JP2001337232A - 光デバイス製造方法と光デバイス - Google Patents
光デバイス製造方法と光デバイスInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の製造方法に製造された光デバイス又は
従来の光デバイスは、ファイバ素線の端面に所定厚の膜
が成膜されないため、所期の光学特性が得られない。 【解決手段】 本発明の光デバイス製造方法は、ファイ
バ素線１の側面に金属膜を成膜してから、同ファイバ素
線１の端面２に膜３を成膜し、その後、同ファイバ素線
１を前記成膜済みの端面２がフェルール４の端面５から
突出するまで同フェルール４内に挿通し、固定する。本
発明の光デバイスは、側面に金属膜が成膜されたファイ
バ素線がフェルールに挿通・固定された光デバイスであ
って、ファイバ素線の端面はフェルール端面から外側に
突出し、両端面間の距離ＬがＬ＜４・ｄ（ｄは側面に金
属膜が成膜されたファイバ素線の外径）の関係を満た
し、ファイバ素線の端面には膜が成膜されている。
従来の光デバイスは、ファイバ素線の端面に所定厚の膜
が成膜されないため、所期の光学特性が得られない。 【解決手段】 本発明の光デバイス製造方法は、ファイ
バ素線１の側面に金属膜を成膜してから、同ファイバ素
線１の端面２に膜３を成膜し、その後、同ファイバ素線
１を前記成膜済みの端面２がフェルール４の端面５から
突出するまで同フェルール４内に挿通し、固定する。本
発明の光デバイスは、側面に金属膜が成膜されたファイ
バ素線がフェルールに挿通・固定された光デバイスであ
って、ファイバ素線の端面はフェルール端面から外側に
突出し、両端面間の距離ＬがＬ＜４・ｄ（ｄは側面に金
属膜が成膜されたファイバ素線の外径）の関係を満た
し、ファイバ素線の端面には膜が成膜されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、図５に示すように
フェルール４に挿通・固定されたファイバ素線１の端面
２がフェルール４の端面５から突出し、突出したファイ
バ素線１の端面２に反射防止膜その他の膜３が成膜され
ている光デバイス（通称「レンズドファイバ」）の製造
方法に関するものである。この種の光デバイス６は例え
ば図６に示すように、通信光源や光増幅器の励起光源と
して用いられるレーザモジュール７において、レーザダ
イオード８から出射された光を低反射でファイバ素線１
内に導くために使用される。この場合、ファイバ素線１
の端面２にはレンズ加工がされた上で、膜３として反射
防止膜が成膜されている。
フェルール４に挿通・固定されたファイバ素線１の端面
２がフェルール４の端面５から突出し、突出したファイ
バ素線１の端面２に反射防止膜その他の膜３が成膜され
ている光デバイス（通称「レンズドファイバ」）の製造
方法に関するものである。この種の光デバイス６は例え
ば図６に示すように、通信光源や光増幅器の励起光源と
して用いられるレーザモジュール７において、レーザダ
イオード８から出射された光を低反射でファイバ素線１
内に導くために使用される。この場合、ファイバ素線１
の端面２にはレンズ加工がされた上で、膜３として反射
防止膜が成膜されている。
【０００２】
【従来の技術】従来、図５に示す光デバイス６を製造す
るには、長手方向一端側の側面１２に金属膜を成膜し
（メタライズ加工を施し）、同加工部分よりさらに端部
側にくさび加工（図７ａ）、鏡面加工（図７ｂ）又は曲
面加工（図７ｃ）を施して該端部を同図に示す形状に成
形したファイバ素線１を図５に示すようにフェルール４
に挿通して該ファイバ素線１の端面２をフェルール４の
端面５から突出させ、そのファイバ素線１を前記金属膜
が成膜された側面１２の部分で半田９によってフェルー
ル４に固定する。その後、該フェルール付きのファイバ
素線１を成膜装置の真空チャンバにセットして、各種Ｐ
ＶＤ法（イオンアシスト法、イオンプレーティング法、
イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法、Ｍ
ＢＥ法）や各種ＣＶＤ法（ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、Ｍ
ＯＣＶＤ法）によってフェルール４の端面５から突出し
ているファイバ素線１の端面２に成膜原料の蒸発原子又
は分子を蒸着させて反射防止膜その他の膜３を成膜す
る。尚、前記PVDはPhysical Vapor Depositionの略であ
り、以下同様にCVDはChemical Vapor Deposition、MBE
