JP2001502961A - チタニウムシリカライトタイプ触媒の再生方法 - Google Patents

チタニウムシリカライトタイプ触媒の再生方法

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、特に飽和炭化水素の酸化反応およびオレフィン類のエポキシ化反応において使用したチタニウムシリカライトタイプ触媒のガス流下での加熱処理による再生方法に関する。

Description

【発明の詳細な説明】 チタニウムシリカライトタイプ触媒の再生方法 本発明の要旨は、チタニウムシリカライト(titanium silicalite)タイプの 触媒の再生方法であり、これらの触媒は、過酸化化合物特に過酸化水素と有機共 反応物との反応において使用される。 チタニウムシリカライトを、触媒として、とりわけヨーロッパ特許出願EP-A-3 76,453号に記載されているようなアルコール類またはケトン類を生成させるため の飽和炭化水素の酸化反応、ヨーロッパ特許出願EP-A-100,119号に記載されてい るようなオレフィン類のエポキシ化反応、またはヨーロッパ特許出願EP-A-200,2 60号に記載されているような芳香族化合物のヒドロキシ化反応において使用する ことは公知である。 しかしながら、これらの触媒の活性は急速に低下する。従って、これらの触媒 を再生して繰返し使用できるようにする手段を利用可能にすることが不可欠のよ うである。 特許出願JP03/114536号は、400〜500℃の温度で空気の存在下にカ焼すること によるチタニウムシリカライトタイプ触媒の再生方法を開示している。この特許 出願においては、400℃より低い温度でのカ焼は触媒の初期触媒活性を回復させ るには不十分であることを特記している。 本発明の目的は、公知の方法よりも効率的であり、従って低温度で用いること のできるチタニウムシリカライトタイプ触媒の再生方法を提供することである。 従って、本発明は、加熱処理を含み、この加熱処理中に、チタニウムシリカラ イトタイプ触媒を少なくとも130℃の温度でガス流によりストリッピングし、該 触媒上でのガス流の量的滞留時間が2時間を越えないことを特徴とするチタニウ ムシリカライトタイプ触媒の再生方法に関する。 定義付けとして、触媒上でのガス流の量的滞留時間(mass residence time) とは、再生すべき触媒の重量:ガス流の量的流動速度の比である。本発明によれ ば、この量的滞留時間は2時間を越えない。殆どの場合、この量的滞留時間は1 時間を越えない。1分未満の滞留時間ももくろみ得る。しかしながら、実際的理 由により、操作は、少なくとも1分の滞留時間において一般に実施する。2〜30 分の量的滞留時間が特に有利であることが証明されている。 上記の触媒をストリッピングするガス流は、窒素またはヘリウムのような任意 の不活性ガスを含有し得る。また、ガス流は、酸化性ガス特に酸素も含有し得る 。さらに、ガス流は、水蒸気も含有し得る。好ましくは、ガス流は、窒素、酸素 および水から選ばれた少なくとも1種を含有する。 本発明に従って再生処理を受けるチタニウムシリカライトタイプ触媒は、ゼオ ライトの構造に類似した構造を有する結晶性合成物質であって、チタニウムと珪 素の酸化物を含み、約950〜960cm-1での赤外線吸収バンドに特徴を有する。その 一般式は、典型的には、下記のとおりである: xTiO2(1-x)SiO2 式中、xは、0.0001〜0.5、好ましくは0.001〜0.05である。 TS-1の名称で知られるこのタイプの物質は、ゼオライトZSM-5の構造に類似す る微孔質結晶性ゼオライト構造を示す。これらの化合物の諸性質および主用途は 公知である(B.Notari;Structure-Activity and Selectivity Relationship in H eterogeneous Catalysis;R.K.Grasselh and A.W.Sleight Editors;Elsevier;199 2;p.243-256)。