JP2001523585A - 2つの基板の接続面を熱的に接続する方法および装置 - Google Patents
2つの基板の接続面を熱的に接続する方法および装置Info
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Abstract
Description
対してレーザエネルギを透明な基板の後部側から加えて熱的に接続する方法に関
する。また、本発明は、請求項8の前提部に記載の、2つの基板の重なった接続
面を熱的に接続する装置に関する。 本願における用語「基板」は、例えば、チップや回路盤を接触させるための外
部接続面や導体構造を設けてなる全ての部品を表している。本願で提案する方法
または装置は、フリップチップ技術や表面実装(SMD)技術の分野に好適に適
用される。
この方法では、接続面が形成する接点対の領域でレーザエネルギを用いて、接続
に要する熱を発生させる。すなわち、例えばDE4446298A1に開示され
た2つの基板の接続面の熱的接続方法及び装置は、接続面の接点対にレーザエネ
ルギを導入するべく、透明な基板を介してレーザエネルギが接点対に後部から加
えられる。これに関連して、レーザ放出装置と後部から照射される基板との間に
は、光伝導ファイバからなるビーム経路が形成される。光伝導ファイバの断面積
寸法は、ファイバ端面から放出されるレーザビームにより全ての接点対が同時に
照射可能なようなものになっている。互いに接続すべき基板同士の相対位置が溶
融した接点対の表面張力により変化する現象は、いわゆる「自己整合」として公
知であり、この自己整合現象を用いるべく、公知の方法では、追加圧力を印加す
ることなしに、上方の基板の重量のみにより基板の接続面が相対位置に固定され
、この相対位置で基板の接続面同士が互いに支持されるものになっている。
に配された接続材料の吸収容量とを調整することにより、接続面間の熱的接続に
要する熱エネルギを得ている。この結果、基板材料および接続材料を自由に選択
する上で制約が生じる。 JP4−91493Aに関して英文アブストラクトが1992年に発行されて
おり、この英文アブストラクトから公知の方法では、2つの基板の接続面の熱的
接続にあたり、透明な押圧板としての透明なガラス板を介して透明な基板の後部
にエネルギが加えられ、両基板の接続面が当接される。この方法では、DE44
46289A1から公知の方法と異なり、レーザエネルギは、接続面の接点対の
全てに対して同時に印加されるのではなく順次印加され、各々の場合において複
数の接点対が結合されてユニットが形成され、レーザエネルギは全体としてユニ
ットに加えられる。
の接続面上で接触圧力を伝達可能にしている。しかしながら、製造上の不具合に
より、例えば、接続面に構成される接点メタライゼーションの高さに差異が生じ
て、対向する接続面の一部分が接触せず、それぞれの接点対へのエネルギ導入が
不十分になることがある。この場合、互いに接触していた基板の動作中に接触不
良が生じて、部品故障をきたすおそれがある。
の動作中の信頼性を向上する方法および装置を提供することにある。 この目的は、請求項1の特徴を有する方法により達成される。 本発明による方法において、対向する基板の2つの接続面間に形成される接点
対の各々にレーザエネルギが別々に加えられる。この様に、それぞれの接点対に
対してエネルギが最適に印加されるように、ビーム経路の調整、特にレーザビー
ムの焦点合わせを行える。それぞれの接点対へのレーザビームの焦点合わせの結
果として、レーザビームは、基板材料のより少ない部分にのみ加わり、基板材料
での不所望な温度歪みが最小限になる。従って、透明な基板材料にも存する残留
吸収容量が、レーザエネルギを基板材料の全面に加える場合に比べて小さくなる
。
旋回ミラー装置を介して第2旋回ミラー装置に偏向させ、また、第2旋回ミラー
装置により接点対に偏向させるのが特に好ましいことが分かっている。上記のビ
ーム経路の二重偏向の結果として、レーザ放出装置と2つの基板を備えた基板構
造とを所望のように互いに位置づけ可能である。特に、レーザ放出装置の固定構
造及び基板構造を基礎とした場合、レーザ放出装置または基板構造の位置決めを
変化させることなしに、接続面の各接点対にレーザエネルギを連続的かつ制御さ
れた方法で印加できる。
同士間の接触品質を向上させるという上記改良に加えて、請求項3に記載の本発
明の方法によれば、本発明の基礎である目的の更なる解決が図られる。 請求項3の方法において、基板の接続面は、両該基板に作用する押圧装置によ
り互いに押圧される。そして、基板の後部側と押圧装置の透明な力導入装置との
間には、透明な非圧縮性且つ変形可能な容量が配される。これに関連して、上記
容量は、その変形可能性により、圧力クッションとして作用する。この圧力クッ
ションにより、それぞれの基板に対して流体圧力に似た圧力を印加できる。この
様に、圧力印加と異なり、堅固な板により基板に変形を生じさせることができる
。この基板の変形により、接点対の接続面間のギャップ形成を打ち消して、製造
上の不具合により生じる接続面上での接点メタライゼーションの高さの差異を補
償できる。
運動に応じて焦点合わせ装置を軸方向に変位させるのが特に好ましいことが分か
っている。この様に、レーザエネルギが加わるそれぞれの接点対について、レー
ザビームの焦点ずれを生じることなしに、ビーム経路を変化でき、特にビーム経
路の長さを増減できる。
放出される赤外線放射を測定する場合、焦点合わせの監視を簡易に行える。 また、それぞれの接点対へのビーム経路の焦点合わせを制御するべく、カメラ
装置により接点対の光学的監視を行える。このため、ビーム経路から可視光がデ
カップルされる。接点対に対するエネルギ印加と接点対へのレーザビームの正確
な焦点合わせの監視との双方に同一のビーム経路を用いることにより、最小限の
追加支出を装置に施して焦点合わせを監視できる。更に、上記のようにビーム経
路を二重に使用する結果、実際の焦点合わせと検出された焦点合わせとの間に矛
盾を生じさせる光学的伝送誤差がなくなる。
とが分かっている。この方法では、パイロットレーザのビーム経路の焦点合わせ
制御によりパワーレーザのビーム経路の焦点合わせ制御を可能とするべく、固定
的に放出され且つ相対的に弱いパイロットレーザのビーム経路を、好ましくはパ
ルスモードで動作するパワーレーザ装置として構成されるレーザ放出装置のビー
ム経路に重ねる。この方法には、パイロットレーザ及びパワーレーザのそれぞれ
の波長により放出レーザビームの位相変位に伴う焦点合わせ誤差が生じることが
ないという利点がある。レーザ放出装置内またはレーザ放出装置に装備されたレ
ーザダイオードをパイロットレーザとして使用可能である。赤外線カメラをカメ
ラ装置として用いるのが特に好ましい。
べく、カメラ装置により接点対を監視すると共に、前記接点対が放出する赤外線
放射を測定するものになっている。この種の制御が特に正確であることが分かっ
ている。この種の制御では、赤外線放射の測定による容量制御すなわち接点対の
焦点合わせの結果に対して支配的な効果を有するパラメータが考慮されるからで
ある。接点対への所要エネルギを入力するには、原理上は、レーザエネルギを増
大させることなく正確な焦点合わせを行えば良いが、この様に、例えば、レーザ
エネルギの増大により焦点合わせずれを単に補償することにより、レーザ容量の
不十分さを防止することができる。
。 本発明の装置は、ビーム経路を得るための放射伝達装置を備え、第1及び第2
旋回ミラー装置によってビーム経路をレーザ放出装置から接点対までに少なくと
も2回偏向させることを特徴とする。
固定的に位置決めできる。基板構造は、互いに接触するべき基板により構成され
る。対向する基板の接続面の全ての接点対を相次いで接触させる間、上記の位置
決めが維持される。更に、本発明の放射伝送装置の上記構成によれば、全ての接
点対に対するエネルギを別個に印加でき、最良の接触結果を得るためのそれぞれ
の最適なビーム経路が各接点対について調整可能である。
くとも一つの透明な力導入装置を備え、この導入装置は、少なくとも接触領域に
、透明な非圧縮性且つ変形可能な容量を有した基板の後部側が設けられる。この
