JP2001524247A - 複数のメモリアドレスを格納および処理するための方法およびシステム - Google Patents

複数のメモリアドレスを格納および処理するための方法およびシステム

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Abstract

(57)【要約】 パケット化ダイナミックランダムアクセスメモリ(「DRAM」)は、コマンドパケットを受信し、各コマンドパケットは複数のコマンドワードを含む。各コマンドパケット中のコマンドワードの1つは、列アドレスを含む。列アドレスを含むコマンドワードの各々は、複数の列アドレスが格納部中に同時に格納され得るように、複数の格納部の1つに格納される。列アドレスは個々に、それぞれの格納部からアドレスラッチを含む共通列アドレスバスに結合される。列アドレスバスは、列アドレスデコーダなどの列アドレス処理回路を駆動する。DRAMがバーストモードで動作することを可能にする加算器がまた含まれる。インクレメント信号の受信に応答して、加算器は列アドレスバスの出力で列アドレスをインクレメントし、そしてインクレメントされたアドレスを列アドレスバスの入力に印加する。

Description

【発明の詳細な説明】 複数のメモリアドレスを格納および処理するための方法およびシステム 技術分野 本発明は、コンピュータシステムに用いられるメモリデバイスに関し、より詳 細には、複数のメモリアドレスを後の処理のために格納するためのメモリアドレ スレジスタに関する。 発明の背景 従来のコンピュータシステムは、伝統的にはプロセッサのための命令を格納す るリードオンリーメモリ(「ROM」)および、プロセッサがデータを書き込み あるいはデータを読み出し得るシステムメモリを含む、様々なメモリデバイスに 結合されたプロセッサ(図示せず)を有する。プロセッサはまた、一般にはスタ ティックランダムアクセスメモリ(「SRAM」)である外部キャッシュメモリ と、連絡し得る。プロセッサはまた、入力デバイス、出力デバイス、およびデー タ格納デバイスとも連絡する。 クロプロセッサなどの、少なくとも200MHzのクロック速度で動作するプロ セッサが現在利用可能である。しかし、既存のコンピュータシステムの残りの要 素は、SRAMキャッシュを例外として、プロセッサの速度では動作し得ない。 このため、システムメモリデバイスならびに入力デバイス、出力デバイス、およ びデータ格納デバイスは、プロセッサバスには直接結合されない。むしろ、シス テムメモリデバイスは一般には、メモリコントローラ、バスブリッジまたは同様 なデバイスを介してプロセッサバスに結合されており、入力デバイス、出力デバ イスおよびデータ格納デバイスは、バスブリッジを介してプロセッサバスに結合 される。メモリコントローラは、システムメモリデバイスが、プロセッサのクロ ック周波数よりも実質的に低い、低クロック周波数で動作することを可能にする 。同様にバスブリッジは、入力デバイス、出力デバイス、およびデータ格納デバ イ スが実質的により低い周波数で動作することを可能にする。現在、例えば200 MHzのクロック周波数を有するプロセッサを、システムメモリデバイスおよび 他の要素を制御するための66MHzのクロック周波数を有するマザーボード上 に実装し得る。 システムメモリへのアクセスは、プロセッサにとって頻繁に起こる動作である 。例えば200MHzで動作するプロセッサが、例えば66MHzで動作するシ ステムメモリデバイスからデータを読み出したりこれにデータを書き込むために 必要な時間は、プロセッサがその動作を達成することができる速度を大きく遅ら せる。従って、システムメモリデバイスの動作速度の増大のために多くの努力が 行われてきた。 システムメモリデバイスは一般に、ダイナミックランダムアクセスメモリ(D RAM)である。初期においては、DRAMは非同期型であったため、マザーボ ードのクロック速度でさえも動作しなかった。実際、非同期型DRAMへのアク セスはしばしば、DRAMがメモリ転送を完了するまでプロセッサを停止させる ための待ち状態が発生されることを必要としていた。しかし、非同期型DRAM の動作速度は、メモリアクセス毎にDRAMにアドレスが供給されることを必要 とないバーストおよびページモードDRAMなどの革新により、増大に成功した 。より最近では、マザーボードのクロック速度におけるデータのパイプライン転 送を可能にする、同期型ダイナミックランダムアクセスメモリ(「SDRAM」 )が開発されている。しかし、SDRAMでさえも、現在利用可能なプロセッサ のクロック速度で動作することは不可能である。従って、SDRAMをプロセッ サバスに直接接続することはできず、代わりに、メモリコントローラ、バスブリ ッジ、または同様なデバイスを介してプロセッサバスにインタフェースされなけ ればならない。プロセッサの動作速度とSDRAMの動作速度との間の不均衡は 、システムメモリへのアクセスを必要とする動作をプロセッサが完了し得る速度 を制限し続けている。 この動作速度の不均衡に対する解決策が、「SyncLink」として知られるコンピ ュータアーキテクチャとして提案されている。SyncLinkアーキテクチャにおいて 、システムメモリは、プロセッサバスを直接介してプロセッサに結合され得る( メ モリコントローラを介してもプロセッサに結合され得るが)。システムメモリに 別のアドレスおよび制御信号が供給されることを必要とすることなく、SyncLink メモリデバイスは、制御情報およびアドレス情報の両方を含むコマンドパケット を受け取る。そしてSyncLinkメモリデバイスは、プロセッサバスのデータバス部 分に直接結合され得るデータバス上にデータを出力し、あるいはデータを受け取 る。 SyncLinkパケット化DRAMアーキテクチャを用いたコンピュータシステム1 0の一例を、図1に示す。コンピュータシステム10は、直接(図示通り)ある いはメモリコントローラなどを介して(図示せず)、パケット化ダイナミックラ ンダムアクセスメモリあるいはSyncLinkDRAM(「SLDRAM」)デバイス などの3つのメモリデバイス16a〜cに結合された、プロセッサバス14を有す るプロセッサ12を備えている。コンピュータシステム10はまた、バスブリッ ジ22および拡張バス24(業界標準アーキテクチャ(「ISA」)バスまたは 周辺要素相互接続(「PCT」)バスなど)を介してプロセッサ12に結合され た、キーパッドまたはマウスなどの1つ以上の入力デバイス20を備えている。 入力デバイス20は、オペレータまたは電子デバイスがコンピュータシステム1 0にデータを入力することを可能にする。プロセッサ12によって生成されたデ ータの表示あるいはその他の出力を行うために、1つ以上の出力デバイス30が プロセッサ12に結合されている。出力デバイス30は拡張バス24、バスブリ ッジ22およびプロセッサバス14を介してプロセッサ12に結合されている。 出力デバイス24の例としては、プリンタおよび画像表示ユニットが含まれる。 格納媒体(図示せず)にデータを格納しあるいは格納媒体からデータを取り出す ために、1つ以上のデータ格納デバイス38が、プロセッサバス14、バスブリ ッジ22、および拡張バス24を介して、プロセッサ12に結合されている。格 納デバイス38および格納媒体の例としては、固定ディスクドライブ、フロッピ ーディクスドライブ、テープカセット、およびコンパクトディスクリードオンリ ーメモリデバイスが含まれる。 動作の際、プロセッサ12は、制御情報およびアドレス情報の両方を含むコマ ンドパケットをメモリデバイス16a〜cに送ることにより、プロセッサ12バ ス14を介してメモリデバイス16a〜cと連絡する。データは、プロセッサバ ス14のデータバス部分を介して、プロセッサ12およびメモリデバイス16a 〜c間で結合される。全てのメモリデバイス16a〜cはプロセッサバス14の 同じ端子(conductor)に接続されているが、1つのメモリデバイス16a〜cの みが同時にデータを読み出しあるいはデータを書き込むことによって、プロセッ サバス14上のバス競合を回避する。バス競合は、メモリデバイス16a〜cの 各々およびバスブリッジ22がユニークな識別子を有することによって回避され 、コマンドパケットは、これらの要素のうち1つのみを選択する識別コードを含 んでいる。 