JPS6244352B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6244352B2
JPS6244352B2 JP56021274A JP2127481A JPS6244352B2 JP S6244352 B2 JPS6244352 B2 JP S6244352B2 JP 56021274 A JP56021274 A JP 56021274A JP 2127481 A JP2127481 A JP 2127481A JP S6244352 B2 JPS6244352 B2 JP S6244352B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
data
memory cell
sense circuit
latch
storage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP56021274A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS57135489A (en
Inventor
Osamu Nakano
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP56021274A priority Critical patent/JPS57135489A/ja
Publication of JPS57135489A publication Critical patent/JPS57135489A/ja
Publication of JPS6244352B2 publication Critical patent/JPS6244352B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/06Sense amplifiers; Associated circuits, e.g. timing or triggering circuits

Landscapes

  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Dram (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は記憶装置に関し、特にサイクル時間の
短縮に関する。
現在の計算機、特にフオン・ノイマン形と呼ば
れる計算機は、フオン・ノイマン・ボトル・ネツ
クと呼ばれる処理装置と記憶装置の間の情報転送
に関する隘路がある。これを解決する手段とし
て、並列処理を指向した各種の計算機アーキテク
チヤが提案されている。この種のアーキテクチヤ
は、パイプライン技術をベースのひとつとして利
用するものが多い。しかしながら、現在のパイプ
ライン技術は記憶装置の速度、容量の制限から、
記憶からのデータを読み出し、パイプラインの流
れの中にデータを揃えることに関し隘路がある。
現在、この隘路を解決する手段としては、中間
に高速小容量の記憶装置を配置する記憶階層と、
複数の記憶ブロツクをインタリーブする方式があ
るが、記憶階層はデータにローカリテイが無いと
効果が得られず、インタリーブ方式は記憶ブロツ
クへのデータ割付けが不適当な場合、ブロツクレ
ベルでの競合を起こす。
これを解決するためには、記憶装置自体の動作
をもパイプライン化するのが適当であるが、現在
大容量の記憶用の集積回路は記憶セルを特定する
ビツト例(アドレス情報)を受信してから所定の
データを出力するまでの時間間隔(アクセスタイ
ム)が長く、さらに、次にデータを得るまでの時
間間隔(サイクルタイム)はさらに長くなるた
め、パイプライン化しにくい欠点がある。
本発明はこのような欠点を解決すべくなされた
もので、記憶装置を構成する各手段を独立して動
作させ、各手段をパイプライン化して同時動作さ
せることによつて、アドレスを短いサイクルタイ
ムで次々に送り、アクセスタイムの後、所定のデ
ータが短いサイクルタイムで次々と得られるよう
にしたものである。以下、本発明を図面について
詳細に説明する。
第1図は本発明の一実施例を示すブロツク図で
あり、1はアドレスレシーバ、2はアドレスデコ
ーダ、3はリードラツチ、4はライトラツチ、5
は記憶セル群、6はセンス回路群、7はデータド
ライバ、8はデータレシーバ、9はデータラツチ
である。
本実施例では記憶動作は5相で構成され、第2
図にこのタイムチヤートを示す。相でアドレス
情報をアドレスレシーバ1に読み込む。この動作
が書き込みを指定するものであれば、書き込みデ
ータをデータレシーバ8に読み込む。相でデコ
ーダ2でアドレス情報をデコードし、リードラツ
チ3に送る。書き込みデータはデータラツチ9に
送られる。相でリードラツチ3で特定される記
憶セル5のデータをセンス回路6に取り込む。書
き込みデータが有るときは当該書き込みデータが
センス回路6に取り込まれる。さらにリードラツ
チ3のアドレス情報はライトラツチ4に送られ
る。相でセンス回路6のデータがライトラツチ
4で特定される記憶セル5に再書き込みされる。
相でセンス回路6のデータがデータドライバ7
に送られる。第2図は5個のアドレス情報につい
ての動作を示している。この記憶動作では、アク
セスタイムに5相の時間間隔を必要とするが、1
相のサイクルタイムで任意の記憶セルのデータが
得られる。このために記憶装置を構成する各部分
は各々独立して動作し、同時に各々異なるアドレ
スのための記憶装置動作を行なう。
本実施例では、大容量集積記憶回路を前堤と
し、ダイナミツク型の記憶セルを想定している。
従つて、第2図で示すように、記憶セル群5は
相、相で使用される。しかし記憶セル群5は、
第3図に示すように相の前半でセンス回路に取
り込み(R)、相の後半でセンス回路で書き込
む(W)ので記憶セル群5は時間的に重なつて使
用されない。一方、センス回路群は相、相、
相で使用される。これに対しては、3個のセン
ス回路を順次使用することでサポートする。
第4図は記憶セル群5とセンス回路群6の具体
例を示す。記憶セル群5は多数の記憶セル5−
1,5−2,…5−nからなり、図に示すように
ワード線a−1,a−2,…a−n、ビツト線b
が接続される。センス回路群6は3個のセンス回
路6−1,6−2,6−3からなり、それぞれゲ
ートを介してビツト線bに接続される。各ゲート
はセンス回路選択部10からのクロツクψC-1
ψC-2,ψC-3で開かれる。3つのセンス回路の動
作状態は第3図に示される。ビツト線bにはまた
クロツクψDで開くゲートを介してデータラツチ
9が接続される。
以下にその動作を説明する。データの読出しで
は、 (イ) センス回路選択部10により、例えばクロツ
クψC-1をオン状態にし、センス回路6−1と
ビツト線bとを電気的に接続する。同時にリー
ドラツチ3で特定されるワード線、例えばa−
1がオン状態になり、記憶セル5−1の状態が
センス回路6−1に取り込まれる。
(ロ) 次いで、クロツクψC-1がオフ状態になり、
ビツト線bとセンス回路6−1を電気的に切り
離した後、センス回路選択部10は、別のクロ
ツク、例えばψC-2をオン状態にする。
(ハ) センス回路6−1はその後、取り込んだ記憶
セルの状態信号を増幅する。一方、リードラツ
チ3の情報はライトラツチ4に送られる。
(ニ) 第相の後半で、クロツクψC-1は再びオン
状態になり、ライトラツチ4で特定される記憶
セル5−1に再書き込みされる。
(ホ) 次いで、クロツクψC-1をオフ状態にし、記
憶セル群5と電気的に切り離した後、センス回
路6−1から出力信号を得る。センス回路選択
部10は別のクロツク、例えばψC-3をオン状
態にする。
データの書き込みでは、上述の(イ)の部分でワー
ド線a−1は動作させず、クロツクψDをオン状
態にし、データラツチ9の状態をセンス回路6−
1に取り込む。(ロ)〜(ホ)は上述と全く同じである。
なお、本実施例では、第3図で明らかなよう
に、連続する2つのアドレスが同じで、さらに、
書き込み、読み出しの順に指定されると、読み出
されたデータは書き込む前のデータになる。従つ
て、この状況を検出できる機構と、書き込みデー
タを一時保留する機構とを用意し、当該状況を検
出したら、センス回路群6から出力されるデータ
の代りに一時保留したデータを読み出しデータと
して与える機構が集積記憶回路内、又は、別の付
加回記として必要である。
以上に説明したように、本発明によれば、アク
セスタイムより短いサイクルタイムでアドレス情
報が読み込まれ、さらに任意の記憶セルのデータ
を、前記の短いサイクルタイムで取り出せるの
で、この集積記憶回路を使用することにより記憶
装置の効果的なパイプラインが実現できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示すブロツク図、
第2図および第3図はその動作を説明するタイム
チヤート、第4図は第1図の記憶セル群とセンス
回路群の具体例を示す図である。 1……アドレスレシーバ、2……アドレスデコ
ーダ、3……リードラツチ、4……ライトラツ
チ、5……記憶セル群、6……センス回路群、7
……データドライバ、8……データレシーバ、9
……データラツチ、10……センス回路選択部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 記憶セル群を有する記憶装置であつて、記憶
    セル群のアドレスを受信し、記憶セル群に与える
    手段と、与えられたアドレスによつて記憶セルの
    データの読出し書込みを行なう手段と、読出され
    たデータを送出する手段とを有し、上記各手段は
    独立して動作し、上記各手段をパイプライン化し
    て同時動作させることを特徴とする記憶装置。
JP56021274A 1981-02-16 1981-02-16 Storage device Granted JPS57135489A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56021274A JPS57135489A (en) 1981-02-16 1981-02-16 Storage device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP56021274A JPS57135489A (en) 1981-02-16 1981-02-16 Storage device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS57135489A JPS57135489A (en) 1982-08-21
JPS6244352B2 true JPS6244352B2 (ja) 1987-09-19

