TW392210B

TW392210B - Titsnium sputtering target and method of manufacture

Info

Publication number: TW392210B
Application number: TW87111312A
Authority: TW
Inventors: Yinshi Liu
Original assignee: Johnson Matthey Elect Inc
Priority date: 1997-07-11
Filing date: 1998-07-13
Publication date: 2000-06-01
Also published as: EP1015656A1; JP2001509548A; EP1015656A4; US6509102B1; AU7978698A; WO1999002750A1; US5993621A; US6302977B1; KR20010021760A

Description

A7 355 丨 pif.doc/〇〇2 ___— B—7_____ 五、發明説明（/ ) 一發明背景當電腦晶片變得更爲“快速”及更大容量，對於改良材料及1製造方法有相對增加之需求。雖然電腦晶片，即半導體元件，可經由許多方法製造，在製造方法之一基本重要步驟爲在基材上沉積一薄膜。本發明爲著重於物理氣相沉積，PVD ’其中一金屬塊，即靶，成形至可使電漿在純化氣氛中，如氬，於一非常低壓，高速氬原子由靶釋出金屬原子。由靶釋出之原子因此游離並在基材或晶圓上沉積一薄膜，即單晶矽，此晶圓已可用於切割爲單一晶片。此結果晶片在基本電腦中提供多種功用，例如記憶體、邏輯及應用特殊作用等。晶片通常包括許多很小直徑的溝渠（trench)、接觸窗開孔（contact hole)、以及介層洞（via hole;或稱via) 等等設計。當兩層間需要作電性連接’且在高縱橫比 (aspect)的應用中，接觸窗、介層洞和溝渠等底部的薄膜覆蓋（稱爲”階梯覆蓋”；”step coverage”）需維持在—有用的程度是非常重要的，如此才能使用較小直徑的孔洞。本發明提供一種鈦濺鍍鈀，用以改善階梯覆蓋。發明之槪述本發明爲提供一種鉢濺鑛祀’其具有在垂直鞭平面上之<20-23>及111^0^^高度分量的結構。此結構可由平行靶平面之不同結晶面的強度而定義。在結構？巴之結晶面的強度値可經由具有無規晶粒定向分佈之Tl試樣中相同之結晶醜酿倍㈣*。結晶面之強度可由x射線繞 (諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

丁 -S 經1%‘部中央榡卑局β.τ消於合作社印來本紙張尺度適用中國國家標埤（rNS ) Λ4规格 210X297公釐） 3551pif.doc/002 3551pif.doc/002 經#-部中次標準局貝工消於合竹社印製 A7 B7 五、發明説明（1) 射分析之四測量點極之定向分佈作用而測定。此外’本發明有關提供具有所欲定向及結構之鈦濺鍍靶之方1法’且此鈦漉鑛特別適用於物理氣相沉積以改良階梯覆蓋。 * 圖式之簡單說明：第1圖係繪示Ti之結晶結構及定向；第2圖係繪示濺鑛靶及準直管以嘗試改良階梯覆蓋，以一插入說明“階梯覆蓋”；第3圖係繪示經由使用具較高比例之垂直發射之靶在階梯覆蓋或準直管之改良；第4圖係繪示（002)-α結構；第5圖係繪示Euler角之定義；第6A圖係繪示(20-25)結構；第6B圖係繪示（11-20)結構；第7圖係繪示（10-12)、（10-13)及(20-25)平面之關係；第8A圖係繪示雙晶粒，標示“a”者爲“b”成對之一，反之亦同，因爲其具有成對之定向關係；第8B圖係繪示再結晶之晶粒；第9A圖係具有成對之微結構的靶表面的顯微照片；第9B圖係繪示具有再結晶晶粒之微結構的顯微照片； s 第10圖係繪示慣用靶製造方法之流程圖；第11圖係繪示依本發明如何濺鍍靶之實施例的流程本紙張尺度適州中國國家椋岑（（，NS ) Λ4規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁).

355Ipif.doc/002 A7 ——-__— B7 五、發明説明（T~i~~~ 發明之詳細說明晶片製造之一重要部份爲材料的純度。製造非常高純度之欽1的方法及裝置，與因此製造之高純度鈦爲揭露於在 1997 年 4 月 30 日以 Harry Rosenberg'Negil Winters 及 Yun

