JPH11199533A - 新規なポリフェノール化合物 - Google Patents

新規なポリフェノール化合物

Info

Publication number
JPH11199533A
JPH11199533A JP31298998A JP31298998A JPH11199533A JP H11199533 A JPH11199533 A JP H11199533A JP 31298998 A JP31298998 A JP 31298998A JP 31298998 A JP31298998 A JP 31298998A JP H11199533 A JPH11199533 A JP H11199533A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
compound
formula
reaction
polyphenol compound
methyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP31298998A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4132302B2 (ja
Inventor
Toyohiko Maeda
豊彦 前田
Toru Masuda
透 増田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Honshu Chemical Industry Co Ltd
Original Assignee
Honshu Chemical Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Honshu Chemical Industry Co Ltd filed Critical Honshu Chemical Industry Co Ltd
Priority to JP31298998A priority Critical patent/JP4132302B2/ja
Publication of JPH11199533A publication Critical patent/JPH11199533A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4132302B2 publication Critical patent/JP4132302B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】トリスフェニルメタン型のトリスフェノール骨
格がメチレン基を介して相互に結合されてなり、多くの
フェノール性水酸基と多くの芳香核を有するので、種々
の有機溶媒への溶解性にすぐれ、種々の有機溶媒を用い
た用途への展開が可能である新規なポリフェノール化合
物を提供することを目的とする。 【解決手段】本発明によるポリフェノール化合物は、一
般式(I) 【化1】 (式中、Xは一般式(II) 【化2】 (式中、R1 、R2 及びR3 は、それぞれ独立に水素原
子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数5又は6のシ
クロアルキル基を示す。)で表わされる1価基を示
す。)で表わされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、新規な多核体ポリ
フェノール化合物に関し、詳しくは、トリスフェニルメ
タン型のトリスフェノール骨格がメチレン基にて相互に
結合されてなる構造を有する多核体ポリフェノール化合
物に関する。
【0002】このような多核体ポリフェノール化合物
は、半導体用フォトレジスト等の感光性材料の基材、集
積回路の封止材料等に用いられるエポキシ樹脂の原料や
硬化剤、感熱記録材料記録に用いられる顕色剤や退色防
止剤、このほか、殺菌剤、防菌防カビ剤等の添加剤とし
ても有用である。
【0003】
【従来の技術】従来、ポリフェノール化合物は、例え
ば、Eugen Mueller 編、METHODEN DERORGANISCHEN CHEM
IE (HOUBEN-WEYL), Band VI/1c, "Phenol", Teil 2, p
p. 1021-1061, Georg Thieme Verlag Stuttgart (1976)
に多数のものが記載されており、その後も、新たなポ
リフェノール化合物が多数、提案されている。
【0004】このようなポリフェノール化合物のなか
で、トリスフェニルメタン型のトリスフェノール化合物
としては、例えば、特開平6−115255号公報、特
開平6−100630号公報、特開平6−59446号
公報、特開平6−199717号公報、T. Miuraら、J.
Phys. IV, 3 (C4, 4th International Workshop onPos
itron and Positronium Chemistry), 249 (1993) 等に
4,4',4" −メチリデントリスフェノールが、特開平6−
199717号公報、特開平6−115255号公報、
特開平5−173326号公報、特開平5−24968
