JP2001332543A - 層間絶縁膜、その形成方法及び配線の形成方法 - Google Patents
層間絶縁膜、その形成方法及び配線の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 層間絶縁膜となる有機高分子膜を有機高分子
の架橋部位を切断することなく多孔質化すると共に、有
機高分子膜に分子レベルのサイズを有し且つ連続してい
ない空孔を均一に分散させる。 【解決手段】 同一分子内に３つ以上の官能基群を持つ
ことにより３次元構造を有している第１の架橋分子と、
同一分子内に２つの官能基群を持つことにより２次元構
造を有している第２の架橋分子とを重合させて３次元重
合高分子からなる層間絶縁膜を形成する。３次元重合高
分子の内部には、第１の架橋分子と第２の架橋分子とが
重合することにより形成された分子レベルの多数の空孔
が分散している。
の架橋部位を切断することなく多孔質化すると共に、有
機高分子膜に分子レベルのサイズを有し且つ連続してい
ない空孔を均一に分散させる。 【解決手段】 同一分子内に３つ以上の官能基群を持つ
ことにより３次元構造を有している第１の架橋分子と、
同一分子内に２つの官能基群を持つことにより２次元構
造を有している第２の架橋分子とを重合させて３次元重
合高分子からなる層間絶縁膜を形成する。３次元重合高
分子の内部には、第１の架橋分子と第２の架橋分子とが
重合することにより形成された分子レベルの多数の空孔
が分散している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低い比誘電率を有
していると共に、機械強度、耐熱性及び基板との密着性
に優れた層間絶縁膜及びその形成方法、並びに前記層間
絶縁膜に配線を形成する方法に関する。
していると共に、機械強度、耐熱性及び基板との密着性
に優れた層間絶縁膜及びその形成方法、並びに前記層間
絶縁膜に配線を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、超ＬＳＩの層間絶縁膜として用い
られる有機高分子膜としては、芳香族系の分子が重合し
てなり耐熱性に優れた高分子膜、ポリイミド誘導体から
なる高分子膜、ポリアリルエーテル誘導体からなる高分
子膜、ポリキノリン誘導体からなる高分子膜、ポリパラ
キシレン誘導体からなる高分子膜等が知られている。
られる有機高分子膜としては、芳香族系の分子が重合し
てなり耐熱性に優れた高分子膜、ポリイミド誘導体から
なる高分子膜、ポリアリルエーテル誘導体からなる高分
子膜、ポリキノリン誘導体からなる高分子膜、ポリパラ
キシレン誘導体からなる高分子膜等が知られている。
【０００３】これらの有機高分子膜は、炭素を主成分と
するため、超ＬＳＩの層間絶縁膜として従来から用いら
れてきたシリコン酸化膜に比べて、構成分子の分極率が
小さいので比誘電率が低い。このため、高分子膜は比誘
電率が低い層間絶縁膜として注目されている。
するため、超ＬＳＩの層間絶縁膜として従来から用いら
れてきたシリコン酸化膜に比べて、構成分子の分極率が
小さいので比誘電率が低い。このため、高分子膜は比誘
電率が低い層間絶縁膜として注目されている。
【０００４】炭素を主成分とする有機高分子膜の比誘電
率は、２．４〜３．０程度であって、シリコン酸化膜の
比誘電率である３．３〜４．５程度に比べて低い。もっ
とも、シリコン酸化膜においても、有機成分が導入され
た有機ＳＯＧ膜では、２．９程度の比誘電率を持つもの
が知られている。
率は、２．４〜３．０程度であって、シリコン酸化膜の
比誘電率である３．３〜４．５程度に比べて低い。もっ
とも、シリコン酸化膜においても、有機成分が導入され
た有機ＳＯＧ膜では、２．９程度の比誘電率を持つもの
が知られている。
【０００５】ところで、近時においては、層間絶縁膜の
比誘電率をより低くすることが望まれ、層間絶縁膜の多
孔質化が検討されている。
比誘電率をより低くすることが望まれ、層間絶縁膜の多
孔質化が検討されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】層間絶縁膜を多孔質化
すると、比誘電率を大きく低下させることは可能である
が、層間絶縁膜の機械強度、耐熱性及び基板との密着性
の低下を招くという新たな問題が発生する。
すると、比誘電率を大きく低下させることは可能である
が、層間絶縁膜の機械強度、耐熱性及び基板との密着性
の低下を招くという新たな問題が発生する。
【０００７】この問題は、層間絶縁膜における多孔質化
が、有機高分子の架橋密度を低減させることにより実現
されるという原理的な欠陥に基づいて発生する。以下、
この原理的な欠陥について説明する。
が、有機高分子の架橋密度を低減させることにより実現
されるという原理的な欠陥に基づいて発生する。以下、
この原理的な欠陥について説明する。
【０００８】有機高分子膜の機械強度は、架橋密度が高
いほど大きい。ところが、従来の有機高分子膜の多孔質
化は、有機高分子における架橋部位を切断することによ
り実現されてきたため、有機高分子膜の機械強度を保つ
分子のネットワークが部分的に切断されてしまうので、
機械強度の低下は免れない。層間絶縁膜の機械強度が低
下すると、層間絶縁膜を化学的機械研磨（ＣＭＰ）によ
り平坦化すると、配線構造が破壊してしまうという問題
が発生する。
いほど大きい。ところが、従来の有機高分子膜の多孔質
化は、有機高分子における架橋部位を切断することによ
り実現されてきたため、有機高分子膜の機械強度を保つ
分子のネットワークが部分的に切断されてしまうので、
機械強度の低下は免れない。層間絶縁膜の機械強度が低
下すると、層間絶縁膜を化学的機械研磨（ＣＭＰ）によ
り平坦化すると、配線構造が破壊してしまうという問題
が発生する。
【０００９】また、有機高分子の架橋部位を切断する
と、有機高分子膜からなる層間絶縁膜に対して後に熱処
理工程が加わったときに層間絶縁膜が軟化して、多層配
線構造が変形したり又は破壊したりするという問題が発
生する。
と、有機高分子膜からなる層間絶縁膜に対して後に熱処
理工程が加わったときに層間絶縁膜が軟化して、多層配
線構造が変形したり又は破壊したりするという問題が発
生する。
【００１０】また、有機高分子における架橋部位を切断
すると、有機高分子膜と基板との間の架橋部位も切断さ
れてしまうので、層間絶縁膜と基板との密着性が低下す
るという問題も発生する。
すると、有機高分子膜と基板との間の架橋部位も切断さ
れてしまうので、層間絶縁膜と基板との密着性が低下す
るという問題も発生する。
【００１１】また、従来の多孔質有機高分子膜において
は、空孔のサイズに統計的なばらつき（サイズ分布）が
存在することが避けられないと共に、空孔の分散状態が
不均一になってしまう。このため、層間絶縁膜の膜質が
均一でなくなるので、超ＬＳＩにおける一層の微細化の
要求には応えられないという問題がある。
は、空孔のサイズに統計的なばらつき（サイズ分布）が
存在することが避けられないと共に、空孔の分散状態が
不均一になってしまう。このため、層間絶縁膜の膜質が
均一でなくなるので、超ＬＳＩにおける一層の微細化の
要求には応えられないという問題がある。
【００１２】また、超ＬＳＩが一層の微細化すると、従
来の多孔質有機高分子膜によると、デザインルールに近
いサイズを持つ空孔の存在が避けられなくなるため、パ
ターン欠陥を引き起こすという問題が発生する。
来の多孔質有機高分子膜によると、デザインルールに近
いサイズを持つ空孔の存在が避けられなくなるため、パ
ターン欠陥を引き起こすという問題が発生する。
【００１３】さらに、従来の多孔質有機高分子膜におい
ては、多数の空孔が連続しているため、層間絶縁膜中に
水分、エッチングガス又は洗浄液等が侵入する事態が避
けられないので、膜質の劣化が起きるという問題が発生
する。
ては、多数の空孔が連続しているため、層間絶縁膜中に
水分、エッチングガス又は洗浄液等が侵入する事態が避
けられないので、膜質の劣化が起きるという問題が発生
する。
【００１４】前記に鑑み、本発明は、有機高分子の架橋
部位を切断することなく有機高分子膜を多孔質化するこ
とにより、層間絶縁膜の機械強度、耐熱性及び基板との
密着性を向上させ、また、分子レベルのサイズを有し且
つ連続していない空孔を均一に分散させることにより、
超ＬＳＩにおける一層の微細化の要求に応えられると共
にプロセスにおいて膜質の劣化が起こらないようにする
ことを第１の目的とし、前記の層間絶縁膜に該層間絶縁
膜の特性を劣化させることなく配線を形成できるように
することを第２の目的とする。
部位を切断することなく有機高分子膜を多孔質化するこ
とにより、層間絶縁膜の機械強度、耐熱性及び基板との
密着性を向上させ、また、分子レベルのサイズを有し且
つ連続していない空孔を均一に分散させることにより、
超ＬＳＩにおける一層の微細化の要求に応えられると共
にプロセスにおいて膜質の劣化が起こらないようにする
ことを第１の目的とし、前記の層間絶縁膜に該層間絶縁
膜の特性を劣化させることなく配線を形成できるように
することを第２の目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前記の第１の目的を達成
するため、本発明に係る層間絶縁膜は、３次元構造を有
する第１の架橋分子と２次元構造を有する第２の架橋分
子とが重合することに形成され、内部に分子レベルの空
孔を有する３次元重合高分子からなる。
するため、本発明に係る層間絶縁膜は、３次元構造を有
する第１の架橋分子と２次元構造を有する第２の架橋分
子とが重合することに形成され、内部に分子レベルの空
孔を有する３次元重合高分子からなる。
【００１６】本発明に係る層間絶縁膜によると、３次元
構造を有する第１の架橋分子と２次元構造を有する第２
の架橋分子とが重合することに形成された３次元重合高
分子の内部に分子レベルの空孔が形成されているため、
従来の多孔質膜のように架橋部位を切断することなく多
数の空孔を形成することができると共に、分子レベルの
サイズを有し且つ連続していない空孔を均一に分散させ
ることができる。
構造を有する第１の架橋分子と２次元構造を有する第２
の架橋分子とが重合することに形成された３次元重合高
分子の内部に分子レベルの空孔が形成されているため、
従来の多孔質膜のように架橋部位を切断することなく多
数の空孔を形成することができると共に、分子レベルの
サイズを有し且つ連続していない空孔を均一に分散させ
ることができる。
【００１７】従って、本発明に係る層間絶縁膜は、機械
強度、耐熱性及び基板との密着性において優れており、
また、超ＬＳＩにおける一層の微細化の要求に応えられ
ると共にプロセスにおいて膜質の劣化が起こらない。
強度、耐熱性及び基板との密着性において優れており、
また、超ＬＳＩにおける一層の微細化の要求に応えられ
ると共にプロセスにおいて膜質の劣化が起こらない。
【００１８】本発明に係る層間絶縁膜において、第１の
架橋分子は、同一分子内に３つ以上の官能基群を有する
第１の有機分子であり、第２の架橋分子は、同一分子内
に２つの官能基群を有する第２の有機分子であり、３次
元重合高分子は、第１の有機分子の３つ以上の官能基群
と第２の有機分子の２つの官能基群とが結合することに
より形成されていることが好ましい。
架橋分子は、同一分子内に３つ以上の官能基群を有する
第１の有機分子であり、第２の架橋分子は、同一分子内
に２つの官能基群を有する第２の有機分子であり、３次
元重合高分子は、第１の有機分子の３つ以上の官能基群
と第２の有機分子の２つの官能基群とが結合することに
より形成されていることが好ましい。
【００１９】このようにすると、内部に分子レベルの多
数の空孔を有する３次元重合高分子を確実に形成するこ
とができる。
数の空孔を有する３次元重合高分子を確実に形成するこ
とができる。
【００２０】本発明に係る層間絶縁膜において、第１の
架橋分子を構成する第１の有機分子は、
架橋分子を構成する第１の有機分子は、
【００２１】
【化１３】 （但し、Ｒ1 は第１の有機骨格であり、Ｘ1は第１の官
能基群であり、Ｘ2は第２の官能基群であり、Ｘ1とＸ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、
能基群であり、Ｘ2は第２の官能基群であり、Ｘ1とＸ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、
【００２２】第２の架橋分子を構成する第２の有機分子
は、
は、
【００２３】
【化１４】 （但し、Ｒ2 は第２の有機骨格であり、Ｙ1は第３の官
能基群であり、Ｙ2は第４の官能基群であり、Ｙ1とＹ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、