Xu名義提出申請之“製造鈦結晶及鈦之方法與裝置”，申請序號08/846,289審查中的申請案，該申請案之揭露內容於此併入參考。使用鈦的半導體元件之傳導及晶片速度依鈦的純度而定，特別是氧含量。降至最低或排除之其他重要的不純物包括：放射性元素U放射可引起記憶元素改變狀態）；過渡金屬’例Fe、Cr、Ni(此些元素之較低量可改良蝕刻及元素registry);及鹼金屬，例Na及K，其可移動至電晶體元素及千擾其作用。因此，鈦靶在金屬態及氣態元素必需儘可能的純以達最大使用度，而有利的無如氧化物或氮化物內含物的缺點。然而，濺鍍靶之結構對建立由靶之原子發射方向爲重要，且其依結晶圖定向而定。第1圖說明鈦之結晶結構及定向。爲半導體元件之品質改良，在晶片製造中要求較小線性幾何及較高孔洞比例之接觸與介層洞。爲了沉積在具有高孔洞比之接觸及介層洞的薄且均勻膜，必需使由靶射出之原子流量儘可能與晶圓垂直。在晶圓本沉積膜之厚度理想上可相同於介層或接觸洞之底部者。此些厚度之比例通常稱爲“階梯覆蓋”’其在第2圖中說明。原子之主要部份以不同且較低之角度撞擊晶圓，藉而 ___6 _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 4衣· 訂 •本紙掁尺度適川中國國家摞中（) Λ4規格（2丨0><297公釐) 35Sipif.doc/002 A7 B7 五、發明説明（f ) 塗覆介層或接觸孔洞之表面及側壁。在此狀況下，在表面及側壁之膜可厚至封住介層或接觸孔洞。然而，藉由如在第2圖1顯示之準直管’原子可直接至晶圓上，但因在準直管上的沉積，產量降低。目前濺靶設計具有之結構可導致較廣之流量分佈，僅有少量原子充分準直至沉積在介層或接觸孔洞之底部。雖然機械準直管在改良階梯覆蓋上些微有效但其在使用上存在數個問題。濺鍍產量歸因於準直管之塗層而降低，因爲僅有在大約垂直於晶圓表面之方向行進之Ti粒子可在準直濺鍍時達到晶圓。通常，準直管變成厚重塗層，其必須被移除且至少在IE壽命期間置換一次。置換準直管造成大量時間消耗。濺鍍原子之發射方向較佳沿靶之特定晶向定向。因此，增加準直作用效率（有效性)或階梯覆蓋之有效方法爲設定多晶靶之結晶定向分佈，亦即結晶圖像結，以致原子在垂直晶圓表面在較高比例發射。因爲原子發射較佳沿特定晶像方向濺鍍性質，如階梯覆蓋及準直作用，爲依靶之晶像而定。在Ti靶之結構主要由在加工、金屬處理及高純度Ti之退火狀況前之最初結構決定。第3圖說明具有適當設計結構之靶可與機械準直管使用以達到原子流量之準直作用準直管柯由鈦以‘蜂巢’構形之鈦製成，其具有所欲之階梯覆蓋量而設計之大小。 α -鈦在低於約880°C下具有六角密封式結晶結構’其結晶定向顯示於第1圖中。由冷軋或锻造超過50%變形並 __ 7 _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T 經消部中泱摞淖局兵.T消於合竹社印絮本紙張尺度洎用中國阈家椋埤（rNS)A4規格（2丨0X297公釐) 355!pif.doc/002 355!pif.doc/002 經滴部中央榡準局taiJ.消於合竹社印轚 A7 B7 五、發明説明（f ) 接著退火而製造以再結晶之Ti靶具有(0002)-α(基本上α =20° -34。）之結構，其中α爲在（0002)結晶面及靶面（第4 圖）間之角度。角^爲依最初結構、金屬加工、變形量、在變形期間之溫度及加熱處理而定。具有（10-13)或（ΙΟ-ΐ 5) 爲最強部份之結構通常在冷軋及接著再結晶後而獲得。標記’〇’包括在六角物料之原子面的MUler Bravais 指數。濺鑛原子較佳沿接近鄰區方向發射在描述”<>”包括 (定義）在六角結晶之Miller Bravais指數。Ti之最近鄰區方向爲<20-23>’其爲密封結晶層之—至鄰接密封層之最近鄰區的方向。然而，原子並未持續沿最近鄰區距離方向排列，但由短及非常長間距排列交替排列，如第1圖所示。在Ti之第二接近鄰區方向爲<!1_20>，其亦爲具有等原子距離之密封方向。因此，其可結論<20-23>及<11-20> 爲在濺鏟期間對Ti之較佳發射方向。預期對具有垂直於晶圓表面之高比例<20_23>及/或 <11-20>定向多晶靶產生最高階梯覆蓋及準直作用效率。因此較佳具有爲此二定向之一或同時具有二者之結構。本發明涉及具有高分量之垂直靶面之<2〇-23>、或具有高分量之垂直靶面之<20-23>及<11-20>二者的高純度Ti靶。金屬在不同結晶系統下結晶，且純華屬之物理性質依其測量之方向而定。鈦（及大致之金屬）的物理性質以張量表示。物理性質包括順磁性及反磁性磁化率、電及熱傳導性、應力、張力、熱膨脹性、壓電性、彈性、熱電性及光 ------8 本紙张尺度適用中國國家標率（CNS ) Λ4規格（2丨0X297公楚） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 丁 355ipif.doc/002 355ipif.doc/002 經确部中次榡淖局MJ消費合竹社印衆 A7 ___ _ B7 五、發明説明（6) 學性質。可估算此等每一性質。因此，所有金屬顯現之物理性質由結晶像結構及粒子大小分佈控制及定義，且此些極少爲1等向性。鈦物理性質皆爲各異向性的。因此方向作用爲非常明顯，例如鈦之彈性模數可在單一結晶中以三倍量改變’其係依溫度及測量的方向而定。影響鈦物理性質之冶金因素包括純度、結構粒子大小、不同種類及分佈的晶格缺陷及其等之均一性。物理性明顯依此處所述之冶金特性而定，且完全由其等控制。不同滑動及雙晶系統可方向及錯置之向量表示。每一型式之變形具有依測量溫度及方向而定之臨界應力。因此，機械性質亦由鈦之冶金狀況而控制及定義。流動應力、延展性及斷裂韌度及其等之作用受測量之溫度而影響，此爲機械性質之例示。物理移動性質，如基材之內部擴散及不純度，由在不同晶格方向跳動之相對自由決定-並非所有跳動方向爲相等自由且其皆伴隨特定向量。粒子大小及結構爲重要的’ 因爲例如其姐合以形成粒子界線錯置之分佈多少明顯貢獻’管狀擴散’。此些性質亦明顯依冶金狀況而定。本發明思量具有特定結構之鈦靶’其提供較高之階梯覆蓋或較高機械準直作用之效率’及製造此等靶之方法。較佳之階梯覆蓋-及較高進it作用效率（效益）可經由增加在濺鍍期間由靶表面垂直之原子發射比例。ft—控制-之I ’射提供較高之階梯覆蓋及準直作用效率，且導致在接觸及介層孔上具有改良階梯覆蓋的電腦晶片’而不論其縱橫比 ______2__—____ ί從芡成ΐΐ元中國國家標> μ規桔（2丨〇 X 297公釐) " * (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁)

、1T % 3551pif.doc/002 3551pif.doc/002 經濟部t决標缘局負工消合作社印製 A7 ___B7_ 五、發明説明（〇 ) 例。對可在垂直靶表面之高比例Τι發射的鈦靶的結構要求爲基於（hkil)結晶面的強度其爲垂直於靶平面，其在此後稱之爲（hkU)強度。結晶面的強度爲依所有與靶面平行之晶面而定向的晶粒體積分量成比例。在Τι靶之（hkil) 面的強度値爲以在具有隨機晶粒定向分佈的Ή試樣中相對強度的倍數（倍·隨機）表示，且基於X射線繞射的四測量極圖形的定向分佈函數而獲得： dV/ V=I(9 ,Φ )dy, 其中 1(Θ，Φ) = 1/87Γ)$ ί(ω，θ，Φ)(1ω，且 dy=s i η θ dθ (1Φ 其中ω，θ及Φ爲依第5圖之Euler角；1(Θ，Φ)爲平行於靶面之（hkU)面的強度；dV爲試樣整體之相對於定向元素dy的體積元素；V爲試樣之總體積；表示相對於 ω之Οϋ至360° ;且ί(ω ,θ，Φ )爲由實驗極圖式所得之定向分佈函數。在第5圖中之ND、RD及TD爲附於試樣（試樣配位系統）之配位系統軸，且分別表示耙之一般方向（垂直於靶面）、滾軋方向及橫交方向。X’、：/’及ζ，爲接至具有沿（0 0 0 2)方向之ζ ’的晶體（結晶配位系統）的配位系統軸’該ζ’爲（0002)平面的極。Euler角ω、Θ及Φ爲由下列操作定義。結晶配位系統最初與試樣胃g位系統一致，即 X’、y’及z’分別與ND、RD及TD —致。結晶位系統然後先依z’-軸以ω角旋轉’然後X’-軸以Θ角，最後再依z，_軸以Φ角（以新的定位方向）。 ---—----1〇__ 本紙张尺度通用中國囤家樣嘩（(’奶）八4規格（210'乂297公楚) --- (請先閱讀背面之注^^項再填寫本頁)

