JP3443652B2 - 光素子搭載方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信用の光源ま
たは受光の機能をもつ光モジュールを形成する際の光素
子搭載方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、光素子である発光素子や受光素子
を用いた光モジュールが存在する。

【０００３】図７には、従来の光モジュールについて概
略的な構成を示す。なお、図７に示す光モジュールは、
光源の機能をもつ光モジュールであり、光素子として半
導体レーザを用いたものを示している。

【０００４】上記光モジュールは、半導体レーザ１１１
およびレンズ１１２，１１３がハウジング１１６内に固
定されたものであり、さらに、フェルール１１４もハウ
ジング１１６内に固定されて収納されている。フェルー
ル１１４は、軸中心に空洞部１１５が形成された円筒形
の形状であり、上記空洞部１１５内には光ファイバ１２
０が導入されている。上記半導体レーザ１１１からの出
射光は、レンズ１１２，１１３を介してフェルール１１
４に導かれる。

【０００５】上記光モジュールを構成する際には、上記
半導体レーザ１１１、レンズ１１２，１１３、およびフ
ェルール１１４をハウジング１１６内の適当な位置に載
置した後に、半導体レーザ１１１を電流駆動し、光ファ
イバ１２０からの出射光の強度をモニタしながら、上記
半導体レーザ１１１からの出射光が上記光ファイバ１２
０に正確に入射されるように、レンズ１１２，１１３、
およびフェルール１１４の位置を調整している。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した光
モジュールの光軸の調整においては、レンズ１１２，１
１３およびフェルール１１４の位置の微調整が難しく、
かかる労力が非常に大きい。

【０００７】また、光モジュールを構成するレンズ１１
２，１１３は高価であることや、レンズ１１２，１１３
を保持するレンズ保持台および光軸の微調整に用いる微
動台等の部材も高価であることから、光モジュール全体
として高価なものとなっており、単価を下げることが望
まれている。

【０００８】一方、現在、レンズを用いない光モジュー
ルも実用化されている。

【０００９】例えば、図８に示すような、ＳｉＯ₂等か
ら成る透明な基板１１８に半導体レーザ１１１およびフ
ェルール１１４を備える光モジュールがある。この光モ
ジュールにおいては、半導体レーザ１１１の位置を決定
する際に用いる任意の形状のマークを、予め決められた
位置に、任意の数だけ形成しておく。具体的には、図８
においては、円形のマーク１１７を２つ形成している。
これらのマーク１１７に、例えば赤外光を照射し、この
照射された赤外光の反射光の光量を検出することにより
半導体レーザ１１１の位置を決定する。

【００１０】しかし、上記光モジュールにおいては、上
記マーク１１７を形成するときの位置決めの精度が低い
ので、上記マーク１１７の位置を基準として位置決めさ
れる半導体レーザ１１１の位置の精度も低くなってしま
う。

【００１１】また、上記マーク１１７を形成する際の労
力もかかることになる。

【００１２】そこで、本発明は、簡易かつ安価に構成す
ることができる光モジュールを形成する際に、光素子を
簡易に搭載することができる光素子搭載方法を提供する
ことを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に係る本発明の光素子搭載方法は、電極が
形成された光素子を、軸方向と平行な溝部が軸中心に形
成された半円筒形の搭載部の平坦面の上部に搭載する際
に、上記搭載部に上記光素子を仮置きして上記光素子の
上部から赤外光を照射し、上記光素子および上記搭載部
に予め設けられた複数の検索領域内の上記赤外線の反射
光を検出する工程と、上記検出された反射光に基づいて
画像処理を行い、上記光素子の光軸中心および上記搭載
部の軸中心を検出して上記光素子と上記搭載部との相対
的な位置関係を認識する工程と、上記認識された相対的
な位置関係に基づいて、上記光素子の搭載位置を調整す
る工程と、から成る光素子搭載方法であって、上記光素
子の搭載部の電極上に形成された軸方向と平行な溝部に
おける赤外光の反射光量の方が、電極の平坦面上からの
赤外光の反射光量より少なくなる光量差により、前記溝
部の境界線を検出し、前記光素子の電極からの赤外光の
反射光量の方が、光素子の電極が形成されていない部分
からの赤外光の反射光量よりも多くなる光量差により、
前記光素子の電極の境界線を検出するようにしたことを
特徴とする。