これらの合成も広く研究されている(A.Van der Poel and J.Van Hooff,Applied Catalysis A;1992;volume 92,pp.93-111)。このタイプの他の物 質は、ベーターゼオライト、ゼオライトZSM-11またはゼオライトMCM-41の構造に 類似の構造を有する。 上記の触媒の加熱処理は、一般に、少なくとも150℃の温度で実施する。少な くとも175℃の処理温度が好ましい。本発明による再生処理は約550℃の温度まで 実施できるが、極めて良好な結果は400℃未満の温度で達成できる。ガス流中で の実質量の水(少なくとも0.01モル%)の存在において、本発明方法は、175〜2 50℃の温度で優れた再生を提供する。その温度は、とりわけ180〜220℃である。 ガス流中に水蒸気が実質的に存在しない場合、即ち、ガス流中の水の量が0.01モ ル%未満である場合には、極めて良好な結果が、250〜350℃の温度で得られてい る。 加熱処理の最適時間は、再生すべき触媒の活性低下状況による。処理時間は、 一般に少なくとも30分、好ましくは少なくとも1時間である。殆どの場合、20時 間を超えない。良好な結果は、2〜8時間の処理時間で得られる。 本発明の再生方法における触媒の加熱処理は、ガス流による触媒のストリッピ ングを生じ得る任意の適当な手段により実施できる。例えば、加熱処理は、ガス ストリッピング装置を備えた回転炉内、静置床反応器内または流動床反応器内で 実施できる。 特に好ましい実施態様においては、触媒をストリッピングするガス流は酸素を 含有する。この実施態様においては、ガス流中の酸素含有量は少なくとも1モル %である。好ましくは、酸素含有量は少なくとも5モル%である。理論的には、 本質的に酸素からなるガス流で操作することも可能ではあるが、操作は、30%よ りも多くの酸素を含有しないガス流で通常実施する。ガス流の残りは、窒素また は水蒸気のような他のガスからなる。優れた結果は、ガス流が空気である場合に 得られる。 もう1つの特に好ましい実施態様においては、触媒をストリッピングするガス 流は実質量の水蒸気を含有する。この実施態様においては、ガス流中の水分含有 量は、少なくとも0.01モル%である。好ましくは、水分含有量は少なくとも0.05 モル%である。本質的に水蒸気からなるガス流で操作することも可能である。し かしながら、優れた結果は、10モル%より少ない水分を含有するガス流により得 られる。ガス流の残りは、窒素または酸素のような他のガスからなる。 この好ましい実施態様からの有利な別法においては、触媒をストリッピングす るガス流は、水蒸気以外に酸素を含有する。一般的に、このガス流は、0.01〜50 モル%の水分を含有する湿潤空気から本質的になる。有利には、このガス流は、 0.01〜10モル%の水分を含有する湿潤空気から本質的になる。 本発明による再生方法の1つの実施態様においては、加熱処理に先立って、使 用した反応において触媒が接触した実質的にすべての化合物を除去するために、 触媒を水または有機化合物(好ましくはアルコール、特に好ましいのはメタノー ル)で洗浄する操作を行う。洗浄液の温度は、一般に、25℃から洗浄液の沸点ま でである。この洗浄操作は、触媒を水または有機化合物に5分〜2時間程度 接触させることにより実施する。 本発明による再生方法の1つの実施態様においては、触媒を、加熱処理する前 に、不活性ガス通常は窒素により50〜100℃の温度で10分〜1時間ストリッピン グする操作に供する。触媒をストリッピングすることの機能は、触媒から揮発性 不純物を除去することである。 また、触媒は、上述の洗浄およびストリッピングの両操作に供し得る。 本発明の方法は、触媒の初期活性の実質的すべてを繰返し再生することを可能 にする。 本発明の方法は、使用済みチタニウムシリカライトタイプ触媒、詳細には、過 酸化水素と有機共反応物を用いる反応において使用した触媒、特に、過酸化水素 によるオレフィン類のエポキシ化反応、芳香族化合物のヒドロキシ化反応、また は飽和炭化水素の酸化反応において使用した触媒に応用する。本発明の方法は、 とりわけ、過酸化水素によるオレフィン類のエポキシ化反応において使用した触 媒に応用する。