JP2001354685A - 燐原子含有フェノール化合物とその製造方法 - Google Patents
燐原子含有フェノール化合物とその製造方法Info
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- JP2001354685A JP2001354685A JP2000181391A JP2000181391A JP2001354685A JP 2001354685 A JP2001354685 A JP 2001354685A JP 2000181391 A JP2000181391 A JP 2000181391A JP 2000181391 A JP2000181391 A JP 2000181391A JP 2001354685 A JP2001354685 A JP 2001354685A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】難燃効果を有する燐原子を含有するフェノール
化合物とその製造方法を提供することにある。 【解決手段】本発明によれば，一般式（２） 【化２】 （式中、Ｒ1 は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ2
は炭素数５若しくは６のシクロアルキル基を示し、Ｒ3
はフェニル基を示し，ｍは０〜３の整数を示し，ｎ及び
ｋはそれぞれ、０〜２の整数を示し，ｍ＋ｎ＋ｋ≧３で
ある。）で表わされる燐原子含有フェノール化合物、及
びその製造方法が提供される。
化合物とその製造方法を提供することにある。 【解決手段】本発明によれば，一般式（２） 【化２】 （式中、Ｒ1 は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ2
は炭素数５若しくは６のシクロアルキル基を示し、Ｒ3
はフェニル基を示し，ｍは０〜３の整数を示し，ｎ及び
ｋはそれぞれ、０〜２の整数を示し，ｍ＋ｎ＋ｋ≧３で
ある。）で表わされる燐原子含有フェノール化合物、及
びその製造方法が提供される。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、９，１０−ジヒド
ロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナントレン−１
０−オキサイド（Ａ）とヒドロキシル基含有ベンズアル
デヒド類（Ｂ）を反応させて得られる燐原子含有フェノ
ール化合物の製造方法、及び該燐原子含有フェノール化
合物に関するものである。
ロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナントレン−１
０−オキサイド（Ａ）とヒドロキシル基含有ベンズアル
デヒド類（Ｂ）を反応させて得られる燐原子含有フェノ
ール化合物の製造方法、及び該燐原子含有フェノール化
合物に関するものである。
【０００２】更に、下記一般式（２）で表される燐原子
含有フェノール化合物は、半導体封止材、プリント配線
基板用途の硬化剤やエポキシ樹脂の原料、半導体用フォ
トレジスト等の感光性材料の原料、ポリカーボネート樹
脂やポリエステル樹脂の原料などに用いられるフェノー
ル化合物として有用である。
含有フェノール化合物は、半導体封止材、プリント配線
基板用途の硬化剤やエポキシ樹脂の原料、半導体用フォ
トレジスト等の感光性材料の原料、ポリカーボネート樹
脂やポリエステル樹脂の原料などに用いられるフェノー
ル化合物として有用である。
【０００３】
【化４】 （式中、Ｒ1 は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ2
は炭素数５若しくは６のシクロアルキル基を示し、Ｒ3
はフェニル基を示し、ｍは０〜３の整数を示し、ｎ及び
ｋはそれぞれ、０〜２の整数を示し、ｍ＋ｎ＋ｋ≧３で
ある。）
は炭素数５若しくは６のシクロアルキル基を示し、Ｒ3
はフェニル基を示し、ｍは０〜３の整数を示し、ｎ及び
ｋはそれぞれ、０〜２の整数を示し、ｍ＋ｎ＋ｋ≧３で
ある。）
【０００４】
【従来の技術】半導体封止材、プリント配線基板用途の
硬化剤やエポキシ樹脂の原料、半導体用フォトレジスト
等の感光性材料の原料、ポリカーボネート樹脂やポリエ
ステル樹脂の原料においては、特に、ハロゲンを含有し
ない難燃材料が求められている。ハロゲンを用いない材
料としては、特に燐、窒素等を含有する化合物が難燃材