様に、力導入装置と基板の後部側との間に一種の圧力クッションが形成される。
この圧力クッションは、既に説明したように、基板の変形を伴いつつ、基板に対
して圧力を流体的に印加可能とする。
より力導入装置を被覆することが特に好ましいことが分かっている。 基板の後部側への流体的圧力の印加に関して、透明な非圧縮性且つ変形可能な
容量の効率を高めるべく、押圧方向に対して横断方向に作用する変形制限装置を
容量に設けることができる。
対に正確に焦点合わせ可能とするべく、ビーム経路内で軸方向に変位可能である
焦点合わせ装置をレーザ放出装置と接点対との間のビーム経路に配するのが好ま
しいことが分かっている。この焦点合わせ装置は、例えば、ビーム経路の長さの
増減を補償するための収束レンズを備えることができる。
配する場合、第1及び第2旋回ミラー装置の双方によって生じる焦点合わせずれ
を焦点合わせ装置により補償可能である。 レーザ放出装置と焦点合わせ装置との間のビーム経路に、ビーム経路からカメ
ラ装置へ可視光をデカップルおよび偏向させるための放射デカップリング装置を
配するのが特に好ましいことが分かっている。この様に、それぞれの接点対に対
するレーザビームの焦点合わせを直接に光学的に監視することができる。
あり、図面を参照して以下に詳細に説明する。 図1に示すレーザ接続装置10は、レーザ放出装置11、放射伝送装置12お
よび基板収容装置13を備えている。本例において、基板収容装置13は、押圧
装置14及び反対押圧装置15を備える。
これらの基板には、詳細な図示を省略した導電体構造と、接触のための外部接続
体19、20とが設けられている。本例の場合、基板17はチップであり、この
チップには周辺接続面構造21が設けられ、基板17の接続体19は、基板18
の接続体20に接触するようになっている。基板18は、周辺接続面構造22を
有している。図示した実施例の基板18は支持板であり、その接続体20が接続
体19に接続されるようになっている。このため、接続体19、20には隆起形
金属接点部23、24がそれぞれ設けられ、両接点部は、熱的接続に要する接続
材料を提供するものとなっている。
密接接続のためにできる限りクリアランスなく接触させるべく、押圧装置14は
、下方の基板18の後部側26に向かって矢印25の方向に変位可能にされ、ま
た、所望の反対圧力が反対押圧装置15により印加される。 反対押圧装置15はハンドリング装置として構成でき、詳細には図示しない待
機位置から図1に示す接触位置へ基板17を搬送するものになっている。この搬
送に際して基板17とハンドリング装置としての反対押圧装置15との間に作用
する吸着力を発生させるべく、例えば、反対押圧装置15と基板17との間に負
圧が加えられる。
るレーザビームの波長に対して透明な成分を有している。 レーザ放出装置11と基板収容装置13内の基板構造16との間には、2つの
旋回ミラー装置29、30を備えた放射伝送装置12が配されている。図1から
明らかなように、旋回ミラー装置29、30の各々はミラー面32または33を
備え、これらのミラー面は、ビーム経路28を横断して延びる旋回軸31および
ビーム経路と平行に延びる旋回軸38のまわりの2つの空間軸線に関して旋回可
能になっている。2つの旋回ミラー装置29、30によってビーム経路28を二
重偏向させるので、基板構造16の接続面34と略平行に延びるビーム経路部3
5と、接続平面34を略横断して延びるビーム経路部36とを形成できる。これ
に関して、ビーム経路28において第1旋回ミラー装置29の後段に配された第
2旋回ミラー装置30の旋回運動により、第1旋回ミラー装置29の角度調整を
伴って、接点対27の全てに対するレーザエネルギ照射を連続的且つ別個に行え
るようになる。接点対27の各々は、2つの接続体19、20により形成される
。これに関連して、レーザ放出装置11および基板収容装置13内に配された基
板構造16の双方の位置を維持可能である。
圧装置14と基板18とを介して実施される。接続面20の放射吸収挙動のため
、金属接点部23、24の加熱と少なくとも部分的な溶融とが生じ、その後、接
続体19、20が密接に接続される。 図1は、全ての接点対37への連続的照射の例として、基板構造16の右縁に
配された接点対37にレーザエネルギを印加する場合を示す。この図から分かる
ように、例えば基板構造16の左縁に配される接点対37へエネルギを照射する
場合には、長いビーム経路部分36に焦点長さを適合させる必要がある。焦点長
さは、ミラー面22と接点対37との間隔に関連して調整され、接点対37に対
してレーザビーム27を正確に焦点合わせ可能である。このため、ビーム経路で
軸方向に変位可能な焦点合わせ装置39には、ビーム経路部35に収束レンズ4
0が設けられている。
41、42がビーム経路28に挿入されている。デカップリング装置の各々は、
レーザ放出装置11の放出方向ではレーザビーム27に対して透明であるが、接
点対37により放射または反射された照射成分を反射する。この照射成分の反射
は、ミラー面43または44のそれぞれの選択入射角度に応じたものとなる。収
束レンズ46による焦点合わせに続いて、図1に示すように、放射デカップリン
グ装置41は、前記接点対の加熱の結果として接点対37により放出される赤外
線放射成分45をミラー面43を介して赤外線検出器47へ反射する。放射デカ
ップリング装置42は、照射経路28に存し且つ透明な基板18及び透明な押圧
装置14を介して接点対37により反射された可視光の一部分を、ミラー面44
を介してカメラ装置49の対物レンズ48へ反射し、従って、カメラ装置49に
より接点対37を監視できる。
に映像処理装置と共に、焦点合わせ装置に作用する調整値を好適に決定する。こ
の調整値に基づいて、それぞれの接点対37に対するレーザビーム27の焦点合
わせの正確さが監視され、焦点合わせ装置が調整される。接点対37へのレーザ
ビーム27の正確な焦点合わせに基づき、接点対37での有効レーザ容量を赤外
線検出器47により制御できる。
変形例による構造を有するもので、図1の放射伝送装置12と比べて赤外線検出
器47の構成を異にする。その他の点では、図2のレーザ接続装置10は、同一
参照符号で示す同一部品からなる。図1と図2との比較から明らかなように、旋
回ミラー装置29、30は、旋回ミラー装置29がその位置を維持し且つ旋回ミ
ラー装置30が旋回ミラー装置29の下方に配されるように、異なる相対構造に
されている。更に、放射デカップリング装置41に代えて、放射デカップリング
装置57が設けられ、この装置57のミラー面58は、赤外線放射に対して透明
であると共にレーザ放出装置11のレーザビーム27に対して高度に反射的であ
る。この様に、図2に示すように、接続20により反射される赤外線放射の光軸
上に直接に放射偏向することなしに、赤外線検出器47を配置可能である。
である。 図3は、図1及び図2の押圧装置14を変形した押圧装置50を示し、この装
置は、例えば、ガラスや透明エポキシ樹脂で形成可能な透明且つ構成が堅固な力
導入装置51を有している。力導入装置51と基板18の後部側26との間には
、透明な非圧縮性且つ変形可能な容量が配され、本例の容量はシリコンクッショ
ン52として構成されている。図示の実施例において、シリコンクッション52
は、力導入装置51の収容要素53に収容されている。収容要素53は、力導入
装置51の周方向周辺ウエブ54として形成されている。
されると、シリコンクッション52からなる非圧縮性且つ変形可能な容量は、流
体に類した圧力の下での挙動を示し、基板17の接点メタライゼーション23の
高さh及びh1の偏差が、基板18の対応する変形によって補償される。これに
関連して、周辺ウエブ54は、押圧方向に対して横断方向に作用する変形制限装
置として作用する。
圧力クッション52の使用により、互いに対向して配された基板17、18の接
点メタライゼーション23、24間のギャップ形成が防止される。上記から明ら
かなように、2つの基板の対向接続部を接触させる際に押圧装置における透明な
非圧縮性且つ変形可能な容量の構成により、接続面に対するレーザエネルギの印
