JP2001328198A - 積層膜及び積層膜の形成方法 - Google Patents
積層膜及び積層膜の形成方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上に金属酸化物薄膜と金属薄膜とを交互
に多層に積層してなる積層膜であって、ＰＤＰの前面に
配置される透明導電性薄膜や熱線反射膜として有用な低
抵抗で導電性に優れた積層膜を提供する。 【解決手段】 基板１上に形成された金属酸化物薄膜２
と金属薄膜３との積層膜において、金属薄膜３の金属酸
化物薄膜２との界面に、金属薄膜を構成する金属の酸化
物層４を形成する。スパッタリング法により、基板１上
に金属酸化物薄膜２と金属薄膜３とを積層形成する積層
膜の形成方法において、金属薄膜３の成膜後、該金属薄
膜３を酸素ガス雰囲気に晒すことによりこの酸化物層４
を形成する。
に多層に積層してなる積層膜であって、ＰＤＰの前面に
配置される透明導電性薄膜や熱線反射膜として有用な低
抵抗で導電性に優れた積層膜を提供する。 【解決手段】 基板１上に形成された金属酸化物薄膜２
と金属薄膜３との積層膜において、金属薄膜３の金属酸
化物薄膜２との界面に、金属薄膜を構成する金属の酸化
物層４を形成する。スパッタリング法により、基板１上
に金属酸化物薄膜２と金属薄膜３とを積層形成する積層
膜の形成方法において、金属薄膜３の成膜後、該金属薄
膜３を酸素ガス雰囲気に晒すことによりこの酸化物層４
を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に金属酸化
物薄膜と金属薄膜とが交互に多層に積層された積層膜に
係り、特に、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の
前面に配置される透明導電性薄膜や熱線反射膜として有
用な低抵抗で導電性に優れた積層膜と、このような積層
膜をスパッタリング法により形成する方法に関する。
物薄膜と金属薄膜とが交互に多層に積層された積層膜に
係り、特に、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の
前面に配置される透明導電性薄膜や熱線反射膜として有
用な低抵抗で導電性に優れた積層膜と、このような積層
膜をスパッタリング法により形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰの前面板には、反射防止性能（即
ち、可視光高透過性（可視光低反射性））、熱線反射
（近赤外カット）性能、電磁波シールド性能等に優れる
ことが要求され、従来、このような要求性能のうち、熱
線反射性と電磁波シールド性とを兼備するものとして、
ＰＥＴフィルム上にＩＴＯ（スズインジウム酸化物）等
の金属酸化物薄膜とＡｇ等の金属薄膜とを交互に多層積
層形成したフィルムが提供されている。
ち、可視光高透過性（可視光低反射性））、熱線反射
（近赤外カット）性能、電磁波シールド性能等に優れる
ことが要求され、従来、このような要求性能のうち、熱
線反射性と電磁波シールド性とを兼備するものとして、
ＰＥＴフィルム上にＩＴＯ（スズインジウム酸化物）等
の金属酸化物薄膜とＡｇ等の金属薄膜とを交互に多層積
層形成したフィルムが提供されている。
【０００３】この積層膜の形成方法としては、スパッタ
リング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等、各種
の方法があるが、膜厚制御が容易な点からスパッタリン
グ法が最も好適とされている。なお、スパッタリング法
による金属薄膜の形成は、アルゴン（Ａｒ）雰囲気にて
行われ、金属酸化物薄膜をスパッタリング法により形成
する場合には、雰囲気ガス中に酸素（Ｏ２）を導入し、
Ａｒ／Ｏ２雰囲気で行われる。
リング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等、各種
の方法があるが、膜厚制御が容易な点からスパッタリン
グ法が最も好適とされている。なお、スパッタリング法
による金属薄膜の形成は、アルゴン（Ａｒ）雰囲気にて
行われ、金属酸化物薄膜をスパッタリング法により形成
する場合には、雰囲気ガス中に酸素（Ｏ２）を導入し、
Ａｒ／Ｏ２雰囲気で行われる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属酸
化物薄膜と金属薄膜との積層膜では、金属薄膜が酸化を
受け易く、酸化劣化により金属薄膜の抵抗値が高くな
り、結果として得られる積層膜の導電性が損なわれると
いう欠点がある。
化物薄膜と金属薄膜との積層膜では、金属薄膜が酸化を