はMolecular Beam Epitaxy、ECRはElectron Cyclotron
Resonance、MOCVDはMetal Organic Chemical Vapor Dep
ositionの略である。
るには、長手方向一端側の側面１２に金属膜を成膜し
（メタライズ加工を施し）、同加工部分よりさらに端部
側にくさび加工（図７ａ）、鏡面加工（図７ｂ）又は曲
面加工（図７ｃ）を施して該端部を同図に示す形状に成
形したファイバ素線１を図５に示すようにフェルール４
に挿通して該ファイバ素線１の端面２をフェルール４の
端面５から突出させ、そのファイバ素線１を前記金属膜
が成膜された側面１２の部分で半田９によってフェルー
ル４に固定する。その後、該フェルール付きのファイバ
素線１を成膜装置の真空チャンバにセットして、各種Ｐ
ＶＤ法（イオンアシスト法、イオンプレーティング法、
イオンビームスパッタ法、マグネトロンスパッタ法、Ｍ
ＢＥ法）や各種ＣＶＤ法（ＥＣＲプラズマＣＶＤ法、Ｍ
ＯＣＶＤ法）によってフェルール４の端面５から突出し
ているファイバ素線１の端面２に成膜原料の蒸発原子又
は分子を蒸着させて反射防止膜その他の膜３を成膜す
る。尚、前記PVDはPhysical Vapor Depositionの略であ
り、以下同様にCVDはChemical Vapor Deposition、MBE
はMolecular Beam Epitaxy、ECRはElectron Cyclotron
Resonance、MOCVDはMetal Organic Chemical Vapor Dep
ositionの略である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の光デバ
イス製造方法及びそれによって製造された従来の光デバ
イスには次のような課題があった。 （１）図５に示すフェルール４の端面５とそこから突出
しているファイバ素線１の端面２までの距離Ｌ（突出長
Ｌ）を例えば0.5mm未満と短くすると、両端面２、５が
極めて近接するため、成膜装置の真空チャンバ内におい
て成膜対象であるファイバ素線１の端面２に向かう蒸発
原子又は分子がフェルール４の端面５に衝突して跳ね返
ってきた蒸発原子又は分子と衝突して、ファイバ素線１
の端面２に十分に蒸着されない。従って、形成された膜
３の膜厚が設計値よりも薄くなってしまい、所期の光学
特性（反射率や透過率等）を備えた光デバイスを得るこ
とができない。 （２）図５に示すファイバ素線１の突出長Ｌを例えば1.
0mm以上と長くすれば前記課題は解決されるが、突出長
Ｌが長過ぎると、フェルール４の端面５から突出したフ
ァイバ素線１の中心とフェルール４の中心とのズレ量が
大きくなり、図６に示すモジュールの組立が困難とな
る。特にファイバ素線１とＬＤ８との光軸合せが困難と
なる。例えば、前記光軸合せはフェルール６の中心とＬ
Ｄ８の中心を合わせることによって行われるので、フェ
ルール４の端面５から突出したファイバ素線１の中心と
フェルールの中心とがＬＤ８の発光面に平行な方向へ±
0.3μｍズレていると、結合効率が±５％変動する。
尚、許容される変動量は±２％程度である。 （３）図５に示す光デバイス６を用いて図６に示すモジ
ュールを組立てるためには、筐体３０と一体化されてい
る固定部材３２にＹＡＧレーザーを使用して光デバイス
６（詳しくはフェルール４）を溶着させる必要がある。
しかし、従来の製造方法によって製造された光デバイス
６では、フェルール４の側面に成膜原料の蒸発原子又は
分子が付着しているため、その付着物によって溶着が阻
害され、十分な固定強度が得られない。この場合、モジ
ュール組立の後工程において固定部３４に割れ等の不良
が発生する虞がある。
イス製造方法及びそれによって製造された従来の光デバ
イスには次のような課題があった。 （１）図５に示すフェルール４の端面５とそこから突出
しているファイバ素線１の端面２までの距離Ｌ（突出長
Ｌ）を例えば0.5mm未満と短くすると、両端面２、５が
極めて近接するため、成膜装置の真空チャンバ内におい
て成膜対象であるファイバ素線１の端面２に向かう蒸発
原子又は分子がフェルール４の端面５に衝突して跳ね返
ってきた蒸発原子又は分子と衝突して、ファイバ素線１
の端面２に十分に蒸着されない。従って、形成された膜
３の膜厚が設計値よりも薄くなってしまい、所期の光学
特性（反射率や透過率等）を備えた光デバイスを得るこ
とができない。 （２）図５に示すファイバ素線１の突出長Ｌを例えば1.