1号公報、特開平4−11260号公報、特開平3−2
00254号公報、佐藤ら、油化学、37(3), 166 (198
8)等に4,4'−〔(4−ヒドロキシフェニル)メチレン〕
ビス〔2−メチルフェノール〕が、ヨーロツパ特許出願
公報第 510,672号には4,4'−〔(2−ヒドロキシフェニ
ル)メチレン〕ビス〔2,3 5−トリメチルフェノール〕
が、また、特開平6−1741号公報には4,4'−〔(4
−ヒドロキシフェニル)メチレン〕ビス〔2−シクロヘ
キシル−5−メチルフェノール〕と4,4'−〔(2−ヒド
ロキシフェニル)メチレン〕ビス〔2−シクロヘキシル
−5−メチルフェノール〕がそれぞれ開示されている。
【0005】しかしながら、トリスフェニルメタン型の
トリスフェノール骨格がメチレン基を介して相互に結合
されてるなる多核体ポリフェノール化合物は、従来、知
られていない。
【0006】このような多核体ポリフェノール化合物
は、それ自体、多くの芳香核を有するので、親油性にす
ぐれ、また、それらの芳香核が更にアルキル基やシクロ
アルキル基を置換基として有するときは、その親油性が
増大すると共に、分子中に多くのフェノール性水酸基を
有するので、その用途も一層拡大されて、幅広い用途へ
の展開が可能である。例えば、このような多核体ポリフ
ェノール化合物を原料として用いることによって、耐水
性、耐熱性や電気特性等の諸性能が一層改善された種々
の樹脂を与えることが期待できる。
【0007】また、フォトレジスト等の感光性材料の分
野でも、解像度、現像性等の要求性能は、感光基を有す
る化合物との反応性や、現像液との親和性によって決ま
るので、反応性が種々の水準で異なる水酸基を分子内に
有するそのような多核体ポリフェノール化合物が求めら
れている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、トリスフェ
ニルメタン型のトリスフェノール骨格がメチレン基を介
して相互に結合されてなる多核体ポリフェノール化合物
を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明による新規な多核
体ポリフェノール化合物は、一般式(I)
【0010】
【化3】
【0011】(式中、Xは一般式(II)
【0012】
【化4】
【0013】(式中、R1 、R2 及びR3 は、それぞれ
独立に水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数
5又は6のシクロアルキル基を示す。)で表わされる1
価基を示す。)で表わされる。
【0014】上記一般式(II)において、R1 、R2
はR3 が炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数5又は6
のシクロアルキル基であるとき、それらの具体例とし
て、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル
基、ペンチル基、シクロペンチル基又はシクロヘキシル
基を挙げることができる。これらのなかでは、特に、メ
チル基、エチル基、プロピル基又はシクロヘキシル基が
好ましい。
【0015】従って、本発明によるこのような多核体ポ
リフェノール化合物としては、具体的には、例えば、
【0016】
【化5】
【0017】で表わされる4,4'−メチレンビス〔2−
(ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メ
チル)フェノール(1)、
【0018】
【化6】
【0019】で表わされる4,4'−メチレンビス〔2−
(ビス(4−ヒドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)メ
チル)フェノール(2)、
【0020】
【化7】
【0021】で表わされる4,4'−メチレンビス〔2−
(ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)メチ
ル)フェノール(3)や、このほか、構造式
【0022】
【化8】
【0023】
【化9】
【0024】
【化10】
【0025】
【化11】
【0026】
【化12】
【0027】
【化13】
【0028】
【化14】
【0029】
【化15】
【0030】
【化16】
【0031】
【化17】
【0032】
【化18】
【0033】で表わされるもの等を挙げることができる
が、しかし、これらに限定されるものではない。
【0034】かかる本発明による新規な多核体ポリフェ
ノール化合物は、酸触媒の存在下、式(III)
【0035】
【化19】
【0036】で表わされるメチレンビスサリチルアルデ
ヒドと一般式(IV)
【0037】
【化20】
【0038】(式中、R1 、R2 及びR3 は、それぞれ
独立に水素原子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数
5又は6のシクロアルキル基を示す。)で表わされるフ
ェノール類とを反応させることによって得ることができ
る。
【0039】上記一般式(IV)で表わされるフェノール
