JPS63124007A - 光導波管要素を作成するための方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、電子及び／又は光子装置を光学的に相互連結
させるために使用される光導体を製作するための方法に
関する。本発明は、特に、光学的に伝導する棒と、それ
ぞれ、外部平坦表面と棒の縦軸に関して傾斜した少なく
とも１つの反射表面とを具備する導波管要素を作成する
ために適切である。

今日のコンピューターと遠距離通信装置を代表する益々
高い伝送速度により、秒当なりギガビット以上の速度で
伝送されるデータに対する主ダクトとして、導波管とも
呼ばれる光導体が使用されるようになった。遠距離通信
装置において、導波管が、装置の背面に垂直に取り付け
られる回路カードを相互連結させるために使用された。

そのような装置において、導波管によって提供された光
学的相互連結は、以前は、光源からそれぞれの受信器に
延びる幾つかの光ファイバーを使用した。

代替的に、単一光ファイバーは、光源に結合され、そし
てタッピングは、その長さに沿って間隔を置いて光ファ
イバーを接続することによって行われた。タッピングは
、光を受信器に伝える。

光タッピングによって行われる相互連結の数と複雑さが
増大すると、光ファイバーに基づく導波管を生産しかつ
設置する際に遭遇する困難が、同様に増大する。さらに
、光特性に影響を与える物理的欠陥からそのような導波
管を保護する問題が存在する。光伝導プラスチックの導
波管を作成することは便利であり、そして裸のプラスチ
ック導波管は、機能的であるが、導波管の表面において
光の漏洩を引き起こす引っ掻きと汚染を減らすために、
そのような導波管を被覆することが好ましいと考えられ
た。この種類の被覆は、導波管内の光の封じ込めを保証
するために、プラスチックの屈折率よりも小さな屈折率
を有さなければならない。

被覆が、溶液被覆によって塗布されたプラスチックであ
るならば、困難は、溶媒が、導波管のプラスチック物質
に破壊的な化学作用を及ぼすことから遭遇する。プラス
チック被覆を溶解させるための後続の焼き付けと共に、
静電気被覆が使用されるならば、焼き付けは、導波管の
変形を引き起こし、その結果、光通路に妨害が起こる。

発明の要約 このため、長さに沿う光伝送と、さらに、導波管の外部
平坦表面を通って縦に伝導する光ビームの部分の横反射
とを収容する導波管要素を製作するための簡単で比較的
安価な方法を提供することが、本発明の目的であり、こ
の方法は、導波管の光学的完全性を保証する。

この目的を達成する際に、発明により、所定の断面領域
を有する光学的完全性を具備し、かつ（１）棒の縦軸に
横断する縦軸と、（２）傾斜平坦表面（ｉｉ　）を規定
する棒における境界とを有する少なくとも１つの空洞を
具備する光導波管要素を作成するための方法が提供され
た。さらに具体的に、本発明により提供された方法は、
（ａ）棒の屈折率よりも小さな屈折率を有するアモルフ
ァス物質を含む層で、プラズマ補助物理的蒸気析出によ
り、棒を被覆する段階と、（ｂ）表面に波形を付けるか
、又は表面を光反射物質で被覆することによって、少な
くとも表面（ｉｉ　）を光反射にする段階とを含む方法
を含む。好ましい実施態様において、本発明の方法は、
要素において縦に走行する光が、要素の外部平坦表面を
通過する前に、要素の断面により反射される如く、構造
化された導波管要素を提供する。

本発明の他の目的、特徴と利点は、次の詳細な説明から
明らかになるであろう、しかし、発明の精神及び範囲内
のいろいろな変更と修正は、詳細な説明から当業者には
明らかであるために、詳細な説明と特定実施例は、発明
の好ましい実施態様を示すが、例示のみにより与えられ
ることが、理解されるべきである。

好ましい実施態様 本発明の方法は、棒形式又は類似構成において、反射表
面が、導体の縦軸に関し傾斜して組み込まれる光学的伝
導媒体を含む光導体の製作において役立つために使用さ
れる６本発明により、上記の方法は、好ましくは、１９
８７年３月１２日提出された日本特許出願第５５４８４
／８７号において記載された導波管の特性を有する光導
体を作成するために使用される。

