JP2001332474A - レジスト塗布処理装置およびレジスト塗布処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハ等の基板上にレジスト膜を形成
するに際して、ウエハから振り切られる等された不要な
レジスト液を回収し、再利用を可能としたレジスト塗布
処理装置およびレジスト塗布処理方法を提供する。 【解決手段】 レジスト塗布処理装置７０を、基板にレ
ジスト液を塗布する塗布処理部たるレジスト塗布ユニッ
ト（ＣＯＴ）と、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）から
排出される排レジスト液を回収する回収部８０と、回収
部８０に貯留された排レジスト液を濃縮する増粘処理部
３０と、排レジスト液の増粘処理時に発生する揮発性溶
剤の蒸気を液化させる溶剤回収部（シンナー回収部）３
２と、増粘処理部３０において製造された増粘レジスト
液と、溶剤回収部３２で製造された揮発性溶剤または新
しい揮発性溶剤とを混合する混合処理部４０から構成し
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等の
基板上にレジスト膜を形成するためのレジスト塗布処理
装置およびレジスト塗布処理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造プロセス
におけるフォトリソグラフィー工程のためのレジスト塗
布・現像処理システムにおいては、半導体ウエハ（ウエ
ハ）の表面にレジスト膜を形成するレジスト塗布処理
と、レジスト塗布後のウエハに対して露光処理を行った
後に前記ウエハを現像する現像処理とが行われている。
このうち、レジスト塗布処理は、このシステムに搭載さ
れたレジスト塗布ユニットを用いて行われており、ウエ
ハ表面にレジスト液を均一に塗布するための方法として
は、スピンコーティング法等が多用されている。

【０００３】このスピンコーティング法は、例えば、水
平面内で回転可能なスピンチャック上にウエハを真空吸
着して固定保持し、ウエハの上方からレジスト液をウエ
ハの中央部に滴下にして、ウエハをスピンチャックとと
もに回転させることにより、滴下されたレジスト液を遠
心力によってウエハの径方向外側に向かって拡げるもの
である。

【０００４】そして、レジスト液の滴下を停止して、ウ
エハを所定速度で回転させることにより、ウエハ上の残
余のレジストを振り切るとともに、形成されたレジスト
膜を乾燥させている。さらに、多くの場合、レジスト液
に含まれる揮発性溶剤を、レジスト膜が形成された基板
の裏面および周縁部に吐出して、不要に付着したレジス
トを除去するバックリンス処理やサイドリンス処理が行
われる。

【０００５】従来、このようなレジスト膜の形成処理に
あたって、ウエハ上から振り切られたレジスト液および
バックリンス処理やサイドリンス処理の際に排出される
低粘度のレジスト液は、ともに廃棄されていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、均一な
厚みを有するレジスト膜を形成するために、ウエハ上に
滴下されるレジスト液の量は、実際に膜となる量を大き
く上回る。このため、結果的に１枚のウエハあたりのレ
ジスト消費量は増大し、処理コストが割高となる問題を
有していた。

【０００７】本発明はこのような従来技術が有する課題
に鑑みてなされたものであって、使用されたレジスト液
の効率的な回収と再利用を可能とするレジスト塗布処理
装置およびレジスト塗布処理方法を提供することを目的
とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明によれ
ば、基板にレジスト液を塗布する塗布処理部と、前記塗
布処理部から排出される排レジスト液を濃縮する増粘処
理部と、前記増粘処理部において製造された増粘レジス
ト液と溶剤とを混合して所定粘度のレジスト液を再生す
る混合処理部と、を具備することを特徴とするレジスト
塗布処理装置、が提供される。

【０００９】また、本発明によれば、基板にレジスト液
を塗布する塗布処理部と、前記塗布処理部から排出され
る排レジスト液を回収する回収部と、前記回収部に貯留
された排レジスト液を濃縮する増粘処理部と、前記排レ
ジスト液の増粘処理時に発生する溶剤の蒸気を液化させ
る溶剤回収部と、前記増粘処理部において製造された増
粘レジスト液と、前記溶剤回収部で製造された溶剤また
は新しい溶剤とを混合する混合処理部と、を具備するこ
とを特徴とするレジスト塗布処理装置、が提供される。

【００１０】さらに本発明によれば、基板上にレジスト
膜を形成するレジスト塗布処理方法であって、前記基板
にレジスト液を塗布して成膜処理を行うとともに、不要
な基板上のレジスト液を除去する第１工程と、前記第１
工程において排出される排レジスト液を回収する第２工
程と、前記第２工程において回収された排レジスト液を
濃縮して増粘レジスト液を製造する第３工程と、前記増
粘レジスト液とレジスト液の溶剤とを混合して、再生レ
ジスト液を製造する第４工程と、を有することを特徴と
するレジスト塗布処理方法、が提供される。

【００１１】このようなレジスト塗布処理装置およびレ
ジスト塗布処理方法によれば、塗布処理部から排出され
る排レジスト液およびレジスト液の溶剤のいずれもが回
収されることから、廃棄される液量が低減され、また、
再生されたレジスト液を用いて基板にレジスト膜を形成
することが可能となることから、基板１枚あたりに使用
されるレジスト液量が低減されて、処理コストの低減が
図られる。また、回収された排レジスト液は、高粘度の
レジスト液とレジスト液に含まれる揮発性溶剤とに分離
されることから、その後の粘度調整が容易である。

【００１２】また、レジスト塗布処理装置を、大きくは
塗布処理部、回収部、増粘処理部、混合処理部等にブロ
ック分けすることにより、排レジスト液の回収、保存、
再生といった処理を独立に行うことができるようにな
り、レジスト塗布処理装置の運転シーケンスを、作業内
容に合わせて都度好適なものとして、処理作業性を向上
させることができる。さらに、各部についてのメンテナ
ンスや洗浄処理も容易に行うことが可能であり、保守性
が向上する。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明の実施の形態について、半導体ウエハ（ウエハ）へレ
ジスト膜を形成するために用いられるレジスト塗布・現
像処理システムを例として詳細に説明する。図１は本発
明のレジスト塗布処理装置が搭載されたレジスト塗布・
現像処理システムを示す概略平面図、図２はその正面
図、図３はその背面図である。

【００１４】このレジスト塗布・現像処理システム１
は、搬送ステーションであるカセットステーション１０
と、複数の処理ユニットを有する処理ステーション１１
と、処理ステーション１１と隣接して設けられる露光装
置（図示せず。）との間でウエハＷを受け渡すためのイ
ンターフェイス部１２とを具備している。

【００１５】カセットステーション１０は、被処理体と
してのウエハＷを複数枚、例えば２５枚単位でウエハカ
セットＣＲに搭載された状態で他のシステムからこのレ
ジスト塗布・現像処理システム１へ搬入またはこのレジ
スト塗布・現像処理システム１から他のシステムへ搬出
する等、ウエハカセットＣＲと処理ステーション１１と
の間でウエハＷの搬送を行うためのものである。

