JP2001501526A

JP2001501526A - 非線形トランスデューサのためのモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ

Info

Publication number: JP2001501526A
Application number: JP10512688A
Authority: JP
Inventors: ミッテル，ジェームス・グレゴリー; マッキー，ジョン・エム; ウェバー，ダレル・カーティス
Original assignee: Motorola Inc
Current assignee: Motorola Solutions Inc
Priority date: 1996-09-04
Filing date: 1997-08-20
Publication date: 2001-02-06
Also published as: CN1230320A; HK1022073A1; EP0931421B1; US5828295A; DE69734318T2; DE69734318D1; EP0931421A1; TW348247B; KR20000068440A; CN1120635C; WO1998010598A1; EP0931421A4; KR100326740B1; AU4077097A

Abstract

(57)【要約】非線形電磁トランスデューサ１０２のためのモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ１００は、位相ロック・ループ内でトランスデューサ・ドライバ１０６に結合される電圧制御発振器１０４およびモード検出器１１２，１０８を備える。電圧制御発振器１０４は周波数制御信号に応答して可変周波数出力信号を生成する。分周器が所定の分割値で出力信号を分周して、トランスデューサ駆動信号５０２を生成する。この信号５０２はトランスデューサ・ドライバ１０６によって、触覚警告を生成する非線形電磁トランスデューサ１０２に結合される。モード検出器１１２，１０８は、非線形電磁トランスデューサ１０２の少なくとも第１動作モードと第２動作モードとの間のモード変化を検出し、それに応答して、周波数制御信号１１８を生成する。この信号１１８が、非線形電磁トランスデューサ１０２により得られる触覚エネルギが最大になる準共振周波数２０４を設定する。

Description

【発明の詳細な説明】非線形トランスデューサのためのモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ発明の分野本発明は、一般に電磁トランスデューサのためのトランスデューサ・ドライバに関し、さらに詳しくは、非線形電磁トランスデューサのための周波数トラッキング・トランスデューサ・ドライバに関する。発明の背景歴史的に、放射状非対称負荷モータは、PDAなどの携帯電子装置およびページャやセルラ電話などの携帯通信装置のための無音のすなわち触覚警告を行うために用いられてきた。モータは非対称に負荷を与えられるよう設計されておらず、その結果として時間の経過と共にシャフトやベアリング・スリーブの摩耗が避けられずに、モータ不良を招く。モータは、極めて高い、通常１００ミリアンペア超の始動電流と、通常５０ミリアンペア超の高い動作電流を必要とし、この両方がバッテリ寿命を大幅に短縮してしまう。モータは、電子装置の他の電子部品と共にリフローはんだ付けを行うのに適さない。これは、リフローはんだ付け温度がスピニング・シャフトのために行われる潤滑化を破壊するためである。モータは、携帯通信装置に用いられると、モータの転流性のために劣化の一般的原因ともなり、火花間隙EM F現象が起こりやすくなる。新世代の非回転非線形電磁トランスデューサがMooney他による米国特許第５，１０７，５４０号およびMcKee他による米国特許第５，３２７，１２０号に開示される。これらはいずれも、触覚警告装置としての動作のためにバッテリから消費されるエネルギを大幅に削減した。これらのトランスデューサに関しては、わずか４０ミリアンペアの始動電流とわずか１０ミリアンペアの動作電流が通常の値である。トランスデューサは、摩耗による機械的不良を起こさず、リフローはんだ付けを行うことができ、無線劣化を起こす転流要素をもたない。さらに、これらの非線形トランスデューサは、人に結合させたときに得られる触覚を最大にする可聴下周波数で動作し、結果として真に無音の邪魔にならない警告を起こす。非線形トランスデューサを実現する場合の大きな問題点は電気駆動要件にある。単純にオン／オフを切り替えることのできるモータとは異なり、非線形トランスデューサはその触覚エネルギ出力を最適化するために複雑な電気駆動回路を必要とする。非線形トランスデューサと共に用いるのに適したいくつかのトランスデューサ・ドライバ回路が、本発明の譲受人に譲渡された、McClurg他による１９９５年７月２４日出願の米国特許申請第０８／５０６，３０４号「Electronic Driver for an Electromagn etic Resonant Transducer」に開示される。