JP2002057295A5 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
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【特許請求の範囲】
【請求項1】 支持層と、前記支持層上に形成された絶縁層と、前記絶縁像上に形成された半導体領域とからなるSOI基板の主表面に第1および第2の回路領域を有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記第1の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する第1の絶縁分離トレンチと、前記第1の絶縁分離トレンチを囲み、前記絶縁層まで到達する第2の絶縁分離トレンチと、
(b)前記第2の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する第3の絶縁分離トレンチと、前記第3の絶縁分離トレンチを囲み、前記絶縁層まで到達する第4の絶縁分離トレンチと、
(c)前記第2と第4の絶縁分離トレンチとの間に延在する中間領域と、
(d)前記第1の回路領域と前記第1と第2の絶縁分離トレンチとで区画される第1の分離領域とを接続する第1の配線抵抗と、前記第1の分離領域と中間領域とを接続する第2の配線抵抗と、
(e)前記第2の回路領域と前記第3と第4の絶縁分離トレンチとで区画される第2の分離領域とを接続する第3の配線抵抗と、第2の分離領域と中間領域とを接続する第4の配線抵抗と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項2】 前記第1〜第4の配線抵抗の抵抗値は、4×106〜4×107Ωであることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
【請求項3】 前記第1および第2の回路領域を囲む絶縁分離トレンチは、それぞれ15本以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
【請求項4】 前記第1および第2の配線抵抗は、前記第1の絶縁分離トレンチに沿って形成され、前記第3および第4の配線抵抗は、前記第3の絶縁分離トレンチに沿って形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
【請求項5】 前記第1および第2の回路領域は、略矩形状の領域であって、前記第1および第2の配線抵抗は、前記略矩形形状の長辺に沿って形成され、前記第3および第4の配線抵抗は、前記略矩形形状の長辺に沿って形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
【請求項6】 前記SOI基板は、ダイパッド上に搭載され、前記中間領域は、前記ダイパッドに電気的に接続されていることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
【請求項7】 前記第1および第2の回路領域は、容量素子を介して互いに接続されていることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
【請求項8】 前記容量素子は、前記中間領域上に形成されていることを特徴とする請求項7記載の半導体集積回路装置。
【請求項9】 前記容量素子は、前記中間領域と中間領域上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された上部電極とからなることを特徴とする請求項7記載の半導体集積回路装置。
【請求項10】 前記容量素子は、前記中間領域上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された上部電極とからなることを特徴とする請求項7記載の半導体集積回路装置。
【請求項11】 前記容量素子は、前記第1の回路領域から第2の回路領域、もしくは第2の回路領域から第1の回路領域への信号伝送を行うアイソレータ回路を構成することを特徴とする請求項7記載の半導体集積回路装置。
【請求項12】 前記第1および第2の回路領域は、容量素子からなるアイソレータを介して接続され、
前記第1の回路領域には、アンプ回路、フィルタ回路、A/D変換回路およびD/A変換回路が形成され、
前記第2の回路領域には、デジタルフィルタ回路およびDSP回路が形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
【請求項13】 支持層と、前記支持層上に形成された絶縁層と、前記絶縁像上に形成された半導体領域とからなるSOI基板の主表面に第1および第2の回路領域を有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記第1の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する第1の幅広絶縁分離トレンチと、
(b)前記第2の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する第2の幅広絶縁分離トレンチと、
(c)前記第1と第2の幅広絶縁分離トレンチとの間に延在する中間領域と、
(d)前記第1の回路領域と中間領域とを接続する第1の配線抵抗と、