能基群であり、Ｙ2は第４の官能基群であり、Ｙ1とＹ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、
【００２４】３次元重合高分子は、第１の官能基群（Ｘ
1 ）と第３の官能基群（Ｙ1 ）とが結合すると共に第２
の官能基群（Ｘ2 ）と第４の官能基群（Ｙ2 ）とが結合
することにより形成され、分子レベルの空孔は、第１の
有機骨格（Ｒ1 ）と第２の有機骨格（Ｒ2 ）とによって
囲まれる領域に形成されていることが好ましい。
1 ）と第３の官能基群（Ｙ1 ）とが結合すると共に第２
の官能基群（Ｘ2 ）と第４の官能基群（Ｙ2 ）とが結合
することにより形成され、分子レベルの空孔は、第１の
有機骨格（Ｒ1 ）と第２の有機骨格（Ｒ2 ）とによって
囲まれる領域に形成されていることが好ましい。
【００２５】このようにすると、３次元重合高分子にお
ける、第１の架橋分子の第１の有機骨格と第２の架橋分
子の第２の有機骨格とによって囲まれる領域に分子レベ
ルの多数の空孔を確実に形成することができる。
ける、第１の架橋分子の第１の有機骨格と第２の架橋分
子の第２の有機骨格とによって囲まれる領域に分子レベ
ルの多数の空孔を確実に形成することができる。
【００２６】また、本発明に係る層間絶縁膜において、
第１の架橋分子を構成する第１の有機分子は、
第１の架橋分子を構成する第１の有機分子は、
【００２７】
【化１５】 （但し、Ｒ1 は第１の有機骨格であり、Ｘ1は第１の官
能基群であり、Ｘ2は第２の官能基群であり、Ｚは第３
の官能基群であり、Ｘ1とＸ2とは同種又は異種であ
る。）で表わされ、
能基群であり、Ｘ2は第２の官能基群であり、Ｚは第３
の官能基群であり、Ｘ1とＸ2とは同種又は異種であ
る。）で表わされ、
【００２８】第２の架橋分子を構成する第２の有機分子
は、
は、
【００２９】
【化１６】 （但し、Ｒ2 は第２の有機骨格であり、Ｙ1は第４の官
能基群であり、Ｙ2は第５の官能基群であり、Ｙ1とＹ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、
能基群であり、Ｙ2は第５の官能基群であり、Ｙ1とＹ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、
【００３０】３次元重合高分子は、第１の官能基群（Ｘ
1 ）と第４の官能基群（Ｙ1 ）とが結合すると共に第２
の官能基群（Ｘ2 ）と第５の官能基群（Ｙ2 ）とが結合
することにより形成された複数のユニットの第３の官能
基群（Ｚ）同士が結合することにより形成され、分子レ
ベルの空孔は、複数のユニットにおける第１の有機骨格
（Ｒ1 ）と第２の有機骨格（Ｒ2 ）とによって囲まれる
領域にそれぞれ形成されていることが好ましい。
1 ）と第４の官能基群（Ｙ1 ）とが結合すると共に第２
の官能基群（Ｘ2 ）と第５の官能基群（Ｙ2 ）とが結合
することにより形成された複数のユニットの第３の官能
基群（Ｚ）同士が結合することにより形成され、分子レ
ベルの空孔は、複数のユニットにおける第１の有機骨格
（Ｒ1 ）と第２の有機骨格（Ｒ2 ）とによって囲まれる
領域にそれぞれ形成されていることが好ましい。
【００３１】このようにすると、各ユニットにおける、
第１の架橋分子の第１の有機骨格と第２の架橋分子の第
２の有機骨格とによって囲まれる領域に分子レベルの空
孔を形成することができると共に、各ユニットが互いに
結合することにより３次元重合高分子が形成されている
ため、該３次元重合高分子の内部に分子レベルの多数の
空孔を分散させることができる。
第１の架橋分子の第１の有機骨格と第２の架橋分子の第
２の有機骨格とによって囲まれる領域に分子レベルの空
孔を形成することができると共に、各ユニットが互いに
結合することにより３次元重合高分子が形成されている
ため、該３次元重合高分子の内部に分子レベルの多数の
空孔を分散させることができる。
【００３２】前記の第１の目的を達成するため、本発明
に係る層間絶縁膜の形成方法は、３次元構造を有する第
１の架橋分子と２次元構造を有する第２の架橋分子とを
重合させることにより、内部に分子レベルの空孔を有す
る３次元重合高分子からなる層間絶縁膜を形成する。
に係る層間絶縁膜の形成方法は、３次元構造を有する第
１の架橋分子と２次元構造を有する第２の架橋分子とを
重合させることにより、内部に分子レベルの空孔を有す
る３次元重合高分子からなる層間絶縁膜を形成する。
【００３３】本発明に係る層間絶縁膜の形成方法による
と、３次元構造を有する第１の架橋分子と２次元構造を
有する第２の架橋分子とを重合することに形成した３次
元重合高分子の内部に分子レベルの空孔を形成するた
め、従来の多孔質膜のように架橋部位を切断することな
く多数の空孔を形成することができると共に、分子レベ
ルのサイズを有し且つ連続していない空孔を均一に分散
させることができる。
と、３次元構造を有する第１の架橋分子と２次元構造を
有する第２の架橋分子とを重合することに形成した３次
元重合高分子の内部に分子レベルの空孔を形成するた
め、従来の多孔質膜のように架橋部位を切断することな
く多数の空孔を形成することができると共に、分子レベ
ルのサイズを有し且つ連続していない空孔を均一に分散
させることができる。
【００３４】従って、本発明に係る層間絶縁膜の形成方
法によると、機械強度、耐熱性及び基板との密着性にお
いて優れており、また超ＬＳＩにおける一層の微細化の
要求に応えられると共にプロセスにおいて膜質の劣化が
起こらない層間絶縁膜を形成することができる。
法によると、機械強度、耐熱性及び基板との密着性にお
いて優れており、また超ＬＳＩにおける一層の微細化の
要求に応えられると共にプロセスにおいて膜質の劣化が
起こらない層間絶縁膜を形成することができる。
【００３５】本発明に係る層間絶縁膜の形成方法におい
て、第１の架橋分子は、同一分子内に３つ以上の官能基
群を有する第１の有機分子であり、第２の架橋分子は、
同一分子内に２つの官能基群を有する第２の有機分子で
あり、３次元重合高分子は、第１の有機分子の３つ以上
の官能基群と第２の有機分子の２つの官能基群とを結合
させることにより形成することが好ましい。
て、第１の架橋分子は、同一分子内に３つ以上の官能基
群を有する第１の有機分子であり、第２の架橋分子は、
同一分子内に２つの官能基群を有する第２の有機分子で
あり、３次元重合高分子は、第１の有機分子の３つ以上
の官能基群と第２の有機分子の２つの官能基群とを結合
させることにより形成することが好ましい。
【００３６】このようにすると、内部に分子レベルの多
数の空孔を有する３次元重合高分子を確実に形成するこ
とができる。
数の空孔を有する３次元重合高分子を確実に形成するこ
とができる。
【００３７】本発明に係る層間絶縁膜の形成方法におい
て、第１の架橋分子を構成する第１の有機分子は、
て、第１の架橋分子を構成する第１の有機分子は、
【００３８】
【化１７】 （但し、Ｒ1 は第１の有機骨格であり、Ｘ1は第１の官
能基群であり、Ｘ2は第２の官能基群であり、Ｘ1とＸ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、
能基群であり、Ｘ2は第２の官能基群であり、Ｘ1とＸ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、
【００３９】第２の架橋分子を構成する第２の有機分子
は、
は、
【００４０】
【化１８】 （但し、Ｒ2 は第２の有機骨格であり、Ｙ1は第３の官
能基群であり、Ｙ2は第４の官能基群であり、Ｙ1とＹ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、
能基群であり、Ｙ2は第４の官能基群であり、Ｙ1とＹ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、
【００４１】３次元重合高分子は、第１の官能基群（Ｘ
1 ）と第３の官能基群（Ｙ1 ）とを結合させると共に第
２の官能基群（Ｘ2 ）と第４の官能基群（Ｙ2 ）とを結
合させることにより形成し、分子レベルの空孔は、第１
の有機骨格（Ｒ1 ）と第２の有機骨格（Ｒ2 ）とによっ
て囲まれる領域に形成することが好ましい。
1 ）と第３の官能基群（Ｙ1 ）とを結合させると共に第
２の官能基群（Ｘ2 ）と第４の官能基群（Ｙ2 ）とを結
合させることにより形成し、分子レベルの空孔は、第１
の有機骨格（Ｒ1 ）と第２の有機骨格（Ｒ2 ）とによっ
て囲まれる領域に形成することが好ましい。
【００４２】このようにすると、３次元重合高分子にお
ける、第１の架橋分子の第１の有機骨格と第２の架橋分
子の第２の有機骨格とによって囲まれる領域に分子レベ
ルの多数の空孔を確実に形成することができる。
ける、第１の架橋分子の第１の有機骨格と第２の架橋分
子の第２の有機骨格とによって囲まれる領域に分子レベ
ルの多数の空孔を確実に形成することができる。
【００４３】本発明に係る層間絶縁膜の形成方法におい
て、第１の架橋分子を構成する第１の有機分子は、
て、第１の架橋分子を構成する第１の有機分子は、
【００４４】
【化１９】 （但し、Ｒ1 は第１の有機骨格であり、Ｘ1は第１の官
能基群であり、Ｘ2は第２の官能基群であり、Ｚは第３
の官能基群であり、Ｘ1とＸ2とは同種又は異種であ
る。）で表わされ、
能基群であり、Ｘ2は第２の官能基群であり、Ｚは第３
の官能基群であり、Ｘ1とＸ2とは同種又は異種であ
る。）で表わされ、
【００４５】第２の架橋分子を構成する第２の有機分子
は、
は、
【００４６】
【化２０】 （但し、Ｒ2 は第２の有機骨格であり、Ｙ1は第４の官
能基群であり、Ｙ2は第５の官能基群であり、Ｙ1とＹ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、
能基群であり、Ｙ2は第５の官能基群であり、Ｙ1とＹ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、
【００４７】３次元重合高分子は、第１の官能基群（Ｘ
1 ）と第４の官能基群（Ｙ1 ）とを結合させると共に第
２の官能基群（Ｘ2 ）と第５の官能基群（Ｙ2 ）とを結
合させることにより複数のユニットを形成した後、該複
数のユニットの第３の官能基群（Ｚ）同士を結合させる
ことにより形成し、分子レベルの空孔は、複数のユニッ
トにおける第１の有機骨格（Ｒ1 ）と第２の有機骨格
（Ｒ2 ）とによって囲まれる領域にそれぞれ形成するこ
とが好ましい。
1 ）と第４の官能基群（Ｙ1 ）とを結合させると共に第
２の官能基群（Ｘ2 ）と第５の官能基群（Ｙ2 ）とを結
合させることにより複数のユニットを形成した後、該複
数のユニットの第３の官能基群（Ｚ）同士を結合させる
ことにより形成し、分子レベルの空孔は、複数のユニッ
トにおける第１の有機骨格（Ｒ1 ）と第２の有機骨格
（Ｒ2 ）とによって囲まれる領域にそれぞれ形成するこ
とが好ましい。
【００４８】このようにすると、各ユニットにおける、
第１の架橋分子の第１の有機骨格と第２の架橋分子の第
２の有機骨格とによって囲まれる領域に分子レベルの空
孔を形成することができると共に、各ユニットを互いに
結合することにより３次元重合高分子を形成するため、
該３次元重合高分子の内部に分子レベルの多数の空孔を
分散させることができる。
第１の架橋分子の第１の有機骨格と第２の架橋分子の第
２の有機骨格とによって囲まれる領域に分子レベルの空
孔を形成することができると共に、各ユニットを互いに
結合することにより３次元重合高分子を形成するため、
該３次元重合高分子の内部に分子レベルの多数の空孔を
分散させることができる。
【００４９】前記の第２の目的を達成するため、本発明
に係る第１の配線形成方法は、３次元構造を有する第１
の架橋分子と２次元構造を有する第２の架橋分子とが重
合することに形成され、内部に分子レベルの多数の空孔
を有する３次元重合高分子からなる層間絶縁膜を形成す
る工程と、層間絶縁膜の上に表面バリア膜を形成する工
程と、表面バリア膜の上にマスクを形成する工程と、表
面バリア膜及び層間絶縁膜に対してマスクを用いてエッ
チングを行なって、表面バリア膜及び層間絶縁膜に凹部
を形成する工程と、凹部に金属材料を埋め込んで、金属
材料からなる配線を形成する工程とを備えている。
に係る第１の配線形成方法は、３次元構造を有する第１
の架橋分子と２次元構造を有する第２の架橋分子とが重
合することに形成され、内部に分子レベルの多数の空孔
を有する３次元重合高分子からなる層間絶縁膜を形成す
る工程と、層間絶縁膜の上に表面バリア膜を形成する工
程と、表面バリア膜の上にマスクを形成する工程と、表
面バリア膜及び層間絶縁膜に対してマスクを用いてエッ
チングを行なって、表面バリア膜及び層間絶縁膜に凹部
を形成する工程と、凹部に金属材料を埋め込んで、金属
材料からなる配線を形成する工程とを備えている。