【００１４】また、請求項２に係る本発明は、上記光素
子は半導体レーザであることを特徴とする請求項１に記
載の光素子搭載方法である。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の一形態を
詳細に説明する。

【００１６】 図１は光モジュールの実施の一形態の概略
的な構成図を示し、図２は光モジュールと光ファイバと
の結合時の斜視図を示す。なお、以下に説明する実施の
一形態においては、光素子として、発光素子の一つであ
る半導体レーザ１１を用いている。

【００１７】 図１に示す光モジュール１は、光素子であ
る半導体レーザ１１と、軸方向と平行な溝部１６が軸中
心に形成された半円筒形であって、上記半導体レーザ１
１を平坦面側の上部に搭載する搭載部１２とを備え、上
記半導体レーザ１１の光軸中心と上記搭載部１２の軸中
心とは一致するものである。

【００１８】 上記半導体レーザ１１の電極２１は、上記
搭載部１２と対向する面の中央に、予め形成されてい
る。この電極２１は、半導体レーザ１１の一方の端面１
１ａ側では細く、他方の端面１１ｂ側では太い、凸形の
形状に形成されている。また、上記電極２１は、通常、
金を用い、蒸着により形成される。

【００１９】 搭載部１２は、軸中心に円筒の空洞部が設
けられた円筒形フェルールを、上記軸方向に沿った方向
の上記軸中心を通る面で、半分に分割したものであり、
上記分割された面である平坦面上および上記円筒の空洞
部が半分に分割されて形成された溝部１６には、上記半
導体レーザ１１の電極２１と同様に、金の蒸着により、
電極１７が任意の大きさで一体化されて形成されてい
る。

【００２０】 上記半導体レーザ１１は、上記搭載部１２
の平坦面上に形成された電極１７上に載置されて、その
載置位置が調整される。この載置位置の調整は、半導体
レーザ１１に形成されている電極２１と平行な中心線４
０と、上記搭載部１２の溝部１６の軸中心である中心線
４１とが一致するようになされる。そして、この後、半
導体レーザ１１は、半田により上記搭載部１２に接着さ
れて搭載される。

【００２１】 なお、上記半導体レーザ１１は、上記搭載
部１２の軸方向における一方の端面１２ａと上記半導体
レーザ１１の軸方向における一方の端面１１ａとが対応
し、上記搭載部１２の軸方向における他方の端面１２ｂ
と上記半導体レーザ１１の他方の端面１１ｂとが対応す
るように搭載される。これにより、上記各他方の端面１
１ｂ，１２ｂに近い側で、上記半導体レーザ１１の電極
２１と上記搭載部１２の電極１７とが接触する。

【００２２】 上記半導体レーザ１１が搭載された搭載部
１２は、図２に示すように、割スリーブ１３にはめ込ま
れる。この割スリーブ１３は、フェルール１４を固定す
るために用いられる従来の割スリーブと比較して、割部
が大きいものとしている。これにより、半導体レーザ１
１が搭載された搭載部１２のはめ込み動作を行い易くな
る。

【００２３】 また、上記割スリーブ１３には、上述した
ような、軸中心に円筒の空洞部１５が設けられた円筒形
のフェルール１４が予め挿入されており、上記空洞部１
５の内部には、光ファイバ２０が挿入されている。上記
フェルール１４の一方の端面（先端面）１４ａおよび上
記光ファイバ２０の上記一方の端面１４ａ側の端部に
は、それぞれ無反射コーティングが施されている。

【００２４】 上記半導体レーザ１１が搭載された搭載部
１２は、上記フェルール１４の一方の端面１４ａに上記
搭載部１２の一方の端面１２ａが接するように搭載され
る。

【００２５】 ここで、上記フェルール１４と上記搭載部
１２とは、材質、外径、およびフェ ルール１４の内部の
空洞部１５の直径と搭載部１２の溝部１６の直径とにお
いて全て同じものである。このように、半導体レーザ１
１の搭載部１２をフェルール１４と同じものを用いるこ
とにより、上記搭載部１２の軸中心と上記フェルール１
４の軸中心とを簡易に一致させることができる。また、
上記搭載部１２の軸中心である上記中心線４１に上記半
導体レーザ１１の光軸中心である中心線４０を一致させ
ることにより（図１参照）、半導体レーザ１１からの出
射光を、フェルール１４に挿入された光ファイバ２０の
無反射コーティングが施された端部に正確に入射させる
ことができる。