料として期待されている。
硬化剤やエポキシ樹脂の原料、半導体用フォトレジスト
等の感光性材料の原料、ポリカーボネート樹脂やポリエ
ステル樹脂の原料においては、特に、ハロゲンを含有し
ない難燃材料が求められている。ハロゲンを用いない材
料としては、特に燐、窒素等を含有する化合物が難燃材
料として期待されている。
【０００５】しかしながら、ハロゲンを含有しない燐原
子含有フェノール化合物において、上記の樹脂原料に使
用して優れた性能を発現できる化合物は、未だ知られて
いない。
子含有フェノール化合物において、上記の樹脂原料に使
用して優れた性能を発現できる化合物は、未だ知られて
いない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は難燃
性に優れた燐原子含有フェノール化合物とその製造方法
を提供することをにある。
性に優れた燐原子含有フェノール化合物とその製造方法
を提供することをにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、分子中に
燐原子を含有する１価フェノールを得るべく鋭意研究し
た結果、９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−フォ
スファフェナントレン−１０−オキサイド（Ａ）とヒド
ロキシベンズアルデヒド類（Ｂ）とを反応させて得られ
るフェノール化合物を見出し、本発明に至ったものであ
る。本発明に係る燐原子含有フェノール化合物は、これ
を原料として用いて、種々の反応によって、高分子材料
分野に有用な種々の多価フェノール化合物を誘導するこ
とができる。
燐原子を含有する１価フェノールを得るべく鋭意研究し
た結果、９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−フォ
スファフェナントレン−１０−オキサイド（Ａ）とヒド
ロキシベンズアルデヒド類（Ｂ）とを反応させて得られ
るフェノール化合物を見出し、本発明に至ったものであ
る。本発明に係る燐原子含有フェノール化合物は、これ
を原料として用いて、種々の反応によって、高分子材料
分野に有用な種々の多価フェノール化合物を誘導するこ
とができる。
【０００８】また、本発明に係る燐原子含有フェノール
化合物を原料とした誘導体、及びその誘導体を得る反応
の具体例を幾つか挙げる。例えば、本発明に係る燐原子
含有フェノール化合物に酸触媒或いは塩基触媒存在下で
ケトン類或いはアルデヒド類を脱水反応させて、ノボラ
ック状の多価フェノール化合物を得ることができる。ま
たこれを精製することによって、ビスフェノールＡが如
く純粋な２官能フェノール化合物を得ることができる。
また、ケトン類やアルデヒド類に代えて、パラキシレン
ジグリコール、或いはパラキシレンジメトキサイド、或
いはパラキシレンジヒドロキサイドと本発明に係る燐原
子含有フェノール化合物とを前記と同様に反応させるこ
とによって、アラルキル系の多価フェノール化合物を得
ることができる。
化合物を原料とした誘導体、及びその誘導体を得る反応
の具体例を幾つか挙げる。例えば、本発明に係る燐原子
含有フェノール化合物に酸触媒或いは塩基触媒存在下で
ケトン類或いはアルデヒド類を脱水反応させて、ノボラ
ック状の多価フェノール化合物を得ることができる。ま
たこれを精製することによって、ビスフェノールＡが如
く純粋な２官能フェノール化合物を得ることができる。
また、ケトン類やアルデヒド類に代えて、パラキシレン
ジグリコール、或いはパラキシレンジメトキサイド、或
いはパラキシレンジヒドロキサイドと本発明に係る燐原
子含有フェノール化合物とを前記と同様に反応させるこ
とによって、アラルキル系の多価フェノール化合物を得
ることができる。
【０００９】前記のような反応で誘導されたこれらの多
価フェノール化合物は、難燃性の半導体封止材やプリン
ト配線基板やレジストインキなどに使用されるエポキシ
樹脂組成物に含まれるエポキシ樹脂の原料、或いはその
硬化剤として使用することができる。また、前記の方法
で得られたエポキシ樹脂は、アクリレート化することに
よって、難燃性エポキシアクリレート樹脂とすることが
できる。また多官能エポキシ樹脂のエポキシ基にこの燐
原子含有フェノール化合物を付加反応させることによっ
ても、難燃性の燐原子含有変性エポキシ樹脂を得ること
ができる。
価フェノール化合物は、難燃性の半導体封止材やプリン