(e)前記第2の回路領域と中間領域とを接続する第2の配線抵抗と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項14】 前記第1および第2の幅広絶縁分離トレンチの幅は、0.4μm以上であることを特徴とする請求項13記載の半導体集積回路装置。
【請求項15】 前記第1の配線抵抗は、前記第1の幅広絶縁分離トレンチに沿って形成され、前記第2の配線抵抗は、前記第2の幅広絶縁分離トレンチに沿って形成されていることを特徴とする請求項13記載の半導体集積回路装置。
【請求項16】 支持層と、前記支持層上に形成された絶縁層と、前記絶縁像上に形成された半導体領域とからなるSOI基板の主表面に第1および第2の回路領域を有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記第1の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する第1の絶縁分離トレンチと、前記第1の絶縁分離トレンチを囲み、前記絶縁層まで到達する第2の絶縁分離トレンチと、
(b)前記第2の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する第3の絶縁分離トレンチと、前記第3の絶縁分離トレンチを囲み、前記絶縁層まで到達する第4の絶縁分離トレンチと、
(c)前記第2と第4の絶縁分離トレンチとの間に延在する中間領域と、
(d)前記第1の回路領域と前記第1と第2の絶縁分離トレンチとで区画される第1の分離領域とを接続する第1の配線と、前記第1の分離領域と中間領域とを接続する第2の配線と、
(e)前記第2の回路領域と前記第3と第4の絶縁分離トレンチとで区画される第2の分離領域とを接続する第3の配線と、第2の分離領域と中間領域とを接続する第4の配線と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項17】 前記第1と第2の配線との間に接続され、前記第1の回路領域と前記第1と第2の絶縁分離トレンチとで区画される第1の分離領域の拡散抵抗、
および前記第3と第4の配線との間に接続され、前記第2の回路領域と前記第3と第4の絶縁分離トレンチとで区画される第2の分離領域の拡散抵抗の抵抗値は、
4×106〜4×107Ωであることを特徴とする請求項7記載の半導体集積回路装置。
【請求項18】 前記第1および第2の回路領域は、略矩形状の領域であって、
前記第1の配線は、前記第1の回路領域の略矩形形状の長辺の一端近傍に形成され、
前記第2の配線は、前記第1の回路領域の略矩形形状の長辺の他端近傍に形成され、
前記第3の配線は、前記第2の回路領域の略矩形形状の長辺の一端近傍に形成され、
前記第4の配線は、前記第2の回路領域の略矩形形状の長辺の他端近傍に形成されていることを特徴とする請求項16記載の半導体集積回路装置。
【請求項19】 前記SOI基板は、ダイパッド上に搭載され、前記中間領域は、前記ダイパッドに電気的に接続されていることを特徴とする請求項16記載の半導体集積回路装置。
【請求項20】 前記第1および第2の回路領域は、容量素子を介して互いに接続されていることを特徴とする請求項16記載の半導体集積回路装置。
【請求項21】 前記容量素子は、前記中間領域上に形成されていることを特徴とする請求項20記載の半導体集積回路装置。
【請求項22】 前記容量素子は、前記中間領域と中間領域上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された上部電極とからなることを特徴とする請求項20記載の半導体集積回路装置。
【請求項23】 前記容量素子は、前記中間領域上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された上部電極とからなることを特徴とする請求項20記載の半導体集積回路装置。
【請求項24】 前記容量素子は、前記第1の回路領域から第2の回路、もしくは第2の回路領域から第1の回路領域への信号伝送を行うアイソレータ回路を構成することを特徴とする請求項16記載の半導体集積回路装置。
【請求項25】 前記第1および第2の回路領域は、容量素子からなるアイソレータを介して接続され、
前記第1の回路領域には、アンプ回路、フィルタ回路、A/D変換回路およびD/A変換回路が形成され、
前記第2の回路領域には、デジタルフィルタ回路およびDSP回路が形成されていることを特徴とする請求項16記載の半導体集積回路装置。
【請求項26】 支持層と、前記支持層上に形成された絶縁層と、前記絶縁像上に形成された半導体領域とからなるSOI基板の主表面に第1および第2の回路領域を有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記第1の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する第1の絶縁分離トレンチと、前記第1の絶縁分離トレンチを囲み、前記絶縁層まで到達する第2の絶縁分離トレンチと、
(b)前記第2の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する第3の絶縁分離トレンチと、前記第3の絶縁分離トレンチを囲み、前記絶縁層まで到達する第4の絶縁分離トレンチと、
(c)前記第2と第4の絶縁分離トレンチとの間に延在する中間領域と、
(d)前記第1の回路領域と前記第1と第2の絶縁分離トレンチとで区画される第1の分離領域とを接続する第1の接続部と、前記第1の分離領域と中間領域とを接続する第2の接続部と、
(e)前記第2の回路領域と前記第3と第4の絶縁分離トレンチとで区画される第2の分離領域とを接続する第3の接続部と、第2の分離領域と中間領域とを接続する第4の接続部と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項27】 前記第1のおよび第2の接続部は、それぞれ前記第1および第2の絶縁分離トレンチが形成されていないショート領域により構成され、
前記第3のおよび第4の接続部は、それぞれ前記第3および第4の絶縁分離トレンチが形成されていないショート領域により構成されていることを特徴とする請求項26記載の半導体集積回路装置。
【請求項28】 支持層と、前記支持層上に形成された絶縁層と、前記絶縁像上に形成された半導体領域とからなるSOI基板の主表面に第1および第2の回路領域を有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記第1の回路領域をスパイラル状に囲み、前記絶縁層まで到達する第1の絶縁分離トレンチと、
(b)前記第2の回路領域をスパイラル状に囲み、前記絶縁層まで到達する第2の絶縁分離トレンチと、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項29】 支持層と、前記支持層上に形成された絶縁層と、前記絶縁像上に形成された半導体領域とからなるSOI基板の主表面に第1および第2の回路領域を有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記第1の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する複数の絶縁分離トレンチと、
(b)前記第2の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する複数の絶縁分離トレンチと、
(c)前記第1の回路領域を囲む複数の絶縁分離トレンチのうち最外絶縁分離トレンチと前記第2の回路領域を囲む複数の絶縁分離トレンチのうち最外絶縁分離トレンチとの間に延在する中間領域と、
(d)前記第1の回路領域と中間領域との間に、前記複数の絶縁分離トレンチと並列に接続された抵抗素子と、
(e)前記第2の回路領域と中間領域との間に、前記複数の絶縁分離トレンチと並列に接続された抵抗素子と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項1】 支持層と、前記支持層上に形成された絶縁層と、前記絶縁像上に形成された半導体領域とからなるSOI基板の主表面に第1および第2の回路領域を有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記第1の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する第1の絶縁分離トレンチと、前記第1の絶縁分離トレンチを囲み、前記絶縁層まで到達する第2の絶縁分離トレンチと、
(b)前記第2の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する第3の絶縁分離トレンチと、前記第3の絶縁分離トレンチを囲み、前記絶縁層まで到達する第4の絶縁分離トレンチと、
(c)前記第2と第4の絶縁分離トレンチとの間に延在する中間領域と、
(d)前記第1の回路領域と前記第1と第2の絶縁分離トレンチとで区画される第1の分離領域とを接続する第1の配線抵抗と、前記第1の分離領域と中間領域とを接続する第2の配線抵抗と、
(e)前記第2の回路領域と前記第3と第4の絶縁分離トレンチとで区画される第2の分離領域とを接続する第3の配線抵抗と、第2の分離領域と中間領域とを接続する第4の配線抵抗と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項2】 前記第1〜第4の配線抵抗の抵抗値は、4×106〜4×107Ωであることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
【請求項3】 前記第1および第2の回路領域を囲む絶縁分離トレンチは、それぞれ15本以上であることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
【請求項4】 前記第1および第2の配線抵抗は、前記第1の絶縁分離トレンチに沿って形成され、前記第3および第4の配線抵抗は、前記第3の絶縁分離トレンチに沿って形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
【請求項5】 前記第1および第2の回路領域は、略矩形状の領域であって、前記第1および第2の配線抵抗は、前記略矩形形状の長辺に沿って形成され、前記第3および第4の配線抵抗は、前記略矩形形状の長辺に沿って形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
【請求項6】 前記SOI基板は、ダイパッド上に搭載され、前記中間領域は、前記ダイパッドに電気的に接続されていることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