これらの非線形トランスデューサからの触覚エネルギ出力は、動作中に非線形トランスデューサにより実際に生成される触覚エネルギのレベルを監視することにより最適化された。転流ノイズが問題とならない場合は、バッテリから直接的に駆動することのできる改善された非線形トランスデューサが、本発明の譲受人に譲渡された、McKe e他により１９９６年６月３日出願の米国特許申請第０８／６５７１２６号「Non -linear Reciprocating Device」に開示される。この非線形往復装置は、単一バッテリまたは二重バッテリ構造のいずれかにおいて得られる触覚エネルギを最大にする非線形コンタクタを動作に利用した。上記のトランスデューサ・ドライバ回路は非線形トランスデューサから得られる触覚エネルギを最適化するが、非線形電磁トランスデューサの動作モードを追尾して準共振動作を行い、触覚エネルギ出力を強化することのできるトランスデューサ・ドライバ回路が必要とされる。発明の概要本発明のある局面により、少なくとも第１動作モードと第２動作モードとを有するモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバは、電圧制御発振器，トランスデューサ・ドライバおよび非線形電磁トランスデューサと、モード検出器とを備える。電圧制御発振器は、可変周波数を有する出力信号を生成し、周波数制御信号に応答して出力信号の周波数を制御する。トランスデューサ・ドライバは、電圧制御発振器に結合される入力を有し、トランスデューサ駆動信号を生成する。この信号は非線形電磁トランスデューサに結合される。モード検出器は、トランスデューサ・ドライバに結合され、非線形電磁トランスデューサの少なくとも第１動作モードと第２動作モードとの間のモード変化を検出する。モード検出器は、周波数制御信号を生成し、この信号が準共振動作周波数を設定する。この準共振動作周波数において非線形電磁トランスデューサの触覚エネルギ出力が最大になる。本発明の第２局面により、少なくとも第１動作モードと第２動作モードとを有する非線形電磁トランスデューサのための位相ロック・モード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバは、電圧制御発振器，トランスデューサ・ドライバおよび位相比較器を具備する。電圧制御発振器は、可変周波数を有する出力信号を生成する。電圧制御発振器は、周波数制御信号に応答して、出力信号の周波数を制御する。トランスデューサ・ドライバは、電圧制御発振器に結合される入力を有し、トランスデューサ駆動信号を生成する。この信号は非線形電磁トランスデューサに結合される。位相比較器は、トランスデューサ・ドライバに結合される第１入力と、電圧制御発振器に結合される第２入力とを有して、非線形電磁トランスデューサの少なくとも第１動作モードと第２動作モードとの間のモード変化を表す位相変化を検出する。位相検出器は周波数制御信号を生成し、この信号が準共振動作周波数を設定する。この周波数において非線形電磁トランスデューサの触覚エネルギ出力が最大になる。図面の簡単な説明第１図は、本発明によるモード・トラッキング・トランスデューサの電気概略図である。第２図は、本発明による非線形電磁トランスデューサの衝撃出力と準共振周波数を示すグラフである。第３図は、本発明による非線形電磁トランスデューサの準共振周波数より下で動作する場合にモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバにより生成される典型的電気信号を示す図である。第４図は、本発明による準共振周波数より上で動作する場合にモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバにより生成される典型的電気信号を示す図である。第５図は、本発明による準共振周波数において動作する場合にモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバにより生成される典型的電気信号を示す図である。第６図は、本発明によるモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバを利用する通信装置の電気ブロック図である。好適な実施例の説明第１図は、本発明によるモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ１００の電気ブロック図である。モード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ１００は、電圧制御発振器１０４（以下VCO：voltage controlled osicll atorと称する），トランスデューサ・ドライバ１０６，位相比較器１０８，Ｄフリップ-フロップ１１０，モード検出器１１２および低域通過フィルタ１１４を具備する。VCO１０４は、当業者には周知の方法で動作し、それによって低域通過フィルタ１１４の出力において生成される周波数制御信号が可変周波数出力信号の生成を制御する。この出力信号は、所定の周波数範囲に亘り、たとえば、非線形電磁トランスデューサ１０２などの触覚警告装置を駆動するために利用される場合、４０ヘルツないし１２０ヘルツの範囲に亘り可変する。