コンピュータシステム10はまた、図1中では簡潔さのために省略されている が、いくつかの他の要素および信号線を備えている。例えば、以下に説明するよ うに、メモリデバイス16a〜cはまた、内部タイミング信号を提供するための マスタークロック信号、メモリデバイス16へのデータの出し入れをクロックす るデータクロック信号、およびコマンドパケットの開始を示すFLAG信号を受 け取る。 図2に、メモリデバイス16をブロック図の形で示す。メモリデバイス16の 各々は、マスタークロック信号42を受け取ってメモリデバイス16中の様々な 動作のタイミングを制御するための多数の他のクロックおよびタイミング信号を 生成する、クロックデバイダーおよび遅延回路40を有している。メモリデバイ ス16はまた、内部クロックCLK信号、コマンドバス50上のコマンドパケッ トCA0〜CA9、および配線52上のFLAG信号を受け取る、コマンドバッ ファ46およびアドレスキャプチャ回路48を備えている。前述したように、コ マンドパケットは各メモリ転送に対しての制御情報およびアドレス情報を含んで おり、FLAG信号はコマンドパケットの開始を識別する。コマンドバッファ4 6はコマンドパケットをバス50から受け取り、コマンドパケットの少なくとも 一部を、IDレジスタ56からの識別データに対して比較することにより、コマ ンドパケットがメモリデバイス16aに向けられたものであるかそれとも他のメ モリデバイス16b、cに向けられたものであるかを決定する。コマンドバッフ ァ46は、コマンドがメモリデバイス16aに向けられたものであることを決定 すると、コマンドデコーダおよびシーケンサ60にコマンドを供給する。コマン ドデコーダおよびシーケンサ60は、そのコマンドに対応するメモリ転送中のメ モリデバイス16aの動作を制御するために、多数の内部制御信号を生成する。 アドレスキャプチャ回路48はまた、コマンドバス50からコマンドパケット を受け取り、コマンド中のアドレス情報に対応する20ビットアドレスを出力す る。アドレスはアドレスシーケンサ64に供給され、アドレスシーケンサ64は 対応する3ビットのバンクアドレスをバス66上に生成し、11ビットの行アド レスをバス68上に生成し、6ビットの列アドレスをバス70上に生成する。 従来のDRAMの問題点の1つは、DRAMアレイ中の回路をプリチャージし て平衡化するために必要な時間のために、比較的低速であることである。図2に 示すパケット化DRAMデバイス16aは主として、複数のメモリバンク80( この場合8個のメモリバンク80a〜h)を用いることによってこの問題を解決 している。1つのバンク80aからのメモリ読み出しの後、残りのバンク80b 〜hがアクセスされている間にバンク80aがプリチャージされ得る。メモリバ ンク80a〜hの各々は、各行ラッチ/デコーダ/ドライバ82a〜hから行ア ドレスを受け取る。行ラッチ/デコーダ/ドライバ82a〜hは全てプリデコー ダ84から同じ行アドレスを受け取る。プリデコーダ84自身は、行アドレスレ ジスタ86またはリフレッシュカウンタ88のいずれか(マルチプレクサ90に よって決定される)から行アドレスを受け取る。しかし、任意の時刻において行 ラッチ/デコーダ/ドライバ82a〜hのうちの1つ(バンク制御ロジック94 によってバンクアドレスレジスタ96からのバンクデータの関数として決定され る)のみが、アクティブである。 バス70上の列アドレスは、列ラッチ/デコーダ100に印加され、列ラッチ /デコーダ100は、I/Oゲート回路102にI/Oゲート信号を供給する。 I/Oゲート回路102は、センスアンプ104を介してメモリバンク80a〜 hの列とインターフェースしている。センスアンプ104および、読み出しデー タ路110および書き込みデータ路112を含むデータ路サブシステム108へ のI/Oゲート回路102を介して、データはメモリバンク80a〜hに対して あるいはメモリバンク80a〜hから結合される。読み出しデータ路110は、 I/Oゲート回路102からデータを受け取って格納する読み出しラッチ120 を含む。図2に示すメモリデバイス16aにおいて、64ビットのデータが読み 出しラッチ120に印加されて格納される。そして読み出しラッチは4つの16 ビットデータワードをマルチプレクサ122に供給する。マルチプレクサ122 は、16ビットのデータワードの各々を順に読み出しFIFOバッファ124に 印加する。連続的な16ビットデータワードは、FIFOバッファ124を介し て、プログラマブル遅延回路126によって内部クロックから生成されるクロッ ク信号によりクロックされる。FIFOバッファ124は、これらの16ビット ワードおよび2つのクロック信号(クロック信号および直交位相クロック信号) をドライバ回路128に印加し、ドライバ回路128は、16ビットデータワー ドをプロセッサバス14の一部を構成するデータバス130に印加する。ドライ バ回路128はまたクロックバス132にクロック信号を印加することにより、 データバス130上のデータを読み出しているプロセッサ12などのデバイスが データと同期できるようにする。 書き込みデータ路112は、データバス130に結合された受信バッファ14 0を含む。受信バッファ140は、データバス130からの16ビットワードを 4つの入力レジスタ142に順に印加する。4つの入力レジスタ142の各々は 、クロック発生器回路144からの信号によって選択的にイネーブルされる。こ のように、入力レジスタ142は4つの16ビットデータワードを順に格納して 、これらを組み合わせて書き込みFIFOバッファ148に印加される1つの6 4ビットデータワードにする。書き込みFIFOバッファ148はクロック発生 器144からの信号および内部書き込みクロックWCLKによってクロックされ て、64ビット書き込みデータを書き込みラッチおよびドライバ150に順に印 加する。書き込みラッチおよびドライバ150は、I/Oゲート回路102およ びセンスアンプ104を介して、64ビット書き込みデータをメモリバンク80 a〜hのうちの1つに印加する。 上述のように、SyncLinkアーキテクチャの1つの重要な目標は、プロセッサと メモリデバイスとの間のデータ転送がずっと速い速度で起こることを可能にする ことである。しかし、図2に示すパケット化DRAM16aを含むパケット化D RAMの動作速度は、メモリデバイス16aに印加される、各コマンドパケット の一部としてのアドレスを処理するために必要な時間によって制限される。例え ば、コマンドアドレスは受け取られてアドレスシーケンサ64中に格納されなけ ればならないだけではなく、列ラッチ/デコーダ100においてラッチおよびデ コードされて様々な列アクセス信号を発生するために用いられなければならない 。このように、コマンドパケットがメモリデバイス16aに供給され得る速度は 、コマンドパケット中のアドレスを格納および処理するために必要な時間によっ て制限される。 上記の説明はパケット化DRAMにおけるより高速なアドレス処理の必要性に 関するものであるが、同様な問題が、アドレスその他の信号を高速に処理しなけ ればならない非同期型DRAMおよび同期型DRAMなどの他のメモリデバイス についても存在する。従って、上記に説明した理由のため、従来のアドレス処理 回路の制限された動作速度は、メモリデバイス、特にパケット化DRAMの最大 動作速度を厳しく制限する原因となっている。従って、アドレス(特にコマンド パケット中のアドレス)を、アドレス(特に列アドレス)が処理され得る速度よ りも速い速度で受け取る能力が要求されている。 発明の要旨 ダイナミックランダムアクセスメモリ(「DRAM」)内のカラムのような、 メモリアドレスを格納し、処理するためのシステムおよび方法。複数のアドレス 格納ユニットは、入力イネーブル信号に応じた各々のメモリアドレスをそれぞれ 格納する。結果として、複数のカラムアドレスは、メモリデバイスに同時に格納 され得る。アドレス格納ユニットは、それぞれその格納されたアドレスを出力イ ネーブル信号に応じたMビットバスへ印加する。Mビットバスの各ビットは、全 てのアドレス格納ユニットの対応するビットに連結される。Mビットバスは、例 えば、アドレスデコーダ回路のようなメモリアドレス処理回路に、各Mビット用 のアドレスバス回路により連結される。加算器は、バーストモード内で作動する DRAMを促進するために含まれ得る。