ト配線基板やレジストインキなどに使用されるエポキシ
樹脂組成物に含まれるエポキシ樹脂の原料、或いはその
硬化剤として使用することができる。また、前記の方法
で得られたエポキシ樹脂は、アクリレート化することに
よって、難燃性エポキシアクリレート樹脂とすることが
できる。また多官能エポキシ樹脂のエポキシ基にこの燐
原子含有フェノール化合物を付加反応させることによっ
ても、難燃性の燐原子含有変性エポキシ樹脂を得ること
ができる。
【００１０】さらには前記のようにして得られた純粋な
２官能フェノール化合物は、ポリカーボネート樹脂やポ
リエステル樹脂の原料とすることができる。
２官能フェノール化合物は、ポリカーボネート樹脂やポ
リエステル樹脂の原料とすることができる。
【００１１】本発明は、すなわち、 １．９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−フォスフ
ァフェナントレン−１０−オキサイド（Ａ）とヒドロキ
シル基含有ベンズアルデヒド類（Ｂ）を反応ことを特徴
とする燐原子含有フェノール化合物の製造方法、 ２．ヒドロキシル基含有ベンズアルデヒド類（Ｂ）が一
般式（１）で表される構造を有する化合物である前記１
記載の製造方法、
ァフェナントレン−１０−オキサイド（Ａ）とヒドロキ
シル基含有ベンズアルデヒド類（Ｂ）を反応ことを特徴
とする燐原子含有フェノール化合物の製造方法、 ２．ヒドロキシル基含有ベンズアルデヒド類（Ｂ）が一
般式（１）で表される構造を有する化合物である前記１
記載の製造方法、
【化５】 （式中、Ｒ1 は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ2
は炭素数５若しくは６のシクロアルキル基を示し、Ｒ3
はフェニル基を示し、ｍは０〜３の整数を示し、ｎ及び
ｋはそれぞれ、０〜２の整数を示し、ｍ＋ｎ＋ｋ≧３で
ある。） ３．ヒドロキシル基含有ベンズアルデヒド類（Ｂ）がフ
ェニル基置換ヒドロキシベンズアルデヒド類、またはヒ
ドロキシベンズアルデヒドである前記１記載の製造方
法、 ４．ヒドロキシル基含有ベンズアルデヒド類（Ｂ）が２
−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−ヒドロキシベンズ
アルデヒド、又は、４−ヒドロキシベンズアルデヒドい
ずれかひとつである１記載の製造方法、 ５．一般式（２）
は炭素数５若しくは６のシクロアルキル基を示し、Ｒ3
はフェニル基を示し、ｍは０〜３の整数を示し、ｎ及び
ｋはそれぞれ、０〜２の整数を示し、ｍ＋ｎ＋ｋ≧３で
ある。） ３．ヒドロキシル基含有ベンズアルデヒド類（Ｂ）がフ
ェニル基置換ヒドロキシベンズアルデヒド類、またはヒ
ドロキシベンズアルデヒドである前記１記載の製造方
法、 ４．ヒドロキシル基含有ベンズアルデヒド類（Ｂ）が２
−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−ヒドロキシベンズ
アルデヒド、又は、４−ヒドロキシベンズアルデヒドい
ずれかひとつである１記載の製造方法、 ５．一般式（２）
【化６】 （式中、Ｒ1は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ2は
炭素数５若しくは６のシクロアルキル基を示し、Ｒ3は
フェニル基を示し、ｍは０〜３の整数を示し、ｎ及びｋ
はそれぞれ、０〜２の整数を示し、ｍ＋ｎ＋ｋ≧３であ
る。）で表わされる燐原子含有フェノール化合物、 ６．一般式（３）で表わされる燐原子含有フェノール化
合物、
炭素数５若しくは６のシクロアルキル基を示し、Ｒ3は
フェニル基を示し、ｍは０〜３の整数を示し、ｎ及びｋ
はそれぞれ、０〜２の整数を示し、ｍ＋ｎ＋ｋ≧３であ
る。）で表わされる燐原子含有フェノール化合物、 ６．一般式（３）で表わされる燐原子含有フェノール化
合物、
【化７】 が提供される。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に係る燐原子含有フェノー
ル化合物の製造方法とは、９，１０−ジヒドロ−９−オ
キサ−１０−フォスファフェナントレン−１０−オキサ
イド（Ａ）とヒドロキシル基含有ベンズアルデヒド類
（Ｂ）とを反応させることを特徴としている。
ル化合物の製造方法とは、９，１０−ジヒドロ−９−オ
キサ−１０−フォスファフェナントレン−１０−オキサ