Family

ID=12050534

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP56021274A Granted JPS57135489A (en) 1981-02-16 1981-02-16 Storage device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS57135489A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4597061B1 (en) * 1983-01-03 1998-06-09 Texas Instruments Inc Memory system using pipleline circuitry for improved system
JPS61148692A (ja) * 1984-12-24 1986-07-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 記憶装置
US4685088A (en) * 1985-04-15 1987-08-04 International Business Machines Corporation High performance memory system utilizing pipelining techniques

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5577068A (en) * 1978-12-06 1980-06-10 Hitachi Ltd Main memory unit

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5577068A (en) * 1978-12-06 1980-06-10 Hitachi Ltd Main memory unit

Also Published As

Publication number Publication date
JPS57135489A (en) 1982-08-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4493116B2 (ja) 読み取り/書き込みアドレスバスを有するランダムアクセスメモリ並びに同メモリへの書き込み及び同メモリからの読み取り方法
US6047339A (en) Buffering data that flows between buses operating at different frequencies
US6480931B1 (en) Content addressable storage apparatus and register mapper architecture
EP0646925B1 (en) Fully scalable memory apparatus
US6542569B2 (en) Memory device command buffer apparatus and method and memory devices and computer systems using same
EP0081358B1 (en) Data processing system providing improved data transfer between modules
JPS6244352B2 (ja)
JPS63129438A (ja) メモリ制御装置
EP1033722B1 (en) Shared memory
JPH024020B2 (ja)
JPS6136854A (ja) メモリ切換装置
JP2968636B2 (ja) マイクロコンピュータ
JP2972568B2 (ja) バス拡張装置
JPH06208539A (ja) 高速データ転送方式
JPS62110697A (ja) アドレス制御方式
EP0369935A2 (en) Multiple posting cache memory
JPH07121483A (ja) 共有メモリアクセス制御回路
JPS6246353A (ja) メモリ読出し方式
JPH0652516B2 (ja) バス・インターフェース装置
JPH0652039A (ja) データ転送方式
JPS58101358A (ja) メモリ制御方式
JPH0784871A (ja) 連続アドレスデータ用メモリのアクセス回路
JPH0152838B2 (ja)
JPS6289085A (ja) デ−タ転送方法
JPS61198276A (ja) メモリlsi