【００５０】本発明に係る第１の配線形成方法による
と、層間絶縁膜の上に表面バリア膜を形成しておいてか
ら該表面バリア膜の上にマスクを形成するため、マスク
となる膜を形成する工程において、原料ガスが層間絶縁
膜の空孔に侵入する事態を回避できるので、層間絶縁膜
の比誘電率が高くなることを防止できる。このため、層
間絶縁膜の空孔のサイズを、原料ガスが侵入してしまう
程度の大きさにまで拡大できるので、層間絶縁膜の比誘
電率を大きく低減することができる。
と、層間絶縁膜の上に表面バリア膜を形成しておいてか
ら該表面バリア膜の上にマスクを形成するため、マスク
となる膜を形成する工程において、原料ガスが層間絶縁
膜の空孔に侵入する事態を回避できるので、層間絶縁膜
の比誘電率が高くなることを防止できる。このため、層
間絶縁膜の空孔のサイズを、原料ガスが侵入してしまう
程度の大きさにまで拡大できるので、層間絶縁膜の比誘
電率を大きく低減することができる。
【００５１】前記の第２の目的を達成するため、本発明
に係る第２の配線形成方法は、３次元構造を有する第１
の架橋分子と２次元構造を有する第２の架橋分子とが重
合することに形成され、内部に分子レベルの多数の空孔
を有する３次元重合高分子からなる層間絶縁膜を形成す
る工程と、層間絶縁膜の上にマスクを形成する工程と、
層間絶縁膜に対してマスクを用いてエッチングを行なっ
て、層間絶縁膜に凹部を形成する工程と、凹部の側壁に
側壁バリア膜を形成する工程と、側壁バリア膜が形成さ
れている凹部に金属材料を埋め込んで、金属材料からな
る配線を形成する工程とを備えている。
に係る第２の配線形成方法は、３次元構造を有する第１
の架橋分子と２次元構造を有する第２の架橋分子とが重
合することに形成され、内部に分子レベルの多数の空孔
を有する３次元重合高分子からなる層間絶縁膜を形成す
る工程と、層間絶縁膜の上にマスクを形成する工程と、
層間絶縁膜に対してマスクを用いてエッチングを行なっ
て、層間絶縁膜に凹部を形成する工程と、凹部の側壁に
側壁バリア膜を形成する工程と、側壁バリア膜が形成さ
れている凹部に金属材料を埋め込んで、金属材料からな
る配線を形成する工程とを備えている。
【００５２】本発明に係る第２の配線形成方法による
と、凹部の側壁に側壁バリア膜を形成しておいてから、
凹部に金属材料を埋め込んで配線を形成するため、配線
となる金属膜を形成する工程において、金属材料のガス
が層間絶縁膜の空孔に侵入する事態を回避できるので、
層間絶縁膜の比誘電率が高くなることを防止できる。こ
のため、層間絶縁膜の空孔のサイズを、金属材料のガス
が侵入してしまう程度の大きさにまで拡大できるので、
層間絶縁膜の比誘電率を大きく低減することができる。
と、凹部の側壁に側壁バリア膜を形成しておいてから、
凹部に金属材料を埋め込んで配線を形成するため、配線
となる金属膜を形成する工程において、金属材料のガス
が層間絶縁膜の空孔に侵入する事態を回避できるので、
層間絶縁膜の比誘電率が高くなることを防止できる。こ
のため、層間絶縁膜の空孔のサイズを、金属材料のガス
が侵入してしまう程度の大きさにまで拡大できるので、
層間絶縁膜の比誘電率を大きく低減することができる。
【００５３】本発明に係る第２の配線形成方法は、層間
絶縁膜を形成する工程とマスクを形成する工程との間
に、層間絶縁膜の上に表面バリア膜を形成する工程をさ
らに備え、凹部を形成する工程は、表面バリア膜及び層
間絶縁膜に対してマスクを用いてエッチングを行なっ
て、表面バリア膜及び層間絶縁膜に凹部を形成する工程
を含むことが好ましい。
絶縁膜を形成する工程とマスクを形成する工程との間
に、層間絶縁膜の上に表面バリア膜を形成する工程をさ
らに備え、凹部を形成する工程は、表面バリア膜及び層
間絶縁膜に対してマスクを用いてエッチングを行なっ
て、表面バリア膜及び層間絶縁膜に凹部を形成する工程
を含むことが好ましい。
【００５４】このようにすると、マスクとなる膜を形成
する工程において、原料ガスが層間絶縁膜の空孔に侵入
する事態を回避できるので、層間絶縁膜の比誘電率が高
くなることをより確実に防止することができる。
する工程において、原料ガスが層間絶縁膜の空孔に侵入
する事態を回避できるので、層間絶縁膜の比誘電率が高
くなることをより確実に防止することができる。
【００５５】本発明に係る第１又は第２の配線形成方法
において、第１の架橋分子は、同一分子内に３つ以上の
官能基群を有する第１の有機分子であり、第２の架橋分
子は、同一分子内に２つの官能基群を有する第２の有機
分子であり、３次元重合高分子は、第１の有機分子の３
つ以上の官能基群と第２の有機分子の２つの官能基群と
を結合させることにより形成することが好ましい。
において、第１の架橋分子は、同一分子内に３つ以上の
官能基群を有する第１の有機分子であり、第２の架橋分
子は、同一分子内に２つの官能基群を有する第２の有機
分子であり、３次元重合高分子は、第１の有機分子の３
つ以上の官能基群と第２の有機分子の２つの官能基群と
を結合させることにより形成することが好ましい。
【００５６】このようにすると、内部に分子レベルの多
数の空孔を有する３次元重合高分子からなる層間絶縁膜
を確実に形成することができる。
数の空孔を有する３次元重合高分子からなる層間絶縁膜
を確実に形成することができる。
【００５７】本発明に係る第１又は第２の配線形成方法
において、第１の架橋分子を構成する第１の有機分子
は、
において、第１の架橋分子を構成する第１の有機分子
は、
【００５８】
【化２１】 （但し、Ｒ1 は第１の有機骨格であり、Ｘ1は第１の官
能基群であり、Ｘ2は第２の官能基群であり、Ｘ1とＸ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、
能基群であり、Ｘ2は第２の官能基群であり、Ｘ1とＸ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、
【００５９】第２の架橋分子を構成する第２の有機分子
は、
は、
【００６０】
【化２２】 （但し、Ｒ2 は第２の有機骨格であり、Ｙ1は第３の官
能基群であり、Ｙ2は第４の官能基群であり、Ｙ1とＹ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、
能基群であり、Ｙ2は第４の官能基群であり、Ｙ1とＹ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、
【００６１】３次元重合高分子は、第１の官能基群（Ｘ
1 ）と第３の官能基群（Ｙ1 ）とを結合させると共に第
２の官能基群（Ｘ2 ）と第４の官能基群（Ｙ2 ）とを結
合させることにより形成し、分子レベルの空孔は、第１
の有機骨格（Ｒ1 ）と第２の有機骨格（Ｒ2 ）とによっ
て囲まれる領域に形成することが好ましい。
1 ）と第３の官能基群（Ｙ1 ）とを結合させると共に第
２の官能基群（Ｘ2 ）と第４の官能基群（Ｙ2 ）とを結
合させることにより形成し、分子レベルの空孔は、第１
の有機骨格（Ｒ1 ）と第２の有機骨格（Ｒ2 ）とによっ
て囲まれる領域に形成することが好ましい。
【００６２】このようにすると、層間絶縁膜を構成する
３次元重合高分子における、第１の架橋分子の第１の有
機骨格と第２の架橋分子の第２の有機骨格とによって囲
まれる領域に分子レベルの多数の空孔を確実に形成する
ことができる。
３次元重合高分子における、第１の架橋分子の第１の有
機骨格と第２の架橋分子の第２の有機骨格とによって囲
まれる領域に分子レベルの多数の空孔を確実に形成する
ことができる。
【００６３】本発明に係る第１又は第２の配線形成方法
において、第１の架橋分子を構成する第１の有機分子
は、
において、第１の架橋分子を構成する第１の有機分子
は、
【００６４】
【化２３】 （但し、Ｒ1 は第１の有機骨格であり、Ｘ1は第１の官
能基群であり、Ｘ2は第２の官能基群であり、Ｚは第３
の官能基群であり、Ｘ1とＸ2とは同種又は異種であ
る。）で表わされ、
能基群であり、Ｘ2は第２の官能基群であり、Ｚは第３
の官能基群であり、Ｘ1とＸ2とは同種又は異種であ
る。）で表わされ、
【００６５】第２の架橋分子を構成する第２の有機分子
は、
は、
【００６６】
【化２４】 （但し、Ｒ2 は第２の有機骨格であり、Ｙ1は第４の官
能基群であり、Ｙ2は第５の官能基群であり、Ｙ1とＹ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、
能基群であり、Ｙ2は第５の官能基群であり、Ｙ1とＹ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、
【００６７】３次元重合高分子は、第１の官能基群（Ｘ
1 ）と第４の官能基群（Ｙ1 ）とを結合させると共に第
２の官能基群（Ｘ2 ）と第５の官能基群（Ｙ2 ）とを結
合させることにより複数のユニットを形成した後、該複
数のユニットの第３の官能基群（Ｚ）同士を結合させる
ことにより形成し、分子レベルの空孔は、複数のユニッ
トにおける第１の有機骨格（Ｒ1 ）と第２の有機骨格
（Ｒ2 ）とによって囲まれる領域にそれぞれ形成するこ
とが好ましい。
1 ）と第４の官能基群（Ｙ1 ）とを結合させると共に第
２の官能基群（Ｘ2 ）と第５の官能基群（Ｙ2 ）とを結
合させることにより複数のユニットを形成した後、該複
数のユニットの第３の官能基群（Ｚ）同士を結合させる
ことにより形成し、分子レベルの空孔は、複数のユニッ
トにおける第１の有機骨格（Ｒ1 ）と第２の有機骨格
（Ｒ2 ）とによって囲まれる領域にそれぞれ形成するこ
とが好ましい。
【００６８】このようにすると、層間絶縁膜を構成する
３次元重合高分子の各ユニットにおける、第１の架橋分
子の第１の有機骨格と第２の架橋分子の第２の有機骨格
とによって囲まれる領域に分子レベルの空孔を形成する
ことができると共に、各ユニットを互いに結合すること
により３次元重合高分子を形成するため、該３次元重合
高分子の内部に分子レベルの多数の空孔を分散させるこ
とができる。
３次元重合高分子の各ユニットにおける、第１の架橋分
子の第１の有機骨格と第２の架橋分子の第２の有機骨格
とによって囲まれる領域に分子レベルの空孔を形成する
ことができると共に、各ユニットを互いに結合すること
により３次元重合高分子を形成するため、該３次元重合
高分子の内部に分子レベルの多数の空孔を分散させるこ
とができる。
【００６９】
【発明の実施の形態】（第１の実施形態）以下、本発明
の第１の実施形態に係る層間絶縁膜及びその製造方法に
ついて、図１（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明す
る。
の第１の実施形態に係る層間絶縁膜及びその製造方法に
ついて、図１（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明す
る。
【００７０】第１の実施形態は、図１（ａ）に示すよう
に、それぞれが４つの官能基群を持つことにより３次元
構造を有する１０個の第１の架橋分子と、それぞれが２
つの官能基群を持つことにより２次元構造を有する１２
個の第２の架橋分子（直鎖状の架橋分子）とが、第１の
架橋分子の４つの官能基群と第２の架橋分子の２つの官
能基群とが化学結合することにより、３つの６角形が互
いの２辺を共有してなるユニットを形成している。
に、それぞれが４つの官能基群を持つことにより３次元
構造を有する１０個の第１の架橋分子と、それぞれが２
つの官能基群を持つことにより２次元構造を有する１２
個の第２の架橋分子（直鎖状の架橋分子）とが、第１の
架橋分子の４つの官能基群と第２の架橋分子の２つの官
能基群とが化学結合することにより、３つの６角形が互
いの２辺を共有してなるユニットを形成している。
【００７１】尚、官能基群とは、１個又は複数個の官能
基からなり、分子と分子とが結合することができる箇所
を意味し、官能基の化学的な数を問わない。例えば、２
つのカルボキシル基（官能基）は、１つのアミノ基（官
能基）と結合して１つのイミド環を形成するが、２つの
カルボキシル基と１つのアミノ基とは１つの結合部位を
形成するため、２つのカルボキシル基及び１つのアミノ
基は、それぞれ１つの官能基群となる。
基からなり、分子と分子とが結合することができる箇所
を意味し、官能基の化学的な数を問わない。例えば、２
つのカルボキシル基（官能基）は、１つのアミノ基（官
能基）と結合して１つのイミド環を形成するが、２つの
カルボキシル基と１つのアミノ基とは１つの結合部位を
形成するため、２つのカルボキシル基及び１つのアミノ
基は、それぞれ１つの官能基群となる。
【００７２】図１（ａ）に示すユニットが多数個互いに
重合することにより、図１（ｂ）に示すようなダイアモ
ンド構造を有する３次元重合高分子を形成しており、該
３次元重合高分子によって、層間絶縁膜が構成されてい