触覚警告装置に関しては、最適な動作周波数は９０ヘルツないし１００ヘルツである。制御入力１１６が設けられ、これは非線形電磁トランスデューサ１０２（以下トランスデューサと呼ぶ）の動作が必要な場合、たとえばページャまたは携帯セルラ電話などの電子装置において利用される場合に、トランスデューサ１０２を利用して触覚警告を生成するときなどに、VCO １０４の動作を可能にするために用いられる。VCO１０４の可変周波数出力は、Ｄフリップ-フロップ１１０のクロック入力と位相比較器１０８の第１入力とに結合される。Ｄフリップ-フロップ１１０は２の所定の分割値を提供する分周器として動作する。トランスデューサ・ドライバ１０６は、ブリッジ・ドライバ回路の半分を形成するＮチャネルMOSFET Q2に結合されるＰチャネルMOSFET Q1と、ブリッジ・ドライバ回路の他の半分を形成するＮチャネルMOSFET Q4に結合されるＰチャネルMOS FET Q3とを備え、ＰチャネルMOSFETトランジスタはＮチャネルMOSFETトランジスタと並列に接続される。ＰチャネルMOSFETトランジスタQ1，Q3のソース電極は、たとえば１．５ボルトの電源電圧B＋に結合する。ＮチャネルMOSFETトランジスタQ2，Q4のソース電極は共に接続されて、抵抗R1の第１端子に結合する。抵抗R1 の第２端子は接地に結合される。ブリッジ・ドライバ出力は、PチャネルおよびＮチャネルMOSFETトランジスタの接続部においてトランスデューサ１０２に結合され、トランスデューサ１０２を励起するトランスデューサ駆動信号を提供する。MOSFETトランジスタQ1，Q2 のゲート電極はＤフリップ-フロップ１１０の反転Ｑ出力に結合され、MOSFETトランジスタQ3，Q4のゲート電極はＤフリップ-フロップ１１０のＱ出力に結合される。抵抗R1は、モード検出器１１２内のモード検知素子として機能し、トランスデューサ１０２の少なくとも第１動作モードと第２動作モードとの間のモード変化を検知するために用いられる。これについては下記に詳述する。抵抗R1の第１端子は、キャパシタC1の第ｌ端子にも結合し、キャバシタC1の第２端子は位相比較器１０８の第２入力に結合する。キャパシタC1は、ブリッジ駆動１０６と位相比較器１０８の入力との間の直接電流分離を行う。位相比較器１０８の出力は、低域通過フィルタ１１４の入力に結合し、このフィルタは、本発明の好適な実施例においては、抵抗R2およびキャパシタC2によって構成される従来のRCフィルタ部として構築される。低域通過フィルタ１１４の出力は、VCO１０４の入力に結合する。上記の説明から、モード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ回路は位相ロック・ループ・コントローラとして相互接続されることが理解頂けよう。位相ロック・ループ・コントローラは、非線形電磁トランスデューサ１０２の触覚エネルギ出力が最大になる準共振動作周波数を設定する周波数制御信号を生成するために利用される。これについては下記に詳述する。例として、MOSFETトランジスタをカリフォルニア州サンタクララのSiliconix 社製Si6552DQデュアル・エンハンスメント形MOSFTトランジスタなどのエンハンスメント形MOSFETトランジスタを用いて実現することができる；Ｄフリップ-フロップ１１０は、セット／リセット入力がB＋に結合される（概略図には図示せず）ことにより不能化されるセット／リセットをもつMC74HC74Aデュアル・フリップ-フロップ集積回路を用いて実現することができる；また位相比較器１０８とVCO１０４はMC74HC4046A位相ロック・ループ集積回路で実現することができる。。MC74Hシリーズの集積回路はイリノイ州Schaumburgのモトローラ社により製造される。言うまでもなく、位相ロック・ループとブリッジ・ドライバ回路とは、単独の集積回路内に集積して、それによりモード・トラッキング・ドライバ１００の部品点数を減らし、複雑性を軽減し、価格を抑えることができる。モード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ１００の動作は、非線形電磁トランスデューサ１０２の衝撃出力を示すグラフである第２図を参照すると良く理解できる。非線形電磁トランスデューサ１０２の例はMooney他による米国特許第５，１０７，５４０号およびMcKee他による米国特許第５，３２７，１２０号に開示される。非線形電磁トランスデューサ１０２は、硬化バネ系を利用するが、その動作は１９５８年にニューヨーク市のMcGraw−Hill Book Companyから出版されたJakobsenおよびAyreによる「Engineering Vibrations」の２８６〜２９０ページに記載されるDuffingの式に定義される。非線形電磁トランスデューサ１０２は、通常、制御入力１１６により始めに可能化されると、VCO１０４により生成される低いほうの周波数２０２から始まる領域Iで動作する。VCO１０４の出力は、周波数において上方に、上側の周波数２０４まで掃引され、あるいは勾配をつけられる。