JP5077850B2 - 2次元フォトニック結晶レーザ - Google Patents

2次元フォトニック結晶レーザ Download PDF

Info

Publication number
JP5077850B2
JP5077850B2 JP2008220386A JP2008220386A JP5077850B2 JP 5077850 B2 JP5077850 B2 JP 5077850B2 JP 2008220386 A JP2008220386 A JP 2008220386A JP 2008220386 A JP2008220386 A JP 2008220386A JP 5077850 B2 JP5077850 B2 JP 5077850B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photonic crystal
dimensional photonic
refractive index
different refractive
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008220386A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010056338A (ja
Inventor
進 野田
清太 岩橋
恭輔 酒井
剛孝 黒坂
英次 宮井
大 大西
渡 國師
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm Co Ltd
Kyoto University
Original Assignee
Rohm Co Ltd
Kyoto University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm Co Ltd, Kyoto University filed Critical Rohm Co Ltd
Priority to JP2008220386A priority Critical patent/JP5077850B2/ja
Publication of JP2010056338A publication Critical patent/JP2010056338A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5077850B2 publication Critical patent/JP5077850B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、活性層に対して垂直な方向にレーザ光を放射する2次元フォトニック結晶レーザに関する。
近年、フォトニック結晶を用いた新しいタイプのレーザが開発されている。フォトニック結晶とは、誘電体から成る母材に周期構造を人工的に形成したものである。周期構造は一般に、母材とは屈折率が異なる領域(異屈折率領域)を母材内に周期的に設けることにより形成される。この周期構造により、結晶内でブラッグ回折が生じ、また、光のエネルギーにエネルギーバンドギャップが現れる。フォトニック結晶レーザには、バンドギャップ効果を利用して点欠陥を共振器として用いるものと、光の群速度が0となるバンド端の定在波を利用するものがあるが、いずれも所定の波長の光を増幅してレーザ発振を得るものである。
特許文献1には、発光材料を含む活性層の近傍に2次元フォトニック結晶を形成した2次元フォトニック結晶レーザが記載されている。この2次元フォトニック結晶には、板状の部材(母材)内に円柱状の空孔(異屈折率領域)が周期的(三角格子状、正方格子状、六角格子状等)に設けられ、屈折率の分布が2次元的な周期性を持っている。この周期を、電極からのキャリアの注入により活性層で生成される光の媒質内波長に一致させておくことにより、2次元フォトニック結晶の内部に2次元定在波が形成され、それにより光が強められる。このように強められた光は異屈折率領域により活性層や2次元フォトニック結晶に垂直な方向に回折(以下、「垂直回折」とする)され、それによりレーザ光として2次元フォトニック結晶レーザの外部に取り出される。
特開2000-332351号公報([0037]〜[0056],図1)
従来、2次元フォトニック結晶レーザでは、2次元フォトニック結晶の厚みは十分小さいものとして、その影響が無視されていた。しかし、本願発明者は、2次元フォトニック結晶の厚みがレーザ光の強度に対して無視することができない影響を及ぼすことを見出した。