類のなかでは、特に、R1 、R2 及びR3の少なくとも
1つが炭素数5若しくは6のシクロアルキル基である
か、又は、炭素数3〜5のアルキル基であるものが好ま
しい。
【0040】本発明による多核体ポリフェノール化合物
の製造において、上記一般式(IV)で表わされるフェノ
ール類としては、具体的には、フェノール、o−又はm
−クレゾール、2,3−、2,5−、2,6−又は3,5−キシ
レノール、2,3,5−又は2,3,6−トリメチルフェノー
ル、3−メチル−6−シクロヘキシルフェノール、2−
(1−メチルエチル)−5−メチルフェノール、o−イ
ソプロピルフェノール、o−シクロペンチルフェノー
ル、o−シクロヘキシルフェノール、2−イソプロピル
フェノール、3−メチル−6−イソプロピルフェノー
ル、2,6−ジ−t−ブチルフェノール、3−メチル−6
−シクロヘキシルフェノール等を挙げることができる。
【0041】上記フェノール類とメチレンビスサリチル
アルデヒドとの反応において、フェノール類は、メチレ
ンビスサリチルアルデヒド1モル部に対して、4モル部
以上、通常、4〜20モル部の範囲で用いられる。
【0042】上記フェノール類とメチレンビスサリチル
アルデヒドとの反応において、反応溶剤は用いてもよ
く、また、用いなくてもよい。反応溶剤を用いる場合、
例えば、脂肪族アルコール溶剤、脂肪族ケトン溶剤、芳
香族炭化水素溶剤又はこれらの混合溶剤が用いられる。
アルコール溶剤としては、用いる反応原料、得られる生
成物の溶解度、反応条件、反応の経済性等を考慮して、
メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、n
−プロピルアルコール、t−ブチルアルコール、イソブ
チルアルコール、n−ブチルアルコール等を挙げること
ができる。
【0043】脂肪族ケトン溶剤としては、例えば、イソ
プロピルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチ
ルケトン、ジイソプロピルケトン等を挙げることができ
る。また、芳香族炭化水素溶剤としては、例えば、トル
エン、キシレン、クメン等を挙げることができる。
【0044】このような溶剤は、通常、用いるメチレン
ビスサリチルアルデヒド100重量部に対して、10〜
1000重量部、好ましくは、30〜300重量部の範
囲で用いられるが、これに限定されるものではない。
【0045】本発明において、上記酸触媒としては、反
応溶剤に溶解する酸が好ましく、従って、例えば、塩
酸、硫酸、無水硫酸、p−トルエンスルホン酸、メタン
スルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、シュウ
酸、ギ酸、リン酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸
等を好ましい具体例として挙げることができる。特に、
塩酸が好ましく用いられる。このような酸触媒は、例え
ば、35%塩酸の場合は、メチレンビスサリチルアルデ
ヒド100重量部に対して、1〜500重量部、好まし
くは、20〜100重量部の範囲で用いられる。
【0046】反応は、通常、20℃から80℃、好まし
くは、30〜60℃にて、空気中、より好ましくは、窒
素等の不活性ガス雰囲気中、攪拌しながら、2〜48時
間程度、通常、6〜24時間程度行なえばよい。本発明
においては、通常、反応によって生成する多核体ポリフ
ェノール化合物は、反応溶剤に溶解し難いために、上記
反応温度条件下では、反応液中に析出する。
【0047】そこで、反応終了後、得られた反応混合物
にアンモニア水、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ
水溶液を加えて、酸触媒を中和した後、必要に応じて、
反応混合物を冷却して、得られた粗結晶を濾取し、次い
で、この粗結晶を芳香族炭化水素、脂肪族ケトン又はこ
れらの混合溶剤に溶解させ、得られた溶液をイオン交換
水で洗浄した後、冷却し、結晶を析出させ、これを濾過
し、乾燥することによって、目的とする多核体ポリフェ
ノール化合物の高純度品を容易に得ることができる。
【0048】他方、反応終了後に、反応混合物中に結晶
の析出がないときは、同様に、反応終了後、得られた反
応混合物にアルカリを加えて、酸触媒を中和した後、水
層を分離除去し、得られた有機層を常圧又は減圧下に蒸
留し、得られた蒸留残渣に芳香族炭化水素、脂肪族ケト
ン又はこれらの混合溶剤を加えて、蒸留残渣を溶解さ
せ、得られた溶液をイオン交換水で洗浄、脱塩した後、
必要に応じて、溶剤を濃縮除去した後、冷却し、粗結晶
を析出させ、次いで、この粗結晶を濾取し、これを芳香
族炭化水素、脂肪族ケトン又はこれらの混合溶剤から晶
析させることによって、目的とする多核体ポリフェノー
ル化合物の高純度品を容易に得ることができる。
【0049】上記後者の方法において蒸留残渣を溶解す
るための溶剤と上記晶析溶剤は、晶析条件、精製効果、
経済性等を考慮して、適宜に選択される。芳香族炭化水
素としては、例えば、トルエン、キシレン、クメン等を
挙げることができ、また、ケトンとしては、例えば、イ
