JP2002064050A - パターン描画装置における温度測定方法 - Google Patents

パターン描画装置における温度測定方法

Info

Publication number
JP2002064050A
JP2002064050A JP2000250848A JP2000250848A JP2002064050A JP 2002064050 A JP2002064050 A JP 2002064050A JP 2000250848 A JP2000250848 A JP 2000250848A JP 2000250848 A JP2000250848 A JP 2000250848A JP 2002064050 A JP2002064050 A JP 2002064050A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
chamber
stage
dummy substrate
writing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000250848A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4150493B2 (ja
Inventor
Ryoichi Hirano
亮一 平野
Hidesuke Yoshitake
秀介 吉武
Toru Tojo
徹 東條
Shuichiro Fukutome
周一郎 福留
Teruaki Yamamoto
照亮 山本
Masaki Chokai
正樹 鳥海
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Shibaura Machine Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Machine Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Machine Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2000250848A priority Critical patent/JP4150493B2/ja
Priority to US09/933,719 priority patent/US6676289B2/en
Publication of JP2002064050A publication Critical patent/JP2002064050A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4150493B2 publication Critical patent/JP4150493B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/42—Circuits effecting compensation of thermal inertia; Circuits for predicting the stationary value of a temperature

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 搬送途中の基板温度及び描画中の基板温度を
正確に測定し、高精度なパターンを形成できる微細描画
装置における温度測定方法を提供することを目的とす
る。 【解決手段】 温度測定手段３と、この温度測定手段３
によって測定された温度を記録する記録手段４とを具備
するダミー基板１を、描画装置に接続された恒温装置内
に搬送し、次に前記描画チャンバー１０内に搬送し、次
に前記描画チャンバー１０内のステージ１５上に設置す
ることによって、前記恒温装置、前記ステージ１５上の
搬送経路における前記ダミー基板１の温度履歴を前記記
録手段に記録することによって測定するパターン描画装
置における温度測定方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パターン描画製造
装置における温度測定方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年ＬＳＩの高集積化及び大容量化に伴
い、半導体装置に要求される回路線幅はますます微細化
されてきている。これらの半導体装置は、従来、所望の
回路パターンを形成するのに数十種類の原画パターン
（レチクル或いはマスクと呼ばれる）を、半導体ウエハ
上の露光領域に高精度に位置合わせして、転写すること
によって作成している。この半導体ウエハが光学系に対
しステップ＆リピートするためにこの転写装置はステッ
パと呼ばれている。
【０００３】このような半導体プロセスにおいて、原画
パターンの形成方法は、片面にＣｒを蒸着したガラス基
板上に、レジストが均一に塗布された基板を用い、この