VCO１０４の出力が勾配をつけられる速度は、VCO出力、すなわちR1の両端に発生するモード信号１２２と低域通過フィルタ１１４との間に検出される位相誤差の関数である。モード信号１２２は、トランスデューサ１０２に印加される駆動電圧に相対するトランスデューサ駆動電流の位相の尺度である。これは以下の説明でより明確になる。第２図からわかるように、トランスデューサ１０２に結合されるブリッジ駆動信号の周波数が大きくなるにつれて、トランスデューサ１０２の運動質量部（Mo oney他およびMcKee他の特許において開示される）の変位が大きくなり、それによってトランスデューサ１０２が生成する触覚エネルギのレベルが高くなる。VC O出力が、ここではトランスデューサ１０２の準共振周波数として定義される上側周波数２０４に近づくにつれて、トランスデューサ１０２は条件的に不安定になり、領域Iから「ジャンプ」して領域IIに入る。領域Iから領域IIへの「ジャンプ」は、トランスデューサ１０２の少なくとも第１動作モードからトランスデューサ１０２の第２動作モードへのモード変化として検知される。非線形電磁トランスデューサのための従来技術によるトランスデューサ・ドライバ回路においては、領域IIへの「ジャンプ」は実際には起こらず、「ジャンプ」は直接領域IIIに対して行われる。これはトランスデューサ１０２の安定動作が行われる周波数２１０を超えて生成される触覚レベル・エネルギ出力として定義される。従来技術によるトランスデューサ・ドライバ回路は、本発明によるモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ１００のように領域IIへの「ジャンプ」を追尾（トラッキング）することができなかった。これは、従来技術によるトランスデューサ・ドライバ回路が、「ジャンプ」が起こる周波数まで、あるいは、非常に多くの場合それを貫通してトランスデューサ駆動周波数を定期的に掃引することしかできずに、「ジャンプ」が起こる周波数よりも下に生成される上側の動作周波数を制限したためである。このため、このような動作は、高レベルの触覚エネルギを提供しても、非線形電磁トランスデューサにより得られる触覚エネルギを完全に最大化することはなかった。本発明によるモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ１００は、トランスデューサ１０２が領域Iから領域IIに「ジャンプ」するときに起こるモード変化を検知することにより触覚エネルギ出力を最大化し、「ジャンプ」周波数より下の周波数までブリッジ・トランスデューサ駆動信号周波数を実質的に同時に下げる。トランスデューサ１０２の運動質量部の動きは、運動質量部内部にすでに蓄えられたエネルギのために領域IIIにおいて定義される低いほうのレベルまで瞬間的にに下がることができるので、ほぼ瞬間的な周波数の低減によりトランスデューサ１０２は、領域Iの動作を再開することができ、その結果として上記のように準共振周波数が生成される。第３図ないし第５図を参照することにより、モード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ１００の動作が良く理解頂ける。第３図は、準共振周波数２０４のすぐ下の周波数においてモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ１００により生成される典型的な電気信号を示す図である。VCO出力は信号３０２として図示され、VCO出力信号１２４とも称される。モード信号は信号３０４として図示され、モード信号１２２とも称され、トランスデューサ・ドライバ１０６に対する入力は信号３０６として図示されトランスデューサ・ドライバ信号１２０とも称される。位相比較器１０８内で増幅を通じて制限された後のモード信号１２２は信号３０８として図示され、制限モード信号３０８とも称される。第３図に示されるように、VCO出力信号１２４である信号３０２は、信号３０６として図示されるトランスデューサ駆動信号１２０の２倍の周波数において生成される。位相比較器１０８は、信号３０８すなわち制限モード信号を、信号３０２すなわちVCO出力信号１２４と比較し、周波数制御信号１１８を生成する。トランスデューサ・ドライバ１０６は実際のトランスデューサ信号３０６を二倍にし、結果として分周器を用いて、VCO出力信号１２４を分周してから、トランスデューサ１０２を駆動し、同一周波数において２つの信号を得る。この２つの信号が位相において比較される。第４図は、準共振周波数２０４より上で、すなわちトランスデューサ１０２が領域II内に「ジャンプ」した後で動作する場合にモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ１００により生成される典型的な電気信号を示す図である。VCO出力信号１２４はここでも信号３０２として図示され、モード信号１２２は信号３０４として、トランスデューサ駆動信号１２０は信号３０６として、そして位相比較器１０８内で制限されるモード信号１２２は信号３０８として図示される。