0mm以上と長くすれば前記課題は解決されるが、突出長
Ｌが長過ぎると、フェルール４の端面５から突出したフ
ァイバ素線１の中心とフェルール４の中心とのズレ量が
大きくなり、図６に示すモジュールの組立が困難とな
る。特にファイバ素線１とＬＤ８との光軸合せが困難と
なる。例えば、前記光軸合せはフェルール６の中心とＬ
Ｄ８の中心を合わせることによって行われるので、フェ
ルール４の端面５から突出したファイバ素線１の中心と
フェルールの中心とがＬＤ８の発光面に平行な方向へ±
0.3μｍズレていると、結合効率が±５％変動する。
尚、許容される変動量は±２％程度である。 （３）図５に示す光デバイス６を用いて図６に示すモジ
ュールを組立てるためには、筐体３０と一体化されてい
る固定部材３２にＹＡＧレーザーを使用して光デバイス
６（詳しくはフェルール４）を溶着させる必要がある。
しかし、従来の製造方法によって製造された光デバイス
６では、フェルール４の側面に成膜原料の蒸発原子又は
分子が付着しているため、その付着物によって溶着が阻
害され、十分な固定強度が得られない。この場合、モジ
ュール組立の後工程において固定部３４に割れ等の不良
が発生する虞がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の目的は、ファイ
バ素線の端面に設計値通りの膜厚の膜が成膜され、モジ
ュール化も容易な光デバイスを製造可能な光デバイス製
造方法及び光デバイスを提供することにある。
バ素線の端面に設計値通りの膜厚の膜が成膜され、モジ
ュール化も容易な光デバイスを製造可能な光デバイス製
造方法及び光デバイスを提供することにある。
【０００５】本件出願の第１の光デバイス製造方法は、
ファイバ素線の側面に金属膜を成膜すると共に、該ファ
イバ素線の端面に膜を成膜し、その後、このファイバ素
線をフェルールに挿通して、前記膜を成膜済みの端面を
フェルールの端面から突出させ、そのファイバ素線をフ
ェルールに固定するものである。
ファイバ素線の側面に金属膜を成膜すると共に、該ファ
イバ素線の端面に膜を成膜し、その後、このファイバ素
線をフェルールに挿通して、前記膜を成膜済みの端面を
フェルールの端面から突出させ、そのファイバ素線をフ
ェルールに固定するものである。
【０００６】本件出願の第２の光デバイス製造方法は、
フェルールの端面とそこから突出するファイバ素線の端
面との距離ＬがＬ＜４・ｄ（ｄは側面に金属膜が成膜さ
れたファイバ素線の外径）となるように、ファイバ素線
をフェルールに挿通・固定するものである。
フェルールの端面とそこから突出するファイバ素線の端
面との距離ＬがＬ＜４・ｄ（ｄは側面に金属膜が成膜さ
れたファイバ素線の外径）となるように、ファイバ素線
をフェルールに挿通・固定するものである。
【０００７】本件出願の光デバイスは、側面に金属膜が
成膜されたファイバ素線がフェルールに挿通・固定され
た光デバイスであって、ファイバ素線の端面はフェルー
ルの端面から外側に突出し、両端面間の距離ＬはＬ＜４
・ｄ（ｄは側面に金属膜が成膜されたファイバ素線１の
外径）であり、ファイバ素線の端面には膜が成膜されて
いるものである。
成膜されたファイバ素線がフェルールに挿通・固定され
た光デバイスであって、ファイバ素線の端面はフェルー
ルの端面から外側に突出し、両端面間の距離ＬはＬ＜４
・ｄ（ｄは側面に金属膜が成膜されたファイバ素線１の
外径）であり、ファイバ素線の端面には膜が成膜されて
いるものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の光デバイ
ス製造方法の第１の実施形態を説明する。この製造方法
は、前記図５に示す光デバイス６を製造するための方法
であって、ファイバ素線１の端面２に予め反射防止膜
（AR膜）３を成膜してから、そのファイバ素線１をフェ
ルール４に挿通・固定するものであり、具体的には次の
通りである。
ス製造方法の第１の実施形態を説明する。この製造方法
は、前記図５に示す光デバイス６を製造するための方法
であって、ファイバ素線１の端面２に予め反射防止膜
（AR膜）３を成膜してから、そのファイバ素線１をフェ
ルール４に挿通・固定するものであり、具体的には次の
通りである。
【０００９】図１に示すように光ファイバ１０の軸方向
一端側の樹脂被覆（外部被覆）１１を除去してファイバ
素線（裸ファイバ）１を露出させる。露出したファイバ
素線１の端部の側面１２にメッキ、蒸着、スパッタリン
グ等によって金属膜を成膜する。金属膜の成膜が終了し
たらファイバ素線１の先端に前記くさび加工（図７
ａ）、鏡面加工（図７ｂ）、曲面加工（図７ｃ）の何れ
かを施して同図に示すような端部形状とする。
一端側の樹脂被覆（外部被覆）１１を除去してファイバ
素線（裸ファイバ）１を露出させる。露出したファイバ
素線１の端部の側面１２にメッキ、蒸着、スパッタリン
グ等によって金属膜を成膜する。金属膜の成膜が終了し
たらファイバ素線１の先端に前記くさび加工（図７
ａ）、鏡面加工（図７ｂ）、曲面加工（図７ｃ）の何れ
かを施して同図に示すような端部形状とする。
【００１０】次に、図２に示すようにファイバ素線１の
端面２が成膜装置の真空チャンバ１５内に露出するよう
に該ファイバ素線１を該真空チャンバ１５にセットし