例えば、図1(a)の斜視図及び(b)の縦断面図に示すように、板状部材91内に異屈折率領域92が周期aで正方格子状に配置された、厚みdの2次元フォトニック結晶90を用いた場合を考える。この2次元フォトニック結晶90内では、活性層から発せられた波長aの光について2次元定在波が形成され、前述のように垂直回折が生じることにより、レーザ光が外部に放射される。垂直回折は厚み方向の任意の位置で生じるため、本来であれば厚みが大きくなるほど、外部に放射されるレーザ光の強度は強くなるはずである。しかし、外部に放射されるレーザ光の強度を計算したところ、図2に示すように、厚みdがおおむねa/2〜aの範囲内において、厚みdが大きくなるほどレーザ光の放射強度が小さくなることが明らかになった。これは、2次元フォトニック結晶90に平行な方向に伝播する光のうち、異屈折率領域92において厚み方向の位置z1で垂直回折される光Lと位置z2で垂直回折される光Lの間に光路差(z2-z1)による位相差が生じ、そのような光が多数重ね合わされることにより、厚みdがおおむねa/2〜aの範囲内において干渉による弱め合いが生じることによる。例えば、位置z1と位置z2がa/2異なると、光Lと光Lは光路差がa/2となるため干渉により打ち消し合う。
そのため、外部に放射されるレーザ光の強度をより高めるためには、単に2次元フォトニック結晶90の厚みを大きくするだけではなく、レーザ光の干渉の影響を考慮した構成を検討する必要がある。また、レーザ光の干渉を用いて、レーザ光の強度を高めるだけではなく、必要な強度が得られるように調整することも考えられる。
本発明が解決しようとする課題は、レーザ光の強度を高めることや必要な強度が得られるように調整することができる2次元フォトニック結晶レーザを提供することである。
上記課題を解決するために成された本発明に係る2次元フォトニック結晶レーザは、
a) 電流が注入されることにより所定の波長域の光を発光する活性層と、
b) 前記活性層の一方の側に設けられ、第1の板状部材内に該第1板状部材とは屈折率が異なる第1異屈折率領域が所定の周期で配置されており、前記所定波長域内の所定の波長の光に共振する第1の2次元フォトニック結晶層と、
c) 第1の2次元フォトニック結晶層の前記活性層とは反対側に設けられ、第2の板状部材内に該第2板状部材とは屈折率が異なる第2異屈折率領域が前記所定周期で且つ前記第1異屈折率領域とは各層に平行な方向にずれた位置に配置されており、前記所定波長の光に共振する第2の2次元フォトニック結晶層と、
を備えることを特徴とする。
本発明に係る2次元フォトニック結晶レーザでは、活性層で発光した前記所定波長の光が第1の2次元フォトニック結晶層と第2の2次元フォトニック結晶層において増幅され、垂直回折されることによりレーザ光として外部に取り出される。その際、第1の2次元フォトニック結晶層において垂直回折される光と第2異屈折率領域において垂直回折される光が干渉する。ここで、第1の2次元フォトニック結晶層と第2の2次元フォトニック結晶層に平行方向のずれ及び厚み方向の位置の違い(ずれ)が存在することにより、第1の2次元フォトニック結晶層において垂直回折される光と第2の2次元フォトニック結晶層において垂直回折される光の光路差が異なることから、これらのずれの大きさによりレーザ光の強度を調整することができる。
例えば、前記第1異屈折率領域及び前記第2異屈折率領域が、x方向及び該x方向に垂直なy方向に間隔aで並んだ正方格子状の周期構造を有する場合には、前記第2異屈折率領域の位置を前記第1異屈折率領域の位置からx方向にδ、y方向にδずらし、前記第1異屈折率領域の活性層側底面と前記第2異屈折率領域の活性層側底面の距離tと前記δの和(t+δ)を0.75a〜1.25aとすることが考えられる。この場合、第1異屈折率領域の活性層側底面からの高さがαである位置で垂直回折される光と、第2異屈折率領域の活性層側底面からの高さがαである位置で垂直回折される光は、光路差が(t+δ)、即ち0.75a〜1.25aとなるため、干渉により強められる。これにより、レーザ光の強度を強くすることができる。特に、光路差(t+δ)がaの時、干渉による強め合いが最も大きくなる。
前述のように、異屈折率領域の厚みがa/2を超えると、同じ異屈折率領域において垂直回折された2つの光は干渉により弱め合う。そのため、前記第1異屈折率領域の厚み及び前記第2異屈折率領域の厚みのいずれか一方又は両方(望ましくは両方)を共に0.5a以下にすることが望ましい。これにより、同じ異屈折率領域で干渉による弱め合いが生じることを防ぎ、第1異屈折率領域における垂直回折光と第2異屈折率領域における垂直回折光を効率よく干渉させることができる。
本発明に係る2次元フォトニック結晶レーザでは、互いに平行方向にずれた第1の2次元フォトニック結晶層と第2の2次元フォトニック結晶層を備え、第1の2次元フォトニック結晶層と第2の2次元フォトニック結晶層の平行方向及び厚み方向のずれが存在するため、第1の2次元フォトニック結晶層から垂直回折される光と第2の2次元フォトニック結晶層から垂直回折される光の干渉、即ちレーザ光の強度を上記ずれの大きさにより制御することができる。特に、第1の2次元フォトニック結晶層において垂直回折される光と第2の2次元フォトニック結晶層において垂直回折される光が干渉により強められるように上記ずれの大きさを設定することにより、レーザ光の強度を高めることができる。