領域II内のトランスデューサ１０２の第２動作モードを表す第４図の制限モード信号３０８は、領域I内で動作するトランスデューサ１０２の第１動作モードを表す第３図の制限モード信号３０８に対し、１８０度位相がずれることに留意されたい。そのためにトランスデューサ１０２内に起こるモード変化の明確な指標となる。第５図は、準共振周波数２０４で動作する場合にモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ１００により生成される典型的な電気信号を示す図である。信号５０２は、トランスデューサ１０２を駆動するために用いられるトランスデューサ駆動信号１２０である。信号５０４は、低域通過フィルタ１１４の出力において生成される周波数制御信号である。第５図からわかるように、VCO出力周波数が上側周波数２０４より下にあるとき、位相ロック・ループは、上側周波数２０４に向けて周波数を連続的に大きくする。点５０６において上側周波数２０４に到達すると、トランスデューサ１０２のモードは領域Iから領域IIに変化する。次に、位相ロック・ループがVCO出力周波数を点５０８まで次第に下げ、その時点でトランスデューサ１０２の動作モードが再び領域Iに戻る。VCO出力周波数は再び点５１０まで増加を始めるが、このとき、VCO出力周波数が点５１２まで下がるのでサイクルが繰り返される。第３図ないし第５図に示される例において、発生する実際の周波数変動は約９８Hz±２Hzであり、これが準共振周波数２０４を定義する。第６図は、本発明によるモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバを利用する選択呼出受信機などの通信装置６００の電気ブロック図である。選択呼出メツセージを含むことのできる無線周波数信号は、受信機６０４の入力に結合されるアンテナ６０２により傍受される。受信機６０４は当業者には周知の方法で傍受した無線周波数信号を処理する。傍受された無線周波数信号が選択呼出メッセージを含む場合、選択呼出メッセージの少なくとも一部分、すなわちアドレス部分などがデコーダにより解読される。被受信アドレスがデコーダ／コントローラ６０６に結合される。デコーダ／コントローラ６０６は被受信アドレスをコード・メモリ６０８内に格納される所定のアドレスと比較する。被受信アドレスが格納される所定のアドレスと一致すると、通信受信機６００に宛てられるすべてのメッセージが受信され、メッセージはメッセージ・メモリ６１２内に格納される。デコーダ／コントローラ６０６は、警告イネーブル信号も生成し、この信号は上記のモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ１００の制御入力１１６に結合され、非線形電磁トランスデューサ１０２により生成される触覚警告がメッセージの着信を知らせることになる。触覚警告は、通信装置のユーザによりリセットされ、メッセージがメッセージ・メモリ６１２から呼び出されて、当業者には周知の多様なユーザ入力機能を提供するユーザ制御部６１６を用いてディスプレイ６１４上にメッセージが提示される。メッセージ・メモリ６１２から呼び出されたメッセージは、デコーダ／コントローラ６０６を介してLCDディスプレイなどのディスプレイ６１４に送られる。要するに、位相ロック・ループを利用してトランスデューサ駆動信号の２倍の周波数であるVCO出力信号を生成するモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ１００が上記に開示された。位相ロック・ループ内の位相比較器１０８がVCO出力信号を、トランスデューサ１０２の動作モードを表すモード信号と比較する。位相ロック・ループを上記のように用いることで、トランスデューサ１０２は準共振周波数２０４において動作することができる。準共振周波数は、モード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ１００により駆動される非線形電磁トランスデューサ１０２の関数であり、そのため、本発明によるモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ１００は「ジャンプ」周波数の周囲にトランスデューサ１０２の動作を維持して、非線形電磁トランスデューサ１０２により得られる触覚エネルギ出力を最大にすることができる。モード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバは、トランスデューサ１０２を単独のセル・バッテリから駆動することを可能にするので、ページング受信機および携帯セルラ電話を含むバッテリによって電力を供給される通信装置など、広範なバッテリ給電電子装置において用いることができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＧＨ，ＨＵ，ＩＬ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ (72)発明者ウェバー，ダレル・カーティスアメリカ合衆国フロリダ州ボイントン・ビーチ、ミラー・レイクス・ブルーバード 5038

Claims