る。尚、図１（ｂ）において、一点鎖線は図１（ａ）に
示すユニットを表わしている。
重合することにより、図１（ｂ）に示すようなダイアモ
ンド構造を有する３次元重合高分子を形成しており、該
３次元重合高分子によって、層間絶縁膜が構成されてい
る。尚、図１（ｂ）において、一点鎖線は図１（ａ）に
示すユニットを表わしている。
【００７３】第１の実施形態によると、３次元重合高分
子の内部には多数の空孔が形成されているため、必然的
に層間絶縁膜の内部には多数の空孔が形成されており、
これによって、層間絶縁膜の比誘電率は低くなってい
る。
子の内部には多数の空孔が形成されているため、必然的
に層間絶縁膜の内部には多数の空孔が形成されており、
これによって、層間絶縁膜の比誘電率は低くなってい
る。
【００７４】また、第１の実施形態によると、第１の架
橋分子と第２の架橋分子とが化学結合することにより形
成されたユニットが重合して３次元重合高分子を形成す
ることにより、該３次元重合高分子の内部に多数の空孔
が形成されているので、従来の多孔質膜のように架橋部
位を切断することなく、多数の空孔を形成することがで
きる。従って、第１の実施形態に係る層間絶縁膜は、従
来の多孔質膜に比べて架橋密度が高くなっているので、
機械強度、耐熱性及び基板との密着性において優れてい
る。
橋分子と第２の架橋分子とが化学結合することにより形
成されたユニットが重合して３次元重合高分子を形成す
ることにより、該３次元重合高分子の内部に多数の空孔
が形成されているので、従来の多孔質膜のように架橋部
位を切断することなく、多数の空孔を形成することがで
きる。従って、第１の実施形態に係る層間絶縁膜は、従
来の多孔質膜に比べて架橋密度が高くなっているので、
機械強度、耐熱性及び基板との密着性において優れてい
る。
【００７５】（実施例１）以下、第１の実施形態に係る
層間絶縁膜及びその形成方法の具体的な実施例につい
て、図２（ａ）、（ｂ）及び図３を参照しながら説明す
る。
層間絶縁膜及びその形成方法の具体的な実施例につい
て、図２（ａ）、（ｂ）及び図３を参照しながら説明す
る。
【００７６】まず、４つの官能基群を有する第１の架橋
分子として、図２（ａ）に示すような、４つのアミノ基
を有するアダマンタン誘導体（以下、テトラアミノアダ
マンタン誘導体と称する。）を用いると共に、２つの官
能基群を有する第２の架橋分子として、図２（ｂ）に示
すようなベンゼンテトラカルボン酸誘導体を用いる。
分子として、図２（ａ）に示すような、４つのアミノ基
を有するアダマンタン誘導体（以下、テトラアミノアダ
マンタン誘導体と称する。）を用いると共に、２つの官
能基群を有する第２の架橋分子として、図２（ｂ）に示
すようなベンゼンテトラカルボン酸誘導体を用いる。
【００７７】次に、テトラアミノアダマンタン誘導体
（第１の架橋分子）とベンゼンテトラカルボン酸誘導体
（第２の架橋分子）とを、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭ
Ｐ）に溶解すると共に１：２のモル比で混合して混合溶
液を作成する。この混合溶液における固形分の含有量は
約１５重量％とする。
（第１の架橋分子）とベンゼンテトラカルボン酸誘導体
（第２の架橋分子）とを、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭ
Ｐ）に溶解すると共に１：２のモル比で混合して混合溶
液を作成する。この混合溶液における固形分の含有量は
約１５重量％とする。
【００７８】次に、混合溶液を室温で約３０分間攪拌し
た後、５ｍｌの混合溶液をシリコン基板上に、４０００
ｒｐｍの回転数で回転塗布して塗布膜を形成する。その
後、塗布膜をホットプレートにより２５０℃の温度下で
乾燥した後、窒素雰囲気下の４００℃の温度下で３０分
間の熱処理を行なうことにより、塗布膜を焼成して４０
０ｎｍの厚さを有する層間絶縁膜を形成する。
た後、５ｍｌの混合溶液をシリコン基板上に、４０００
ｒｐｍの回転数で回転塗布して塗布膜を形成する。その
後、塗布膜をホットプレートにより２５０℃の温度下で
乾燥した後、窒素雰囲気下の４００℃の温度下で３０分
間の熱処理を行なうことにより、塗布膜を焼成して４０
０ｎｍの厚さを有する層間絶縁膜を形成する。
【００７９】ところで、テトラアミノアダマンタン誘導
体とベンゼンテトラカルボン酸誘導体とは、溶液中でポ
リアミック酸をするので、Ｎ−メチルピロリドンからな
る溶媒に溶ける。
体とベンゼンテトラカルボン酸誘導体とは、溶液中でポ
リアミック酸をするので、Ｎ−メチルピロリドンからな
る溶媒に溶ける。
【００８０】また、塗布膜に対して熱処理を行なうと、
１０個のテトラアミノアダマンタン誘導体と１２個のベ
ンゼンテトラカルボン酸誘導体とは、互いに重合して、
図３に示すような、ダイアモンド構造を有する網目状の
重合高分子膜（かご状の重合高分子膜）を形成する。こ
の場合、ダイアモンド構造を有する網目状の重合高分子
膜の内部には多数の空孔ｃが形成される。尚、図３にお
いて、ａはテトラアミノアダマンタン誘導体を示し、ｂ
はベンゼンテトラカルボン酸誘導体を示し、ｃは分子レ
ベルの空孔を示している。
１０個のテトラアミノアダマンタン誘導体と１２個のベ
ンゼンテトラカルボン酸誘導体とは、互いに重合して、
図３に示すような、ダイアモンド構造を有する網目状の
重合高分子膜（かご状の重合高分子膜）を形成する。こ
の場合、ダイアモンド構造を有する網目状の重合高分子
膜の内部には多数の空孔ｃが形成される。尚、図３にお
いて、ａはテトラアミノアダマンタン誘導体を示し、ｂ
はベンゼンテトラカルボン酸誘導体を示し、ｃは分子レ
ベルの空孔を示している。
【００８１】実施例１によると、空孔ｃが分子レベルの
サイズを有すると共に網目状の重合高分子膜の内部に均
一に分散しているため、層間絶縁膜の比誘電率は極めて
低い。
サイズを有すると共に網目状の重合高分子膜の内部に均
一に分散しているため、層間絶縁膜の比誘電率は極めて
低い。
【００８２】また、網目状の重合高分子膜がダイアモン
ド構造を有しているため、層間絶縁膜の機械強度は大き
い。
ド構造を有しているため、層間絶縁膜の機械強度は大き
い。
【００８３】水銀プローバーを用いてＣＶ法により、層
間絶縁膜の容量を測定した後、層間絶縁膜の膜厚から比
誘電率を計算したところ、比誘電率は１．８であった。
間絶縁膜の容量を測定した後、層間絶縁膜の膜厚から比
誘電率を計算したところ、比誘電率は１．８であった。
【００８４】また、テトラアミノアダマンタン誘導体と
ベンゼンテトラカルボン酸誘導体との混合比が変化する
と、比誘電率は変化するが、テトラアミノアダマンタン
誘導体とベンゼンテトラカルボン酸誘導体とを１：２の
モル比で混合すると、比誘電率は最小となる。
ベンゼンテトラカルボン酸誘導体との混合比が変化する
と、比誘電率は変化するが、テトラアミノアダマンタン
誘導体とベンゼンテトラカルボン酸誘導体とを１：２の
モル比で混合すると、比誘電率は最小となる。
【００８５】尚、実施例１においては、第１の架橋分子
と第２の架橋分子との重合反応としては、アミノ基とカ
ルボキシル基とが反応するイミド形成反応を用いたが、
この反応系に限られるものではなく、アミド結合反応、
エーテル結合反応、Ｃ−Ｃ結合反応又はＣ−Ｎ結合反応
等の反応系を用いてもよい。
と第２の架橋分子との重合反応としては、アミノ基とカ
ルボキシル基とが反応するイミド形成反応を用いたが、
この反応系に限られるものではなく、アミド結合反応、
エーテル結合反応、Ｃ−Ｃ結合反応又はＣ−Ｎ結合反応
等の反応系を用いてもよい。
【００８６】（実施例２）以下、第１の実施形態に係る
層間絶縁膜及びその形成方法の具体的な実施例につい
て、図４（ａ）〜（ｃ）、図５（ａ）、（ｂ）、図６
（ａ）、（ｂ）及び図７を参照しながら説明する。
層間絶縁膜及びその形成方法の具体的な実施例につい
て、図４（ａ）〜（ｃ）、図５（ａ）、（ｂ）、図６
（ａ）、（ｂ）及び図７を参照しながら説明する。
【００８７】まず、４つの官能基を有する第１の架橋分
子を合成する工程について説明する。
子を合成する工程について説明する。
【００８８】図４（ａ）に示すように、１−ブロモアダ
マンタンとベンゼンとをＡｌＣｌ3を触媒として反応さ
せて、１，３，５，７−テトラフェニルアダマンタンを
得た後、図４（ｂ）に示すように、１，３，５，７−テ
トラフェニルアダマンタンのフェニル基のパラ位をヨウ
素化して、図４（ｃ）に示す１，３，５，７−テトラキ
ス（４−ヨウドフェニル）アダマンタンを得る。
マンタンとベンゼンとをＡｌＣｌ3を触媒として反応さ
せて、１，３，５，７−テトラフェニルアダマンタンを
得た後、図４（ｂ）に示すように、１，３，５，７−テ
トラフェニルアダマンタンのフェニル基のパラ位をヨウ
素化して、図４（ｃ）に示す１，３，５，７−テトラキ
ス（４−ヨウドフェニル）アダマンタンを得る。
【００８９】次に、図５（ａ）及び（ｂ）に示すよう
に、１，３，５，７−テトラキス（４−ヨウドフェニ
ル）アダマンタンを、バブリングにより供給されるＣＯ
2 の存在下で secブチルリチウムを触媒として反応させ
てカルボキシル化することにより、１，３，５，７−テ
トラキス（４−カルボキシラトフェニル）アダマンタン
（第１の架橋分子）を得る。
に、１，３，５，７−テトラキス（４−ヨウドフェニ
ル）アダマンタンを、バブリングにより供給されるＣＯ
2 の存在下で secブチルリチウムを触媒として反応させ
てカルボキシル化することにより、１，３，５，７−テ
トラキス（４−カルボキシラトフェニル）アダマンタン
（第１の架橋分子）を得る。
【００９０】次に、図６（ａ）に示すように、１，３，
５，７−テトラキス（４−カルボキシラトフェニル）ア
ダマンタン（第１の架橋分子）とテトラアミノベンゼン
（第２の架橋分子）とを共重合反応させて、図６（ｂ）
に示すようなベンツイミゾール骨格を形成すると、図７
に示すような、ダイアモンド構造を有する網目状の重合
高分子膜であるポリベンツイミダゾールが得られる。
尚、図７において、ａは１，３，５，７−テトラキス
（４−カルボキシラトフェニル）アダマンタン（第１の
架橋分子）を示し、ｂはテトラアミノベンゼン（第２の
架橋分子）を示し、ｃは分子レベルの空孔を示してい
る。
５，７−テトラキス（４−カルボキシラトフェニル）ア
ダマンタン（第１の架橋分子）とテトラアミノベンゼン
（第２の架橋分子）とを共重合反応させて、図６（ｂ）
に示すようなベンツイミゾール骨格を形成すると、図７
に示すような、ダイアモンド構造を有する網目状の重合
高分子膜であるポリベンツイミダゾールが得られる。
尚、図７において、ａは１，３，５，７−テトラキス
（４−カルボキシラトフェニル）アダマンタン（第１の
架橋分子）を示し、ｂはテトラアミノベンゼン（第２の
架橋分子）を示し、ｃは分子レベルの空孔を示してい
る。
【００９１】実施例２によると、空孔ｃが分子レベルの
サイズを有すると共に網目状の重合高分子膜の内部に均
一に分散しているため、層間絶縁膜の比誘電率は極めて
低い。
サイズを有すると共に網目状の重合高分子膜の内部に均
一に分散しているため、層間絶縁膜の比誘電率は極めて
低い。
【００９２】また、網目状の重合高分子膜がダイアモン
ド構造を有しているため、層間絶縁膜の機械強度は大き
い。
ド構造を有しているため、層間絶縁膜の機械強度は大き
い。
【００９３】水銀プローバーを用いてＣＶ法により、層
間絶縁膜の容量を測定した後、層間絶縁膜の膜厚から比
誘電率を計算したところ、比誘電率は１．７であった。
間絶縁膜の容量を測定した後、層間絶縁膜の膜厚から比
誘電率を計算したところ、比誘電率は１．７であった。
【００９４】また、層間絶縁膜の弾性率をナノインデン
ターにより測定したところ、約１５ＧＰａの値が得られ
た。
ターにより測定したところ、約１５ＧＰａの値が得られ
た。
【００９５】尚、実施例２では、第１の架橋分子とし
て、１，３，５，７−テトラキス（４−カルボキシラト
フェニル）アダマンタンを用いたが、これに代えて、テ
トラキス（４−カルボキシラト）アダマンタン等を用い
てもよい。
て、１，３，５，７−テトラキス（４−カルボキシラト
フェニル）アダマンタンを用いたが、これに代えて、テ
トラキス（４−カルボキシラト）アダマンタン等を用い
てもよい。
【００９６】また、第２の架橋分子としては、テトラア
ミノベンゼンを用いることによりベンツイミゾール骨格
（ポリベンツイミゾール）を形成したが、テトラアミノ
ベンゼンに代えてジハイドロキシジアミノベンゼンを用
いることにより、ベンツオキサゾール骨格（ポリベンツ
オキサゾール）を形成してもよい。
ミノベンゼンを用いることによりベンツイミゾール骨格
（ポリベンツイミゾール）を形成したが、テトラアミノ
ベンゼンに代えてジハイドロキシジアミノベンゼンを用
いることにより、ベンツオキサゾール骨格（ポリベンツ