本発明を使用して生産された一般的導波管が、第１図に
おいて示される。棒状の光学的伝導成分１は、好ましく
は、示された如く、正形式及び多角形、特に正方形断面
を有する。多角形形式は、円筒形形式より好まれるが、
これは、前者が円筒形レンズ効果を生成しないなめであ
る。円筒形形式は、関連検出器に到達する前に、異なる
相互に垂直な平面において、異なる量だけ、光ビームを
拡散させる。正方形断面は、追加の適切に配置された傾
斜表面を提供された時、正方形断面を有する導体が、４
つの相互に垂直な方向から、光ビームが出現又は入射す
ることを可能にするために、特に都合が良い。しかし三
角形の如く、他の棒形状が、使用することができ、棒の
反対小面から出現する光を再指向させるために、１つの
頂点に刻み目を付けることによって（以下に記載される
如く）光反射器が形成される。

棒１は、任意の伝導物質であるが、好ましくは、合成プ
ラスチック物質であり、特に、光データ伝送のためにし
ばしば使用される赤光に対し伝導する物質である６製造
の容易性のために、少なくとも摂氏６０度の軟化温度を
有するプラスチック物質がまた、好まれる。本発明にお
いて使用に適するプラスチックは、特に、ＡＲＤＥＬ　
（ユニオン。

カーバイド）の如くアリル・エステル、ＣＡＬ　ＩＢＲ
Ｅ（ダウ・ケミカル）又はＬＥＸＡＮ　（ジェネラル・
エレクトリック）の如くポリカーボネート、ＵＤＥＬ　
（ユニオン・カーバイド）の如くポリスルホン、ＸＥＮ
ＯＹ　（ジェネラル・エレクトリック）の如く炭酸エス
テル・プラスチック合金、及び例えばＡＢＣ（ダウ・ケ
ミカル）の如く芳香族エステル炭酸共重合体から、選択
される。ポリカーボネート・プラスチックは、容易に機
械加工され、かつ高い融点を有するだけでなく、また、
一般に、高い屈折率を有するために、特に好まれる。こ
のため、低い屈折率を有し、そしてこのため棒によって
表されたプラスチックの「光ファイバー」を通って伝導
される光に対する導波管として作用する（以下に記載さ
れる如く適用された）クラツディング物質を選択するこ
とが、より容易である。

少なくとも１つの空洞、そして好ましくは、所定の間隔
を置いた関係における一連の空洞２．３と４が、棒１に
提供され、各空洞は、レンズ５によって表された焦点手
段と整列する（実際、焦点手段は、上記の同時係属米国
出願第８４０．２６２号において記載された如く他の要
素を含む。）。

各空洞は、以下にさらに詳細に記載された傾斜反射表面
６によって縁取られる。棒１はまた、反射表面７で終了
する。棒１における空洞形成は、空洞の構成に一致する
外部表面を有する固体のプリフォームが、硬化の前に伝
導物質に挿入される時、棒の成形中達成される。好まし
い空洞構成を提供するために、第２図に示された如く、
プリフォームは、楕円形又は円形断面を有し、そして成
形物質への挿入の最後に、挿入によって作成された空洞
の斜切断（ｔｒｕｎｃａｔｉｏｎ）に対応する傾斜平坦
表面を有する。円形断面は、精密工作器械の小直径円形
棒が、固体プリフォームとして使用するために容易に商
業的に利用可能であるために、好まれる。とにかく、こ
うして形成された空洞は、棒１の軸に垂直な縦軸を所有
しなければならない。傾斜平坦表面は、棒の断面面積の
５％の程度であり、好ましくは、約２％乃至４％の程度
の領域を、好ましくは、有する。

空洞又は複数の空洞が、光伝導棒に提供された後、棒は
、棒を具備する伝導物質の屈折率よりも低い屈折率を有
するアモルファス物質の層で被覆される。本発明におい
て使用されるに適するアモルファス物質の中には、−酸
化ケイ素、二酸化ケイ素、及び他の酸化ケイ素の如く、
光学的被覆のために伝統的に使用されるものがある。ア
ルミニューム酸化物とマグネシューム・フッ化物を含む
、他のアモルファス物質は、選択された物質が、棒によ
り伝導された光を吸収しない付着連続被覆を形成する限
り、使用される。