【００１６】このカセットステーション１０において
は、図１に示すように、載置台２０上に図中Ｘ方向に沿
って複数（図では４個）の位置決め突起２０ａが形成さ
れており、この突起２０ａの位置にウエハカセットＣＲ
がそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション１１側に
向けて１列に載置可能となっている。ウエハカセットＣ
ＲにおいてはウエハＷが垂直方向（Ｚ方向）に配列され
ている。また、カセットステーション１０は、載置台２
０と処理ステーション１１との間に位置するウエハ搬送
機構２１を有している。

【００１７】ウエハ搬送機構２１は、カセット配列方向
（Ｘ方向）およびその中のウエハＷのウエハ配列方向
（Ｚ方向）に移動可能なウエハ搬送用アーム２１ａを有
しており、このウエハ搬送用アーム２１ａによりいずれ
かのウエハカセットＣＲに対して選択的にアクセス可能
となっている。また、ウエハ搬送用アーム２１ａは、図
１中に示されるθ方向に回転可能に構成されており、後
述する処理ステーション１１の第３の処理部Ｇ_３に属す
るアライメントユニット（ＡＬＩＭ）およびエクステン
ションユニット（ＥＸＴ）にもアクセスできるようにな
っている。

【００１８】一方、処理ステーション１１は、ウエハＷ
へ対して塗布・現像を行う際の一連の工程を実施するた
めの複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置に多
段に配置されており、これらによりウエハＷが１枚ずつ
処理される。この処理ステーション１１は、図１に示す
ように、中心部にウエハ搬送路２２ａを有しており、こ
の中に主ウエハ搬送機構２２が設けられ、ウエハ搬送路
２２ａの周りに全ての処理ユニットが配置された構成と
なっている。これら複数の処理ユニットは、複数の処理
部に分かれており、各処理部は複数の処理ユニットが垂
直方向（Ｚ方向）に沿って多段に配置されている。

【００１９】主ウエハ搬送機構２２は、図３に示すよう
に、筒状支持体４９の内側に、ウエハ搬送装置４６を上
下方向（Ｚ方向）に昇降自在に装備している。筒状支持
体４９はモータ（図示せず。）の回転駆動力によって回
転可能となっており、それに伴ってウエハ搬送装置４６
も一体的に回転可能となっている。

【００２０】ウエハ搬送装置４６は、搬送基台４７の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材４８を備え、これ
らの保持部材４８によって各処理ユニット間でのウエハ
Ｗの受け渡しを実現している。

【００２１】また、図１に示すように、この実施の形態
においては、４個の処理部Ｇ_１・Ｇ _２・Ｇ_３・Ｇ_４がウ
エハ搬送路２２ａの周囲に配置されており、第５の処理
部Ｇ _５は必要に応じて配置可能となっている。これらの
うち、第１および第２の処理部Ｇ_１・Ｇ_２はレジスト塗
布・現像処理システム１の正面（図１において手前）側
に並列に配置され、第３の処理部Ｇ_３はカセットステー
ション１０に隣接して配置され、第４の処理部Ｇ_４はイ
ンターフェイス部１２に隣接して配置されている。ま
た、第５の処理部Ｇ_５は背面部に配置可能となってい
る。

【００２２】第１の処理部Ｇ_１では、コータカップ（Ｃ
Ｐ）内でウエハＷをスピンチャック（図示せず。）に乗
せて所定の処理を行う２台のスピナ型処理ユニットであ
るレジスト塗布ユニット（塗布処理部）（ＣＯＴ）およ
びレジストのパターンを現像する現像処理ユニット（Ｄ
ＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。第２の処理
部Ｇ_２も同様に、２台のスピナ型処理ユニットとしてレ
ジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）および現像処理ユニット
（ＤＥＶ）が下から順に２段に重ねられている。

【００２３】第３の処理部Ｇ_３においては、図３に示す
ように、ウエハＷを載置台ＳＰ（図１）に載せて所定の
処理を行うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられ
ている。すなわち冷却処理を行うクーリングユニット
（ＣＯＬ）、レジストの定着性を高めるためのいわゆる
疎水化処理を行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、位
置合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウ
エハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後に
ウエハＷに対して加熱処理を行う４つのホットプレート
ユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ねられている。
なお、アライメントユニット（ＡＬＩＭ）の代わりにク
ーリングユニット（ＣＯＬ）を設け、クーリングユニッ
ト（ＣＯＬ）にアライメント機能を持たせてもよい。

【００２４】第４の処理部Ｇ_４も、オーブン型の処理ユ
ニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリング
ユニット（ＣＯＬ）、クーリングプレートを備えたウエ
ハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニッ
ト（ＥＸＴＣＯＬ）、エクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、クーリングユニット（ＣＯＬ）、および４つのホ
ットプレートユニット（ＨＰ）が下から順に８段に重ね
られている。

【００２５】主ウエハ搬送機構２２の背部側に第５の処
理部Ｇ_５を設ける場合に、第５の処理部Ｇ_５は、案内レ
ール２５に沿って主ウエハ搬送機構２２から見て側方へ
移動できるようになっている。従って、第５の処理部Ｇ
_５を設けた場合でも、これを案内レール２５に沿ってス
ライドすることにより空間部が確保されるので、主ウエ
ハ搬送機構２２に対して背後からメンテナンス作業を容
易に行うことができる。

【００２６】インターフェイス部１２は、奥行方向（Ｘ
方向）については、処理ステーション１１と同じ長さを
有している。図１、図２に示すように、このインターフ
ェイス部１２の正面部には、可搬性のピックアップカセ
ットＣＲと定置型のバッファカセットＢＲが２段に配置
され、背面部にはウエハＷの周辺部のレジストを露光す
る周辺露光装置２３が配設され、中央部には、ウエハ搬
送機構２４が配設されている。

【００２７】このウエハ搬送機構２４は、ウエハ搬送用
アーム２４ａを有しており、このウエハ搬送用アーム２
４ａは、Ｘ方向、Ｚ方向に移動して両カセットＣＲ・Ｂ
Ｒおよび周辺露光装置２３にアクセス可能となってい
る。なお、このウエハ搬送用アーム２４ａは、θ方向に
回転可能であり、処理ステーション１１の第４の処理部
Ｇ_４に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）や、
さらには隣接する露光装置側のウエハ受け渡し台（図示
せず。）にもアクセス可能となっている。

【００２８】上述したレジスト塗布・現像処理システム
１においては、まず、カセットステーション１０におい
て、ウエハ搬送機構２１のウエハ搬送用アーム２１ａが
載置台２０上の未処理のウエハＷを収容しているウエハ
カセットＣＲにアクセスして、１枚のウエハＷを取り出
し、第３の処理部Ｇ_３のエクステンションユニット（Ｅ
ＸＴ）に搬送する。