て、同端面２にシリカ（SiO2）とタンタルオキサイド
（Ta2O5）が交互に積層された反射防止膜３（図３）を
成膜する。このときファイバ素線１はフェルール４に挿
通されていないため、真空チャンバ１５内においてファ
イバ素線１の端面２に蒸着されるべきSiO2やTa2O5の蒸
発原子又は分子がフェルール４の端面５に衝突して跳ね
返ってくる同原子又は分子と衝突してファイバ素線１の
端面２に十分に蒸着されないといった不都合が発生する
虞はなく、所定量のSiO2及びTa2O5が確実に蒸着され
る。これによって、設計値通りの膜厚の反射防止膜３が
成膜され、所期の光学特性を備えた光デバイス６が製造
される。ちなみに、反射減衰量の設計値が−４０dBであ
る場合、本発明の製造方法によって製造された光デバイ
ス６の980nm帯の光に対する反射率及び反射減衰量を測
定した結果、反射率は0.015％以下、反射減衰量は３８d
Bであった。一方、前記従来の製造方法によって製造さ
れた光デバイスについて同様の測定を行った結果、反射
減衰量は３０dBであった。尚、前記反射減衰量は反射率
０％を基準としている。
端面２が成膜装置の真空チャンバ１５内に露出するよう
に該ファイバ素線１を該真空チャンバ１５にセットし
て、同端面２にシリカ（SiO2）とタンタルオキサイド
（Ta2O5）が交互に積層された反射防止膜３（図３）を
成膜する。このときファイバ素線１はフェルール４に挿
通されていないため、真空チャンバ１５内においてファ
イバ素線１の端面２に蒸着されるべきSiO2やTa2O5の蒸
発原子又は分子がフェルール４の端面５に衝突して跳ね
返ってくる同原子又は分子と衝突してファイバ素線１の
端面２に十分に蒸着されないといった不都合が発生する
虞はなく、所定量のSiO2及びTa2O5が確実に蒸着され
る。これによって、設計値通りの膜厚の反射防止膜３が
成膜され、所期の光学特性を備えた光デバイス６が製造
される。ちなみに、反射減衰量の設計値が−４０dBであ
る場合、本発明の製造方法によって製造された光デバイ
ス６の980nm帯の光に対する反射率及び反射減衰量を測
定した結果、反射率は0.015％以下、反射減衰量は３８d
Bであった。一方、前記従来の製造方法によって製造さ
れた光デバイスについて同様の測定を行った結果、反射
減衰量は３０dBであった。尚、前記反射減衰量は反射率
０％を基準としている。
【００１１】前記成膜装置は従来からこの種の成膜に使
用されているものと同一のものである。具体的には図２
に示すように２つの電子銃１６、２つのシャッター１
７、回転するドーム１８、イオンアシスト装置１９が設
けられた真空チャンバ１５を備え、前記ドーム１８に設
置されたホルダ２０に蒸着対象（本実施形態では前記フ
ァイバ素線１の端部）をセットし、ドーム１８を回転さ
せながら一方の電子銃１６から出射される電子ビームを
成膜原料（本実施形態ではSiO2又はTa2O5）２１の表面
に照射して同成膜原料２１を溶融し、その原子又は分子
を蒸発させ、ファイバ素線１の端面２にSiO2膜又はTa2O
5膜を所定の膜厚だけ成膜後にシャッター１７で成膜原
料２１を覆う（シャッター１７を閉じる）。その後、他
方の電子銃１６から出射される電子ビームを成膜原料
（本実施形態ではTa2O5又はSiO2）２２の表面に照射し
て同成膜原料２２を溶融し、その原子又は分子を蒸発さ
せ、ファイバ素線１の端面２にTa2O5膜又はSiO2膜を所
定の膜厚だけ成膜後に他方のシャッター１７で成膜原料
２２を覆う（シャッター１７を閉じる）。即ち、蒸着対
象に２種類の成膜原料を交互に蒸着させるものである。
尚、前記イオンアスト装置１９はより緻密な膜を形成す
るために、蒸着対象に向けてO2活性分子を照射又は加速
して成膜原料の原子又は分子にエネルギーを付与するも
のである。もっとも、照射又は加速される活性分子は、
Ar活性分子、He活性分子、H2活性分子、CO 2活性分子、H
2O活性分子、N2活性分子等であってもよい。
用されているものと同一のものである。具体的には図２
に示すように２つの電子銃１６、２つのシャッター１
７、回転するドーム１８、イオンアシスト装置１９が設
けられた真空チャンバ１５を備え、前記ドーム１８に設
置されたホルダ２０に蒸着対象（本実施形態では前記フ
ァイバ素線１の端部）をセットし、ドーム１８を回転さ
せながら一方の電子銃１６から出射される電子ビームを
成膜原料（本実施形態ではSiO2又はTa2O5）２１の表面
に照射して同成膜原料２１を溶融し、その原子又は分子
を蒸発させ、ファイバ素線１の端面２にSiO2膜又はTa2O
5膜を所定の膜厚だけ成膜後にシャッター１７で成膜原
料２１を覆う（シャッター１７を閉じる）。その後、他
方の電子銃１６から出射される電子ビームを成膜原料
（本実施形態ではTa2O5又はSiO2）２２の表面に照射し
て同成膜原料２２を溶融し、その原子又は分子を蒸発さ
せ、ファイバ素線１の端面２にTa2O5膜又はSiO2膜を所
定の膜厚だけ成膜後に他方のシャッター１７で成膜原料
２２を覆う（シャッター１７を閉じる）。即ち、蒸着対
象に２種類の成膜原料を交互に蒸着させるものである。
尚、前記イオンアスト装置１９はより緻密な膜を形成す
るために、蒸着対象に向けてO2活性分子を照射又は加速
して成膜原料の原子又は分子にエネルギーを付与するも
