JP2002003441A - 光学活性トリメチル乳酸およびそのエステル類の製造方法 - Google Patents
光学活性トリメチル乳酸およびそのエステル類の製造方法Info
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- JP2002003441A JP2002003441A JP2001160426A JP2001160426A JP2002003441A JP 2002003441 A JP2002003441 A JP 2002003441A JP 2001160426 A JP2001160426 A JP 2001160426A JP 2001160426 A JP2001160426 A JP 2001160426A JP 2002003441 A JP2002003441 A JP 2002003441A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C51/00—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides
- C07C51/347—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by reactions not involving formation of carboxyl groups
- C07C51/367—Preparation of carboxylic acids or their salts, halides or anhydrides by reactions not involving formation of carboxyl groups by introduction of functional groups containing oxygen only in singly bound form
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C67/00—Preparation of carboxylic acid esters
- C07C67/30—Preparation of carboxylic acid esters by modifying the acid moiety of the ester, such modification not being an introduction of an ester group
- C07C67/31—Preparation of carboxylic acid esters by modifying the acid moiety of the ester, such modification not being an introduction of an ester group by introduction of functional groups containing oxygen only in singly bound form
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光学活性トリメチル乳酸およびそのエステル
類のエナンチオ選択製造を高収率で可能にし且つ高価な
試薬の使用を必要としない新規な方法を提供すること。 【解決手段】 本発明は、燐配位子を含有する貴金属錯
体触媒の存在下でのトリメチルピルビン酸および／また
はそのエステル類の接触水素化による光学活性トリメチ
ル乳酸および／またはそのエステル類の新規な製造方法
に関する。
類のエナンチオ選択製造を高収率で可能にし且つ高価な
試薬の使用を必要としない新規な方法を提供すること。 【解決手段】 本発明は、燐配位子を含有する貴金属錯
体触媒の存在下でのトリメチルピルビン酸および／また
はそのエステル類の接触水素化による光学活性トリメチ
ル乳酸および／またはそのエステル類の新規な製造方法
に関する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トリメチルピルビ
ン酸および／またはそのエステル類の接触水素化による
光学活性トリメチル乳酸および／またはそのエステル類
の新規な製造方法に関する。
ン酸および／またはそのエステル類の接触水素化による
光学活性トリメチル乳酸および／またはそのエステル類
の新規な製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び課題】光学活性トリメチル乳酸または
そのエステル類は、例えば、ＨＩＶプロテアーゼ抑制剤
用の構成部分として必要である（Bioorg. Med. Chem. L
ett., 1995, 5,1729-1734）。その合成は従って特に重
要である。
そのエステル類は、例えば、ＨＩＶプロテアーゼ抑制剤
用の構成部分として必要である（Bioorg. Med. Chem. L
ett., 1995, 5,1729-1734）。その合成は従って特に重
要である。
【０００３】多くの合成経路が既知である：Biotechno
l. Biotech. 1986, 8-13 は、例えば、エナンチオ選択
方法での酵素によるアルコールデヒドロゲナーゼを用い
るトリメチルピルビン酸を記載している。しかしなが
ら、この方法は再生が複雑であり且つ費用がかかる補因
子の存在下で反応を行わなければならないという欠点を
有する。
l. Biotech. 1986, 8-13 は、例えば、エナンチオ選択
方法での酵素によるアルコールデヒドロゲナーゼを用い
るトリメチルピルビン酸を記載している。しかしなが
ら、この方法は再生が複雑であり且つ費用がかかる補因
子の存在下で反応を行わなければならないという欠点を
有する。
【０００４】さらに、トリメチル乳酸のラセミ化合物分
離のための化学的（Bull. Chem., Soc. Jpn., 1968, 4
1, 2178-2179）および生物学的（Appl. Environ. Micro
bio.,1983, 45, 884-891）方法の両者が記載されてい
る。これらの方法の欠点は、ラセミ化合物分離で普遍的
である標的エナンチオマーに関する最高収率が５０％で
あり且つ望ましくないエナンチオマーを一般的には廃棄
しなければならないことである。
離のための化学的（Bull. Chem., Soc. Jpn., 1968, 4
1, 2178-2179）および生物学的（Appl. Environ. Micro
bio.,1983, 45, 884-891）方法の両者が記載されてい
る。これらの方法の欠点は、ラセミ化合物分離で普遍的
である標的エナンチオマーに関する最高収率が５０％で
あり且つ望ましくないエナンチオマーを一般的には廃棄
しなければならないことである。
【０００５】別の方法はｔｅｒｔ−ロイシンのジアゾ化
およびその後のジアゾニウム化合物の水を用いる加水分
解である（Chem. Ber., 1991, 124, 849-859）。しかし
ながら、この方法は非常に高価なエナンチオマー的に純
粋なｔｅｒｔ−ロイシンを必要とし且つ望ましくない転
位反応により副生物を生じ、従って不経済である。
およびその後のジアゾニウム化合物の水を用いる加水分
解である（Chem. Ber., 1991, 124, 849-859）。しかし
ながら、この方法は非常に高価なエナンチオマー的に純
粋なｔｅｒｔ−ロイシンを必要とし且つ望ましくない転
位反応により副生物を生じ、従って不経済である。
【０００６】J. Org. Chem., 1988, 53, 1231-1238 お
よび J. Org. Chem., 1986, 51, 3396-3398 はトリメチ
ルピルビン酸エステル類をキラル的に改質されたボラン
試薬を用いて還元することによるエナンチオマー的に純
粋なトリメチル乳酸エステル類の製造を開示している。
しかしながら、この方法は化学量論的量の高価で且つ合
成が複雑であるボラン試薬が必要であるという欠点を有
する。
よび J. Org. Chem., 1986, 51, 3396-3398 はトリメチ
ルピルビン酸エステル類をキラル的に改質されたボラン
試薬を用いて還元することによるエナンチオマー的に純
粋なトリメチル乳酸エステル類の製造を開示している。
しかしながら、この方法は化学量論的量の高価で且つ合
成が複雑であるボラン試薬が必要であるという欠点を有
する。
【０００７】ＥＰ−Ａ−０ ９０１ ９９７はケトン類の
非対称的水素化による光学活性アルコール類の製造方法
を開示している。しかしながら、この方法は脂肪族また
は脂肪族／芳香族ケトン類にのみ限定され、水素化は遷
移金属錯体触媒、塩基およびジアミンの存在下で行われ
る。遷移金属錯体触媒はビスホスフィン配位子を含有す
る。
非対称的水素化による光学活性アルコール類の製造方法
を開示している。しかしながら、この方法は脂肪族また
は脂肪族／芳香族ケトン類にのみ限定され、水素化は遷
移金属錯体触媒、塩基およびジアミンの存在下で行われ
る。遷移金属錯体触媒はビスホスフィン配位子を含有す
る。
【０００８】ＥＰ−Ａ−０ ６４３ ０６５は非対称的水
素化用にVIII族の金属、特にルテニウム、との錯体の形
態で使用することができる別の特定のビスホスフィン類
を開示している。挙げられている適する基質は一般的に
は置換されたもしくは未置換のα−もしくはβ−ケトエ
ステル類、α−もしくはβ−ケトアミド類、α−もしく
はβ−アミノ−またはα−もしくはβ−ヒドロキシケト
ン類およびアセトアミド桂皮酸誘導体である。使用目標
は２−アリールプロペン酸類の非対称的水素化である。
素化用にVIII族の金属、特にルテニウム、との錯体の形
態で使用することができる別の特定のビスホスフィン類
を開示している。挙げられている適する基質は一般的に
は置換されたもしくは未置換のα−もしくはβ−ケトエ
ステル類、α−もしくはβ−ケトアミド類、α−もしく
はβ−アミノ−またはα−もしくはβ−ヒドロキシケト
ン類およびアセトアミド桂皮酸誘導体である。使用目標
は２−アリールプロペン酸類の非対称的水素化である。
【０００９】さらに、ＥＰ−Ａ−０ ５６４ ４０６は、
炭素−炭素および炭素−ヘテロ原子二重結合を含有する
プロキラル化合物の非対称的水素化用に使用される不均
質ロジウムおよびイリジウム触媒用の配位子としてのフ
ェロセニルジホスフィン類を記載している。そのような
化合物の例はプロキラルオレフィン類、エナミン類、イ
ミン類およびケトン類である。
炭素−炭素および炭素−ヘテロ原子二重結合を含有する
プロキラル化合物の非対称的水素化用に使用される不均
質ロジウムおよびイリジウム触媒用の配位子としてのフ
ェロセニルジホスフィン類を記載している。そのような
化合物の例はプロキラルオレフィン類、エナミン類、イ
ミン類およびケトン類である。
【００１０】立体的に要求性である(sterically demand
ing)フェニルピルビン酸メチルに関しては、Tetrahedro
n: Asymmetry 5, 675-690 は主に非常に高い収率をもた
らすが同時にあるものは２７または３０％ｅｅの範囲内
にある不満足なエナンチオマー過剰率しか与えないよう
な種々のホスフィン配位子の存在下での非対称的水素化
を記載している。
ing)フェニルピルビン酸メチルに関しては、Tetrahedro
n: Asymmetry 5, 675-690 は主に非常に高い収率をもた
らすが同時にあるものは２７または３０％ｅｅの範囲内
にある不満足なエナンチオマー過剰率しか与えないよう
な種々のホスフィン配位子の存在下での非対称的水素化
を記載している。
【００１１】かくして、本発明の目的は、光学活性トリ
メチル乳酸およびそのエステル類のエナンチオ選択製造
を高収率で可能にし且つ高価な試薬の使用を必要としな
い新規な方法を提供することである。
メチル乳酸およびそのエステル類のエナンチオ選択製造
を高収率で可能にし且つ高価な試薬の使用を必要としな
い新規な方法を提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、触媒の存在下
で一般式（II）
で一般式（II）
【００１３】
【化１８】
【００１４】［式中、Ｒ1は水素、アルキル、アリー
ル、アラルキルまたはヘテロアリールを表す］のトリメ
チルピルビン酸および／またはそのエステル類をエナン
チオ選択的に水素化することにより一般式（Ｉ）
ル、アラルキルまたはヘテロアリールを表す］のトリメ
チルピルビン酸および／またはそのエステル類をエナン
チオ選択的に水素化することにより一般式（Ｉ）
【００１５】
【化１９】
【００１６】［式中、Ｒ1は一般式（II）に関して記載
された意味を有する］の光学活性トリメチル乳酸および
／またはそれのエステル類を製造する方法であって、触
媒が光学活性ビスホスフィン類を配位子として含有する