【００２９】ウエハＷは、このエクステンションユニッ
ト（ＥＸＴ）から、主ウエハ搬送機構２２のウエハ搬送
装置４６により、処理ステーション１１に搬入される。
そして、第３の処理部Ｇ_３のアライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）によりアライメントされた後、アドヒージョン
処理ユニット（ＡＤ）に搬送され、そこでレジストの定
着性を高めるための疎水化処理（ＨＭＤＳ処理）が施さ
れる。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハＷは、
ウエハ搬送装置４６により、クーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）に搬送されて冷却される。

【００３０】アドヒージョン処理が終了し、クーリング
ユニット（ＣＯＬ）で冷却されたウエハＷは、引き続
き、ウエハ搬送装置４６によりレジスト塗布ユニット
（ＣＯＴ）に搬送され、そこでウエハＷにレジスト液が
塗布され、レジスト膜が形成される。このレジスト塗布
処理終了後、ウエハＷは第３または第４の処理部Ｇ_３・
Ｇ _４のいずれかのホットプレートユニット（ＨＰ）内で
プリベーク処理され、その後いずれかのクーリングユニ
ット（ＣＯＬ）にて冷却される。

【００３１】冷却されたウエハＷは、第３の処理部Ｇ_３
のアライメントユニット（ＡＬＩＭ）に搬送され、そこ
でアライメントされた後、第４の処理部Ｇ_４のエクステ
ンションユニット（ＥＸＴ）を介してインターフェイス
部１２に搬送される。

【００３２】インターフェイス部１２では、周辺露光装
置２３により周辺露光されて、その後ウエハＷはインタ
ーフェイス部１２に隣接して設けられた露光装置（図示
せず。）により、所定のパターンに従ってウエハＷのレ
ジスト膜に露光処理が施される。

【００３３】露光後のウエハＷは、再びインターフェイ
ス部１２に戻され、ウエハ搬送機構２４により、第４の
処理部Ｇ_４に属するエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）に搬送される。そして、ウエハＷは、ウエハ搬送装
置４６により、いずれかのホットプレートユニット（Ｈ
Ｐ）に搬送されてポストエクスポージャーベーク処理が
施され、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により
冷却される。

【００３４】その後、ウエハＷは現像処理ユニット（Ｄ
ＥＶ）に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われ
る。現像終了後、ウエハＷはいずれかのホットプレート
ユニット（ＨＰ）に搬送されてポストベーク処理が施さ
れ、次いで、クーリングユニット（ＣＯＬ）により冷却
される。このような一連の処理が終了した後、第３の処
理部Ｇ_３のエクステンションユニット（ＥＸＴ）を介し
てカセットステーション１０に戻され、いずれかのウエ
ハカセットＣＲに収容される。

【００３５】次に、上述したレジスト塗布ユニット（塗
布処理部）（ＣＯＴ）について説明する。図４および図
５は、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の全体構成を示
す概略断面図および概略平面図である。

【００３６】レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の中央部
には環状のコータカップ（ＣＰ）が配置され、コータカ
ップ（ＣＰ）の内側にはスピンチャック５２が配置され
ている。スピンチャック５２は真空吸着によってウエハ
Ｗを固定保持した状態で駆動モータ５４によって回転駆
動される。コータカップ（ＣＰ）の底部にはドレイン６
９が設けられており、不要なレジスト液や、レジスト塗
布後のサイドリンス処理および／またはバックリンス処
理に使用された溶剤（シンナー）がここから排出され
る。

【００３７】駆動モータ５４は、ユニット底板５０に設
けられた開口５０ａに昇降移動可能に配置され、例えば
アルミニウムからなるキャップ状のフランジ部材５８を
介して例えばエアシリンダからなる昇降駆動手段６０お
よび昇降ガイド手段６２と結合されている。駆動モータ
５４の側面には、例えばＳＵＳからなる筒状の冷却ジャ
ケット６４が取り付けられ、フランジ部材５８は、この
冷却ジャケット６４の上半部を覆うように取り付けられ
ている。

【００３８】レジスト塗布時、フランジ部材５８の下端
５８ａは、開口５０ａの外周付近でユニット底板５０に
密着し、これによってユニット内部が密閉される。スピ
ンチャック５２と主ウエハ搬送機構２２の保持部材４８
との間でウエハＷの受け渡しが行われるときは、昇降駆
動手段６０が駆動モータ５４ないしスピンチャック５２
を上方へ持ち上げることでフランジ部材５８の下端がユ
ニット底板５０から浮くようになっている。

【００３９】レジスト液をウエハＷの表面に吐出するレ
ジストノズル８６は、レジストノズルスキャンアーム９
２の先端部にノズル保持体１００を介して着脱可能に取
り付けられ、レジストノズル８６には、レジスト液供給
部９５からレジスト液が供給されるようになっている。
レジストノズルスキャンアーム９２は、ユニット底板５
０の上に一方向（Ｙ方向）に敷設されたガイドレール９
４上で水平移動可能な垂直支持部材９６の上端部に取り
付けられており、Ｙ軸駆動機構１１１によって垂直支持
部材９６と一体にＹ方向に移動するようになっている。
また、レジストノズル８６は、Ｚ軸駆動機構１１２によ
って上下方向（Ｚ方向）に移動可能となっている。

【００４０】なお、レジストノズルスキャンアーム９２
は、レジストノズル待機部９０でレジストノズル８６を
選択的に取り付けるためにＹ方向と直角なＸ方向にも移
動可能であり、図示しないＸ方向駆動機構によってＸ方
向にも移動するようになっている。

【００４１】さらに、レジストノズル待機部９０でレジ
ストノズル８６の吐出口が溶剤雰囲気室の口９０ａに挿
入され、中で溶剤の雰囲気に晒されることで、ノズル先
端のレジスト液が固化または劣化しないようになってい
る。また、複数本のレジストノズル８６が設けられ、例
えばレジスト液の種類に応じてそれらのノズルが使い分
けられるようになっている。

【００４２】また、レジストノズルスキャンアーム９２
の先端部（ノズル保持体１００）には、ウエハ表面への
レジスト液の吐出に先立ってウエハ表面にウエハ表面を
濡らすための溶剤、例えばシンナーを吐出するシンナー
ノズル１０１が取り付けられている。このシンナーノズ
ル１０１は図示しない溶剤供給管を介してシンナー供給
部に接続されている。シンナーノズル１０１とレジスト
ノズル８６はレジストノズルスキャンアーム９２のＹ移
動方向に沿う直線上に各々の吐出口が位置するように取
り付けられている。

【００４３】さらに、ガイドレール９４上には、レジス
トノズルスキャンアーム９２を支持する垂直支持部材９
６だけでなく、リンスノズルスキャンアーム１２０を支
持しＹ方向に移動可能な垂直支持部材１２４も設けられ
ている。このリンスノズルスキャンアーム１２０の先端
部には、ウエハＷの表面周辺部や側縁部にリンス液を吐
出してレジストを溶解除去、洗浄するサイドリンス処理
用のリンスノズル１２２が取り付けられている。