加算器は、アドレスバス回路の各々の出 力端子に結合される複数の入力端子、ならびにアドレスバス回路の各々の入力端 子に結合される複数の出力端子を有する。加算器は、アドレスバス回路の出力端 子から受け取ったメモリアドレスよりも大きな(例えば1)所定の数である、メ モリアドレスをアドレスバス回路の入力端子に印加する。メモリアドレス格納お よび処理システムは、特にパケット化DRAMにおける使用のために適用され、 そしてコンピュータシステムの一部として用いられる得る。 図面の簡単な説明 図1は、SyncLinkアーキテクチャを用いるコンピュータシステムのブ ロック図である。 図2は、図1のコンピュータシステムにおいて用いられ得るパケット化DRA Mのブロック図である。 図3は、図2のパケット化DRAMにおいて使用可能である、本発明によるア ドレスシーケンサーの実施形態の一部のブロック図であり、コマンドパケットを シーケンサーへ連結する、コマンドバッファおよびアドレスキャプチャ回路を備 えて示す。 図4は、図3のシーケンサーにおいて用いられるカラムインクリメント器の論 理図である。 発明の詳細な説明 図2のパケット化DRAMにおいて使用可能である、本発明によるアドレスシ ーケンサー200の1つの実施形態が、図3に示される。アドレスシーケンサー 200は、コマンドパケットをアドレスシーケンサー200に連結する、コマン ドバッファ46およびアドレスキャプチャ回路48を備えて示される。アドレス シーケンサー200は、図2のパケット化DRAMにおけるアドレスシーケンサ ー64の代わりに用いられ得、結果として生じるメモリデバイスは、図1に示す コンピュータシステムにおいて用いられ得る。 図3を参照すると、コマンドバッファ46は、好ましくはコマンドパケット内 の複数のコマンドワードの各々を順次格納するシフトレジスタを備えて実現され る。コマンドパケットは、コマンドバッファ46へ、コマンドバス50を介して 印加される。コマンドバッファ46に1つ以上のコマンドワードが格納された後 、それらはコマンドワードレジスタ210へ送信される。図3に示す実施形態に おいて、コマンドワードレジスタ210に格納されたコマンドワードは、コマン ド、アドレス、および識別情報を含む。コマンドワードレジスタ210は、よっ てアドレスキャプチャ回路48、およびそれらのコマンドパケットの他の構成要 素用のキャプチャ回路の両方を実現する。しかし、独立したアドレスキャプチャ 回路48もまた使用され得、別の回路(図示せず)がコマンドパケットの他の構 成要素をキャプチャするために用いられ得ることは理解される。 図3に示すコマンドワードレジスタ210は、コマンドパケット内の全てのコ マンドワードがコマンドバッファ46へシフトされた後、それらを格納する。従 って、各コマンドパケットは4つのコマンドワードを含む場合、4つ全てのコマ ンドワードは、コマンドワードレジスタ48へ送信される前に、コマンドバッフ ァ46へシフトされる。しかし、コマンドワードレジスタ48が、各コマンドパ ケット内のコマンドワードの一部のみを、それらがコマンドバッファ46に格納 された後に格納し得ることは、理解され得る。例えば、各コマンドパケットが4 つのコマンドワードを含む場合、コマンドワードは、2つのコマンドワードのみ がコマンドバッファ46へシフトされた後に、コマンドワードレジスタ48へ送 信される。残り2つのコマンドワードがコマンドバッファ46へシフトされた後 、それらは同じコマンドワードレジスタ48、または異なるコマンドワードレジ スタへ送信され得、2つのコマンドワードレジスタの各々は、2つのコマンドワ ードのそれぞれのセットを格納する。いかなる場合においても、コマンドワード レジスタ48は、好ましくは出力バス216上の各コマンドパケットにおける4 つのコマンドワード全てを出力する。コマンドパケットが4つの10ビットワー ドからなる場合、出力バスは40ビット幅となる。これらのビットのいくつかは 、メモリ送信のためのアレイ80のうち1つのカラムを指定するためのカラムア ドレスを構成する。図3に示す実施形態においては、7ビットの出力バス216 はカラムアドレスCOL<0:6>を含む。 コマンドワードレジスタ48からのCOL<0:6>ビットは、一連のコマン ド/アドレス格納(「C/A」)ユニット222a〜hで構成されるコマンド/ アドレスパイプライン220に印加される。各コマンドパケットからのコマンド ワードが、コマンドワードレジスタ210の出力バス216に印加される際、そ れらはC/A格納ユニット222a〜hの1つへ、パイプライン制御回路224 で発生した各々のラッチ信号により、選択的にラッチされる。パイプライン制御 回路224は、当業者には明らかであるように、各コマンドパケットからのコマ ンドワードが、適切なプロトコールによりC/A格納ユニット224の1つに格 納されるようにする。例えば、コマンドワードは、すでにカラムアドレスC<0 :6>を含まない、第1のC/A格納ユニット222に格納され得る。パイプラ イン制御回路224はまた、C/A格納ユニット224が、C/A格納ユニット 224に格納された各々のカラムアドレスCOL<0:6>を出力することを可 能にする。一つのC/A格納ユニット224のみが単一時間(single time)にお けるCOL<0:6>の出力の提供を可能にする。 C/A格納ユニット222の上記説明は、主に、各々のカラムアドレスCOL <0:6>を格納するそれらの機能に関する。しかし、C/A格納ユニット22 2はまた、好ましくはコマンドワードの残りの部分をも格納し、この残りの部分 とはバンクアドレス、列アドレス、コマンド(例えば読み出し、書き込み等)、 ならびにコマンドパケットが方向づけられるメモリデバイス16を指定する識別 する情報を含む。しかし、コマンドワードのこれら他の部分の説明は、アドレス を格納および処理するための発明的方法およびシステムを開示する実施形態の理 解にとって中心的でないことから、簡潔さを目的として省略する。 多数のC/A格納ユニット222の使用(それぞれが各々のカラムアドレスを 格納する)は、メモリデバイス16の速度を上げるための大きな利点を提供する 。従来のDRAMおよびパケット化DRAMのための公知のアーキテクチャにお いては、先のカラムアドレスがラッチされ、例えばアドレスの復号化により処理 されるまで、DRAMはメモリ操作のためのカラムアドレスを受け取ることがで きない。多数のC/A格納ユニット222を用いることにより、図3のアドレス シーケンサー200を含むメモリデバイス16は、1つ以上先のカラムアドレス が、例えばカラムアドレスの復号化により処理されていない場合でさえ、カラム アドレスを受け取り続け得る。実際には、アドレスシーケンサー200は、カラ ムア ドレスが受け取られる平均速度がアドレスを処理する平均時間よりも低くある限 り、カラムアドレスを受け取り得、メモリ送信操作を完了し得る。結果として、 図3のアドレスシーケンサー200を用いるメモリデバイス(特にパケットDR AM)は、比較的高速度において作動することが可能である。 C/A格納ユニット222の出力に存在するカラムアドレスCOL<0:6> は、カラムアドレスCOL<0:6>の各ビットにおける1つのラッチ回路23 4a〜gから構成されるカラムアドレス230に印加される。各ラッチ回路23 4は、一組のインバータ236および238から構成される。インバータ238 の出力インピーダンスは、C/A格納ユニット22の出力インピーダンスよりも 高く、インバータ238よりもむしろC/A格納ユニット222は、論理レベル をインバータ236への入力において制御する。従って、論理レベル(すなわち 、論理「1」または「0」)がインバータ236の1つの入力に印加される場合 、同じ論理レベルがインバータ238の出力において発生し、それにより、先だ ってイネーブルされたC/A格納ユニット222がイネーブルされなくなった後 に、インバータ236への入力をその論理レベルにおいて保持する。 上述のように、1つのラッチ234は、各カラムアドレスビットCOL<0: 6>のために供給される。従って、例えば各C/A格納ユニット222からのC OL<0>ビットは、ラッチ234aに連結され、各C/A格納ユニット222 からのCOL<1>ビットはラッチ234bに連結される。しかし、また上述の ように、1つのC/A格納ユニット222のみが、パイプライン制御回路224 により任意の一時にイネーブルである。