オキサゾール）を形成してもよい。
【００９７】（第２の実施形態）以下、本発明の第２の
実施形態に係る層間絶縁膜及びその製造方法について、
図８（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。
実施形態に係る層間絶縁膜及びその製造方法について、
図８（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。
【００９８】第２の実施形態は、図８（ａ）に示すよう
に、３つの官能基群を持つことにより３次元構造を有す
る第１の架橋分子と、２つの官能基群を持つことにより
２次元構造を有する第２の架橋分子とが、第１の架橋分
子の３つの官能基群と第２の架橋分子の２つの官能基群
とが化学結合することにより、２つの６角形が互いの２
頂点を共有してなるかご状のユニット（マクロマー）を
形成していると共に、各かご状のユニットの内部には分
子サイズの空孔が形成されている。尚、第１の実施形態
と同様、官能基群とは、１個又は複数個の官能基からな
り、分子と分子とが結合することができる箇所を意味
し、官能基の化学的な数を問わない。
に、３つの官能基群を持つことにより３次元構造を有す
る第１の架橋分子と、２つの官能基群を持つことにより
２次元構造を有する第２の架橋分子とが、第１の架橋分
子の３つの官能基群と第２の架橋分子の２つの官能基群
とが化学結合することにより、２つの６角形が互いの２
頂点を共有してなるかご状のユニット（マクロマー）を
形成していると共に、各かご状のユニットの内部には分
子サイズの空孔が形成されている。尚、第１の実施形態
と同様、官能基群とは、１個又は複数個の官能基からな
り、分子と分子とが結合することができる箇所を意味
し、官能基の化学的な数を問わない。
【００９９】図８（ａ）に示すような、内部に空孔を有
する多数のかご状のユニットが、２次元構造又は３次元
構造を有する第３の架橋分子を介して重合することによ
り、図８（ｂ）に示すような３次元重合高分子が形成さ
れており、該３次元重合高分子によって層間絶縁膜が構
成されている。
する多数のかご状のユニットが、２次元構造又は３次元
構造を有する第３の架橋分子を介して重合することによ
り、図８（ｂ）に示すような３次元重合高分子が形成さ
れており、該３次元重合高分子によって層間絶縁膜が構
成されている。
【０１００】第２の実施形態によると、それぞれが空孔
を有する多数のユニットが重合することにより３次元重
合高分子を形成するため、該３次元重合高分子には多数
の空孔が分散している。従って、層間絶縁膜の内部には
多数の空孔が存在しているので、層間絶縁膜の比誘電率
は低くなっている。
を有する多数のユニットが重合することにより３次元重
合高分子を形成するため、該３次元重合高分子には多数
の空孔が分散している。従って、層間絶縁膜の内部には
多数の空孔が存在しているので、層間絶縁膜の比誘電率
は低くなっている。
【０１０１】また、第２の実施形態によると、空孔を有
する多数のかご状のユニットが重合することにより３次
元重合高分子を形成するため、従来の多孔質膜のように
架橋部位を切断することなく、多数の空孔を形成するこ
とができる。従って、第２の実施形態に係る層間絶縁膜
は、従来の多孔質膜に比べて架橋密度が高くなっている
ので、機械強度、耐熱性及び基板との密着性において優
れている。
する多数のかご状のユニットが重合することにより３次
元重合高分子を形成するため、従来の多孔質膜のように
架橋部位を切断することなく、多数の空孔を形成するこ
とができる。従って、第２の実施形態に係る層間絶縁膜
は、従来の多孔質膜に比べて架橋密度が高くなっている
ので、機械強度、耐熱性及び基板との密着性において優
れている。
【０１０２】尚、第２の実施形態に係る層間絶縁膜は、
第１の実施形態に係る層間絶縁膜のようにダイアモンド
構造を有していないため、第１の実施形態に比べると機
械強度は劣るが、ＬＳＩの集積化プロセスにおけるメタ
ルＣＭＰ等の処理には十分に耐える機械強度を有してい
る。
第１の実施形態に係る層間絶縁膜のようにダイアモンド
構造を有していないため、第１の実施形態に比べると機
械強度は劣るが、ＬＳＩの集積化プロセスにおけるメタ
ルＣＭＰ等の処理には十分に耐える機械強度を有してい
る。
【０１０３】（実施例）以下、第２の実施形態に係る層
間絶縁膜及びその形成方法の具体的な実施例について、
図９（ａ）、（ｂ）、図１０及び図１１を参照しながら
説明する。
間絶縁膜及びその形成方法の具体的な実施例について、
図９（ａ）、（ｂ）、図１０及び図１１を参照しながら
説明する。
【０１０４】まず、３つの官能基群を有する第１の架橋
分子として、図９（ａ）に示すような、３つのアミノ基
を有するベンゼン誘導体（以下、トリフェニルベンゼン
誘導体と称する。）を用いると共に、２つの官能基群を
有する第１の架橋分子として、図９（ｂ）に示すよう
な、４つのカルボキシル基を有するフェナンスレン誘導
体に水酸基を導入したもの（以下、水酸基を有するフェ
ナンスレン誘導体と称する。）を用いた。
分子として、図９（ａ）に示すような、３つのアミノ基
を有するベンゼン誘導体（以下、トリフェニルベンゼン
誘導体と称する。）を用いると共に、２つの官能基群を
有する第１の架橋分子として、図９（ｂ）に示すよう
な、４つのカルボキシル基を有するフェナンスレン誘導
体に水酸基を導入したもの（以下、水酸基を有するフェ
ナンスレン誘導体と称する。）を用いた。
【０１０５】次に、トリフェニルベンゼン誘導体（第１
の架橋分子）と水酸基を有するフェナンスレン誘導体
（第２の架橋分子）とを２：３のモル比で反応させる。
このようにすると、３個のトリフェニルベンゼン誘導体
と２個の水酸基を有するフェナンスレン誘導体とが反応
することにより、図１０の左側部分に示すような、かご
状のユニットａが得られる。尚、図１０において、ｂは
トリフェニルベンゼン誘導体を示し、ｃは水酸基を有す
るフェナンスレン誘導体を示し、ｄはかご状のユニット
ａの内部に形成された空孔を示す。
の架橋分子）と水酸基を有するフェナンスレン誘導体
（第２の架橋分子）とを２：３のモル比で反応させる。
このようにすると、３個のトリフェニルベンゼン誘導体
と２個の水酸基を有するフェナンスレン誘導体とが反応
することにより、図１０の左側部分に示すような、かご
状のユニットａが得られる。尚、図１０において、ｂは
トリフェニルベンゼン誘導体を示し、ｃは水酸基を有す
るフェナンスレン誘導体を示し、ｄはかご状のユニット
ａの内部に形成された空孔を示す。
【０１０６】次に、図１０に示すように、かご状のユニ
ットをジフルオロベンゼンとＮａＨ（水素化ナトリウ
ム）との共存化で架橋させることにより、図１１に示す
ような３次元の重合高分子の溶液を合成した。尚、図１
１において、ａはかご状のユニットを示し、ｄは空孔を
示し、ｅはジフルオロベンゼンが有していたベンゼン環
を示している。
ットをジフルオロベンゼンとＮａＨ（水素化ナトリウ
ム）との共存化で架橋させることにより、図１１に示す
ような３次元の重合高分子の溶液を合成した。尚、図１
１において、ａはかご状のユニットを示し、ｄは空孔を
示し、ｅはジフルオロベンゼンが有していたベンゼン環
を示している。
【０１０７】次に、重合高分子の溶液から重合高分子を
分離精製した後、該重合高分子をＮ−メチルピロリドン
に約１５重量％溶解させて溶解液を作成し、その後、５
ｍｌの溶解液をシリコン基板上に、４０００ｒｐｍの回
転数で回転塗布して塗布膜を形成した。その後、塗布膜
をホットプレートにより２５０℃の温度下で乾燥した
後、窒素雰囲気下の４００℃の温度下で３０分間の熱処
理を行なうことにより、塗布膜を焼成して４５０ｎｍの
厚さを有する層間絶縁膜を形成した。
分離精製した後、該重合高分子をＮ−メチルピロリドン
に約１５重量％溶解させて溶解液を作成し、その後、５
ｍｌの溶解液をシリコン基板上に、４０００ｒｐｍの回
転数で回転塗布して塗布膜を形成した。その後、塗布膜
をホットプレートにより２５０℃の温度下で乾燥した
後、窒素雰囲気下の４００℃の温度下で３０分間の熱処
理を行なうことにより、塗布膜を焼成して４５０ｎｍの
厚さを有する層間絶縁膜を形成した。
【０１０８】水銀プローバーを用いてＣＶ法により、層
間絶縁膜の容量を測定した後、層間絶縁膜の膜厚から比
誘電率を計算したところ、比誘電率は１．９であった。
間絶縁膜の容量を測定した後、層間絶縁膜の膜厚から比
誘電率を計算したところ、比誘電率は１．９であった。
【０１０９】尚、実施例２においては、第１の架橋分子
と第２の架橋分子との重合反応としては、アミノ基とカ
ルボキシル基とが反応するイミド形成反応を用いたが、
この反応系に限られるものではなく、アミド結合反応、
エーテル結合反応、Ｃ−Ｃ結合反応又はＣ−Ｎ結合反応
等の反応系を用いてもよい。
と第２の架橋分子との重合反応としては、アミノ基とカ
ルボキシル基とが反応するイミド形成反応を用いたが、
この反応系に限られるものではなく、アミド結合反応、
エーテル結合反応、Ｃ−Ｃ結合反応又はＣ−Ｎ結合反応
等の反応系を用いてもよい。
【０１１０】また、かご状のユニット同士の重合反応と
しては、エーテル結合反応を用いたが、この反応系に限
られるものではなく、アミド結合反応、Ｃ−Ｃ結合反応
又はＣ−Ｎ結合反応等の反応系を用いてもよい。
しては、エーテル結合反応を用いたが、この反応系に限
られるものではなく、アミド結合反応、Ｃ−Ｃ結合反応
又はＣ−Ｎ結合反応等の反応系を用いてもよい。
【０１１１】また、第１の架橋分子と第２の架橋分子と
を架橋させる第３の架橋分子は、２次元構造を有してい
てもよいし３次元構造を有していてもよい。
を架橋させる第３の架橋分子は、２次元構造を有してい
てもよいし３次元構造を有していてもよい。
【０１１２】（第３の実施形態）以下、本発明の第３の
実施形態である、第１又は第２の実施形態に係る層間絶
縁膜に配線を形成する方法について、図１２（ａ）〜
（ｃ）及び図１３（ａ）、（ｂ）を参照しながら説明す
る。
実施形態である、第１又は第２の実施形態に係る層間絶
縁膜に配線を形成する方法について、図１２（ａ）〜
（ｃ）及び図１３（ａ）、（ｂ）を参照しながら説明す
る。
【０１１３】まず、図１２（ａ）に示すように、トラン
ジスタ等の素子が形成された半導体基板１０の上に、１
μｍの厚さを有する第１又は第２の実施形態に係る層間
絶縁膜１１を形成した後、窒素雰囲気中における２００
℃の温度下で３分間の熱処理を行ない、その後、窒素雰
囲気中における４００℃の温度下で３０分間焼成するこ
とにより、層間絶縁膜１１を硬化させる。
ジスタ等の素子が形成された半導体基板１０の上に、１
μｍの厚さを有する第１又は第２の実施形態に係る層間
絶縁膜１１を形成した後、窒素雰囲気中における２００
℃の温度下で３分間の熱処理を行ない、その後、窒素雰
囲気中における４００℃の温度下で３０分間焼成するこ
とにより、層間絶縁膜１１を硬化させる。
【０１１４】次に、ＣＶＤ法により、層間絶縁膜１１の
上に、１０ｎｍの厚さを有するポリイミド膜よりなる表
面バリア膜１２を形成した後、ＣＶＤ法により、表面バ
リア膜１２の上にシリコン酸化膜１３を形成し、その
後、シリコン酸化膜１３の上に、配線溝形成領域に開口
部を有するレジストパターン１４を形成する。
上に、１０ｎｍの厚さを有するポリイミド膜よりなる表
面バリア膜１２を形成した後、ＣＶＤ法により、表面バ
リア膜１２の上にシリコン酸化膜１３を形成し、その
後、シリコン酸化膜１３の上に、配線溝形成領域に開口
部を有するレジストパターン１４を形成する。
【０１１５】次に、シリコン酸化膜１３に対してレジス
トパターン１４をマスクにドライエッチングを行なっ
て、図１２（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜１３よ
りなるハードマスク１３Ａを形成する。
トパターン１４をマスクにドライエッチングを行なっ
て、図１２（ｂ）に示すように、シリコン酸化膜１３よ
りなるハードマスク１３Ａを形成する。
【０１１６】次に、表面バリア膜１２及び層間絶縁膜１
１に対して、レジストパターン１４及びハードマスク１
３Ａをマスクにドライエッチングを行なって、図１２
（ｃ）に示すように、３５０ｎｍの深さを有する配線溝
１５を形成する。このドライエッチング工程において、
レジストパターン１４は消滅する。
１に対して、レジストパターン１４及びハードマスク１
３Ａをマスクにドライエッチングを行なって、図１２
（ｃ）に示すように、３５０ｎｍの深さを有する配線溝
１５を形成する。このドライエッチング工程において、
レジストパターン１４は消滅する。
【０１１７】次に、図１３（ａ）に示すように、配線溝
１５の側壁及び底部並びにハードマスク１３Ａの上に全
面に亘って、１０ｎｍの厚さを有するポリイミド膜より