3551pif.doc/002 3551pif.doc/002 經消部中央^|卑局βΗ消先合竹社印¾ A7 B7 五、發明説明u ) (hkil)之倍-隨機表示之強度値可瞭解爲依平行於靶面之（hkil)對隨機試樣的X-射線繞射強度計算。因爲晶面的極爲_直此晶面，平行於靶面之（hkil)面強度亦可視爲垂直於靶面的（hkil)極之強度。例如，<20-23>及<11-20〉爲（20-25)及（11-20)面的極。因此，（20-25)及（11-20)的強度亦爲分別表示<20-23>及<11-20>的強度。不同於在立方晶中之平面及方向的指數（Miller)，在六角晶體中之平面及方向不與相同之指數（Miller-Bravais)共用。僅對於基本或棱柱，Miller Bravais方向與平面數字一致。當晶面（20-25)及（11-20)爲分別平行於靶面時（第6圖）， <20-23>及<11-20>定向爲垂直於靶面。因此，具垂直於靶面之<20-23>及<11-20>的結構在此處可分別參考第6A圖之（20-25)及第6B圖之（11-20)。因爲部份晶面如（20-25) 不具有或具非常弱X-射線繞射峰，晶面的強度係由 (0002)、（10-11)、（10-13)及（11-20)四測量極圖形之定向分佈功能結構而估算出，而非直接由X射線繞射測得。強（20-25)結構爲相對於（0002)-36°結構（平均峰強度爲在由（0002)極圖形之36°)。 (0002)- α表示爲代表一可使（0002)平面具有相對於被濺鍍之靶平面的平均傾斜α角。其依下列方程式不均 (0002)極圖形的最高五個強度峰之傾斜角而計算： α = Σ I i α , / Σ 11 其中（^及L·分別爲相對第i強度峰的（0002)傾斜角度及相對X射線強度。本紙張尺度適州中國囤家標肀（（，NS ) Λ4規格（210X297公釐） τ--------------IT------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 355lpif.doc/002 A7 ____B7 五、發明説明（q ) 下列討論說明晶像結構與包括階梯覆蓋之濺鍍性質的關係。爲了獲得在垂直靶表面的高比例Ti發射，如第6A及 6B圖所示，高比例晶粒必須在平行於靶表面的（20-25)及/ 或（11-20)定向。依本發明下列晶像結構較佳。平行於靶平面之（11-20)的強度爲至少1.5倍隨機爲了使（20-25)強度最大化相對於靶表面的（0002)平均傾斜角較佳在約32° 至40°間。最希望的α値爲約36° 。（20-25)爲夾層於 (10-12)至（10-13)間（第7圖）。因爲（20-25)僅約此二晶面5° ，（10-12)及（10-13)之高強度亦對階梯覆蓋改良有助益。此需要（20-25)、（10-12)及（10-13)的高強度總和。因爲（0002)對（20-25)爲36度及對（11-20)爲90度遠，Ti 發射明顯遠離垂直於強（0002)結構的靶平面。因此需要具有非常低之平行於靶面的（0002)強度。本發明提供之靶，其中平行於靶面的（0002)強度爲1.8倍隨機或更低，較佳爲低於1.0倍隨機。經漭部中决梂率局兵T,消费合竹社印繁 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 在本發明之靶中可產生二種型式的微結構，且獲得之結構爲依微結構而定。第一型式之微結構爲含有均一分佈雙晶。雙晶分量由試樣橫切面中含有雙晶的晶粒區域分量所定義。雙晶分量可控制，且可獲得高至100%。第二型式之微結構爲含有再結晶晶粒。第8A及8B圖繪示說明晶粒及雙晶，第9A及9B圖爲分別以顯微照片顯示雙晶及晶粒。平行於靶面的（11-20)較高強度與雙晶微結構較易獲得，而非與結晶微結構。大於1.5倍隨機之平行於靶面的本紙張尺度洎用中國國家標卒（（，NS ) Λ4現格（210X297公釐） 3551pif.doc/002 3551pif.doc/002 經鴻部中次標準局员工消费合作社印聚 A7 _____B7 五、發明説明（⑺） (11-20)可由雙晶微結構獲得。另一方面，再結晶微結構附隨較高之平行於靶面之（20-25)、（10-12)及（10-13)的總強度u平行於靶面之（20-25)強度可大於3倍隨再結晶微結構。且較低之平行於靶面的（0002)強度與結晶微結構較易獲得，而非與雙晶微結構。小於0.3倍隨機之平行於靶面的（0002)可由再結晶微結構獲得。可獲得如ΙΟ^ζιη小之晶粒大小且希望粒粒大小爲5μιη。本發明之靶與習知之靶的區別在於（a)本發明之靶在 (0002)-α(α-30° ~40° ’ 其含有強（20-25))及（11-20) 之相鄰處具有高強度；（b)(0002)之結構成份明顯減少； (c)在含有高（11-20)結構成份之微結構中雙晶的均勻分佈；及（d)本發明之靶與習知靶相較提供較佳之階梯覆蓋或準直作用產量。因爲由傳統機械變形，亦即滾軋及鑄造，所產生之結構由（10-17)分佈至（10-13)，其接近（20-25)但遠離（1卜 20)結構，必需使用在第10圖所示之方法而非傳統之方法。形成所欲結構之方法如下描述，但應瞭解可使用其他加工Ti之方法以達到相同目的。例如，可使用具有相同功效之不同型式之鑄造、滾軋、及其他金屬加工，假設使用之金屬加工程序爲使加工件之活性形變成爲靶之方式爲形變的滑動及雙晶成份的優點。