貴金属錯体を含んでなることを特徴とする方法に関す
る。
された意味を有する］の光学活性トリメチル乳酸および
／またはそれのエステル類を製造する方法であって、触
媒が光学活性ビスホスフィン類を配位子として含有する
貴金属錯体を含んでなることを特徴とする方法に関す
る。
【００１７】本発明の方法は、基Ｒ1がＨ、アルキル、
アリール、アラルキルまたはヘテロアリールを表す一般
式（Ｉ）のトリメチル乳酸および／またはそのエステル
類のエナンチオマー的に純粋な製造を可能にする。上記
の置換基中のアルキル基は各場合とも非分枝鎖状もしく
は分枝鎖状でありうる。
アリール、アラルキルまたはヘテロアリールを表す一般
式（Ｉ）のトリメチル乳酸および／またはそのエステル
類のエナンチオマー的に純粋な製造を可能にする。上記
の置換基中のアルキル基は各場合とも非分枝鎖状もしく
は分枝鎖状でありうる。
【００１８】好ましくは、基Ｒ1はＨ、Ｃ1−Ｃ20−アル
キル、Ｃ6−Ｃ14−アリール、Ｃ7−Ｃ15−アラルキルま
たはＣ2−Ｃ12−ヘテロアリールを表す。特に好ましく
は、Ｒ1はＨ、Ｃ1−Ｃ10−アルキル、Ｃ6−Ｃ10−アリ
ール、Ｃ7−Ｃ11−アラルキルまたはＣ2−Ｃ9−ヘテロ
アリール、そして特に水素、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチ
ル、ペンチル、ネオペンチル、イソペンチル、フェニ
ル、ベンジル、ナフチル、２−フリル、３−フリル、２
−ピロリルおよび３−ピロリルを表す。
キル、Ｃ6−Ｃ14−アリール、Ｃ7−Ｃ15−アラルキルま
たはＣ2−Ｃ12−ヘテロアリールを表す。特に好ましく
は、Ｒ1はＨ、Ｃ1−Ｃ10−アルキル、Ｃ6−Ｃ10−アリ
ール、Ｃ7−Ｃ11−アラルキルまたはＣ2−Ｃ9−ヘテロ
アリール、そして特に水素、メチル、エチル、プロピ
ル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチ
ル、ペンチル、ネオペンチル、イソペンチル、フェニ
ル、ベンジル、ナフチル、２−フリル、３−フリル、２
−ピロリルおよび３−ピロリルを表す。
【００１９】アルキル、アリール、アラルキルおよびヘ
テロアルキル基は、さらに、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ、Ｉ、Ｃ1
−Ｃ4−アルコキシまたはＣ1−Ｃ4−アルキルによりさ
らに置換されうる。
テロアルキル基は、さらに、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｆ、Ｉ、Ｃ1
−Ｃ4−アルコキシまたはＣ1−Ｃ4−アルキルによりさ
らに置換されうる。
【００２０】本発明の方法では、例えば、下記の一般式
（Ｂ１）〜（Ｂ１５）のエナンチオマー的に純粋なビス
ホスフィン類を有する触媒を使用することができる：一
般式（Ｂ１）
（Ｂ１）〜（Ｂ１５）のエナンチオマー的に純粋なビス
ホスフィン類を有する触媒を使用することができる：一
般式（Ｂ１）
【００２１】
【化２０】
【００２２】［式中、Ｒ2はフェニル、３−メチルフェ
ニル、４−メチルフェニル、３,５−ジメチルフェニ
ル、４−メトキシフェニル、３,５−ジメチル−４−メ
トキシフェニル、シクロヘキシルまたはシクロペンチル
を示す］、もしくは一般式（Ｂ２）
ニル、４−メチルフェニル、３,５−ジメチルフェニ
ル、４−メトキシフェニル、３,５−ジメチル−４−メ
トキシフェニル、シクロヘキシルまたはシクロペンチル
を示す］、もしくは一般式（Ｂ２）
【００２３】
【化２１】
【００２４】［式中、Ｒ3はフェニル、４−メチルフェ
ニル、３,５−ジメチルフェニル、４−メトキシフェニ
ル、３,５−ジメチル−４−メトキシフェニルまたはシ
クロヘキシルを示す］、もしくは一般式（Ｂ３）
ニル、３,５−ジメチルフェニル、４−メトキシフェニ
ル、３,５−ジメチル−４−メトキシフェニルまたはシ
クロヘキシルを示す］、もしくは一般式（Ｂ３）
【００２５】
【化２２】
【００２６】［式中、Ｒ3はフェニル、４−メチルフェ
ニル、３,５−ジメチルフェニル、４−メトキシフェニ
ル、３,５−ジメチル−４−メトキシフェニルまたはシ
クロヘキシルを示し、Ｒ4はＨ、メチルまたはメトキシ
を示し、Ｒ5はＨ、メチル、メトキシまたは塩素を示
し、そしてＲ6はメチル、メトキシまたはトリフルオロ
メチルを示す］、もしくは一般式（Ｂ４）
ニル、３,５−ジメチルフェニル、４−メトキシフェニ
ル、３,５−ジメチル−４−メトキシフェニルまたはシ
クロヘキシルを示し、Ｒ4はＨ、メチルまたはメトキシ
を示し、Ｒ5はＨ、メチル、メトキシまたは塩素を示
し、そしてＲ6はメチル、メトキシまたはトリフルオロ
メチルを示す］、もしくは一般式（Ｂ４）
【００２７】
【化２３】
【００２８】［式中、Ｒ7はメチル、エチル、プロピル
またはイソプロピルを表す］のビスホスフィン、または
式（Ｂ５）
またはイソプロピルを表す］のビスホスフィン、または
式（Ｂ５）
【００２９】
【化２４】
【００３０】の２,３−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブ
タン、または式（Ｂ６）
タン、または式（Ｂ６）
【００３１】
【化２５】
【００３２】の１,２−ビス(ジフェニルホスフィノ)プ
ロパン、または式（Ｂ７）
ロパン、または式（Ｂ７）
【００３３】
【化２６】
【００３４】の５,６−ビス(ジフェニルホスフィノ)−
２−ノルボルナン、または式（Ｂ８）
２−ノルボルナン、または式（Ｂ８）
【００３５】
【化２７】
【００３６】の１−置換された３,４−ビス(ジフェニル
ホスフィノ)ピロリジン、または式（Ｂ９）
ホスフィノ)ピロリジン、または式（Ｂ９）
【００３７】
【化２８】
【００３８】の２,４−ビス(ジフェニルホスフィノ)ペ
ンタン、または式（Ｂ１０）
ンタン、または式（Ｂ１０）
【００３９】
【化２９】
【００４０】の２,３−Ｏ−イソプロピリデン−２,３−
ジヒドロキシ−１,４−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブ
タン、または一般式（Ｂ１１）
ジヒドロキシ−１,４−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブ
タン、または一般式（Ｂ１１）
【００４１】
【化３０】
【００４２】の１,２−ビス[(ｏ−メトキシフェニル)フ
ェニルホスフィノ]エタン、または式（Ｂ１２）
ェニルホスフィノ]エタン、または式（Ｂ１２）
【００４３】
【化３１】
【００４４】の１−[１′,２−ビス(ジフェニルホスフ
ィノ)フェロセニル]エタノール、または式（Ｂ１３）
ィノ)フェロセニル]エタノール、または式（Ｂ１３）
【００４５】
【化３２】
【００４６】もしくは一般式（Ｂ１４）
【００４７】
【化３３】
【００４８】［式中、Ｒ8はフェニル、シクロヘキシ
ル、４−メチルフェニル、４−メトキシフェニル、３,
５−ジメチルフェニル、３,５−ジメチル−４−メトキ
シフェニル、４−ｔｅｒｔ−ブチルまたは３,５−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルを示す］の１−ｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニル
ホスフィノメチルピロリジン、または一般式（Ｂ１５）
ル、４−メチルフェニル、４−メトキシフェニル、３,
５−ジメチルフェニル、３,５−ジメチル−４−メトキ
シフェニル、４−ｔｅｒｔ−ブチルまたは３,５−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルを示す］の１−ｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニル
ホスフィノメチルピロリジン、または一般式（Ｂ１５）
【００４９】
【化３４】
【００５０】［式中、Ｒ8は式Ｂ１４に関して記載され
た意味を有し、そしてＲ9はＣ1−Ｃ8−アルキル、フェ
ニルまたはＣ1−Ｃ4−アルコキシによりモノ置換ないし
トリ置換されたフェニルを示す］のフェロセニルジホス
フィン類。
た意味を有し、そしてＲ9はＣ1−Ｃ8−アルキル、フェ
ニルまたはＣ1−Ｃ4−アルコキシによりモノ置換ないし
トリ置換されたフェニルを示す］のフェロセニルジホス
フィン類。
【００５１】適する上記の式（Ｂ１）のビスホスフィン
類は、J. Org. Chem. 1986, 51, 629 に記載されている
２,２μ−ビス(ジフェニルホスフィノ)−１,１μ−ビナ
フチル、２,２μ−ビス(ジ−４−トリルホスフィノ)−
１,１μ−ビナフチルである。
類は、J. Org. Chem. 1986, 51, 629 に記載されている
２,２μ−ビス(ジフェニルホスフィノ)−１,１μ−ビナ
フチル、２,２μ−ビス(ジ−４−トリルホスフィノ)−
１,１μ−ビナフチルである。
【００５２】適する上記の式（Ｂ３）のビスホスフィン
類は、ＥＰ−Ａ ０ ７４９ ９７３に記載されている
(５,５′−ジクロロ−６,６′−ジメトキシビフェニル
−２,２′−ジイル)−ビスジフェニルホスフィン、(４,
４′,６,６′−テトラメチル−５,５′−ジメトキシビ
フェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフ
ィン)、Chem. Pharm. Bull. 1991, 39, 1085 に記載さ
れている(４,４′,６,６′−テトラメチル−５,５′−
ジメトキシビフェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジ−
ｐ−メトキシ−フェニルホスフィン)、(４,４′,６,
６′−テトラトリフルオロメチルビフェニル−２,２′
−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)、Synlett 199
1, 827 に記載されている(４,６−ジトリフルオロメチ
ル−４′,６′−ジメチル−５′−メトキシビフェニル
−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)、Te
trahedron: Asymmetry 1992, 3, 13 に記載されている
(２−ジシクロヘキシル−２′−ジフェニルホスフィノ
−４,４′,６,６′−テトラメチル−５,５′−ジメトキ
シビフェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホ
スフィン)、(６,６′−ジメチル−２,２′−ビフェニレ
ン)−ビス(ジフェニルホスフィン)、(４,４′,６,６′
−テトラメチル−２,２′−ビフェニレン)−ビス(ジフ
ェニルホスフィン)、(３,３′,６,６′−テトラメチル
−２,２′−ビフェニレン)−ビス(ジフェニルホスフィ
ン)、(４,４′−ジフルオロ−６,６′−ジメチル−２,
２′−ビフェニレン)−ビス(ジフェニルホスフィン)、
(４,４′−ビス(ジメチルアミノ)−６,６′−ジメチル
−２,２′−ビフェニレン)−ビス(ジフェニルホスフィ
ン)、(６,６′−ジメチル−２,２′−ビフェニレン)−
ビス(ジ−ｐ−トリルホスフィン)、(６,６′−ジメチル
−２,２′−ビフェニレン)−ビス(ジ−ｏ−トリルホス
フィン)、(６,６′−ジメチル−２,２′−ビフェニレ
ン)−ビス(ジ−ｍ−フルオロフェニルホスフィン)、Ｊ
Ｐ−Ｂ−４−１５７９６（ここで「Ｂ」は審査された日
本特許出願を示す）に記載されている１,１１−ビス(ジ
フェニルホスフィノ)−５,７−ジヒドロジベンゾ[ｃ,
ｅ]オキセピン、(６,６′−ジメトキシビフェニル−２,
２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)、(５,
５′,６,６′−テトラメトキシビフェニル−２,２′−
ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)、(６,６′−ジ
メトキシビフェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジ−ｐ
−トリルホスフィン)、およびＪＰ−Ａ−３−５４９２
に記載されている(４,４′,５,５′,６,６′−ヘキサメ
トキシビフェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニ
ルホスフィン)である。
類は、ＥＰ−Ａ ０ ７４９ ９７３に記載されている
(５,５′−ジクロロ−６,６′−ジメトキシビフェニル
−２,２′−ジイル)−ビスジフェニルホスフィン、(４,
４′,６,６′−テトラメチル−５,５′−ジメトキシビ
フェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフ
ィン)、Chem. Pharm. Bull. 1991, 39, 1085 に記載さ
れている(４,４′,６,６′−テトラメチル−５,５′−
ジメトキシビフェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジ−
ｐ−メトキシ−フェニルホスフィン)、(４,４′,６,
６′−テトラトリフルオロメチルビフェニル−２,２′
−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)、Synlett 199
1, 827 に記載されている(４,６−ジトリフルオロメチ
ル−４′,６′−ジメチル−５′−メトキシビフェニル
−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)、Te
trahedron: Asymmetry 1992, 3, 13 に記載されている
(２−ジシクロヘキシル−２′−ジフェニルホスフィノ
−４,４′,６,６′−テトラメチル−５,５′−ジメトキ
シビフェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホ
スフィン)、(６,６′−ジメチル−２,２′−ビフェニレ
ン)−ビス(ジフェニルホスフィン)、(４,４′,６,６′
−テトラメチル−２,２′−ビフェニレン)−ビス(ジフ
ェニルホスフィン)、(３,３′,６,６′−テトラメチル
−２,２′−ビフェニレン)−ビス(ジフェニルホスフィ
ン)、(４,４′−ジフルオロ−６,６′−ジメチル−２,
２′−ビフェニレン)−ビス(ジフェニルホスフィン)、
(４,４′−ビス(ジメチルアミノ)−６,６′−ジメチル
−２,２′−ビフェニレン)−ビス(ジフェニルホスフィ
ン)、(６,６′−ジメチル−２,２′−ビフェニレン)−
ビス(ジ−ｐ−トリルホスフィン)、(６,６′−ジメチル
−２,２′−ビフェニレン)−ビス(ジ−ｏ−トリルホス
フィン)、(６,６′−ジメチル−２,２′−ビフェニレ
ン)−ビス(ジ−ｍ−フルオロフェニルホスフィン)、Ｊ
Ｐ−Ｂ−４−１５７９６（ここで「Ｂ」は審査された日
本特許出願を示す）に記載されている１,１１−ビス(ジ
フェニルホスフィノ)−５,７−ジヒドロジベンゾ[ｃ,
ｅ]オキセピン、(６,６′−ジメトキシビフェニル−２,
２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)、(５,
５′,６,６′−テトラメトキシビフェニル−２,２′−
ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)、(６,６′−ジ
メトキシビフェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジ−ｐ
−トリルホスフィン)、およびＪＰ−Ａ−３−５４９２
に記載されている(４,４′,５,５′,６,６′−ヘキサメ
トキシビフェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニ
ルホスフィン)である。
【００５３】適する式（Ｂ４）のビスホスフィン類は、
J. Am. Chem. Soc. 1993, 115, 10125 に記載されてい
る１,２−ビス(２,５−ジメチルホスホラノ)ベンゼン、
１,２−ビス(２,５−ジエチルホスホラノ)ベンゼン、
１,２−ビス(２,５−ジプロピルホスホラノ)ベンゼンお
よび１,２−ビス(２,５−ジイソプロピルホスホラノ)ベ
ンゼンである。
J. Am. Chem. Soc. 1993, 115, 10125 に記載されてい
る１,２−ビス(２,５−ジメチルホスホラノ)ベンゼン、
１,２−ビス(２,５−ジエチルホスホラノ)ベンゼン、
１,２−ビス(２,５−ジプロピルホスホラノ)ベンゼンお
よび１,２−ビス(２,５−ジイソプロピルホスホラノ)ベ
ンゼンである。
【００５４】本発明の方法における好ましい貴金属錯体
触媒は特にルテニウム、ロジウムおよびイリジウムをベ
ースにしたものである。特に好ましくは、ルテニウム錯
体触媒が使用される。
触媒は特にルテニウム、ロジウムおよびイリジウムをベ
ースにしたものである。特に好ましくは、ルテニウム錯
体触媒が使用される。
【００５５】適する錯体は、例えば、下記の一般式（II
I）−（Ｘ）により定義される光学活性ビスホスフィン
類のルテニウム錯体であるが、それらに限定されない： Ｒｕ2Ｃｌ4Ｂ2(Ｓ) （III） [ＲｕＨａｌＱＢ]+Ｙ- （IV） ＲｕＢnＯＯＣＲ10ＯＯＣＲ11 （Ｖ） [ＲｕＨxＢn]m+Ｙm- （VI） [ＲｕＨａｌ(ＰＲ12 2Ｒ13)Ｂ](2+)Ｈａｌ- 2 （VII） [ＲｕＨＨａｌＢ2] （VIII） [ＢＲｕ(ａｒａｃ）2] （IX） [ＢＲｕＹ2] （Ｘ） ［式中、ａｒａｃはアセチルアセトネートを示し、そし
てＢは一般式（Ｂ１）〜（Ｂ１５）のビスホスフィンを
表し、Ｈａｌはハロゲン、特に塩素、臭素またはヨウ素
を表し、Ｒ10およびＲ11は同一もしくは相異なりそして
場合によりハロゲン、特に弗素、塩素もしくは臭素によ
り置換されていてもよいＣ1−Ｃ9−アルキル、好ましく
はＣ1−Ｃ4−アルキルを表すか、または場合によりＣ1
−Ｃ4−アルキルにより置換されていてもよいフェニル
を示すか、または好ましくは炭素数４までのα−アミノ
アルキル酸を表すか、或いはＲ10およびＲ11は一緒にな
って炭素数４までのアルキリデン基を形成し、Ｒ12およ
びＲ13は同一もしくは相異なりそして場合により置換さ
れていてもよい、好ましくはＣ1−Ｃ4−アルキルまたは
ハロゲンにより置換されたフェニルを表し、Ｙはハロゲ
ン、ＣｌＯ4、ＢＦ4またはＰＦ6を表し、Ｑは未置換の
または置換されたベンゼン環、好ましくはｐ−シメンを
表し、Ｓは第三級アミン、好ましくはトリエチルアミ
ン、トリ−ｎ−ブチルアミンまたはピリジンを表し、ｎ
およびｍは同一もしくは相異なりそして１または２であ
り、ｘは０または１を表し、ここで式（VI）においてｘ
＝０である場合にはｎは１を表し且つｍは２を表し、そ
してｘ＝１である場合にはｎは２を表し且つｍは１を表
す］。
I）−（Ｘ）により定義される光学活性ビスホスフィン
類のルテニウム錯体であるが、それらに限定されない： Ｒｕ2Ｃｌ4Ｂ2(Ｓ) （III） [ＲｕＨａｌＱＢ]+Ｙ- （IV） ＲｕＢnＯＯＣＲ10ＯＯＣＲ11 （Ｖ） [ＲｕＨxＢn]m+Ｙm- （VI） [ＲｕＨａｌ(ＰＲ12 2Ｒ13)Ｂ](2+)Ｈａｌ- 2 （VII） [ＲｕＨＨａｌＢ2] （VIII） [ＢＲｕ(ａｒａｃ）2] （IX） [ＢＲｕＹ2] （Ｘ） ［式中、ａｒａｃはアセチルアセトネートを示し、そし
てＢは一般式（Ｂ１）〜（Ｂ１５）のビスホスフィンを
表し、Ｈａｌはハロゲン、特に塩素、臭素またはヨウ素
を表し、Ｒ10およびＲ11は同一もしくは相異なりそして
場合によりハロゲン、特に弗素、塩素もしくは臭素によ
り置換されていてもよいＣ1−Ｃ9−アルキル、好ましく
はＣ1−Ｃ4−アルキルを表すか、または場合によりＣ1
−Ｃ4−アルキルにより置換されていてもよいフェニル
を示すか、または好ましくは炭素数４までのα−アミノ
アルキル酸を表すか、或いはＲ10およびＲ11は一緒にな
って炭素数４までのアルキリデン基を形成し、Ｒ12およ
びＲ13は同一もしくは相異なりそして場合により置換さ
れていてもよい、好ましくはＣ1−Ｃ4−アルキルまたは
ハロゲンにより置換されたフェニルを表し、Ｙはハロゲ
ン、ＣｌＯ4、ＢＦ4またはＰＦ6を表し、Ｑは未置換の
または置換されたベンゼン環、好ましくはｐ−シメンを
表し、Ｓは第三級アミン、好ましくはトリエチルアミ
ン、トリ−ｎ−ブチルアミンまたはピリジンを表し、ｎ
およびｍは同一もしくは相異なりそして１または２であ
り、ｘは０または１を表し、ここで式（VI）においてｘ
＝０である場合にはｎは１を表し且つｍは２を表し、そ
してｘ＝１である場合にはｎは２を表し且つｍは１を表
す］。
【００５６】一般式（III）〜（IX）の錯体はそれ自体
既知である方法により製造することができる。
既知である方法により製造することができる。
【００５７】式（III）および（VIII）の錯体は、例え
ば、ＥＰ−Ａ−０ １７４ ０５７または J. Chem Soc.
Chem. Comm. 922 (1985) に記載された方法に従うもの
と同様なやり方で製造することができる。
ば、ＥＰ−Ａ−０ １７４ ０５７または J. Chem Soc.
Chem. Comm. 922 (1985) に記載された方法に従うもの
と同様なやり方で製造することができる。
【００５８】一般式（IV）の錯体は、例えば、ＥＰ−Ａ
−０ ３６６ ３９０またはＥＰ−Ａ−０ ７４９ ９７３
に記載されたようにして、不活性有機溶媒中で既知のル
テニウム錯体[ＲｕＨａｌ2Ｑ]2を一般式（Ｂ１）のビス
ホスフィン類と反応させることにより得られる。
−０ ３６６ ３９０またはＥＰ−Ａ−０ ７４９ ９７３
に記載されたようにして、不活性有機溶媒中で既知のル
テニウム錯体[ＲｕＨａｌ2Ｑ]2を一般式（Ｂ１）のビス
ホスフィン類と反応させることにより得られる。
【００５９】ｎ＝１である一般式（Ｖ）の錯体は、例え
ば、ＥＰ−Ａ−０ ２４５ ９５９に示されている方法に
より、一般式（III）の錯体を対応するカルボン酸と反
応させることにより得ることができる。
ば、ＥＰ−Ａ−０ ２４５ ９５９に示されている方法に
より、一般式（III）の錯体を対応するカルボン酸と反
応させることにより得ることができる。
【００６０】ｎ＝２またはｎ＝１であり且つＲ10、Ｒ11
＝ＣＦ3である一般式（Ｖ）の錯体は、ＥＰ−Ａ−０ ２
７２ ７８７に示されている方法により製造することが
できる。一般式（IV）の錯体はＥＰ−Ａ−０ ２５６ ６
３４に従う方法と同様なやり方で製造することができ
る。
＝ＣＦ3である一般式（Ｖ）の錯体は、ＥＰ−Ａ−０ ２
７２ ７８７に示されている方法により製造することが
できる。一般式（IV）の錯体はＥＰ−Ａ−０ ２５６ ６
３４に従う方法と同様なやり方で製造することができ
る。
【００６１】一般式（VII）の錯体はＥＰ−Ａ−０ ４７
０ ７５６に従う方法と同様なやり方で製造することが
できる。
０ ７５６に従う方法と同様なやり方で製造することが
できる。
【００６２】一般式（IX）の錯体は Organometallics 1
993, 1467 に示されている方法と同様なやり方で製造す
ることができる。
993, 1467 に示されている方法と同様なやり方で製造す
ることができる。
【００６３】式（Ｘ）の錯体は J. Am. Chem. Soc., 19
87, 109, 5856-5858 または Tetrahedron: Asymmetry,
5, 1994, 675-690 に示されている方法と同様なやり方
で製造することができる。
87, 109, 5856-5858 または Tetrahedron: Asymmetry,
5, 1994, 675-690 に示されている方法と同様なやり方
で製造することができる。
【００６４】ロジウムまたはイリジウムをベースとした
錯体はそれ自体既知である方法により、例えば、適当な
不活性有機または水性溶媒中で、対応するビスホスフィ
ンをロジウムまたはイリジウムを放出しうる化合物と反
応させることにより製造することもできる。
錯体はそれ自体既知である方法により、例えば、適当な
不活性有機または水性溶媒中で、対応するビスホスフィ
ンをロジウムまたはイリジウムを放出しうる化合物と反
応させることにより製造することもできる。
【００６５】使用できるロジウム−放出化合物は、例え
ば、エチレンもしくはプロピレンとの、またはビスオレ
フィン類、例えば１,５−シクロオクタジエン、１,５−
ヘキサジエン、ビシクロ(２.２.１)ヘプタ−２,５−ジ
エンとの、またはロジウムと可溶性錯体を容易に形成す
る他のジエン類との有機ロジウム錯体である。好ましい
ロジウム−放出化合物は、例えば、ジクロロ−ビス−
(１,５−シクロオクタジエン)ジロジウム、ジクロロ−
ビス(ノルボルナジエン)ジロジウム、テトラフルオロホ
ウ酸ビス−(１,５−シクロオクタジエン)ロジウムまた
は過塩素酸ビス(シクロオクタジエン)ロジウムである。
挙げることができるイリジウム−放出化合物は、例え
ば、ジクロロ−ビス−(１,５−シクロオクタジエン)ジ
イリジウムである。
ば、エチレンもしくはプロピレンとの、またはビスオレ
フィン類、例えば１,５−シクロオクタジエン、１,５−
ヘキサジエン、ビシクロ(２.２.１)ヘプタ−２,５−ジ
エンとの、またはロジウムと可溶性錯体を容易に形成す
る他のジエン類との有機ロジウム錯体である。好ましい
ロジウム−放出化合物は、例えば、ジクロロ−ビス−
(１,５−シクロオクタジエン)ジロジウム、ジクロロ−
ビス(ノルボルナジエン)ジロジウム、テトラフルオロホ
