JP6871301B2 - スパッタリングターゲット、窒化チタン膜の製造方法、および半導体素子の製造方法 - Google Patents
スパッタリングターゲット、窒化チタン膜の製造方法、および半導体素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6871301B2 JP6871301B2 JP2019085457A JP2019085457A JP6871301B2 JP 6871301 B2 JP6871301 B2 JP 6871301B2 JP 2019085457 A JP2019085457 A JP 2019085457A JP 2019085457 A JP2019085457 A JP 2019085457A JP 6871301 B2 JP6871301 B2 JP 6871301B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plane
- sputtering target
- titanium
- sputtering
- less
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
することが好ましい。
前記高純度チタン素材は、不純物として、鉄が9ppm以下、ニッケルが5ppm以下である。鉄、ニッケルはいずれも、図4のチタン−鉄、図5のチタン−ニッケルのそれぞれの状態図でも示されているように、チタン中へ固溶しにくい金属であり、そのため、鉄が9ppm、ニッケルが5ppmを超えて存在すると、チタン素材中には微量であるが、チタンと鉄、チタンとニッケルの各金属間化合物が存在していると考えられる。前記の金属間化合物が微量でも存在すると、後述する塑性加工工程において、チタン素材中の前記金属間化合物を起点としてマイクロクラックなどの内部歪が生じ易くなってしまう。鉄は7ppm以下、ニッケルは2ppm以下が好ましい。
前記冷間圧延工程の円柱形状の軸方向に平行な長さの減少率が40%〜90%となるように加工が実施される。前記冷間圧延工程を前記円柱形状の軸方向に垂直な面の2方向以上で2回以上行う。40%未満では鋳造組織が残存する可能性がある。90%を超えるとチタン材内部又は表面に割れやポアなどの欠陥が生じ易い。
250℃未満では充分に再結晶しないため結晶組織が不均一となりやすい。450℃以上では結晶粒が粒成長し易く、微細な結晶組織を得にくくなる。
直径Wが350mm、厚さHが100〜200mmのチタン素材を用意し、表1に条件を示すスパッタリングターゲットの製造工程を実施した。実施例1、2、比較例1、2は、純度99.99質量%以上で鉄が3.3ppm、ニッケルが0.6ppmであり、比較例3は純度99.99質量%以上で鉄が12ppm、ニッケルが0.5ppmであり、比較例4は純度99.99質量%以上で鉄が2.8ppm、ニッケルが6.4ppmである。
H…円柱状チタン材の厚さ
W…円柱状チタン材の直径
Claims (7)
- 平均結晶粒径が15μm以下のミクロ組織を有し、結晶の配向性がランダム配向であるスパッタリングターゲットであって、
前記スパッタリングターゲットは、ガス成分を含まない純度が99.99%以上であり、鉄が9ppm以下、ニッケルが5ppm以下であり、
前記スパッタリングターゲットのスパッタ面のX線回折を測定したとき、前記スパッタ面は(100)面からの回折ピークの相対強度I(100)と(002)面からの回折ピークの相対強度I(002)と(101)面からの回折ピークの相対強度I(101)とがI(101)>I(002)>I(100)の条件を満足し、各面((101)面、(002)面、(100)面)の各回折ピークの半値幅が0.2deg未満である、スパッタリングターゲット。 - 前記半値幅が0.093deg以下である、請求項1に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記スパッタリングターゲットにおいて、前記スパッタ面から深さ10mmの前記スパッタ面と平行な部分のX線回折を測定したとき、(100)面からの回折ピークの相対強度I(100)と(002)面からの回折ピークの相対強度I(002)と(101)面からの回折ピークの相対強度I(101)とがI(101)>I(002)>I(100)の条件を満足し、各面((101)面、(002)面、(100)面)の各回折ピークの半値幅が0.2deg未満である、請求項1または請求項2に記載のスパッタリングターゲット。
- 請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲットを用いて窒化チタン膜を成膜する工程を具備する、窒化チタン膜の製造方法。
- 前記窒化チタン膜は、ウエハーの上に成膜される、請求項4に記載の窒化チタン膜の製造方法。
- 請求項4に記載の方法を用いて前記窒化チタン膜を成膜することにより、配線層のバリア膜を形成する工程を具備する、半導体素子の製造方法。
- 前記バリア膜の上に金属膜を成膜することにより、前記配線層を形成する工程をさらに具備する、請求項6に記載の半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019085457A JP6871301B2 (ja) | 2019-04-26 | 2019-04-26 | スパッタリングターゲット、窒化チタン膜の製造方法、および半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019085457A JP6871301B2 (ja) | 2019-04-26 | 2019-04-26 | スパッタリングターゲット、窒化チタン膜の製造方法、および半導体素子の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015022540A Division JP6595188B2 (ja) | 2015-02-06 | 2015-02-06 | スパッタリングターゲットの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019163544A JP2019163544A (ja) | 2019-09-26 |