、用於獲得本發明結構之方法之涉及經由在最終形變步驟中安排雙晶形變程序爲主要形變機制以產生最終結構，其相反於傳統加工Τι靶旳主要形變機制。可經由具本紙張尺度遶用中國囷家標枣（CNS ) Λ4規格（210X297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) •1Τ 3551pif.doc/002 3551pif.doc/002 經"-部十次绛局兵工消於合竹社印裝 A7 B7 五、發明説明（丨I ) 有少量形變之雙晶獲得明顯晶粒比例。第10及11圖比較傳統加工及本發明產生向靶而使階梯覆蓋最大化的加工。在第11圖之流程圖中說明一製程，但其可能由其他製程獲得所欲之定向作用。在此處所用之詞“變形”爲指導致在橫切面面積降低或厚度降低的步驟。此方法之第一步驟包括機械變形及退火以再結晶。在第一加工步驟中獲得大部份之機械變形（“主要變形”）°然而在此步驟中之變形步驟應在任何溫度之^相進行。冷變形，特別是在冷軋，較佳爲得到一較佳均一性及較尖銳的結構。在主要或第一變形中，高純度鈦坯料受到至少50%之厚度降低，較佳爲至少70%。變形坯體然後熱處理以獲得具有強（0002)-a w結構之再結晶微結構。下標“Γ表示在第一次加工步驟；後之結果。傾斜角α , 爲依金屬加工製程及熱處理而定。當靶坯體滾軋超過70 %時’其通常爲2〇_34。，典型上爲30。。在本發明方法之第二加工步驟中，坯體接著再次變形’如以滾軋或鑄造，以得約5%至3〇%間之厚度降低，較佳約10%窆20%間。第二變形步驟導致二主要成份之結構’（0002)、α 2及（11-20)結構之再結晶微結構。下標 “2”表示在第二次變形後觀察得到的傾斜角度α 2。傾斜角度通常依第二次形變的量及溫度兩比α|高2至6 度。在(2 2與α ,之差爲依第二次形變溫度的降低與第二次形變星的增加而增加。較佳爲第二變形步驟在凍溫下進行’雖然在室盥下的變形爲可接受的。 •本紙張尺細中國國家樟:),、娜（210χ297;^-~~ - (請先閱讀背面之注項再填寫本頁) 、?τ 3551pif.doc/002 A7 B7 五、發明説明（丨>) 在凍軋後接著於再結晶溫度下之熱軋可產生在平行於靶面之（11-20)上相較於在再結晶後僅有凍軋比較具較高強度1。總厚度降低（相對於凍軋開始之厚度）較佳爲少於 35% ° 以此方法製造之靶可具似變形或復原雙晶、或具低分量雙晶之部份再結晶微結構、或無雙晶之完全再結晶微結構。再結晶不會明顯改變似變形之傾斜角2。因再結晶之結果，具有約（0002)-α2定向之晶粒分量增加但平行於靶面的（11-20)分量減少。且，獲得相當低之平行於靶面的 (11-20)分量，此爲較佳。在復原熱處理後之靶結構基本上保有相同於具有雙晶微結構的開始結構。具有雙晶微結構之晶粒可由特殊定向之晶粒邊界的雙晶邊界界定。若雙晶微結構終產品中保留微結構，在第一加工步驟之熱處理後較佳爲低於20ym之晶粒。將產生較低之平行於耙面的 (11-20)分量，此爲較佳階梯覆蓋所欲的。在本發明中主要變形製程（即第一變形步驟）爲用以獲得均勻及小晶粒大小，且獲得所預期之總厚度降低的主要部份。在鑄造一錠塊爲坯料後，主要變形可滾軋及/或固定鑄造，但未限制爲此些方法。靶坯體在第一變形製程後應再結晶以使在第二變形期間雙晶的量最大。第二變形亦即第二次變形爲用以產生顯著量之（〖1-20)及經由雙晶改變α角。變形方法可爲滾軋及/或任何在雙晶及向（11_ 20)轉動晶粒產生相同效果之方法。變形應在約5%至30 %間，較佳爲在約10%至20°/。間，以使雙晶取代滑動而本紙張尺朗國國家標卑規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) '裝· --° •g·. 3551pif.doc/002 A7 B7 五、發明説明（0) 爲主要變形機制。當第二變形低於約5%時’變形量太小以致造成在結構上的明顯改變。當第二變形量超過約30 %時，1可獲得在平行於靶面（0002)之較高分量。雙晶及 (11-20)的量應在第二變形經由不同方式以最大化，包括低變形溫度，如凍溫變形、較高變形速率及較大晶粒。在第二變形中以凍溫較佳，’雖然在室溫下之變形亦可產生明顯雙晶。雙晶在凍溫下比在室溫下較爲主要部份。凍溫變形亦提供較在室溫變形下。的較均勻雙晶結構。在凍溫變形前，可將Ti坯體冰凍至合宜之低溫或所欲之低溫。鈦在凍溫非常脆，特別是高純度時。變形之較佳方法爲滾軋、鑄造或其他可產生相似結果的方法。在第一製程（第一變形與熱處理之組合）後小於2〇wm的晶粒大小爲所欲的以用於第二變形的（0002)之最低強度。在第一製程之較小晶粒亦可在爲良好膜均勻性的最終產品中導致較小之晶粒大子。較佳地，具有α ,爲在30至40度間之（0002)-ct ,結構應在第一製程（第一變形與熱處理之組合）後獲得’以致獲得含有（0002)-36°相鄰處之（〇〇〇2)-α2及（11-20)明顯量的結構。理想上，在第一製程步驟中施用至少70%滾軋降低’以使在第二變形中之凍溫變形如滾軋或鑄造產生具有在（0002)-36。及（11-20)皆強之組母。雙晶在再結晶後之最小晶粒通常大於雙晶化前之晶粒大小。因此，可經由控制二製程步驟以獲得不同晶粒粒子大小。在雙重方法後在最終產品中可獲得大於15" m之本紙張尺度这州中國國家標率（（、NS ) ΛΊ規格（210X 297公金.） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