ソプロピルケトン、メチルエチルケトン、メチルイソブ
チルケトン、ジイソプロピルケトン等を挙げることがで
きる。このような晶析溶剤は、通常、粗結晶100重量
部に対して、20〜1000重量部、好ましくは、10
0〜500重量部の範囲で加えることによって、目的と
する多核体ポリフェノール化合物を高純度に晶析させる
ことができる。
【0050】
【発明の効果】本発明による新規な多核体ポリフェノー
ル化合物は、トリスフェニルメタン型のトリスフェノー
ル骨格がメチレン基を介して相互に結合されてなる構造
を有し、多くのフェノール性水酸基と多くの芳香核を有
して、種々の有機溶媒への溶解性にすぐれるので、種々
の有機溶媒を用いる用途への展開が可能である。
【0051】更に、本発明による多核体ポリフェノール
化合物は、これを原料として用いて、種々の反応、例え
ば、フェノール性芳香環に対する置換反応や水添反応、
フェノール水酸基に対する反応等を行なうことによっ
て、種々の誘導体とすることができる。
【0052】先ず、フェノール性芳香環に対する置換反
応によって誘導体を得る具体例としては、例えば、本発
明による多核体ポリフェノール化合物にイソブテン等の
オレフィン類、アルコール類、カルボニル化合物、ハロ
ゲン化アルキル等を酸又は塩基触媒の存在下にアルキル
化反応させることによって、種々のアルキル置換誘導体
を得ることができる。
【0053】例えば、塩化アセチル等のような酸ハロゲ
ン化物や酸無水物をルイス酸の存在下で反応させて、ア
シル置換多核体ポリフェノール化合物を得ることができ
る。二酸化炭素を加圧、加熱下で反応させるコルベ・シ
ュミット反応によれば、カルボキシル置換ポリフェノー
ル化合物を得ることができる。硝酸−酢酸等のニトロ化
剤を反応させれば、ニトロ置換ポリフェノール化合物を
得ることができる。ホルムアルデヒドによってメチロー
ル化反応させれば、メチロール基を有するポリフェノー
ル化合物を得ることができる。アルカリ性水溶液中、無
水酢酸によってアセチル化すれば、アセチル置換ポリフ
ェノール化合物を、また、アルカリ性水溶液中、クロロ
ホルムによってホルミル化すれば、アルデヒド置換ポリ
フェノール化合物を得ることができる。ハロゲン化試剤
によってハロゲン化すれば、ハロゲン置換ポリフェノー
ル化合物を得ることができ、ジアゾニウム塩を反応させ
れば、アゾ置換ポリフェノール化合物を得ることができ
る。ホルムアルデヒドと第2級アミンとを反応させれ
ば、アミノメチル置換ポリフェノール化合物を得ること
ができる。亜硝酸との反応によれば、ニトロソ置換ポリ
フェノール化合物を得ることができる。酸又はアルカリ
触媒の存在下、他のフェノール類と反応させることによ
って、ノボラック樹脂を得ることができる。
【0054】次に、フェノール性水酸基に対する反応に
よって誘導体を得る具体例としては、例えば、フェノー
ル性水酸基にハロゲン化アルキル、ハロゲン化アリル、
エピクロロヒドリン等を反応させることによって、それ
ぞれ対応するポリフェノールエーテル化合物を得ること
ができる。
【0055】特に、フェノール性水酸基をt−ブトキシ
カルボニルメチルエーテルとするには、本発明によるポ
リフェノール化合物を適当な溶媒に溶解させた後、得ら
れた溶液にクロロ酢酸t−ブチルと炭酸カリウムを加
え、攪拌下に加熱することによって得ることができる。
また、本発明によるポリフェノール化合物を適当な溶媒
に溶解させ、エピクロロヒドリンを反応させて得られる
グリシジルエーテルは、エポキシ樹脂として利用するこ
とができる。このようなグリシジルエーテルに更にアク
リル酸やメタクリル酸を反応させれば、エポキシ(メ
タ)アクリレートを得ることもできる。フェノール性水
酸基に酸無水物、酸塩化物等を反応させることによっ
て、ポリフェノールエステルを得ることができる。特
に、フェノール水酸基に、例えば、1,2−ナフトキノン
ジアジド−4−スルホニルクロライドを反応させれば、
ポリフェノール化合物のナフトキノンジアジドスルホン
酸エステルを得ることができる。
【0056】上記以外にも、本発明によるポリフェノー
ル化合物を、例えば、加圧下、気相反応によって、芳香
環を完全水素化又は部分環水素化することによって、種
々の多環芳香環水素化化合物を得ることができる。
【0057】
【実施例】以下に実施例を挙げて以下に本発明を説明す
るが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるもの
ではない。
【0058】実施例1 (4,4'−メチレンビス〔2−(ビス(4−ヒドロキシ−
3,5−ジメチルフェニル)メチル)フェノール(1))
の合成 温度計、冷却器及び攪拌機を備えた1000mL容量の
四つ口フラスコに2,6−キシレノール152.8g,メチ
レンビスサリチルアルデヒド40.1g、トルエン15.3
g及び35%塩酸15.3gを仕込み、50℃で18時
間、反応を行なった。
【0059】反応終了後、析出した反応生成物を含む反
応混合物に水酸化ナトリウム水溶液を加えて、塩酸を中
和した後、反応混合物を濾過して、反応生成物を濾取し
た。
【0060】得られた粗結晶をトルエン/メチルエチル