なる側壁バリア膜１６を形成した後、該側壁バリア膜１
６の上に、ＣＶＤ法によりチタンナイトライド又はタン
タルナイトライドよりなり５ｎｍの厚さを有する密着層
１７を形成し、その後、めっき法により密着層１７の上
に８００ｎｍの厚さを有する銅膜１８を配線溝１５が埋
まるように形成する。
１５の側壁及び底部並びにハードマスク１３Ａの上に全
面に亘って、１０ｎｍの厚さを有するポリイミド膜より
なる側壁バリア膜１６を形成した後、該側壁バリア膜１
６の上に、ＣＶＤ法によりチタンナイトライド又はタン
タルナイトライドよりなり５ｎｍの厚さを有する密着層
１７を形成し、その後、めっき法により密着層１７の上
に８００ｎｍの厚さを有する銅膜１８を配線溝１５が埋
まるように形成する。
【０１１８】次に、ＣＭＰ法により、銅膜１８、密着層
１７及び側壁バリア膜１６におけるハードマスク１３Ａ
の上に存在する部分を除去すると、図１３（ｂ）に示す
ように、銅膜１８及び密着層１７よりなる埋め込み配線
１９が得られる。
１７及び側壁バリア膜１６におけるハードマスク１３Ａ
の上に存在する部分を除去すると、図１３（ｂ）に示す
ように、銅膜１８及び密着層１７よりなる埋め込み配線
１９が得られる。
【０１１９】尚、第３の実施形態においては、表面バリ
ア膜１２及び層間絶縁膜１１に配線溝１５を形成した
が、これに代えて、表面バリア膜１２及び層間絶縁膜１
１に半導体基板１０に達するコンタクトホールを形成
し、該コンタクトホールに銅膜又はアルミニウム膜を埋
め込んで、コンタクトを形成してもよい。アルミニウム
膜を用いる場合には、密着層１７は形成しなくてもよ
い。
ア膜１２及び層間絶縁膜１１に配線溝１５を形成した
が、これに代えて、表面バリア膜１２及び層間絶縁膜１
１に半導体基板１０に達するコンタクトホールを形成
し、該コンタクトホールに銅膜又はアルミニウム膜を埋
め込んで、コンタクトを形成してもよい。アルミニウム
膜を用いる場合には、密着層１７は形成しなくてもよ
い。
【０１２０】また、第３の実施形態においては、表面バ
リア膜１２及び側壁バリア膜１６として、ポリイミド膜
を用いたが、これに代えて、ＣＶＤ法又はスパッタ法に
より形成されるダイアモンドライクカーボン膜等のよう
に、有機材料を主成分とし且つガスを透過させないよう
な膜を用いることができる。
リア膜１２及び側壁バリア膜１６として、ポリイミド膜
を用いたが、これに代えて、ＣＶＤ法又はスパッタ法に
より形成されるダイアモンドライクカーボン膜等のよう
に、有機材料を主成分とし且つガスを透過させないよう
な膜を用いることができる。
【０１２１】第３の実施形態によると、層間絶縁膜１１
の上に表面バリア膜１２を形成しておいてから、ＣＶＤ
法により、ハードマスク１３Ａとなるシリコン酸化膜１
３を形成するため、シリコン酸化膜１３を形成するため
の原料ガスが層間絶縁膜１１の空孔に侵入して空孔内に
堆積する事態を回避でき、これにより、層間絶縁膜１１
の比誘電率が高くなることを防止することができる。具
体的には、ＣＶＤ法によりポリイミド膜を形成すると、
層間絶縁膜１１の空孔のサイズよりも大きいサイズを有
するポリイミドのクラスターが層間絶縁膜１１の上に堆
積されるので、原料ガスが層間絶縁膜１１の空孔に侵入
する事態を防止できる。
の上に表面バリア膜１２を形成しておいてから、ＣＶＤ
法により、ハードマスク１３Ａとなるシリコン酸化膜１
３を形成するため、シリコン酸化膜１３を形成するため
の原料ガスが層間絶縁膜１１の空孔に侵入して空孔内に
堆積する事態を回避でき、これにより、層間絶縁膜１１
の比誘電率が高くなることを防止することができる。具
体的には、ＣＶＤ法によりポリイミド膜を形成すると、
層間絶縁膜１１の空孔のサイズよりも大きいサイズを有
するポリイミドのクラスターが層間絶縁膜１１の上に堆
積されるので、原料ガスが層間絶縁膜１１の空孔に侵入
する事態を防止できる。
【０１２２】従って、層間絶縁膜１１の空孔のサイズ
を、原料ガスが侵入してしまう程度の大きさまで拡大す
ることができるので、層間絶縁膜１１の比誘電率を一層
低減することができる。
を、原料ガスが侵入してしまう程度の大きさまで拡大す
ることができるので、層間絶縁膜１１の比誘電率を一層
低減することができる。
【０１２３】また、第３の実施形態によると、配線溝１
５の側壁及び底部に側壁バリア膜１６を形成しておいて
からＣＶＤ法により密着層１７を形成するため、密着層
１７を形成するための原料ガスが層間絶縁膜１１の空孔
に侵入して堆積する事態を回避でき、これにより、層間
絶縁膜１１の比誘電率が高くなることを防止することが
できる。
５の側壁及び底部に側壁バリア膜１６を形成しておいて
からＣＶＤ法により密着層１７を形成するため、密着層
１７を形成するための原料ガスが層間絶縁膜１１の空孔
に侵入して堆積する事態を回避でき、これにより、層間
絶縁膜１１の比誘電率が高くなることを防止することが
できる。
【０１２４】
【発明の効果】本発明に係る層間絶縁膜およびその製造
方法によると、従来の多孔質膜のように架橋部位を切断
することなく多数の空孔を形成することができると共
に、分子レベルのサイズを有し且つ連続していない空孔
を均一に分散させることができるので、機械強度、耐熱
性及び基板との密着性において優れており、また、超Ｌ
ＳＩにおける一層の微細化の要求に応えられると共にプ
ロセスにおいて膜質の劣化が起こらない層間絶縁膜を実
現することができる。
方法によると、従来の多孔質膜のように架橋部位を切断
することなく多数の空孔を形成することができると共
に、分子レベルのサイズを有し且つ連続していない空孔
を均一に分散させることができるので、機械強度、耐熱
性及び基板との密着性において優れており、また、超Ｌ
ＳＩにおける一層の微細化の要求に応えられると共にプ
ロセスにおいて膜質の劣化が起こらない層間絶縁膜を実
現することができる。
【０１２５】本発明に係る第１の配線形成方法による
と、マスクとなる膜を形成する工程において、原料ガス
が層間絶縁膜の空孔に侵入する事態を回避できるため、
層間絶縁膜の比誘電率を大きく低減することができる。
と、マスクとなる膜を形成する工程において、原料ガス
が層間絶縁膜の空孔に侵入する事態を回避できるため、
層間絶縁膜の比誘電率を大きく低減することができる。
【０１２６】本発明に係る第２の配線形成方法による
と、配線となる金属膜を形成する工程において、金属材
料のガスが層間絶縁膜の空孔に侵入する事態を回避でき
るため、層間絶縁膜の比誘電率を大きく低減することが
できる。
と、配線となる金属膜を形成する工程において、金属材
料のガスが層間絶縁膜の空孔に侵入する事態を回避でき
るため、層間絶縁膜の比誘電率を大きく低減することが
できる。
【図１】（ａ）及び（ｂ）は、第１の実施形態に係る層
間絶縁膜の形成方法を示す概念図である。
間絶縁膜の形成方法を示す概念図である。
【図２】（ａ）は、第１の実施形態に係る層間絶縁膜の
形成方法の実施例１に用いる第１の架橋分子の構造を示
す図であり、（ｂ）は第１の実施形態に係る層間絶縁膜
の形成方法の実施例２に用いる第２の架橋分子の構造を
示す図である。
形成方法の実施例１に用いる第１の架橋分子の構造を示
す図であり、（ｂ）は第１の実施形態に係る層間絶縁膜
の形成方法の実施例２に用いる第２の架橋分子の構造を
示す図である。
【図３】第１の実施形態に係る層間絶縁膜の形成方法の
実施例１により形成される３次元重合高分子の構造を示
す図である。
実施例１により形成される３次元重合高分子の構造を示
す図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、第１の実施形態に係る層間
絶縁膜の形成方法の実施例２に用いられる第１の架橋分
子を合成するための化学反応を示す図である。
絶縁膜の形成方法の実施例２に用いられる第１の架橋分
子を合成するための化学反応を示す図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、第１の実施形態に係る層間
絶縁膜の形成方法の実施例２に用いられる第１の架橋分
子を合成するための化学反応を示す図である。
絶縁膜の形成方法の実施例２に用いられる第１の架橋分
子を合成するための化学反応を示す図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、第１の実施形態に係る層間
絶縁膜の形成方法の実施例２の共重合反応を示す図であ
る。
絶縁膜の形成方法の実施例２の共重合反応を示す図であ
る。
【図７】第１の実施形態に係る層間絶縁膜の形成方法の
実施例２により形成される３次元重合高分子の構造を示
す図である。
実施例２により形成される３次元重合高分子の構造を示
す図である。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施形態
に係る層間絶縁膜の形成方法を示す概念図である。
に係る層間絶縁膜の形成方法を示す概念図である。
【図９】（ａ）は、第２の実施形態に係る層間絶縁膜の
形成方法に用いる第１の架橋分子の構造を示す図であ
り、（ｂ）は第２の実施形態に係る層間絶縁膜の形成方
法に用いる第２の架橋分子の構造を示す図である。
形成方法に用いる第１の架橋分子の構造を示す図であ
り、（ｂ）は第２の実施形態に係る層間絶縁膜の形成方
法に用いる第２の架橋分子の構造を示す図である。
【図１０】第２の実施形態に係る層間絶縁膜の形成方法
により形成されるかご状のユニットの構造を示す図であ
る。
により形成されるかご状のユニットの構造を示す図であ
る。
【図１１】第２の実施形態に係る層間絶縁膜の形成方法
により形成される３次元重合高分子の構造を示す図であ
る。
により形成される３次元重合高分子の構造を示す図であ
る。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、第３の実施形態に係る配
線形成方法の各工程を示す断面図である。
線形成方法の各工程を示す断面図である。
【図１３】（ａ）、（ｂ）は、第３の実施形態に係る配
線形成方法の各工程を示す断面図である。
線形成方法の各工程を示す断面図である。
１０ 半導体基板 １１ 層間絶縁膜 １２ 表面バリア膜 １３ シリコン酸化膜 １３Ａ ハードマスク １４ レジストパターン １５ 配線溝 １６ 側壁バリア膜 １７ 密着層 １８ 銅膜 １９ 埋め込み配線
Claims (14)
- 【請求項１】 ３次元構造を有する第１の架橋分子と２
次元構造を有する第２の架橋分子とが重合することに形
成され、内部に分子レベルの多数の空孔を有する３次元
重合高分子からなることを特徴とする層間絶縁膜。 - 【請求項２】 前記第１の架橋分子は、同一分子内に３
つ以上の官能基群を有する第１の有機分子であり、 前記第２の架橋分子は、同一分子内に２つの官能基群を
有する第２の有機分子であり、 前記３次元重合高分子は、前記第１の有機分子の３つ以
上の官能基群と前記第２の有機分子の２つの官能基群と
が結合することにより形成されていることを特徴とする
請求項１に記載の層間絶縁膜。 - 【請求項３】 前記第１の有機分子は、 【化１】 （但し、Ｒ1 は第１の有機骨格であり、Ｘ1は第１の官
能基群であり、Ｘ2は第２の官能基群であり、Ｘ1とＸ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、 前記第２の有機分子は、 【化２】 （但し、Ｒ2 は第２の有機骨格であり、Ｙ1は第３の官
能基群であり、Ｙ2は第４の官能基群であり、Ｙ1とＹ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、 前記３次元重合高分子は、前記第１の官能基群（Ｘ1 ）
と前記第３の官能基群（Ｙ1 ）とが結合すると共に前記
第２の官能基群（Ｘ2 ）と前記第４の官能基群（Ｙ2 ）
とが結合することにより形成され、 前記分子レベルの空孔は、前記第１の有機骨格（Ｒ1 ）
と前記第２の有機骨格（Ｒ2 ）とによって囲まれる領域
に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の層
間絶縁膜。 - 【請求項４】 前記第１の有機分子は、 【化３】 （但し、Ｒ1 は第１の有機骨格であり、Ｘ1は第１の官
能基群であり、Ｘ2は第２の官能基群であり、Ｚは第３
の官能基群であり、Ｘ1とＸ2とは同種又は異種であ
る。）で表わされ、 前記第２の有機分子は、 【化４】 （但し、Ｒ2 は第２の有機骨格であり、Ｙ1は第４の官
能基群であり、Ｙ2は第５の官能基群であり、Ｙ1とＹ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、 前記３次元重合高分子は、前記第１の官能基群（Ｘ1 ）
と前記第４の官能基群（Ｙ1 ）とが結合すると共に前記
第２の官能基群（Ｘ2 ）と前記第５の官能基群（Ｙ2 ）