基板上に電子ビームを照射して、パターン設計データに
したがってビームスポットを走査する。そして現像する
ことによって電子ビームが照射された部分のレジストを
マスクとして、下層のＣｒをエッチングし前記レジスト
を除去することによって所望のパターンを形成する。
【０００４】このようなガラス基板上にパターンを描画
する場合、描画中にガラス基板の温度が変化するとガラ
ス基板の膨張や収縮が生じる。描画の際、ガラス基板は
レーザ干渉計により精密に制御された描画ステージ上に
固定されており、ガラス基板上のどこにパターンを描画
するかは、レーザ干渉計の測定値に基づき制御される。
したがって描画中にガラス基板が膨張や収縮するとパタ
ーンの位置誤差が生じる。例えば、合成石英からなるガ
ラス基板の線膨張係数αはα＝０．４×１０− ６である
ので、描画中のガラス基板温度が１℃変化すると、ガラ
ス基板上で１３０ｍｍ隔てた２点間の距離は１３０ｍｍ
×α＝５２ｎｍ変化し、パターン位置の誤差としては大
きい値となる。このことはステージ上にガラス基板を搬
送する前の温度が低い場合、描画中における温度変化が
大きくなり前記パターン位置の誤差はより顕著となる。
【０００５】上記問題を回避するために、ガラス基板を
搬送する経路は、温度制御された恒温水を近傍に通過さ
せることにより温度の安定化を図っている。また温度制
御のために、基板搬送経路内の各主要部に温度計を設置
し、恒温化しているかどうかモニタする必要がある。
【０００６】しかしながら、温度計は絶対温度に対し、
かならずある量の測定値ずれ（ＪＩＳ１級で絶対値±
０．１５℃）を持つため、搬送経路を一様の温度に設定
するためには、各温度計の個体差を較正する必要があっ
た。しかし、温度較正を行うためには温度の絶対基準を
用意して数十個ある温度計を全て合わせこむ必要があ
り、調整に多大な労力を要する。
【０００７】また、温度計は基板の搬送を妨ない位置や
描画中は基板から離れたステージ上或いはチャンバー内
に設置しなければならず、実際の基板そのものの温度を
正確に測定することができないという問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
鑑みてなされたもので、搬送途中の基板温度及び描画中
の基板温度を正確に測定し、高精度なパターンを形成で
きる微細描画装置における温度測定方法を提供すること
を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、描画チャンバーと、前記描画チャンバー
内に設置されたステージと、前記描画チャンバーと接続
された待機用チャンバーと、前記待機用チャンバー内に
設置された恒温装置とを具備するパターン描画装置にお
ける温度測定方法において、温度測定手段と、前記温度
測定手段によって測定された温度を記録する記録手段と
を具備するダミー基板を、前記恒温装置に搬送し、次に
前記描画チャンバー内に搬送し、次に前記ステージ上に
設置することによって、前記恒温装置、前記ステージ上
の搬送経路における前記ダミー基板の温度履歴を前記記
録手段に記録することを特徴とするパターン描画装置に
おける温度測定方法を提供する。
【００１０】また、本発明は、描画チャンバーと、前記
描画チャンバー内に設置されたステージと、前記描画チ
ャンバーと接続された待機用チャンバーと、前記待機用
チャンバー内に設置された恒温装置とを具備するパター
ン描画装置における温度測定方法において、温度測定手
段と、前記温度測定手段によって測定された温度を電磁
波に変換し出力する発信手段とを具備するダミー基板
を、前記高温装置に搬送し、次に前記描画チャンバー内
に搬送し、次に前記ステージ上に設置することによっ
て、前記恒温装置、前記ステージ上の搬送経路における
前記ダミー基板の温度履歴を前記発信手段から前記チャ
ンバー外部で受信することによって測定することを特徴
とするパターン描画装置における温度測定方法を提供す
る。
【００１１】また、本発明は、描画チャンバーと、前記
描画チャンバー内に設置されたステージと、前記描画チ
ャンバーと接続された待機用チャンバーと、前記待機用
チャンバー内に設置された恒温装置とを具備するパター
ン描画装置における温度測定方法において、温度測定手
段と、前記温度測定手段に接続された端子とを具備する
ダミー基板を、前記恒温装置に搬送し、次に前記描画チ
ャンバー内に搬送し、次に前記ステージ上に設置するこ
とによって、前記恒温装置、前記ステージ上の搬送経路
における前記ダミー基板の温度を前記搬送経路内に設け
られた接続手段と前記ダミー基板の前記端子とを接続す
ることによって測定することを特徴とするパターン描画
装置における温度測定方法を提供する。
【００１２】前記搬送経路内の少なくとも１箇所に前記
ダミー基板を滞留し、当該場所の温度を測定する工程
と、前記搬送経路内の温度分布を計算する演算工程と、
前記計算結果に基づき搬送経路内の温度を最適な値に制
御する制御工程とを具備することが好ましい。
