-08-02 | 2010-09-01 | 国立大学法人横浜国立大学 | 光学素子、光学素子への光の入射方法、及び、スーパープリズム |
| JP2007017494A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Sharp Corp | フォトニック結晶導波路 |
| JP2008040230A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Kyoto Institute Of Technology | フォトニック結晶導波路 |
| JP2009231578A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Yokohama National Univ | 半導体レーザ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE60118475D1 (de) | 2006-05-18 |
| JP3923244B2 (ja) | 2007-05-30 |
| EP1184690B1 (en) | 2006-04-05 |
| US20020041425A1 (en) | 2002-04-11 |
| EP1184690A3 (en) | 2004-05-12 |
| US6522448B2 (en) | 2003-02-18 |
| DE60118475T2 (de) | 2006-11-16 |
| EP1184690A2 (en) | 2002-03-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2002071981A (ja) | 光素子 | |
| JP4936313B2 (ja) | 光変調素子 | |
| US7292739B2 (en) | Optical modulator | |
| JP4878210B2 (ja) | 光導波路構造 | |
| JP2007052328A (ja) | 複合光導波路 | |
| US7167607B2 (en) | Symmetric optical modulator with low driving voltage | |
| JP4971045B2 (ja) | 光制御素子 | |
| CN112255724A (zh) | 基于铌酸锂的波导阵列及其制造方法 | |
| JP3200629B2 (ja) | フォトニックバンドギャップ構造を用いた光変調器及び光変調方法 | |
| US20050196092A1 (en) | Optical modulator and communications system | |
| CN113419304B (zh) | 一种光通讯波段波分复用硅基能谷光子晶体结构 | |
| CN113376738B (zh) | 一种实现光波单向传输的漏斗形光子晶体波导结构 | |
| US20050047742A1 (en) | Two-dimensional photonic crystal slab, two-dimensional photonic crystal waveguide, and optical device | |
| JP4128382B2 (ja) | 光偏向素子 | |
| JP3867848B2 (ja) | 光導波路 | |
| JP2001091701A (ja) | 格子変調フォトニック結晶 | |
| JP2005250398A (ja) | フォトニック結晶光導波路およびこれを利用した光回路 | |
| JP4707614B2 (ja) | 平面導波路素子 | |
| CN110133800A (zh) | 可实现宽频带单向高透射的波导型光子晶体异质结构 | |
| JPH1078521A (ja) | 半導体偏波回転素子 | |
| CN114019605B (zh) | 一种基于soi的对角刻蚀亚波长光栅型片上偏振旋转器 | |
| JPH10111423A (ja) | 半導体偏波回転素子 | |
| JP6685548B2 (ja) | スポットサイズ変換器 | |
| JP4535373B2 (ja) | 光学素子、光学素子への光の入射方法、及び、スーパープリズム | |
| JP3016387B2 (ja) | 光波長フィルタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050916 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050916 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061130 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070109 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070125 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070220 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070221 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100302 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110302 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110302 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120302 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120302 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130302 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130302 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140302 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |