JP2001509548A

JP2001509548A - チタンスパッタターゲット及びその製造方法

Info

Publication number: JP2001509548A
Application number: JP2000502239A
Authority: JP
Inventors: インシーリウ
Original assignee: ジョンソンマッティーエレクトロニクスインコーポレイテッド
Priority date: 1997-07-11
Filing date: 1998-06-18
Publication date: 2001-07-24
Also published as: US5993621A; KR20010021760A; US6509102B1; EP1015656A4; WO1999002750A1; EP1015656A1; AU7978698A; US6302977B1; TW392210B

Abstract

(57)【要約】改良されたステップカバレージを与えるチタンスパッタターゲット、及びその製造方法を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】（背景技術）コンピュータチップがより「高速」になり、高性能になるにしたがい、これに
対応して改良された材料及び製造方法に対する要求が増加する。コンピュータチップ、すなわち半導体デバイスは、多数の技術により製造されるが、製造におい
て一般的に重要な工程は、基板上に薄膜を堆積させる工程である。本発明は、物
理的気相堆積法、すなわちＰＶＤであって、プラズマが希薄な雰囲気、例えばア
ルゴン中で、極めて低い気圧で励起された場合に、高速のアルゴン原子が金属原
子をターゲットから叩き出すように、物質の塊、すなわち「ターゲット」が形成
される方法に関する。このようにしてターゲットから離脱した原子は、ターゲッ
ト付近に配置された基板またはウエハ上に、薄膜、例えばシリコンの単結晶とし
て堆積する。次いで、多数の様々な操作及び追加のフィルム堆積を行なって、ウエハを各チップにダイシングできるように製造する。各ウエハから、２、３〜数
ダースのチップを得ることができる。得られたチップは、一般的なコンピュータ
中の様々な機能、例えばメモリ、論理及びアプリケーションの特定のタスクなど
に提供される。チップを具体化させる物品は、極めて小さな直径のトレンチ、コンタクトホー
ル及びビアホール（「ビア」とも呼ばれる）を含む設計により製造されることが
多い。「ステップカバレージ」と呼ばれるコンタクトホール、ビア及びトレンチの底部のフィルムカバレージを有用な程度に維持して、層間の電気的接続が必要
とされる用途において高いアスペクト比が望ましい場合にそのようなホールの小
さな直径を利用可能であるようにすることが重要である。本発明は、改良された
ステップカバレージを可能にする、チタンスパッタターゲットを提供する。

【０００２】（発明の開示）本発明によれば、高い割合のターゲット面に垂直な＜２０−２３＞及び＜１１
−２０＞配向を持つ特定の組織を有するチタンスパッタターゲットが提供される
。この組織は、ターゲット面に平行な様々な結晶面についての強度により定義す
ることができる。組織化されたターゲット中の結晶面についての強度の値は、ラ
ンダムな粒子配向分布を有するＴｉサンプル中の同じ結晶面についての強度の倍
数として表現される。結晶面の強度は、Ｘ線回折から得られる４個の極座標測定値に基づく配向分布関数から得られる。さらに、本発明は、特定の所望の配向及び組織を有するチタンスパッタターゲ
ットを提供する方法、及び物理的気相堆積法においてステップカバレージを改良
するのに特に有用なチタンスパッタターゲットに関する。

【０００３】（発明を実施するための最良の形態）チップ製造の重要な側面は、材料の純度である。極めて高い純度のチタン製造
するための方法及び装置、及びそのように製造されたチタンが、ハリー・ローゼ
ンバーグ、ナイジェル・ウインタース及びユン・スーによる同時係属中の出願第
０８／８４６，２８９号（発明の名称：「チタン結晶を製造するための方法及び
装置ならびにチタン」）に開示されており、該出願の明細書に記載されている内
容は、本願明細書に含まれるものとする。チタンを使用した半導体デバイスの導電性及びチップスピードは、チタンの純
度、殊に酸素含有率に依存する。最少化または排除すべき他の重要な不純物には
、トランジスタ素子に拡散してその機能を低下させうる放射性元素（α線はメモ
リ素子の状態を変化させる原因となる）、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉなどの遷移金属（こ
れらの量を低下させるとエッチング及び素子のレジストリが改善される）及びＮ
ａ及びＫなどのアルカリ金属が含まれる。したがって、チタンターゲットは、最も有用であるためには、金属及びガスの両方の元素について可能な限り純粋であ
るべきであり、酸化物包含物及び窒化物包含物などの欠陥を有しないのが望まし
い。しかしながら、スパッタターゲットの組織は、ターゲットからの原子放出の
方向を創設するのに重要であり、結晶学的配向に依存する。ＦＩＧ．１は、α相
のチタンの結晶構造及び配向を示す。

【０００４】半導体デバイスの品質が向上するにしたがって、より小さな線ジオメトリ及び
高いアスペクト比のコンタクト及びビアホールが、チップ製造において必要とさ
れる。薄くかつ均一なフィルムを、コンタクト及びビアホールにおいて、高いア
スペクト比をもって堆積させるためには、ターゲットから排出される原子の流れ
を、可能な限りウエハに垂直に向けることが必要とされる。理想的には、堆積し
た薄膜がウエハ上でビアまたはコンタクトホールの底部と同じ状態であるように
する。これらの厚さは、しばしば「ステップカバレージ」と呼ばれ、これについ
ての説明がＦＩＧ．２に挿入されている。原子の大部分は、様々な低い角度でウエハに衝突し、これによってビアあるい
はコンタクトホールの表面及び側壁を被覆する。この場合、表面及び側壁上のフ
ィルムが厚くなり、ビア及びコンタクトホールを閉塞して、ビア及びコンタクト
ホールの底部において適切なフィルム厚さが得られるのを阻害することがある。
一方、ＦＩＧ．２に示されているコリメータにより、原子をより良好にウエハに
向けることができるものの、コリメータ上に堆積が生じることにより、収率は低
下する。現在のスパッタターゲットの設計は、かなり幅広い流れの分布となるよ
うな組織を有しており、ビアあるいはコンタクトホールの底部に堆積するのに十
分な程度にコリメートされた原子が得られる割合はほんの僅かである。

【０００５】機械的なコリメータは、ステップカバレージを向上させるのにある程度有効で
はあるが、使用上いくつか困難な点が存在する。コリメータのコーティングのた
め、コリメートされたスパッタの間にウエハ表面にほぼ垂直な方向に移動したＴ
ｉ粒子のみしかウエハに到達することができず、スパッタ収率は著しく低下して
しまう。通常、コリメータは著しく被覆されてしまうため、ターゲットの寿命の
間に少なくとも一度はこれを取り出して新たなものと交換しなければならない。
コリメータを交換することにより、費用のかかる作業中止時間が生じることとな
る。スパッタされた原子の放出方向は、ターゲットから特定の結晶学的配向に沿う
のが好ましい。したがって、コリメーション収率（効率）もしくはステップカバレージを向上させる効果的な方法の一つは、多結晶ターゲットの結晶配向分布、
すなわち結晶学的組織を調整して、さらに高い割合の原子がウエハ表面に垂直な
方向に放出されるようにすることにある。原子の放出は特定の結晶学的方向に沿
うのが好ましいため、ステップカバレージやコリメーション収率（効率）などの
スパッタ性能は、ターゲット中の結晶学的組織に依存する。Ｔｉターゲット中の
組織は、主として加工に先立つ当初の組織、高純度のＴｉを得るための金属工作
及びアニーリング条件によって決定される。

【０００６】ＦＩＧ．３は、適切に設計された組織を有するターゲットを機械的なコリメー
タと併用して、原子の流れのコリメーションを達成し得ることを示している。コ
リメータは、所望のステップカバレージのレベルに合わせて設計された寸法を有
する「ハニカム」配置のチタンで製造されていてよい。 αチタンは、約８８０℃よりも低温では六方最密充填結晶構造を有し、ＦＩＧ
．１に示すような結晶配向を有する。５０％を越える変形で低温圧延あるいは鍛造し、次いで再結晶化のためアニーリングして製造したＴｉターゲットは、（０
００２）−α（通常はα＝２０°〜３４°）の組織を有し、ここで、αは、（０
００２）結晶面とターゲット面との間の角である（ＦＩＧ．４）。角αは、当初
の組織、金属工作方法、変形の量、変形の間の温度、及び熱処理に依存する。低
温圧延し、次いで再結晶化を行なった場合には、（１０−１３）あるいは（１０
−１５）を最強の成分として有する組織が得られることが多い。記号「（）」は
、六方晶材料の原子平面についてのミラー・ブラベ指数を囲んでいる。

【０００７】スパッタされた原子は、最近接方向に沿って優先的に放出する。この記載にお
いて、「＜＞」は、六方結晶における方向についてのミラー・ブラベ指数を囲ん
で（特定して）いる。Ｔｉについての最近接の方向は＜２０−２３＞であり、こ
れはある最密充填結晶層中の原子から隣接する最密充填層中の最近接原子への方
向である。一方、原子は、この方向に沿って連続的に最近接の距離で配列しておらず、ＦＩＧ．１に示すように、短いかあるいは極めて長い間隔で配列している
。Ｔｉにおける第２の最近接の方向は＜１１−２０＞であり、これも最密充填の
方向であって、等しい原子間隔を有する。したがって、＜２０−２３＞及び＜１１−２０＞が、スパッタの間のＴｉについての好ましい放出の方向であると結論
付けることができる。ウエハ表面に垂直な＜２０−２３＞及び／または＜１１−２０＞配向を高い割
合で持つ組織を有する多結晶ターゲットを得ることにより、最も高いステップカ
バレージ及びコリメーション効率を期待することができる。したがって、これら
２つの配向のいずれか、あるいは両方の組織を同時に有するのが好ましい。本発
明は、ターゲット面に垂直な＜２０−２３＞、あるいはターゲット面に垂直な＜
２０−２３＞及び＜１１−２０＞の両方を高い割合で有する、高純度のＴｉター
ゲットを含む。

【０００８】金属は様々な結晶系に結晶化し、また純粋な金属の物性は、その物性が測定さ
れる方向に通常依存する。チタン（及び金属全般）の物性は、テンソルで記述される。物性には、常磁性及び反磁性の磁化率、電気的及び熱的伝導性、応力、ひ
ずみ、熱膨張、圧電性、弾性、熱電気特性及び光学特性が含まれる。これらの特
性の各々を計算することは可能である。したがって、全ての金属は、結晶学的組
織及び粒度分布により制御され定義された物性を示し、等方的であるのは稀であ
る。チタンの物性は全て異方性であり、したがって方向の効果が著しい場合があ
る。例えば、チタンの弾性率は、測定の温度及び方向により、単一の結晶におい
て３倍程度も相違する場合がある。チタンの物性に影響する金属学的要因には、純度、組織、粒度、様々な種類の格子欠陥及びその分布並びに均一性が含まれる
。物性は、ここに記載された金属学的特性に明らかに依存し、完全に制御される。様々なスリップ及び双晶系を、方向及び変位を含むベクトルとして表現するこ
とができる。各変形のモードは臨界応力を有し、温度及び測定方向に依存する。
したがって、力学的特性もまた、チタンの金属学的状態により制御され、定義さ
れる。流れ応力、延性及び破断靱性、及びこれらがどのように測定温度により影
響されるかは、力学的特性の例である。

【０００９】マトリクス及び不純物の相互拡散などの物理的輸送特性は、各々の原子の様々
な格子方向へのジャンプの容易性により支配される。全てのジャンプの方向は等しく容易ではなく、常に特定のベクトルと関連している。粒度及び組織は組み合わさって、例えば「パイプ拡散」に多かれ少なかれ著しく寄与する粒子境界不整
合の分布を形成するため、重要である。これらの特性も、金属学的状態に明らか
に依存する。本発明は、調整した組織を有し、さらに良好なステップカバレージまたは高収
率（効率）の機械的コリメーションを提供するチタンターゲット、及び該ターゲ
ットの製造方法を企図する。さらに良好なステップカバレージ及び高収率（効率）のコリメーションは、スパッタの間にターゲット表面から垂直に放出される原
子の割合の増加を通じて達成される。そのように制御された放出により、さらに良好なステップカバレージ及びコリメーション効率が提供され、結果としてホー
ルのアスペクト比にかかわらず、コンタクト及びビアホール上に改良されたステ
ップカバレージを有するコンピュータチップが得られる。

【００１０】ターゲット表面に垂直に高い割合でＴｉを放出させることを可能にするチタン
ターゲットについての組織に関する要求は、ターゲット面に平行な（ｈｋｉｌ）
結晶面についての強度に基づくものであり、ここではこれを（ｈｋｉｌ）の強度
と呼ぶ。結晶面についての強度は、ターゲット面に平行なこの結晶面について配向された全ての粒子の体積分率に比例する。Ｔｉターゲット中の（ｈｋｉｌ）面
についての強度の値は、ランダムな粒子配向分布を有するＴｉサンプル中の対応
する強度の倍数（倍ランダム）で表現され、Ｘ線回折による４個の極座標測定値
に基づく配向分布関数から得られる。

【００１１】

【数１】

【００１２】ＦＩＧ．５中のＮＤ、ＲＤ、およびＴＤは、サンプルに付けられた座標系（サン
プル座標系）の軸であり、各々ターゲットの法線方向（ターゲット面に垂直）、
圧延方向、および交軸方向を意味する。ｘ’、ｙ’、及びｚ’は、結晶に付けら
れた座標系（結晶座標系）の軸であり、ｚ’は（０００２）面の極である［００
０２］軸に沿う方向である。オイラー角ω、θ、及びΦは、以下の操作により決
定される。結晶座標系ははじめサンプル座標系に一致している。すなわち、ｘ’
、ｙ’、及びｚ’は、各々ＲＤ、ＴＤ及びＮＤに一致している。次いで、結晶座
標系をまずｚ’軸の周りに角度ωだけ回転させ、次にｘ’軸の周りに（その新規
な配向で）θだけ回転させ、最後に、再度ｚ’軸の周りに角度Φだけ回転させる
。倍ランダムによる（ｈｋｉｌ）についての強度値は、ランダムサンプルの強度にスケーリングされた、ターゲット面に平行な（ｈｋｉｌ）から算出されたＸ線
回折強度として理解することができる。結晶面の極はこの結晶面に垂直であるか
ら、ターゲット面に平行な（ｈｋｉｌ）面も、ターゲット面に垂直な（ｈｋｉｌ
）の極強度として考えることができる。例えば、＜２０−２３＞及び＜１１−２
０＞は、（２０−２５）面及び（１１−２０）面の極である。したがって、（２
０−２５）及び（１１−２０）の強度も、各々＜２０−２３＞及び＜１１−２０
＞の強度を意味する。立方晶における面及び方向の指数（ミラー）とは異なり、
六方晶における面及び方向は、必ずしも同じ指数（ミラー−ブラベ）を共有する
わけではない。基底面及びプリズム面についてのみ、ミラー・ブレベの方向及び
面指数は数値的に一致する。それぞれ、結晶面（２０−２５）及び（１１−２０
）がターゲット面に垂直な場合には、＜２０−２３＞配向及び＜１１−２０＞配
向はターゲット面に垂直である（ＦＩＧ．６）。したがって、ターゲット面に垂
直な＜２０−２３＞及び＜１１−２０＞を有する組織を、ここでは各々ＦＩＧ．
６Ａ中の（２０−２５）組織及びＦＩＧ．６Ｂ中の（１１−２０）組織と呼ぶこ
ととする。結晶面の中には、（２０−２５）のように、Ｘ線回折ピークが無いか
あるいは極めて微弱なものもあることから、結晶面の強度は、Ｘ線回折において
直接測定されるよりはむしろ、（０００２）（１０−１１）（１０−１３）、及
び（１１−２０）についての４個の極座標測定値から構成される配向分布関数か
ら算出される。強い（２０−２５）組織は、（０００２）−３６°の組織に対応
する（（０００２）極座標の中心から３６°の位置での平均ピーク強度）。

【００１３】（０００２）−αなる表現は、（０００２）面がスパッタされるべきターゲッ
ト面に対して傾斜角αを有するような組織を意味する。これは、次式にしたがって（０００２）極座標上の５個の強いピークの傾斜角の平均をとることにより算
出される。

【００１４】

【数２】

【００１５】以下の記載により、結晶学的組織とステップカバレージを含むスパッタ性能と
の間の相互関係を説明する。ターゲット表面に垂直な方向のＴｉ放出を高い割合で得るためには、ＦＩＧ．
６Ａ及び６Ｂに示すように、高い割合の粒子をターゲット表面に平行な（２０−
２５）及び／または（１１−２０）に配向させる必要がある。本発明によれば、
次のような結晶学的組織が好ましい。ターゲット面に平行な（１１−２０）の強度は、好ましくは０．４倍ランダムよりも大きく、ターゲット面に平行な（２０
−２５）面の強度は、１．５倍ランダム以上である。（２０−２５）の強度を最
大にするため、ターゲット表面に対する（０００２）の平均傾斜角は、好ましく
は約３２°〜４０°である。最も望ましいαの値は約３６°である。（２０−２
５）は、（１０−１２）と（１０−１３）の間に挟まれている（ＦＩＧ．７）。（２０−２５）はこれら２つの結晶面からわずか約５°の所にあるため、（１０
−１２）及び（１０−１３）の強度が高いことも、ステップカバレージを向上さ
せるのに有用であるはずである。これにより、（２０−２５）、（１０−１２）、及び（１０−１３）についての強度の合計が高いことが必要とされる。（０００２）は、（２０−２５）から３６°程度隔たり、（１１−２０）から９０°隔
たっているため、Ｔｉ放出は強い（０００２）組織についてのターゲット面に垂
直な方向から著しく遠い。したがって、ターゲット面に平行な（０００２）の強
度を極めて低くするのが望ましい。本発明は、ターゲット面に平行な（０００２
）の強度が１．８倍ランダム以下、好ましくは１．０倍ランダム未満であるター
ゲットを提供する。

【００１６】本発明のターゲットにおいては、２種類の微細構造を生成してよく、得られる
組織は微細構造に依存する。第１の種類の微細構造は、均一に分散した双晶を含む。双晶の割合は、サンプルの断面において双晶を含有する粒子の面積の割合により決定される。双晶の割合を制御することは可能であり、１００％までの双晶
を得ることが可能である。第２の種類の微細構造は、再結晶化した粒子を含む。それぞれ、ＦＩＧ．８Ａ及び８Ｂは、粒子及び双晶の概略図を示しており、ＦＩ
Ｇ．９Ａ及び９Ｂは、双晶及び粒子を示す写真である。双晶の微細構造は、再結晶化した微細構造の場合よりも、ターゲット面に平行な（１１−２０）のさらに
高い強度を達成し得る。双晶の微細構造により、ターゲット面に平行な（１１− ２０）について、１．５倍ランダムを越えることが可能である。一方、再結晶化した微細構造は、ターゲット面に平行な（２０−２５）、（１０−１２）、及び
（１０−１３）についてのさらに高い合計強度と関連している。ターゲット面に平行な（２０−２５）の強度は、再結晶化した微細構造の場合、３倍ランダムよ
りも大きいこともある。また、再結晶化した微細構造は、双晶の微細構造の場合
よりも、ターゲット面に平行な（０００２）のさらに低い強度を達成し得る。再結晶化した微細構造によれば、ターゲット面に平行な（０００２）について、０
．３倍ランダム程度の低い強度が得られる。１０μｍ程度の小さな粒度を達成することができ、５μｍ程度の小さな粒度が望ましい。

【００１７】（ａ）本発明のターゲットは、（０００２）−α（αは強い（２０−２５）を
含む３０°〜４０°である。）及び（１１−２０）付近で高い強度を有する点、
（ｂ）（０００２）の組織成分がはるかに低減されている点、（ｃ）微細構造中
に均一に分散された双晶が、高い（１１−２０）組織成分と関連付けられている
点、及び（ｄ）ターゲットが従来のターゲットよりも良好なステップカバレージ
またはコリメーション収率を提供する点で、本発明のターゲットは従来のターゲ
ットと区別することができる。従来の力学的変形、例えば圧延及び鍛造により製造された組織は、（２０−２
５）組織に近接しているが（１１−２０）組織からは隔たっている（１０−１７
）から（１０−１３）まで広がっているため、ＦＩＧ．１０に示す従来の方法以
外の加工方法を使用する必要がある。所望の組織を形成するための加工方法を以下に記載するが、Ｔｉの工作について他の手段を使用して同様の結果を達成する
ことが可能である点を理解すべきである。例えば、変形のスリップ及び双晶成分
の長所を利用するような方法で、ターゲットとなるべき作業片中の変形を活性化
させる一連の金属工作が用いられることを条件として、異なる種類の鍛造、圧延
及び他の金属工作方法を使用して、同様の効果を得ることができる。本発明は、新規な方法において標準的な金属工作を使用して、上記のような望ましい組織を
得ることを企図する。

【００１８】本発明の組織を得るためのそのような方法の一つには、従来の方法で加工され
たＴｉターゲットではスリップが主たる変形機構であるのに対し、双晶化が仕上
げ変形工程の間の主たる変形機構となるように変形スケジュールをアレンジする
ことにより、最終的な組織を製造することが含まれる。双晶化により、小さな変形で、著しい粒子の回転を得ることができる。ＦＩＧ．１０及び１１に、従来の
加工方法と、本発明によるステップカバレージを最大にする配向されたターゲッ
トを製造するための加工方法との比較を示す。ＦＩＧ．１１中のフローチャートは一つの方法を示しているが、所望の配向を他の方法によって得ることも可能で
ある。本明細書において、「変形」の語は、断面積を低減させ、あるいは厚さを低減させることとなる手段を意味する。この方法の第１の加工工程には、力学的変形及び再結晶化のためのアニーリン
グが含まれる。力学的変形の大部分は、第１の加工工程において達成される（「
主変形」）。しかしながら、この工程における変形は、いかなる温度においても
α相領域内で行なわれる必要がある。さらに良好な均一性及びよりシャープな組
織を得るため、冷間変形、特に冷間圧延が好ましい。主たる、あるいは第１の変形において、高純度のチタンビレットは、５０％を越える、好ましくは７０％を
越える厚さの低減を受ける。次いで、変形したブランクを熱処理して、強い（０
００２）−α₁組織を有する再結晶化微細構造を得る。添字の「１」は、第１加工
工程後の結果であることを意味する。傾斜角α₁は、金属工作工程及び熱処理に依
存する。ターゲットブランクを７０％を越えて圧延した場合、傾斜角は通常２０〜３４°であり、一般には３０°である。

【００１９】本発明における第２の加工工程では、ブランクは圧延または鍛造などにより実
質的に再度変形され、厚さが約５％〜３０％、好ましくは約１０％〜２０％低減
される。この第２の変形工程により、２つの主成分、すなわち（０００２）−α ₂ 及び（１１−２０）を有する組織が得られる。ここで、添字２は、傾斜角α₂が第１の変形後に観測されるものであることを意味する。傾斜角α₂は、第２の変形
の量及び温度に依存して、傾斜角α₁よりも通常２〜６°高い。α₂とα₁との差は、第２の変形の温度の低下及び第２の変形の量の増大にしたがって増加する。第２の変形工程を、低温で行なうのが好ましいが、周囲温度で変形を行なっても
よい。低温で圧延を行ない、次いで再結晶化温度よりも低い高温で圧延することによ
り、低温圧延のみを行なった場合よりも、再結晶化後にさらに高いターゲット面
に平行な（１１−２０）の強度を発生させることが可能である。厚さの低減の合計は、（低温圧延の開始時における厚さを参照して）３５％未満であるのが好ま
しい。

【００２０】この方法により製造されたターゲットは、変形されたままの、または回復した
双晶、あるいは双晶の割合が低下した部分的に再結晶化した微細構造、または双
晶を伴わない完全に再結晶化した微細構造を有し得る。再結晶化によって、変形
されたままの傾斜角、すなわちα₂が著しく変化することはない。再結晶化の結果、（０００２）−α₂の周りに配向された粒子の割合は増加するが、ターゲット面に平行な（１１−２０）の割合は減少する。また、ターゲット面に平行な（１１−２０）の割合を極めて低くすることができ、このことは好ましい。回復熱処理後のターゲット組織は、双晶の微細構造を有する開始時の組織と、実質的に
同じままである。双晶の微細構造を有する粒子は、特別な配向の粒子境界である
双晶境界により定義することができる。双晶微細構造が最終製品中の微細構造と
して維持される場合、第１加工工程における熱処理後の粒度が２０ミクロンより
も小さいのが好ましい。これにより、ターゲット表面に平行な（０００２）の割合を低下させることができ、このことはさらに良好なステップカバレージにとっ
て望ましい。

【００２１】本発明における主変形工程（すなわち、第１変形工程）を用いて、均一で小さ
な粒度を得ることができ、また必要とされる全体的な厚さの低減の大部分を達成
することができる。主変形は、インゴットを鍛造してビレットにした後に、圧延
及び／またはアプセット鍛造することにより行なうことができるが、これらの方
法に限定されない。第１変形工程の後に、ターゲットブランクを再結晶化させて
、第２変形の間の双晶の量を最大にしておく必要がある。二次的変形、すなわち
第２の変形を用いて、大量の（１１−２０）を発生させ、双晶化によりα角を変
化させる。変形の方法は圧延及び／または鍛造であってよく、あるいは粒子を（１１−２０）に双晶化させ回転させる点で同等の効果を生み出す任意の方法であ
ってもよい。スリップの代わりに双晶化を支配的な変形機構とするため、変形を
約５％〜３０％、好ましくは約１０％〜２０％とする必要がある。第２の変形が約５％未満であると、変形の量が小さすぎて、組織中に大きな変化をもたらすこ
とができない。第２の変形が約３０％を越えると、ターゲット面に平行な（００
０２）の割合が高くなる。低温変形などの低変形温度、高変形速度、及び大粒度などを含む異なる方法により、第２変形において双晶化及び（１１−２０）の量
を最大にする必要がある。第２の変形においては、低温変形が好ましいが、周囲温度での変形によっても著しい双晶化を発生させることができる。低温では、周
囲温度よりもさらに双晶化が支配的である。低温変形はまた、周囲温度での変形
よりも、さらに均一な双晶構造を供給する。低温変形の前に、Ｔｉブランクを都合のよいあるいは望ましい程度の低温まで冷却してもよい。チタンは低温でかな
り延性が高く、高純度の場合には一層延性が高い。好ましい変形方法は、圧延、
鍛造、あるいは同様の効果が得られる他の方法である。第２変形後に（０００２
）の強度を最低にするには、第１の加工（第１変形と熱処理の組合せ）の後、粒
度が２０ミクロン未満であるのが望ましい。また、第１工程後の粒度が小さいほど、最終製品中の粒度も小さくなり、このことは良好なフィルムの均一性にとっ
て望ましい。

【００２２】（０００２）−３６°付近に（０００２）−α₂を含む組織及び多割合の（１１−２０）が第２変形の後に得られるように、第１の加工（第１変形と熱処理の
組合せ）の後、α₁が３０〜４０°である強い（０００２）−α₁組織が得られる
必要がある。理想的には、第２変形における圧延または鍛造などの低温変形により強い（０００２）−３６°成分及び（１１−２０）成分の両方を有する組織が
生成されるように、７０％を越える圧延低減を第１加工工程で印可する。双晶の再結晶化後の最小粒度は、双晶化前の粒度よりも大きいのが通常である
。したがって、両方の加工工程を制御することにより、様々な粒度を得ることが
できる。両工程終了後の最終製品において、１５μｍを越える粒度を得ることが
でき、あるいは、良好な薄膜の均一性のために所望によりさらに微細な粒度を得
ることもできる。粒度を低下させるのに最も有効な方法は、第１変形工程におい
て粒度をさらに微細にすることである。第１変形に先立って（インゴット上で）
、また第１変形工程中にビレット上で大きな変形を加えて５μｍ以下の粒度が得
ることができ、これにより最終製品中で５〜１５μｍの粒度が得られる。主変形及び熱処理の後で粒度が約２μｍ未満である場合には、新規な組織を有するター
ゲットにおいて、５μｍ未満の粒度を達成することができる。主変形及び第２変形において使用する圧延方法は、一方向圧延または交叉圧延
のいずれかであってよい。一方向圧延では、圧延パスは同一の方向に沿う。交叉圧延では、圧延パスは異なる方向に沿う。理想的には、圧延パス対及び各対中の圧延パスに次いで、第２のパスが９０°となるようにして原形またはアウトライ
ンが保持されるように交叉圧延を行なう。

【００２３】以下の実施例は、表１にまとめられているが、サンプルＮｏ．１及び２で代表
される記載された加工法と、本発明による加工法の実施例Ｎｏ．３〜６とを比較
するものである。表２に、これらのサンプルの純度、粒度及び組織についてまとめた。表２において結晶面と関連付けられている値は、倍ランダムによって表し
た強度である。（０００２）の傾斜角は、（０００２）面と、（０００２）極座
標上の５個の強度の高いピークを平均化することにより算出されたターゲット面
との間の平均角である。以下に記載する方法は、円筒状の鋳造インゴットを８１５℃で鍛造して半径方
向に沿って７０％変形させて得た、円筒状のビレットから開始する。実施例で使用したサンプルの組成を、表３、４、５及び６に記載した。表３及
び４に、それぞれサンプルＮｏ．１及びサンプルＮｏ．２が得られたインゴット
の化学組成を示す。表５には、サンプルＮｏ．３及び４が得られたインゴットの化学組成が示されており、表６には、サンプルＮｏ．５及び６が得られたインゴ
ットの化学組成が記載されている。Ｓ、Ｈ、Ｃ、Ｎ及びＯ以外の全ての元素の濃度を、ＧＤＭＳ分析法により決定し、Ｓ、Ｈ、Ｃ、Ｎ及びＯをＬＥＣＯ法により
分析した。

【００２４】サンプルＮｏ．１：ビレットを切断したものを、４５°の方向で隔たった交
叉圧延により冷間加工して８０％変形させ、次いで７６０℃で７５分間アニール
した。このサンプルにおいて支配的な組織は、（０００２）及び（１０−１７）
で高い強度を有する（０００２）−１１°であった。無視し得る程度の強度の（
１１−２０）が存在した。サンプルＮｏ．２：ビレットを切断したものを、４５°の方向で隔たった交
叉圧延により冷間加工して８０％変形させ、次いで５１０℃で１２０分間アニー
ルした。このサンプルにおいて最も強い組織成分は、サンプルＮｏ．１に比べて
高い強度の（２０−２５）及び低い強度の（０００２）を伴う、（１０−１３）
であった。サンプルＮｏ．１と同様に、このターゲット中にも無視し得る程度の
強度の（１１−２０）が存在した。