【請求項7】 前記第1および第2の回路領域は、容量素子を介して互いに接続されていることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
【請求項8】 前記容量素子は、前記中間領域上に形成されていることを特徴とする請求項7記載の半導体集積回路装置。
【請求項9】 前記容量素子は、前記中間領域と中間領域上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された上部電極とからなることを特徴とする請求項7記載の半導体集積回路装置。
【請求項10】 前記容量素子は、前記中間領域上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された上部電極とからなることを特徴とする請求項7記載の半導体集積回路装置。
【請求項11】 前記容量素子は、前記第1の回路領域から第2の回路領域、もしくは第2の回路領域から第1の回路領域への信号伝送を行うアイソレータ回路を構成することを特徴とする請求項7記載の半導体集積回路装置。
【請求項12】 前記第1および第2の回路領域は、容量素子からなるアイソレータを介して接続され、
前記第1の回路領域には、アンプ回路、フィルタ回路、A/D変換回路およびD/A変換回路が形成され、
前記第2の回路領域には、デジタルフィルタ回路およびDSP回路が形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路装置。
【請求項13】 支持層と、前記支持層上に形成された絶縁層と、前記絶縁像上に形成された半導体領域とからなるSOI基板の主表面に第1および第2の回路領域を有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記第1の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する第1の幅広絶縁分離トレンチと、
(b)前記第2の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する第2の幅広絶縁分離トレンチと、
(c)前記第1と第2の幅広絶縁分離トレンチとの間に延在する中間領域と、
(d)前記第1の回路領域と中間領域とを接続する第1の配線抵抗と、
(e)前記第2の回路領域と中間領域とを接続する第2の配線抵抗と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項14】 前記第1および第2の幅広絶縁分離トレンチの幅は、0.4μm以上であることを特徴とする請求項13記載の半導体集積回路装置。
【請求項15】 前記第1の配線抵抗は、前記第1の幅広絶縁分離トレンチに沿って形成され、前記第2の配線抵抗は、前記第2の幅広絶縁分離トレンチに沿って形成されていることを特徴とする請求項13記載の半導体集積回路装置。
【請求項16】 支持層と、前記支持層上に形成された絶縁層と、前記絶縁像上に形成された半導体領域とからなるSOI基板の主表面に第1および第2の回路領域を有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記第1の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する第1の絶縁分離トレンチと、前記第1の絶縁分離トレンチを囲み、前記絶縁層まで到達する第2の絶縁分離トレンチと、
(b)前記第2の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する第3の絶縁分離トレンチと、前記第3の絶縁分離トレンチを囲み、前記絶縁層まで到達する第4の絶縁分離トレンチと、
(c)前記第2と第4の絶縁分離トレンチとの間に延在する中間領域と、
(d)前記第1の回路領域と前記第1と第2の絶縁分離トレンチとで区画される第1の分離領域とを接続する第1の配線と、前記第1の分離領域と中間領域とを接続する第2の配線と、
(e)前記第2の回路領域と前記第3と第4の絶縁分離トレンチとで区画される第2の分離領域とを接続する第3の配線と、第2の分離領域と中間領域とを接続する第4の配線と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項17】 前記第1と第2の配線との間に接続され、前記第1の回路領域と前記第1と第2の絶縁分離トレンチとで区画される第1の分離領域の拡散抵抗、
および前記第3と第4の配線との間に接続され、前記第2の回路領域と前記第3と第4の絶縁分離トレンチとで区画される第2の分離領域の拡散抵抗の抵抗値は、
4×106〜4×107Ωであることを特徴とする請求項7記載の半導体集積回路装置。
【請求項18】 前記第1および第2の回路領域は、略矩形状の領域であって、
前記第1の配線は、前記第1の回路領域の略矩形形状の長辺の一端近傍に形成され、
前記第2の配線は、前記第1の回路領域の略矩形形状の長辺の他端近傍に形成され、
前記第3の配線は、前記第2の回路領域の略矩形形状の長辺の一端近傍に形成され、
前記第4の配線は、前記第2の回路領域の略矩形形状の長辺の他端近傍に形成されていることを特徴とする請求項16記載の半導体集積回路装置。
【請求項19】 前記SOI基板は、ダイパッド上に搭載され、前記中間領域は、前記ダイパッドに電気的に接続されていることを特徴とする請求項16記載の半導体集積回路装置。
【請求項20】 前記第1および第2の回路領域は、容量素子を介して互いに接続されていることを特徴とする請求項16記載の半導体集積回路装置。