【００４４】Ｙ軸駆動機構１１１によってリンスノズル
スキャンアーム１２０およびリンスノズル１２２は、コ
ータカップ（ＣＰ）の側方に設定されたリンスノズル待
機位置（実線の位置）とスピンチャック５２に設置され
ているウエハＷの周辺部の真上に設定されたリンス液
（洗浄液）吐出位置（点線の位置）との間で並進または
直線移動するようになっている。また、スピンチャック
５２の下方周辺位置には、バックリンス処理用のリンス
ノズル１２３が配設されており、ウエハＷの裏面に向か
ってリンス液を吐出させ、ウエハＷの裏面洗浄が可能と
なるように構成されている。なお、リンス液（洗浄液）
としては、レジスト液に含まれる揮発性溶剤の１つであ
るシンナーが好適に用いられる。

【００４５】レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の駆動系
の動作は、制御部１１０によって制御される。すなわ
ち、駆動モータ５４、Ｙ軸駆動機構１１１、Ｚ軸駆動機
構１１２、レジスト液供給部９５、図示しないシンナー
供給部等は、制御部１１０の指令により駆動、制御され
る。

【００４６】続いて、このように構成されたレジスト塗
布ユニット（ＣＯＴ）におけるレジスト液の塗布処理動
作について以下に説明する。まず、主ウエハ搬送機構２
２の保持部材４８によってレジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）内のコータカップ（ＣＰ）の真上までウエハＷが搬
送されると、そのウエハＷは、例えばエアシリンダから
なる昇降駆動手段６０および昇降ガイド手段６２によっ
て上昇してきたスピンチャック５２によって真空吸着さ
れる。主ウエハ搬送機構２２はウエハＷをスピンチャッ
ク５２に真空吸着せしめた後、保持部材４８をレジスト
塗布ユニット（ＣＯＴ）内から引き戻し、レジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ）へのウエハＷの受け渡しを終える。

【００４７】次いで、スピンチャック５２はウエハＷが
コータカップ（ＣＰ）内の定位置まで下降し、駆動モー
タ５４によってスピンチャック５２の回転駆動が開始さ
れる。その後、レジストノズル待機部９０からのノズル
保持体１００の移動が開始される。このノズル保持体１
００の移動はＹ方向に沿って行われる。

【００４８】シンナーノズル１０１の吐出口がスピンチ
ャック５２の中心（ウエハＷの中心）上に到達したとこ
ろで、シンナーを回転するウエハＷの表面に供給する。
ウエハＷの表面に供給されたシンナーは遠心力によって
ウエハＷ中心からその周囲全域にむらなく拡げられる。
このように、レジスト液の塗布に先立ってシンナー等の
溶剤でウエハＷの表面全体を濡らす、いわゆるプリウエ
ット処理を行うことにより、レジスト液がより拡散しや
すくなり、結果としてより少量のレジスト液量で均一な
レジスト膜を形成することができるようになる。

【００４９】次いで、ノズル保持体１００は、レジスト
ノズル８６の吐出口がウエハＷの中心上に到達するまで
Ｙ方向に移動され、レジストノズル８６の吐出口からレ
ジスト液が回転するウエハＷの表面の中心に滴下され、
遠心力によりウエハＷの中心から周辺に向けて拡散され
て、ウエハＷ上にレジスト膜が形成される。なお、この
レジストノズル８６からのレジスト液の吐出開始時に
は、ノズルの先端部８６ａから気泡を巻き込まないよう
に、レジスト液の供給量、吐出圧を調整することが好ま
しい。

【００５０】このレジスト液の滴下終了後には、ウエハ
Ｗを所定の回転速度で回転させて膜厚の調整を行う。ウ
エハＷの回転速度が加速されて大きくなると、残余のレ
ジスト液が振り切られるとともに乾燥が進行し、所定厚
みのレジスト膜が形成される。その後、レジストノズル
８６をレジストノズル待機部９０へ収容するようにＹ方
向へ移動させ、リンスノズル１２３からなる洗浄手段に
より、ウエハＷの背面にバックリンス処理を施し、また
必要があればリンスノズル１２２を用いて、ウエハＷの
側縁部にサイドリンス処理を施す。これらバックリンス
処理やサイドリンス処理には、レジスト液の溶剤の１つ
であるシンナーが用いられ、またシンナーを使うことに
より、後述するようにレジスト液の再生利用が行われ
る。所定時間の回転処理を行って洗浄液を振り切った
後、ウエハＷの回転が停止されて、塗布処理工程が終了
する。

【００５１】このようなレジスト塗布処理において、ウ
エハＷ上から振り切られたレジスト液およびバックリン
ス処理およびサイドリンス処理に用いられたレジスト液
を含むシンナーはドレイン６９から排出されるが、本発
明においては、このレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）か
ら排出される排レジスト液を回収し、再利用する。な
お、シンナーはレジスト液を構成する揮発性溶剤である
ことから、レジスト液におけるシンナーの含有量を調整
して、レジスト液の粘度を調整することにより、排レジ
スト液の再生が可能となる。

【００５２】図６はレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を
含むレジスト塗布処理装置７０の一実施形態の全体構成
を示す説明図である。レジスト塗布処理装置７０は、レ
ジスト塗布ユニット（塗布処理部）（ＣＯＴ）、回収部
８０、増粘処理部３０、混合処理部４０、レジスト液供
給部９５の大きく分けて５つの部から構成されている。
ウエハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布ユニット
（ＣＯＴ）の構成については、既に詳述した通りであ
る。

【００５３】回収部８０には回収タンク８１が設けられ
ており、回収タンク８１にレジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）のドレイン６９から排出される排レジスト液が回収
され、一時的に保管される。この回収部８０を設けるこ
となく、排レジスト液が直接に増粘処理部３０へ流れ込
むように構成することも可能であるが、その場合には、
レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）におけるウエハＷへの
レジスト塗布処理の進行に合わせて増粘処理部３０に排
レジスト液が流れ込むこととなる。

【００５４】この場合、増粘処理部３０に貯留される排
レジスト液の量が一定せず、そのためウエハＷへのレジ
スト塗布処理中は所定粘度の増粘レジスト液の製造が困
難となる問題を生ずる。逆に、増粘処理部３０で排レジ
スト液の粘度調整を行う際には、新たに増粘処理部３０
に排レジスト液を流入させることは好ましくないため、
この場合には、排レジスト液を廃棄する必要が生じ、レ
ジスト液の効率的なリサイクルが行えなくなるという問
題を生ずる。つまり、回収タンク８１を設けて排レジス
ト液を一時的に保管し、増粘処理部３０での処理を、レ
ジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）での処理とは独立して行
うことができるようにすることで、排レジスト液のリサ
イクル効率が向上する。