本発明の方法は、さらに詳細には、過酸化水素による塩化アリル のエピクロロヒドリンへのエポキシ化反応において使用した触媒に応用する。さ らに、本発明の方法は、過酸化水素によるプロピレンのプロピレンオキサイドへ のエポキシ化反応において使用した触媒にも応用し得る。 本発明を、以下の限定を意図しない実施例により、もっと具体的に説明する。 実施例1 7.7gのチタニウムシリカライトタイプ触媒TS-1を、循環ループを備えた125ml 反応器(総容量=250ml)中に入れた。反応器に、塩化アリルと過酸化水素のメ タノール中溶液(塩化アリル/H2O2=2モル/モル;H2O2濃度1.38モル/kg)を3 6℃の温度で250ml/hの流速で連続供給した。反応器を循環する溶液の通過線速度 を1m/minに調整した。抜き取った反応混合物中の過酸化水素濃度をヨウ素滴定 により測定した。過酸化水素の転換度合が1時間の操作後に得られる転換度合よ りも低い50%に達するとすぐに、反応器を空にした。脱活性触媒を、反応器を経 てループ系内で35℃の温度で循環しているメタノールで洗浄した。反応器を掃気 した後、脱活性触媒を、抽出炉内に置いたピレックスチューブに移した。窒素に より75℃の温度でストリッピングすることにより脱活 性触媒から揮発性化合物を除去した後、脱活性触媒を、200Sl/hの流速の乾燥窒 素流(6mg/Sm3以下の水分含有量)下に300℃の温度で7時間再生加熱処理に供し た。 冷却後、再生触媒を再び塩化アリルのエポキシ化用反応器に入れ、反応器に、 塩化アルキルと過酸化水素のメタノール中溶液を上述の条件下に再度供給した。 触媒の使用/再生の上述と同じ4サイクルを実施した。各サイクルにおいて、 再生触媒の活性を、1時間の操作後に測定した初期値に対して過酸化水素の転換 度が25%までに低下する前に、上記の条件で生成させたエピクロロヒドリンの量 を測定することによって測定した。エピクロロヒドリン95g、98g、94gおよび94 gの活性を、それぞれ、上記の4サイクルにおいて測定した。比較として、新鮮 触媒、即ち、初めて使用した時の触媒の活性は、エピクロロヒドリン95gであっ た。 実施例2 実施例1で述べたのと同じサイクルで11サイクルを実施したが、脱活性触媒再 生のための加熱処理は、Sm3当り約25gの水分を含有する窒素流下で2.5時間行い 、その他の条件は変えなかった。 これらTS-1触媒の使用/再生の連続サイクルにおいて、それそれ、エピクロロ ヒドリン93g、97g、97g、95g、93g、94g、92g、93g、92g、91gおよび94gの活性 を測定した。 実施例3 実施例1で述べたのと同じサイクルで8サイクルを実施したが、脱活性触媒再 生のための加熱処理は、Sm3当り約25gの水分を含有する窒素流下で7時間(サイ クル1および2)、15時間(サイクル3および6)または5時間(サイクル4、 5、7および8)行い、その他の条件は変えなかった。 これらの連続8サイクルにおいて、それそれ、エピクロロヒドリン96g、99g、 98g、98g、96g、97g、101gおよび98gの活性を測定した。 実施例4 実施例1で述べたのと同じサイクルで3サイクルを実施したが、脱活性触媒再 生のための加熱処理は、215℃の温度で、窒素とSm3当り約700gの水分と からなり流速250Sl/hのガス流下で3.5時間行い、その他の条件は変えなかった。 これらの連続3サイクルにおいて、それぞれ、エピクロロヒドリン94g、93g および92gの活性を測定した。実施例5 実施例1で述べたのと同じサイクルで4サイクルを実施したが、脱活性触媒再 生のための加熱処理は、200℃の温度で、Sm3当り約1gの水分を含有する空気流 下で行い、その他の条件は変えなかった。 これらの連続4サイクルにおいて、それそれ、エピクロロヒドリン91g、89g 、91gおよび91gの活性を測定した。 実施例6(比較例) 実施例5を繰返したが脱活性触媒再生のための加熱処理は、Sm3当り約1gの 水分を含有し流速3Sl/hの空気流下で行い、その他の条件は変えなかった。 