【請求項21】 前記容量素子は、前記中間領域上に形成されていることを特徴とする請求項20記載の半導体集積回路装置。
【請求項22】 前記容量素子は、前記中間領域と中間領域上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された上部電極とからなることを特徴とする請求項20記載の半導体集積回路装置。
【請求項23】 前記容量素子は、前記中間領域上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された上部電極とからなることを特徴とする請求項20記載の半導体集積回路装置。
【請求項24】 前記容量素子は、前記第1の回路領域から第2の回路、もしくは第2の回路領域から第1の回路領域への信号伝送を行うアイソレータ回路を構成することを特徴とする請求項16記載の半導体集積回路装置。
【請求項25】 前記第1および第2の回路領域は、容量素子からなるアイソレータを介して接続され、
前記第1の回路領域には、アンプ回路、フィルタ回路、A/D変換回路およびD/A変換回路が形成され、
前記第2の回路領域には、デジタルフィルタ回路およびDSP回路が形成されていることを特徴とする請求項16記載の半導体集積回路装置。
【請求項26】 支持層と、前記支持層上に形成された絶縁層と、前記絶縁像上に形成された半導体領域とからなるSOI基板の主表面に第1および第2の回路領域を有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記第1の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する第1の絶縁分離トレンチと、前記第1の絶縁分離トレンチを囲み、前記絶縁層まで到達する第2の絶縁分離トレンチと、
(b)前記第2の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する第3の絶縁分離トレンチと、前記第3の絶縁分離トレンチを囲み、前記絶縁層まで到達する第4の絶縁分離トレンチと、
(c)前記第2と第4の絶縁分離トレンチとの間に延在する中間領域と、
(d)前記第1の回路領域と前記第1と第2の絶縁分離トレンチとで区画される第1の分離領域とを接続する第1の接続部と、前記第1の分離領域と中間領域とを接続する第2の接続部と、
(e)前記第2の回路領域と前記第3と第4の絶縁分離トレンチとで区画される第2の分離領域とを接続する第3の接続部と、第2の分離領域と中間領域とを接続する第4の接続部と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項27】 前記第1のおよび第2の接続部は、それぞれ前記第1および第2の絶縁分離トレンチが形成されていないショート領域により構成され、
前記第3のおよび第4の接続部は、それぞれ前記第3および第4の絶縁分離トレンチが形成されていないショート領域により構成されていることを特徴とする請求項26記載の半導体集積回路装置。
【請求項28】 支持層と、前記支持層上に形成された絶縁層と、前記絶縁像上に形成された半導体領域とからなるSOI基板の主表面に第1および第2の回路領域を有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記第1の回路領域をスパイラル状に囲み、前記絶縁層まで到達する第1の絶縁分離トレンチと、
(b)前記第2の回路領域をスパイラル状に囲み、前記絶縁層まで到達する第2の絶縁分離トレンチと、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項29】 支持層と、前記支持層上に形成された絶縁層と、前記絶縁像上に形成された半導体領域とからなるSOI基板の主表面に第1および第2の回路領域を有する半導体集積回路装置であって、
(a)前記第1の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する複数の絶縁分離トレンチと、
(b)前記第2の回路領域を囲み、前記絶縁層まで到達する複数の絶縁分離トレンチと、
(c)前記第1の回路領域を囲む複数の絶縁分離トレンチのうち最外絶縁分離トレンチと前記第2の回路領域を囲む複数の絶縁分離トレンチのうち最外絶縁分離トレンチとの間に延在する中間領域と、
(d)前記第1の回路領域と中間領域との間に、前記複数の絶縁分離トレンチと並列に接続された抵抗素子と、
(e)前記第2の回路領域と中間領域との間に、前記複数の絶縁分離トレンチと並列に接続された抵抗素子と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に、SOI(Silicon On Insulator)基板上に形成される高耐電圧LSI(Large Scale Integrated Circuit)に適用して有効な技術に関するものである。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路装置に関し、特に、SOI(Silicon On Insulator)基板上に形成される高耐電圧LSI(Large Scale Integrated Circuit)に適用して有効な技術に関するものである。
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