【００１３】また、前記搬送経路内の少なくとも１箇所
に前記ダミー基板を滞留し、当該場所の温度を測定する
工程と、前記搬送経路内の温度分布を計算する演算工程
と、前記計算結果に基づき前記描画装置にパターン描画
データの補正値を与える制御工程と具備することが好ま
しい。
【００１４】また、本発明は、描画チャンバーと、前記
描画チャンバー内に設置されたステージと、前記描画チ
ャンバーと接続された待機用チャンバーと、前記待機用
チャンバー内に設置された恒温装置とを具備するパター
ン描画装置における温度測定方法において、温度測定手
段と、前記温度測定手段に接続された端子とを具備する
ダミー基板を、前記ステージ上に搬送し、前記ステージ
に設けられた接続手段と前記ダミー基板に設けられた前
記端子とを接続して前記ステージ上に設置された前記ダ
ミー基板の温度を測定することを特徴とするパターン描
画装置における温度測定方法を提供する。
【００１５】本発明では、半導体素子パターンを露光す
る原画パターンを形成するためのマスク基板と、実質的
に同じ形状を持つダミー基板に温度計を設置し、実際の
マスク基板を搬送するのと同じ条件で、ダミー基板を描
画装置内に搬送し、描画装置内での温度履歴を測定する
ことを骨子とする。
【００１６】このようにすることによって実際のマスク
基板の温度変化を測定可能になり、ダミー基板の温度履
歴データに基づいて必要に応じて描画装置や恒温装置、
ロードロック装置等の温度制御を調整し、或いはパター
ン露光条件を調整することで、合わせずれのない高精度
パターンマスクを製造することが可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の好ま
しい実施形態について説明する。
【００１８】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１に係る高精度パターン描画装置における温度測定方法
に用いるダミー基板の上面から見た概略図である。
【００１９】符号１は、実際に作成するマスク基板とほ
ぼ同じ形状に加工されたガラス基板である。符号３は白
金抵抗体や熱電対等の温度計、符号４はマイクロコンピ
ュータを内蔵する半導体メモリ等の記憶手段を示す。温
度計３はガラス基板１の表面上に設置され、ガラス基板
１内部に埋め込まれている記憶手段４と電気的に接続さ
れている。また温度計４が白金抵抗体や熱電対の場合、
温度は電位差として測定されるので電圧計を介して記憶
手段に記憶されるようになっている。
【００２０】図２は、本発明に用いる高精度パターン描
画装置の上面から見た概略図である。
【００２１】描画装置の描画チャンバー１０内には、Ｘ
Ｙステージ１５が配置されている。この描画チャンバー
１０は、ゲートバルブ３２を介して、ロボット室３１と
接続されている。ロボット室３１は恒温装置が設置され
ている描画待機用チャンバー８及びロードロック３０と
接続されている。描画チャンバー１０には温度制御手段
１１が設置されステージ１５の温度制御をし、描画待機
用チャンバー８には温度制御手段１４が接続され描画待
機用チャンバー内に設置されている恒温装置の温度制御
を行う。
【００２２】次に、このように配置された高精度パター
ン描画装置に、図１に示した温度計３及び記録手段４を
具備するダミー基板１を搬入してその温度履歴を測定す
る場合について述べる。
【００２３】先ず、図１に示したダミー基板１を、ロー
ドロック３０内に配置し、真空引きしてロボット室３１
に接続する。このときロボット室３１、描画待機用チャ
ンバー８、描画チャンバー１０は予め排気されている。
【００２４】次に、ダミー基板１は、ロボット室３１内
にあるロボットアームによって描画待機用チャンバー８
内に設置されている恒温装置上に搬入される。この恒温
装置は、温度制御手段１４によって、描画チャンバー１
０内のステージ１５と同じ温度になるように温度制御手
段１１と同じ温度に設定されている。ダミー基板１は、
描画待機用チャンバー８内で一定時間待機し、一定温度
になるように恒温化される。
【００２５】次に、ダミー基板１は、図２中矢印３３に
示すように、ロボットアームによって描画待機用チャン
バー８内から搬出され、描画チャンバー１０内のステー
ジ上に搬入され設置される。このときゲートバルブ３２
は開閉される。
【００２６】図３は、このときのダミー基板１がステー
ジ１５上に設置された状態を示す断面図である。
【００２７】図３に示すように、ダミー基板１はステー
ジ１５上の基板保持手段２によって固定されている。図
中１２は電子ビームを照射するための鏡筒である。
【００２８】そして実際の描画パターンによって描画装
置を作動させる。描画終了後ダミー基板１は、ロボット
アームによって、描画チャンバー１０から搬出され、ロ
ードロック３０に搬出される。
【００２９】ダミー基板１は、これら一連の搬入過程及
び搬出過程における温度変化を、温度計３によって測定