結果として、ラッチ234a〜gは、一 度に1つのC/A格納ユニット222のみから信号を受け取る。 カラムアドレスラッチ230の出力におけるカラムアドレスCOL<0:6> は、例えばカラムデコーダ250にそれを印加することにより処理され、このこ とは従来の、あるいは引き続いて発展する設計であり得る。 カラムアドレスラッチ230は、操作の「バースト」モードにおいて加算器2 60とインターフェースするように適応している。バーストメモリアクセスにお いて、C/A格納ユニット222の1つからのカラムアドレスは、メモリアクセ ス用の開始アドレスを指定する。その後、C/A格納ユニット222の1つが 迫加のカラムアドレスを受け取り、カラムアドレスラッチ230へ印加する必要 なしに、カラムアドレスからインクリメントしながら、メモリセルからの複数の メモリアクセスが起こる。バーストモードアクセスにおいて、高INCR信号が 加算器260に印加される。加算器260は、カラムアドレスラッチ230の各 々のCOL<0:6>出力からA<0:6>入力へ印加されたカラムアドレスを ラッチする。加算器260は、カラムアドレスを1ずつインクリメントし、イン クリメントされたカラムアドレスをそのZ<0:6>出力へ印加する。加算器2 60のZ<0:6>出力は、カラムアドレスラッチ230への各々のCOL<0 :6>入力に連結される。結果として、カラムアドレスラッチ230は、インク リメントされたカラムアドレスを受け取る。 加算器260の論理図が図4に示される。加算器は、マルチビットデジタルワ ードが、1ビット、ならびにそのビットより下位の全てのビットが論理「1」で あるならば、全てのより下位のビットを単に反転することにより、1ずつインク リメントされ得る原理で作動する。従って、例えば、カラムアドレスが「100 111」の場合、カラムアドレスは、単にビット3:0を反転することにより1 ずつインクリメントされ得、「101000」を獲得する。 図4を参照すると、加算器260は、複数の加算器回路264a〜g(カラム アドレスCOL<0:6>の7ビットのそれぞれに1つ)を含む。各加算器回路 264a〜gは、従来のパスゲート274および入力−出力接続された一組のイ ンバータ276、278により形成される入力ラッチ270a〜gをそれぞれ含 む。パスゲート264は、インバータ280の出力においてハイ、ならびにイン バータ282の出力においてローによりイネーブルされる。インバータ280の 入力は、INCR信号を受け取り、パスゲート264はINCRがローのときは 常にイネーブルされる。従って、加算器260のA<0:6>入力に印加される カラムアドレスは、パスゲート264が不能になった場合、INCR信号の立ち 上がりエッジにおいてラッチされる。 加算器回路264a〜fの各々(加算器回路264gを最下位アドレスビット として除外する)は、その入力ラッチ270a〜fからそれぞれのトライステー トインバータ290a〜fへの2つのパス、すなわち非反転経路292および反 転経路294を含む。最下位アドレスビット用の加算器回路264gは、反転経 路294のみを含む。非反転292は、第1のパスゲート296により選択され るが、反転経路294は第2のパスゲート298により選択される。各反転経路 294は、加算器回路264の入力Aから出力Zに奇数のインバータが存在する ように、入力ラッチ270とそのパスゲート298との間をつなぐインバータ3 00を含む。非反転経路294は、加算器回路264の入力から出力に奇数のイ ンバータが存在するように、入力ラッチ270からそのパスゲート298への直 接的接続を有する。トライステートインバータ290a〜gは、インバータ28 0の出力においてロー、ならびにインバータ282の出力においてハイによりイ ネーブルされ、このことはINCR信号がハイのときは常に起こる。 非反転経路292あるいは反転経路294のいずれかを、加算器回路264a 〜fの各々においてそれぞれ選択するパスゲート296および298は、各々の NANDゲート310およびNANDゲート310の出力により駆動するインバ ータ312によりそれぞれ制御される。NANDゲート310は、その各々のイ ンバータ300(これは加算器回路264への入力と同じ論理レベルを有する) の出力、およびより下位の全てのカラムアドレスビットの論理レベルの入力指示 (indicative)をそれぞれ受け取る。反転経路用のパスゲート298は、NAND ゲート310への入力の両方が論理「1」のときは常に選択される。従って、パ スゲート298は、そのビット用の加算器回路264fへの入力、および最下位 ビット用の加算器回路264gへの入力の両方が論理「1」である場合、イネー ブルされ、最下位から2番目のビット用の加算器回路264f内の反転経路29 4を選択する。よって「11」の入力は、反転経路294が最下位から2番目の ビット用に選択されたことから「00」の出力を生成するが、反転経路294は 常に最下位ビット用に用いられる。同様に、パスゲート298は、そのビット用 の加算器回路264dへの入力、および加算器回路264e内のインバータ31 2の出力の両方が論理「1」である場合、イネーブルされ、最下位から4番目の ビット用の加算器回路264d内の反転経路294を選択する。任意の加算器回 路264用のインバータ312の出力は、全てのより下位のビット用の加算器回 路264の出力が論理「1」の場合、「1」となる。従って、「0111」の入 力は、反転経路294が最下位から4番目、3番目、2番目、および最下位のビ ット用に選択されたことから、「1000」の出力を生成する。 上述のように、図3および図4に示すアドレスシーケンサー200は、図2に 示すパケット化DRAMにおいてアドレスシーケンサー64として用いられ得る 。結果的メモリデバイスは、図1に示すコンピュータシステムにおいて用いられ 得、より優れた作動速度を提供する。本発明は、本明細書中において実施形態を 例として記載してきたが、本発明の範囲から逸脱することなく多用な改変がなさ れ得る。従って、本発明は、添付の請求の範囲を除いて、限定されない。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR, NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,KE,L S,MW,SD,SZ,UG,ZW),EA(AM,AZ ,BY,KG,KZ,MD,RU,TJ,TM),AL ,AM,AT,AU,BA,BB,BG,BR,BY, CA,CH,CN,CU,CZ,DE,DK,EE,E S,FI,GB,GE,GH,GM,GW,HU,ID ,IL,IS,JP,KE,KG,KP,KR,KZ, LC,LK,LR,LS,LT,LU,LV,MD,M G,MK,MN,MW,MX,NO,NZ,PL,PT ,RO,RU,SD,SE,SG,SI,SK,SL, TJ,TM,TR,TT,UA,UG,UZ,VN,Y U,ZW

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.複数のアドレス格納部であって、各アドレス格納部がそれぞれのメモリア ドレスを格納し、該アドレス部がそれぞれ入力イネーブル信号に応答してメモリ アドレスを受信および格納し、そして該格納されたアドレスを出力イネーブル信 号に応答してMビットバスに印加し、該Mビットバスのビットのすべてが該アド レス部のすべての対応するビットに結合される、複数のアドレス格納部と、 メモリアドレスを受信するように設けられた入力バスを有する、メモリ アドレス処理回路と、 Mアドレスバス回路であって、各Mアドレスバス回路が該Mビットバス のそれぞれのビットに結合され、該バス回路がイネーブルされたアドレス格納部 からの該メモリアドレスを該メモリアドレス処理回路に結合する、Mアドレスバ ス回路と、 該入力イネーブル信号および該出力イネーブル信号を該アドレス格納部 の各々に選択的に印加する、制御回路と、を含むメモリアドレスを格納および処 理するためのシステム。 2.前記メモリアドレス処理部がアドレスデコーダを含む、請求項1に記載の 格納および処理システム。 3.