*1T 3551pif.doc/002 A7 B7_ 五、發明説明（丨/ ) 晶粒粒子，或若欲良好薄膜均句性可獲得較細之晶粒大小。降低晶粒大子之有效方法爲在第一變形步驟中再精煉晶粒大，小。5# m或較小之晶粒大小可經由在第一變形（於一錠塊上）及在第一變形步驟前之坯體上經由嚴格變形而獲得，以致在最終產品中可獲得5//m至15//m間之之晶粒大小。小於5/zm之晶粒大小可在具有新結構之靶中獲得，若晶粒大小在主要變形及熱處理後爲小於2" m。在主要及第二變形中使用之滾軋方法可爲單向或橫交滾軋。在單向滾軋中，滾軋沿相同方向通過。在橫交滾軋中，滾軋沿不同方向通過。理想上，橫交滾軋在滾筒通過對中進行，且在每對中之通過一滾軋後爲接著以90度進行第二次通過，以使最初形狀或外形恢復。下列實施例槪述於表1中，將1號及2號試樣代表的方法與本發明之3至6號試樣代表的方法比較。表2槪述此些試樣之純度、晶粒大小及結構。在表2中晶面的値爲以倍隨機表示的強度。（〇〇〇2)之傾斜角爲在（0002)平面及以在（0002)極圖形的五個最高強度峰的平均所估算的靶面間之平均角度。下列所述之方法由圓柱狀的坯料開始，其由柱狀構造錠塊在815°C鑄造以沿徑向方向70%變形。用於實施例之試樣組合物描述於表、3、4、5及6。表 3及4分別說明由1號及2號試樣產生之錠塊的化學性質。表5說明由3號及4號試樣產生之錠塊的化學性質，及表 6說明由5號及6號試樣產生之錠塊的化學性質。除了 S、 ______17__ $紙张尺度中國國家樣ϋ (挪）八4規格（210'乂297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 經消部中次標卑局兵J-消fr合作社印掣 3551pif.doc/002 A7 B7__ 五、發明説明（Ο Η、C、Ν及〇以LEC0方法測定外，所有元素的濃度使用 GDMS分析方法以測定。 1號試樣：一坯料塊藉由在相距45〇方向橫交滾軋冷加工至80%變形，然後在760°C退火75分鐘。在此試樣中最強之結構成份爲（0002)-110，其在（0002)及（10-17) 具有高強度。在（11-20)具可忽略的強度。 2號試樣：一坯料塊藉由在相距45〇方向橫交滾軋冷加工至80%變形，然後在510°C退火120分鐘。在此試樣中最強之結構成份爲（10-13)，附隨相較於1號試樣爲高之（20-25)強度及低之（0002)強度。在此靶中具有如同1 號試樣之可忽略的（11-20)強度。 3號試樣：一坯料塊藉由在相距45〇方向橫交滾軋冷加工至80%變形，然後在565°C再結晶30分鐘。其接著凍溫滾軋加工’其包含在_73°C下二垂直方向通過，進一步15%之減少率（相對於冷乳之最終厚度）。此凍溫滾軋之粗坯在427°C加熱處理30分鐘’其僅導致回復。熱處理之試樣在（11-20)及（20-25)具有顯著強度峰，且含有大於 95%之雙晶。此方法亦產生較弱（00〇2)強度。 4號試樣··一坯料塊藉由在相距45。方向橫交滾軋冷加工至80%變形，然後在621°C再結晶30分鐘。其接著凍溫滾軋加工，其包含在-73°C下二垂璋方向通過，進一步15%之減少率（相對於冷軋之最終厚度）。此凍溫滾軋之粗坯在635°C加熱處理60分鐘’其導致再結晶。熱處理之試樣具有比3號試樣更強之（20-25)強度。其相較於1號本紙張尺度ϋϊϋ ®家樣中_(⑽）Λ4規格（21GX297公釐）；--------------,1T------·" (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經"·部中次榡準局员J消费合竹社印聚 3551pif.doc/002 A7 B7 五、發明説明（（(;）至3號試樣具有較強之（0002)強度。因爲再結晶，在此靶中比3號試樣具有較低之（11-20)強度。 51號試樣：一坯料塊藉由在相距45°方向橫交滾軋冷加工至75%變形，然後在593°C再結晶45分鐘。其接著凍溫滾軋加工’其包含在-48°C下二垂直方向通過，進〜步14%之減少率（相對於冷軋之最終厚度）。此凍溫滾軋之粗坯在704°C加熱處理60分鐘，其導致再結晶。此靶具有中等之（11-20)強度，在靶間具相對強之（20-25)強度。 6號試樣：一坯料塊藉由在相距45°方向橫交滾軋冷加工至75%變形’然後在565°C再結晶45分鐘。第二變形步驟括一凍溫橫交滾軋’接著一熱橫交滾軋。凍溫滾軋包含在-73°C下二垂直方向通過，具14%之減少率（相對於冷軋之最終厚度）。凍溫滾軋之粗坯在熱軋前於510°C熔爐中靜置30分鐘。熱軋包含在310°C下二垂直方向通過，具 12.6%之減少率（相對於冷軋之最終厚度）’其造成第二變形總量爲約26.6%。粗还然後在593°C再結晶60分鐘。此靶具有相對高之（H-20)強度’但較低之（20_25)強度。表2亦顯示試樣之純度：“5N5”顯示99.9995wt%Ti ; 5N8”顯示 99.9998wt%Ti ;及 5N”顯示 99.999wt%Ti :所有百分比排除氣體。