のである。もっとも、照射又は加速される活性分子は、
Ar活性分子、He活性分子、H2活性分子、CO 2活性分子、H
2O活性分子、N2活性分子等であってもよい。
【００１２】以上のようにして、端面２に反射防止膜３
が成膜されたファイバ素線１を得たら、図３（ａ）に示
すようにそのファイバ素線１を金属製のフェルール４に
挿通し、図３（ｂ）に示すように前記成膜済みの端面２
をフェルール４の端面５から突出させ、その状態で同フ
ェルール４に半田付けする。このとき、ファイバ素線１
の端面２には既に反射防止膜３が成膜されているので、
ファイバ素線１の端面２に蒸着されるべきSiO2やTa2O5
の蒸発原子又は分子がフェルール４の端面５に衝突して
跳ね返ってきた同原子又は分子と衝突して、ファイバ素
線１の端面２に十分に蒸着されないといった不都合が発
生する可能性はなく、ファイバ素線１の端面２とフェル
ール４の端面５との距離Ｌ（突出長Ｌ）を大きくする必
要もない。ここで、本件発明者らの検討によれば、突出
長Ｌと側面に金属膜が成膜されたファイバ素線１の外径
ｄとが、Ｌ＜４・ｄ（ファイバ素線１の外径の４倍未
満）の関係を満たしていれば、前記ＬＤ８とファイバ素
線１との光軸合わせを容易に行うことが可能となる。そ
こで、本実施形態では外径ｄが0.125mmのファイバ素線
１に対し、突出長Ｌを0.5mm未満（ここでは0.4mm）と
し、この突出長Ｌが維持されるようにしてファイバ素線
１を前記金属膜が成膜された側面１２の部分でフェルー
ル４に半田付けして図５に示す光デバイス６を製造し
た。これによって、前記の通り所期の光学特性を備え、
さらにモジュール化し易い本発明の光デバイス６が製造
される。
が成膜されたファイバ素線１を得たら、図３（ａ）に示
すようにそのファイバ素線１を金属製のフェルール４に
挿通し、図３（ｂ）に示すように前記成膜済みの端面２
をフェルール４の端面５から突出させ、その状態で同フ
ェルール４に半田付けする。このとき、ファイバ素線１
の端面２には既に反射防止膜３が成膜されているので、
ファイバ素線１の端面２に蒸着されるべきSiO2やTa2O5
の蒸発原子又は分子がフェルール４の端面５に衝突して
跳ね返ってきた同原子又は分子と衝突して、ファイバ素
線１の端面２に十分に蒸着されないといった不都合が発
生する可能性はなく、ファイバ素線１の端面２とフェル
ール４の端面５との距離Ｌ（突出長Ｌ）を大きくする必
要もない。ここで、本件発明者らの検討によれば、突出
長Ｌと側面に金属膜が成膜されたファイバ素線１の外径
ｄとが、Ｌ＜４・ｄ（ファイバ素線１の外径の４倍未
満）の関係を満たしていれば、前記ＬＤ８とファイバ素
線１との光軸合わせを容易に行うことが可能となる。そ
こで、本実施形態では外径ｄが0.125mmのファイバ素線
１に対し、突出長Ｌを0.5mm未満（ここでは0.4mm）と
し、この突出長Ｌが維持されるようにしてファイバ素線
１を前記金属膜が成膜された側面１２の部分でフェルー
ル４に半田付けして図５に示す光デバイス６を製造し
た。これによって、前記の通り所期の光学特性を備え、
さらにモジュール化し易い本発明の光デバイス６が製造
される。
【００１３】以上のようにして製造された光デバイス６
を用いて図６に示すモジュールを組立てる場合、ＹＡＧ
レーザーによって当該光デバイス６（詳しくはフェルー
ル４）と筐体３０に一体化された固定部材３２との溶着
させる場合がある。しかし、この時に前記半田９が再溶
融し、ファイバ素線１が位置ずれを生じる虞がある、従
って、かかる不都合を防止する観点からは、図４に示す
ように、フェルール４の先端部を他の部分よりも太くし
て、熱容積の拡大を図ることが望ましい。
を用いて図６に示すモジュールを組立てる場合、ＹＡＧ
レーザーによって当該光デバイス６（詳しくはフェルー
ル４）と筐体３０に一体化された固定部材３２との溶着
させる場合がある。しかし、この時に前記半田９が再溶
融し、ファイバ素線１が位置ずれを生じる虞がある、従
って、かかる不都合を防止する観点からは、図４に示す
ように、フェルール４の先端部を他の部分よりも太くし
て、熱容積の拡大を図ることが望ましい。
【００１４】（実施形態２）前記実施形態ではファイバ
素線の端面に反射防止膜を成膜したが、本発明の光デバ
イス製造方法によればファイバ素線の端面にSWPF（Shor
t Wavelength PassFilter）、LWPF（Long Wavelength P
ass Filter）、バンドパスフィルタといった膜が成膜さ
れた光デバイスを製造することもでき、何れの場合にも
これら膜の膜厚を設計値通りにすることができる。尚、
前記SWPF（Short Wavelength PassFilter）、LWPF（Lon
g Wavelength Pass Filter）、バンドパスフィルタとい
った膜が成膜された光デバイスも本発明の光デバイスに
含まれる。
素線の端面に反射防止膜を成膜したが、本発明の光デバ
イス製造方法によればファイバ素線の端面にSWPF（Shor
t Wavelength PassFilter）、LWPF（Long Wavelength P
ass Filter）、バンドパスフィルタといった膜が成膜さ
れた光デバイスを製造することもでき、何れの場合にも
これら膜の膜厚を設計値通りにすることができる。尚、