前記格納および処理システムがバーストモードで動作することを可能にす るための加算器であって、該加算器が前記アドレスバス回路のそれぞれの出力端 子に結合された複数の入力端子および該アドレスバス回路のそれぞれの入力端子 に結合された複数の出力端子を有し、該加算器が該アドレスバス回路の該出力端 子から受信されるメモリアドレスよりも大きい所定の数であるメモリアドレスを 該アドレスバス回路の該入力端子に印加する、加算器、をさらに含む請求項1に 記載の格納および処理システム。 4.前記所定の数が1である、請求項3に記載の格納および処理システム。 5.前記アドレスバス回路はそれぞれ、メモリアドレスのそれぞれのビットが 前記イネーブルされたアドレス部によって該アドレスバス回路にもはや印加され ていない場合に該アドレスバス回路のそれぞれの出力端子において論理レベルを 維持するラッチ回路を含む、請求項1に記載の格納および処理システム。 6.前記メモリアドレスが、少なくとも1つのメモリアレイ中のメモリセルの 列のそれぞれのアドレスを含む、請求項1に記載の格納および処理システム。 7.複数のコマンドパケットを受信および処理するシステムであって、各コマ ンドパケットが複数のコマンドワードを含み、該コマンドワードの少なくとも1 つが少なくとも1つのメモリアドレスを含み、 各コマンドパケットの所定数のコマンドワードを受信および格納するコ マンドバッファと、 該コマンドバッファに結合された少なくとも1つのコマンドワードレジ スタであって、該所定数のコマンドワードが該コマンドバッファに格納され後に 該コマンドワードが該コマンドバッファから該コマンドワードレジスタに転送さ れる、コマンドワードレジスタと、 該コマンドワードレジスタに結合された複数の格納部であって、該格納 部の各々が、それぞれの入力イネーブル信号に応答して、該コマンドワードレジ スタから受信されたコマンドワードの少なくともメモリアドレス部分を格納し、 該格納部の各々が、出力イネーブル信号に応答して、格納されたメモリアドレス 部分を該格納部の出力バスに印加する、格納部と、 各メモリアドレス部分が該コマンドワードレジスタから格納部へ転送さ れるように、それぞれのイネーブル信号を該格納部へ生成および印加する制御回 路であって、該格納部の1つに格納されたメモリアドレス部分を出力させるよう にそれぞれの出力イネーブル信号を該格納部に生成および印加する制御回路と、 出力イネーブル信号を受信する該格納部から該メモリアドレス部分を受 信する入力バスを有するメモリアドレス処理回路と、を含むシステム。 8.前記メモリアドレス処理部がアドレスデコーダを含む、請求項7に記載の コマンドパケット受信および処理システム。 9.前記メモリアドレス処理回路の入力バスのそれぞれのビットを前記格納部 のそれぞれのビットに結合する複数のメモリアドレスバス回路をさらに含む請求 項7に記載のコマンドパケット受信および処理システム。 10.前記アドレスバス回路はそれぞれ、メモリアドレスのそれぞれのビット が格納部によって該アドレスバス回路にもはや印加されていない場合に、該アド レスバス回路のそれぞれの出力端子において論理レベルを維持するラッチ回路を 含む、請求項9に記載のコマンドパケット受信および処理システム。 11.バーストモードで動作することを可能にするための加算器であって、該 加算器が前記アドレスバス回路のそれぞれの出力端子に結合された複数の入力端 子および該アドレスバス回路のそれぞれの入力端子に結合された複数の出力端子 を有し、該加算器が該アドレスバス回路の出力端子から受信されるメモリアドレ スよりも大きい所定の数であるメモリアドレスを該アドレスバス回路の該入力端 子に印加する、加算器、をさらに含む請求項9に記載のコマンドパケット受信お よび処理システム。 12.前記所定の数が1である、請求項11に記載のコマンドパケット受信お よび処理システム。 13.前記メモリアドレスが、少なくとも1つのメモリアレイ中のメモリセル の列のそれぞれのアドレスを含む、請求項7に記載のコマンドパケット受信およ び処理システム。 14.行アドレスおよび列アドレスによって決定される位置でデータを格納す るように設けられた少なくとも1アレイのメモリセルと、 該行アドレスを受信およびデコードし、そして該行アドレスに対応する 1行のメモリセルを選択するように設けられた行アドレス回路と、 該列アドレスに対応する選択された行中の該メモリセルの1つにデータ を受信または印加するように設けられた列アドレス回路と、 外部端子と該列アドレス回路との間でデータを結合するように設けられ たデータパス回路と、 複数のコマンドワードを含むコマンドパケットを受信するように設けら れたコマンドバッファであって、該コマンドワードの少なくとも1つが該メモリ デバイスの動作を制御するためのコマンドを含み、該コマンドワードの少なくと も1つが該行アドレス回路に結合された行アドレスを含み、そして該コマンドワ ードの少なくとも1つが列アドレスを含む、コマンドバッファと、 該コマンドバッファに結合されそして該コマンドバッファから列アドレ スを受信する複数のアドレス格納部であって、該列アドレスの複数が入力イネー ブル信号に応答してそれぞれのアドレス格納部中に格納され、それぞれのアドレ ス格納部中に格納された該列アドレスが出力イネーブル信号に応答してMビット バスに印加され、該Mビットバスのビットの各々が該アドレス格納部のすべての 対応するビットに結合される、アドレス格納部と、 M列アドレスバス回路であって、各M列アドレスバス回路が該Mビット バスのそれぞれのビットに結合され、該バス回路がイネーブルされたアドレス格 納部からの該メモリアドレスを該列アドレス処理部に結合する、M列アドレスバ ス回路と、 該入力イネーブル信号および該出力イネーブル信号を該アドレス格納部 の各々に選択的に印加する、制御回路と、を含むメモリデバイス。 15.前記メモリデバイスがバーストモードで動作することを可能にするため の加算器であって、該加算器が前記アドレスバス回路のそれぞれの出力端子に結 合された複数の入力端子および該アドレスバス回路のそれぞれの入力端子に結合 された複数の出力端子を有し、該加算器が該アドレスバス回路の該出力端子から 受信されるメモリアドレスよりも大きい所定の数であるメモリアドレスを該アド レスバス回路の該入力端子に印加する、加算器、をさらに含む請求項14に記載 のメモリデバイス。 16.前記所定の数が1である、請求項15に記載のメモリデバイス。 17.前記アドレスバス回路はそれぞれ、列アドレスのそれぞれのビットが前 記イネーブルされたアドレス部によって該アドレスバス回路にもはや印加されて いない場合に該アドレスバス回路のそれぞれの出力端子において論理レベルを維 持するラッチ回路を含む、請求項14に記載のメモリデバイス。 18.前記メモリデバイスがパケット化ダイナミックランダムアクセスメモリ を含む、請求項14に記載のメモリデバイス。 19.コマンドワードに応答して、行アドレスおよび列アドレスによって決定 される位置でデータを格納するように設けられた少なくとも1アレイのメモリセ ルと、 該コマンドワードに応答して、該行アドレスを受信およびデコードし、 そして該行アドレスに対応する1行のメモリセルを選択するように設けられた行 アドレス回路と、 該コマンドワードに応答して、該列アドレスに対応する選択された行中 の該メモリセルの1つにデータを受信または印加するように設けられた列アドレ ス回路と、 該コマンドワードに応答して、外部端子と該列アドレス回路との間でデ ータを結合するように設けられたデータパス回路と、 コマンドバス上で受信されたコマンドワードを格納するように設けられ たコマンドバッファと、 該コマンドバッファに結合された少なくとも1つのコマンドワードレジ スタであって、該所定数のコマンドワードが該コマンドバッファに格納され後に 該コマンドワードが該コマンドバッファから該コマンドワードレジスタに転送さ れる、コマンドワードレジスタと、 該コマンドワードレジスタに結合された複数の格納部であって、該格納 部の各々が、それぞれの入力イネーブル信号に応答して、該コマンドワードレジ スタから受信されたコマンドワードの少なくともメモリアドレス部分を格納し、 該格納部の各々が、出力イネーブル信号に応答して、格納されたメモリアドレス 部分を該格納部の出力バスに印加する、格納部と、 各アドレス部分が該コマンドワードレジスタから格納部へ転送されるよ うに、それぞれのイネーブル信号を該格納部へ生成および印加する制御回路であ って、該格納部の1つに格納されたメモリアドレス部分を出力させるようにそれ ぞれの出力イネーブル信号を該格納部に生成および印加する制御回路と、 それぞれの出力イネーブル信号を受信する該格納部から該メモリアドレ ス部分を受信する入力バスを有するメモリアドレス処理回路と、を含むメモリデ バイス。 