し、この測定結果を記録手段４によって記録する。
【００３０】図４に、記録手段４に記録された温度計３
の時間変化を示す。
【００３１】図４は、描画待機チャンバー８内にＴ１時
間（Ｔ１＝２時間）保持後、ステージ１５上にＴ２時間
（Ｔ２＝２．５時間）保持して描画したときの温度変化
を示している。
【００３２】図４に示すように、描画待機用チャンバー
８内の温度ｔ１（ｔ１＝２２．３９℃）からステージ上
の温度ｔ２（ｔ２＝２３．０２℃）まで、徐々に温度が
上昇している様子が分かる。
【００３３】このようにダミー基板１をこの装置に搬入
する前には、ステージ１５の温度制御装置１１と、描画
待機用チャンバー８内における恒温装置の温度制御装置
１４の設定温度を同じ値にしていたが、それぞれの温度
センサーには誤差があり、実際にダミー基板１を搬入し
てみると、その経路においてダミー基板１自体が受ける
温度には差が生じていることが分かる。
【００３４】もし、ダミー基板１を予め搬入して予備温
度検査をせずにマスク基板を描画していれば、ステージ
１５上に設置してから描画が終了するまでに温度差によ
る膨張或いは収縮が起こり高精度パターンを描画するこ
とができない。
【００３５】本実施形態では図４の結果より、搬送経路
中における描画待機用チャンバー８内の恒温装置の設定
温度が低いと判断し、温度制御装置１４の設定温度をΔ
ｔ＝ｔ２（ステージ温度）−ｔ１（恒温装置温度）だけ
昇温した。
【００３６】また、このとき描画条件がゆるすならばス
テージ１５の温度制御装置１１の設定温度をΔｔ＝ｔ２
（ステージ温度）−ｔ１（恒温装置温度）だけ降温させ
ても良い。
【００３７】また、これらの温度調整を行った後に、温
度調整が正しく行われていることの確認或いは正しくな
ければ微調整のために、再度ダミー基板１を搬入して温
度履歴を検出することが好ましい。
【００３８】また、最終的に全ての装置内の温度が一定
となったことを確認後、ステージ１５の温度制御装置１
１と描画待機用チャンバー８内の恒温装置に接続された
温度制御装置１４の温度目盛りを合わせこむことによっ
て、それぞれの温度計の温度較正を行うこともできる。
【００３９】このように予めダミー基板によって基板温
度変化を測定し、温度補正することで、実際のマスク基
板を描画する際に、装置内の温度差からくる基板の膨張
・収縮を抑えることが可能となり、高精度パターンを形
成することが可能となる。
【００４０】（実施形態２）図５（ａ）は、本発明の実
施形態２に係る高精度パターン描画装置における温度測
定方法に用いるダミー基板の上面から見た概略図であ
り、図５（ｂ）はダミー基板からの温度データを外部で
受信し記録する装置の概略図である。
【００４１】符号１は、実際に作成するマスク基板とほ
ぼ同じ形状に加工されたガラス基板である。符号３は白
金抵抗体や熱電対等の温度計、符号５はマイクロコンピ
ュータを内蔵する発信手段を示めす。温度計３はガラス
基板１の表面上に設置され、ガラス基板１内部に埋め込
まれている発信手段４と電気的に接続されている。また
温度計４が白金抵抗体や熱電対の場合温度は電位差とし
て測定されるので電圧計を介して発信手段５に送られ電
磁波に変換される。
【００４２】また、外部装置は、発信手段５によって発
信された電磁波を受信手段６で受信し、記録手段４に記
録するように接続されている。
【００４３】本実施形態によるダミー基板１も実施形態
１と同様に用いることで、搬入経路における温度履歴を
測定することが可能となる。
【００４４】また、本実施形態では、ダミー基板１が受
ける温度履歴をリアルタイムで外部装置によってモニタ
できるので、ステージ１５の温度制御装置１１及び描画
待機用チャンバー８内における恒温装置の温度制御装置
１４の合わせこみもより一層高精度に行うことが可能と
なる。
【００４５】（実施形態３）図６は、本発明の実施形態
３に係る高精度パターン描画装置における温度測定方法
に用いるダミー基板の上面から見た概略図である。
【００４６】符号１は、実際に作成するマスク基板とほ
ぼ同じ形状に加工されたガラス基板である。符号３は白
金抵抗体や熱電対等の温度計、符号７は温度計３に接続
された出力端子を示す。温度計３及び出力端子７はガラ
ス基板１の表面上に設置されている。
【００４７】本実施形態では、図２に示す描画待機用チ
ャンバー８内の恒温装置に、ダミー基板１の出力端子７
と接続可能な端子を配置し、温度制御装置１４等の外部
装置からダミー基板１上の温度計の測定値をモニタでき
るようになっている。
【００４８】また、この場合先ず描画待機用チャンバー
８内の恒温装置の温度を測定し、次に、ダミー基板１を
ロボットアームでステージ１５上に搬入し、ステージ上
にて温度が安定するまで十分滞留した後、すばやくロボ
ットアームで描画待機用チャンバー８内に移動させて温
度をモニタする。こうすることでステージ１５上におけ
る基板温度を測定することができる。
【００４９】このような外部とダミー基板１上に形成さ