光学的導体棒が、導体から横に出現する光を分散させる
ために、又は逆に、横に衝突する光ビームを集めるため
に、複数の反射表面を提供されるならば、被覆物質は、
それらの表面をマスクすることなしに、適用される。以
後、反射表面は、金、銀、又はアルミニュームの如く、
適切な物質を適当な領域に適用し、その点に被覆を重ね
ることによって形成される。代替的に、領域は、被覆段
階中マスクされ、そして−旦マスクが除去されると、反
射物質が、棒の露出領域に直接に適用される。

反射物質が棒に適用されても、又は被覆に適用されても
、最初に、付着層を適用することが必要であり、又は究
極的に好ましい１反射物質が金又は銀である場合、例え
ば、付着層は、クロミウム又はチタニウムを含む。

アモルファス物質を基質、特にプラスチック基質、に適
用するための技術において公知の幾つかのプロセスがあ
り、それらのどれも棒１を被覆する際に使用される。！
Ｗｔ回路を生産するために開発されたプラズマ補助物理
的蒸気析出（ＰＡＰＶＤ）技術の変形が、特に好まれる
。例えば、二酸化ケイ素（ＳｉＯｚ）及びＡｌｔ０３の
如く他の酸化物をガラス又はプラスチックに析出させる
ための反応性スパッタリング（Ｒ３）技術が、本発明に
おける使用に対し適切である。ＲＳプロセスにおいて、
金属原子は、反応性ガス（本文脈（こおいては、酸素）
とアルゴンの如き不活性ガスを一最に含むプラズマから
の正イオンによって、金属ターゲットからスパッタリン
グされる。プラズマの後者の成分が、反応性ガスを希釈
するために加えられる。

ＲＳにおいて、ケイ素、アルミニューム等の蒸気種は、
ターゲットに衝撃を与える正（酸素）イオンとターゲッ
ト原子との間の運動量交換によって生成される。スパッ
タリング率は、このため、プラズマからターゲットへの
パワー人力、即ち、ｄｃスパッタリングにおけるカソー
ド電圧と電流の積、に全体的に依存する。こうして、ス
パッタリング率は、プラズマ依存である０本発明により
アモルファス物質で棒１を被覆するために使用される平
面又は複千面マグネトロンを組み込むスパッタリング＆
置管、カウフマン・イオン・ガン・システム又は全カソ
ード・マグネトロンは、ブレット他、Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｃ
　ｉ、Ｔｅｃｈｎｏ　１．Ａ１　＜２）：３５２−５５
　（１９８３＞、ロストボロスキー、Ｊ、Ｖａｃ、Ｓｃ
　ｉ、Ｔｅｃｈｎ。

１、Ａ　　３（３）：４９１−９４（１９８５）、及び
マツクネイル他、応用光学２３　（４）：　５５２−５
９　（１９８４）、によって開示されたが、それぞれの
内容は、参照によりここに編入される。

本発明により、ＰＡＰＶＤにおいてアモルファス被覆を
適用する際に、また、活性反応性蒸発（ＡＲＥ）に関連
する技術が適切である。ＡＲＥプロセスにおいて、金属
原子は、熱電子ビーム。

プラズマ電子ビーム、抵抗加熱又はアーク加熱によって
加熱された蒸発源から生産される。ガス相は、通常、１
ｘｌＯ−’）ルよりも小さい圧力における反応性ガスの
みである。プラズマは、低エネルギー電子（２０−２０
０ｅＶ）を注入することによって、源基質空間において
生成される。電子／分子衝突のための断面は、この低エ
ネルギー範囲において最大を経過し、そして高エネルギ
ーにおいて激烈に減少する。低エネルギー電子の源は、
熱電子的加熱カソードであるか、又は電子ビームが加熱
のなめに使用される時、電子ビームの作用により蒸発源
の頂部において形成された熔融金属のプール上のプラズ
マ・シースである（低い正ポテンシャルにバイアスされ
適切に間隔を置かれたアノードがまた、提供される。）
。さらに、無線周波数励起が、プラズマを形成するため
に使用される。蒸気種は、ターゲットに伝えられた熱エ
ネルギーによって生成されるために、蒸発率は、またタ
ーゲット表面の温度に依存するターゲット要素の蒸気圧
力として、直接に変化する。逆に、プラズマは、蒸発率
に殆ど又は全く影響を及ぼさない。Ｒ３とは違い、この
ため、ＡＲＥプロセスは、プラズマ独立である。