加の種類にかかわらず、すなわち、接続面に対してレーザエネルギを別個に印加
する場合と共同して印加する場合との双方において、接触品質を有効に改良でき
る。各々の場合において、接続体間のギャップ形成が打ち消されるからである。
用した装置は、とりわけチップカードの製造およびハウス型チップモジュールの
製造、特に「チップスケールパッケージング」技術により製造されるものに有用
である。それぞれの変形例に係る方法またはそれぞれの装置の実施例のいずれに
よっても、基板とくにチップ59と支持基板60とを図4に示すように接続でき
る。
熱的接続において、図1ないし図3に示した接続と異なり、接着フィルム61が
チップ59と支持基板60との間に配され、チップ59と支持基板60とが安定
に結合される。図4に示す接着フィルム60は、接続の形成に先立って2つの基
板の一方59または60に配置可能であり、或いは図示のように基板59と60
との間に別個の部品として配置可能である。レーザ接続装置により熱的接続を形
成する前において、接着フィルム61が非導電性材料か導電性材料かによって、
介在接着フィルム61の変位を伴いつつ押圧装置14及び反対押圧装置15を経
由してチップ59の接続体62と支持基板60の接続体63とが直接に接触し、
或いは、接着フィルム61を介してチップ59の接続体62と支持基板60の接
続体63とが間接的に接触する。
付けや接着成分の硬化前の接着固定を行え、あるいは押圧装置により支持されて
熱的圧縮接続を形成できる。それぞれの接触相手間の熱的接続を行うほかに、レ
ーザ接続装置は、接着剤硬化のために使用可能である。
。
を示す。
対してレーザエネルギを透明な基板の後部側から加えて熱的に接続する方法に関
する。また、本発明は、請求項8の前提部に記載の、2つの基板の重なった接続
面を熱的に接続する装置に関する。 本願における用語「基板」は、例えば、チップや回路盤を接触させるための外
部接続面や導体構造を設けてなる全ての部品を表している。本願で提案する方法
または装置は、フリップチップ技術や表面実装(SMD)技術の分野に好適に適
用される。
この方法では、接続面が形成する接点対の領域でレーザエネルギを用いて、接続
に要する熱を発生させる。すなわち、例えばDE4446298A1に開示され
た2つの基板の接続面の熱的接続方法及び装置は、接続面の接点対にレーザエネ
ルギを導入するべく、透明な基板を介してレーザエネルギが接点対に後部から加
えられる。これに関連して、レーザ放出装置と後部から照射される基板との間に
は、光伝導ファイバからなるビーム経路が形成される。光伝導ファイバの断面積
寸法は、ファイバ端面から放出されるレーザビームにより全ての接点対が同時に
照射可能なようなものになっている。互いに接続すべき基板同士の相対位置が溶
融した接点対の表面張力により変化する現象は、いわゆる「自己整合」として公
知であり、この自己整合現象を用いるべく、公知の方法では、追加圧力を印加す
ることなしに、上方の基板の重量のみにより基板の接続面が相対位置に固定され
、この相対位置で基板の接続面同士が互いに支持されるものになっている。
に配された接続材料の吸収容量とを調整することにより、接続面間の熱的接続に
要する熱エネルギを得ている。この結果、基板材料および接続材料を自由に選択
する上で制約が生じる。 JP4−91493Aに関して英文アブストラクトが1992年に発行されて
おり、この英文アブストラクトから公知の方法では、2つの基板の接続面の熱的
接続にあたり、透明な押圧板としての透明なガラス板を介して透明な基板の後部
にエネルギが加えられ、両基板の接続面が当接される。この方法では、DE44
46289A1から公知の方法と異なり、レーザエネルギは、接続面の接点対の
全てに対して同時に印加されるのではなく順次印加され、各々の場合において複
数の接点対が結合されてユニットが形成され、レーザエネルギは全体としてユニ
ットに加えられる。
の接続面上で接触圧力を伝達可能にしている。しかしながら、製造上の不具合に
より、例えば、接続面に構成される接点メタライゼーションの高さに差異が生じ
て、対向する接続面の一部分が接触せず、それぞれの接点対への熱エネルギ導入
が不十分になることがある。この場合、互いに接触していた基板の動作中に接触
不良が生じて、部品故障をきたすおそれがある。
ブルな透明膜により当接され、ガラス板または膜の上下面間に異なるガス圧たと
えば真空により接触圧力が印加される。その後、ガラス板または膜を介して放射
するレーザビームによりエネルギが接触面に印加される。 本発明の目的は、2つの基板の接続面の接触を改良可能として、この種の基板
の動作中の信頼性を向上する方法および装置を提供することにある。
対の各々にレーザエネルギが別々に加えられる。この様に、それぞれの接点対に
対してエネルギが最適に印加されるように、ビーム経路の調整、特にレーザビー
ムの焦点合わせを行える。これに関連して、レーザ放出装置と接点対との間のビ
ーム経路において、旋回ミラー装置の角度運動に応じて焦点合わせ装置が軸方向
に変位される。この様に、レーザエネルギが加わるそれぞれの接点対について、
レーザビームの焦点ずれを生じることなしに、ビーム経路を変化でき、特にビー
ム経路の長さを増減できる。
は、基板材料のより少ない部分にのみ加わり、基板材料での不所望な温度歪みが
最小限になる。従って、透明な基板材料にも存する残留吸収容量が、レーザエネ
ルギを基板材料の全面に加える場合に比べて小さくなる。 レーザ放出装置により放出される放射エネルギを、ビーム経路において、第1
旋回ミラー装置を介して第2旋回ミラー装置に偏向させ、また、第2旋回ミラー
装置により接点対に偏向させるのが特に好ましいことが分かっている。上記のビ
ーム経路の二重偏向の結果として、レーザ放出装置と2つの基板を備えた基板構
造とを所望のように互いに位置づけ可能である。特に、レーザ放出装置の固定構
造及び基板構造を基礎とした場合、レーザ放出装置または基板構造の位置決めを
変化させることなしに、接続面の各接点対にレーザエネルギを連続的かつ制御さ
れた方法で印加できる。
同士間の接触品質を向上させるという上記改良に加えて、請求項3に記載の本発
明の方法によれば、本発明の基礎である目的の更なる解決が図られる。 請求項3の方法において、基板の接続面は、両該基板に作用する押圧装置によ
り互いに押圧される。そして、基板の後部側と押圧装置の透明な力導入装置との
間には、透明な非圧縮性且つ変形可能な容量が配される。これに関連して、上記
容量は、その変形可能性により、圧力クッションとして作用する。この圧力クッ
ションにより、それぞれの基板に対して流体圧力に似た圧力を印加できる。この
様に、圧力印加と異なり、堅固な板により基板に変形を生じさせることができる
。この基板の変形により、接点対の接続面間のギャップ形成を打ち消して、製造
上の不具合により生じる接続面上での接点メタライゼーションの高さの差異を補
償できる。
放出される赤外線放射を測定する場合、焦点合わせの監視を簡易に行える。 また、それぞれの接点対へのビーム経路の焦点合わせを制御するべく、カメラ
装置により接点対の光学的監視を行える。このため、ビーム経路から可視光がデ
カップルされる。接点対に対するエネルギ印加と接点対へのレーザビームの正確
な焦点合わせの監視との双方に同一のビーム経路を用いることにより、最小限の
追加支出を装置に施して焦点合わせを監視できる。更に、上記のようにビーム経
路を二重に使用する結果、実際の焦点合わせと検出された焦点合わせとの間に矛
盾を生じさせる光学的伝送誤差がなくなる。
とが分かっている。この方法では、パイロットレーザのビーム経路の焦点合わせ
制御によりパワーレーザのビーム経路の焦点合わせ制御を可能とするべく、固定
的に放出され且つ相対的に弱いパイロットレーザのビーム経路を、好ましくはパ
ルスモードで動作するパワーレーザ装置として構成されるレーザ放出装置のビー
ム経路に重ねる。この方法には、パイロットレーザ及びパワーレーザのそれぞれ
の波長により放出レーザビームの位相変位に伴う焦点合わせ誤差が生じることが
ないという利点がある。レーザ放出装置内またはレーザ放出装置に装備されたレ