【００２６】 次に、上述した光モジュール１を構成する
ときに、上記半導体レーザ１１の光軸と上記搭載部１２
の軸中心とが一致するように、上記半導体レーザ１１を
上記搭載部１２の平坦面に搭載する、本発明の光素子搭
載方法について以下に詳細に説明する。

【００２７】 図３は画像認識処理を行う装置の概略的な
構成図を示し、図４は半導体レーザ１１を搭載部１２の
上面に搭載する際に用いる検索領域および中心線を示す
図を示し、図５は半導体レーザ１１の搭載方法の手順の
フローチャートを示す。

【００２８】 この画像認識処理では、光素子である半導
体レーザ１１を搭載部１２の上面に搭載するときには、
搭載部１２上に搭載された半導体レーザ１１の上部から
赤外光を照射し、この赤外光の反射光を検出して、上記
半導体レーザ１１の電極２１の中心線４０（図１参照）
および搭載部１２の電極１７の溝部１６の中心線４１
（図１参照）を求めた後、上記中心線４０，４１が一致
するように、半導体レーザ１１の搭載位置を調整する。
上記中心線４０は、半導体レーザ１１の光軸と一致し、
また、上記中心線４１は、搭載部１２の軸中心と一致す
ることから、上記２つの中心線４０，４１を一致させる
ことにより、半導体レーザ１１の光軸を、フェルール１
４の空洞部１５内の光ファイバ２０の光軸に正確に一致
させることができる。

【００２９】 具体的には、例えば、図３に示すような装
置を用いる。図３に示す装置では、制御装置４３の制御
により、光源５０から赤外光が出射される。この出射さ
れた赤外光は、ビームスプリッタ４２および対物レンズ
４８等を介してＳｉＯ₂等から成る透明なガラス板４９
上に照射される。このガラス板４９の下部には半導体レ
ーザ１１が搭載部１２の上部に仮置きされており、上記
ガラス板４９は半導体レーザ１１を押さえて固定してい
る。上記出射された赤外光は、上記ガラス板４９を介し
て半導体レーザ１１および搭載部１２上に照射される。

【００３０】 上記照射された赤外光は、半導体レーザ１
１および搭載部１２より反射され、この反射光は、上記
対物レンズ４８およびビームスプリッタ４２等を介して
赤外光カメラ４４に入射される。

【００３１】 この赤外光カメラ４４は、上記入射される
反射光を検出し、この反射光の光量を例えば電気信号に
変換して制御装置４３に送る。

【００３２】 制御装置４３は、送られた電気信号に基づ
いて画像データを作成し、この画像データによる画像認
識処理を行う。この画像認識処理により、図１に示す半
導体レーザ１１の導波路の中心線と一致する光軸の中心
線４０、および搭載部１２の軸中心の中心線４１の位置
を検出する。制御装置４３は、検出した中心線４０，４
１の位置のデータを用いて、微動装置４５を制御する。

【００３３】 微動装置４５は、制御装置４３からの制御
に基づいて、ガラス板４９の位置を縦方向または横方向
に二次元的に移動させる。これにより、ガラス板４９に
押さえられている半導体レーザ１１の搭載位置が、上記
中心線４０と上記中心線４１とが一致するように調整さ
れる。

【００３４】 ここで、画像認識処理を行うために必要な
画像データは、上記各中心線４０，４１の周囲に所定の
範囲で設定される図４に示す検索領域３１，３２，３
３，３４内で検出される。

【００３５】 具体的には、図４に示すように、半導体レ
ーザ１１は、その軸方向の一方の端面１１ａが搭載部１
２の軸方向の一方の端面１２ａに対応され、かつ、搭載
部１２の軸方向の一方の端面１２ａから予め決められた
距離ｄ₁ だけ離れた位置に仮置きされる。このときに、
検索領域３１，３２は、半導体レーザ１１に形成されて
いる電極２１の図における左端の境界線２１ａおよび図
における右端の境界線２１ｂについて、中心線４０を求
めることができる程度の範囲にそれぞれ設定される。ま
た、検索領域３３，３４は、搭載部１２の溝部１６の図
における左端の境界線１６ａおよび図における右端の境
界線１６ｂに、中心線４１を求めることができる程度の
範囲にそれぞれ設定される。