ウ酸ビス−(１,５−シクロオクタジエン)ロジウムまた
は過塩素酸ビス(シクロオクタジエン)ロジウムである。
挙げることができるイリジウム−放出化合物は、例え
ば、ジクロロ−ビス−(１,５−シクロオクタジエン)ジ
イリジウムである。
【００６６】本発明の方法を行う時には、これらの触媒
錯体を最初に製造しそして、適宜、単離しそして次に一
般式（II）の出発物質の溶液に加えることができる。し
かしながら、その代わりに、それらをその場ですなわち
すでに一般式（II）の出発物質の存在下で製造すること
もできる。
錯体を最初に製造しそして、適宜、単離しそして次に一
般式（II）の出発物質の溶液に加えることができる。し
かしながら、その代わりに、それらをその場ですなわち
すでに一般式（II）の出発物質の存在下で製造すること
もできる。
【００６７】触媒錯体の製造においては、金属対一般式
Ｂ１〜Ｂ１５のビスホスフィン類の比は便宜的には１モ
ルのビスホスフィン配位子当たり０.５〜２モルの範囲
内、好ましくは０.９〜１.１モルのルテニウムの範囲内
である。錯体中の金属対式（II）の化合物の比は一般的
には１：１０〜１：１０6の範囲内、そして好ましくは
１：３０〜１：１０5の範囲内である。
Ｂ１〜Ｂ１５のビスホスフィン類の比は便宜的には１モ
ルのビスホスフィン配位子当たり０.５〜２モルの範囲
内、好ましくは０.９〜１.１モルのルテニウムの範囲内
である。錯体中の金属対式（II）の化合物の比は一般的
には１：１０〜１：１０6の範囲内、そして好ましくは
１：３０〜１：１０5の範囲内である。
【００６８】エナンチオ選択水素化は反応条件下で不活
性である適当な有機溶媒中で行うことができる。このタ
イプの適する溶媒は、例えば、炭素数１〜６の低級アル
コール類、またはそのようなアルコール類とハロゲン化
された炭化水素類、例えば塩化メチレンもしくはクロロ
ホルムとの、または環式であってもよいエーテル類、例
えばジエチルエーテル、テトラヒドロフランもしくはジ
オキサンとの、またはケトン類、例えばアセトン、メチ
ルエチルケトンもしくはメチルイソブチルケトンとの混
合物である。混合相手として適する化合物は脂肪族炭化
水素類、例えばヘキサンおよびヘプタン、脂環式炭化水
素類、例えばシクロヘキサンおよびメチルシクロヘキサ
ン、または芳香族炭化水素類、例えばトルエンおよびベ
ンゼンである。混合相手は、適宜、純粋な形態で使用す
ることもできる。
性である適当な有機溶媒中で行うことができる。このタ
イプの適する溶媒は、例えば、炭素数１〜６の低級アル
コール類、またはそのようなアルコール類とハロゲン化
された炭化水素類、例えば塩化メチレンもしくはクロロ
ホルムとの、または環式であってもよいエーテル類、例
えばジエチルエーテル、テトラヒドロフランもしくはジ
オキサンとの、またはケトン類、例えばアセトン、メチ
ルエチルケトンもしくはメチルイソブチルケトンとの混
合物である。混合相手として適する化合物は脂肪族炭化
水素類、例えばヘキサンおよびヘプタン、脂環式炭化水
素類、例えばシクロヘキサンおよびメチルシクロヘキサ
ン、または芳香族炭化水素類、例えばトルエンおよびベ
ンゼンである。混合相手は、適宜、純粋な形態で使用す
ることもできる。
【００６９】一般式（II）の化合物は便宜的には光学活
性ビスホスフィン触媒の存在下で０〜１５０℃の範囲
内、好ましくは１５〜１００℃の範囲内の温度において
エナンチオ選択水素化される。
性ビスホスフィン触媒の存在下で０〜１５０℃の範囲
内、好ましくは１５〜１００℃の範囲内の温度において
エナンチオ選択水素化される。
【００７０】圧力は１〜２５０バールの水素の範囲内、
好ましくは５〜２００バールの範囲内であり、そして２
０〜１８０バールの範囲内の水素圧力が特に好ましい。
好ましくは５〜２００バールの範囲内であり、そして２
０〜１８０バールの範囲内の水素圧力が特に好ましい。
【００７１】本発明の方法は非常に良好な収率および同
時に高いエナンチオ選択性により特徴づけられる。アル
コールデヒドロゲナーゼを用いる酵素による還元の場合
のように、補因子の使用は必要ない。また、高価であり
且つ合成が複雑なボラン試薬の使用も必要ない。他の非
対称的水素化用に既知である光学活性ビスホスフィン配
位子が立体的に高度に要求性である、ここで使用される
トリメチルピルビン酸（エステル類）の場合にも優れた
エナンチオ選択性を生ずることは驚異的である。４０％
ｅｅもしくはそれ以上のエナンチオマー過剰率が達成さ
れる。好ましくは＞９０％ｅｅ、そして特に＞９５％ｅ
ｅ、のエナンチオマー過剰率が達成される。
時に高いエナンチオ選択性により特徴づけられる。アル
コールデヒドロゲナーゼを用いる酵素による還元の場合
のように、補因子の使用は必要ない。また、高価であり
且つ合成が複雑なボラン試薬の使用も必要ない。他の非
対称的水素化用に既知である光学活性ビスホスフィン配
位子が立体的に高度に要求性である、ここで使用される
トリメチルピルビン酸（エステル類）の場合にも優れた
エナンチオ選択性を生ずることは驚異的である。４０％
ｅｅもしくはそれ以上のエナンチオマー過剰率が達成さ
れる。好ましくは＞９０％ｅｅ、そして特に＞９５％ｅ
ｅ、のエナンチオマー過剰率が達成される。
【００７２】
【実施例】(５,５′−ジクロロ−６,６′−ジメトキシ
−ビフェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホ
スフィン）のエナンチオマー類をＥＰ−Ａ−０ ７４９
９７３の実施例３〜７に従い製造する。
−ビフェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホ
スフィン）のエナンチオマー類をＥＰ−Ａ−０ ７４９
９７３の実施例３〜７に従い製造する。
【００７３】トリメチルピルビン酸は市販されている。
そのエステル類は既知の方法に従いトリメチルピルビン
酸から酸エステル化により製造することができる。断ら
ない限り、エナンチオマー過剰率はガスクロマトグラフ
ィー（ＧＣ）により測定される。
そのエステル類は既知の方法に従いトリメチルピルビン
酸から酸エステル化により製造することができる。断ら
ない限り、エナンチオマー過剰率はガスクロマトグラフ
ィー（ＧＣ）により測定される。
【００７４】実施例１ １５ｍｌの蒸留アセトンをフラスコ中にアルゴン（５.
０）下で入れ、撹拌しながら空気抜きしそしてアルゴン
を通気する。この工程を３回繰り返す。次に、撹拌しな
がら、そしてアルゴン向流で、６１.５ｍｇの(Ｒ)−
(＋)−２,２μ−ビス(ジフェニルホスフィノ)−１,１μ
−ビナフチル（供給業者：アクロス(Acros)）および３
０.８ｍｇのビス−(２−メチルアリル)シクロオクタ−
１,５−ジエンルテニウム（III）錯体（供給業者：アク
ロス）をアセトン中に溶解させる。生じた懸濁液に０.
８４ｍｌの臭化水素（ｗ（ＨＢｒ）＝４８％）を加えそ
して混合物を撹拌しながら２回空気抜きしそしてアルゴ
ンを通気する。混合物を次にアルゴン下でさらに０.５
時間撹拌する。橙赤色溶液が生成する。
０）下で入れ、撹拌しながら空気抜きしそしてアルゴン
を通気する。この工程を３回繰り返す。次に、撹拌しな
がら、そしてアルゴン向流で、６１.５ｍｇの(Ｒ)−
(＋)−２,２μ−ビス(ジフェニルホスフィノ)−１,１μ
−ビナフチル（供給業者：アクロス(Acros)）および３
０.８ｍｇのビス−(２−メチルアリル)シクロオクタ−
１,５−ジエンルテニウム（III）錯体（供給業者：アク
ロス）をアセトン中に溶解させる。生じた懸濁液に０.
８４ｍｌの臭化水素（ｗ（ＨＢｒ）＝４８％）を加えそ
して混合物を撹拌しながら２回空気抜きしそしてアルゴ
ンを通気する。混合物を次にアルゴン下でさらに０.５
時間撹拌する。橙赤色溶液が生成する。
【００７５】別のフラスコ中に０.５２ｇのトリメチル
ピルビン酸メチルおよび５０ｍｌの蒸留メタノールをア
ルゴン下で導入する。この溶液を撹拌しながら３回空気
抜きしそしてアルゴンを通気する。触媒溶液を次にアル
ゴンと共に第一フラスコから中空針を通して第二フラス
コ中に強制的に送る。生じた黄色の濁った溶液を次にア
ルゴンにより、１００バールの窒素（５.０）を予め５
回パージした０.３リットルのＶ4Ａステンレス鋼オート
クレーブ中に強制的に送る。
ピルビン酸メチルおよび５０ｍｌの蒸留メタノールをア
ルゴン下で導入する。この溶液を撹拌しながら３回空気
抜きしそしてアルゴンを通気する。触媒溶液を次にアル
ゴンと共に第一フラスコから中空針を通して第二フラス
コ中に強制的に送る。生じた黄色の濁った溶液を次にア
ルゴンにより、１００バールの窒素（５.０）を予め５
回パージした０.３リットルのＶ4Ａステンレス鋼オート
クレーブ中に強制的に送る。
【００７６】オートクレーブを撹拌しながら（１０００
ｒｐｍ）５０℃に加熱する。５０℃においてシステムを
水素で１５０バールに加圧しそしてこれらの条件下で２
４時間にわたり水素化する。
ｒｐｍ）５０℃に加熱する。５０℃においてシステムを
水素で１５０バールに加圧しそしてこれらの条件下で２
４時間にわたり水素化する。
【００７７】オートクレーブを次に室温に冷却し、減圧
しそして窒素をパージする。
しそして窒素をパージする。
【００７８】ＧＣによると、トリメチル乳酸メチルの収
率は定量的でありそしてＲエナンチオマーのエナンチオ
マー過剰率は９７.８％である。
率は定量的でありそしてＲエナンチオマーのエナンチオ
マー過剰率は９７.８％である。
【００７９】実施例２ １５ｍｌの蒸留アセトンをフラスコ中にアルゴン（５.
０）下で入れ、撹拌しながら空気抜きしそしてアルゴン
を通気する。この工程を３回繰り返す。次に、撹拌しな
がらそしてアルゴン向流で、４９.９ｍｇの(４Ｓ,５Ｓ)
−(＋)−４,５−ビス(ジフェニルホスフィノメチル)−
２,３−ジメチル−１,３−ジオキソラン（供給業者：ア
ルドリッヒ(Aldrich)）および３０.８ｍｇのビス−(２
−メチルアリル)シクロオクタ−１,５−ジエンルテニウ
ム（III）錯体（供給業者：アクロス）をアセトン中に
溶解させた。生じた懸濁液に０.８４ｍｌの臭化水素
（ｗ（ＨＢｒ）＝４８％）を加えそして混合物を撹拌し
ながら２回空気抜きしそしてアルゴンを通気する。混合
物を次にアルゴン下でさらに０.５時間撹拌する。橙赤
色溶液が生成する。
０）下で入れ、撹拌しながら空気抜きしそしてアルゴン
を通気する。この工程を３回繰り返す。次に、撹拌しな
がらそしてアルゴン向流で、４９.９ｍｇの(４Ｓ,５Ｓ)
−(＋)−４,５−ビス(ジフェニルホスフィノメチル)−
２,３−ジメチル−１,３−ジオキソラン（供給業者：ア
ルドリッヒ(Aldrich)）および３０.８ｍｇのビス−(２
−メチルアリル)シクロオクタ−１,５−ジエンルテニウ
ム（III）錯体（供給業者：アクロス）をアセトン中に
溶解させた。生じた懸濁液に０.８４ｍｌの臭化水素
（ｗ（ＨＢｒ）＝４８％）を加えそして混合物を撹拌し
ながら２回空気抜きしそしてアルゴンを通気する。混合
物を次にアルゴン下でさらに０.５時間撹拌する。橙赤
色溶液が生成する。
【００８０】別のフラスコ中に、０.５２ｇのトリメチ
ルピルビン酸メチルおよび５０ｍｌの蒸留メタノールを
アルゴン下で導入する。この溶液を撹拌しながら３回空
気抜きしそしてアルゴンを通気する。触媒溶液を次にア
ルゴンと共に第一フラスコから中空針を通して第二フラ
スコ中に強制的に送る。生じた黄色の濁った溶液を次に
アルゴンにより、１００バールの窒素（５.０）を予め
５回パージした０.３リットルのＶ4Ａステンレス鋼オー
トクレーブ中に強制的に送る。
ルピルビン酸メチルおよび５０ｍｌの蒸留メタノールを
アルゴン下で導入する。この溶液を撹拌しながら３回空
気抜きしそしてアルゴンを通気する。触媒溶液を次にア
ルゴンと共に第一フラスコから中空針を通して第二フラ
スコ中に強制的に送る。生じた黄色の濁った溶液を次に
アルゴンにより、１００バールの窒素（５.０）を予め
５回パージした０.３リットルのＶ4Ａステンレス鋼オー
トクレーブ中に強制的に送る。
【００８１】オートクレーブを撹拌しながら（１０００
ｒｐｍ）５０℃に加熱する。５０℃においてシステムを
水素で１５０バールに加圧しそして水素化をこれらの条
件下で２４時間にわたり行う。オートクレーブを次に室
温に冷却し、減圧しそして窒素をパージする。
ｒｐｍ）５０℃に加熱する。５０℃においてシステムを
水素で１５０バールに加圧しそして水素化をこれらの条
件下で２４時間にわたり行う。オートクレーブを次に室
温に冷却し、減圧しそして窒素をパージする。
【００８２】ＧＣによると、トリメチル乳酸メチルの収
率は３７％でありそしてＲエナンチオマーのエナンチオ
マー過剰率は４４％である。
率は３７％でありそしてＲエナンチオマーのエナンチオ
マー過剰率は４４％である。
【００８３】実施例３ １５ｍｌの蒸留アセトンをフラスコ中にアルゴン（５.