ケトン混合溶剤から再結晶して、目的とする多核体ポリ
フェノール化合物76.1g(純度96.4%)を収率69
%にて得た。
【0061】化学式:C47486 融点:241.9℃(示差走査熱量分析法(DSC法)) 赤外線吸収スペクトル(KBr錠剤法、cm-1):353
3.3及び3489.0(OH)、2919.1(CH3 νas)、2858.
3(CH3 νs)、1607.6及び1488.0(ベンゼン環)、14
33.0(CH3 δas、gem−メチル基)、1381.9(CH
3 δs)、1288.4〜1095.5(ベンゼン環) プロトン核磁気共鳴スペクトル(60MHz、溶媒DM
SO−D6、標準TMS):
【0062】
【化21】
【0063】
【表1】
【0064】実施例2 (4,4'−メチレンビス〔2−(ビス(4−ヒドロキシ−
2,5−ジメチルフェニル)メチル)フェノール(2)の
合成)温度計、冷却器及び攪拌機を備えた1000mL
容量の四つ口フラスコに2,5−キシレノール165.2
g、メチレンビスサリチルアルデヒド34.7g、メチル
イソブチルケトン92g及び35%塩酸16.5gを仕込
み、40℃で19時間、反応を行なった。
【0065】反応終了後、析出した反応生成物を含む反
応混合物に水酸化ナトリウム水溶液を加えて、塩酸を中
和した後、反応混合物を濾過して、反応生成物を濾取し
た。
【0066】得られた粗結晶をトルエン/メチルエチル
ケトン混合溶剤から再結晶して、目的とする多核体ポリ
フェノール化合物72.9g(純度98.3%)を収率76
%にて得た。
【0067】化学式:C47486 融点:210.5℃、288.5℃(示差走査熱量分析法
(DSC法)) 赤外線吸収スペクトル(KBr錠剤法、cm-1):342
3.4(OH)、2923.9(CH3 νas)、2865.1(CH3
νs)、1617.2及び1503.4(ベンゼン環)、1462.9(C
3 δas、gem−メチル基)、1377.1(CH
3 δs)、1280.6〜1058.8(ベンゼン環) プロトン核磁気共鳴スペクトル(60MHz、溶媒DM
SO−D6、標準TMS):
【0068】
【化22】
【0069】
【表2】
【0070】実施例3 (4,4'−メチレンビス〔2−(ビス(4−ヒドロキシ−
3−メチルフェニル)メチル)フェノール(3)の合
成)温度計、冷却器及び攪拌機を備えた1000mL容
量の四つ口フラスコにo−クレゾール148.6g、メチ
レンビスサリチルアルデヒド44g及び35%塩酸15
gを仕込み、50℃で10時間、反応を行なった。
【0071】反応終了後、反応混合物に水酸化ナトリウ
ム水溶液を加えて、塩酸を中和した後、水層を分離し
て、有機層を得た。この有機層を常圧乃至10mmHg
の減圧下に蒸留して、水と未反応のo−クレゾールとを
除去した。得られた蒸留残渣にトルエン/メチルイソブ
チルケトン混合溶剤を加えて溶解させ、得られた溶液を
イオン交換水にて洗浄した後、冷却して、粗結晶を得
た。この粗結晶を濾取し、乾燥して、目的とする多核体
ポリフェノール化合物84.0g(純度99%)を収率7
5%にて得た。
【0072】化学式:C43406 融点:136.6℃(示差走査熱量分析法(DSC法)) 質量分析:m/e(分子イオンピーク)=652 赤外線吸収スペクトル(KBr錠剤法、cm-1):335
9.8(OH)、3018.4(CH3 νas)、2921.0(CH3
νs)、1609.5及び1503.4(ベンゼン環)、1425.3(C
3 δas、gem−メチル基)、1330.8(CH
3 δs)、1264.3〜1096.5(ベンゼン環) プロトン核磁気共鳴スペクトル(60MHz、溶媒DM
SO−D6、標準TMS):
【0073】
【化23】
【0074】
【表3】
【0075】実施例4 (4,4'−メチレンビス〔2−(ビス(4−ヒドロキシ−
3−シクロヘキシル−5−メチルフェニル)メチル)フ
ェノールの合成)温度計、冷却器及び攪拌機を備えた1
000mL容量の四つ口フラスコに3−メチル−6−シ
クロヘキシルフェノール190g、メチレンビスサリチ
ルアルデヒド40.1g、メタノール56g及び35%塩
酸3.8gを仕込み、50℃で22時間、反応を行なっ
た。
【0076】反応終了後、析出した反応生成物を含む反
応混合物に水酸化ナトリウム水溶液を加えて、塩酸を中
和した後、反応混合物を濾過して、反応生成物を濾取し
た。得られた粗結晶をトルエン/メチルエチルケトン混
合溶剤から再結晶して、目的とする多核体ポリフェノー
ル化合物104g(純度99.2%)を収率64%にて得
た。
【0077】化学式:C67806 融点:230.1℃(示差走査熱量分析法(DSC法)) 質量分析:m/e(分子イオンピーク)=980 赤外線吸収スペクトル(KBr錠剤法、cm-1):336
3.6(OH)、2925.8(CH2 νas)、2851.6(CH2
νs)、1610.5及び1505.3(ベンゼン環)、1448.4(C
2 はさみ)、1266.2〜1150.5(ベンゼン環) プロトン核磁気共鳴スペクトル(60MHz、溶媒DM
SO−D6、標準TMS):
【0078】
【化24】
【0079】
【表4】