れた出力端子７とを接続できるように搬入経路に別途端
子を設けることも可能である。例えば、このような端子
をステージ１５に設けることによって描画待機チャンバ
ー８内の恒温装置から搬入されたダミー基板１の温度変
化の様子がリアルタイムで観測できる。
【００５０】（実施形態４）図７は、図６に示すダミー
基板１がステージ１５上に設置された状態を示す断面図
である。
【００５１】図７に示すように、ダミー基板１はステー
ジ１５上の基板保持手段２によって固定されている。図
中１２は電子ビームを照射するための電子光学鏡筒であ
る。
【００５２】基板保持手段２内部にはダミー基板１にお
ける出力端子７と電気的に接続された配線１３が通され
ており、外部の記憶手段４と接続されている。
【００５３】ダミー基板１に電子光学鏡筒１２から電子
ビームを照射すると、ビーム照射によるダミー基板１の
温度変化をリアルタイムで測定することができる。温度
変化は描画するパターンデータなどの条件によって変化
するため、ダミー基板１によって予め所望の描画データ
により温度変動を測定しておく。次に、この温度変動デ
ータを基にダミー基板１に温度変動が生じないように、
ステージ１５温度を温度制御装置１１にて制御する。こ
のときの制御データを基に、実際のマスク基板を描画す
ることによって、基板温度変動が生じず、高精度のパタ
ーンを形成することが可能となる。
【００５４】（実施形態５）図８は、図６に示すダミー
基板１がステージ１５上に設置された状態を示す断面図
である。
【００５５】図８に示すように、ダミー基板１はステー
ジ１５上の基板保持手段２によって固定されている。図
中１２は電子ビームを照射するための電子光学鏡筒であ
る。また符合１６は、電子ビームの出力や描画パターン
を制御する描画制御装置である。
【００５６】基板保持手段２内部にはダミー基板１にお
ける出力端子７と電気的に接続された配線１３が通され
ており、外部の記憶手段４と接続されている。
【００５７】ダミー基板１に電子光学鏡筒１２から電子
ビームを照射すると、ビーム照射によるダミー基板１の
温度変化をリアルタイムで測定することができる。温度
変化は描画するパターンデータなどの条件によって変化
するため、ダミー基板１によって予め所望の描画データ
により温度変動を測定しておく。次に、この温度変動デ
ータを基にマスク基板の伸縮を計算し、描画制御装置１
６に入力して、実際のマスク基板を描画するときにマス
ク基板の伸縮に対応してパターン描画させることによっ
て、基板温度の変動が生じても、高精度のパターンを形
成することが可能となる。
【００５８】
【発明の効果】本発明では、予めダミー基板を用いて基
板温度を測定し、このデータに基づいて、装置内の温度
補正をし、或いはパターン補正をすることで、高精度の
パターンを形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施形態１に係る高精度パターン描
画装置における温度測定にもちいるダミー基板の上面概
略図。
【図２】 本発明の高精度パターン描画装置の上面概略
図。
【図３】 本発明の高精度パターン描画装置の断面概略
図。
【図４】 本発明の実施形態１に係る高精度パターン描
画装置における温度測定の測定結果を示す図。
【図５】 本発明の実施形態２に係る高精度パターン描
画装置における温度測定にもちいる、（ａ）ダミー基板
の上面概略図及び（ｂ）外部受信装置と記憶手段を示す
概略図。
【図６】 本発明の実施形態３に係る高精度パターン描
画装置における温度測定にもちいるダミー基板の上面概
略図。
【図７】 本発明の実施形態４に係る高精度パターン描
画装置の断面概略図。
【図８】 本発明の実施形態５に係る高精度パターン描
画装置の断面概略図。
【符号の説明】
１・・・ダミー基板 ２・・・基板保持手段 ３・・・温度計 ４・・・記録手段 ５・・・発信手段 ６・・・受信手段 ７・・・出力端子 ８・・・描画待機用チャンバー １０・・・描画チャンバー １１・・・温度制御装置 １２・・・電子光学鏡筒 １３・・・配線 １４・・・温度制御装置 １５・・・ステージ １６・・・描画制御装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉武 秀介 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 東條 徹 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 福留 周一郎 東京都中央区銀座四丁目２番11号 東芝機 械株式会社内 (72)発明者 山本 照亮 東京都中央区銀座四丁目２番11号 東芝機 械株式会社内 (72)発明者 鳥海 正樹 東京都中央区銀座四丁目２番11号 東芝機 械株式会社内 Ｆターム(参考） 2H097 AA03 BA02 LA10 5F056 AA01 BA10 BB10 CC03 EA12 EA13 EA14

