JP2001520118A5 - - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 21
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- -1 diethylene glycol monoalkyl ether Chemical class 0.000 description 7
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N dimethylsulphoxide Chemical group CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N DMA Chemical group CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 3
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 3
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 1,2-ethanediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWZYAGGXGHYGMB-UHFFFAOYSA-N Anthranilic acid Chemical compound NC1=CC=CC=C1C(O)=O RWZYAGGXGHYGMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N Gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Substances OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N γ-lactone 4-hydroxy-butyric acid Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940074391 Gallic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N n-methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】 少なくとも１０重量％の水、水溶性極性溶媒及び有機アミンの混合物から成る剥離及び清浄用組成物であって、次の一般式
【化１】
（式中のＲは低級アルキル又は水素である）を有する腐食抑制剤との混合物から成ることを特徴とする剥離及び清浄用組成物。
【請求項２】 前記腐食抑制剤が、０．１〜１０重量％を構成することを特徴とする請求項１記載の剥離及び清浄用組成物。
【請求項３】 １０〜２０重量％の水を含むことを特徴とする請求項１記載の剥離及び清浄用組成物。
【請求項４】 ５重量％までのアントラニル酸を含むことを特徴とする請求項１記載の剥離及び清浄用組成物。
【請求項５】 前記極性溶媒が、ジメチルスルホキシドであることを特徴とする請求項１記載の剥離及び清浄用組成物。
【請求項６】 前記極性溶媒が、ジメチルアセトアミドであることを特徴とする請求項１記載の剥離及び清浄用組成物。
【請求項７】 前記極性溶媒と前記有機アミンが同一であることを特徴とする請求項１記載の剥離及び清浄用組成物。
【請求項８】 前記抑制剤が、アントラニル酸を含むことを特徴とする請求項１記載の剥離及び清浄用組成物。
【請求項９】 請求項１記載の剥離及び清浄用組成物をコーテッド基材に塗布し、前記組成物を前記コーテッド基材上に残留させ、前記コーテッド基材から被膜を除去する工程から成ることを特徴とするコーテッド基材から被膜を除去する方法。
【請求項１０】 請求項３記載の剥離及び清浄用組成物をコーテッド基材に塗布し、前記組成物を前記コーテッド基材上に残留させ、前記コーテッド基材から被膜を除去する工程から成ることを特徴とするコーテッド基材から被膜を除去する方法。
【請求項１１】 請求項７記載の剥離及び清浄用組成物をコーテッド基材に塗布し、前記組成物を前記コーテッド基材上に残留させ、前記コーテッド基材から被膜を除去する工程から成ることを特徴とするコーテッド基材から被膜を除去する方法。
【請求項１２】 前記水溶性極性溶媒が、プロピレングリコール、グリコール、グリセロール、ポリエチレングリコール、ジメチルスルホキシド、ブチロラクトン、グリコールエーテル、テトラヒドロフラン、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、エチレンジアミン、エチレントリアミン、ジメチルアセトアミド及びそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つであることを特徴とする請求項１記載の剥離及び清浄用組成物。
【請求項１３】 ５８〜６３重量％のＮ−モノエタノールアミン、３０〜４０重量％のジメチルスルホキシド、１〜４重量％の没食子酸及び残りは水から成る剥離及び清浄用組成物。
【請求項１】 少なくとも１０重量％の水、水溶性極性溶媒及び有機アミンの混合物から成る剥離及び清浄用組成物であって、次の一般式
【化１】
【請求項２】 前記腐食抑制剤が、０．１〜１０重量％を構成することを特徴とする請求項１記載の剥離及び清浄用組成物。
【請求項３】 １０〜２０重量％の水を含むことを特徴とする請求項１記載の剥離及び清浄用組成物。
【請求項４】 ５重量％までのアントラニル酸を含むことを特徴とする請求項１記載の剥離及び清浄用組成物。
【請求項５】 前記極性溶媒が、ジメチルスルホキシドであることを特徴とする請求項１記載の剥離及び清浄用組成物。
【請求項６】 前記極性溶媒が、ジメチルアセトアミドであることを特徴とする請求項１記載の剥離及び清浄用組成物。
【請求項７】 前記極性溶媒と前記有機アミンが同一であることを特徴とする請求項１記載の剥離及び清浄用組成物。
【請求項８】 前記抑制剤が、アントラニル酸を含むことを特徴とする請求項１記載の剥離及び清浄用組成物。
【請求項９】 請求項１記載の剥離及び清浄用組成物をコーテッド基材に塗布し、前記組成物を前記コーテッド基材上に残留させ、前記コーテッド基材から被膜を除去する工程から成ることを特徴とするコーテッド基材から被膜を除去する方法。
【請求項１０】 請求項３記載の剥離及び清浄用組成物をコーテッド基材に塗布し、前記組成物を前記コーテッド基材上に残留させ、前記コーテッド基材から被膜を除去する工程から成ることを特徴とするコーテッド基材から被膜を除去する方法。
【請求項１１】 請求項７記載の剥離及び清浄用組成物をコーテッド基材に塗布し、前記組成物を前記コーテッド基材上に残留させ、前記コーテッド基材から被膜を除去する工程から成ることを特徴とするコーテッド基材から被膜を除去する方法。
【請求項１２】 前記水溶性極性溶媒が、プロピレングリコール、グリコール、グリセロール、ポリエチレングリコール、ジメチルスルホキシド、ブチロラクトン、グリコールエーテル、テトラヒドロフラン、ジエチレングリコールモノアルキルエーテル、エチレンジアミン、エチレントリアミン、ジメチルアセトアミド及びそれらの混合物からなる群から選択される少なくとも１つであることを特徴とする請求項１記載の剥離及び清浄用組成物。
【請求項１３】 ５８〜６３重量％のＮ−モノエタノールアミン、３０〜４０重量％のジメチルスルホキシド、１〜４重量％の没食子酸及び残りは水から成る剥離及び清浄用組成物。
本発明に使用できる極性溶媒は、限定ではないが、水、多価アルコール、例えば、プロピレングリコール、グリコール、グリセロール、ポリエチレングリコール、等、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ブチロラクトン、グリコールエーテル、Ｎ−アルキルピロリドン、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルを含むグリコールエーテル、エチレンジアミン、エチレントリアミン、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡＣ）、等を含む。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/951,424 | 1997-10-16 | ||
| US08/951,424 US5988186A (en) | 1991-01-25 | 1997-10-16 | Aqueous stripping and cleaning compositions |
| PCT/US1998/021563 WO1999020408A1 (en) | 1997-10-16 | 1998-10-13 | Improvement in aqueous stripping and cleaning compositions |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009149844A Division JP2009256680A (ja) | 1997-10-16 | 2009-06-24 | 水性剥離及び清浄用組成物 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001520118A JP2001520118A (ja) | 2001-10-30 |