(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁J -訂· 綵'- 經滴部中决標卑局：3CJ-消灸合作社印袈 i紙張尺度珀;1] ( rNS } Λ4^ ( 210X297^* ) 3551pif.doc/002 A7 B7 五、發明说明（丨1) 表1實施例2中靶處理方法的槪述實施例方法 } 1號坯料塊—冷橫交滾軋80% —在760°C退火75分鐘 2號坯料塊—冷橫交滾軋80%->在510°C退火75分鐘 3號坯料塊—第一次變形：冷橫交滾軋80%-在565 °C退火30分鐘—第二變形：在-73°C凍溫橫交滾軋15% —在427°C再結晶退火60分鐘 4號坯料塊—第一次變形：冷橫交滾軋80% —在621 °C退火30分鐘—第二變形：在-73°C凍溫橫交滾車L 15%—在635°C再結晶退火60分鐘 5號坯料塊-第一次變形—冷橫交滾軋75% —在 593°C退火45分鐘—第二變形：在-48°C凍溫橫交滾軋14%—在704°C再結晶退火60分鐘 6號坯料塊—第一次變形—冷橫交滾軋75% —在 565°C退火45分鐘—第二變形：在-73°C凍溫橫交滾軋14% —在510°C再結晶退火30分鐘—在 3HTC橫交滾軋12.6% (第二變甲全部爲26.6%) —在593°C退火60分鐘 -----1 (諳先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ,11 _________20_ 本紙张尺ϋ用中國國家標率(CNS ) Λ4規格（210X 297公釐） 3551pif.doc/002 A7 B7 五、發明説明（1¾ ) 表2純度、粒子大小及結構（倍-隨機） 1號 2號 3號 4號 5號 6號金屬純1度 5N5 5N8 5N 5N 5N 5N 粒子大小 75 14 <10* 29 73 26 (0002) 傾斜角 11° 34° 37° 37° 28° 30° (10-10) 0.0 0.0 0.0 0.6 0.2 0.4 (0002) 5.5 2.5 1.3 0.4 0.4 1.3 (10-11) 0.0 0.0 0.0 0.0 0.2 0.4 (10-12) 1.4 1.2 1.6 2.3 1.8 1.0 (10-13) 2.7 6.2 2.2 2.9 3.0 2.6 (10-17) 10.0 5.5 1.8 0.8 1.3 2.3 (11-20) 0.0 0.1 1.8 1.4 0.6 0.9 (20-25) 2.3 3.2 2.5 3.5 3.3 2.6 *粒子之95%區域爲雙晶 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 '續. 本紙張尺度通川中國國家標枣（（:NS ) Λ4規格（210X297公釐） 3551pif.doc/002 A7 B7 五、發明説明（（"]) 經满部中次榡準局兵-T消於合竹社印紫表3 元素濃度 (ppm wt·) 元素濃度 (ppm wt.) 元素濃度 (ppm wt.) Li 1 <0.005 Ga <0.050 La <0.005 Be <0.005 Ge <0.050 Ce <0.005 B <0.010 As <0.010 Nd <0.005 F <0.050 Se <0.010 Hf <0.050 Na 0.020 Br <0.010 Ta <1.000 M2 <0.010 Rb <5.000 W <0.010 A1 0.230 Sr <3000 Re <0.010 Si 0.130 Y <200 Os <0.010 P <0.010 Zr 0.540 Ir <0.010 S 6.000 Nb <0.200 Pt <0.050 Cl 0.030 Mo <0.050 Au <0.050 K <0.010 Ru <0.010 Ηε 0.100 Ca <0.200 Rh <0.010 Tl <0.010 Se <0.050 Pd <0.010 Pb <0.010 Ti 某材 As <0.050 Bi <0.010 V 1.600 Cd <0.050 Th <0.0005 Cr 0.130 In <0.050 U <0.0005 Mn <0.005 Sn <0.050 H 3.050 Fe 2.000 Sb <0.050 C 7.000 Co <0.005 Te <0.050 (N 3.000 Ni 0.010 I <0.010 〇 70 Cu <0.050 Cs <0.010 Zn <0.100 Ba <0.005 ____22_ 本紙張尺度讳用中國國家標冷((挪)六4規格（210^< 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) V裝· 訂 3551pif.doc/002 3551pif.doc/002 經满部中决掠^>e;ac.T消於合竹.社印來 A7 B7 元素濃度 i ( ppm wt.) 元素濃度 (ppm wt.) 元素濃度 (ppm wt.) Li <0.005 Ga <0.050 La <0.005 Be <0.005 Ge <0.050 Ce <0.005 B <0.010 As <0.010 Nd <0.005 F <0.050 Se <0.050 Hf <0.010 Na 0.010 Br <0.050 Ta <5.000 Mg <0.050 Rb <5.000 W <0.010 A1 0.100 Sr <3000 Re <0.010 Si 0.100 Y <200 Os <0.010 P <0.010 Zr 0.480 Ir <0.010 S 1.000 Nb <0.200 Pt <0.050 Cl <0.010 Mo <0.050 Au <0.050 K <0.010 Ru <0.010 Hg <0.010 Ca 0.400 Rh <0.050 Tl 0.100 Se <0.050 Pd <0.010 Pb <0.010 Ti 基材 Ag <0.050 Bi <0.020 V 0.550 Cd <0.050 Th <0.0005 Cr 0.068 In <0.050 U <0.0005 Mn <0.005 Sn <0.050 H 1.000 Fe 2.100 Sb <0.050 C 5.000 Co 0.007 Te <0.050 N 2.000 Ni 0.055 I <0.010 0 79 Cu <0.050 Cs <0.010 Zn <0.050 Ba <0.005 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ,ιτ 23 本紙張尺度適州中國國家標卒（（’NS ) Λ4規格（210X297公釐) 3551pif.doc/002 3551pif.doc/002 經漪部中决標隼局員-T消炝合竹社印褽 A7 B7 五、發明説明（*z| ) 表5 元素濃度 * (ppm wt.) 元素濃度 (ppm wt.) 元素濃度 (ppm wt.) Li <0.005 Ga <0.050 La <0.005 Be <0.005 Ge <0.050 Ce <0.005 B <0.010 As <0.010 Nd <0.005 F <0.050 Se <0.050 Hf <0.010 Na 0.010 Br <0.050 Ta <5.000 Mg <0.050 Rb <5.000 W <0.010 A1 0.200 Sr <3000 Re <0.010 Si 0.230 Y <200 Os <0.010 P <0.010 Zr 0.370 Ir <0.010 S 4.000 Nb <0.200 Pt <0.050 Cl 0.005 Mo <0.050 Au <0.050 K <0.010 Ru <0.010 Hg 0.100 Ca <0.500 Rh <0.050 Tl <0.010 Se <0.050 Pd <0.010 Pb <0.010 Ti 基材 Ag <0.050 Bi <0.020 V 0.660 Cd <0.050 Th <0.0005 Cr 0.070 In <0.050 U <0.0005 Mn <0.005 Sn <0.050 H 2.000 Fe 8.8000 Sb <0.050 C 19.000 Co <0.005 Te <0.050 N 3.000 Ni 0.010 I <0.010 \ 0 228 Cu <0.050 Cs <0.010 Zn <0.0500 Ba <0.005 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ______24_ 本紙張尺度州中國國家標今((:NS ) Λ4規格（210X297公釐） 3551pif.doc/002 經漪部中央標準局只-1.消汝合作社印製 A7 B7 五、發明説明（2l) 表6 元素濃度 1 ( ppm wt.) 元素濃度 (ppm wt.) 元素濃度 (ppm wt.) Li <0.005 Ge <0.050 Nd <0.005 Be <0.005 As <0.010 Sm <0.005 B <0.010 Se <0.050 Eu <0.005 F <0.050 Br <0.050 Gd <0.005 Na 0.010 Rb <5.000 Tb <0.005 Mg <0.050 Sr <3000 Dy <0.005 A1 1.300 Y <200 Ho <0.005 Si 0.380 Zr 0.420 Er <0.005 P <0.010 Nb <0.200 Tm <0.005 S 0.700 Mo <0.050 Yb <0.005 Cl 0.010 Ru <0.010 Lu <0.005 K <0.010 Rh <0.050 Hf <0.010 Ca 0.400 Pd <0.010 Ta 5.000 Se <0.050 Ag <0.050 W <0.010 Ti 基材 Cd <0.050 Re <0.010 V 0.190 In <0.050 Os <0.010 Cr 0.180 Sn <0.050 Ir <0.010 Mn <0.005 Sb <0.050 Pt <0.050 Fe 3.800 Te <0.050 Au <0.050 Co 0.005 I <0.010 Hg <0.110 Ni 0.030 Cs <0.010 Tl <0.010 Cu 0.170 Ba <0.005 Pb <0.010 Zn <0.050 La <0.005 ! Bi <0.020 Ga <0.050 Ce <0.005 Th <0.0005 Pr <0.005 U <0.0005 ^--------k裝------ΪΤ------$ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _______25 本紙张尺度用中國國家標苹((、叫八4規格（210 '乂297公釐)