【特許請求の範囲】１．少なくとも第１動作モードと第２動作モードとを有する非線形電磁トランスデューサのためのモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバであって：可変周波数を有する出力信号を生成する電圧制御発振器であって、周波数制御信号に応答する入力を有して前記出力信号の周波数を制御する電圧制御発振器；前記出力信号を所定の分割値で分割してトランスデューサ駆動信号を生成する分割装置；前記分割装置に結合される入力を有し、前記トランスデューサ駆動信号により前記非線形電磁トランスデューサを連続して駆動するトランスデューサ・ドライバ；および前記トランスデューサ・ドライバに結合され、前記非線形電磁トランスデューサの前記少なくとも第１動作モードと前記第２動作モードとの間のモード変化を示すモード信号を検出するモード検出器であって、前記モード信号は前記所定の分割値に等しい値において前記トランスデューサ駆動信号の倍数において生成されるモード検出器であって、前記モード検出器が前記モード信号に応答して前記周波数制御信号を生成し、前記非線形電磁トランスデューサの触覚エネルギ出力が最大になる準共振動作周波数を設定する位相比較器を備えるモード検出器；によって構成されることを特徴とするモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ。２．前記出力信号が所定の周波数範囲に亘り可変し、前記周波数制御信号が前記所定の周波数範囲内で前記出力信号の前記周波数を制御することを特徴とする請求項１記載のモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ。３．前記トランスデューサ・ドライバがブリッジ・ドライバ回路として構築されることを特徴とする請求項１記載のモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ。４．前記モード検出器が前記トランスデューサ・ドライバに結合され、前記非線形電磁トランスデューサの動作モードを示す前記モード信号を検知するモード検知素子によって構成され、前記位相比較器が前記モード検知素子と前記電圧制御発振器とに結合され、前記モード信号と前記出力信号との位相差に応答して前記周波数制御信号を生成することを特徴とする請求項１記載のモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ。５．前記所定の分割値が２であることを特徴とする請求項１記載のモード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ。６．少なくとも第１動作モードと第２動作モードとを有する非線形電磁トランスデューサのための位相ロック・モード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバであって：可変周波数を有する出力信号を生成する電圧制御発振器であって、周波数制御信号に応答する入力を有して前記出力信号の周波数を制御する電圧制御発振器；前記出力信号を所定の分割値で分割してトランスデューサ駆動信号を生成する分割装置；前記分割装置に結合される入力を有し、前記トランスデューサ駆動信号により前記非線形電磁トランスデューサを連続して駆動するトランスデューサ・ドライバ；前記トランスデューサ・ドライバに結合され、前記非線形電磁トランスデューサの動作モード示すモード信号を検知するモード検知素子；および前記電圧制御発振器に結合される第１入力と前記モード検知素子に結合される第２入力とを有し、前記電圧制御発振器により生成される前記出力信号と、前記モード検知素子により生成される前記モード信号との間の位相差を検出し、前記非線形電磁トランスデューサの触覚エネルギ出力が最大になる準共振動作周波数を設定する前記周波数制御信号を生成する位相比較器；によって構成されることを特徴とする位相ロック・モード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ。７．前記モード信号が前記非線形電磁トランスデューサの前記少なくとも第１動作モードと前記第２動作モードとの間のモード変化を表すことを特徴とする請求項６記載の位相ロック・モード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ。８．前記位相比較器と前記電圧制御発振器との間に結合され、前記周波数制御信号を生成する低域通過フィルタによってさらに構成されることを特徴とする請求項６記載の位相ロック・モード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ。９．前記所定の分割値が２であることを特徴とする請求項６記載の位相ロック・モード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ。１０．前記出力信号が所定の周波数範囲に亘り可変し、前記周波数制御信号が前記所定の周波数範囲内で前記出力信号の前記周波数を制御することを特徴とする請求項６記載の位相ロック・モード・トラッキング・トランスデューサ・ドライバ。