| JP2001520118A5 true JP2001520118A5 (ja) | 2009-03-12 |
| JP4554813B2 JP4554813B2 (ja) | 2010-09-29 |
Family
ID=25491673
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000516788A Expired - Lifetime JP4554813B2 (ja) | 1997-10-16 | 1998-10-13 | 水性剥離及び清浄用組成物 |
| JP2009149844A Pending JP2009256680A (ja) | 1997-10-16 | 2009-06-24 | 水性剥離及び清浄用組成物 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009149844A Pending JP2009256680A (ja) | 1997-10-16 | 2009-06-24 | 水性剥離及び清浄用組成物 |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5988186A (ja) |
| EP (1) | EP1023129B1 (ja) |
| JP (2) | JP4554813B2 (ja) |
| KR (1) | KR100541300B1 (ja) |
| AT (1) | ATE353034T1 (ja) |
| AU (1) | AU1081099A (ja) |
| CA (1) | CA2306954A1 (ja) |
| DE (1) | DE69837011T2 (ja) |
| TW (1) | TW460579B (ja) |
| WO (1) | WO1999020408A1 (ja) |
Families Citing this family (41)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6268323B1 (en) * | 1997-05-05 | 2001-07-31 | Arch Specialty Chemicals, Inc. | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
| KR100288769B1 (ko) * | 1998-07-10 | 2001-09-17 | 윤종용 | 포토레지스트용스트리퍼조성물 |
| KR100268108B1 (ko) * | 1998-08-25 | 2000-12-01 | 윤종용 | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 |
| US6337174B1 (en) * | 1998-09-17 | 2002-01-08 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of stripping a photoresist from a semiconductor substrate dimethylacetamide or a combination of monoethanolamine and dimethylsulfoxide |
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| US6194366B1 (en) | 1999-11-16 | 2001-02-27 | Esc, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
| US6723691B2 (en) | 1999-11-16 | 2004-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post chemical-mechanical planarization (CMP) cleaning composition |
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| KR100363271B1 (ko) * | 2000-06-12 | 2002-12-05 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 리무버 조성물 |
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| WO2004022658A1 (en) * | 2002-09-06 | 2004-03-18 | Basf Corporation | Method of removing coatings from plastic articles |
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| US8685909B2 (en) | 2006-09-21 | 2014-04-01 | Advanced Technology Materials, Inc. | Antioxidants for post-CMP cleaning formulations |
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| US9074170B2 (en) | 2008-10-21 | 2015-07-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Copper cleaning and protection formulations |
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| US8101561B2 (en) * | 2009-11-17 | 2012-01-24 | Wai Mun Lee | Composition and method for treating semiconductor substrate surface |
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| US5698503A (en) * | 1996-11-08 | 1997-12-16 | Ashland Inc. | Stripping and cleaning composition |
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1997
- 1997-10-16 US US08/951,424 patent/US5988186A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-10-13 AT AT98953431T patent/ATE353034T1/de not_active IP Right Cessation
- 1998-10-13 DE DE69837011T patent/DE69837011T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-13 WO PCT/US1998/021563 patent/WO1999020408A1/en active IP Right Grant
- 1998-10-13 CA CA002306954A patent/CA2306954A1/en not_active Abandoned
- 1998-10-13 EP EP98953431A patent/EP1023129B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-13 JP JP2000516788A patent/JP4554813B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-13 AU AU10810/99A patent/AU1081099A/en not_active Abandoned
- 1998-10-13 KR KR1020007003936A patent/KR100541300B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-11-04 TW TW087117167A patent/TW460579B/zh not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-06-24 JP JP2009149844A patent/JP2009256680A/ja active Pending
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