3551pif.doc/002 7 7 A B 經满部中次標準局只J.消贽合竹社印聚五、發明説明（χ>) 如表7所示，具有最強（0002)強度之1號靶具有最低之階梯覆蓋。2號靶比1號靶提供稍微較高之階梯覆蓋。因爲I1號及2號靶二者具有可忽略之（11-20)強度，2號靶所具有在階梯覆蓋上之稍微改良應爲減少（0002)及增加相鄰之（20-25)強度的結果。進一步之階梯覆蓋改良可經由增加（11-20)之強度及如3號靶至6號靶所示之減少 (0002)強度而獲得。統計分析顯示在階梯覆蓋的差異確實在於結構效益。然而應注意階梯覆蓋爲依濺鍍系統及濺鍍構形而定。因此，較大或較小之階梯覆蓋改良可在不同濺鍍系統或不同濺鑛構形上產生。表 7 縱橫比 1號 2號 3號 4號 5號 6號 1.00 0.235 0.240 0.255 0.256 0.251 0.259 1.39 0.152 0.159 0.168 0.164 0.163 0.168 1.78 0.105 0.108 0.114 0.116 0.111 0.111 2.21 0.073 0.076 0.081 0.078 0.079 0.082 2.56 0.058 0.060 0.065 0.062 0.064 0,068 平均階梯覆蓋 0.125 0.129 0.137 0.135 0.134 0.138 由前述淸楚可知在未偏離本發明下可完成之不同改變及修飾。因此，本發明僅可由後述之申請專利範圍限制0 ___________26 本紙張尺度適用中國gj家標枣（（、NS > Λ4規格（210X297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -*