ーザダイオードをパイロットレーザとして使用可能である。赤外線カメラをカメ
ラ装置として用いるのが特に好ましい。
べく、カメラ装置により接点対を監視すると共に、前記接点対が放出する赤外線
放射を測定するものになっている。この種の制御が特に正確であることが分かっ
ている。この種の制御では、赤外線放射の測定による容量制御すなわち接点対の
焦点合わせの結果に対して支配的な効果を有するパラメータが考慮されるからで
ある。接点対への所要エネルギを入力するには、原理上は、レーザエネルギを増
大させることなく正確な焦点合わせを行えば良いが、この様に、例えば、レーザ
エネルギの増大により焦点合わせずれを単に補償することにより、レーザ容量の
不十分さを防止することができる。
。 本発明の装置は、ビーム経路を得るための放射伝達装置を備え、第1及び第2
旋回ミラー装置によってビーム経路をレーザ放出装置から接点対までに少なくと
も2回偏向させ、また、ビーム経路内で軸方向に変位可能である焦点合わせ装置
をレーザ放出装置と接点対との間のビーム経路に配したことを特徴とする。
固定的に位置決めできる。基板構造は、互いに接触するべき基板により構成され
る。対向する基板の接続面の全ての接点対を相次いで接触させる間、上記の位置
決めが維持される。更に、本発明の放射伝送装置の上記構成によれば、全ての接
点対に対するエネルギを別個に印加でき、最良の接触結果を得るためのそれぞれ
の最適なビーム経路が各接点対について調整可能である。旋回ミラーの回転によ
り生じると共に接点対でのレーザビームの焦点合わせずれを招来し得るビーム経
路の変化、特にビーム経路の長さの増減を補償するべく、例えば収束レンズから
なる軸方向変位可能な焦点合わせ装置がビーム経路に設けられる。
くとも一つの透明な力導入装置を備え、この導入装置は、少なくとも接触領域に
、透明な非圧縮性且つ変形可能な容量を有した基板の後部側が設けられる。この
様に、力導入装置と基板の後部側との間に一種の圧力クッションが形成される。
この圧力クッションは、既に説明したように、基板の変形を伴いつつ、基板に対
して圧力を流体的に印加可能とする。
より力導入装置を被覆することが特に好ましいことが分かっている。 基板の後部側への流体的圧力の印加に関して、透明な非圧縮性且つ変形可能な
容量の効率を高めるべく、押圧方向に対して横断方向に作用する変形制限装置を
容量に設けることができる。
配する場合、第1及び第2旋回ミラー装置の双方によって生じる焦点合わせずれ
を焦点合わせ装置により補償可能である。 レーザ放出装置と焦点合わせ装置との間のビーム経路に、ビーム経路からカメ
ラ装置へ可視光をデカップルおよび偏向させるための放射デカップリング装置を
配するのが特に好ましいことが分かっている。この様に、それぞれの接点対に対
するレーザビームの焦点合わせを直接に光学的に監視することができる。
あり、図面を参照して以下に詳細に説明する。 図1に示すレーザ接続装置10は、レーザ放出装置11、放射伝送装置12お
よび基板収容装置13を備えている。本例において、基板収容装置13は、押圧
装置14及び反対押圧装置15を備える。
これらの基板には、詳細な図示を省略した導電体構造と、接触のための外部接続
体19、20とが設けられている。本例の場合、基板17はチップであり、この
チップには周辺接続面構造21が設けられ、基板17の接続体19は、基板18
の接続体20に接触するようになっている。基板18は、周辺接続面構造22を
有している。図示した実施例の基板18は支持板であり、その接続体20が接続
体19に接続されるようになっている。このため、接続体19、20には隆起形
金属接点部23、24がそれぞれ設けられ、両接点部は、熱的接続に要する接続
材料を提供するものとなっている。
密接接続のためにできる限りクリアランスなく接触させるべく、押圧装置14は
、下方の基板18の後部側26に向かって矢印25の方向に変位可能にされ、ま
た、所望の反対圧力が反対押圧装置15により印加される。 反対押圧装置15はハンドリング装置として構成でき、詳細には図示しない待
機位置から図1に示す接触位置へ基板17を搬送するものになっている。この搬
送に際して基板17とハンドリング装置としての反対押圧装置15との間に作用
する吸着力を発生させるべく、例えば、反対押圧装置15と基板17との間に負
圧が加えられる。
るレーザビームの波長に対して透明な成分を有している。 レーザ放出装置11と基板収容装置13内の基板構造16との間には、2つの
旋回ミラー装置29、30を備えた放射伝送装置12が配されている。図1から
明らかなように、旋回ミラー装置29、30の各々はミラー面32または33を
備え、これらのミラー面は、ビーム経路28を横断して延びる旋回軸31および
ビーム経路と平行に延びる旋回軸38のまわりの2つの空間軸線に関して旋回可
能になっている。2つの旋回ミラー装置29、30によってビーム経路28を二
重偏向させるので、基板構造16の接続面34と略平行に延びるビーム経路部3
5と、接続平面34を略横断して延びるビーム経路部36とを形成できる。これ
に関して、ビーム経路28において第1旋回ミラー装置29の後段に配された第
2旋回ミラー装置30の旋回運動により、第1旋回ミラー装置29の角度調整を
伴って、接点対27の全てに対するレーザエネルギ照射を連続的且つ別個に行え
るようになる。接点対27の各々は、2つの接続体19、20により形成される
。これに関連して、レーザ放出装置11および基板収容装置13内に配された基
板構造16の双方の位置を維持可能である。
圧装置14と基板18とを介して実施される。接続面20の放射吸収挙動のため
、金属接点部23、24の加熱と少なくとも部分的な溶融とが生じ、その後、接
続体19、20が密接に接続される。 図1は、全ての接点対37への連続的照射の例として、基板構造16の右縁に
配された接点対37にレーザエネルギを印加する場合を示す。この図から分かる
ように、例えば基板構造16の左縁に配される接点対37へエネルギを照射する
場合には、長いビーム経路部分36に焦点長さを適合させる必要がある。焦点長
さは、ミラー面22と接点対37との間隔に関連して調整され、接点対37に対
してレーザビーム27を正確に焦点合わせ可能である。このため、ビーム経路で
軸方向に変位可能な焦点合わせ装置39には、ビーム経路部35に収束レンズ4
0が設けられている。
41、42がビーム経路28に挿入されている。デカップリング装置の各々は、
レーザ放出装置11の放出方向ではレーザビーム27に対して透明であるが、接
点対37により放射または反射された照射成分を反射する。この照射成分の反射
は、ミラー面43または44のそれぞれの選択入射角度に応じたものとなる。収
束レンズ46による焦点合わせに続いて、図1に示すように、放射デカップリン
グ装置41は、前記接点対の加熱の結果として接点対37により放出される赤外
線放射成分45をミラー面43を介して赤外線検出器47へ反射する。放射デカ
ップリング装置42は、照射経路28に存し且つ透明な基板18及び透明な押圧
装置14を介して接点対37により反射された可視光の一部分を、ミラー面44
を介してカメラ装置49の対物レンズ48へ反射し、従って、カメラ装置49に
より接点対37を監視できる。
に映像処理装置と共に、焦点合わせ装置に作用する調整値を好適に決定する。こ
の調整値に基づいて、それぞれの接点対37に対するレーザビーム27の焦点合
わせの正確さが監視され、焦点合わせ装置が調整される。接点対37へのレーザ
ビーム27の正確な焦点合わせに基づき、接点対37での有効レーザ容量を赤外
線検出器47により制御できる。
変形例による構造を有するもので、図1の放射伝送装置12と比べて赤外線検出
器47の構成を異にする。その他の点では、図2のレーザ接続装置10は、同一
参照符号で示す同一部品からなる。図1と図2との比較から明らかなように、旋
回ミラー装置29、30は、旋回ミラー装置29がその位置を維持し且つ旋回ミ
ラー装置30が旋回ミラー装置29の下方に配されるように、異なる相対構造に
されている。更に、放射デカップリング装置41に代えて、放射デカップリング