【００２５】サンプルＮｏ．３：ビレットを切断したものを、４５°の方向で隔たった交
叉圧延により冷間加工して８０％変形させ、次いで５６５℃で３０分間再結晶化
させた。これを、２つの直交するパスを含む−７３℃での低温交叉圧延によりさ
らに厚さを（冷間圧延の仕上げ厚さを参照して）１５％低減させて、実質的に加
工した。低温圧延したサンプルを４２７℃で３０分間熱処理して、回復のみを行
なった。熱処理したサンプルは、（１１−２０）及び（２０−２５）の両方で著しい強度ピークを有し、また９５％を越える双晶を含んでいた。この方法によっ
ても、弱い（０００２）強度が生成された。サンプルＮｏ．４：ビレットを切断したものを、４５°の方向で隔たった交
叉圧延により冷間加工して８０％変形させ、次いで６２１℃で３０分間再結晶化
させた。これを、２つの直交するパスを含む−７３℃での低温交叉圧延によりさ
らに（冷間圧延の仕上げ厚さを参照して）１５％低減させて、実質的に加工した
。低温圧延したサンプルを６３５℃で６０分間熱処理して、再結晶化を行なった
。熱処理したサンプルは、サンプルＮｏ．３よりも強い強度の（２０−２５）を有していた。また、該サンプルでは、サンプルＮｏ．１ないしＮｏ．３に比べて
、（０００２）の強度がはるかに低下していた。再結晶化により、このターゲッ
トにおいては、サンプルＮｏ．３よりも低い強度の（１１−２０）が存在した。

【００２６】サンプルＮｏ．５：ビレットを切断したものを、４５°の方向で隔たった交
叉圧延により冷間加工して７５％変形させ、次いで５９３℃で４５分間再結晶化
させた。これを、２つの直交するパスを含む−４８℃での低温交叉圧延によりさ
らに（冷間圧延の仕上げ厚さを参照して）１４％低減させて、実質的に加工した
。低温圧延したサンプルを７０４℃で６０分間熱処理して、再結晶化を行なった
。ターゲットは、他のターゲットと比べて、中間的な強度の（１１−２０）、比較的強い強度の（２０−２５）を有していた。サンプルＮｏ．６：ビレットを切断したものを、４５°の方向で隔たった交
叉圧延により冷間加工して７５％変形させ、次いで５６５℃で４５分間再結晶化
させた。第２の変形工程は、低温交叉圧延を行ない、次いで高温交叉圧延により
厚さを低減させることを含むものとした。低温交叉圧延は、２つの直交するパス
を含み、−７３℃で行なって、（冷間圧延の仕上げ厚さを参照して）１４％低減
させるものとした。低温圧延したブランクを、高温圧延前に炉中で５１０℃にお
いて３０分間実質的にソーキングしたが、著しい再結晶化は起こらなかった。高温圧延は、２つの直交するパスを含み、３１０℃で行なって、（冷間圧延の仕上
げ厚さを参照して）１２．６％低減させ、第２の変形の合計量が２６．６％とな
るものとした。次いで、ブランクを５９３℃で６０分間熱処理して、再結晶化を
行なった。このターゲットは、比較的高い強度の（１１−２０）を有していたが、（２０−２５）の強度は比較的低かった。表２には、サンプルのチタン純度も示されている。「５Ｎ５」は９９．９９９５質量％のＴｉを表し、「５Ｎ８」は９９．９９９８質量％のＴｉを表し、「５
Ｎ」は９９．９９９質量％のＴｉを表す。ただし、全ての％はガスを除外したも
のである。

【００２７】

【表１】

【００２８】

【表２】

【００２９】

【表３】

【００３０】

【表４】

【００３１】

【表５】

【００３２】

【表６】表７に示すように、最も強い（０００２）強度を有するターゲットＮｏ．１が
、最も低いステップカバレージを有していた。ターゲットＮｏ．２は、ターゲットＮｏ．１よりもわずかに高いステップカバレージを与えた。ターゲットＮｏ．１及びターゲットＮｏ．２は、ともに無視し得る程度の（１１−２０）強度を有
していたことから、ターゲットＮｏ．２においてわずかに改良されたステップカ
バレージは、（０００２）の低下及び（２０−２５）付近での強度の増加の結果
であると考えられる。ターゲットＮｏ．３ないしＮｏ．６により示されているように、（１１−２０）の強度を増加させ、（０００２）の強度をさらに低下させ
ることにより、ステップカバレージのさらなる改良を達成することが可能である
。統計的分析から、ステップカバレージにおける相違が、確かに組織の効果に起
因するものであることが示された。しかしながら、ステップカバレージはスパッタシステム及びスパッタの形態に依存するものであることに注意すべきである。したがって、異なるスパッタシステムまたは異なるスパッタの形態において、さ
らに大きなまたは小さな改良が生ずる可能性がある。

【００３３】

【表７】

【００３４】上の記載から、本発明を離れることなく様々な変更及び改良を行ないうること
は明らかである。したがって、本発明は、特許請求の範囲によってのみ拘束される。

【００３５】

【図面の簡単な説明】

【図１】Ｔｉの結晶構造及び配向のダイアグラムである。

【図２】「ステップカバレージ」についての説明を挿入した、ステップカバレージを改
良することを試みるためのスパッタターゲット及びコリメータを示すダイアグラ
ムである。

【図３】垂直放出の割合が高いターゲットを使用することにより得られる、ステップカ
バレージまたはコリメーションにおける改良を説明するダイアグラムである。

【図４】（０００２）−α組織の説明図である。

【図５】オイラー角についての定義の説明図である。

【図６】ＦＩＧ．６Ａは（２０−２５）組織の説明図であり、ＦＩＧ．６Ｂは（１１−
２０）組織の説明図である。

【図７】（１０−１２）面、（１０−１３）面、及び（２０−２５）面の関係を示すダ
イアグラムである。

【図８】ＦＩＧ．８Ａは、双晶を有する粒子の説明図であって、「ａ」とマークされた
領域は「ｂ」の双晶であり、逆もまた同様である。これは、これらが双晶配向の
関係を有するためである。ＦＩＧ．８Ｂは再結晶化した粒子の説明図である。