Claims

經濟部中央標率局貝工消費合作社印¾ 3551pif.doc/002 Βσ C8 D8 六、申請專利範圍 1. 一種鈦濺鍍靶，其在與靶平面垂直之（20-25)面加上（11-20)面之總強度爲大於4.1倍隨機，且（20·25)面之強度爲至少1.5倍隨機。 2. 如申請專利範圍第1項之鈦濺鍍靶，其中垂直於紀平面之（0002)面之強度爲小於1倍隨機。 3. —種具有再結晶微結構之鈦濺鍍靶，其在與靶平面垂直之（11-20)面之總強度爲等於或大於0.4倍隨機，且 (20-25)面之強度爲至少1.5倍隨機。 4. —種具有再結晶微結構之鈦濺鍍靶，其並具有構造爲（a)在與靶平面垂直之（11-20)面之總強度爲等於或大於0.4倍隨機；且（20-25)、（10-13)及（10-12)面的強度總和爲至少1.5倍隨機。 5. 如申請專利範圍第3項之鈦濺鍍靶，其中垂直於耙平面之（0002)面之強度爲小於1倍隨機。 6. 如申請專利範圍第4項之鈦濺鍍靶，其中垂直於革巴平面之（0002)面之強度爲小於1倍隨機。 7. 如申請專利範圍第1項之鈦濺鍍靶，其中平均粒子大小爲約15 // m或較小。 8. 如申請專利範圍第3項之鈦濺鍍靶，其中平均粒子大小爲約15 # m或較小。 9. 如申請專利範圍第4項之鈦濺鍍靶，其中平均粒子大小爲約15 // m或較小。 10. 如申請專利範圍第1項之鈦濺鍍靶，其中平均粒子大小爲約5 " m或較小。 ___ 27 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X297公釐） ---------------^------.¾ (請先閲修背面之注意事項再填寫本頁) 3551pif.doc/002 A8 BE C8 D8 六、申請專利範圍 11. 如申請專利範圍第3項之鈦濺鍍靶，其中平均粒子大小爲約5^111或較小。 12. 如申請專利範圍第4項之鈦濺鍍靶，其中平均粒子大小爲約5 μ m或較小。 13. —種在微結構中具有至少70%雙晶晶粒之鈦濺鍍靶，其並具有在與靶平面垂直之（11-20)面之強度爲1倍隨機。 14. 一種鈦濺鍍靶，其具有結構爲在微結構中具有至少70%雙晶晶粒，並具有結構爲在與靶平面垂直之（11-20) 面之強度爲1倍隨機，且（20-25)面之強度爲至少1.5倍隨機。 15. —種鈦濺鍍靶，其具有結構爲在微結構中具有至少70%雙晶晶粒，並具有結構爲在與靶平面垂直之（11-20) 面之強度爲1倍隨機，且（20-25)、（10-13)及（10-12)面的強度總和爲至少1.5倍隨機。 16. 如申請專利範圍第13項之鈦濺鍍靶，其部份由雙晶微結構再結晶。 17. 如申請專利範圍第14項之鈦濺鍍靶，其部份由雙晶微結構再結晶。 18. 如申請專利範圍第15項之鈦濺鍍靶，其部份由雙晶微結構再結晶。 19·如申請專利範圍第13項之鈦濺鍍靶，其中雙晶由再結晶微結構產生，其具有平均粒子大小爲約15/zm或較小。 28 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) A4规格（210X297公着） l---------裝— (請先Ht*'背面之注意事項再填寫本頁) 訂 m- 經濟部中央標率局貝工消费合作社印¾ 3551pif.doc/0C2 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 20. 如申請專利範圍第15項之鈦濺鍍靶，其中雙晶由再結晶微結構產生，其具有平均粒子大小爲約15//m或較小。 21. 如申請專利範圍第13項之鈦濺鍍靶，其中雙晶由再結晶微結構產生，其具有平均粒子大小爲約5#m或較小0 22. 如申請專利範圍第15項之鈦濺鍍靶，其中雙晶由再結晶微結構產生，其具有平均粒子大小爲約或較小0 23. 如申請專利範圍第1項之靶，其具有含平面 (0002)-«及（11-20)成份的結構，且（0002)-α平面之平均傾斜角在32°至40°度間。 24. 如申請專利範圍第15項之靶，其具有含平面 (0002)-α及（11-20)成份的結構，且（0002)-α平面之平均傾斜角在32°至40°度間。 25. —種具有再結晶微結構之鈦濺鍍靶，其粒子大小小於約100//m，且（11-20)面之強度爲大於0.4倍隨機及 (20-25)面的強度總和爲至少2倍隨機。 26. 如申請專利範圍第25項之靶，其中該粒子大小爲不大於約50 // m。 27. —種製造鈦濺鍍靶之方法，其中包含提供鈦坯料，將坯料變形，再結構並在再結晶微結構之第二次變形期間經由雙晶改變:構。 28. 如申請專利範圍第法，其更包含至少 29 -β (請先閲1*·背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 3551pif.doc/002 B8 C8 - 六、申請專利範圍 50%變形作用以變形坯料，接著經由再結晶作用之退火，接著約5%-30%之第二次變形，以致在第一次變形作用後無論有無退火，雙晶爲主要變形模式。 29 .如申請專利範圍第％項之方法，其中變形經由滾軋及/或鑄造。 30. 如申請專利範圍第28項之方法’其更包含在弟一變形步驟中於室溫或較低下變形还料。 31. 如申請專利範圍第28項之方法’其中第二變形爲在凍溫下。 32. 如申請專利範圍第28項之方法，其中變形爲經由單向及/或橫交滾軋。 33. —種加工鈦以提供具有改良階梯覆蓋之濺鍍祀的方法，其包含：機械形變一爲<2相之闻純度欽还料至厚度降低至大於50% ; 加熱處理以獲得具有強（00〇2) - α平面結構的再結晶微結構；形變熱處理過之鈦至厚度減少至約5%至約30%以產生具有平面（0002) - α及（11-20)主要部份之結構與具有如下之一的微結構： (1) 經由再加熱處理以獲得似變形或恢復之雙晶； (2) 經由再加熱處理以獲得具有降低雙晶分量之部份再結晶微結構；及 30 本紙張尺度逋用中國國家棣丰（CNS ) Α4规格（210X297公釐） (請先Η請背面之注項再填寫本頁) 「裝_ 線鯉濟部中央標率局貝工消费合作社印裝 355Ipif.doc/002 Α8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 (3)經由再加熱處理以獲得無雙晶之完全再結晶微結構。 34. 如申請專利範圍第'33項之方法，其中該鈦坯料之機械形變爲使厚度降低至大於約70%。 35. 如申請專利範圍第33項之方法，其中傾斜角α 2 爲約32°至40°。 36. 如申請專利範圍第33項之方法，其中熱處理鈦之第二次變形約10%至約20%。 37. 如申請專利範圍第33項之方法，其中傾斜角α 2 在第二次變形後爲高於第一變形後之傾斜角αΐ約2°至 38. 如申請專利範圍第37項之方法，其中傾斜角α 1 爲約31°，傾斜角α 2爲約36°。 39. 如申請專利範圍第37項之方法，其中熱處理過之鈦的形變在室溫或更低之溫度下進行。 40. 如申請專利範圍第37項之方法，其中熱處理過之鈦的形變在凍溫下進行。 41. 如申請專利範圍第37項之方法，其中形變熱處理過的鈦以產生微結構，其中由粒子產生之雙晶具有粒子大小爲低於約20 // m。 42. 如申請專利範圍第37項之方法，其中第二次變形包含至少5%厚度之凍溫形變，接著在於再結晶溫度下熱變形。参 43. 如申請專利範圍第，其中該鈦純度爲 31 請先閱讀' 背面之注 I 裝訂線' 經濟部中央標率局負工消費合作社印装本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 3551pif.doc/002 A8 &8 C8 D8 六'申請專利範圍至少99.995%，不包括氣體。 44. 如申請專利範圍第4;項泛胃總，其Φ該鈦純度爲至少99.995%，不包括氣體。 45. 如申請專利範圍第靶，其中該鈦純度爲至少99.995%，不包括氣體。' 46. 如申請專利範圍第1^^乏_靶，其無如含括氧化物及/或氮化物之缺陷。 ’ 47. 如申請專利範圍第I;賓之_靶，其無如含括氧化物及/或氮化物之缺陷。 48. 如申請專利範圍第苡:項·之叛靶，其無無如含括氧化物及/或氮化物之缺陷。 49. 如申請專利範圍第「ΓΓ填之减靶，其中該鈦純度爲至少99.9999%，不包括氣體。 50. 如申請專利範圍第；^潭之練靶，其中該鈦純度爲至少99.9999%，不包括氣體。 51 .如申請專利範圍第15項之鐵靶，其中該鈦純度爲至少99.9999%，不包括氣體。 52. 如申請專利範圍第：t項之_靶，其中該鈦純度爲至少99.99999%，不包括氣體。 53. 如申請專利範圍第4項之蘇靶，其中該鈦純度爲至少99.99999%，不包括氣fe。 54. 如申請專利範圍第1S項之教靶，其中該鈦純度爲 ,. 至少99.99999%，不包括氣體:。 55. 如申請專利範圍第1項之<靶，其中氧爲低於 32 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） (請先閲仗背面之注意事項再填寫本頁) 裝- 、·ιτ 線經濟部中央搮率局貝工消費合作社印*. 經濟部中央標率局員工消費合作社印家 3551pif.doc/002 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 50ppm ° i V > .1 ' 56 .如申請專利範圍第墳'_靶，其中氧爲低於 30ppm ° 57 .如申請專利範圍第fll:項之:#靶，其中氧爲低於 20ppm ° …' 58. 如申請專利範圍第5£蕴:老秦靶，其;中氧爲低於 50ppm。 59. 如申請專利範圍第52'項;(祀，其中氧爲低於 30ppm ° 二〜 60. 如申請專利範圍第5β:之餐|E，華中氧爲低於 20ppm ° 61. —種藉由濺鍍沉積在基材上鈦膜，其包含至少 99.99 5%欽，不包括氣體。 62. —種藉由濺鍍沉積在基材上鈦膜，其包含至少 99.9998%鈦，不包括氣體。 63. —種藉由濺鍍沉積在基材上鈦膜，其包含至少 99.99995%鈦，不包括氣體。 64. 如申請專利範圍第63項之鈦膜，其中金屬不純物不超過0.2 ppm。 65. —種藉由濺鍍沉積在基材上鈦膜，其包含至少 99.99999%鈦，不包括氣體。 66. —種藉由濺鍍沉積在基材上鈦膜，其包含低於50 ppm 氧。 67. —種藉由濺鍍沉積在基材上鈦膜，其包含低於30 33 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS )八4規格(210X297公釐) ---------U裝------訂------歉 (請先閲修背面之注意事項再填寫本頁) 3551pif.doc/002 A8 B8 C8 D8 申請專利祀圍 ppm 氧。 68.—種藉由濺鍍沉積在基材上鈦膜，其包含低於20 ppm 氧。 69. 如申請專利範圍第 50ppm ° 70. 如申請專利範圍第 30ppm 〇 71. 如申請專利範圍第 20ppm 0 65項之鈦膜，其中氧爲低於 65項之鈦膜，其中氧爲低於 65項之鈦膜，其中氧爲低於 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央梂率局貝工消费合作社印I 本紙張尺度適用中國國家揉準（CNS ) A4規格（210X297公釐）