装置57が設けられ、この装置57のミラー面58は、赤外線放射に対して透明
であると共にレーザ放出装置11のレーザビーム27に対して高度に反射的であ
る。この様に、図2に示すように、接続20により反射される赤外線放射の光軸
上に直接に放射偏向することなしに、赤外線検出器47を配置可能である。
である。 図3は、図1及び図2の押圧装置14を変形した押圧装置50を示し、この装
置は、例えば、ガラスや透明エポキシ樹脂で形成可能な透明且つ構成が堅固な力
導入装置51を有している。力導入装置51と基板18の後部側26との間には
、透明な非圧縮性且つ変形可能な容量が配され、本例の容量はシリコンクッショ
ン52として構成されている。図示の実施例において、シリコンクッション52
は、力導入装置51の収容要素53に収容されている。収容要素53は、力導入
装置51の周方向周辺ウエブ54として形成されている。
されると、シリコンクッション52からなる非圧縮性且つ変形可能な容量は、流
体に類した圧力の下での挙動を示し、基板17の接点メタライゼーション23の
高さh及びh1の偏差が、基板18の対応する変形によって補償される。これに
関連して、周辺ウエブ54は、押圧方向に対して横断方向に作用する変形制限装
置として作用する。
圧力クッション52の使用により、互いに対向して配された基板17、18の接
点メタライゼーション23、24間のギャップ形成が防止される。上記から明ら
かなように、2つの基板の対向接続部を接触させる際に押圧装置における透明な
非圧縮性且つ変形可能な容量の構成により、接続面に対するレーザエネルギの印
加の種類にかかわらず、すなわち、接続面に対してレーザエネルギを別個に印加
する場合と共同して印加する場合との双方において、接触品質を有効に改良でき
る。各々の場合において、接続体間のギャップ形成が打ち消されるからである。
用した装置は、とりわけチップカードの製造およびハウス型チップモジュールの
製造、特に「チップスケールパッケージング」技術により製造されるものに有用
である。それぞれの変形例に係る方法またはそれぞれの装置の実施例のいずれに
よっても、基板とくにチップ59と支持基板60とを図4に示すように接続でき
る。
熱的接続において、図1ないし図3に示した接続と異なり、接着フィルム61が
チップ59と支持基板60との間に配され、チップ59と支持基板60とが安定
に結合される。図4に示す接着フィルム60は、接続の形成に先立って2つの基
板の一方59または60に配置可能であり、或いは図示のように基板59と60
との間に別個の部品として配置可能である。レーザ接続装置により熱的接続を形
成する前において、接着フィルム61が非導電性材料か導電性材料かによって、
介在接着フィルム61の変位を伴いつつ押圧装置14及び反対押圧装置15を経
由してチップ59の接続体62と支持基板60の接続体63とが直接に接触し、
或いは、接着フィルム61を介してチップ59の接続体62と支持基板60の接
続体63とが間接的に接触する。
付けや接着成分の硬化前の接着固定を行え、あるいは押圧装置により支持されて
熱的圧縮接続を形成できる。それぞれの接触相手間の熱的接続を行うほかに、レ
ーザ接続装置は、接着剤硬化のために使用可能である。
。
を示す。
Claims (14)
- 【請求項1】 少なくとも一方の基板が透明である2つの基板の重なった接続面
に対してレーザエネルギを透明な基板の後部側から加えて熱的に接続する方法に
おいて、 対向する基板(17、18;59、60)の2つの接続面(19、20;62
、63)の間に形成される接点対(37)の各々にレーザエネルギを別々に加え
ることを特徴とする接続方法。 - 【請求項2】 レーザ放出装置(11)により放出されるレーザビーム(27)
を、ビーム経路において、第1旋回ミラー装置(29)を介して第2旋回ミラー
装置(30)に偏向させ、また、前記第2旋回ミラー装置(30)により接点対
(37)に偏向させることを特徴とする請求項1に記載の接続方法。 - 【請求項3】 少なくとも一方の基板が透明である2つの基板の重なった接続面
に対してレーザエネルギを透明な基板の後部側から加えて熱的に接続する特に請
求項1または2に記載の接続方法において、 前記基板(17、18;59、60)の前記接続面(19、20;62、63
)を、両該基板に作用する押圧装置(14、50)により互いに押圧し、透明な
非圧縮性且つ変形可能な容量(52)を、基板(18)の後部側(26)と押圧
装置の透明な力導入装置(51)との間に配したことを特徴とする接続方法。 - 【請求項4】 前記レーザ放出装置(11)と前記接点対(37)との間のビー
ム経路(28)において、旋回ミラー装置(29、30)の角度運動に応じて、
焦点合わせ装置(39)を軸方向に変位させることを特徴とする請求項1、2ま
たは3に記載の接続方法。 - 【請求項5】 前記それぞれの接点対(37)に対するレーザビーム(27)の
焦点合わせを制御するべく前記接点対が放出する赤外線放射(45)を測定する
ことを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の接続方法。 - 【請求項6】 前記それぞれの接点対(37)に対するレーザビーム(27)の
焦点合わせを制御するべく、カメラ装置(49)により前記接点対を光学的に監
視し、このため、前記レーザビーム(27)のビーム経路(28)から可視光を
デカップルさせることを特徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の接続方
法。 - 【請求項7】 接点対(37)における有効レーザ容量を制御するべく、カメラ
装置(49)により前記接点対(37)を監視すると共に、前記接点対(37)
が放出する赤外線放射(45)を測定することを特徴とする請求項5または6に
記載の接続方法。 - 【請求項8】 放射エネルギを放出するためのレーザ放出装置と、前記レーザ放
出装置からの放射エネルギを接続面の接点対に伝達するための放射伝達装置とを
備え、少なくとも一方の基板が透明である2つの基板の重なった接続面に対して
レーザエネルギを前記透明な基板の後部側から加えて熱的接続を行う装置におい
て、 前記放射伝達装置(12)が、前記レーザ放出装置(11)から前記接点対(
37)へ至り且つ少なくとも2回偏向されるビーム経路(28)を得るための第
1及び第2旋回ミラー装置(29、30)を備えることを特徴とする接続装置。 - 【請求項9】 放射エネルギを放出するためのレーザ放出装置と、前記レーザ放
出装置からの放射エネルギを接続面の接点対に伝達するための放射伝達装置とを
備え、少なくとも一方の基板が透明である2つの基板の重なった接続面に対して
レーザエネルギを前記透明な基板の後部側から加えて熱的接続を行う装置におい
て、 少なくとも一つの透明な力導入装置(51)を有し且つ前記基板(17、18
)に作用する押圧装置(14、50)を備え、前記力導入装置は、少なくとも基
板(18)の後部側(26)との接触領域に、透明な非圧縮性且つ変形可能な容
量(52)を有することを特徴とする請求項8に記載の接続装置。 - 【請求項10】 前記透明な非圧縮性且つ変形可能な容量(52)を形成するべ
く、プラスチック材料の層により前記力導入装置(51)を被覆したことを特徴
とする請求項9に記載の接続装置。 - 【請求項11】 前記容量(52)に変形制限装置(54)を前記押圧装置(5
0)を横断して設けたことを特徴とする請求項9または10に記載の接続装置。 - 【請求項12】 ビーム経路内で軸方向に変位可能である焦点合わせ装置(39
)を前記レーザ放出装置(11)と前記接点対(37)との間のビーム経路(2
8)に配したことを特徴とする請求項8ないし11のいずれかに記載の接続装置
。 - 【請求項13】 前記第1旋回ミラー装置(29)と前記レーザ放出装置(11
)との間のビーム経路(28)に焦点合わせ装置(39)を配したことを特徴と
する請求項12に記載の接続装置。 - 【請求項14】 前記レーザ放出装置(11)と前記焦点合わせ装置(39)と
の間のビーム経路(28)に、前記ビーム経路からカメラ装置(49)へ可視光