【００３６】 各検索領域３１，３２，３３，３４内の複
数の異なる位置の光量を検出することにより、半導体レ
ーザ１１の電極２１の中心線４０および搭載部１２の溝
部１６の軸方向の中心線４１を検出する。

【００３７】 さらに、上記中心線４０，４１が一致する
ように、半導体レーザ１１の位置を調整することによ
り、半導体レーザ１１の導波路の中心、すなわち、光軸
中心を搭載部１２の軸方向の軸中心と一致させることが
できる。

【００３８】 ここで、上記境界線１６ａ，１６ｂを検出
するための反射光の光量および境界線２１ａ，２１ｂを
検出するための反射光の光量について、具体的に説明す
る。

【００３９】 まず、基本的に、金を用いて形成されてい
る電極１７，２１は、赤外光を透過せずに反射する。

【００４０】 一方、上記搭載部１２の電極１７が形成さ
れている溝部１６は、屈曲しているために、この溝部１
６における赤外光の散乱量は、上記電極１７の平坦面上
における赤外光の散乱量よりも多くなる。従って、溝部
１６からの赤外光の反射光の光量のほうが、上記平坦面
上からの赤外光の反射光の光量よりも少なくなる。この
赤外光の反射光の光量の違いにより、溝部１６の上記各
境界線１６ａ，１６ｂを検出することができる。

【００４１】 また、上記半導体レーザ１１の上部から赤
外光を照射したときには、上記電極２１が形成されてい
ない部分からの赤外光の反射光の光量よりも上記電極２
１部分からの赤外光の反射光の光量の方が多い。この赤
外光の反射光の光量の違いにより、電極２１の各境界線
２１ａ、２１ｂを検出することができる。ここで、半導
体レーザ１１の電極２１の境界線２１ａ，２１ｂの位置
は、上記溝部１６の上部に存在しているが、溝部１６に
おける赤外光の反射光および散乱光の各光量は一定とす
ることができる。

【００４２】 なお、図４に示す上記距離ｄ₁ は、半導体
レーザ１から出射される光強度に対応して設定され、具
体的には、２０〜３０μｍとすることが望ましい。

【００４３】 また、上記半導体レーザ１１の軸方向の一
方の端面１１ａ側の細い電極２１の幅ｄ₂は５〜５０μ
ｍ、上記搭載部１２の電極１７の幅ｄ₃は１０〜１２５
μｍの範囲で形成されたものを用いる。例えば、電極２
１の幅ｄ₂を５μｍ、電極１７の幅ｄ₃を１０μｍとする
ときの画像データの分解能は、対物レンズ４８の倍率お
よび赤外光カメラ４４の光学倍率に基づいて決定される
場合には、１ドット当たり１μｍ程度である。このとき
に、グレイスケールを用いれば、画像データの分解能
は、上記分解能の１／１０の０．１μｍ程度とすること
ができる。

【００４４】 一般的に、水平方向および垂直方向の２次
元の画像を検索する画像処理では、微分処理やしきい値
処理によってコントラストの大きい境界の領域を比較的
容易に検索することができるので、電極２１と電極１７
とは平行な直線とすることが望ましい。なお、一軸の方
向に境界線を検索するので、電極２１，１７の一部が不
完全な場合でも画像認識を容易に行うことができる。

【００４５】 また、半導体レーザ１１の光学結合特性に
より、半導体レーザ１１の光軸に平行な方向は光軸に垂
直な方向よりもトレランス特性が広いことから、光軸に
平行な方向の分解能は光軸に垂直な方向に比べて一桁分
低い値で十分である。例えば、光軸に垂直な方向の１ｄ
Ｂトレランスが２μｍであるときに、光軸に平行な方向
の１ｄＢトレランスは１０μｍとなる。従って、光軸に
垂直な方向に分解能が高くなるように、電極２１を形成
し、また、最適な画像処理方法を用いることが必要であ
る。

【００４６】 なお、図４における各検索領域３１，３
２，３３，３４の幅および長さｄ₅ については、各境界
線２１ａ，２１ｂ，１６ａ，１６ｂを検出できる程度の
数の画像データを求めることができる程度であればよ
い。