析出に対するシステム・パラメーターは、異なる枠外形
、蒸気種と反応性ガス混合を収容するために経験的に調
整されるが、Ｒ３及びＡＲＥ技術の両方により、本発明
によるアモルファス物質の被覆を析出するための動作条
件の代表的範囲が、表Ｉに与えられる。

表■ ＡＲＥ及びＲＳプロセスにおいて使用される代表的析出
条件 プロセス変数　　　　ＡＲＥ　　　　　　　Ｒ３圧力　
　　　　　　　　　　１０−’−１０−’）ル　　　　
　１０−２−１０弓トル源／基質距離　　２０−２５ｃ
ｍ　　　　　４−６ｃ＋＊使用ガス　　　　反応性ガス
、　　反応性ガス＋ＣＪ２、Ｎｉ、Ｏｔ等　不活性ガス
混合プラズマに関する　数ボルト　入力パワーと圧力基
質ポテンシャル　　　　　　に依存、一般に数１００ボ
ルト Ｒ３及びＡＲＥプロセスの両方において、基質枠１は、
「浮動ポテンシャル」現象により、プラズマに浸された
ならば負バイアスを獲得する。さらに、基質は、Ｒｆ電
力供給に結合することにより、高い負ポテンシャルにバ
イアスされる。ＡＲＥにおいて、経験的調整を通常受け
る制御パラメーターは、電子ビームのパワーと、源と基
質の間のグロー放電における最小パワーである。一方、
Ｒ３において、主な制御パラメーターは、反応性ガス流
量率とスパッタリング・パワーである。前者は、反応性
ガスがシステムにポンプで注入される速度に非常に依存
する。流量率は、所望の動作圧力を達成するために調整
され、５乃至２５スタンドｃｍ”７分の範囲における率
が代表的である。

スパッタリング・パワーは、ターゲットに対する全体パ
ワーとして表現され、ターゲット・サイズの関数である
。ターゲット表面の約４ワツト／ｃｍ２の値が例証であ
る。

ＡＲＥの他に、イオンめっき（ｉｏｎ　ｐｌａｔｉｎｇ
）の関連技術がまた、本発明により、アモルファス被覆
の層を光伝導棒に適用するために使用される。

イオンめっきプロセスにおいて、ＡＲＥと同様、蒸発源
が、反応性ガス（酸素）を含む大気において、例えば、
誘導加熱により、加熱される。誘導加熱は、反応性イオ
ンめっきが行われるために必要な酸素の残留大気圧力に
おいて、動作の利点を提供する。第２回国際会議、イオ
ンめっき及び関連技術８４におけるホーソン他（Ｃ，Ｅ
、Ｔ、コンサルタント株式会社、エディソバ９１９フ９
年）を参照せよ、その内容は、ここで参照により編入さ
れる。マグネトロン・スパッタリングはまた、スパッタ
リングされる種の生産において使用され、棒基質Ｉｄに
小さな加熱効果のみ及ぼす利点がある。とにかく、イオ
ンめっきは、基質が、プラズマに関し、ＡＲＥにおける
如くほんの数ボルトではなく、キロボルトの次元でポテ
ンシャルにバイアスされる点において、ＡＲＥとは異な
る。

例えば、アモルファス酸化ケイ素物質の層が、従来の蒸
発装置（電圧〜１０ｋｖ）において、電流の通過により
抵抗により加熱されるタンタル「ボート」から、装薬（
ｐｏｗｄｅｒ　ｃｈａｒｇｅ）としてＳｉＯを蒸発させ
ることによって、上記の如く、プラスチックの光伝導棒
に適用される。結果として生ずる源温度は、約摂氏１０
２５度に調整され、一般に４ｎｍ／ｓの範囲の析出率に
結果する。適用された薄膜の酸素含有量を増大させ、こ
れにより、５ｉＯｚに近いＳ　＋　ＯＸ成分を保証する
と、酸素大気は、約１０ミリトルの圧力において、蒸発
装置で維持され、そして放電が、０２反応性を増大させ
るなめに（ＤＣ又はＲｆパワーにより）開始される。