イド（Ａ）とヒドロキシル基含有ベンズアルデヒド類
（Ｂ）とを反応させることを特徴としている。
【００１３】本発明に係る燐原子含有フェノール化合物
とは、一般式（４）で表される９，１０−ジヒドロ−９
−オキサ−１０−フォスファフェナントレン−１０−オ
キサイド（Ａ）とヒドロキル基含有シベンズアルデヒド
類（Ｂ）とを付加反応させるて得られる化合物である。
とは、一般式（４）で表される９，１０−ジヒドロ−９
−オキサ−１０−フォスファフェナントレン−１０−オ
キサイド（Ａ）とヒドロキル基含有シベンズアルデヒド
類（Ｂ）とを付加反応させるて得られる化合物である。
【化８】
【００１４】本発明に用いられるヒドロキシル基含有ベ
ンズアルデヒド類（Ｂ）とは、芳香環にヒドロキシル基
とホルミル基（−ＣＨＯ）が結合している化合物である
が、特に一般式（１）で表される化合物が好ましい。
ンズアルデヒド類（Ｂ）とは、芳香環にヒドロキシル基
とホルミル基（−ＣＨＯ）が結合している化合物である
が、特に一般式（１）で表される化合物が好ましい。
【００１５】
【化９】 （式中、Ｒ1 は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ2
は炭素数５若しくは６のシクロアルキル基を示し、Ｒ3
はフェニル基を示し、ｍは０〜３の整数を示し、ｎ及び
ｋはそれぞれ、０〜２の整数を示し、ｍ＋ｎ＋ｋ≧３で
ある。）
は炭素数５若しくは６のシクロアルキル基を示し、Ｒ3
はフェニル基を示し、ｍは０〜３の整数を示し、ｎ及び
ｋはそれぞれ、０〜２の整数を示し、ｍ＋ｎ＋ｋ≧３で
ある。）
【００１６】従って、本発明に係る燐原子含有フェノー
ル化合物の製造において、上記一般式（１）で表わされ
るヒドロキシル基含有ベンズアルデヒド類（Ｂ）類の具
体例としては、４−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−
ヒドロキシベンズアルデヒド（サリチルアルデヒド）、
３−ヒドロキシベンズアルデヒドのヒドロキシベンズア
ルデヒド、４−ヒドロキシ−２−メチル−ベンズアルデ
ヒド、４−ヒドロキシ−２−ターシャリーブチル−ベン
ズアルデヒド、４−シクロヘキシル−２−ヒドロキシ−
ベンズアルデヒドのような炭素数１〜６のアルキル基が
置換されたアルキル基置換ヒドロキシベンズアルデヒド
類、４−ヒドロキシ−２−フェニル−ベンズアルデヒド
のようなフェニル基置換ヒドロキシベンズアルデヒド類
等を挙げることができる。
ル化合物の製造において、上記一般式（１）で表わされ
るヒドロキシル基含有ベンズアルデヒド類（Ｂ）類の具
体例としては、４−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−
ヒドロキシベンズアルデヒド（サリチルアルデヒド）、
３−ヒドロキシベンズアルデヒドのヒドロキシベンズア
ルデヒド、４−ヒドロキシ−２−メチル−ベンズアルデ
ヒド、４−ヒドロキシ−２−ターシャリーブチル−ベン
ズアルデヒド、４−シクロヘキシル−２−ヒドロキシ−
ベンズアルデヒドのような炭素数１〜６のアルキル基が
置換されたアルキル基置換ヒドロキシベンズアルデヒド
類、４−ヒドロキシ−２−フェニル−ベンズアルデヒド
のようなフェニル基置換ヒドロキシベンズアルデヒド類
等を挙げることができる。
【００１７】前記のヒドロキシル基含有ベンズアルデヒ
ド類（Ｂ）類のなかでは、難燃性に優れることを考慮す
ると、特に、４−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−ヒ
ドロキシベンズアルデヒド、３−ヒドロキシベンズアル
デヒド、フェニル基置換ヒドロキシベンズアルデヒド類
が好ましく用いらる。４−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、２−ヒドロキシベンズアルデヒド、または３−ヒド
ロキシベンズアルデヒドを用いた場合は、一般式（５）
ド類（Ｂ）類のなかでは、難燃性に優れることを考慮す
ると、特に、４−ヒドロキシベンズアルデヒド、２−ヒ
ドロキシベンズアルデヒド、３−ヒドロキシベンズアル
デヒド、フェニル基置換ヒドロキシベンズアルデヒド類
が好ましく用いらる。４−ヒドロキシベンズアルデヒ
ド、２−ヒドロキシベンズアルデヒド、または３−ヒド
ロキシベンズアルデヒドを用いた場合は、一般式（５）
【化１０】 で表される化合物である１０−（４−ヒドロキシフェニ