【００４７】 次に、図５に示すフローチャートを用いて
画像認識処理の手順を説明する。

【００４８】 まず、ステップＳ１で、検索領域３１内の
複数の異なる位置において、赤外光カメラ４４で赤外光
の反射光の光量を検出する。そして、この反射光の光量
を用いた画像データにより、電極２１の図における左端
の境界線２１ａを検出する。また、検索領域３１を用い
た処理と同様にして、検索領域３２内の複数の異なる位
置において検出された反射光の光量による画像データを
用いて、電極２１の図における右端の境界線２１ｂを検
出する。

【００４９】 そして、ステップＳ２で、上記検出した各
境界線２１ａ，２１ｂを用いて、電極２１の中心線４０
を求める。

【００５０】 一方、ステップＳ３で、検索領域３３内の
複数の異なる位置において、赤外光カメラ４４（図３参
照）で赤外光の反射光の光量を検出する。そして、この
反射光の光量を用いた画像データにより、電極１７の溝
部１６の図における左端の境界線１６ａを検出する。ま
た、検索領域３３を用いた処理と同様にして、検索領域
３４内の複数の異なる位置において検出された反射光の
光量による画像データを用いて、電極１７の溝部１６の
図における右端の境界線１６ｂを検出する。

【００５１】 そして、ステップＳ４で、上記検出した各
境界線１６ａ，１６ｂを用いて、電極１７の溝部１６の
中心線４１を求める。

【００５２】 この後、ステップＳ５で、上記２つの中心
線４０，４１を用いて半導体レーザ１１と搭載部１２と
の位置関係を算出する。このとき、上記中心線４０と上
記中心線４１とが一致せずに、位置ずれが存在する場合
には、上記位置関係を補正して、上記中心線４０と４１
とが一致するように位置合わせを行う。例えば、上記電
極２１の幅ｄ₂が５μｍであり、上記電極１７の幅ｄ₃が
１０μｍである場合には、位置合わせの精度は±０．５
μｍとなり、また、角度ずれは±０．３゜以下の精度と
することができる。

【００５３】 そして、ステップＳ６で、半導体レーザ１
１もしくは電極１７の電極上に、予め蒸着等により塗布
されている半田を、載置台４６の下部に設置してあるヒ
ータ４７によって加熱し、溶融して、半導体レーザ１１
を搭載部１２に接着する。例えば、金錫半田の融点は２
８０゜Ｃであり、この温度よりも少し高い３００〜３１
０゜Ｃの温度で、１０〜２０秒間、１０〜２０ｇの加重
を加えて半導体レーザ１１を搭載部１２の上面に接着す
る。また、このとき、搭載部１２の材質として、熱伝導
性の高い窒化アルミニウム等を用いることにより、半導
体レーザ１１の温度特性を劣化させることがない。

【００５４】 なお、上記ステップＳ６の接着処理では、
熱的に位置が移動して位置ずれが生じる場合がある。

【００５５】 従って、ステップＳ７で、中心線４０と中
心線４１との位置関係を算出し、位置ずれが存在する場
合には、ステップＳ５の処理と同様に、上記位置関係を
補正して、上記中心線４０と上記中心線４１とが一致す
るように位置合わせを行う。

【００５６】 この後、ステップＳ８で、半導体レーザ１
１および搭載部１２を冷却して、半導体レーザ１１の搭
載部１２への搭載処理を終了する。このようにして、光
モジュール１を形成する。

【００５７】 さらに、図１に示すように、上記光モジュ
ール１を、一方の端部に既にフェルール１４がはめ込ま
れている割スリーブ１３の他方の端部にはめ込む。

【００５８】 上述したように、搭載部１２に形成されて
いる溝部１６の軸中心は、フェルール１４内の円筒部１
５の軸中心と一致するものである。従って、上記割スリ
ーブ１３に搭載部１２およびフェルール１４をはめ込む
ことにより、半導体レーザ１１の光軸中心と上記フェル
ール１４の円筒部１５内に挿入される光ファイバ２０の
軸中心とを容易に一致させることができる。

【００５９】 なお、図５のステップＳ１，Ｓ２に示す半
導体レーザ１１の電極２１の中心線４０を求める処理
と、図５のステップＳ３，Ｓ４に示す搭載部１２の電極
１７の溝部１６の中心線４１を求める処理とは、処理順
序が逆であってもよい。