【図９】ＦＩＧ．９Ａは、双晶を有する微細構造を示すターゲット表面の顕微鏡写真で
あり、ＦＩＧ．９Ｂは、再結晶粒子を有する微細構造を示すターゲット表面の顕
微鏡写真である。

【図１０】従来のターゲットの製造方法を示すフローチャートである。

【図１１】本発明にしたがってスパッタターゲットを製造し得る方法の一例を説明するフ
ローチャートである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ，ＧＷ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＳ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ターゲット面に平行な（２０−２５）面及び（１１−２０）面の
強度の合計が４．１倍ランダムよりも大きく、（２０−２５）面の強度が１．５
倍ランダム以上である、チタンスパッタターゲット。
【請求項２】ターゲット面に平行な（０００２）面の強度が１倍ランダムより
も小さい、請求項１に記載のチタンスパッタターゲット。
【請求項３】再結晶微細構造を有し、ターゲット面に平行な（１１−２０）面
の強度が０．４倍ランダム以上であり、（２０−２５）面の強度が１．５倍ラン
ダム以上である、チタンスパッタターゲット。
【請求項４】再結晶微細構造及び組織を有するチタンスパッタターゲットであ
って、（ａ）ターゲット面に平行な（１１−２０）面の強度が０．４倍ランダムよりも
大きく、（ｂ）ターゲット面に平行な（２０−２５）面、（１０−１３）面、及び（１０
−１２）面の強度の合計が５倍ランダムよりも大きい、前記チタンスパッタターゲット。
【請求項５】ターゲット面に平行な（０００２）面の強度が１倍ランダム未満
である、請求項３に記載のチタンスパッタターゲット。
【請求項６】ターゲット面に平行な（０００２）面の強度が１倍ランダム未満
である、請求項４に記載のチタンスパッタターゲット。
【請求項７】平均粒度が約１５μｍ以下である、請求項１に記載のチタンスパ
ッタターゲット。
【請求項８】平均粒度が約１５μｍ以下である、請求項３に記載のチタンスパ
ッタターゲット。
【請求項９】平均粒度が約１５μｍ以下である、請求項４に記載のチタンスパ
ッタターゲット。
【請求項１０】平均粒度が約５μｍ以下である、請求項１に記載のチタンスパ
ッタターゲット。
【請求項１１】平均粒度が約５μｍ以下である、請求項３に記載のチタンスパ
ッタターゲット。
【請求項１２】平均粒度が約５μｍ以下である、請求項４に記載のチタンスパ
ッタターゲット。
【請求項１３】微細構造及び組織中に７０％以上の領域の双晶粒子を有し、タ
ーゲット面に平行な（１１−２０）面の強度が１倍ランダムよりも大きい、チタ
ンスパッタターゲット。
【請求項１４】微細構造が、７０％以上の領域の双晶粒子を微細構造中に含む
組織、及びターゲット面に平行な（１１−２０）面の強度が１倍ランダムよりも
大きく、（２０−２５）面の強度が１．５倍ランダムよりも大きい組織を有する
、チタンスパッタターゲット。
【請求項１５】微細構造が、７０％以上の領域の双晶粒子を微細構造中に含む
組織、及びターゲット面に平行な（１１−２０）面の強度が１倍ランダムよりも
大きく、（２０−２５）面、（１０−１３）面、及び（１０−１２）面の強度の
合計が４．５倍ランダムよりも大きい組織を有する、チタンスパッタターゲット
。
【請求項１６】双晶の微細構造から部分的に再結晶化する、請求項１３に記載
のチタンスパッタターゲット。
【請求項１７】双晶の微細構造から部分的に再結晶化する、請求項１４に記載
のチタンスパッタターゲット。
【請求項１８】双晶の微細構造から部分的に再結晶化する、請求項１５に記載
のチタンスパッタターゲット。
【請求項１９】双晶が、１５μｍ以下の平均粒度を有する再結晶化微細構造か
ら生成される、請求項１３に記載のチタンスパッタターゲット。
【請求項２０】双晶が、１５μｍ以下の平均粒度を有する再結晶化微細構造か
ら生成される、請求項１５に記載のチタンスパッタターゲット。
【請求項２１】双晶が、５μｍ以下の平均粒度を有する再結晶化微細構造から
生成される、請求項１３に記載のチタンスパッタターゲット。
【請求項２２】双晶が、５μｍ以下の平均粒度を有する再結晶化微細構造から
生成される、請求項１５に記載のチタンスパッタターゲット。
【請求項２３】（０００２）−α及び（１１−２０）面の成分を有する組織を
有し、（０００２）−α面の平均傾斜角αが約３２°〜４０°である、請求項１
に記載のチタンスパッタターゲット。
【請求項２４】（０００２）−α及び（１１−２０）面の成分を有する組織を
有し、（０００２）−α面の平均傾斜角αが約３２°〜４０°である、請求項１
５に記載のチタンスパッタターゲット。
【請求項２５】再結晶微細構造及び約１００μｍ未満の粒度を有し、０．４倍
ランダムよりも大きい（１１−２０）面の強度及び２倍ランダム以上の（２０−
２５）面の強度を有するターゲット。
【請求項２６】粒度が約５０μｍ以下である、請求項２５に記載のターゲット
。
【請求項２７】チタンのビレットを準備する工程、ビレットを変形させる工程
、微細構造を再結晶化させる工程及び主として再結晶化微細構造の第２の変形の
間の双晶化を通して組織を変化させる工程を含む、チタンスパッタターゲットの
製造方法。
【請求項２８】さらに、５０％以上の変形でビレットを変形させ、次いで再結
晶化のためアニーリングし、その後約５％〜３０％の第２の変形をして、双晶化
を第２の変形後アニーリングを伴うかあるいは伴わない主たる変形モードとする
工程を含む、請求項２７に記載の製造方法。
【請求項２９】変形が圧延または鍛造である、請求項２８に記載の製造方法。
【請求項３０】さらに、第２の変形工程において周囲温度またはそれよりも低