棒１が、上記の如く、被覆処理を受ける前又は後のいづ
れかに、棒において空洞の境界を形成する少なくとも傾
斜平坦表面６（例えば、第２Ｂ図参照）は、反射物質で
被覆される。さらに具体的には、棒１の各空洞２−４に
おける傾斜平坦表面６は、表面が、棒を縦に伝導された
光に関して鏡として作用する如き方法により、被覆され
る。反射性、非腐食金属は、例えば、従来のスパッタリ
ング・プロセスにより、傾斜平坦表面に、析出される物
質として好まれる。金、銀、アルミニニーム、銅、とニ
ッケルは、この点において特に適切である。

例示動作において、金又はある他の反射金属は、水冷銅
炉床において、金電荷から電子ビーム蒸発によって蒸発
される。こうして、３ｋＷの範囲における電子ビーム・
パワーでは、金源から３５ｃｍの距離にある基質（それ
自身は加熱されない）における析出率は、約８ｎｍ／ｓ
以下である０反射物質の蒸発の前に、付着層は、通常、
同一蒸発サイクルと装置を使用して、上記の如く、適用
されるが、Ｔｉ又はＣｒの如き付着物質の電荷が、銅炉
床に提供される０代表的電子ビーム・パワー値と析出率
は、Ｔｉに対し約０．９ｋＷ及び５．Ｏｎｍ／ｓ、Ｃｒ
に対し１．２　ｋＷ及び６ｎｍ／ｓである。約２０ｎｍ
の付着層の厚さが、通常、適切である。

本発明の１つの好ましい実施Ｒａ２において、反射物質
で被覆された平坦表面は、伝導棒が被覆されるアモルフ
ァス物質を、それ自身実質的に有さない、この実施態様
において、例えば、本発明の方法が、反射物質が平坦表
面に析出される前に、棒をアモルファス物質で被覆する
ことを含む時、傾斜平坦表面は、第１被覆段階中、マス
クされる。

その後、アモルファス物質で被覆された棒の表面領域が
、マスクされ、そして今マスクされていない傾斜平坦表
面は、反射物質で被覆される。即ち、平坦表面のみが、
反射的にされる。代替的に、アモルファス物質被覆棒表
面は、マスクされる必要がなく、その結果各空洞の傾斜
平坦表面と共に、金棒における反射物質の析出が行われ
る。

別の好ましい実施８ｍにおいて、棒の外部表面と空洞の
傾斜平坦表面の両方は、アモルファス物質で被覆され、
そしてそれから反射物質で保護被覆される（又は傾斜平
坦表面のみが、保護被覆される）０本発明のさらに別の
好ましい実施態様において、各傾斜平坦表面において（
そしてオプションとして、伝導棒の露出表面において）
反射物質を析出させる段階は、アモルファス物質被覆段
階の前に行われる。この実施態様において、棒から伝導
された光ビーム８が平坦表面から反射されたならば従う
線に沿う各平坦表面の反対側の棒表面の領域（第３図参
照）は、第１被覆段階中マスクされ、これによりそれを
非反射にする。同一領域は、他の棒表面が、その後アモ
ルファス物質で被覆される時、マスクされたままである
。このように、所与の反射平坦表面と直接反対側の棒表
面領域９は、被覆がないか、又は光伝導物質のみで被覆
され、傾斜平坦表面から棒の断面により反射された光が
、最小の変形で棒から横に出ることを可能にする。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明により生産された光導体の概略的斜視
図。 第２図は、第１図に示された光導体の部分の、それぞれ
、平面図（Ａ）、側面図（Ｂ）と断面図（Ｃ）を提供し
、部分が平面Ａ−Ａ’／Ｂ−Ｂ’によって規定された概
略図。 第３図は、本発明で生産された光導体の部分を示し、特
に、光導体を通過する光のための異なる反射通路を示す
側面図。 １−−−−−一棒 ２．３．４−−−−−一空洞 ６−−−−−一傾斜反射表面