をデカップルおよび偏向させるための放射デカップリング装置(42)を配した
ことを特徴とする請求項12または13に記載の接続装置。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007514304A (ja) * | 2003-12-03 | 2007-05-31 | パック テック−パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー | 2つのウェーハを相互接触させる方法および装置 |
JP2009522113A (ja) * | 2006-01-10 | 2009-06-11 | バレオ・エチユード・エレクトロニク | 少なくとも2個の積層部材を互いにろう付けする方法 |
JP2010192570A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Panasonic Corp | レーザはんだ付け装置 |
JP2012004281A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Toppan Printing Co Ltd | レーザ溶接方法、電子部品接続構造及びレーザ溶接検査方法 |
US8361881B2 (en) | 2003-12-03 | 2013-01-29 | PAC Tech—Packaging Technologies GmbH | Method for alternately contacting two wafers |
JP2019009440A (ja) * | 2017-06-20 | 2019-01-17 | プロテック カンパニー リミテッドProtec Co., Ltd. | フリップチップレーザーボンディング装置及びフリップチップレーザーボンディング方法 |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19901623B4 (de) * | 1999-01-18 | 2007-08-23 | Pac Tech-Packaging Technologies Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur thermischen Verbindung von Anschlußflächen zweier Substrate |
JP3914670B2 (ja) * | 1999-11-18 | 2007-05-16 | パイオニア株式会社 | 半導体モジュール及び半導体モジュールの半導体レーザ素子の取り付け方法 |
DE10036900C2 (de) * | 2000-07-28 | 2002-07-11 | Siemens Ag | Verfahren zur Kontaktierung einer flexiblen Leiterplatte mit einem Kontaktpartner und Anordnung aus flexibler Leiterplatte und Kontaktpartner |
EP1278240A2 (fr) | 2001-07-10 | 2003-01-22 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Procédé de report d'un composant sur un support de connexion par soudage sans apport de matière |
DE10133731C2 (de) * | 2001-07-11 | 2003-08-14 | Huf Tools Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Endprodukts, welches Löt-oder Schweißstellen aufweist |
US6706402B2 (en) | 2001-07-25 | 2004-03-16 | Nantero, Inc. | Nanotube films and articles |
EP1424156A1 (en) * | 2002-11-29 | 2004-06-02 | Leica Geosystems AG | Process for soldering miniaturized components onto a base plate |
US6796636B2 (en) * | 2002-12-17 | 2004-09-28 | Lexmark International, Inc. | Two shot molded inkjet printhead lid for laser welding |
US7205938B2 (en) * | 2004-03-05 | 2007-04-17 | Airespace, Inc. | Wireless node location mechanism responsive to observed propagation characteristics of wireless network infrastructure signals |
US7187066B2 (en) * | 2004-09-22 | 2007-03-06 | Intel Corporation | Radiant energy heating for die attach |
KR100740762B1 (ko) * | 2005-02-10 | 2007-07-19 | 오므론 가부시키가이샤 | 접합 방법 및 접합 장치 |
US20060196600A1 (en) * | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Gi-Jung Nam | Apparatus and method for bonding anisotropic conductive film using laser beam |
US7538295B2 (en) * | 2005-04-21 | 2009-05-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Laser welding system |
KR101113850B1 (ko) * | 2005-08-11 | 2012-02-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 플립 칩 본딩 방법 및 이를 채택한 플립 칩 본딩 장치 |
JP4514722B2 (ja) * | 2006-02-20 | 2010-07-28 | 富士通セミコンダクター株式会社 | フィルム貼り付け方法、フィルム貼り付け装置および半導体装置の製造方法 |
JP4880561B2 (ja) * | 2007-10-03 | 2012-02-22 | 新光電気工業株式会社 | フリップチップ実装装置 |
US20090120916A1 (en) * | 2007-11-12 | 2009-05-14 | L3 Communications Corporation | Through-Via Laser Reflow Systems And Methods For Surface Mount Components |
NL2001958C (en) * | 2008-09-05 | 2010-03-15 | Stichting Energie | Method of monolithic photo-voltaic module assembly. |
DE102009017659A1 (de) * | 2009-04-16 | 2010-10-28 | Schott Ag | Verfahren zur leitenden Verbindung eines Bauelementes auf einem transprenten Substrat |
DE102010015520A1 (de) * | 2010-04-16 | 2011-10-20 | Pac Tech-Packaging Technologies Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Ausbildung von Lotdepots |