とが結合することにより形成された複数のユニットの第
３の官能基群（Ｚ）同士が結合することにより形成さ
れ、 前記分子レベルの空孔は、前記複数のユニットにおける
前記第１の有機骨格（Ｒ1 ）と前記第２の有機骨格（Ｒ
2 ）とによって囲まれる領域にそれぞれ形成されている
ことを特徴とする請求項２に記載の層間絶縁膜。 - 【請求項５】 ３次元構造を有する第１の架橋分子と２
次元構造を有する第２の架橋分子とを重合させることに
より、内部に分子レベルの多数の空孔を有する３次元重
合高分子からなる層間絶縁膜を形成することを特徴とす
る層間絶縁膜の形成方法。 - 【請求項６】 前記第１の架橋分子は、同一分子内に３
つ以上の官能基群を有する第１の有機分子であり、 前記第２の架橋分子は、同一分子内に２つの官能基群を
有する第２の有機分子であり、 前記３次元重合高分子は、前記第１の有機分子の３つ以
上の官能基群と前記第２の有機分子の２つの官能基群と
を結合させることにより形成することを特徴とする請求
項５に記載の層間絶縁膜の形成方法。 - 【請求項７】 前記第１の有機分子は、 【化５】 （但し、Ｒ1 は第１の有機骨格であり、Ｘ1は第１の官
能基群であり、Ｘ2は第２の官能基群であり、Ｘ1とＸ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、 前記第２の有機分子は、 【化６】 （但し、Ｒ2 は第２の有機骨格であり、Ｙ1は第３の官
能基群であり、Ｙ2は第４の官能基群であり、Ｙ1とＹ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、 前記３次元重合高分子は、前記第１の官能基群（Ｘ1 ）
と前記第３の官能基群（Ｙ1 ）とを結合させると共に前
記第２の官能基群（Ｘ2 ）と前記第４の官能基群
（Ｙ2 ）とを結合させることにより形成し、 前記分子レベルの空孔は、前記第１の有機骨格（Ｒ1 ）
と前記第２の有機骨格（Ｒ2 ）とによって囲まれる領域
に形成することを特徴とする請求項６に記載の層間絶縁
膜の形成方法。 - 【請求項８】 前記第１の有機分子は、 【化７】 （但し、Ｒ1 は第１の有機骨格であり、Ｘ1は第１の官
能基群であり、Ｘ2は第２の官能基群であり、Ｚは第３
の官能基群であり、Ｘ1とＸ2とは同種又は異種であ
る。）で表わされ、 前記第２の有機分子は、 【化８】 （但し、Ｒ2 は第２の有機骨格であり、Ｙ1は第４の官
能基群であり、Ｙ2は第５の官能基群であり、Ｙ1とＹ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、 前記３次元重合高分子は、前記第１の官能基群（Ｘ1 ）
と前記第４の官能基群（Ｙ1 ）とを結合させると共に前
記第２の官能基群（Ｘ2 ）と前記第５の官能基群
（Ｙ2 ）とを結合させることにより複数のユニットを形
成した後、該複数のユニットの前記第３の官能基群
（Ｚ）同士を結合させることにより形成し、 前記分子レベルの空孔は、前記複数のユニットにおける
前記第１の有機骨格（Ｒ1 ）と前記第２の有機骨格（Ｒ
2 ）とによって囲まれる領域にそれぞれ形成することを
特徴とする請求項６に記載の層間絶縁膜の形成方法。 - 【請求項９】 ３次元構造を有する第１の架橋分子と２
次元構造を有する第２の架橋分子とが重合することに形
成され、内部に分子レベルの多数の空孔を有する３次元
重合高分子からなる層間絶縁膜を形成する工程と、 前記層間絶縁膜の上に表面バリア膜を形成する工程と、 前記表面バリア膜の上にマスクを形成する工程と、 前記表面バリア膜及び前記層間絶縁膜に対して前記マス
クを用いてエッチングを行なって、前記表面バリア膜及
び前記層間絶縁膜に凹部を形成する工程と、 前記凹部に金属材料を埋め込んで、前記金属材料からな
る配線を形成する工程とを備えていることを特徴とする
配線の形成方法。 - 【請求項１０】 ３次元構造を有する第１の架橋分子と
２次元構造を有する第２の架橋分子とが重合することに
形成され、内部に分子レベルの多数の空孔を有する３次
元重合高分子からなる層間絶縁膜を形成する工程と、 前記層間絶縁膜の上にマスクを形成する工程と、 前記層間絶縁膜に対して前記マスクを用いてエッチング
を行なって、前記層間絶縁膜に凹部を形成する工程と、 前記凹部の側壁に側壁バリア膜を形成する工程と、 前記側壁バリア膜が形成されている前記凹部に金属材料
を埋め込んで、前記金属材料からなる配線を形成する工
程とを備えていることを特徴とする配線の形成方法。 - 【請求項１１】 前記層間絶縁膜を形成する工程と前記
マスクを形成する工程との間に、前記層間絶縁膜の上に
表面バリア膜を形成する工程をさらに備え、 前記凹部を形成する工程は、前記表面バリア膜及び前記
層間絶縁膜に対して前記マスクを用いてエッチングを行
なって、前記表面バリア膜及び前記層間絶縁膜に前記凹
部を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１０に
記載の配線の形成方法。 - 【請求項１２】 前記第１の架橋分子は、同一分子内に
３つ以上の官能基群を有する第１の有機分子であり、 前記第２の架橋分子は、同一分子内に２つの官能基群を
有する第２の有機分子であり、 前記３次元重合高分子は、前記第１の有機分子の３つ以
上の官能基群と前記第２の有機分子の２つの官能基群と
を結合させることにより形成することを特徴とする請求
項９又は１０に記載の配線の形成方法。 - 【請求項１３】 前記第１の有機分子は、 【化９】 （但し、Ｒ1 は第１の有機骨格であり、Ｘ1は第１の官
能基群であり、Ｘ2は第２の官能基群であり、Ｘ1とＸ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、 前記第２の有機分子は、 【化１０】 （但し、Ｒ2 は第２の有機骨格であり、Ｙ1は第３の官
能基群であり、Ｙ2は第４の官能基群であり、Ｙ1とＹ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、 前記３次元重合高分子は、前記第１の官能基群（Ｘ1 ）
と前記第３の官能基群（Ｙ1 ）とを結合させると共に前
記第２の官能基群（Ｘ2 ）と前記第４の官能基群
（Ｙ2 ）とを結合させることにより形成し、 前記分子レベルの空孔は、前記第１の有機骨格（Ｒ1 ）
と前記第２の有機骨格（Ｒ2 ）とによって囲まれる領域
に形成することを特徴とする請求項１２に記載の配線の
形成方法。 - 【請求項１４】 前記第１の有機分子は、 【化１１】 （但し、Ｒ1 は第１の有機骨格であり、Ｘ1は第１の官
能基群であり、Ｘ2は第２の官能基群であり、Ｚは第３
の官能基群であり、Ｘ1とＸ2とは同種又は異種であ
る。）で表わされ、 前記第２の有機分子は、 【化１２】 （但し、Ｒ2 は第２の有機骨格であり、Ｙ1は第４の官
能基群であり、Ｙ2は第５の官能基群であり、Ｙ1とＹ2
とは同種又は異種である。）で表わされ、 前記３次元重合高分子は、前記第１の官能基群（Ｘ1 ）
と前記第４の官能基群（Ｙ1 ）とを結合させると共に前
記第２の官能基群（Ｘ2 ）と前記第５の官能基群
（Ｙ2 ）とを結合させることにより複数のユニットを形
成した後、該複数のユニットの前記第３の官能基群
（Ｚ）同士を結合させることにより形成し、 前記分子レベルの空孔は、前記複数のユニットにおける
前記第１の有機骨格（Ｒ1 ）と前記第２の有機骨格（Ｒ
2 ）とによって囲まれる領域にそれぞれ形成することを
特徴とする請求項１２に記載の配線の形成方法。
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Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003003450A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and production method therefor |
| WO2003085032A1 (fr) * | 2002-04-08 | 2003-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Procede de synthese de matiere polymere, procede de formation d'un film polymere mince, et procede de formation d'une dielectrique intercouches |
| JP2004307804A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-11-04 | Daicel Chem Ind Ltd | 絶縁膜形成材料及び絶縁膜 |
| JP2005139271A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Daicel Chem Ind Ltd | プレポリマー、プレポリマー組成物、空孔構造を有する高分子量重合体及び絶縁膜 |
| US6949618B2 (en) | 2001-12-26 | 2005-09-27 | Chisso Corporation | Polymer compound, precursor for the same and thin film-forming method using the same polymer precursor |
| US7090925B2 (en) | 2003-03-26 | 2006-08-15 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Dielectric films and materials therefor |
| JP2006219558A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Daicel Chem Ind Ltd | プレポリマー、プレポリマー組成物、空孔構造を有する高分子量重合体及び絶縁膜 |
| US7102027B2 (en) | 2003-03-26 | 2006-09-05 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Adamantanetricarboxylic acid derivatives |
| JP2006241236A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Daicel Chem Ind Ltd | 絶縁膜形成材料及び絶縁膜 |
| EP1593704A3 (en) * | 2004-03-31 | 2006-10-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Precursor solution for organic polymer film formation and method for forming organic polymer film |
| JP2007016220A (ja) * | 2005-06-08 | 2007-01-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ベンゾオキサゾール前駆体、樹脂組成物およびそれを用いたコーティングワニス、樹脂膜並びに半導体装置 |
| JP2007016223A (ja) * | 2005-06-08 | 2007-01-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ベンゾオキサゾール前駆体、樹脂組成物およびそれを用いたコーティングワニス、樹脂膜並びに半導体装置 |
| US7232874B2 (en) | 2002-08-06 | 2007-06-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Interlayer insulating film, method for forming the same and polymer composition |
| JP2007217455A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Daicel Chem Ind Ltd | 絶縁膜形成材料及び絶縁膜 |
| WO2008105551A1 (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 有機絶縁材料、それを用いた有機絶縁膜用ワニス、有機絶縁膜及び半導体装置 |
| WO2008114705A1 (ja) | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 有機絶縁材料、それを用いた樹脂膜用ワニス、樹脂膜並びに半導体装置 |