受け易く、酸化劣化により金属薄膜の抵抗値が高くな
り、結果として得られる積層膜の導電性が損なわれると
いう欠点がある。
【０００５】本発明は、このような金属薄膜の抵抗値の
悪化を防止して表面抵抗値が低く導電性に優れた積層膜
を提供することを目的とする。
悪化を防止して表面抵抗値が低く導電性に優れた積層膜
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の積層膜は、基板
上に形成された金属酸化物薄膜と金属薄膜との積層膜に
おいて、該金属薄膜の金属酸化物薄膜との界面に、該金
属薄膜を構成する金属の酸化物層が形成されていること
を特徴とする。
上に形成された金属酸化物薄膜と金属薄膜との積層膜に
おいて、該金属薄膜の金属酸化物薄膜との界面に、該金
属薄膜を構成する金属の酸化物層が形成されていること
を特徴とする。
【０００７】本発明者らは、従来の積層膜において、金
属薄膜の抵抗値が高くなる原因について検討した結果、
従来の積層膜では、金属酸化物薄膜中の活性酸素（不安
定酸素）が金属薄膜との界面へ移動し、金属薄膜が酸化
を受けること、また、大気中の水分等により金属薄膜が
腐食すること、そして、この結果、金属薄膜の抵抗値が
悪化する可能性が高いことを知見した。
属薄膜の抵抗値が高くなる原因について検討した結果、
従来の積層膜では、金属酸化物薄膜中の活性酸素（不安
定酸素）が金属薄膜との界面へ移動し、金属薄膜が酸化
を受けること、また、大気中の水分等により金属薄膜が
腐食すること、そして、この結果、金属薄膜の抵抗値が
悪化する可能性が高いことを知見した。
【０００８】そこで、本発明者らは、金属酸化物薄膜か
ら金属薄膜への酸素の移動、大気中の水分等の影響を低
減するべく、更に検討を重ねた結果、金属薄膜の金属酸
化物薄膜との界面に該金属薄膜を構成する金属の酸化物
層を形成することにより、この酸化物層がバリヤー層と
なって、隣接する金属酸化物薄膜からの酸素の移動や大
気中の水分等による酸化劣化から、金属薄膜を保護する
ことができることを見出した。
ら金属薄膜への酸素の移動、大気中の水分等の影響を低
減するべく、更に検討を重ねた結果、金属薄膜の金属酸
化物薄膜との界面に該金属薄膜を構成する金属の酸化物
層を形成することにより、この酸化物層がバリヤー層と
なって、隣接する金属酸化物薄膜からの酸素の移動や大
気中の水分等による酸化劣化から、金属薄膜を保護する
ことができることを見出した。
【０００９】本発明はこのような知見により完成された
ものであり、本発明によれば、金属薄膜の酸化による抵
抗値の悪化を防止して、表面抵抗値の低い高導電性積層
膜を得ることができる。
ものであり、本発明によれば、金属薄膜の酸化による抵
抗値の悪化を防止して、表面抵抗値の低い高導電性積層
膜を得ることができる。
【００１０】この酸化物層は、金属薄膜の基板側と反対
側の面に形成されていることが好ましく、その膜厚は
０．５〜５ｎｍであることが好ましい。
側の面に形成されていることが好ましく、その膜厚は
０．５〜５ｎｍであることが好ましい。
【００１１】本発明においては、特に、金属酸化物薄膜
と金属薄膜とを交互に多層に積層形成した積層膜に有効
であり、金属酸化物薄膜としてはＩＴＯ、酸化インジウ
ム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化チタン及び酸化ケイ素よ
りなる群から選ばれる１種の金属酸化物又は２種以上の
複合金属酸化物の薄膜が挙げられる。その他金属酸化物
膜としては、例えば酸化亜鉛膜にＺｎ２＋よりイオン半
径の小さいＡｌ，Ｓｉ，Ｂ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｃｒ，
Ｆ，Ｇａ等をドープさせた膜も同様に使用することがで
きる。ドープ量としては通常原子比で１０％以下が好ま
しい。また、金属薄膜としては、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃ
ｕ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｈ
ｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｚｒ，Ｐｂ，Ｐｄ及びＩｎよりな
る群から選ばれる１種の金属又は２種以上の合金の薄膜
が挙げられる。特に、金属酸化物薄膜がＩＴＯであり、
金属薄膜がＡｇ薄膜である積層膜が好適であり、このよ
うな本発明により、好ましくは表面抵抗値３．５Ω／□
以下の透明導電性薄膜が提供される。
と金属薄膜とを交互に多層に積層形成した積層膜に有効