20.前記メモリアドレス処理部がアドレスデコーダを含む、請求項19に記 載のメモリデバイス。 21.前記メモリアドレス処理回路の入力バスのそれぞれのビットを前記格納 部のそれぞれのビットに結合する複数のメモリアドレスバス回路を、さらに含む 請求項19に記載のメモリデバイス。 22.前記アドレスバス回路はそれぞれ、メモリアドレスのそれぞれのビット が格納部によって該アドレスバス回路にもはや印加されていない場合に、該アド レスバス回路のそれぞれの出力端子において論理レベルを維持するラッチ回路を 含む、請求項21に記載のメモリデバイス。 23.バーストモードで動作することを可能にするための加算器であって、該 加算器が前記アドレスバス回路のそれぞれの出力端子に結合された複数の入力端 子および該アドレスバス回路のそれぞれの入力端子に結合された複数の出力端子 を有し、該加算器が該アドレスバス回路の出力端子から受信されるメモリアドレ スよりも大きい所定の数であるメモリアドレスを該アドレスバス回路の該入力端 子に印加する、加算器、をさらに含む請求項19に記載のメモリデバイス。 24.前記所定の数が1である、請求項23に記載のメモリデバイス。 25.前記メモリデバイスがパケット化ダイナミックランダムアクセスメモリ を含む、請求項19に記載のメモリデバイス。 26.プロセッサバスを有するプロセッサと、 該プロセッサバスを介して該プロセッサに結合され、そしてデータがコ ンピュータシステム中に入力されることを可能にするように設けられた入力デバ イスと、 該プロセッサバスを介して該プロセッサに結合され、そしてデータが該 コンピュータシステムから出力されることを可能にするように設けられた出力デ バイスと、 該プロセッサバスを介して該プロセッサに結合されたメモリデバイスと 、を含むコンピュータシステムであって、 該メモリデバイスが、 行アドレスおよび列アドレスによって決定される位置でデータを格納す るように設けられた少なくとも1アレイのメモリセルと、 該行アドレスを受信およびデコードし、そして該行アドレスに対応する 1行のメモリセルを選択するように設けられた行アドレス回路と、 該列アドレスに対応する選択された行中の該メモリセルの1つにデータ を受信または印加するように設けられた列アドレス回路と、 外部端子と該列アドレス回路との間でデータを結合するように設けられ たデータパス回路と、 複数のコマンドワードを含むコマンドパケットを受信するように設けら れたコマンドバッファであって、該コマンドワードの少なくとも1つが該メモリ デバイスの動作を制御するためのコマンドを含み、該コマンドワードの少なくと も1つが該行アドレス回路に結合された行アドレスを含み、そして該コマンドワ ードの少なくとも1つが列アドレスを含む、コマンドバッファと、 該コマンドバッファに結合され、該コマンドバッファから列アドレスを 受信する複数のアドレス格納部であって、該列アドレスの複数が入力イネーブル 信号に応答してそれぞれのアドレス格納部中に格納され、それぞれのアドレス格 納部中に格納された該列アドレスが出力イネーブル信号に応答してMビットバス に印加され、該Mビットバスのビットの各々が該アドレス格納部のすべての対応 するビットに結合される、アドレス格納部と、 M列アドレスバス回路であって、各Mアドレスバス回路が該Mビットバ スのそれぞれのビットに結合され、該バス回路が、イネーブルにされたアドレス 格納部からの該列アドレスを該列アドレス回路に結合する、M列アドレスバス回 路と、 該入力イネーブル信号および該出力イネーブル信号を該アドレス格納部 の各々に選択的に印加する、制御回路と、を含むコンピュータシステム。 27.前記メモリデバイスがバーストモードで動作することを可能にするため の加算器であって、該加算器が前記アドレスバス回路のそれぞれの出力端子に結 合された複数の入力端子および該アドレスバス回路のそれぞれの入力端子に結合 された複数の出力端子を有し、該加算器が該アドレスバス回路の該出力端子から 受信されるメモリアドレスよりも大きい所定の数であるメモリアドレスを該アド レスバス回路の該入力端子に印加する、加算器、をさらに含む請求項26に記載 のコンピュータシステム。 28.前記所定の数が1である、請求項27に記載のコンピュータシステム。 29.前記アドレスバス回路はそれぞれ、列アドレスのそれぞれのビットが前 記イネーブルにされたアドレス部によって該アドレスバス回路にもはや印加され ていない場合に該アドレスバス回路のそれぞれの出力端子において論理レベルを 維持するラッチ回路を含む、請求項26に記載のコンピュータシステム。 30.前記メモリデバイスがパケット化ダイナミックランダムアクセスメモリ を含む、請求項26に記載のコンピュータシステム。 31.プロセッサバスを有するプロセッサと、 該プロセッサバスを介して該プロセッサに結合され、そしてデータがコ ンピュータシステム中に入力されることを可能にするように設けられた入力デバ イスと、 該プロセッサバスを介して該プロセッサに結合され、そしてデータが該 コンピュータシステムから出力されることを可能にするように設けられた出力デ バイスと、 該プロセッサバスを介して該プロセッサに結合されたメモリデバイスと 、を含むコンピュータシステムであって、 該メモリデバイスが、 コマンドワードに応答して、行アドレスおよび列アドレスによって決定 される位置でデータを格納するように設けられた少なくとも1アレイのメモリセ ルと、 該コマンドワードに応答して、該行アドレスを受信およびデコードし、 そして該行アドレスに対応する1行のメモリセルを選択するように設けられた行 アドレス回路と、 該コマンドワードに応答して、該列アドレスに対応する選択された行に おける該メモリセルの1つにデータを受信または印加するように設けられた列ア ドレス回路と、 該コマンドワードに応答して、外部端子と該列アドレス回路との間でデ ータを結合するように設けられたデータパス回路と、 コマンドバス上で受信されたコマンドワードを格納するように設けられ たコマンドバッファと、 該コマンドバッファに結合された少なくとも1つのコマンドワードレジ スタであって、該所定数のコマンドワードが該コマンドバッファに格納され後に 該コマンドワードが該コマンドバッファから該コマンドワードレジスタに転送さ れる、コマンドワードレジスタと、 該コマンドワードレジスタに結合された複数の格納部であって、該格納 部の各々が、それぞれの入力イネーブル信号に応答して、該コマンドワードレジ スタから受信されたコマンドワードの少なくともメモリアドレス部分を格納し、 該格納部の各々が、出力イネーブル信号に応答して、格納されたメモリアドレス 部分を該格納部の出力バスに印加する、格納部と、 各メモリアドレスが該コマンドワードレジスタから格納部へ転送される ように、それぞれの入力イネーブル信号を該格納部へ生成および印加する制御回 路であって、該格納部の1つに格納されたメモリアドレス部分を出力させるよう にそれぞれの出力イネーブル信号を該格納部に生成および印加する制御回路と、 それぞれの出力イネーブル信号を受信する該格納部から該メモリアドレ ス部分を受信する入力バスを有するメモリアドレス処理回路と、を含むコンピュ ータシステム。 32.前記メモリアドレス処理部がアドレスデコーダを含む、請求項31に記 載のコンピュータシステム。 33.前記メモリアドレス処理回路の入力バスのそれぞれのビットを前記格納 部のそれぞれのビットに結合する複数のメモリアドレスバス回路をさらに含む請 求項31に記載のコンピュータシステム。 34.前記アドレスバス回路はそれぞれ、メモリアドレスのそれぞれのビット が格納部によって該アドレスバス回路にもはや印加されていない場合に、該アド レスバス回路のそれぞれの出力端子において論理レベルを維持するラッチ回路を 含む、請求項33に記載のコンピュータシステム。 35.バーストモードで動作することを可能にするための加算器であって、該 加算器が前記アドレスバス回路のそれぞれの出力端子に結合された複数の入力端 子および該アドレスバス回路のそれぞれの入力端子に結合された複数の出力端子 を有し、該加算器が該アドレスバス回路の出力端子から受信されるメモリアドレ スよりも大きい所定の数であるメモリアドレスを該アドレスバス回路の該入力端 子に印加する、加算器、をさらに含む請求項31に記載のコンピュータシステム 。 