図3〜図7を用いて、本発明に係る2次元フォトニック結晶レーザの実施例を説明する。
図3に、本実施例の2次元フォトニック結晶レーザ10の縦断面図を示す。2次元フォトニック結晶レーザ10は、活性層11と、活性層11の上側に第1スペーサ層131を介して設けられた第1の2次元フォトニック結晶層121と、第1の2次元フォトニック結晶層121の上側に設けられた第2の2次元フォトニック結晶層122を有する。第2の2次元フォトニック結晶層122の上側には第1クラッド層141、第1基板151及び第1電極161がこの順に設けられている。活性層11の下側には第2スペーサ層132、第2クラッド層142、第2基板152及び第2電極162がこの順に設けられている。
本実施例では、活性層11には、インジウム・ガリウム砒素/ガリウム砒素(InGaAs/GaAs)から成る多重量子井戸(Multiple-Quantum Well; MQW)を有するものを用いた。第1スペーサ層131にはp型GaAsを、第2スペーサ層132にはn型GaAsを、第1クラッド層141にはp型AlGaAsを、第2クラッド層142にはn型AlGaAsを、第1基板151にはp型GaAsを、第2基板152にはn型GaAsを、それぞれ用いた。第1の2次元フォトニック結晶層121及び第2の2次元フォトニック結晶層122の材料については後述する。なお、これら各層の材料は上記のものには限定されず、従来の2次元フォトニック結晶レーザで用いられている各層の材料を用いることができる。
第1の2次元フォトニック結晶層121は、図4に示すように、第1板状部材121A内に円形の第1空孔(異屈折率領域)121Bをx方向に周期a、y方向に周期aの正方格子状に配置したものである。本実施例では第1板状部材121Aの材料はp型GaAsである。第2の2次元フォトニック結晶層122は、厚みを除いて、第1の2次元フォトニック結晶層121と同じ構造を有する。即ち、第2の2次元フォトニック結晶層122は第1板状部材121Aと同じ材料から成る第2板状部材122A内に、第1空孔121Bと同じ形状及び大きさの第2空孔122Bを周期aの正方格子状に配置したものである(図4)。第1の2次元フォトニック結晶層121は厚みd1を、第2の2次元フォトニック結晶層122は厚みd2を、それぞれ有する。本実施例では第1の2次元フォトニック結晶層121の厚みd1は0.5a(=t)とした。
図5に、第1の2次元フォトニック結晶層121の上面図と第2の2次元フォトニック結晶層122の上面図を重ねて示す。第1空孔121B(図中の実線)と第2空孔122B(破線)は、x方向にδ、y方向にδだけずれて配置されている。本実施例ではδ=0.5aとした。従って、本実施例では(t+δ)=aである。なお、他の層と同様に、板状部材の材料並びに異屈折率領域(本実施例では空孔)の材料、形状及び大きさは上記のものには限定されず、従来の2次元フォトニック結晶レーザで用いられているものを用いることができる。
本実施例の2次元フォトニック結晶レーザ10の動作を説明する。第1電極161と第2電極162の間に電圧を印加すると、活性層11に電子と正孔が供給され、それら電子と正孔が再結合することにより、所定の波長域の発光が生じる。その光は、第1の2次元フォトニック結晶層121及び第2の2次元フォトニック結晶層122に導入され、各2次元フォトニック結晶層内において空孔により反射されつつ伝播する。その際、前記波長域のうち2次元フォトニック結晶層の媒質内での波長がaである光は、x方向及びy方向の空孔の周期が波長と同じaであることにより反射波どうしの位相が一致するため、これら2方向に定在波が形成され、干渉により増幅される(フィードバック効果)。その結果、媒質内波長aのレーザ光が生成される。レーザ光は空孔(第1空孔121B、第2空孔122B)により垂直回折され、その方向に向かって、レーザ光が2次元フォトニック結晶レーザ10の外部に放出される。
図6を用いて、第1空孔121Bで垂直回折される光と第2空孔122Bで垂直回折される光の干渉について説明する。図6は、y方向に垂直な面における第1の2次元フォトニック結晶層121及び第2の2次元フォトニック結晶層122の縦断面図である。図6では、第1の2次元フォトニック結晶層121については第1空孔121Bの円の中心を通る断面(この断面でのyの値をy0とする)を示し、第2の2次元フォトニック結晶層122については第2空孔122Bの円の中心を通るy=y0+0.5aの断面を示している。第1空孔121Bの活性層側底面121Cからz方向にz0離れた位置で回折される第1垂直回折光Lと、第2空孔122Bの活性層側底面122Cからz方向にz0離れた位置で回折される第2垂直回折光Lの間には、第1空孔121Bと第2空孔122Bの間でのx方向のずれδ=0.5aと、第1空孔121Bの活性層側底面121Cと第2空孔122Bの活性層側底面122Cの距離t=0.5a(本実施例では第1の2次元フォトニック結晶層121の厚みと同じ)の和(t+δ)=aで表される位相差が生じる。この位相差により、第1垂直回折光Lと第2垂直回折光Lは干渉して強め合う。同様の強め合いの干渉は0≦z≦d2(t≧d2の場合)又は0≦z≦t(t≦d2の場合)の範囲内で生じる。また、ここまではy方向に垂直な面において説明したが、結晶構造の対称性により、x方向に垂直な面においても同様の強め合いが生じる。これら干渉による強め合いが生じることにより、2次元フォトニック結晶が1層のみである場合よりも2次元フォトニック結晶レーザ10の外部に放出されるレーザ光の強度を高めることができる。