【００６０】 また、図４に示す実施の一形態では、半導
体レーザ１１の電極２１の幅ｄ₂ の方が搭載部１２の電
極１７の幅ｄ₃ よりも狭い場合について説明したが、図
６に示すように、半導体レーザ１１の電極２１の幅ｄ₂
の方が搭載部１２の電極１７の幅ｄ₃ よりも広い場合で
も、赤外光の反射光を検出して、各中心線４０，４１を
求め、半導体レーザ１１の光軸と搭載部１２の軸中心と
を一致させることができる。この場合にも、図３に示す
画像認識処理装置を用い、図５のフローチャートに示す
処理手順で画像認識処理を行うことができる。

【００６１】 ただし、この場合には、搭載部１２の電極
１７の溝部１６の各境界線１６ａ，１６ｂを検出するた
めの検索領域３３，３４の軸中心方向の長さは、搭載部
１２の一方の端面１２ａから半導体レーザ１１の一方の
端面１１ａまでの長さとなる。すなわち、図６において
は、検索領域３３，３４の軸中心方向の長さは、幅ｄ₁
と同じとなる。このような位置に検索領域３３，３４を
設定するのは、搭載部１２の電極１７の幅ｄ₃ が、半導
体レーザ１１の電極２１の幅ｄ₂ より狭いので、半導体
レーザ１１の電極２１上から照射された赤外光は電極２
１によって反射されてしまい、この電極２１の下部に存
在する電極１７の溝部１６の各境界線１６ａ，１６ｂの
両端における赤外光の反射光の光量の違いを検出できな
いためである。

【００６２】 また、図４および図６では、搭載部１２の
軸方向の一方の端面１２ａから半導体レーザ１１の軸方
向の一方の端面１１ａまでの距離と、上記一方の端面１
２ａから電極１７の端部１８までの距離とを一致させた
場合について図示しているが、半導体レーザ１１の一方
の端面１１ａの位置と電極１７の端部１８の位置とは必
ずしも一致しなくてもよい。

【００６３】 なお、半導体レーザ１１として、出射光に
よるビームのスポットサイズを拡大するスポットサイズ
変換レーザを用いることにより、より広い結合トレラン
スを得ることができるので、より高精度に位置合わせを
行うことができる。

【００６４】 上述した実施の形態では、赤外光を半導体
レーザ１１の上部から照射し、搭載部１２の電極１７お
よび半導体レーザ１１の電極２１からの反射光を検出し
て画像認識処理を行っているが、赤外光を搭載部１２の
下部から照射し、このときの赤外光の透過光を検出し
て、各境界線３１，３２，３３，３４を求め、画像認識
処理を行うことも可能であり、この場合にも、反射光を
検出して画像認識処理を行った場合と同様の効果を得る
ことができる。

【００６５】 また、半導体レーザ１１の光軸中心を検出
するために、半導体レーザ１１に形成された１つの電極
２１を用いているが、例えば、半導体レーザ１１に、電
極２１に平行した位置合わせ用の電極を、上記電極２１
の左右に１つずつ形成しておき、３つの電極についてそ
れぞれ位置合わせを行うことにより、より高精度な位置
合わせを行うことができる。

【００６６】 また、上記搭載部１２に形成される電極１
７は、平坦な上面および溝部１６に金を蒸着によって一
体形成させたものであるが、溝部１６をマスクして、平
坦面上のみに金を蒸着させ、電極１７を２つの分離した
電極として形成したものであってもよい。

【００６７】 なお、電極に用いる材料としては、金に限
定されることはなく、金以外の金属を用いることも可能
である。

【００６８】 上記光素子として半導体レーザ１１を用い
て説明したが、上記光素子には発光素子および受光素子
の両方を用いることが可能である。特に、発光素子を用
いる光モジュールにおいては、従来はレンズを必ず使用
しなければならないが、本発明の光モジュールではレン
ズを不要とするので、光モジュールをより安価に構成す
ることができる。なお、発光素子としては、半導体レー
ザのほかに発光ダイオードであるいわゆるＬＥＤ等を用
いることができる。