前記SWPF（Short Wavelength PassFilter）、LWPF（Lon
g Wavelength Pass Filter）、バンドパスフィルタとい
った膜が成膜された光デバイスも本発明の光デバイスに
含まれる。
【００１５】ファイバ素線の端面への成膜方法は前記各
種PVD法や各種CVD法の何れであってもよく、何れの成膜
方法の場合も設計値通りの膜厚の膜が成膜され、所期の
光学特性を備えた光デバイスを製造することができる。
種PVD法や各種CVD法の何れであってもよく、何れの成膜
方法の場合も設計値通りの膜厚の膜が成膜され、所期の
光学特性を備えた光デバイスを製造することができる。
【００１６】
【発明の効果】本件出願の第１の光デバイス製造方法は
次のような効果を有する。 （１）ファイバ素線の端面に膜を成膜してから、そのフ
ァイバ素線をフェルールに挿通・固定するので、ファイ
バ素線の端面への成膜に際し、成膜原料の蒸発原子又は
分子がフェルールの端面に衝突して跳ね返ってきた蒸発
原子又は分子と衝突して、ファイバ素線の端面に十分に
積層されないといった不都合が発生する可能性がない。
従って、設計値通りの膜厚の膜が確実に成膜され、設計
値通りの光学特性を備えた光デバイスが容易且つ確実に
製造される。 （２）ファイバ素線の端面に膜を成膜してから、そのフ
ァイバ素線をフェルールに挿通・固定するので、フェル
ールの側面に成膜原料の蒸発原子又は分子が付着するこ
とがない。従って、本発明の光デバイス製造方法によっ
て製造された光デバイス６を用いて図５に示すモジュー
ルを組立てれば、ＹＡＧレーザーによる光デバイス６
（フェルール４）と固定部材３２との溶着がフェルール
４の側面に付着した成膜原料の蒸発原子又は分子によっ
て阻害されることがなく、十分な固定強度を得られる。
この結果、光デバイス６と固定部材３２とを固定してか
ら、固定部３４を支点として当該光デバイス６をてこ調
心しても、固定部３４に割れ等の不良が発生する虞がな
い。尚、実際のモジュール化にあたっては、てこ調心さ
れた光デバイスを図示されていない別の固定部材にも固
定して位置決めを行う。 （３）ファイバ素線の端面に向かう蒸発原子又は分子が
フェルールの端面に衝突して跳ね返ってきた蒸発原子又
は分子と衝突する虞がないので、フェルール端面とそこ
から突出するファイバ素線の端面との距離を可及的に小
さくすることが可能となる。従って、モジュール化の際
の組立が容易で、長期信頼性も高い光デバイスを製造す
ることができる。
次のような効果を有する。 （１）ファイバ素線の端面に膜を成膜してから、そのフ
ァイバ素線をフェルールに挿通・固定するので、ファイ
バ素線の端面への成膜に際し、成膜原料の蒸発原子又は
分子がフェルールの端面に衝突して跳ね返ってきた蒸発
原子又は分子と衝突して、ファイバ素線の端面に十分に
積層されないといった不都合が発生する可能性がない。
従って、設計値通りの膜厚の膜が確実に成膜され、設計
値通りの光学特性を備えた光デバイスが容易且つ確実に
製造される。 （２）ファイバ素線の端面に膜を成膜してから、そのフ
ァイバ素線をフェルールに挿通・固定するので、フェル
ールの側面に成膜原料の蒸発原子又は分子が付着するこ
とがない。従って、本発明の光デバイス製造方法によっ
て製造された光デバイス６を用いて図５に示すモジュー
ルを組立てれば、ＹＡＧレーザーによる光デバイス６
（フェルール４）と固定部材３２との溶着がフェルール
４の側面に付着した成膜原料の蒸発原子又は分子によっ
て阻害されることがなく、十分な固定強度を得られる。
この結果、光デバイス６と固定部材３２とを固定してか
ら、固定部３４を支点として当該光デバイス６をてこ調
心しても、固定部３４に割れ等の不良が発生する虞がな
い。尚、実際のモジュール化にあたっては、てこ調心さ
れた光デバイスを図示されていない別の固定部材にも固
定して位置決めを行う。 （３）ファイバ素線の端面に向かう蒸発原子又は分子が
フェルールの端面に衝突して跳ね返ってきた蒸発原子又
は分子と衝突する虞がないので、フェルール端面とそこ
から突出するファイバ素線の端面との距離を可及的に小
さくすることが可能となる。従って、モジュール化の際
の組立が容易で、長期信頼性も高い光デバイスを製造す
ることができる。
【００１７】本件出願の第２の光デバイス製造方法は、
次のような効果を有する。 （１）フェルール端面とそこから突出するファイバ素線
の端面との距離LがL＜４・ｄ（ｄは側面に金属膜が成膜
されたファイバ素線の外径）となるように、ファイバ素
線をフェルールに挿通・固定するので、モジュールの組
立がより一層容易な光デバイスを製造することができ
る。特に、フェルールから突出したファイバ素線先端の
中心とフェルールの中心とのズレ量を小さくできるの
で、図６に示すようなモジュールの組立に際して、ファ
イバ素線１とＬＤ８との光軸合わせの精度が向上し、結
合効率の変動を許容値内に抑えることができる。また、
長期信頼性もより一層向上し、特に高温放置又は低温放
置時の光軸ズレに強い光デバイスを製造することができ
る。
次のような効果を有する。 （１）フェルール端面とそこから突出するファイバ素線
の端面との距離LがL＜４・ｄ（ｄは側面に金属膜が成膜
されたファイバ素線の外径）となるように、ファイバ素