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】一般式(I) 【化1】 (式中、Xは一般式(II) 【化2】 (式中、R1 、R2 及びR3 は、それぞれ独立に水素原
    子、炭素数1〜5のアルキル基又は炭素数5又は6のシ
    クロアルキル基を示す。)で表わされる1価基を示
    す。)で表わされる多核体ポリフェノール化合物。
  2. 【請求項2】4,4'−メチレンビス〔2−(ビス(4−ヒ
    ドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)メチル)フェノー
    ル。
  3. 【請求項3】4,4'−メチレンビス〔2−(ビス(4−ヒ
    ドロキシ−2,5−ジメチルフェニル)メチル)フェノー
    ル。
  4. 【請求項4】4,4'−メチレンビス〔2−(ビス(4−ヒ
    ドロキシ−3−メチルフェニル)メチル)フェノール。
JP31298998A 1997-11-07 1998-11-04 新規なポリフェノール化合物 Expired - Lifetime JP4132302B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP31298998A JP4132302B2 (ja) 1997-11-07 1998-11-04 新規なポリフェノール化合物

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9-306165 1997-11-07
JP30616597 1997-11-07
JP31298998A JP4132302B2 (ja) 1997-11-07 1998-11-04 新規なポリフェノール化合物

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008014802A Division JP2008163032A (ja) 1997-11-07 2008-01-25 新規なポリフェノール類

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11199533A true JPH11199533A (ja) 1999-07-27
JP4132302B2 JP4132302B2 (ja) 2008-08-13