【００５５】なお、１枚のウエハＷのレジスト塗布処理
に用いられるレジスト液の量は多いものではないので、
複数枚のウエハＷの処理に係る排レジスト液を回収タン
ク８１に回収し、所定量ほど貯留された後に増粘処理部
３０へ所定量の排レジスト液を送液すると、増粘処理部
３０における粘度調整のバッチ処理が容易となる。

【００５６】回収タンク８１には、オーバーフローを防
止するための排液機構（ドレイン）８２が設けられてい
る。回収タンク８１は複数配設してもよく、１個の回収
タンクがオーバーフローしたときに、ドレイン８２から
流出する排レジスト液を他の回収タンクに送液するよう
に構成してもよい。もちろん、ドレイン８２から排レジ
スト液を廃棄処理へ回すこともできる。

【００５７】また、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）と
回収タンク８１との間のドレイン配管に、図示しない切
替バルブを設けて、排レジスト液が回収タンク８１また
はドレイン８２のいずれか一方へ流れ出るように構成す
ることもできる。レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）から
直接にドレイン８２へ排レジスト液を流す場合として
は、再生を多数回繰り返した結果、組成変動や化学的特
性の変化が生じて、レジスト液本来の機能が発揮されな
くなった場合や、レジスト液に含まれるゴミ等の不純物
量が増加することによって所定の品質を保持できなくな
った場合等が挙げられる。

【００５８】回収部８０から増粘処理部３０への排レジ
スト液の送液は、回収部８０と増粘処理部３０との間の
配管に設けられた送液ポンプ３５の運転とバルブ３６の
開閉により行われる。なお、回収部８０と増粘処理部３
０との間の配管途中の任意の位置にフィルタ３７を配設
して、排レジスト液中の不純物を除去することも好まし
い。

【００５９】増粘処理部３０は、排レジスト液の粘度を
高める処理を行う部分である。増粘処理部３０に配設さ
れた処理タンク３１には、水位センサ３９およびドレイ
ン３８が設けられており、水位センサ３９が処理タンク
３１内の処理液量を監視し、一定以上となったときにド
レイン３８から排出し、液量を一定にすることができる
ようになっている。また、使用に適さなくなった排レジ
スト液を、バルブ３８ａを開いてドレイン３８から廃棄
することもできる。もちろん、ドレイン３８から排レジ
スト液を排出しないように処理条件を設定することが、
排レジスト液の再生率を高める上で好ましいことはいう
までもない。

【００６０】処理タンク３１の上部には、バルブ２９が
配設された排気管２８が設けられ、処理タンク３１内の
圧力調整が可能となっている。これにより、排レジスト
液の処理タンク３１内への流入や増粘レジスト液の処理
タンク３１からの送液が容易に行われる。また、処理タ
ンク３１には、粘度センサ４１が配設されており、処理
タンク３１のレジスト液粘度を監視、モニタしている。
この粘度センサ４１の測定値を処理タンク３１内での増
粘レジスト液の粘度調整方法にフィードバックすること
により、増粘レジスト液の製造制御を自動で行うことも
可能である。

【００６１】増粘処理部３０において、排レジスト液を
濃縮し、増粘させる方法としては、（１）減圧処理によ
ってシンナーを蒸発させる方法、（２）加熱によってシ
ンナーを蒸発させる方法、（３）超音波を与えることに
よってシンナーを蒸発させる方法、（４）前記排レジス
ト液よりも高粘度に調整されたレジスト液を添加する方
法、等が挙げられる。

【００６２】このうち、（１）〜（３）の方法は、結果
として排レジスト液中のシンナーを蒸発させることによ
って、排レジスト液の粘度を大きくする増粘方法であ
り、このような増粘方法を行うために、図６において
は、回収タンク３１に、蒸発したシンナーの蒸気を冷却
する冷却凝縮器３２ａと、液化されたシンナーを貯留す
るシンナー回収タンク３２ｂからなるシンナー回収部３
２が取り付けられている。冷却凝縮器３２ａの前段（処
理タンク３１側）には、開閉バルブ３４が設けられてお
り、必要に応じて処理タンク３１からシンナーの蒸気を
冷却凝縮器３２ａに送ることができるようになってい
る。

【００６３】前記した（１）の減圧処理によってシンナ
ーを蒸発させる方法を用いる場合には、例えば、冷却凝
縮器３２ａとシンナー回収タンク３２ｂとの間に排気ポ
ンプを設けて、排気に含まれるシンナーの蒸気が冷却凝
縮器３２ａを通過する際に液化、凝縮され、回収される
構造とすればよい。また、図６に示されるように、シン
ナー回収タンク３２ｂに、別途、排気管２６と排気ポン
プ２７を設け、排気ポンプ２７による減圧雰囲気が、シ
ンナー回収タンク３２ｂと冷却凝縮器３２ａを通じて処
理タンク３１にまで及ぶ構成としてもよい。排気管２６
に設けられたバルブ１６は、回収タンク３２ｂからのシ
ンナーの蒸発を防ぐために、排気ポンプ２７を動作させ
るとき以外は閉口した状態とすることが好ましい。

【００６４】前記した（２）の加熱によってシンナーを
蒸発させる方法を用いる場合には、処理タンク３１の底
部や側部に図示しない加熱装置を取り付けて、処理タン
ク３１内の排レジスト液を所定温度に温めてシンナーを
蒸発させ、シンナーの蒸気が冷却凝縮器３２ａを通る際
に液化され、シンナー回収タンク３２ｂに回収される構
造とすればよい。なお、排レジスト液を加熱する場合に
は、レジスト液に、その機能を低下させるような変性等
の化学的な変化が起こらないように注意する必要があ
る。

【００６５】さらに、前記した（３）の超音波を与える
ことによってシンナーを蒸発させる方法を用いる場合に
は、処理タンク３１の底部や側部に図示しない超音波振
動子を取り付けて、排レジスト液に超音波振動を加え、
内部からシンナーを蒸発させるものであるが、この場合
にも結果的に排レジスト液の温度上昇を伴う場合が殆ど
であることから、過加熱に注意を要する。

【００６６】なお、前記した（４）の排レジスト液より
も高粘度に調整されたレジスト液を添加する方法は、シ
ンナーを蒸発させるものでないことから、シンナー回収
部３２を設ける必要はない。一方で、添加すべき高粘度
レジスト液を供給する機構を設ける必要がある。この方
法の場合には、結果的に製造されるレジスト液の量が増
大することから、過剰のレジスト液が再生されないよう
に、添加する高粘度レジスト液の量を調整することが好
ましい。

【００６７】このような増粘処理部３０での増粘処理と
並行して、シンナー回収部３２で得られたシンナー（回
収シンナー）は、シンナー回収タンク３２ｂに一時的に
貯留され、その後、所定量に達した時点で、また適宜必
要に応じて、送液ポンプ４２を用いてシンナー貯留タン
ク４３へ送液される。