０）下で入れ、撹拌しながら空気抜きしそしてアルゴン
を通気する。この工程を３回繰り返す。次に、撹拌しな
がら、そしてアルゴン向流で、４２.６ｍｇの(２Ｓ,３
Ｓ)−(−)−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン（供給
業者：アルドリッヒ）および３０.８ｍｇのビス−(２−
メチルアリル)シクロオクタ−１,５−ジエンルテニウム
（III）錯体（供給業者：アクロス）をアセトン中に溶
解させる。生じた懸濁液に０.８４ｍｌの臭化水素（ｗ
（ＨＢｒ）＝４８％）を加えそして混合物を撹拌しなが
ら２回空気抜きしそしてアルゴンを通気する。混合物を
次にアルゴン下でさらに０.５時間撹拌する。橙赤色溶
液が生成する。
０）下で入れ、撹拌しながら空気抜きしそしてアルゴン
を通気する。この工程を３回繰り返す。次に、撹拌しな
がら、そしてアルゴン向流で、４２.６ｍｇの(２Ｓ,３
Ｓ)−(−)−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン（供給
業者：アルドリッヒ）および３０.８ｍｇのビス−(２−
メチルアリル)シクロオクタ−１,５−ジエンルテニウム
（III）錯体（供給業者：アクロス）をアセトン中に溶
解させる。生じた懸濁液に０.８４ｍｌの臭化水素（ｗ
（ＨＢｒ）＝４８％）を加えそして混合物を撹拌しなが
ら２回空気抜きしそしてアルゴンを通気する。混合物を
次にアルゴン下でさらに０.５時間撹拌する。橙赤色溶
液が生成する。
【００８４】別のフラスコ中に、０.５２ｇのトリメチ
ルピルビン酸メチルおよび５０ｍｌの蒸留メタノールを
アルゴン下で導入する。この溶液を撹拌しながら３回空
気抜きしそしてアルゴンを通気する。触媒溶液を次にア
ルゴンにより第一フラスコから中空針を通して第二フラ
スコ中に強制的に送る。生じた黄色の濁った溶液を次に
アルゴンにより、１００バールの窒素（５.０）を予め
５回パージした０.３リットルのＶ4Ａステンレス鋼オー
トクレーブ中に強制的に送る。
ルピルビン酸メチルおよび５０ｍｌの蒸留メタノールを
アルゴン下で導入する。この溶液を撹拌しながら３回空
気抜きしそしてアルゴンを通気する。触媒溶液を次にア
ルゴンにより第一フラスコから中空針を通して第二フラ
スコ中に強制的に送る。生じた黄色の濁った溶液を次に
アルゴンにより、１００バールの窒素（５.０）を予め
５回パージした０.３リットルのＶ4Ａステンレス鋼オー
トクレーブ中に強制的に送る。
【００８５】オートクレーブを撹拌しながら（１０００
ｒｐｍ）５０℃に加熱する。５０℃においてシステムを
水素で１５０バールに加圧しそして水素化をこれらの条
件下で２４時間にわたり行う。オートクレーブを次に室
温に冷却し、減圧しそして窒素をパージする。
ｒｐｍ）５０℃に加熱する。５０℃においてシステムを
水素で１５０バールに加圧しそして水素化をこれらの条
件下で２４時間にわたり行う。オートクレーブを次に室
温に冷却し、減圧しそして窒素をパージする。
【００８６】ＧＣによると、トリメチル乳酸メチルの収
率は１６％でありそしてＲエナンチオマーのエナンチオ
マー過剰率は５３.４％である。
率は１６％でありそしてＲエナンチオマーのエナンチオ
マー過剰率は５３.４％である。
【００８７】実施例４ １５ｍｌの蒸留アセトンをフラスコ中にアルゴン（５.
０）下で入れ、撹拌しながら空気抜きしそしてアルゴン
を通気する。この工程を３回繰り返す。次に、撹拌しな
がら、そしてアルゴン向流で、６５.１ｍｇの(＋)−
(５,５′−ジクロロ−６,６′−ジメトキシビフェニル
−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)およ
び３０.８ｍｇのビス−(２−メチルアリル)シクロオク
タ−１,５−ジエンルテニウム（III）錯体（供給業者：
アクロス）をアセトン中に溶解させる。生じた懸濁液に
０.８４ｍｌの臭化水素（ｗ（ＨＢｒ）＝４８％）を加
えそして混合物を撹拌しながら２回空気抜きしそしてア
ルゴンを通気する。混合物を次にアルゴン下でさらに
０.５時間撹拌する。橙赤色溶液が生成する。
０）下で入れ、撹拌しながら空気抜きしそしてアルゴン
を通気する。この工程を３回繰り返す。次に、撹拌しな
がら、そしてアルゴン向流で、６５.１ｍｇの(＋)−
(５,５′−ジクロロ−６,６′−ジメトキシビフェニル
−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)およ
び３０.８ｍｇのビス−(２−メチルアリル)シクロオク
タ−１,５−ジエンルテニウム（III）錯体（供給業者：
アクロス）をアセトン中に溶解させる。生じた懸濁液に
０.８４ｍｌの臭化水素（ｗ（ＨＢｒ）＝４８％）を加
えそして混合物を撹拌しながら２回空気抜きしそしてア
ルゴンを通気する。混合物を次にアルゴン下でさらに
０.５時間撹拌する。橙赤色溶液が生成する。
【００８８】別のフラスコ中に、０.５２ｇのトリメチ
ルピルビン酸メチルおよび５０ｍｌの蒸留メタノールを
アルゴン下で導入する。この溶液を撹拌しながら３回空
気抜きしそしてアルゴンを通気する。触媒溶液を次にア
ルゴンにより第一フラスコから中空針を通して第二フラ
スコ中に強制的に送る。生じた黄色の濁った溶液を次に
アルゴンにより、１００バールの窒素（５.０）を予め
５回パージした０.３リットルのＶ4Ａステンレス鋼オー
トクレーブ中に強制的に送る。
ルピルビン酸メチルおよび５０ｍｌの蒸留メタノールを
アルゴン下で導入する。この溶液を撹拌しながら３回空
気抜きしそしてアルゴンを通気する。触媒溶液を次にア
ルゴンにより第一フラスコから中空針を通して第二フラ
スコ中に強制的に送る。生じた黄色の濁った溶液を次に
アルゴンにより、１００バールの窒素（５.０）を予め
５回パージした０.３リットルのＶ4Ａステンレス鋼オー
トクレーブ中に強制的に送る。
【００８９】オートクレーブを撹拌しながら（１０００
ｒｐｍ）５０℃に加熱する。５０℃においてシステムを
水素で１５０バールに加圧しそして水素化をこれらの条
件下で２４時間にわたり行う。
ｒｐｍ）５０℃に加熱する。５０℃においてシステムを
水素で１５０バールに加圧しそして水素化をこれらの条
件下で２４時間にわたり行う。
【００９０】オートクレーブを次に室温に冷却し、減圧
しそして窒素をパージする。
しそして窒素をパージする。
【００９１】ＧＣによると、トリメチル乳酸メチルの収
率は９７.５％でありそしてＲエナンチオマーのエナン
チオマー過剰率は＞９８％である。
率は９７.５％でありそしてＲエナンチオマーのエナン
チオマー過剰率は＞９８％である。
【００９２】実施例５ １５ｍｌの蒸留アセトンをフラスコ中にアルゴン（５.
０）下で入れ、撹拌しながら空気抜きしそしてアルゴン
を通気する。この工程を３回繰り返す。次に、撹拌しな
がら、そしてアルゴン向流で、６５.１ｍｇの(＋)−
(５,５′−ジクロロ−６,６′−ジメトキシビフェニル
−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)およ
び３０.８ｍｇのビス−(２−メチルアリル)シクロオク
タ−１,５−ジエンルテニウム（III）錯体（供給業者：
アクロス）をアセトン中に溶解させる。生じた懸濁液に
０.８４ｍｌの臭化水素（ｗ（ＨＢｒ）＝４８％）を加
えそして混合物を撹拌しながら２回空気抜きしそしてア
ルゴンを通気する。混合物を次にアルゴン下でさらに
０.５時間撹拌する。橙赤色溶液が生成する。
０）下で入れ、撹拌しながら空気抜きしそしてアルゴン
を通気する。この工程を３回繰り返す。次に、撹拌しな
がら、そしてアルゴン向流で、６５.１ｍｇの(＋)−
(５,５′−ジクロロ−６,６′−ジメトキシビフェニル
−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)およ
び３０.８ｍｇのビス−(２−メチルアリル)シクロオク
タ−１,５−ジエンルテニウム（III）錯体（供給業者：
アクロス）をアセトン中に溶解させる。生じた懸濁液に
０.８４ｍｌの臭化水素（ｗ（ＨＢｒ）＝４８％）を加
えそして混合物を撹拌しながら２回空気抜きしそしてア
ルゴンを通気する。混合物を次にアルゴン下でさらに
０.５時間撹拌する。橙赤色溶液が生成する。
【００９３】別のフラスコ中に、５.２ｇのトリメチル
ピルビン酸メチルおよび５０ｍｌの蒸留メタノールをア
ルゴン下で導入する。この溶液を撹拌しながら３回空気
抜きしそしてアルゴンを通気する。触媒溶液を次にアル
ゴンにより第一フラスコから中空針を通して第二フラス
コ中に強制的に送る。生じた黄色の濁った溶液を次にア
ルゴンにより、１００バールの窒素（５.０）を予め５
回パージした０.３リットルのＶ4Ａステンレス鋼オート
クレーブ中に強制的に送る。
ピルビン酸メチルおよび５０ｍｌの蒸留メタノールをア
ルゴン下で導入する。この溶液を撹拌しながら３回空気
抜きしそしてアルゴンを通気する。触媒溶液を次にアル
ゴンにより第一フラスコから中空針を通して第二フラス
コ中に強制的に送る。生じた黄色の濁った溶液を次にア
ルゴンにより、１００バールの窒素（５.０）を予め５
回パージした０.３リットルのＶ4Ａステンレス鋼オート
クレーブ中に強制的に送る。
【００９４】オートクレーブを撹拌しながら（１０００
ｒｐｍ）５０℃に加熱する。５０℃においてシステムを
水素で１５０バールに加圧しそして水素化をこれらの条
件下で２４時間にわたり行う。オートクレーブを次に室
温に冷却し、減圧しそして窒素をパージする。水素化溶
液から次に溶媒を除去しそして蒸留する。
ｒｐｍ）５０℃に加熱する。５０℃においてシステムを
水素で１５０バールに加圧しそして水素化をこれらの条
件下で２４時間にわたり行う。オートクレーブを次に室
温に冷却し、減圧しそして窒素をパージする。水素化溶
液から次に溶媒を除去しそして蒸留する。
【００９５】単離された収量は３ｇ（理論値の５８％）
である。ＧＣによると、(Ｒ)−トリメチル乳酸メチルの
含有量は＞９９％であり、エナンチオマー過剰率は＞９
８％ｅｅである。
である。ＧＣによると、(Ｒ)−トリメチル乳酸メチルの
含有量は＞９９％であり、エナンチオマー過剰率は＞９
８％ｅｅである。
【００９６】実施例６ １５ｍｌの蒸留アセトンをフラスコ中にアルゴン（５.
０）下で入れ、撹拌しながら空気抜きしそしてアルゴン
を通気する。この工程を３回繰り返す。次に、撹拌しな
がら、そしてアルゴン向流で、１３ｍｇの(＋)−(５,
５′−ジクロロ−６,６′−ジメトキシビフェニル−２,
２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)および６.
２ｍｇのビス−(２−メチルアリル)シクロオクタ−１,
５−ジエンルテニウム（III）錯体（供給業者：アクロ
ス）をアセトン中に溶解させる。生じた懸濁液に０.１
７ｍｌの臭化水素（ｗ（ＨＢｒ）＝４８％）を加えそし
て混合物を撹拌しながら２回空気抜きしそしてアルゴン
を通気する。混合物を次にアルゴン下でさらに０.５時
間撹拌する。橙赤色溶液が生成する。
０）下で入れ、撹拌しながら空気抜きしそしてアルゴン
を通気する。この工程を３回繰り返す。次に、撹拌しな
がら、そしてアルゴン向流で、１３ｍｇの(＋)−(５,
５′−ジクロロ−６,６′−ジメトキシビフェニル−２,
２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)および６.