また、本実施例では第1の2次元フォトニック結晶層121の厚みd1を0.5aとしたことにより、従来の2次元フォトニック結晶レーザにおいて生じていたように第1空孔121Bで回折される光同士が干渉により弱められることを抑えることができる。
図7に、本実施例の2次元フォトニック結晶レーザ10における放射強度を計算した結果を示す。図7には、比較例として、厚みを除いて第1の2次元フォトニック結晶層121と同じ構造を有する2次元フォトニック結晶を1層のみ用いた従来の2次元フォトニック結晶レーザにおける放射強度を併せて示した。ここで横軸は、比較例の2次元フォトニック結晶レーザについては1層のみ存在する2次元フォトニック結晶の厚みdとし、本実施例の2次元フォトニック結晶レーザ10については第1の2次元フォトニック結晶層121の厚みd1と第2の2次元フォトニック結晶層121の厚みd2の和dtotalとした。従って、本実施例と比較例では、2次元フォトニック結晶全体の厚みをグラフの横軸で揃えて比較することができる。図7に示されたように、本実施例の方が比較例よりも放射強度が大きくなる。本実施例ではdtotal=a、即ち厚みd1とd2の双方が0.5aの時に放射強度が最大となる。
本発明は上記実施例には限定されない。
例えば、上記実施例では(t+δ)=aの場合について説明したが、(t+δ)が0.75a〜1.25aの範囲内では、上記実施例と同様に第1垂直回折光Lと第2垂直回折光Lが干渉により強め合うため、2次元フォトニック結晶が1層のみである場合よりもレーザ光の強度を高めることができる。
上記実施例では第1板状部材121Aの材料と第2板状部材122Aの材料には同じものを用いたが、両者の材料が異なっている場合であっても、第1空孔121Bと第2空孔122Bの大きさを調整することで第1の2次元フォトニック結晶層121と第2の2次元フォトニック結晶層122の平均屈折率を等しくすれば、第1の2次元フォトニック結晶層121と第2の2次元フォトニック結晶層122で増幅される光の波長を等しくすることができ、上述のような干渉を生じさせることができる。
上記実施例では空孔を正方格子状に配置した例を示したが、三角格子状その他の配置を採った場合にも本実施例と同様の干渉を生じさせることができる。
上記実施例では2次元フォトニック結晶層を2層用いたが、2次元フォトニック結晶層を3層以上用いた場合にも、それら複数の2次元フォトニック結晶層においてそれぞれ垂直回折される光を干渉させ、それによりレーザ光の強度を調整することができる。また、上記実施例では第1の2次元フォトニック結晶層121の上に直接、第2の2次元フォトニック結晶層122を設けたが、両者の間に他の層(中間層)を挟んでもよい。この場合、距離tは第1の2次元フォトニック結晶層121の厚みと中間層の厚みの和になる。
2次元フォトニック結晶レーザにおいて2次元フォトニック結晶の厚みが出射強度に及ぼす影響を説明するための概略図。 従来の2次元フォトニック結晶レーザにおける2次元フォトニック結晶の厚みとレーザ光の放射強度(計算値)の関係を示すグラフ。 本発明の一実施例である2次元フォトニック結晶レーザ10の縦断面図。 2次元フォトニック結晶レーザ10で用いられる第1の2次元フォトニック結晶層121及び第2の2次元フォトニック結晶層122を示す斜視図。 第1の2次元フォトニック結晶層121及び第2の2次元フォトニック結晶層122の位置関係を示す上面図。 第1空孔121Bで垂直回折される光と第2空孔122Bで垂直回折される光の干渉について説明するための縦断面図。 本実施例の2次元フォトニック結晶レーザ10及び比較例における2次元フォトニック結晶の厚みとレーザ光の放射強度(計算値)の関係を示すグラフ。
符号の説明
10…2次元フォトニック結晶レーザ
11…活性層
121…第1の2次元フォトニック結晶層
121A…第1板状部材
121B…第1空孔
121C…第1空孔121Bの活性層側底面
122…第2の2次元フォトニック結晶層
122A…第2板状部材
122B…第2空孔
122C…第2空孔12BBの活性層側底面
131…第1スペーサ層
132…第2スペーサ層
141…第1クラッド層
142…第2クラッド層
151…第1基板
152…第2基板
161…第1電極
162…第2電極
90…2次元フォトニック結晶
91…板状部材
92…異屈折率領域