【００６８】シンナー貯留タンク４３には、シンナー供
給部４４から新たなシンナーが供給されるようになって
いる。これは、レジスト液中のシンナーは、レジスト液
をウエハＷへ塗布する処理中等に蒸発することから、シ
ンナー回収部３２で得られるシンナーの量が、後述する
ように、増粘レジスト液に加えるために必要な量に満た
ない場合があるためである。なお、このシンナー貯留タ
ンク４３に貯留されたシンナーを、シンナーノズル１０
１および／またはリンスノズル１２２・１２３へ供給す
るように、シンナー供給管９７を設けた構成とすること
も好ましい。このようにシンナーの供給経路をまとめる
ことによって、装置の構造を簡単なものとすることがで
きる。

【００６９】シンナー貯留タンク４３に貯留されたシン
ナーは、バルブ７７を開閉操作し、定量ポンプ７６を用
いて混合処理部４０へ送られる。後述するように、増粘
処理部３０において製造された増粘レジスト液も、定量
ポンプ７１を用いて一定量が混合処理部４０へ送られる
ことから、混合処理部４０でのシンナーと増粘レジスト
液の混合比率は一定とされ、これにより、混合処理部４
０において、所定濃度のレジスト液（再生レジスト液）
を再生、製造することが可能となる。

【００７０】増粘処理部３０と混合処理部４０との間に
は、定量ポンプ７１、圧力センサ７２、フィルタ７３、
バルブ７４、回収ライン７５が設けられており、定量ポ
ンプ７１により一定量の増粘レジスト液が混合処理部４
０へ送液される。

【００７１】フィルタ７３は、増粘レジスト液中に含ま
れるゴミ等の各種浮遊物を除去する役割を果たし、圧力
センサ７２は、フィルタ７３の目詰まりを検知する役割
を担う。また、フィルタ７３には、一般的に脱泡用ベン
トが設けられており、図６においては、この脱泡用ベン
トから排出される増粘レジスト液を処理タンク３１へ循
環回収するように、回収ライン７５が設けられている。
こうして、廃棄される増粘レジスト液の量が低減され
る。バルブ７４は必要に応じて適宜開閉される。

【００７２】混合処理部４０では、シンナーと増粘レジ
スト液が均一に混合されて、所定の濃度のレジスト液が
再生される。これらシンナーと増粘レジスト液の混合方
法に限定はないが、内部に邪魔板等の障害物を設けて液
体の流れを変化させ、自然に均一な混合が行われるよう
なインラインミキシング機構が好適に用いられる。この
場合、動的な撹拌子等の手段を設ける必要がなく、装置
自体がコンパクトとなり、また電源等を必要としない点
でも好ましい。

【００７３】なお、混合処理部４０において製造された
再生レジスト液の粘度を監視するために、混合処理部４
０における再生レジスト液の出口近傍または再生レジス
ト液が送液されるレジスト液貯留タンク８９との間に粘
度センサ７８が設けられている。この粘度センサ７８の
測定結果を、定量ポンプ７１・７６にフィードバックし
て、流量を制御することによって、再生レジスト液の粘
度の微調整を行うことができる。

【００７４】混合処理部４０において製造された再生レ
ジスト液は、レジスト液供給部９５の構成部分の１つで
あるレジスト液貯留タンク８９に貯留され、その後所定
のタイミングでレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）へ送液
される。レジスト液供給部９５には、レジスト液補充部
８７が設けられており、再生レジスト液の量が必要量に
満たない場合等に、新しいレジスト液をレジスト液貯留
タンク８９へ送液する。レジスト液貯留タンク８９に
は、水位センサ９３が設けられており、新しいレジスト
液の補充量および混合処理部４０からの送液量が制御さ
れる。

【００７５】なお、レジスト液貯留タンク８９を設けず
に、混合処理部４０から直接にレジスト塗布ユニット
（ＣＯＴ）へ再生レジスト液を送液することも可能であ
るが、その場合には、混合処理部４０での再生レジスト
液の製造量を、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）での処
理における必要量に合わせるような制御を行うことが必
要とされる。

【００７６】レジスト液供給部９５は、図６に示される
ように、レジスト液送液経路８８に設けられた送液ポン
プ８３等の各種の装置を構成部分として含む。レジスト
液送液経路８８には、脱気機構９９が配設されており、
例えば、減圧作用によりレジスト液中の気泡除去が行わ
れる。このとき、レジスト液中のシンナーが過度に蒸発
しないようにその条件を設定する。また、レジスト液送
液経路８８にはレジスト液温度調節機構８５が配設さ
れ、レジスト液は、特性が発揮される所定温度に調整が
行われた後に、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）におい
て、レジストノズル８６からウエハＷへ供給される。

【００７７】レジスト液貯留タンク８９とレジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ）との間には、レジスト液中のゴミ等
を除去するフィルタ８４が配設されており、レジスト液
がフィルタを通過する際に、フィルタ８４の脱泡用ベン
トから排出される再生レジスト液をレジスト液貯留タン
ク８９に循環回収する回収ライン９８も設けられてい
る。この回収ライン９８によりレジスト液の廃棄量を低
減することができる。レジスト液送液経路８８に設けら
れた送液ポンプ８３により、所定量のレジスト液がレジ
ストノズル８６へ送られ、こうして、ウエハＷにレジス
ト液が塗布される。

【００７８】なお、バルブ９１を開閉することにより、
レジスト液の送液の開始または停止を制御することがで
きるが、図６には、バルブ９１以外にも、各部間にバル
ブが配設されており、各部の運転を独立に行うことがで
きるようになっている。つまり、バルブが開口されて連
通した部間では連動して運転が行われるが、バルブが閉
口された部間では、運転は独立して行うことができる。
こうして特定の部での処理時間を他の部での処理時間と
ずらして行うことや、各部の洗浄処理やメンテナンス等
を独立して効率的に行うことが可能となる。

【００７９】次に、上述したレジスト塗布処理装置７０
の使用形態について説明する。レジスト塗布ユニット
（ＣＯＴ）において、ウエハＷにレジスト膜が形成され
る際に発生する排レジスト液を、ドレイン６９を通して
回収タンク８１に回収する。そして、例えば、ある一定
の枚数（１ロット）のウエハＷの処理を行い、回収され
た排レジスト液が所定量に達した時点で、増粘処理部３
０の処理タンク３１へ送液する。

【００８０】こうして回収タンク８１に貯留される排レ
ジスト液量が低下すれば、引き続いてレジスト塗布ユニ
ット（ＣＯＴ）では、次ロットのウエハＷに対するレジ
スト塗布処理を行うことができ、排レジスト液を回収タ
ンク８１に貯留することができる。そして、その間に増
粘処理部３０では、先に述べた種々の方法を用いて排レ
ジスト液中のシンナーを蒸発させることにより、排レジ
スト液の粘度を高める増粘処理を行うとともに、蒸発し
たシンナーを冷却凝縮器３２ａを用いて液化し、再生シ
ンナーとして得る処理を行う。