| WO2009017247A1 (ja) | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 絶縁膜形成用重合体、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜及びそれを有する電子デバイス |
| US7701060B2 (en) | 2003-05-29 | 2010-04-20 | Nec Corporation | Wiring structure and method for manufacturing the same |
| WO2011010527A1 (ja) * | 2009-07-21 | 2011-01-27 | 住友ベークライト株式会社 | 膜形成用組成物、絶縁膜および半導体装置 |
| JP2011026375A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 膜形成用組成物、絶縁膜および半導体装置 |
| JP2011523434A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-08-11 | シェン ツェン ポアマット テクノロジー カンパニー リミテッド | 有機多孔質ポリマー材料及びその合成方法 |
-
2001
- 2001-03-13 JP JP2001070745A patent/JP3578722B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003003450A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-09 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and production method therefor |
| US7411275B2 (en) | 2001-06-29 | 2008-08-12 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device comprising an inorganic insulating film and method of manufacturing the same |
| US6949618B2 (en) | 2001-12-26 | 2005-09-27 | Chisso Corporation | Polymer compound, precursor for the same and thin film-forming method using the same polymer precursor |
| WO2003085032A1 (fr) * | 2002-04-08 | 2003-10-16 | Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. | Procede de synthese de matiere polymere, procede de formation d'un film polymere mince, et procede de formation d'une dielectrique intercouches |
| US6936552B2 (en) | 2002-04-08 | 2005-08-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for synthesizing polymeric material, method for forming polymer thin film and method for forming interlayer insulating film |
| US7396778B2 (en) | 2002-04-08 | 2008-07-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for synthesizing polymeric material, method for forming polymer thin film and method for forming interlayer insulating film |
| US7960489B2 (en) | 2002-08-06 | 2011-06-14 | Panasonic Corporation | Interlayer insulating film, method for forming the same and polymer compositon |
| US7232874B2 (en) | 2002-08-06 | 2007-06-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Interlayer insulating film, method for forming the same and polymer composition |
| US7102027B2 (en) | 2003-03-26 | 2006-09-05 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Adamantanetricarboxylic acid derivatives |
| US7186454B2 (en) | 2003-03-26 | 2007-03-06 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Dielectric films and materials therefor |
| JP2004307804A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-11-04 | Daicel Chem Ind Ltd | 絶縁膜形成材料及び絶縁膜 |
| JP4499391B2 (ja) * | 2003-03-26 | 2010-07-07 | ダイセル化学工業株式会社 | 絶縁膜形成材料及び絶縁膜 |
| US7090925B2 (en) | 2003-03-26 | 2006-08-15 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Dielectric films and materials therefor |
| US7701060B2 (en) | 2003-05-29 | 2010-04-20 | Nec Corporation | Wiring structure and method for manufacturing the same |
| US8592303B2 (en) | 2003-05-29 | 2013-11-26 | Renesas Electronics Corporation | Wiring structure and method for manufacturing the same |
| JP4520724B2 (ja) * | 2003-11-05 | 2010-08-11 | ダイセル化学工業株式会社 | プレポリマー組成物の製造法、及び絶縁膜の製造法 |
| JP2005139271A (ja) * | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Daicel Chem Ind Ltd | プレポリマー、プレポリマー組成物、空孔構造を有する高分子量重合体及び絶縁膜 |
| EP1593704A3 (en) * | 2004-03-31 | 2006-10-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Precursor solution for organic polymer film formation and method for forming organic polymer film |
| JP2006219558A (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Daicel Chem Ind Ltd | プレポリマー、プレポリマー組成物、空孔構造を有する高分子量重合体及び絶縁膜 |
| JP2006241236A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Daicel Chem Ind Ltd | 絶縁膜形成材料及び絶縁膜 |
| JP4495010B2 (ja) * | 2005-03-01 | 2010-06-30 | ダイセル化学工業株式会社 | 絶縁膜形成材料及び絶縁膜 |
| JP2007016223A (ja) * | 2005-06-08 | 2007-01-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ベンゾオキサゾール前駆体、樹脂組成物およびそれを用いたコーティングワニス、樹脂膜並びに半導体装置 |
| JP2007016220A (ja) * | 2005-06-08 | 2007-01-25 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | ベンゾオキサゾール前駆体、樹脂組成物およびそれを用いたコーティングワニス、樹脂膜並びに半導体装置 |
| JP2007217455A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Daicel Chem Ind Ltd | 絶縁膜形成材料及び絶縁膜 |
| WO2008105551A1 (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 有機絶縁材料、それを用いた有機絶縁膜用ワニス、有機絶縁膜及び半導体装置 |
| JP5299266B2 (ja) * | 2007-02-28 | 2013-09-25 | 住友ベークライト株式会社 | 有機絶縁材料、それを用いた有機絶縁膜用ワニス、有機絶縁膜及び半導体装置 |
| US8524847B2 (en) | 2007-03-20 | 2013-09-03 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Organic insulating material, varnish for resin film using the same, resin film and semiconductor device |
| WO2008114705A1 (ja) | 2007-03-20 | 2008-09-25 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 有機絶縁材料、それを用いた樹脂膜用ワニス、樹脂膜並びに半導体装置 |
| WO2009017247A1 (ja) | 2007-07-30 | 2009-02-05 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | 絶縁膜形成用重合体、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜及びそれを有する電子デバイス |
| US8530596B2 (en) | 2007-07-30 | 2013-09-10 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Polymer for forming insulating film, composition for forming insulating film, insulating film, and electronic device having same |
| JP2011523434A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-08-11 | シェン ツェン ポアマット テクノロジー カンパニー リミテッド | 有機多孔質ポリマー材料及びその合成方法 |
| WO2011010527A1 (ja) * | 2009-07-21 | 2011-01-27 | 住友ベークライト株式会社 | 膜形成用組成物、絶縁膜および半導体装置 |
| JP2011026375A (ja) * | 2009-07-21 | 2011-02-10 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 膜形成用組成物、絶縁膜および半導体装置 |
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