ル）−１０Ｈ−９−オキサ−１０−フォスファフェナン
トレン−１０−オキサイド、１０−（２−ヒドロキシフ
ェニル）−１０Ｈ−９−オキサ−１０−フォスファフェ
ナントレン−１０−オキサイド、または１０−（３−ヒ
ドロキシフェニル）−１０Ｈ−９−オキサ−１０−フォ
スファフェナントレン−１０−オキサイドがそれぞれ得
られる。
ル）−１０Ｈ−９−オキサ−１０−フォスファフェナン
トレン−１０−オキサイド、１０−（２−ヒドロキシフ
ェニル）−１０Ｈ−９−オキサ−１０−フォスファフェ
ナントレン−１０−オキサイド、または１０−（３−ヒ
ドロキシフェニル）−１０Ｈ−９−オキサ−１０−フォ
スファフェナントレン−１０−オキサイドがそれぞれ得
られる。
【００１８】また、フェニル基置換ヒドロキシベンズア
ルデヒド類を用いた場合には、一般式（６）
ルデヒド類を用いた場合には、一般式（６）
【化１１】 で表される化合物である１０−（フェニル−ヒドロキシ
フェニル）−１０Ｈ−９−オキサ−１０−フォスファフ
ェナントレン−１０−オキサイドが得られる。
フェニル）−１０Ｈ−９−オキサ−１０−フォスファフ
ェナントレン−１０−オキサイドが得られる。
【００１９】また、前記のヒドロキシル基含有ベンズア
ルデヒド類（Ｂ）類のなかで、溶剤溶解性に優れること
を考慮すると、特に、ターシャリーブチル基置換ヒドロ
キシベンズアルデヒド類を用いることが好ましく、一般
式（７）
ルデヒド類（Ｂ）類のなかで、溶剤溶解性に優れること
を考慮すると、特に、ターシャリーブチル基置換ヒドロ
キシベンズアルデヒド類を用いることが好ましく、一般
式（７）
【化１２】 で表される化合物である１０−（ターシャリーブチル−
ヒドロキシフェニル）−１０Ｈ−９−オキサ−１０−フ
ォスファフェナントレン−１０−オキサイドが得られ
る。
ヒドロキシフェニル）−１０Ｈ−９−オキサ−１０−フ
ォスファフェナントレン−１０−オキサイドが得られ
る。
【００２０】前記の９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−
１０−フォスファフェナントレン−１０−オキサイド
（Ａ）とヒドロキシル基含有ベンズアルデヒド類（Ｂ）
との反応において、ヒドロキシベンズアルデヒド類
（Ｂ）は、９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−フ
ォスファフェナントレン−１０−オキサイド１モルに対
して、通常、０．１〜１０．０モルの範囲で用いられる
が、収率を考慮すると、とくに０．９〜１．０モルの範
囲が好ましい。
１０−フォスファフェナントレン−１０−オキサイド
（Ａ）とヒドロキシル基含有ベンズアルデヒド類（Ｂ）
との反応において、ヒドロキシベンズアルデヒド類
（Ｂ）は、９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−フ
ォスファフェナントレン−１０−オキサイド１モルに対
して、通常、０．１〜１０．０モルの範囲で用いられる
が、収率を考慮すると、とくに０．９〜１．０モルの範
囲が好ましい。
【００２１】前記の９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−
１０−フォスファフェナントレン−１０−オキサイド
（Ａ）とヒドロキシル基含有ベンズアルデヒド類（Ｂ）
との反応において、反応溶剤は用いてもよく、また、用
いなくてもよい。反応溶剤を用いる場合、ヒドロキシベ
ンズアルデヒド類（Ｂ）及び９，１０−ジヒドロ−９−
オキサ−１０−フォスファフェナントレン−１０−オキ
サイド（Ａ）とに不活性であるものが好ましく、例え
ば、脂肪族アルコール、芳香族炭化水素又はこれらの混
合溶剤が用いられる。脂肪族アルコールとしては、用い
る反応原料、得られる生成物の溶解度、反応条件、反応
の経済性等を考慮して、メタノール、エタノール、イソ
プロピルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｔ−ブ
チルアルコール、イソブチルアルコール、ｎ−ブチルア
ルコール、エチレングリコール低級アルキルエーテル
類、又は、プロピレングリコール低級アルキルエーテル
等を挙げることができる、また、芳香族炭化水素溶剤と
しては、例えば、トルエン、キシレン、クメン等を挙げ
ることができる。このような溶剤は、通常、用いる９，