線をフェルールに挿通・固定するので、モジュールの組
立がより一層容易な光デバイスを製造することができ
る。特に、フェルールから突出したファイバ素線先端の
中心とフェルールの中心とのズレ量を小さくできるの
で、図６に示すようなモジュールの組立に際して、ファ
イバ素線１とＬＤ８との光軸合わせの精度が向上し、結
合効率の変動を許容値内に抑えることができる。また、
長期信頼性もより一層向上し、特に高温放置又は低温放
置時の光軸ズレに強い光デバイスを製造することができ
る。
【００１８】本件出願の光デバイスは、次のような効果
を有する。フェルールの端面とそこから突出したファイ
バ素線の端面との間の距離ＬがL＜４・ｄ（ｄは側面に
金属膜が成膜されたファイバ素線の外径）の関係を満た
すので、フェルールから突出したファイバ素線先端の中
心とフェルールの中心とのズレ量が小さい。従って、例
えば、本発明の光デバイスを使用して図６に示すモジュ
ールを組立てる際、ファイバ素線１とＬＤ８との光軸合
わせの精度が向上し、結合効率の変動を許容値内に抑え
ることができる。
を有する。フェルールの端面とそこから突出したファイ
バ素線の端面との間の距離ＬがL＜４・ｄ（ｄは側面に
金属膜が成膜されたファイバ素線の外径）の関係を満た
すので、フェルールから突出したファイバ素線先端の中
心とフェルールの中心とのズレ量が小さい。従って、例
えば、本発明の光デバイスを使用して図６に示すモジュ
ールを組立てる際、ファイバ素線１とＬＤ８との光軸合
わせの精度が向上し、結合効率の変動を許容値内に抑え
ることができる。
【図１】成膜前のファイバ素線を示す説明図。
【図２】成膜装置の真空チャンバの一例を示す説明図。
【図３】（ａ）は成膜済みのファイバ素線をフェルール
に挿通する工程を示す説明断面図、（ｂ）は成膜済みの
ファイバ素線をフェルールに挿通した後の状態を示す説
明断面図。
に挿通する工程を示す説明断面図、（ｂ）は成膜済みの
ファイバ素線をフェルールに挿通した後の状態を示す説
明断面図。
【図４】光デバイスの一例を示す説明断面図。
【図５】光デバイスの他例を示す説明断面図。
【図６】光デバイスの使用例の一例を示す説明図。
【図７】（ａ）はくさび加工されたファイバ素線の端面
を示す説明図、（ｂ）は鏡面加工されたファイバ素線の
端面を示す説明図、（ｃ）曲面加工されたファイバ素線
の端面を示す説明図。
を示す説明図、（ｂ）は鏡面加工されたファイバ素線の
端面を示す説明図、（ｃ）曲面加工されたファイバ素線
の端面を示す説明図。
１ ファイバ素線 ２ ファイバ素線の端面 ３ 膜 ４ フェルール ５ フェルールの端面
Claims (3)
- 【請求項１】ファイバ素線（１）の側面に金属膜を成膜
すると共に、該ファイバ素線（１）の端面（２）に膜
（３）を成膜し、その後、このファイバ素線（１）をフ
ェルール（４）に挿通して、前記膜（３）を成膜済みの
端面（２）をフェルール（４）の端面（５）から突出さ
せ、そのファイバ素線（１）をフェルール（４）に固定
することを特徴とする光デバイス製造方法。 - 【請求項２】フェルール（４）の端面（５）とそこから
突出するファイバ素線（１）の端面（２）との距離
（Ｌ）がＬ＜４・ｄ（ｄは側面に金属膜が成膜されたフ
ァイバ素線１の外径）となるように、ファイバ素線
（１）をフェルール（４）に挿通・固定することを特徴
とする請求項１記載の光デバイス製造方法。 - 【請求項３】側面に金属膜が成膜されたファイバ素線
（１）がフェルール（４）に挿通・固定された光デバイ
スであって、ファイバ素線（１）の端面（２）はフェル
ール（４）の端面（５）から外側に突出し、両端面
（２、５）間の距離（Ｌ）はＬ＜４・ｄ（ｄは側面に金
属膜が成膜されたファイバ素線１の外径）であり、ファ
イバ素線（１）の端面（２）には膜（３）が成膜されて
いることを特徴とする光デバイス。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001041835A JP3802766B2 (ja) | 2000-03-21 | 2001-02-19 | 光デバイス製造方法と光デバイス |
| US09/811,455 US6666587B2 (en) | 2000-03-21 | 2001-03-20 | Method for manufacturing optical device and optical device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-78838 | 2000-03-21 | ||
| JP2000078838 | 2000-03-21 | ||
| JP2001041835A JP3802766B2 (ja) | 2000-03-21 | 2001-02-19 | 光デバイス製造方法と光デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001337232A true JP2001337232A (ja) | 2001-12-07 |
| JP3802766B2 JP3802766B2 (ja) | 2006-07-26 |
Family