36.前記所定の数が1である、請求項35に記載のコンピュータシステム。 37.前記メモリデバイスがパケット化ダイナミックランダムアクセスメモリ を含む、請求項31に記載のコンピュータシステム。 38.メモリデバイス中のメモリアドレスを処理する方法であって、 複数のメモリアドレスを該メモリデバイスに印加する工程であって、該 アドレスの少なくともいくつかが該メモリデバイスに印加される速度が、該メモ リアドレスが該メモリデバイス中で処理され得る速度を超え得る、工程と、 該メモリアドレスを、該.メモリデバイスによって受信しながら格納し 、複数のメモリアドレスが該メモリデバイス中に同時に格納され得るようにする 工程と、 該格納されたメモリアドレスの各々を選択的に処理する工程と、を含む 方法。 39.前記格納されたメモリアドレスの各々を選択的に処理する工程が、該格 納されたメモリアドレスの各々を選択的にデコードする工程を含む、請求項38 の方法。 40.前記メモリアドレスを共通信号パス上で、該メモリアドレスを格納する 工程が実行される位置から該格納されたメモリアドレスの各々を選択的に処理す る工程が実行される位置に、転送する工程をさらに含む請求項38に記載の方法 。 41.前記メモリアドレスがメモリセルの少なくとも1つの配列の1列を示す アドレスを含む請求項38の方法。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011512590A (ja) * 2008-02-14 2011-04-21 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 入出力(i/o)処理システム内の入出力サブシステムとの通信用に構成された制御装置において可変長デバイス・コマンド・ワード(dcw)を処理するためのコンピュータ・プログラム、装置、および方法(入出力処理システム内の制御装置における可変長デバイス・コマンド・ワードの処理)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5838631A (en) 1996-04-19 1998-11-17 Integrated Device Technology, Inc. Fully synchronous pipelined ram
US6230245B1 (en) 1997-02-11 2001-05-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for generating a variable sequence of memory device command signals
US6175894B1 (en) 1997-03-05 2001-01-16 Micron Technology, Inc. Memory device command buffer apparatus and method and memory devices and computer systems using same
US5996043A (en) 1997-06-13 1999-11-30 Micron Technology, Inc. Two step memory device command buffer apparatus and method and memory devices and computer systems using same
US6094704A (en) * 1997-06-17 2000-07-25 Micron Technology, Inc. Memory device with pipelined address path
US6484244B1 (en) 1997-06-17 2002-11-19 Micron Technology, Inc. Method and system for storing and processing multiple memory commands
US6009501A (en) * 1997-06-18 1999-12-28 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for local control signal generation in a memory device
US6005823A (en) * 1997-06-20 1999-12-21 Micron Technology, Inc. Memory device with pipelined column address path
US6032220A (en) * 1997-07-18 2000-02-29 Micron Technology, Inc. Memory device with dual timing and signal latching control
US6202119B1 (en) * 1997-12-19 2001-03-13 Micron Technology, Inc. Method and system for processing pipelined memory commands
US6115320A (en) 1998-02-23 2000-09-05 Integrated Device Technology, Inc. Separate byte control on fully synchronous pipelined SRAM
US6111446A (en) * 1998-03-20 2000-08-29 Micron Technology, Inc. Integrated circuit data latch driver circuit
US6175905B1 (en) 1998-07-30 2001-01-16 Micron Technology, Inc. Method and system for bypassing pipelines in a pipelined memory command generator
US6178488B1 (en) 1998-08-27 2001-01-23 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for processing pipelined memory commands
DE19846454C2 (de) * 1998-10-08 2001-03-01 Siemens Ag Elektronische Schaltungsanordnung
US6266750B1 (en) * 1999-01-15 2001-07-24 Advanced Memory International, Inc. Variable length pipeline with parallel functional units
US6189082B1 (en) 1999-01-29 2001-02-13 Neomagic Corp. Burst access of registers at non-consecutive addresses using a mapping control word
US6178133B1 (en) * 1999-03-01 2001-01-23 Micron Technology, Inc. Method and system for accessing rows in multiple memory banks within an integrated circuit
EP1065668B1 (en) * 1999-06-21 2006-08-09 STMicroelectronics S.r.l. Erasing and parallel rewriting circuit for memory cell blocks, particularly for analog flash cells, and related operating method
US6646953B1 (en) * 2000-07-06 2003-11-11 Rambus Inc. Single-clock, strobeless signaling system