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】描画チャンバーと、前記描画チャンバー内
    に設置されたステージと、前記描画チャンバーと接続さ
    れた待機用チャンバーと、前記待機用チャンバー内に設
    置された恒温装置とを具備するパターン描画装置におけ
    る温度測定方法において、 温度測定手段と、前記温度測定手段によって測定された
    温度を記録する記録手段とを具備するダミー基板を、前
    記恒温装置に搬送し、次に前記描画チャンバー内に搬送
    し、次に前記ステージ上に設置することによって、前記
    恒温装置、前記ステージ上の搬送経路における前記ダミ
    ー基板の温度履歴を前記記録手段に記録することを特徴
    とするパターン描画装置における温度測定方法。
  2. 【請求項２】描画チャンバーと、前記描画チャンバー内
    に設置されたステージと、前記描画チャンバーと接続さ
    れた待機用チャンバーと、前記待機用チャンバー内に設
    置された恒温装置とを具備するパターン描画装置におけ
    る温度測定方法において、 温度測定手段と、前記温度測定手段によって測定された
    温度を電磁波に変換し出力する発信手段とを具備するダ
    ミー基板を、前記高温装置に搬送し、次に前記描画チャ
    ンバー内に搬送し、次に前記ステージ上に設置すること
    によって、前記恒温装置、前記ステージ上の搬送経路に
    おける前記ダミー基板の温度履歴を前記発信手段から前
    記チャンバー外部で受信することによって測定すること
    を特徴とするパターン描画装置における温度測定方法。
  3. 【請求項３】描画チャンバーと、前記描画チャンバー内
    に設置されたステージと、前記描画チャンバーと接続さ
    れた待機用チャンバーと、前記待機用チャンバー内に設
    置された恒温装置とを具備するパターン描画装置におけ
    る温度測定方法において、 温度測定手段と、前記温度測定手段に接続された端子と
    を具備するダミー基板を、前記恒温装置に搬送し、次に
    前記描画チャンバー内に搬送し、次に前記ステージ上に
    設置することによって、前記恒温装置、前記ステージ上
    の搬送経路における前記ダミー基板の温度を前記搬送経
    路内に設けられた接続手段と前記ダミー基板の前記端子
    とを接続することによって測定することを特徴とするパ
    ターン描画装置における温度測定方法。
  4. 【請求項４】前記搬送経路内の少なくとも１箇所に前記
    ダミー基板を滞留し、当該場所の温度を測定する工程
    と、前記搬送経路内の温度分布を計算する演算工程と、
    前記計算結果に基づき搬送経路内の温度を最適な値に制
    御する制御工程とを具備することを特徴とする請求項１
    乃至請求項３のいずれか１項に記載のパターン描画装置
    における温度測定方法。
  5. 【請求項５】前記搬送経路内の少なくとも１箇所に前記
    ダミー基板を滞留し、当該場所の温度を測定する工程
    と、前記搬送経路内の温度分布を計算する演算工程と、
    前記計算結果に基づき前記描画装置にパターン描画デー
    タの補正値を与える制御工程と具備することを特徴とす
    る請求項１、請求項２或いは請求項３記載のパターン描
    画装置における温度測定方法。
  6. 【請求項６】描画チャンバーと、前記描画チャンバー内
    に設置されたステージと、前記描画チャンバーと接続さ
    れた待機用チャンバーと、前記待機用チャンバー内に設
    置された恒温装置とを具備するパターン描画装置におけ
    る温度測定方法において、 温度測定手段と、前記温度測定手段に接続された端子と
    を具備するダミー基板を、前記ステージ上に搬送し、前
    記ステージに設けられた接続手段と前記ダミー基板に設
    けられた前記端子とを接続して前記ステージ上に設置さ
    れた前記ダミー基板の温度を測定することを特徴とする
    パターン描画装置における温度測定方法。
JP2000250848A 2000-08-22 2000-08-22 パターン描画装置における温度測定方法 Expired - Lifetime JP4150493B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000250848A JP4150493B2 (ja) 2000-08-22 2000-08-22 パターン描画装置における温度測定方法
US09/933,719 US6676289B2 (en) 2000-08-22 2001-08-22 Temperature measuring method in pattern drawing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000250848A JP4150493B2 (ja) 2000-08-22 2000-08-22 パターン描画装置における温度測定方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002064050A true JP2002064050A (ja) 2002-02-28
JP4150493B2 JP4150493B2 (ja) 2008-09-17