ID=26587987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001041835A Expired - Lifetime JP3802766B2 (ja) | 2000-03-21 | 2001-02-19 | 光デバイス製造方法と光デバイス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6666587B2 (ja) |
| JP (1) | JP3802766B2 (ja) |
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| US7339332B2 (en) | 2004-05-24 | 2008-03-04 | Honeywell International, Inc. | Chroma compensated backlit display |
| US10545294B1 (en) | 2019-07-08 | 2020-01-28 | Arrayed Fiberoptics Corporation | Microfabrication method for optical components |
| CN107561650B (zh) * | 2011-12-22 | 2021-07-23 | 艾瑞得光导纤维公司 | 非接触多纤光纤连接器 |
| JPWO2020144909A1 (ja) * | 2019-01-08 | 2021-10-14 | 日本電信電話株式会社 | 光コネクタおよびその製造方法 |
| US11333835B2 (en) | 2019-07-08 | 2022-05-17 | Arrayed Fiberoptics Corporation | Microfabrication method for optical components |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4611884A (en) * | 1982-11-24 | 1986-09-16 | Magnetic Controls Company | Bi-directional optical fiber coupler |
| JPS6043889A (ja) * | 1983-08-22 | 1985-03-08 | Hitachi Ltd | 光ファイバー付レーザーダイオード装置の組立方法 |
| JPS62192707A (ja) | 1986-02-20 | 1987-08-24 | Fujitsu Ltd | 光フアイバ付コネクタ |
| DE3615727A1 (de) * | 1986-05-09 | 1987-11-12 | Zeiss Carl Fa | Koppelstelle fuer monomode-faser |
| JPS63228110A (ja) | 1987-03-17 | 1988-09-22 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜被着方法 |
| JPH0293414A (ja) * | 1988-09-29 | 1990-04-04 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 光ファイバの入射端末構造 |
| JPH02124504A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Toshiba Corp | 受光モジュール |
| US5412748A (en) * | 1992-12-04 | 1995-05-02 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical semiconductor module |
| JPH0990173A (ja) * | 1995-09-27 | 1997-04-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 表面実装モジュールとその製造方法 |
| US5764840A (en) * | 1995-11-20 | 1998-06-09 | Visionex, Inc. | Optical fiber with enhanced light collection and illumination and having highly controlled emission and acceptance patterns |
-
2001
- 2001-02-19 JP JP2001041835A patent/JP3802766B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2001-03-20 US US09/811,455 patent/US6666587B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3802766B2 (ja) | 2006-07-26 |
| US6666587B2 (en) | 2003-12-23 |
| US20010051025A1 (en) | 2001-12-13 |
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