US7051130B1 (en) 1999-10-19 2006-05-23 Rambus Inc. Integrated circuit device that stores a value representative of a drive strength setting
US6321282B1 (en) 1999-10-19 2001-11-20 Rambus Inc. Apparatus and method for topography dependent signaling
US6643787B1 (en) 1999-10-19 2003-11-04 Rambus Inc. Bus system optimization
US6259646B1 (en) * 2000-01-28 2001-07-10 Micron Technology, Inc. Fast accessing of a memory device
US6700825B1 (en) * 2000-09-29 2004-03-02 Sun Microsystems, Inc. Implementation of a multi-dimensional, low latency, first-in first-out (FIFO) buffer
US7079775B2 (en) 2001-02-05 2006-07-18 Finisar Corporation Integrated memory mapped controller circuit for fiber optics transceiver
JP2002245778A (ja) * 2001-02-16 2002-08-30 Fujitsu Ltd 半導体装置
KR100518532B1 (ko) * 2002-04-27 2005-10-04 삼성전자주식회사 선택적으로 명령신호 및 어드레스를 전송하는 방법 및 장치
TWI220050B (en) * 2003-08-15 2004-08-01 Winbond Electronics Corp Method and apparatus of independent refresh memory capacitance
US7299329B2 (en) 2004-01-29 2007-11-20 Micron Technology, Inc. Dual edge command in DRAM
KR20160001098A (ko) * 2014-06-26 2016-01-06 에스케이하이닉스 주식회사 래치 회로 이를 포함하는 입출력 장치

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4312068A (en) * 1976-08-12 1982-01-19 Honeywell Information Systems Inc. Parallel generation of serial cyclic redundancy check
GB2128383B (en) * 1982-10-12 1986-06-18 Int Computers Ltd Data storage unit
JPS59116829A (ja) * 1982-12-23 1984-07-05 Fujitsu Ltd マイクロコンピユ−タ
US4849702A (en) * 1983-08-01 1989-07-18 Schlumberger Techologies, Inc. Test period generator for automatic test equipment
US4834890A (en) * 1987-01-30 1989-05-30 Baxter International Inc. Centrifugation pheresis system
US5321700A (en) * 1989-10-11 1994-06-14 Teradyne, Inc. High speed timing generator
US5297029A (en) * 1991-12-19 1994-03-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
JPH06195147A (ja) * 1992-12-23 1994-07-15 Fujitsu Ltd クロック制御装置
JPH06202933A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Toshiba Corp 同期式大規模集積回路記憶装置
JP3244340B2 (ja) * 1993-05-24 2002-01-07 三菱電機株式会社 同期型半導体記憶装置
US5732041A (en) * 1993-08-19 1998-03-24 Mmc Networks, Inc. Memory interface unit, shared memory switch system and associated method
US5402390A (en) * 1993-10-04 1995-03-28 Texas Instruments Inc. Fuse selectable timing signals for internal signal generators
JP2697634B2 (ja) * 1994-09-30 1998-01-14 日本電気株式会社 同期型半導体記憶装置
US5682496A (en) * 1995-02-10 1997-10-28 Micron Quantum Devices, Inc. Filtered serial event controlled command port for memory
US5737748A (en) * 1995-03-15 1998-04-07 Texas Instruments Incorporated Microprocessor unit having a first level write-through cache memory and a smaller second-level write-back cache memory
KR0152914B1 (ko) * 1995-04-21 1998-12-01 문정환 반도체 메모리장치
US5600605A (en) * 1995-06-07 1997-02-04 Micron Technology, Inc. Auto-activate on synchronous dynamic random access memory
US5636174A (en) * 1996-01-11 1997-06-03 Cirrus Logic, Inc. Fast cycle time-low latency dynamic random access memories and systems and methods using the same
US5652733A (en) * 1996-04-29 1997-07-29 Mosaid Technologies Inc. Command encoded delayed clock generator
KR100237565B1 (ko) * 1996-10-25 2000-01-15 김영환 반도체 메모리장치
JP4057084B2 (ja) * 1996-12-26 2008-03-05 株式会社ルネサステクノロジ 半導体記憶装置
US5831929A (en) * 1997-04-04 1998-11-03 Micron Technology, Inc. Memory device with staggered data paths

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011512590A (ja) * 2008-02-14 2011-04-21 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 入出力(i/o)処理システム内の入出力サブシステムとの通信用に構成された制御装置において可変長デバイス・コマンド・ワード(dcw)を処理するためのコンピュータ・プログラム、装置、および方法(入出力処理システム内の制御装置における可変長デバイス・コマンド・ワードの処理)

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