Family

ID=26564593

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP31298998A Expired - Lifetime JP4132302B2 (ja) 1997-11-07 1998-11-04 新規なポリフェノール化合物

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4132302B2 (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006082856A1 (ja) * 2005-02-02 2006-08-10 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
WO2006090757A1 (ja) * 2005-02-25 2006-08-31 Honshu Chemical Industry Co., Ltd. 新規なビス(ヒドロキシベンズアルデヒド)化合物及びそれらから誘導される新規な多核体ポリフェノール化合物及びその製造方法
WO2007004566A1 (ja) * 2005-07-05 2007-01-11 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2007119370A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 化合物およびその製造方法
WO2008044568A1 (fr) * 2006-10-13 2008-04-17 Honshu Chemical Industry Co., Ltd. Nouveau bis(formylphényl)alcane et nouveau phénol polynucléaire dérivé de celui-ci
KR100864395B1 (ko) 2005-02-25 2008-10-20 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및화합물
US7851129B2 (en) 2004-10-29 2010-12-14 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, resist pattern forming method and compound
US7858819B2 (en) 2006-06-09 2010-12-28 Honshu Chemical Industry Co., Ltd. Tris(formylphenyl) and novel polynuclear phenol derived therefrom
US7862981B2 (en) 2005-06-17 2011-01-04 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Compound, positive resist composition and method of forming resist pattern
US7897319B2 (en) 2004-07-28 2011-03-01 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and method of forming resist pattern
US7901865B2 (en) 2004-09-08 2011-03-08 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition and process for formation of resist patterns
US7923192B2 (en) 2004-02-20 2011-04-12 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Base material for pattern-forming material, positive resist composition and method of resist pattern formation
WO2011074597A1 (ja) * 2009-12-15 2011-06-23 本州化学工業株式会社 新規な多核ポリ(フェノール)類
US7981588B2 (en) 2005-02-02 2011-07-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Negative resist composition and method of forming resist pattern
US8206887B2 (en) 2005-05-17 2012-06-26 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and resist pattern forming method
JP2020012030A (ja) * 2018-07-13 2020-01-23 群栄化学工業株式会社 紫外線吸収剤、紫外線吸収性樹脂、紫外線吸収性樹脂組成物、ワニス、紫外線吸収性フィルム及びその製造方法