１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナ
ントレン−１０−オキサイド（Ａ）とヒドロキシベンズ
アルデヒド（Ｂ）類の合計１００重量部に対して、２０
〜５００重量部の範囲で用いられるが、これに限定され
るものではない。
１０−フォスファフェナントレン−１０−オキサイド
（Ａ）とヒドロキシル基含有ベンズアルデヒド類（Ｂ）
との反応において、反応溶剤は用いてもよく、また、用
いなくてもよい。反応溶剤を用いる場合、ヒドロキシベ
ンズアルデヒド類（Ｂ）及び９，１０−ジヒドロ−９−
オキサ−１０−フォスファフェナントレン−１０−オキ
サイド（Ａ）とに不活性であるものが好ましく、例え
ば、脂肪族アルコール、芳香族炭化水素又はこれらの混
合溶剤が用いられる。脂肪族アルコールとしては、用い
る反応原料、得られる生成物の溶解度、反応条件、反応
の経済性等を考慮して、メタノール、エタノール、イソ
プロピルアルコール、ｎ−プロピルアルコール、ｔ−ブ
チルアルコール、イソブチルアルコール、ｎ−ブチルア
ルコール、エチレングリコール低級アルキルエーテル
類、又は、プロピレングリコール低級アルキルエーテル
等を挙げることができる、また、芳香族炭化水素溶剤と
しては、例えば、トルエン、キシレン、クメン等を挙げ
ることができる。このような溶剤は、通常、用いる９，
１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−フォスファフェナ
ントレン−１０−オキサイド（Ａ）とヒドロキシベンズ
アルデヒド（Ｂ）類の合計１００重量部に対して、２０
〜５００重量部の範囲で用いられるが、これに限定され
るものではない。
【００２２】前記、９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−
１０−フォスファフェナントレン−１０−オキサイド
（Ａ）とヒドロキシル基含有ベンズアルデヒド類（Ｂ）
との反応は、通常２０〜２００℃、好ましくは、反応時
間を短縮できる点で５０〜１５０℃の温度で、攪拌しな
がら２〜５０時間程度、通常は５〜２４時間程度行な
う。
１０−フォスファフェナントレン−１０−オキサイド
（Ａ）とヒドロキシル基含有ベンズアルデヒド類（Ｂ）
との反応は、通常２０〜２００℃、好ましくは、反応時
間を短縮できる点で５０〜１５０℃の温度で、攪拌しな
がら２〜５０時間程度、通常は５〜２４時間程度行な
う。
【００２３】反応終了後、通常、得られた反応混合物を
濾別して、次いで適当な有機溶剤、例えば、メタノー
ル、エタノール、アセトン、トルエン、ジオキサン、ヘ
キサンなどを用いて洗浄精製した後に、乾燥させること
によって、目的とする燐原子含有フェノール化合物を容
易に得ることができる。
濾別して、次いで適当な有機溶剤、例えば、メタノー
ル、エタノール、アセトン、トルエン、ジオキサン、ヘ
キサンなどを用いて洗浄精製した後に、乾燥させること
によって、目的とする燐原子含有フェノール化合物を容
易に得ることができる。
【００２４】
【実施例】以下に実施例を挙げて以下に本発明を説明す
るが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるもの
ではない。
るが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるもの
ではない。
【００２５】実施例１ 一般式（８）で表される燐原子含有フェノール化合物；
１０−（４−ヒドロキシフェニル）−１０Ｈ−９−オキ
サ−１０−フォスファフェナントレン−１０−オキサイ
ドの合成。
１０−（４−ヒドロキシフェニル）−１０Ｈ−９−オキ
サ−１０−フォスファフェナントレン−１０−オキサイ
ドの合成。
【化１３】
【００２６】撹拌装置と加熱装置が付いた１リットル四
つ口フラスコに、９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１
０−フォスファフェナントレン−１０−オキサイド
（Ａ）２１６ｇ（１．０モル）と４―ヒドロキシベンズ
アルデヒド１２２ｇ（１．０モル）とイソプロピルアル
コール１００ｇを仕込み、窒素ガスを流しながら、還留
状態まで加熱して、２０時間撹拌を続けた。反応終了
後、析出した結晶を濾別して粗結晶物を得た。それをア
セトン１０００ｇで精製洗浄して、次いでこれを乾燥さ
せることによって本発明に係る燐原子含有フェノール化