【００８１】得られた再生シンナーは、ウエハＷへのレ
ジスト液塗布中等に蒸発して消失しているものがあるこ
とから、増粘レジスト液の希釈に必要な量に満たない場
合がある。そのため得られた再生シンナーは、シンナー
貯留タンク４３において、シンナー供給部４４から供給
される新たなシンナーと混合されて貯留される。なお、
シンナー貯留タンク４３に貯留されたシンナーは、レジ
スト塗布ユニット（ＣＯＴ）におけるプリウエット処理
やバックリンス処理、サイドリンス処理のための洗浄液
として用いることもできる。

【００８２】シンナー貯留タンク４３に貯留されたシン
ナーと、増粘処理部３０で予め製造された増粘レジスト
液は、所定量ずつ混合処理部４０へ送液され、混合され
て所定粘度のレジスト液が再生される。再生されたレジ
スト液はレジスト液貯留タンク８９に一時的に貯留され
る。こうして、増粘処理部３０の処理タンク３１から増
粘レジスト液が排出された後には、再び回収タンク８１
から排レジスト液を処理タンク３１へ送液して、増粘処
理を行うことができるようになる。

【００８３】ある一定の枚数のウエハＷに対して使用さ
れるレジスト液から回収される排レジスト液から同じ枚
数のウエハＷを処理するに必要なレジスト液を再生する
ことは、レジスト液が減少しているために不可能である
から、不足分の新しいレジスト液をレジスト液補充部８
７からレジスト液貯留タンク８９へ補充する。

【００８４】上述のようにして各部での処理を行うこと
により、レジスト液貯留タンク８９から所定のタイミン
グでレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）へウエハＷに塗布
されるレジスト液が供給される一方、新しいレジスト液
および再生レジスト液がレジスト液貯留タンク８９に供
給されることから、予め再生レジスト液が供給可能なよ
うに準備されており、レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）
へのレジスト液の供給が停止することはない。

【００８５】ところで、このような再生処理を繰り返す
と、複数の送液経路にフィルタを設けているにもかかわ
らず、レジスト液中のゴミ等の不純物量が増加して、所
定の品質を保つことが困難となる場合がある。この場合
には、再生が不可能となった時点で、例えば、処理タン
ク３１や回収タンク８１に設けられたドレイン８２・３
８から、排レジスト液を廃棄する。また、レジスト塗布
ユニット（ＣＯＴ）から直接廃棄することにより、処理
タンク３１や回収タンク８１の汚染を少なくして、排レ
ジスト液を廃棄することもできる。

【００８６】以上、本発明の実施の形態について説明し
てきたが、本発明は上記実施形態に限定されず、種々の
変形が可能である。例えば、混合処理部では、予め一定
量の増粘レジスト液を貯留しておき、増粘レジスト液を
撹拌しながらシンナーを供給して、粘度を確認しながら
レジスト液を再生し、所定粘度に到達した時点でシンナ
ーの供給を停止して、レジスト液貯留タンクへ送液する
増粘レジスト液の再生方法を用いることも可能である。

【００８７】また、レジスト液の再生について、レジス
ト液に含まれる揮発性溶剤がシンナーである場合を例に
説明したが、レジスト液の種類によって使用されている
溶剤が異なっても、上述したレジスト液の再生方法を用
いることができることは明らかである。例えば、溶剤と
してシンナーよりも沸点の高いＮＭＰ（ノルマルメチル
ピロリドン）が用いられているポリイミド系レジスト
も、本発明のレジスト塗布処理装置を用いて処理するこ
とができる。また、複数種の揮発性溶剤が用いられてい
る場合には、溶剤の回収手段として蒸留等の分離手段が
必要となる場合があることを除いて、上述したレジスト
液の再生方法を用いることができる。

【００８８】さらに、上記説明では、半導体ウエハ用の
レジスト塗布・現像処理システムに組み込まれたレジス
ト塗布処理装置を例に挙げて説明したが、レジスト塗布
処理装置単独で用いるものであってもよく、また半導体
ウエハ以外の他の被処理基板、例えばＬＣＤ基板用のレ
ジスト塗布処理装置にも本発明を適用することができ
る。

【００８９】

【発明の効果】上述の通り、本発明によれば、従来は廃
棄されていたレジスト液が回収されて再利用されるた
め、結果的に１枚あたりに使用されるレジスト液の使用
量が低減され、レジスト塗布の処理コストを低減するこ
とが可能となる。また、レジスト塗布処理装置をレジス
ト塗布ユニット（ＣＯＴ）、回収部、増粘処理部、混合
処理部、レジスト液供給部等の各部に分割して構成する
ことにより、各部の運転を独立して行うことが可能とな
り、作業効率が向上する。また、各部のメンテナンスも
独立して行うことが可能となり、作業効率が向上する。
そして、混合処理部をインラインミキシング機構を用い
て構成することにより、簡単でコンパクトな装置とする
ことができる。さらに、シンナーの供給経路をまとめる
ことによっても装置の構造を簡単なものとすることが可
能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係るレジスト塗布処理装置
が組み込まれた半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理
システムの全体構成を示す平面図。

【図２】本発明の実施形態に係るレジスト塗布処理装置
が組み込まれた半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理
システムの全体構成を示す正面図。

【図３】本発明の実施形態に係るレジスト塗布処理装置
が組み込まれた半導体ウエハのレジスト塗布・現像処理
システムの全体構成を示す背面図。

【図４】本発明のレジスト塗布処理装置に用いられるレ
ジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の一実施形態を示す断面
図。

【図５】図４記載のレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）の
平面図。

【図６】本発明のレジスト塗布処理装置の全体構成の一
実施形態を示す説明図。

【符号の説明】

３０；増粘処理部 ３１；処理タンク ３２；シンナー回収部 ３２ａ；冷却凝縮器 ３２ｂ；シンナー回収タンク ３８；ドレイン ３９；水位センサ ４０；混合処理部 ４１；粘度センサ ４３；シンナー貯留タンク ４４；シンナー供給部 ６９；ドレイン ７０；レジスト塗布処理装置 ７５；回収ライン ７８；粘度センサ ８０；回収部 ８１；回収タンク ８２；ドレイン ８４；フィルタ ８５；レジスト液温調機構 ８７；レジスト液補充部 ８８；レジスト液送液経路 ８９；レジスト液貯留タンク ９５；レジスト液供給部 ９７；シンナー供給管 ９８；回収ライン Ｗ；半導体ウエハ（基板）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｆ 7/16 ５０２ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５６４Ｃ Ｆターム(参考） 2H025 AA00 AB16 EA05 4D075 AC64 AC84 DA06 DC22 EA45 4F042 AA02 AA07 CC04 CC10 DB28 DB48 DF09 DF32 DF34 EB05 EB09 EB13 EB17 EB28 5F046 JA08 JA27