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、所定の断面領域を有する光学的伝導棒を具備し、か
   つ該棒の該縦軸に横断する縦軸と、傾斜平坦表面を規定
   する該棒における境界とを有する少なくとも１つの空洞
   を具備する光導波管要素を作成するための方法において
   ； （ａ）該棒の屈折率よりも小さな屈折率を有するアモル
   ファス物質を含む層で、プラズマ補助物理的蒸気析出に
   より、該棒を被覆する段階と、（ｂ）該表面に波形を付
   けるか、又は該表面を光反射物質で被覆することによっ
   て、少なくとも該傾斜平坦表面を光反射にする段階とを
   含む方法。 ２、該光反射物質が、金、銀、アルミニューム、銅とニ
   ッケルから選択される特許請求の範囲第１項に記載の方
   法。 ３、該傾斜平坦表面が、該棒の該断面の僅かに約５％の
   領域を有する特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ４、該棒が、少なくとも摂氏６０度の軟化温度を有する
   プラスチック物質を含む特許請求の範囲第１項に記載の
   方法。 ５、該棒が、アリル・エステル、ポリカーボネート、ポ
   リスルホン、炭酸エステル合金と芳香族エステル炭酸共
   重合体を含む基から少なくとも１つを含む特許請求の範
   囲第４項に記載の方法。 ６、該棒が、赤光線に伝導的であるプラスチック物質を
   含む特許請求の範囲第４項に記載の方法。 ７、該アモルファス物質が、非融解酸化ケイ素物質を含
   む特許請求の範囲第１項に記載の方法。 ８、段階（ａ）が、反応性スパッタリングにより、該ア
   モルファス物質を析出させること含む特許請求の範囲第
   １項に記載の方法。 ９、該反応性スパッタリングが、マグネトロン・スパッ
   タリング・プロセスである特許請求の範囲第８項に記載
   の方法。 １０、段階（ａ）が、活性化された反応性蒸発により該
   アモルファス物質を析出させることを含む特許請求の範
   囲第１項に記載の方法。 １１、該活性反応性蒸発が、イオンめつきプロセスであ
   る特許請求の範囲第１０項に記載の方法。 １２、該棒が、正多角形断面を有する特許請求の範囲第
   １項に記載の方法。 １３、該棒が、正方形断面を有する特許請求の範囲第１
   ２項に記載の方法。 １４、該空洞が、円形断面を有する特許請求の範囲第１
   項に記載の方法。 １５、段階（ｂ）が、該傾斜平坦表面に波形を付けるこ
   とを含む特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １６、段階（ｂ）が、該傾斜平坦表面を光反射物質で被
   覆することを含む特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １７、さらに、該棒と該反射物質の中間に付着層を提供
   する段階を含む特許請求の範囲第１項に記載の方法。 １８、段階（ｂ）が、該傾斜平坦表面のみを該光反射物
   質で被覆することを含む特許請求の範囲第１６項に記載
   の方法。 １９、段階（ａ）が、該傾斜平坦表面は、実質的に該ア
   モルファス物質がない如く、該棒を被覆することを含む
   特許請求の範囲第１８項に記載の方法。 ２０、段階（ａ）が、段階（ｂ）に先行する特許請求の
   範囲第１９項に記載の方法。 ２１、該光反射物質が、金と銀から選択される特許請求
   の範囲第２０項に記載の方法。 ２２、さらに、該棒と該反射物質の間の中間に付着層を
   提供する段階を含む特許請求の範囲第２１項に記載の方
   法。 ２３、該付着層が、クロミウム又はチタニウムを含む特
   許請求の範囲第２２項に記載の方法。 ２４、段階（ｂ）が、段階（ａ）に先行し、そしてさら
   に、該棒の断面を通る横軸線に沿う該傾斜平坦表面の反
   対側にある該棒の表面領域は、該光反射物質で被覆され
   ない如く、該棒を該光反射物質で被覆することを含む特
   許請求の範囲第１６項に記載の方法。 ２５、段階（ａ）が、さらに、該空洞の全表面を該アモ
   ルファス物質で被覆することを含み、該棒の断面を通る
   横軸線に沿う該傾斜平坦表面の反対側にある該棒の表面
   領域は、アモルファス物質で被覆されない如く、該棒が
   、段階（ａ）中、被覆される特許請求の範囲第２４項に
   記載の方法。