２ｍｇのビス−(２−メチルアリル)シクロオクタ−１,
５−ジエンルテニウム（III）錯体（供給業者：アクロ
ス）をアセトン中に溶解させる。生じた懸濁液に０.１
７ｍｌの臭化水素（ｗ（ＨＢｒ）＝４８％）を加えそし
て混合物を撹拌しながら２回空気抜きしそしてアルゴン
を通気する。混合物を次にアルゴン下でさらに０.５時
間撹拌する。橙赤色溶液が生成する。
【００９７】別のフラスコ中に、１０.４ｇのトリメチ
ルピルビン酸メチルおよび５０ｍｌの蒸留メタノールを
アルゴン下で導入する。この溶液を撹拌しながら３回空
気抜きしそしてアルゴンを通気する。触媒溶液を次にア
ルゴンにより第一フラスコから中空針を通して第二フラ
スコ中に強制的に送る。生じた黄色の濁った溶液を次に
アルゴンにより、１００バールの窒素（５.０）を予め
５回パージした０.３リットルのＶ4Ａステンレス鋼オー
トクレーブ中に強制的に送る。
ルピルビン酸メチルおよび５０ｍｌの蒸留メタノールを
アルゴン下で導入する。この溶液を撹拌しながら３回空
気抜きしそしてアルゴンを通気する。触媒溶液を次にア
ルゴンにより第一フラスコから中空針を通して第二フラ
スコ中に強制的に送る。生じた黄色の濁った溶液を次に
アルゴンにより、１００バールの窒素（５.０）を予め
５回パージした０.３リットルのＶ4Ａステンレス鋼オー
トクレーブ中に強制的に送る。
【００９８】オートクレーブを撹拌しながら（１０００
ｒｐｍ）５０℃に加熱する。５０℃においてシステムを
水素で１５０バールに加圧しそして水素化をこれらの条
件下で２４時間にわたり行う。オートクレーブを次に室
温に冷却し、減圧しそして窒素をパージする。水素化溶
液から次に減圧下で溶媒を除去する。
ｒｐｍ）５０℃に加熱する。５０℃においてシステムを
水素で１５０バールに加圧しそして水素化をこれらの条
件下で２４時間にわたり行う。オートクレーブを次に室
温に冷却し、減圧しそして窒素をパージする。水素化溶
液から次に減圧下で溶媒を除去する。
【００９９】単離された収量は９.６ｇ（理論値の９２
％）である。ＧＣによると、(Ｒ)−トリメチル乳酸メチ
ルの含有量は＞９９％であり、エナンチオマー過剰率は
９８％ｅｅである。
％）である。ＧＣによると、(Ｒ)−トリメチル乳酸メチ
ルの含有量は＞９９％であり、エナンチオマー過剰率は
９８％ｅｅである。
【０１００】実施例７ ０.５２ｇのトリメチルピルビン酸メチルおよび６５ｍ
ｌのメタノールをフラスコ中にアルゴン（５.０）下で
入れ、撹拌しながら空気抜きしそしてアルゴンを通気す
る。この工程を３回繰り返す。この溶液に、アルゴン向
流で、１１３.６ｍｇの[Ｒｕ(＋)−(５,５′−ジクロロ
−６,６′−ジメトキシビフェニル−２,２′−ジイル)
−ビス(ジフェニルホスフィン)ＣｙｍＩ]Ｉを加えそし
て混合物を撹拌しながら３回空気抜きしそしてアルゴン
を通気する。溶液を次にアルゴンにより、１００バール
の窒素（５.０）を予め５回パージした０.３リットルの
Ｖ 4Ａステンレス鋼オートクレーブ中に強制的に送る。
ｌのメタノールをフラスコ中にアルゴン（５.０）下で
入れ、撹拌しながら空気抜きしそしてアルゴンを通気す
る。この工程を３回繰り返す。この溶液に、アルゴン向
流で、１１３.６ｍｇの[Ｒｕ(＋)−(５,５′−ジクロロ
−６,６′−ジメトキシビフェニル−２,２′−ジイル)
−ビス(ジフェニルホスフィン)ＣｙｍＩ]Ｉを加えそし
て混合物を撹拌しながら３回空気抜きしそしてアルゴン
を通気する。溶液を次にアルゴンにより、１００バール
の窒素（５.０）を予め５回パージした０.３リットルの
Ｖ 4Ａステンレス鋼オートクレーブ中に強制的に送る。
【０１０１】オートクレーブを撹拌しながら（１０００
ｒｐｍ）５０℃に加熱する。５０℃においてシステムを
水素で１５０バールに加圧しそして水素化をこれらの条
件下で２４時間にわたり行う。オートクレーブを次に室
温に冷却し、減圧しそして窒素をパージする。
ｒｐｍ）５０℃に加熱する。５０℃においてシステムを
水素で１５０バールに加圧しそして水素化をこれらの条
件下で２４時間にわたり行う。オートクレーブを次に室
温に冷却し、減圧しそして窒素をパージする。
【０１０２】水素化溶液を回転蒸発器上で５０℃および
２００〜２０ミリバールで濃縮する。ＧＣによると、
(Ｒ)−トリメチル乳酸メチルへの転化率は定量的であ
り、エナンチオマー過剰率は９５.８％ｅｅである。
２００〜２０ミリバールで濃縮する。ＧＣによると、
(Ｒ)−トリメチル乳酸メチルへの転化率は定量的であ
り、エナンチオマー過剰率は９５.８％ｅｅである。
【０１０３】実施例８ ０.５２ｇのトリメチルピルビン酸メチルおよび６５ｍ
ｌのメタノールをフラスコ中にアルゴン（５.０）下で
入れ、撹拌しながら空気抜きしそしてアルゴンを通気す
る。この工程を３回繰り返す。この溶液に、アルゴン向
流で、７９.９ｍｇの[Ｒｕ(＋)−(５,５′−ジクロロ−
６,６′−ジメトキシビフェニル−２,２′−ジイル)−
ビス(ジフェニルホスフィン)ＯＡｃ2]を加えそしてシス
テムを撹拌しながら３回空気抜きしそしてアルゴンを通
気する。溶液を次にアルゴンにより、１００バールの窒
素（５.０）を予め５回パージした０.３リットルのＶ4
Ａステンレス鋼オートクレーブ中に強制的に送る。
ｌのメタノールをフラスコ中にアルゴン（５.０）下で
入れ、撹拌しながら空気抜きしそしてアルゴンを通気す
る。この工程を３回繰り返す。この溶液に、アルゴン向
流で、７９.９ｍｇの[Ｒｕ(＋)−(５,５′−ジクロロ−
６,６′−ジメトキシビフェニル−２,２′−ジイル)−
ビス(ジフェニルホスフィン)ＯＡｃ2]を加えそしてシス
テムを撹拌しながら３回空気抜きしそしてアルゴンを通
気する。溶液を次にアルゴンにより、１００バールの窒
素（５.０）を予め５回パージした０.３リットルのＶ4
Ａステンレス鋼オートクレーブ中に強制的に送る。
【０１０４】オートクレーブを撹拌しながら（１０００
ｒｐｍ）５０℃に加熱する。５０℃において、システム
を水素で１５０バールに加圧しそして水素化をこれらの
条件下で２４時間にわたり行う。オートクレーブを次に
室温に冷却し、減圧しそして窒素をパージする。水素化
溶液を回転蒸発器上で５０℃および２００−２０ミリバ
ールで濃縮する。
ｒｐｍ）５０℃に加熱する。５０℃において、システム
を水素で１５０バールに加圧しそして水素化をこれらの
条件下で２４時間にわたり行う。オートクレーブを次に
室温に冷却し、減圧しそして窒素をパージする。水素化
溶液を回転蒸発器上で５０℃および２００−２０ミリバ
ールで濃縮する。
【０１０５】ＧＣによると、(Ｒ)−トリメチル乳酸メチ
ルへの転化率は定量的であり、エナンチオマー過剰率は
４１.３％ｅｅである。
ルへの転化率は定量的であり、エナンチオマー過剰率は
４１.３％ｅｅである。
【０１０６】実施例９ ０.７６ｇの（蒸留）トリメチルピルビン酸メチルおよ
び６５ｍｌのメタノールをフラスコ中にアルゴン（５.
０）下で入れ、撹拌しながら空気抜きしそしてアルゴン
を通気する。この工程を３回繰り返す。この溶液に、ア
ルゴン向流で、１１３.６ｍｇの[Ｒｕ(＋)−(５,５′−
ジクロロ−６,６′−ジメトキシビフェニル−２,２′−
ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)ＣｙｍＩ]Ｉを加
えそしてシステムを撹拌しながら３回空気抜きしそして
アルゴンを通気する。溶液を次にアルゴンにより、１０
０バールの窒素（５.０）を予め５回パージした０.３リ
ットルのＶ4Ａステンレス鋼オートクレーブ中に強制的
に送る。
び６５ｍｌのメタノールをフラスコ中にアルゴン（５.
０）下で入れ、撹拌しながら空気抜きしそしてアルゴン
を通気する。この工程を３回繰り返す。この溶液に、ア
ルゴン向流で、１１３.６ｍｇの[Ｒｕ(＋)−(５,５′−
ジクロロ−６,６′−ジメトキシビフェニル−２,２′−
ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)ＣｙｍＩ]Ｉを加
えそしてシステムを撹拌しながら３回空気抜きしそして
アルゴンを通気する。溶液を次にアルゴンにより、１０
０バールの窒素（５.０）を予め５回パージした０.３リ
ットルのＶ4Ａステンレス鋼オートクレーブ中に強制的
に送る。
【０１０７】オートクレーブを撹拌しながら（１０００
ｒｐｍ）５０℃に加熱する。５０℃においてシステムを
水素で１５０バールに加圧しそして水素化をこれらの条
件下で２４時間にわたり行う。オートクレーブを次に室
温に冷却し、減圧しそして窒素をパージする。水素化溶
液を回転蒸発器上で５０℃および２００−２０ミリバー
ルで濃縮する。
ｒｐｍ）５０℃に加熱する。５０℃においてシステムを
水素で１５０バールに加圧しそして水素化をこれらの条
件下で２４時間にわたり行う。オートクレーブを次に室
温に冷却し、減圧しそして窒素をパージする。水素化溶
液を回転蒸発器上で５０℃および２００−２０ミリバー
ルで濃縮する。
【０１０８】(Ｒ)−トリメチル乳酸を与える収率はＧＣ
によると約８４％であり、エナンチオマー過剰率は７８
％ｅｅである。
によると約８４％であり、エナンチオマー過剰率は７８
％ｅｅである。
【０１０９】本発明の主なる特徴および態様は以下のと
おりである。
おりである。
【０１１０】１．触媒の存在下で一般式（II）
【０１１１】
【化３５】
【０１１２】［式中、Ｒ1は水素、アルキル、アリー
ル、アラルキルまたはヘテロアリールを表す］のトリメ
チルピルビン酸および／またはそのエステル類をエナン
チオ選択的に水素化することにより一般式（Ｉ）
ル、アラルキルまたはヘテロアリールを表す］のトリメ
チルピルビン酸および／またはそのエステル類をエナン
チオ選択的に水素化することにより一般式（Ｉ）
【０１１３】
【化３６】
【０１１４】［式中、Ｒ1は一般式（II）に関して記載
された意味を有する］の光学活性トリメチル乳酸および
／またはそれのエステル類を製造する方法であって、触
媒が光学活性ビスホスフィン類を配位子として含有する
貴金属錯体を含んでなることを特徴とする方法。
された意味を有する］の光学活性トリメチル乳酸および
／またはそれのエステル類を製造する方法であって、触
媒が光学活性ビスホスフィン類を配位子として含有する
貴金属錯体を含んでなることを特徴とする方法。
【０１１５】２．Ｒ1がＨ、Ｃ1−Ｃ20−アルキル、好ま
しくはＣ1−Ｃ10−アルキル、特にメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−
ブチル、ペンチル、ネオペンチルもしくはイソペンチ
ル、Ｃ6−Ｃ14−アリール、好ましくはＣ6−Ｃ10−アリ
ール、特にフェニルもしくはナフチル、Ｃ7−Ｃ15−ア
ラルキル、好ましくはＣ7−Ｃ11−アラルキル、特にベ
ンジル、またはＣ2−Ｃ12−ヘテロアリール、好ましく
はＣ2−Ｃ9−ヘテロアルキル、特に２−フリル、３−フ
リル、２−ピロリルもしくは３−ピロリルを表すことを
特徴とする上記１の方法。
しくはＣ1−Ｃ10−アルキル、特にメチル、エチル、プ
ロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−
ブチル、ペンチル、ネオペンチルもしくはイソペンチ
ル、Ｃ6−Ｃ14−アリール、好ましくはＣ6−Ｃ10−アリ
ール、特にフェニルもしくはナフチル、Ｃ7−Ｃ15−ア
ラルキル、好ましくはＣ7−Ｃ11−アラルキル、特にベ
ンジル、またはＣ2−Ｃ12−ヘテロアリール、好ましく
はＣ2−Ｃ9−ヘテロアルキル、特に２−フリル、３−フ
リル、２−ピロリルもしくは３−ピロリルを表すことを
特徴とする上記１の方法。
【０１１６】３．アルキル、アリール、アラルキルおよ
びヘテロアルキル基がＣｌ、Ｂｒ、Ｆ、Ｉ、Ｃ1−Ｃ4−
アルコキシまたはＣ1−Ｃ4−アルキルによりさらに置換
されていることを特徴とする上記２の方法。
びヘテロアルキル基がＣｌ、Ｂｒ、Ｆ、Ｉ、Ｃ1−Ｃ4−
アルコキシまたはＣ1−Ｃ4−アルキルによりさらに置換
されていることを特徴とする上記２の方法。
【０１１７】４．下記の一般式（Ｂ１）〜（Ｂ１５）の
光学活性ビスホスフィン類を含有する触媒を使用するこ
とを特徴とする上記１〜３の１項もしくはそれ以上に記
載の方法：一般式（Ｂ１）