合物;１０−（４−ヒドロキシフェニル）−１０Ｈ−９
−オキサ−１０−フォスファフェナントレン−１０−オ
キサイド２９８ｇを得た。
つ口フラスコに、９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１
０−フォスファフェナントレン−１０−オキサイド
（Ａ）２１６ｇ（１．０モル）と４―ヒドロキシベンズ
アルデヒド１２２ｇ（１．０モル）とイソプロピルアル
コール１００ｇを仕込み、窒素ガスを流しながら、還留
状態まで加熱して、２０時間撹拌を続けた。反応終了
後、析出した結晶を濾別して粗結晶物を得た。それをア
セトン１０００ｇで精製洗浄して、次いでこれを乾燥さ
せることによって本発明に係る燐原子含有フェノール化
合物;１０−（４−ヒドロキシフェニル）−１０Ｈ−９
−オキサ−１０−フォスファフェナントレン−１０−オ
キサイド２９８ｇを得た。
【００２７】赤外線吸収スペクトルを図１に、13ＣＮＭ
Ｒスペクトルを図２に示す。
Ｒスペクトルを図２に示す。
【００２８】元素分析値（Ｃ19Ｈ15Ｏ4Ｐとして）は次
のとおり。 計算値 C ６７．５％、H ４．５％、O １８．９％ 実測値 C ６８．０％、H ４．２％、O １９．０％
のとおり。 計算値 C ６７．５％、H ４．５％、O １８．９％ 実測値 C ６８．０％、H ４．２％、O １９．０％
【００２９】
【発明の効果】本発明による新規な燐原子含有フェノー
ル化合物は、分子中に燐原子を有し、優れた難燃性を有
する。
ル化合物は、分子中に燐原子を有し、優れた難燃性を有
する。
【図１】 実施例１で得られた本発明に係る化合物の赤
外吸収スペクトルである。
外吸収スペクトルである。
【図２】 実施例１で得られた本発明に係る化合物の13
ＣＮＭＲスペクトルである。
ＣＮＭＲスペクトルである。
Claims (6)
- 【請求項１】９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−
フォスファフェナントレン−１０−オキサイド（Ａ）と
ヒドロキシル基含有ベンズアルデヒド類（Ｂ）を反応さ
せることを特徴とする燐原子含有フェノール化合物の製
造方法。 - 【請求項２】ヒドロキシベンズアルデヒド類（Ｂ）が一
般式（１）で表される化合物である請求項１記載の製造
方法。 【化１】 （式中、Ｒ1 は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ2
は炭素数５若しくは６のシクロアルキル基を示し、Ｒ3
はフェニル基を示し、ｍは０〜３の整数を示し、ｎ及び
ｋはそれぞれ、０〜２の整数を示し、ｍ＋ｎ＋ｋ≧３で
ある。） - 【請求項３】ヒドロキシル基含有ベンズアルデヒド類
（Ｂ）がフェニル基を置換基として有するヒドロキシベ
ンズアルデヒド類、またはヒドロキシベンズアルデヒド
類である請求項１記載の製造方法。 - 【請求項４】ヒドロキシル基含有ベンズアルデヒド類
（Ｂ）が、２−ヒドロキシベンズアルデヒド、３−ヒド
ロキシベンズアルデヒド、又は、４−ヒドロキシベンズ
アルデヒドいずれかひとつである請求項１記載の製造方
法。 - 【請求項５】一般式（２） 【化２】 （式中、Ｒ1 は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ2
は炭素数５若しくは６のシクロアルキル基を示し、Ｒ3
はフェニル基を示し、ｍは０〜３の整数を示し、ｎ及び
ｋはそれぞれ、０〜２の整数を示し、ｍ＋ｎ＋ｋ≧３で
ある。）で表わされる燐原子含有フェノール化合物。 - 【請求項６】一般式（３）で表わされる燐原子含有フェ
ノール化合物。 【化３】
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|---|---|---|---|
| JP2000181391A JP2001354685A (ja) | 2000-06-16 | 2000-06-16 | 燐原子含有フェノール化合物とその製造方法 |
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| JP2000181391A JP2001354685A (ja) | 2000-06-16 | 2000-06-16 | 燐原子含有フェノール化合物とその製造方法 |
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