温でビレットを変形させる工程を含む、請求項２８に記載の製造方法。
【請求項３１】第２の変形を低温で行なう、請求項２８に記載の製造方法。
【請求項３２】変形を一方向及び／または交叉圧延により行なう、請求項２８
に記載の製造方法。
【請求項３３】改良されたステップカバレージを提供し得るスパッタターゲッ
トを製造するためのチタンの加工方法であって、高純度のチタンビレットをα相において厚さの低減が約５０％を越えるまで力
学的に変形させる工程、熱処理して、強い（０００２）−α₁面組織を有する再結晶微細構造を得る工程、熱処理したチタンを厚さが約５％〜３０％低減するまで変形させて、（０００
２）−α₂面及び（１１−２０）面を主たる成分として有する組織及び（１）追加の熱処理により得られる、変形されたままのあるいは回復した双晶
、（２）追加の熱処理により得られる、双晶の割合が低下した部分的に再結晶化
した微細構造、（３）追加の熱処理により得られる、双晶を伴わない完全に再結晶化した微細
構造、のいずれかを有する微細構造を生成させる工程、を含む、前記加工方法。
【請求項３４】チタンビレットの力学的変形を、厚さの低減が約７０％を越え
るまで行なう、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】傾斜角α₂が約３２°〜４０°である、請求項３３に記載の方法。
【請求項３６】熱処理したチタンの第２の変形が約１０％〜２０％である、請
求項３３に記載の方法。
【請求項３７】第２の変形後の傾斜角α₂が、第１の変形後の傾斜角α₁よりも
約２°〜６°高い、請求項３３に記載の方法。
【請求項３８】傾斜角α₁が約３１°であり、傾斜角α₂が約３６°である、請
求項３３に記載の方法。
【請求項３９】熱処理したチタンの変形を周囲温度またはそれよりも低温で行
なう、請求項３７に記載の方法。
【請求項４０】熱処理したチタンの変形を低温で行なう、請求項３７に記載の
方法。
【請求項４１】熱処理したチタンを変形させて微細構造を生成させ、粒度が約
２０ミクロン未満の粒子から双晶を生成させる、請求項３７に記載の方法。
【請求項４２】第２の変形が、厚さが５％以上低減するよう低温で変形させる
工程、次いで再結晶温度よりも低い温度で高温変形させる工程を含む、請求項３
７に記載の方法。
【請求項４３】チタンの純度が、ガスを除いて９９．９９５％以上である、請
求項１に記載のチタンターゲット。
【請求項４４】チタンの純度が、ガスを除いて９９．９９５％以上である、請
求項４に記載のチタンターゲット。
【請求項４５】チタンの純度が、ガスを除いて９９．９９５％以上である、請
求項１５に記載のチタンターゲット。
【請求項４６】酸化物及び／または窒化物の包含物などの欠陥を有しない、請
求項１に記載のチタンターゲット。
【請求項４７】酸化物及び／または窒化物の包含物などの欠陥を有しない、請
求項４に記載のチタンターゲット。
【請求項４８】酸化物及び／または窒化物の包含物などの欠陥を有しない、請
求項１５に記載のチタンターゲット。
【請求項４９】チタンの純度が、ガスを除いて９９．９９９９％以上である、
請求項１に記載のチタンターゲット。
【請求項５０】チタンの純度が、ガスを除いて９９．９９９９％以上である、
請求項４に記載のチタンターゲット。
【請求項５１】チタンの純度が、ガスを除いて９９．９９９９％以上である、
請求項１５に記載のチタンターゲット。
【請求項５２】チタンの純度が、ガスを除いて９９．９９９９９％以上である
、請求項１に記載のチタンターゲット。
【請求項５３】チタンの純度が、ガスを除いて９９．９９９９９％以上である
、請求項４に記載のチタンターゲット。
【請求項５４】チタンの純度が、ガスを除いて９９．９９９９９％以上である
、請求項１５に記載のチタンターゲット。
【請求項５５】酸素が５０ｐｐｍ未満である、請求項１に記載のチタンターゲ
ット。
【請求項５６】酸素が３０ｐｐｍ未満である、請求項１に記載のチタンターゲ
ット。
【請求項５７】酸素が２０ｐｐｍ未満である、請求項１に記載のチタンターゲ
ット。
【請求項５８】酸素が５０ｐｐｍ未満である、請求項５２に記載のチタンター
ゲット。
【請求項５９】酸素が３０ｐｐｍ未満である、請求項５２に記載のチタンター
ゲット。
【請求項６０】酸素が２０ｐｐｍ未満である、請求項５２に記載のチタンター
ゲット。
【請求項６１】基板上にスパッタにより堆積されたチタンのフィルムであって
、ガスを除いて９９．９９５％以上のチタンを含む、前記チタンフィルム。
【請求項６２】基板上にスパッタにより堆積されたチタンのフィルムであって
、ガスを除いて９９．９９９８％以上のチタンを含む、前記チタンフィルム。
【請求項６３】基板上にスパッタにより堆積されたチタンのフィルムであって
、ガスを除いて９９．９９９９５％以上のチタンを含む、前記チタンフィルム。
【請求項６４】いかなる金属不純物も０．２ｐｐｍを越えない、請求項６３に
記載のチタンフィルム。
【請求項６５】基板上にスパッタにより堆積されたチタンのフィルムであって
、ガスを除いて９９．９９９９９％以上のチタンを含む、前記チタンフィルム。
【請求項６６】基板上にスパッタにより堆積されたチタンのフィルムであって
、５０ｐｐｍ未満の酸素を含む、前記チタンフィルム。
【請求項６７】基板上にスパッタにより堆積されたチタンのフィルムであって
、３０ｐｐｍ未満の酸素を含む、前記チタンフィルム。
【請求項６８】基板上にスパッタにより堆積されたチタンのフィルムであって
、２０ｐｐｍ未満の酸素を含む、前記チタンフィルム。
【請求項６９】酸素が５０ｐｐｍ未満である、請求項６５に記載のチタンフィ
ルム。
【請求項７０】酸素が３０ｐｐｍ未満である、請求項６５に記載のチタンフィ
ルム。
【請求項７１】酸素が２０ｐｐｍ未満である、請求項６５に記載のチタンフィ
ルム。