光学活性ビスホスフィン類を含有する触媒を使用するこ
とを特徴とする上記１〜３の１項もしくはそれ以上に記
載の方法：一般式（Ｂ１）
【０１１８】
【化３７】
【０１１９】［式中、Ｒ2はフェニル、３−メチルフェ
ニル、４−メチルフェニル、３,５−ジメチルフェニ
ル、４−メトキシフェニル、３,５−ジメチル−４−メ
トキシフェニル、シクロヘキシルまたはシクロペンチル
を示す］、もしくは一般式（Ｂ２）
ニル、４−メチルフェニル、３,５−ジメチルフェニ
ル、４−メトキシフェニル、３,５−ジメチル−４−メ
トキシフェニル、シクロヘキシルまたはシクロペンチル
を示す］、もしくは一般式（Ｂ２）
【０１２０】
【化３８】
【０１２１】［式中、Ｒ3はフェニル、４−メチルフェ
ニル、３,５−ジメチルフェニル、４−メトキシフェニ
ル、３,５−ジメチル−４−メトキシフェニルまたはシ
クロヘキシルを示す］、もしくは一般式（Ｂ３）
ニル、３,５−ジメチルフェニル、４−メトキシフェニ
ル、３,５−ジメチル−４−メトキシフェニルまたはシ
クロヘキシルを示す］、もしくは一般式（Ｂ３）
【０１２２】
【化３９】
【０１２３】［式中、Ｒ3はフェニル、４−メチルフェ
ニル、３,５−ジメチルフェニル、４−メトキシフェニ
ル、３,５−ジメチル−４−メトキシフェニルまたはシ
クロヘキシルを示し、Ｒ4はＨ、メチルまたはメトキシ
を示し、Ｒ5はＨ、メチル、メトキシまたは塩素を示
し、そしてＲ6はメチル、メトキシまたはトリフルオロ
メチルを示す］、もしくは一般式（Ｂ４）
ニル、３,５−ジメチルフェニル、４−メトキシフェニ
ル、３,５−ジメチル−４−メトキシフェニルまたはシ
クロヘキシルを示し、Ｒ4はＨ、メチルまたはメトキシ
を示し、Ｒ5はＨ、メチル、メトキシまたは塩素を示
し、そしてＲ6はメチル、メトキシまたはトリフルオロ
メチルを示す］、もしくは一般式（Ｂ４）
【０１２４】
【化４０】
【０１２５】［式中、Ｒ7はメチル、エチル、プロピル
またはイソプロピルを表す］のビスホスフィン、または
式（Ｂ５）
またはイソプロピルを表す］のビスホスフィン、または
式（Ｂ５）
【０１２６】
【化４１】
【０１２７】の２,３−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブ
タン、または式（Ｂ６）
タン、または式（Ｂ６）
【０１２８】
【化４２】
【０１２９】の１,２−ビス(ジフェニルホスフィノ)プ
ロパン、または式（Ｂ７）
ロパン、または式（Ｂ７）
【０１３０】
【化４３】
【０１３１】の５,６−ビス(ジフェニルホスフィノ)−
２−ノルボルナン、または式（Ｂ８）
２−ノルボルナン、または式（Ｂ８）
【０１３２】
【化４４】
【０１３３】の１−置換された３,４−ビス(ジフェニル
ホスフィノ)ピロリジン、または式（Ｂ９）
ホスフィノ)ピロリジン、または式（Ｂ９）
【０１３４】
【化４５】
【０１３５】の２,４−ビス(ジフェニルホスフィノ)ペ
ンタン、または式（Ｂ１０）
ンタン、または式（Ｂ１０）
【０１３６】
【化４６】
【０１３７】の２,３−Ｏ−イソプロピリデン−２,３−
ジヒドロキシ−１,４−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブ
タン、または一般式（Ｂ１１）
ジヒドロキシ−１,４−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブ
タン、または一般式（Ｂ１１）
【０１３８】
【化４７】
【０１３９】の１,２−ビス[(ｏ−メトキシフェニル)フ
ェニルホスフィノ]エタン、または式（Ｂ１２）
ェニルホスフィノ]エタン、または式（Ｂ１２）
【０１４０】
【化４８】
【０１４１】の１−[１′,２−ビス(ジフェニルホスフ
ィノ)フェロセニル]エタノール、または式（Ｂ１３）
ィノ)フェロセニル]エタノール、または式（Ｂ１３）
【０１４２】
【化４９】
【０１４３】もしくは一般式（Ｂ１４）
【０１４４】
【化５０】
【０１４５】［式中、Ｒ8はフェニル、シクロヘキシ
ル、４−メチルフェニル、４−メトキシフェニル、３,
５−ジメチルフェニル、３,５−ジメチル−４−メトキ
シフェニル、４−ｔｅｒｔ−ブチルまたは３,５−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルを示す］の１−ｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニル
ホスフィノメチルピロリジン、または一般式（Ｂ１５）
ル、４−メチルフェニル、４−メトキシフェニル、３,
５−ジメチルフェニル、３,５−ジメチル−４−メトキ
シフェニル、４−ｔｅｒｔ−ブチルまたは３,５−ジ−
ｔｅｒｔ−ブチルを示す］の１−ｔｅｒｔ−ブトキシカ
ルボニル−４−ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニル
ホスフィノメチルピロリジン、または一般式（Ｂ１５）
【０１４６】
【化５１】
【０１４７】［式中、Ｒ8は式Ｂ１４に関して記載され
た意味を有し、そしてＲ9はＣ1−Ｃ8−アルキル、フェ
ニルまたはＣ1−Ｃ4−アルコキシによりモノ置換ないし
トリ置換されたフェニルを示す］のフェロセニルジホス
フィン類。
た意味を有し、そしてＲ9はＣ1−Ｃ8−アルキル、フェ
ニルまたはＣ1−Ｃ4−アルコキシによりモノ置換ないし
トリ置換されたフェニルを示す］のフェロセニルジホス
フィン類。
【０１４８】５．使用される式（Ｂ１）のビスホスフィ
ンが２,２μ−ビス(ジフェニルホスフィノ)−１,１μ−
ビナフチルまたは２,２μ−ビス(ジ−４−トリルホスフ
ィノ)−１,１μ−ビナフチルであることを特徴とする上
記４の方法。
ンが２,２μ−ビス(ジフェニルホスフィノ)−１,１μ−
ビナフチルまたは２,２μ−ビス(ジ−４−トリルホスフ
ィノ)−１,１μ−ビナフチルであることを特徴とする上
記４の方法。
【０１４９】６．式（Ｂ３）のビスホスフィン類が(５,
５′−ジクロロ−６,６′−ジメトキシビフェニル−２,
２′−ジイル)−ビスジフェニルホスフィン、(４,４′,
６,６′−テトラメチル−５,５′−ジメトキシビフェニ
ル−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)、
(４,４′,６,６′−テトラメチル−５,５′−ジメトキ
シビフェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジ−ｐ−メト
キシ−フェニルホスフィン)、(４,４′,６,６′−テト
ラトリフルオロメチルビフェニル−２,２′−ジイル)−
ビス(ジフェニルホスフィン)、(４,６−ジトリフルオロ
メチル−４′,６′−ジメチル−５′−メトキシビフェ
ニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィ
ン)、(２−ジシクロヘキシル−２′−ジフェニルホスフ
ィノ−４,４′,６,６′−テトラメチル−５,５′−ジメ
トキシビフェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニ
ルホスフィン)、(６,６′−ジメチル−２,２′−ビフェ
ニレン)−ビス(ジフェニルホスフィン)、(４,４′,６,
６′−テトラメチル−２,２′−ビフェニレン)−ビス
(ジフェニルホスフィン)、(３,３′,６,６′−テトラメ
チル−２,２′−ビフェニレン)−ビス(ジフェニルホス
フィン)、(４,４′−ジフルオロ−６,６′−ジメチル−
２,２′−ビフェニレン)−ビス(ジフェニルホスフィ
ン)、(４,４′−ビス(ジメチルアミノ)−６,６′−ジメ
チル−２,２′−ビフェニレン)−ビス(ジフェニルホス
フィン)、(６,６′−ジメチル−２,２′−ビフェニレ
ン)−ビス(ジ−ｐ−トリルホスフィン)、(６,６′−ジ
メチル−２,２′−ビフェニレン)−ビス(ジ−ｏ−トリ
ルホスフィン)、(６,６′−ジメチル−２,２′−ビフェ
ニレン)−ビス(ジ−ｍ−フルオロフェニルホスフィ
ン)、１,１１−ビス(ジフェニルホスフィノ)−５,７−
ジヒドロジベンゾ[ｃ,ｅ]オキセピン、(６,６′−ジメ
トキシビフェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニ
ルホスフィン)、(５,５′,６,６′−テトラメトキシビ
フェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフ
ィン)、(６,６′−ジメトキシビフェニル−２,２′−ジ
イル)−ビス(ジ−ｐ−トリルホスフィン)、および(４,
４′,５,５′,６,６′−ヘキサメトキシビフェニル−
２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)よりな
る群から選択されることを特徴とする上記４の方法。
５′−ジクロロ−６,６′−ジメトキシビフェニル−２,
２′−ジイル)−ビスジフェニルホスフィン、(４,４′,
６,６′−テトラメチル−５,５′−ジメトキシビフェニ
ル−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)、
(４,４′,６,６′−テトラメチル−５,５′−ジメトキ
シビフェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジ−ｐ−メト
キシ−フェニルホスフィン)、(４,４′,６,６′−テト
ラトリフルオロメチルビフェニル−２,２′−ジイル)−
ビス(ジフェニルホスフィン)、(４,６−ジトリフルオロ
メチル−４′,６′−ジメチル−５′−メトキシビフェ
ニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィ
ン)、(２−ジシクロヘキシル−２′−ジフェニルホスフ
ィノ−４,４′,６,６′−テトラメチル−５,５′−ジメ
トキシビフェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニ
ルホスフィン)、(６,６′−ジメチル−２,２′−ビフェ
ニレン)−ビス(ジフェニルホスフィン)、(４,４′,６,
６′−テトラメチル−２,２′−ビフェニレン)−ビス
(ジフェニルホスフィン)、(３,３′,６,６′−テトラメ
チル−２,２′−ビフェニレン)−ビス(ジフェニルホス
フィン)、(４,４′−ジフルオロ−６,６′−ジメチル−
２,２′−ビフェニレン)−ビス(ジフェニルホスフィ
ン)、(４,４′−ビス(ジメチルアミノ)−６,６′−ジメ
チル−２,２′−ビフェニレン)−ビス(ジフェニルホス
フィン)、(６,６′−ジメチル−２,２′−ビフェニレ
ン)−ビス(ジ−ｐ−トリルホスフィン)、(６,６′−ジ
メチル−２,２′−ビフェニレン)−ビス(ジ−ｏ−トリ
ルホスフィン)、(６,６′−ジメチル−２,２′−ビフェ
ニレン)−ビス(ジ−ｍ−フルオロフェニルホスフィ
ン)、１,１１−ビス(ジフェニルホスフィノ)−５,７−
ジヒドロジベンゾ[ｃ,ｅ]オキセピン、(６,６′−ジメ
トキシビフェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニ
ルホスフィン)、(５,５′,６,６′−テトラメトキシビ
フェニル−２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフ
ィン)、(６,６′−ジメトキシビフェニル−２,２′−ジ
イル)−ビス(ジ−ｐ−トリルホスフィン)、および(４,
４′,５,５′,６,６′−ヘキサメトキシビフェニル−
２,２′−ジイル)−ビス(ジフェニルホスフィン)よりな
る群から選択されることを特徴とする上記４の方法。
【０１５０】７．式（Ｂ４）のビスホスフィン類が１,
２−ビス(２,５−ジメチルホスホラノ)ベンゼン、１,２
−ビス(２,５−ジエチルホスホラノ)ベンゼン、１,２−
ビス(２,５−ジプロピルホスホラノ)ベンゼン、および
１,２−ビス(２,５−ジイソプロピルホスホラノ)ベンゼ
ンよりなる群から選択されることを特徴とする上記４の
方法。
２−ビス(２,５−ジメチルホスホラノ)ベンゼン、１,２
−ビス(２,５−ジエチルホスホラノ)ベンゼン、１,２−