Claims (5)

  1. a) 電流が注入されることにより所定の波長域の光を発光する活性層と、
    b) 前記活性層の一方の側に設けられ、第1の板状部材内に該第1板状部材とは屈折率が異なる第1異屈折率領域が所定の周期で配置されており、前記所定波長域内の所定の波長の光に共振する第1の2次元フォトニック結晶層と、
    c) 第1の2次元フォトニック結晶層の前記活性層とは反対側に設けられ、第2の板状部材内に該第2板状部材とは屈折率が異なる第2異屈折率領域が前記所定周期で且つ前記第1異屈折率領域とは各層に平行な方向にずれた位置に配置されており、前記所定波長の光に共振する第2の2次元フォトニック結晶層と、
    を備えることを特徴とする2次元フォトニック結晶レーザ。
  2. 前記第1異屈折率領域及び前記第2異屈折率領域が、x方向及び該x方向に垂直なy方向に間隔aで並んだ正方格子状の周期構造を有し、
    前記第2異屈折率領域の位置が前記第1異屈折率領域の位置からx方向にδ(δ≦0.5a)、y方向にδずれており、
    前記第1異屈折率領域の活性層側底面と前記第2異屈折率領域の活性層側底面の距離tと前記δの和(t+δ)が0.75a〜1.25aである、
    ことを特徴とする請求項1に記載の2次元フォトニック結晶レーザ。
  3. 前記(t+δ)がaであることを特徴とする請求項2に記載の2次元フォトニック結晶レーザ。
  4. 前記δがa/2であることを特徴とする請求項2又は3に記載の2次元フォトニック結晶レーザ。
  5. 前記第1異屈折率領域の厚み及び前記第2異屈折率領域の厚みのいずれか一方又は両方が0.5a以下であることを特徴とする請求項2〜4のいずれかに記載の2次元フォトニック結晶レーザ。
JP2008220386A 2008-08-28 2008-08-28 2次元フォトニック結晶レーザ Active JP5077850B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008220386A JP5077850B2 (ja) 2008-08-28 2008-08-28 2次元フォトニック結晶レーザ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008220386A JP5077850B2 (ja) 2008-08-28 2008-08-28 2次元フォトニック結晶レーザ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010056338A JP2010056338A (ja) 2010-03-11
JP5077850B2 true JP5077850B2 (ja) 2012-11-21