Claims (19)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板にレジスト液を塗布する塗布処理部
   と、 前記塗布処理部から排出される排レジスト液を濃縮する
   増粘処理部と、 前記増粘処理部において製造された増粘レジスト液と溶
   剤とを混合して所定粘度のレジスト液を再生する混合処
   理部と、 を具備することを特徴とするレジスト塗布処理装置。
2. 【請求項２】 基板にレジスト液を塗布する塗布処理部
   と、 前記塗布処理部から排出される排レジスト液を回収する
   回収部と、 前記回収部に貯留された排レジスト液を濃縮する増粘処
   理部と、 前記排レジスト液の増粘処理時に発生する溶剤の蒸気を
   液化させる溶剤回収部と、 前記増粘処理部において製造された増粘レジスト液と、
   前記溶剤回収部で製造された溶剤または新しい溶剤とを
   混合する混合処理部と、 を具備することを特徴とするレジスト塗布処理装置。
3. 【請求項３】 前記混合処理部において製造された再生
   レジスト液を貯留し、また、前記塗布処理部に送液する
   ためのレジスト液供給部を備えたことを特徴とする請求
   項１または請求項２に記載のレジスト塗布処理装置。
4. 【請求項４】 前記レジスト液供給部が、新しいレジス
   ト液を供給するレジスト液補充部を具備することを特徴
   とする請求項３に記載のレジスト塗布処理装置。
5. 【請求項５】 前記レジスト液供給部と前記塗布処理部
   との間に設けられた送液経路に脱気機構および温度調節
   機構が配設され、前記再生レジスト液は、脱気および温
   度調整が行われた後に前記塗布処理部へ送液されること
   を特徴とする請求項３または請求項４に記載のレジスト
   塗布処理装置。
6. 【請求項６】 前記レジスト液供給部と前記塗布処理部
   との間に設けられた送液経路にフィルタが配設され、前
   記フィルタの脱泡用ベントから排出される再生レジスト
   液を、前記レジスト液供給部に循環回収する機構を有す
   ることを特徴とする請求項３から請求項５のいずれか１
   項に記載のレジスト塗布処理装置。
7. 【請求項７】 前記混合処理部と前記レジスト液供給部
   との間に粘度センサが設けられ、前記粘度センサの検出
   値により、前記増粘レジスト液と溶剤の混合量を制御す
   ることを特徴とする請求項３から請求項６のいずれか１
   項に記載のレジスト塗布処理装置。
8. 【請求項８】 前記回収部は排液機構が設けられた回収
   タンクを有し、前記回収タンクのオーバーフローが前記
   排液機構により防止されることを特徴とする請求項２か
   ら請求項７のいずれか１項に記載のレジスト塗布処理装
   置。
9. 【請求項９】 前記塗布処理部から排出される排レジス
   ト液が、前記回収部またはドレインのいずれか一方へ送
   られるように、前記塗布処理部と前記回収部との間に切
   替バルブが設けられていることを特徴とする請求項２か
   ら請求項８のいずれか１項に記載のレジスト塗布処理装
   置。
10. 【請求項１０】 前記溶剤回収部で製造された溶剤と新
    しい溶剤とを混合して貯留する溶剤貯留部を有し、前記
    溶剤貯留部から前記混合処理部へ溶剤が供給されること
    を特徴とする請求項２から請求項９のいずれか１項に記
    載のレジスト塗布処理装置。
11. 【請求項１１】 前記溶剤貯留部に貯留された溶剤が、
    前記塗布処理部における基板のバックリンス処理および
    ／またはサイドリンス処理に供されるように構成されて
    いることを特徴とする請求項２から請求項１０に記載の
    レジスト塗布処理装置。
12. 【請求項１２】 前記増粘処理部は、（１）減圧処理に
    よって溶剤を蒸発させる方法、（２）加熱によって溶剤
    を蒸発させる方法、（３）超音波を与えることによって
    溶剤を蒸発させる方法、（４）前記排レジスト液よりも
    高粘度に調整されたレジスト液を添加する方法、のいず
    れかの増粘方法を用いるものであることを特徴とする請
    求項１から請求項１１のいずれか１項に記載のレジスト
    塗布処理装置。
13. 【請求項１３】 前記増粘処理部と前記混合処理部との
    間に設けられた送液経路にフィルタが配設され、前記フ
    ィルタの脱泡用ベントから排出される増粘レジスト液
    を、前記増粘処理部に循環回収する機構を有することを
    特徴とする請求項１から請求項１２のいずれか１項に記
    載のレジスト塗布処理装置。
14. 【請求項１４】 前記混合処理部では、インラインミキ
    シング機構により前記増粘レジスト液と前記溶剤との混
    合が行われることを特徴とする請求項１から請求項１３
    のいずれか１項に記載のレジスト塗布処理装置。
15. 【請求項１５】 前記塗布処理部と前記回収部との間、
    前記回収部と前記増粘処理部との間、前記増粘処理部と
    前記混合処理部との間、の各部間の送液経路に開閉バル
    ブが設けられ、 前記各部の運転のタイミングに合わせて前記開閉バルブ
    を開閉させ、所定量の前記排レジスト液または増粘レジ
    スト液の送液が行われることを特徴とする請求項１から
    請求項１４のいずれか１項に記載のレジスト塗布処理装
    置。
16. 【請求項１６】 基板上にレジスト膜を形成するレジス
    ト塗布処理方法であって、 前記基板にレジスト液を塗布して成膜処理を行うととも
    に、不要な基板上のレジスト液を除去する第１工程と、 前記第１工程において排出される排レジスト液を回収す
    る第２工程と、 前記第２工程において回収された排レジスト液を濃縮し
    て増粘レジスト液を製造する第３工程と、 前記増粘レジスト液とレジスト液の溶剤とを混合して、
    再生レジスト液を製造する第４工程と、 を有することを特徴とするレジスト塗布処理方法。
17. 【請求項１７】 前記第１工程および第２工程におい
    て、前記成膜処理後にレジスト液に含まれる溶剤を用い
    て基板裏面および／または基板周縁部のレジストを溶解
    除去することにより排出される洗浄液を、前記排レジス
    ト液とともに回収することを特徴とする請求項１６に記
    載のレジスト塗布処理方法。
18. 【請求項１８】 前記第３工程が、前記排レジスト液か
    ら溶剤を蒸発させることにより濃縮を行うものであっ
    て、かつ、蒸発した溶剤蒸気を冷却することによって溶
    剤として回収し、 前記第４工程において、前記回収溶剤と前記増粘レジス
    ト液とを混合することにより所定粘度の再生レジスト液
    を製造することを特徴とする請求項１６または請求項１
    ７に記載のレジスト塗布処理方法。
19. 【請求項１９】 前記第４工程はインラインミキシング
    機構により行われ、前記インラインミキシング機構内ま
    たはインラインミキシング機構外の再生レジスト液排出
    側に設けられた粘度センサの検出値から、前記インライ
    ンミキシング機構に供給される増粘レジスト液と溶剤の
    流量を制御することを特徴とする請求項１６から請求項
    １８のいずれか１項に記載のレジスト塗布処理方法。