ビス(２,５−ジプロピルホスホラノ)ベンゼン、および
１,２−ビス(２,５−ジイソプロピルホスホラノ)ベンゼ
ンよりなる群から選択されることを特徴とする上記４の
方法。
【０１５１】８．使用される貴金属錯体触媒がルテニウ
ム、ロジウムおよびイリジウムをベースにしたものであ
ることを特徴とする上記１〜７の１項もしくはそれ以上
に記載の方法。
ム、ロジウムおよびイリジウムをベースにしたものであ
ることを特徴とする上記１〜７の１項もしくはそれ以上
に記載の方法。
【０１５２】９．使用される一般式（III）〜（Ｘ）に
より定義される光学活性ビスホスフィン類のルテニウム
錯体が Ｒｕ2Ｃｌ4Ｂ2(Ｓ) （III） [ＲｕＨａｌＱＢ]+Ｙ- （IV） ＲｕＢnＯＯＣＲ10ＯＯＣＲ11 （Ｖ） [ＲｕＨxＢn]m+Ｙm- （VI） [ＲｕＨａｌ(ＰＲ12 2Ｒ13)Ｂ](2+)Ｈａｌ- 2 （VII） [ＲｕＨＨａｌＢ2] （VIII） [ＢＲｕ(ａｒａｃ）2] （IX） [ＢＲｕＹ2] （Ｘ） ［式中、ａｒａｃはアセチルアセトネートを示し、そし
てＢは一般式（Ｂ１）〜（Ｂ１５）のビスホスフィンを
表し、Ｈａｌはハロゲン、特に塩素、臭素またはヨウ素
を表し、Ｒ10およびＲ11は同一もしくは相異なりそして
場合によりハロゲン、特に弗素、塩素もしくは臭素、に
より置換されていてもよいＣ1−Ｃ9−アルキル、好まし
くはＣ1−Ｃ4−アルキルを表すか、または場合によりＣ
1−Ｃ4−アルキルにより置換されていてもよいフェニル
を示すか、または好ましくは炭素数４までのα−アミノ
アルキル酸を表すか、或いはＲ10およびＲ11は一緒にな
って炭素数４までのアルキリデン基を形成し、Ｒ12およ
びＲ13は同一もしくは相異なりそして場合により置換さ
れていてもよい、好ましくはＣ1−Ｃ4−アルキルまたは
ハロゲンにより置換されたフェニルを表し、Ｙはハロゲ
ン、ＣｌＯ4、ＢＦ4またはＰＦ6を表し、Ｑは未置換の
または置換されたベンゼン環、好ましくはｐ−シメンを
表し、Ｓは第三級アミン、好ましくはトリエチルアミ
ン、トリ−ｎ−ブチルアミンまたはピリジンを表し、ｎ
およびｍは同一もしくは相異なりそして１または２であ
り、ｘは０または１を表し、ここで式（VI）においてｘ
＝０である場合にはｎは１を表し且つｍは２を表し、そ
してｘ＝１である場合にはｎは２を表し且つｍは１を表
す］であることを特徴とする上記１〜８の１項もしくは
それ以上に記載の方法。
より定義される光学活性ビスホスフィン類のルテニウム
錯体が Ｒｕ2Ｃｌ4Ｂ2(Ｓ) （III） [ＲｕＨａｌＱＢ]+Ｙ- （IV） ＲｕＢnＯＯＣＲ10ＯＯＣＲ11 （Ｖ） [ＲｕＨxＢn]m+Ｙm- （VI） [ＲｕＨａｌ(ＰＲ12 2Ｒ13)Ｂ](2+)Ｈａｌ- 2 （VII） [ＲｕＨＨａｌＢ2] （VIII） [ＢＲｕ(ａｒａｃ）2] （IX） [ＢＲｕＹ2] （Ｘ） ［式中、ａｒａｃはアセチルアセトネートを示し、そし
てＢは一般式（Ｂ１）〜（Ｂ１５）のビスホスフィンを
表し、Ｈａｌはハロゲン、特に塩素、臭素またはヨウ素
を表し、Ｒ10およびＲ11は同一もしくは相異なりそして
場合によりハロゲン、特に弗素、塩素もしくは臭素、に
より置換されていてもよいＣ1−Ｃ9−アルキル、好まし
くはＣ1−Ｃ4−アルキルを表すか、または場合によりＣ
1−Ｃ4−アルキルにより置換されていてもよいフェニル
を示すか、または好ましくは炭素数４までのα−アミノ
アルキル酸を表すか、或いはＲ10およびＲ11は一緒にな
って炭素数４までのアルキリデン基を形成し、Ｒ12およ
びＲ13は同一もしくは相異なりそして場合により置換さ
れていてもよい、好ましくはＣ1−Ｃ4−アルキルまたは
ハロゲンにより置換されたフェニルを表し、Ｙはハロゲ
ン、ＣｌＯ4、ＢＦ4またはＰＦ6を表し、Ｑは未置換の
または置換されたベンゼン環、好ましくはｐ−シメンを
表し、Ｓは第三級アミン、好ましくはトリエチルアミ
ン、トリ−ｎ−ブチルアミンまたはピリジンを表し、ｎ
およびｍは同一もしくは相異なりそして１または２であ
り、ｘは０または１を表し、ここで式（VI）においてｘ
＝０である場合にはｎは１を表し且つｍは２を表し、そ
してｘ＝１である場合にはｎは２を表し且つｍは１を表
す］であることを特徴とする上記１〜８の１項もしくは
それ以上に記載の方法。
【０１５３】１０．貴金属対一般式Ｂ１〜Ｂ１５のビス
ホスフィン類の比が１モルのビスホスフィン配位子当た
り０.５〜２モルの範囲内、好ましくは０.９〜１.１モ
ルの範囲内のルテニウムであることを特徴とする上記１
〜９の１項もしくはそれ以上に記載の方法。
ホスフィン類の比が１モルのビスホスフィン配位子当た
り０.５〜２モルの範囲内、好ましくは０.９〜１.１モ
ルの範囲内のルテニウムであることを特徴とする上記１
〜９の１項もしくはそれ以上に記載の方法。
【０１５４】１１．錯体中の金属対式（II）の化合物の
比が１：１０〜１：１０6の範囲内、そして好ましくは
１：３０〜１：１０5の範囲内であることを特徴とする
上記１〜１０の１項もしくはそれ以上に記載の方法。
比が１：１０〜１：１０6の範囲内、そして好ましくは
１：３０〜１：１０5の範囲内であることを特徴とする
上記１〜１０の１項もしくはそれ以上に記載の方法。
【０１５５】１２．水素化を０〜１５０℃の範囲内、好
ましくは１５〜１００℃の範囲内の温度および１〜２５
０バールの水素の範囲内、好ましくは５〜２００バール
の範囲内、そして特に好ましくは１０〜１５０バールの
範囲内の圧力において行うことを特徴とする上記１〜１
１の１項もしくはそれ以上に記載の方法。
ましくは１５〜１００℃の範囲内の温度および１〜２５
０バールの水素の範囲内、好ましくは５〜２００バール
の範囲内、そして特に好ましくは１０〜１５０バールの
範囲内の圧力において行うことを特徴とする上記１〜１
１の１項もしくはそれ以上に記載の方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ (72)発明者 クラウス・ドライスバツハ ドイツ51065ケルン・ジレジウスシユトラ ーセ74 Ｆターム(参考） 4G069 AA06 AA08 BA27A BA27B BC32A BC33A BC70A BC70B BC71A BC72A BC72B BC73A BC74A BC75A BE13A BE26A BE26B BE33A BE34A BE36A BE36B CB02 DA02 FA01 4H006 AA02 AC41 BA22 BA23 BA24 BA47 BA48 BE20 BN10 4H039 CA60 CB20
Claims (2)
- 【請求項１】 触媒の存在下で一般式（II） 【化１】 ［式中、Ｒ1は水素、アルキル、アリール、アラルキル
またはヘテロアリールを表す］のトリメチルピルビン酸
および／またはそのエステル類をエナンチオ選択的に水
素化することにより一般式（Ｉ） 【化２】 ［式中、Ｒ1は一般式（II）に関して記載された意味を
有する］の光学活性トリメチル乳酸および／またはそれ
のエステル類を製造する方法であって、触媒が光学活性
ビスホスフィン類を配位子として含有する貴金属錯体を
含んでなることを特徴とする方法。 - 【請求項２】 下記の一般式（Ｂ１）〜（Ｂ１５）の光
学活性ビスホスフィン類を含有する触媒を使用すること
を特徴とする請求項１に記載の方法：一般式（Ｂ１） 【化３】 ［式中、Ｒ2はフェニル、３−メチルフェニル、４−メ
チルフェニル、３,５−ジメチルフェニル、４−メトキ
シフェニル、３,５−ジメチル−４−メトキシフェニ
ル、シクロヘキシルまたはシクロペンチルを示す］、も
しくは一般式（Ｂ２） 【化４】 ［式中、Ｒ3はフェニル、４−メチルフェニル、３,５−
ジメチルフェニル、４−メトキシフェニル、３,５−ジ
メチル−４−メトキシフェニルまたはシクロヘキシルを
示す］、もしくは一般式（Ｂ３） 【化５】 ［式中、Ｒ3はフェニル、４−メチルフェニル、３,５−
ジメチルフェニル、４−メトキシフェニル、３,５−ジ
メチル−４−メトキシフェニルまたはシクロヘキシルを
示し、Ｒ4はＨ、メチルまたはメトキシを示し、Ｒ5は
Ｈ、メチル、メトキシまたは塩素を示し、そしてＲ6は
メチル、メトキシまたはトリフルオロメチルを示す］、
もしくは一般式（Ｂ４） 【化６】 ［式中、Ｒ7はメチル、エチル、プロピルまたはイソプ
ロピルを表す］のビスホスフィン、または式（Ｂ５） 【化７】 の２,３−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン、または
式（Ｂ６） 【化８】 の１,２−ビス(ジフェニルホスフィノ)プロパン、また
は式（Ｂ７） 【化９】 の５,６−ビス(ジフェニルホスフィノ)−２−ノルボル
ナン、または式（Ｂ８） 【化１０】 の１−置換された３,４−ビス(ジフェニルホスフィノ)
ピロリジン、または式（Ｂ９） 【化１１】 の２,４−ビス(ジフェニルホスフィノ)ペンタン、また
は式（Ｂ１０） 【化１２】 の２,３−Ｏ−イソプロピリデン−２,３−ジヒドロキシ
−１,４−ビス(ジフェニルホスフィノ)ブタン、または
一般式（Ｂ１１） 【化１３】 の１,２−ビス[(ｏ−メトキシフェニル)フェニルホスフ
ィノ]エタン、または式（Ｂ１２） 【化１４】 の１−[１′,２−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセ
ニル]エタノール、または式（Ｂ１３） 【化１５】 もしくは一般式（Ｂ１４） 【化１６】 ［式中、Ｒ8はフェニル、シクロヘキシル、４−メチル
フェニル、４−メトキシフェニル、３,５−ジメチルフ
ェニル、３,５−ジメチル−４−メトキシフェニル、４
−ｔｅｒｔ−ブチルまたは３,５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチ
ルを示す］の１−ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル−４−
ジフェニルホスフィノ−２−ジフェニルホスフィノメチ
ルピロリジン、または一般式（Ｂ１５） 【化１７】 ［式中、Ｒ8は式Ｂ１４に関して記載された意味を有
し、そしてＲ9はＣ1−Ｃ8−アルキル、フェニルまたは
Ｃ1−Ｃ4−アルコキシによりモノ置換ないしトリ置換さ
れたフェニルを示す］のフェロセニルジホスフィン類。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10027154.5 | 2000-05-31 | ||
| DE10027154A DE10027154A1 (de) | 2000-05-31 | 2000-05-31 | Verfahren zur Herstellung optisch aktiver Trimethylmilchsäure und ihrer Ester |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002003441A true JP2002003441A (ja) | 2002-01-09 |
Family
ID=7644334
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001160426A Pending JP2002003441A (ja) | 2000-05-31 | 2001-05-29 | 光学活性トリメチル乳酸およびそのエステル類の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6583312B2 (ja) |
| EP (1) | EP1160237A3 (ja) |
| JP (1) | JP2002003441A (ja) |
| DE (1) | DE10027154A1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005281252A (ja) * | 2004-03-30 | 2005-10-13 | Takasago Internatl Corp | 中性ロジウム−ホスフィン錯体の製造方法 |
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