【００６９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る光素
子搭載方法は、電極が形成された光素子を、軸方向と平
行な溝部が軸中心に形成された半円筒形の搭載部の平坦
面の上部に搭載する際に、上記搭載部に上記光素子を仮
置きして上記光素子の上部から赤外光を照射し、上記光
素子および上記搭載部に予め設けられた複数の検索領域
内の上記赤外光の反射光を検出して画像処理を行い、上
記光素子の光軸中心および上記搭載部の軸中心を検出し
て上記光素子と上記搭載部との相対的な位置関係を認識
し、上記光素子の搭載位置を調整することにより、赤外
光の反射光の光量に基づいた画像データを用いて、光素
子の光軸中心および搭載部の軸中心を検出するので、得
られた光素子の光軸中心と搭載部の軸中心との相対的な
位置関係を容易に得られる。また、上記得られた相対関
係に基づいて、光素子の光軸中心と搭載部の軸中心とを
簡易に一致させることができる。また、上記検索領域
は、上記光素子の電極の光軸方向と平行な両端の境界線
にそれぞれ沿った領域および上記搭載部の溝部の軸方向
と平行な両端の境界線にそれぞれ沿った領域とすること
により、上記光素子の光軸中心を求めるための境界線お
よび上記搭載部の軸中心を求めるための境界線を簡易に
求めることができる。特に、上記光素子を半導体レーザ
とすると、本発明に係る光モジュールを光コネクタ等に
用いる場合には、半導体レーザからの出射光を光ファイ
バを正確に入射させることが容易となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光モジュールの実施の一形態の概略的な構成図
である。

【図２】図１の光モジュールと光ファイバとの結合時の
斜視図である。

【図３】本発明に係る光素子搭載方法の実施の形態にお
ける画像認識処理を行う装置の概略的な構成図である。

【図４】本発明に係る光素子搭載方法の実施の形態にお
ける各検索領域および各中心線を示す図である。

【図５】本発明に係る光素子搭載方法の実施の形態にお
ける画像認識処理の手順のフローチャートである。

【図６】本発明に係る光素子搭載方法の実施の形態にお
ける半導体レーザの電極の幅が搭載部の溝部の幅よりも
広い場合の検索領域を示す図である。

【図７】従来の光モジュールおよびこの光モジュールと
光ファイバとの結合時の概略的な構成図である。

【図８】従来の他の光モジュールおよびこの光モジュー
ルと光ファイバとの結合時の概略的な構成図である。

【符号の説明】

１・・・光モジュール １１・・・半導体レーザ １１ａ，１１ｂ・・・端面 １２・・・搭載部 １２ａ，１２ｂ・・・端面 １３・・・割スリーブ １４・・・フェルール １４ａ・・・端面 １５・・・空洞部 １６・・・溝部 ２０・・・光ファイバ １７，２１・・・電極 １６ａ，１６ｂ，２１ａ，２１ｂ・・・境界線 １８・・・端部 ３１，３２，３３，３４・・・検索領域 ４０，４１・・・中心線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−171709（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−43565（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G02B 6/42 H01L 31/00 H01L 33/00

Claims (2)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電極が形成された光素子を、軸方向と平
   行な溝部が軸中心に形成された半円筒形の搭載部の平坦
   面の上部に搭載する際に、 上記搭載部に上記光素子を仮置きして上記光素子の上部
   から赤外光を照射し、上記光素子および上記搭載部に予
   め設けられた複数の検索領域内の上記赤外線の反射光を
   検出する工程と、 上記検出された反射光に基づいて画像処理を行い、上記
   光素子の光軸中心および上記搭載部の軸中心を検出して
   上記光素子と上記搭載部との相対的な位置関係を認識す
   る工程と、 上記認識された相対的な位置関係に基づいて、上記光素
   子の搭載位置を調整する工程と、 から成る光素子搭載方法であって、上記光素子の搭載部の電極上に形成された軸方向と平行
   な溝部における赤外光の反射光量の方が、電極の平坦面
   上からの赤外光の反射光量より少なくなる光量差によ
   り、前記溝部の境界線を検出し、 前記光素子の電極からの赤外光の反射光量の方が、光素
   子の電極が形成されていない部分からの赤外光の反射光
   量よりも多くなる光量差により、前記光素子の電極の境
   界線を検出するようにしたことを特徴とする、 光素子搭載方法。
2. 【請求項２】 上記光素子は半導体レーザであることを
   特徴とする請求項１に記載の光素子搭載方法。