JP6871301B2 true JP6871301B2 (ja) | 2021-05-12 |
Family
ID=68066117
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019085457A Active JP6871301B2 (ja) | 2019-04-26 | 2019-04-26 | スパッタリングターゲット、窒化チタン膜の製造方法、および半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6871301B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5993621A (en) * | 1997-07-11 | 1999-11-30 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Titanium sputtering target |
JP4495855B2 (ja) * | 2000-12-11 | 2010-07-07 | 株式会社東芝 | チタンスパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
CN102791905B (zh) * | 2010-03-11 | 2015-04-01 | 株式会社东芝 | 溅射靶及其制造方法、以及半导体元件的制造方法 |
-
2019
- 2019-04-26 JP JP2019085457A patent/JP6871301B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019163544A (ja) | 2019-09-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
USRE47788E1 (en) | Sputtering target, manufacturing method thereof, and manufacturing method of semiconductor element | |
JP6077102B2 (ja) | スパッタリング用チタンターゲット及びその製造方法 | |
WO2011061897A1 (ja) | タンタルスパッタリングターゲットおよびタンタルスパッタリングターゲットの製造方法ならびに半導体素子の製造方法 | |
WO2015162986A1 (ja) | 円筒型スパッタリングターゲット用素材 | |
KR102134781B1 (ko) | 스퍼터링 타깃의 제조 방법 및 스퍼터링 타깃 | |
WO2012046768A1 (ja) | Al基合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP5951599B2 (ja) | 高純度Niスパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
JP2018204108A (ja) | 無酸素銅板およびセラミックス配線基板 | |
JP2017150015A (ja) | スパッタリングターゲット、およびスパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP4817536B2 (ja) | スパッタターゲット | |
JP6871301B2 (ja) | スパッタリングターゲット、窒化チタン膜の製造方法、および半導体素子の製造方法 | |
JP6595188B2 (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
JP6599234B2 (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法、ならびに半導体素子の製造方法 | |
JP5069201B2 (ja) | ターゲット | |
JP2004084065A (ja) | 銀合金スパッタリングターゲットとその製造方法 | |
JP7455750B2 (ja) | 円筒形スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP6602550B2 (ja) | スパッタリングターゲット用材料 | |
JP7145963B2 (ja) | スパッタリングターゲット及びその製造方法 | |
JP2004027358A (ja) | ターゲットの製造方法及びターゲット | |
WO2023224084A1 (ja) | 金属スパッタリングターゲット及びその製造方法、並びに、金属材料及びその製造方法 | |
JP6553813B2 (ja) | タンタルスパッタリングターゲット | |
JP2015081355A (ja) | スパッタリングターゲットおよびスパッタリングターゲットの製造方法 | |
CN116964242A (zh) | 溅射靶及其制造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200128 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200325 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200818 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20201016 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210316 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210415 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6871301 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R157 | Certificate of patent or utility model (correction) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R157 |