これらの連続4サイクルにおいて、それそれ、エピクロロヒドリン83g、80g、 75gおよび72gの活性を測定した。 実施例7 実施例1で述べたのと同じサイクルで2サイクルを実施したが、脱活性触媒再 生のための加熱処理は、155℃の温度で、Sm3当り約25gの水分を含有し流速100S l/hの酸素流下で行い、その他の条件は変えなかった。 これらの連続2サイクルにおいて、それそれ、エピクロロヒドリン84gおよび 85gの活性を測定した。実施例8(比較例) 実施例7を繰返したが脱活性触媒再生のための加熱処理は、105℃の温度で行 い、その他の条件は変えなかった。 これらの連続2サイクルにおいて、それそれ、エピクロロヒドリン78gおよび 71gの活性を測定した。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF ,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE, SN,TD,TG),AP(GH,KE,LS,MW,S D,SZ,UG,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG ,KZ,MD,RU,TJ,TM),AL,AM,AT ,AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,CA, CH,CN,CU,CZ,DE,DK,EE,ES,F I,GB,GE,HU,ID,IL,IS,JP,KE ,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS, LT,LU,LV,MD,MG,MK,MN,MW,M X,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD,SE ,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,TR,TT, UA,UG,US,UZ,VN,YU,ZW

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.加熱処理を含み、この加熱処理中に、チタニウムシリカライトタイプ触媒を 少なくとも130℃の温度でガス流によりストリッピングし、該触媒上でのガス 流の量的滞留時間が2時間を越えないことを特徴とするチタニウムシリカライ トタイプ触媒の再生方法。 2.ガス流が窒素、酸素および水から選ばれた少なくとも1種を含有する請求項 1記載の方法。 3.ガス流が酸素を含有する請求項1または2記載の方法。 4.ガス流が少なくとも0.01モル%の水分を含有する請求項1〜3のいずれか1 項記載の方法。 5.触媒上でのガス流の量的滞留時間が1分〜1時間である請求項1〜4のいず れか1項記載の方法。 6.加熱処理を400℃より低い温度で行う請求項1〜4のいずれか1項記載の方 法。 7.加熱処理を150〜350℃の温度で行う請求項6記載の方法。 8.加熱処理を30分〜8時間持続させる請求項1〜7のいずれか1項記載の方法 。 9.オレフィンと過酸化水素との反応によるエポキシドの合成からのチタニウム シリカライトタイプの触媒に応用する請求項1〜8のいずれか1項記載の方法 。 10.塩化アリルと過酸化水素との反応によるエピクロロヒドリンの合成からのチ タニウムシリカライトタイプの触媒に応用する請求項9記載の方法。 11.プロピレンと過酸化水素との反応によるプロピレンオキサイドの合成からの チタニウムシリカライトタイプ触媒に応用する請求項9記載の方法。 12.請求項1〜8のいずれか1項記載の方法により再生したチタニウムシリカラ イトタイプ触媒のオレフィンと過酸化水素との反応によるエポキシドの合成に おいての使用。 13.塩化アリルと過酸化水素との反応によるエピクロロヒドリンの合成にお いての請求項12記載の使用。 14.プロピレンと過酸化水素との反応によるプロピレンオキサイドの合成におい ての請求項12記載の使用。
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