JP2009231578A - 半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】二次元フォトニック結晶による半導体レーザにおいて、二次元フォトニック結晶を構成する格子を矩形領域に円孔を配列させて形成し、この格子形成において矩形領域の外周部分である端部の構成を異ならせることで、出射ビームのビーム形状を単峰性ビームとする。単に矩形領域の外周部分である端部にのみにおいて構成を異ならせることによって出射ビームのビーム形状を単峰性ビームとすることができ、また、格子配列は容易な円孔によって形成することができ、従来の構成のように作製が困難である三角形状や微小孔等の高い精度を要する加工を不要とすることができる。
【選択図】図1
Description
11 基板
12 孔
13 アンダークラッド層
14 クラッド層
20 半導体レーザ
21 基板
22 孔
23 活性層
30 矩形領域
31 内面部
31 面内部
32 端部
32a 端部
32b 端部
32c 端部
32d 端部
A 格子構造
B 格子構造
C 反射防止膜
a 間隔
r 径
Claims (8)
- 活性層、もしくは当該活性層の上方あるいは下方に形成した積層に形成された二次元フォトニック結晶を有する半導体レーザにおいて、
前記二次元フォトニック結晶は、概ね一様な周期構造を有する内面部と当該内面部の周囲を囲む4辺の端部とからなる矩形領域を有し、
前記矩形領域は、2組の互いに対向する2辺の端部において、対向する2辺の端部のいずれか一方の端部の構造は前記内面部の周期構造と異なる構造を有することを特徴とする半導体レーザ。 - 活性層もしくは当該活性層の上方あるいは下方に形成した積層に形成された二次元フォトニック結晶を有する半導体レーザにおいて、
前記二次元フォトニック結晶は、概ね一様な周期構造を有する内面部と当該内面部の周囲を囲む4辺の端部とからなる矩形領域を有し、
前記矩形領域は、2組の互いに対向する2辺の端部において、対向する2辺の端部は互いに異なる構造を有する非対称な構造であることを特徴とする半導体レーザ。 - 前記二次元フォトニック結晶は、
媒質層と、当該媒質層と屈折率を異にし、前記媒質層内の面方向に配列される複数の媒質部とを備え、
前記構造を異にする端部は、前記媒質層の膜厚、前記媒質層の屈折率、前記媒質部の格子定数、前記媒質部の大きさ、前記媒質部の形状の少なくとも何れか一つの構造パラメータが異なることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体レーザ。 - 前記媒質部は前記媒質層の膜厚方向に形成された孔から成り、
前記媒質部の格子定数は前記孔の配置間隔であり、前記媒質部の大きさは前記孔の径であり、前記媒質部の形状は前記孔の形状であることを特徴とする請求項3に記載の半導体レーザ。 - 前記二次元フォトニック結晶は、
前記構造を異にする端部は、反射防止膜を備えることを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。 - 前記二次元フォトニック結晶は、
媒質層と、当該媒質層と屈折率を異にし、前記媒質層内の面方向に配列される複数の媒質部とを備え、
前記構造を異にする端部は、前記媒質層の膜厚、前記媒質層の屈折率、前記媒質部の格子定数、前記媒質部の大きさ、前記媒質部の形状の少なくとも何れか一つの構造パラメータが異なる端部、および反射防止膜を備える端部を備えことを特徴とする請求項1に記載の半導体レーザ。 - 前記反射防止膜は、二次元フォトニック結晶の端部の側面、二次元フォトニック結晶の端部の上下面の何れか一方の面、二次元フォトニック結晶の端部の上面および下面、二次元フォトニック結晶の端部の側面および上下面の何れか一方の面、二次元フォトニック結晶の端部の側面および上下面の内の何れか面に形成することを特徴とする請求項5又は6に記載の半導体レーザ。
- 前記反射防止膜は、フッ化マグネシウムを蒸着させた薄膜からなるARコートであることを特徴とする請求項5から7のいずれか一つに記載の半導体レーザ。
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