JP2014506012A (ja) * | 2011-02-02 | 2014-03-06 | パック テック−パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー | ガスフラックス媒体を用いるレーザ半田付けにより2つの基板の端子面を電気的に接触させるための方法および装置 |
DE102011104159A1 (de) * | 2011-06-14 | 2012-12-20 | Institut Für Solarenergieforschung Gmbh | Verfahren zum elektrischen verbinden mehrerer solarzellen und photovoltaikmodul |
KR20130039955A (ko) * | 2011-10-13 | 2013-04-23 | 현대자동차주식회사 | 용접용 레이저 장치 |
US10099315B2 (en) * | 2014-06-27 | 2018-10-16 | Jabil Inc. | System, apparatus and method for hybrid function micro welding |
DE102015216205A1 (de) | 2015-08-25 | 2017-03-02 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Verfahren zum Herstellen einer Steckverbindung, Verfahren zum Verstärken einer Steckverbindung und Vorrichtung |
FR3061801A1 (fr) * | 2017-01-12 | 2018-07-13 | Commissariat Energie Atomique | Procede de connexion electrique entre au moins deux elements |
KR20180137888A (ko) | 2017-06-20 | 2018-12-28 | 주식회사 프로텍 | 반도체 칩 본딩 장치 및 반도체 칩 본딩 방법 |
KR102394825B1 (ko) | 2020-04-23 | 2022-05-06 | 주식회사 프로텍 | 빅셀 소자를 이용한 플립칩 본딩 장치 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4889828U (ja) * | 1972-02-04 | 1973-10-29 | ||
JPS60172023A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-05 | Nec Corp | レ−ザ集光装置 |
JPS6421997A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-25 | Toshiba Corp | Method of soldering electronic component |
JPH04237589A (ja) * | 1991-01-21 | 1992-08-26 | Nec Corp | レーザ加工装置 |
JPH05109824A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Omron Corp | 電子部品のフリツプチツプ実装方法 |
JPH0758448A (ja) * | 1993-08-09 | 1995-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | レーザーボンディング装置及び方法 |
JPH0999490A (ja) * | 1995-10-06 | 1997-04-15 | Sony Corp | 立体形状造形方法並びにその装置 |
JPH09199846A (ja) * | 1996-01-19 | 1997-07-31 | Toshiba Electron Eng Corp | 電子部品実装方法および電子部品実装装置 |
JPH09216087A (ja) * | 1996-02-06 | 1997-08-19 | Fujikura Ltd | レーザ加工装置およびこれを用いたレーザ加工方法 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE140942C (ja) | ||||
US3503804A (en) * | 1967-04-25 | 1970-03-31 | Hellmut Schneider | Method and apparatus for the production of sonic or ultrasonic waves on a surface |
DE2335517C3 (de) * | 1973-07-12 | 1980-04-30 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren zur Kompensation von Lageabweichungen eines Zifferblattes oder Schildes relativ zu einem Beschriftungsgerät |
DD140942A1 (de) * | 1978-12-20 | 1980-04-02 | Horst Ahlers | Verfahren und anordnung zur mikroverbindungstechnik mittels laser |
DE3247338A1 (de) * | 1982-12-21 | 1984-06-28 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zum laserloeten von flexiblen verdrahtungen |
JPS6261789A (ja) * | 1985-09-09 | 1987-03-18 | Fuji Electric Co Ltd | レ−ザ溶接方法 |
JPS62108224A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Inoue Japax Res Inc | レ−ザ用レンズ |
US4863538A (en) * | 1986-10-17 | 1989-09-05 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method and apparatus for producing parts by selective sintering |
US4845335A (en) * | 1988-01-28 | 1989-07-04 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Laser Bonding apparatus and method |
US4978835A (en) * | 1989-08-21 | 1990-12-18 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of clamping electrical contacts for laser bonding |
FR2653367A1 (fr) | 1989-10-24 | 1991-04-26 | Quantel Sa | Procede et appareil de brasage au laser. |
FR2659886A1 (fr) | 1990-03-26 | 1991-09-27 | Mafond Luc | Procede et dispositif destines au chauffage d'une matiere de soudage. |