Family

ID=18740352

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000250848A Expired - Lifetime JP4150493B2 (ja) 2000-08-22 2000-08-22 パターン描画装置における温度測定方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6676289B2 (ja)
JP (1) JP4150493B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012253055A (ja) * 2011-05-31 2012-12-20 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び描画方法
JP2014057112A (ja) * 2003-05-28 2014-03-27 Nikon Corp 温度検出装置、温度検出方法、及び露光装置
WO2024062887A1 (ja) * 2022-09-20 2024-03-28 東京エレクトロン株式会社 測温用基板の校正方法、基板測温システム及び測温用基板

Families Citing this family (274)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20030115978A1 (en) * 2001-12-20 2003-06-26 Moehnke Stephanie J. Apparatus and method for monitoring environment within a container
JP2003195476A (ja) * 2001-12-27 2003-07-09 Toshiba Corp パターン形成装置およびパターン形成方法
US6971793B2 (en) * 2003-03-21 2005-12-06 Asm Assembly Automation Ltd. Test handler temperature monitoring system
EP1524558A1 (en) 2003-10-15 2005-04-20 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP5034327B2 (ja) * 2006-06-07 2012-09-26 富士通セミコンダクター株式会社 半導体製造装置用温度測定具、半導体製造装置の温度測定方法、及び半導体製造装置
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP2011129673A (ja) * 2009-12-17 2011-06-30 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び基板配置室の温度調整方法
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
KR20200108016A (ko) 2018-01-19 2020-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) * 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
CN111593319B (zh) 2019-02-20 2023-05-30 Asm Ip私人控股有限公司 用于填充在衬底表面内形成的凹部的循环沉积方法和设备
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
DE102019205812A1 (de) * 2019-04-24 2020-10-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Fehleridentifikation in einem Fertigungs- oder Bearbeitungsprozess für ein Bauteil, insbesondere für eine Steuerplatine, mit einem Sensor-Trägerteil
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202140831A (zh) 2020-04-24 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含氮化釩層及包含該層的結構之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220006455A (ko) 2020-07-08 2022-01-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220050047A (ko) 2020-10-15 2022-04-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 예측 유지보수 방법 및 예측 유지보수 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54121793A (en) * 1978-03-15 1979-09-21 Hitachi Ltd High temperature operation sensor
US4278380A (en) * 1979-04-30 1981-07-14 Varian Associates, Inc. Lock and elevator arrangement for loading workpieces into the work chamber of an electron beam lithography system
JPH07118440B2 (ja) * 1986-07-09 1995-12-18 東芝機械株式会社 電子ビ−ム描画装置
US4890245A (en) * 1986-09-22 1989-12-26 Nikon Corporation Method for measuring temperature of semiconductor substrate and apparatus therefor
JPS63199421A (ja) * 1987-02-16 1988-08-17 Toshiba Corp 荷電ビ−ム描画方法
JPH01196518A (ja) * 1988-01-30 1989-08-08 Dainippon Printing Co Ltd センサカード
US4929090A (en) * 1988-10-24 1990-05-29 Isabelle Grahm Temperature history indicatiang label
US5436172A (en) * 1991-05-20 1995-07-25 Texas Instruments Incorporated Real-time multi-zone semiconductor wafer temperature and process uniformity control system
JPH0510826A (ja) * 1991-07-02 1993-01-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd アレイセンサ
JP2957046B2 (ja) * 1991-07-17 1999-10-04 東京エレクトロン株式会社 被測定体への熱電対固定方法
JPH0666643A (ja) * 1992-08-20 1994-03-11 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 温度検出器付き基板
DE4228484C2 (de) * 1992-08-27 1998-10-01 Bosch Gmbh Robert Temperaturfühler
US5281025A (en) * 1993-01-14 1994-01-25 International Business Machines Corp. Temperature sensing device for dynamically measuring temperature fluctuation in a tip of a bonding device
JPH06275674A (ja) * 1993-03-24 1994-09-30 Fujitsu Ten Ltd ワイヤボンダ
TW301037B (ja) * 1993-11-19 1997-03-21 Sony Co Ltd
JPH08220304A (ja) * 1995-02-13 1996-08-30 Tadahiro Omi 光学物品及びそれを用いた露光装置又は光学系並びにその製造方法
US5775808A (en) * 1996-06-19 1998-07-07 Applied Materials, Inc. Apparatus for real-time, in situ measurement of temperature and a method of fabricating and using same
KR100234539B1 (ko) * 1996-12-24 1999-12-15 윤종용 반도체장치 제조용 식각 장치
US6090176A (en) * 1997-03-18 2000-07-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Sample transferring method and sample transfer supporting apparatus
US6417774B1 (en) * 1997-10-30 2002-07-09 Fireeye Development Inc. System and method for identifying unsafe temperature conditions
JP2927284B2 (ja) * 1997-12-22 1999-07-28 日本電気株式会社 磁気シールドルーム
US6091255A (en) * 1998-05-08 2000-07-18 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for tasking processing modules based upon temperature
US6203969B1 (en) * 1998-09-14 2001-03-20 Tokyo Electron Limited Resist processing apparatus which measures temperature of heat-sensing substrate and measuring method therein
US6190037B1 (en) * 1999-02-19 2001-02-20 Applied Materials, Inc. Non-intrusive, on-the-fly (OTF) temperature measurement and monitoring system
JP2001127044A (ja) * 1999-10-29 2001-05-11 Hitachi Ltd 真空処理装置および真空処理システム
US6411916B1 (en) * 1999-12-28 2002-06-25 Hill Phoenix, Inc. Food safety control method and apparatus
US6191399B1 (en) * 2000-02-01 2001-02-20 Asm America, Inc. System of controlling the temperature of a processing chamber
JP4015352B2 (ja) * 2000-02-22 2007-11-28 株式会社日立製作所 荷電粒子ビームを用いた検査方法
DE10011179B4 (de) * 2000-03-08 2005-06-30 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Ermittlung der Temperatur eines Halbleiter-Chips und Halbleiter-Chip mit Temperaturmessanordnung
US6488778B1 (en) * 2000-03-16 2002-12-03 International Business Machines Corporation Apparatus and method for controlling wafer environment between thermal clean and thermal processing
JP2002050809A (ja) * 2000-08-01 2002-02-15 Anelva Corp 基板処理装置及び方法
JP3598265B2 (ja) * 2000-09-28 2004-12-08 株式会社東芝 パターン描画装置の集塵方法
JP2002175770A (ja) * 2000-12-08 2002-06-21 Hitachi Ltd 気体排気用試料室及びそれを用いた回路パターン形成装置
US7534977B2 (en) * 2000-12-28 2009-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Heat treatment apparatus and method of manufacturing a semiconductor device
JP2003077974A (ja) * 2001-08-31 2003-03-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014057112A (ja) * 2003-05-28 2014-03-27 Nikon Corp 温度検出装置、温度検出方法、及び露光装置
US10082739B2 (en) 2003-05-28 2018-09-25 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and method for producing device
JP2012253055A (ja) * 2011-05-31 2012-12-20 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び描画方法
WO2024062887A1 (ja) * 2022-09-20 2024-03-28 東京エレクトロン株式会社 測温用基板の校正方法、基板測温システム及び測温用基板