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7923192B2 (en) 2004-02-20 2011-04-12 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Base material for pattern-forming material, positive resist composition and method of resist pattern formation
US7897319B2 (en) 2004-07-28 2011-03-01 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and method of forming resist pattern
US7901865B2 (en) 2004-09-08 2011-03-08 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition and process for formation of resist patterns
US7851129B2 (en) 2004-10-29 2010-12-14 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist composition, resist pattern forming method and compound
KR100996398B1 (ko) * 2005-02-02 2010-11-24 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 네가티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법
US7981588B2 (en) 2005-02-02 2011-07-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Negative resist composition and method of forming resist pattern
WO2006082856A1 (ja) * 2005-02-02 2006-08-10 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. ネガ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
KR100864395B1 (ko) 2005-02-25 2008-10-20 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 포지티브형 레지스트 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및화합물
WO2006090757A1 (ja) * 2005-02-25 2006-08-31 Honshu Chemical Industry Co., Ltd. 新規なビス(ヒドロキシベンズアルデヒド)化合物及びそれらから誘導される新規な多核体ポリフェノール化合物及びその製造方法
US7586009B2 (en) 2005-02-25 2009-09-08 Honshu Chemical Industry Co., Ltd. Bis-(hydroxybenzaldehyde) compound and novel polynuclear polyphenol compound derived therefrom and method for production thereof
KR101251402B1 (ko) 2005-02-25 2013-04-09 혼슈우 카가쿠고교 가부시키가이샤 신규한 비스(히드록시벤즈알데히드) 화합물 및그것들로부터 유도되는 신규한 다핵체 폴리 페놀 화합물 및그 제조 방법
US8206887B2 (en) 2005-05-17 2012-06-26 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Positive resist composition and resist pattern forming method
US7862981B2 (en) 2005-06-17 2011-01-04 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Compound, positive resist composition and method of forming resist pattern
WO2007004566A1 (ja) * 2005-07-05 2007-01-11 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP2007015944A (ja) * 2005-07-05 2007-01-25 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
KR100941343B1 (ko) 2005-07-05 2010-02-11 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 화합물, 포지티브형 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴형성 방법
US8389197B2 (en) 2005-07-05 2013-03-05 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Compound, positive resist composition and resist pattern forming method
JP2007119370A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 化合物およびその製造方法
US7858819B2 (en) 2006-06-09 2010-12-28 Honshu Chemical Industry Co., Ltd. Tris(formylphenyl) and novel polynuclear phenol derived therefrom
US7875743B2 (en) 2006-10-13 2011-01-25 Honshu Chemical Industry Co., Ltd. Bis(formylphenyl)alkane and novel polynuclear phenol derived from the same
WO2008044568A1 (fr) * 2006-10-13 2008-04-17 Honshu Chemical Industry Co., Ltd. Nouveau bis(formylphényl)alcane et nouveau phénol polynucléaire dérivé de celui-ci
WO2011074597A1 (ja) * 2009-12-15 2011-06-23 本州化学工業株式会社 新規な多核ポリ(フェノール)類
JPWO2011074597A1 (ja) * 2009-12-15 2013-04-25 本州化学工業株式会社 新規な多核ポリ(フェノール)類
US8921613B2 (en) 2009-12-15 2014-12-30 Honshu Chemical Industry Co., Ltd. Polynuclear poly(phenol) family
JP5762977B2 (ja) * 2009-12-15 2015-08-12 本州化学工業株式会社 新規な多核ポリ(フェノール)類
JP2020012030A (ja) * 2018-07-13 2020-01-23 群栄化学工業株式会社 紫外線吸収剤、紫外線吸収性樹脂、紫外線吸収性樹脂組成物、ワニス、紫外線吸収性フィルム及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4132302B2 (ja) 2008-08-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4132302B2 (ja) 新規なポリフェノール化合物
JP2007326847A (ja) 新規な多核体ポリフェノール化合物
JP5744740B2 (ja) 新規なトリスフェノール化合物
JP4395184B2 (ja) 新規なビス(ヒドロキシベンズアルデヒド)化合物及びそれらから誘導される新規な多核体ポリフェノール化合物及びその製造方法
KR20080017421A (ko) 1,3―비스(3―포르밀―4―히드록시페닐)아다만탄류및 그로부터 유도되는 다핵체 폴리페놀류
JP3030480B2 (ja) 新規なポリフエノール及びその高純度品の製造方法
JP3830666B2 (ja) 新規な4核体ポリフェノール化合物
JP2008163032A (ja) 新規なポリフェノール類
JP3791952B2 (ja) 新規なトリスフェノール化合物及びその製造方法
JP3275186B2 (ja) 完全核アルキル置換トリスフェノール誘導体の製造方法
JP4022314B2 (ja) 新規な多核体ポリフェノール化合物
JP2009107991A (ja) 新規なヒドロキシメチル置換又はアルコキシメチル置換ビスフェノール化合物
JP2000063308A (ja) 新規な3核体ポリフェノール化合物
JP3467282B2 (ja) 新規なポリフェノール及びその製造方法
JP3797799B2 (ja) 新規なビスフェノール化合物
JP2003306460A (ja) 1,3−ビス(ヒドロキシフェニル)アダマンタン類及びその製造方法
WO2008044568A1 (fr) Nouveau bis(formylphényl)alcane et nouveau phénol polynucléaire dérivé de celui-ci
JPH10218815A (ja) 新規なトリスフェノール化合物
JP3614571B2 (ja) 新規なポリフェノール化合物
JP2003306461A (ja) 1,3,5−トリス(4−ヒドロキシフェニル)アダマンタン類及びその製造方法
JP2000063310A (ja) 新規なビスフェノール化合物
JP4093528B2 (ja) 非対称エチリデン多価フェノール類とその製造方法
JPH09216844A (ja) 新規なポリフェノール化合物
JPH08259484A (ja) 新規なトリスフェノール化合物及びその製造方法
JP4638759B2 (ja) 新規な2,2’−メチレンビスフェノール化合物

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20060117

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060530

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060718

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20071130

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080125

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20080417

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080513

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080602

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110606

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140606

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term