GB2244374B (en) * | 1990-05-22 | 1994-10-05 | Stc Plc | Improvements in hybrid circuits |
JPH0491493A (ja) | 1990-08-01 | 1992-03-24 | Nippon Mektron Ltd | レーザー半田付け方法とその装置 |
US5055652A (en) * | 1990-10-01 | 1991-10-08 | General Electric Company | Laser soldering of flexible leads |
DE4111247C3 (de) * | 1991-04-08 | 1996-11-21 | Export Contor Ausenhandelsgese | Schaltungsanordnung |
DE4446289C2 (de) * | 1994-12-23 | 1999-02-11 | Finn David | Verfahren zur Mikroverbindung von Kontaktelementen |
DE19549635B4 (de) * | 1995-02-15 | 2004-12-09 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Verbindung eines flexiblen Substrats mit einem Chip |
JP3285294B2 (ja) * | 1995-08-08 | 2002-05-27 | 太陽誘電株式会社 | 回路モジュールの製造方法 |
US5847356A (en) * | 1996-08-30 | 1998-12-08 | Hewlett-Packard Company | Laser welded inkjet printhead assembly utilizing a combination laser and fiber optic push connect system |
-
1997
- 1997-11-20 DE DE19751487A patent/DE19751487A1/de not_active Ceased
-
1998
- 1998-11-20 DE DE59812840T patent/DE59812840D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-20 WO PCT/DE1998/003439 patent/WO1999026753A1/de active IP Right Grant
- 1998-11-20 KR KR1020007005515A patent/KR100565112B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-11-20 DE DE59809879T patent/DE59809879D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-20 JP JP2000521942A patent/JP2001523585A/ja active Pending
- 1998-11-20 US US09/554,898 patent/US6394158B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-20 EP EP98966159A patent/EP1032482B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-11-20 EP EP02023748A patent/EP1283085B1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4889828U (ja) * | 1972-02-04 | 1973-10-29 | ||
JPS60172023A (ja) * | 1984-02-17 | 1985-09-05 | Nec Corp | レ−ザ集光装置 |
JPS6421997A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-25 | Toshiba Corp | Method of soldering electronic component |
JPH04237589A (ja) * | 1991-01-21 | 1992-08-26 | Nec Corp | レーザ加工装置 |
JPH05109824A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Omron Corp | 電子部品のフリツプチツプ実装方法 |
JPH0758448A (ja) * | 1993-08-09 | 1995-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | レーザーボンディング装置及び方法 |
JPH0999490A (ja) * | 1995-10-06 | 1997-04-15 | Sony Corp | 立体形状造形方法並びにその装置 |
JPH09199846A (ja) * | 1996-01-19 | 1997-07-31 | Toshiba Electron Eng Corp | 電子部品実装方法および電子部品実装装置 |
JPH09216087A (ja) * | 1996-02-06 | 1997-08-19 | Fujikura Ltd | レーザ加工装置およびこれを用いたレーザ加工方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007514304A (ja) * | 2003-12-03 | 2007-05-31 | パック テック−パッケージング テクノロジーズ ゲーエムベーハー | 2つのウェーハを相互接触させる方法および装置 |
US8361881B2 (en) | 2003-12-03 | 2013-01-29 | PAC Tech—Packaging Technologies GmbH | Method for alternately contacting two wafers |
JP2009522113A (ja) * | 2006-01-10 | 2009-06-11 | バレオ・エチユード・エレクトロニク | 少なくとも2個の積層部材を互いにろう付けする方法 |
US8723079B2 (en) | 2006-01-10 | 2014-05-13 | Valeo Etudes Electroniques | Laser soldering using thermal characteristics |
JP2010192570A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Panasonic Corp | レーザはんだ付け装置 |
US8525072B2 (en) | 2009-02-17 | 2013-09-03 | Panasonic Corporation | Laser soldering apparatus |
JP2012004281A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Toppan Printing Co Ltd | レーザ溶接方法、電子部品接続構造及びレーザ溶接検査方法 |
JP2019009440A (ja) * | 2017-06-20 | 2019-01-17 | プロテック カンパニー リミテッドProtec Co., Ltd. | フリップチップレーザーボンディング装置及びフリップチップレーザーボンディング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1032482B1 (de) | 2003-10-08 |
EP1032482A1 (de) | 2000-09-06 |
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