Also Published As

Publication number Publication date
US6676289B2 (en) 2004-01-13
JP4150493B2 (ja) 2008-09-17
US20020027945A1 (en) 2002-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002064050A (ja) パターン描画装置における温度測定方法
KR101129940B1 (ko) 레티클/마스크 시스템의 적응형 실시간 제어를 제공하는 열 처리 시스템 및 열 처리 시스템의 작동 방법
US7902485B2 (en) Temperature setting method of thermal processing plate, temperature setting apparatus of thermal processing plate, program, and computer-readable recording medium recording program thereon
CN101432658B (zh) 半导体处理中控制形成在晶片上的结构的临界尺寸的方法和系统
US11300886B2 (en) Method of adapting feed-forward parameters
TWI685726B (zh) 用於控制基板之定位之方法及用於判定參照基板之特徵之位置的方法
US5217834A (en) Methods of forming and inspecting semiconductor device patterns
JP3352354B2 (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP4984038B2 (ja) 管理方法
KR102183619B1 (ko) 모니터링 방법 및 디바이스의 제조 방법
US7356380B2 (en) Process control method
JP3445102B2 (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
TWI654498B (zh) 基板處理裝置、用以最佳化半導體程序之方法及半導體器件製造程序
KR20190124787A (ko) 기판 내의 응력을 결정하는 방법들, 리소그래피 공정을 제어하는 제어 시스템, 리소그래피 장치 및 컴퓨터 프로그램 제품
JP2001274109A (ja) 熱処理方法及び熱処理装置
EP4202551A1 (en) Methods of determining a mechanical property of a layer applied to a substrate, and associated devices
JP2000331904A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
WO2024132446A1 (en) Methods and systems for determining reticle deformations
TW202328805A (zh) 校準倍縮光罩熱效應之方法及系統
WO2024132448A1 (en) Methods and systems for determining reticle deformations
WO2024132447A1 (en) Methods and systems for determining reticle deformations
WO2024132410A1 (en) Methods and systems for determining reticle deformations
WO2024132326A1 (en) Method to infer and estimate reticle temperature based on reticle shape measurements
WO2024132427A1 (en) Methods and systems for determining reticle deformations
JPH11176900A (ja) 不良解析方法および不良解析システム

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050428

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050510

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050707

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20050713

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20060621

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20060621

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070313

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070412

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080624

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080630

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110704

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4150493

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120704

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130704

Year of fee payment: 5

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term