Family

ID=42071936

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008220386A Active JP5077850B2 (ja) 2008-08-28 2008-08-28 2次元フォトニック結晶レーザ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5077850B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106471687A (zh) * 2014-02-28 2017-03-01 国立研究开发法人科学技术振兴机构 热辐射光源以及在该光源中使用的二维光子晶体

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5704901B2 (ja) * 2010-11-17 2015-04-22 キヤノン株式会社 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP5721422B2 (ja) * 2010-12-20 2015-05-20 キヤノン株式会社 面発光レーザ及びアレイ光源
JP6083703B2 (ja) * 2012-02-28 2017-02-22 国立大学法人京都大学 2次元フォトニック結晶面発光レーザ

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3983933B2 (ja) * 1999-05-21 2007-09-26 進 野田 半導体レーザ、および半導体レーザの製造方法
JP2007234824A (ja) * 2006-02-28 2007-09-13 Canon Inc 垂直共振器型面発光レーザ

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106471687A (zh) * 2014-02-28 2017-03-01 国立研究开发法人科学技术振兴机构 热辐射光源以及在该光源中使用的二维光子晶体
CN106471687B (zh) * 2014-02-28 2019-02-19 国立研究开发法人科学技术振兴机构 热辐射光源以及在该光源中使用的二维光子晶体

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010056338A (ja) 2010-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4927411B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ
JP4027392B2 (ja) 垂直共振器型面発光レーザ装置
JP4709259B2 (ja) 面発光レーザ
US7796668B2 (en) Vertical cavity surface emitting laser
US7733936B2 (en) Surface emitting laser
JP5118544B2 (ja) 面発光レーザ素子
US7697588B2 (en) Structure having photonic crystal and surface-emitting laser using the same
JP5177285B2 (ja) 光素子及びその製造方法
JP4793820B2 (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザ光源
JPWO2003067724A1 (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
JP5182362B2 (ja) 光素子及びその製造方法
JP5147041B2 (ja) フォトニック結晶光素子
KR20090015920A (ko) 회절에 의한 도파용 포토닉 결정미러를 가진 면발광 레이저
JP5077850B2 (ja) 2次元フォトニック結晶レーザ
US7949020B2 (en) Semiconductor laser and optical integrated semiconductor device
KR100860696B1 (ko) 수직 공진형 표면 방출 레이저
US6421363B1 (en) Semiconductor lasers and amplifiers with grating-induced anisotropic waveguide
US6885686B2 (en) High coherent power, two-dimensional surface-emitting semiconductor diode array laser
JP2008098379A (ja) 2次元フォトニック結晶面発光レーザおよびその製造方法
JP2004253811A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
JPH05145175A (ja) 半導体分布帰還形レーザ装置
JP6162465B2 (ja) 半導体レーザ装置
US7852897B2 (en) Semiconductor laser optical integrated semiconductor device
US20180233882A1 (en) Optoelectronic device with resonant suppression of high order optical modes and method of making same
JP2003218462A (ja) 分布帰還型半導体レーザ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110826

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110927

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20111021

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20111021

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120718

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120807

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120820

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150907

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5077850

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250