であり、金属酸化物薄膜としてはＩＴＯ、酸化インジウ
ム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化チタン及び酸化ケイ素よ
りなる群から選ばれる１種の金属酸化物又は２種以上の
複合金属酸化物の薄膜が挙げられる。その他金属酸化物
膜としては、例えば酸化亜鉛膜にＺｎ２＋よりイオン半
径の小さいＡｌ，Ｓｉ，Ｂ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｃｒ，
Ｆ，Ｇａ等をドープさせた膜も同様に使用することがで
きる。ドープ量としては通常原子比で１０％以下が好ま
しい。また、金属薄膜としては、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃ
ｕ，Ａｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｈ
ｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｚｒ，Ｐｂ，Ｐｄ及びＩｎよりな
る群から選ばれる１種の金属又は２種以上の合金の薄膜
が挙げられる。特に、金属酸化物薄膜がＩＴＯであり、
金属薄膜がＡｇ薄膜である積層膜が好適であり、このよ
うな本発明により、好ましくは表面抵抗値３．５Ω／□
以下の透明導電性薄膜が提供される。
【００１２】本発明の積層膜の形成方法は、スパッタリ
ング法により、基板上に金属酸化物薄膜と金属薄膜とを
積層形成する積層膜の形成方法において、金属薄膜の成
膜後、金属酸化物薄膜の成膜に先立ち、該金属薄膜を酸
素ガス雰囲気に晒すことにより、或いは、金属薄膜の表
面を酸素プラズマで処理することにより、このような本
発明の積層膜を形成することを特徴とする。
ング法により、基板上に金属酸化物薄膜と金属薄膜とを
積層形成する積層膜の形成方法において、金属薄膜の成
膜後、金属酸化物薄膜の成膜に先立ち、該金属薄膜を酸
素ガス雰囲気に晒すことにより、或いは、金属薄膜の表
面を酸素プラズマで処理することにより、このような本
発明の積層膜を形成することを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の積
層膜の実施の形態を詳細に説明する。
層膜の実施の形態を詳細に説明する。
【００１４】図１は本発明の積層膜の実施の形態を示す
断面図である。
断面図である。
【００１５】この積層膜は、基板１上に金属酸化物薄膜
２と金属薄膜３とが交互に積層形成された積層膜であっ
て、金属薄膜３と金属酸化物薄膜２との界面のうち、基
板１とは反対側の面にこの金属薄膜３を構成する金属の
酸化物よりなる層４が形成されたものである。
２と金属薄膜３とが交互に積層形成された積層膜であっ
て、金属薄膜３と金属酸化物薄膜２との界面のうち、基
板１とは反対側の面にこの金属薄膜３を構成する金属の
酸化物よりなる層４が形成されたものである。
【００１６】本発明において、金属酸化物薄膜２及び金
属薄膜３の種類及びその膜厚、積層数としては特に制限
はないが、金属酸化物薄膜２としては、例えば、ＩＴ
Ｏ、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化チタン
及び酸化ケイ素よりなる群から選ばれる１種の金属酸化
物又は２種以上の複合金属酸化物の薄膜が挙げられ、金
属薄膜３としては例えば、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａ
ｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｈｆ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｚｒ，Ｐｂ，Ｐｄ及びＩｎよりなる群か
ら選ばれる１種の金属又は２種以上の合金の薄膜が挙げ
られる。
属薄膜３の種類及びその膜厚、積層数としては特に制限
はないが、金属酸化物薄膜２としては、例えば、ＩＴ
Ｏ、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化チタン
及び酸化ケイ素よりなる群から選ばれる１種の金属酸化
物又は２種以上の複合金属酸化物の薄膜が挙げられ、金
属薄膜３としては例えば、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａ
ｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｈｆ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｚｒ，Ｐｂ，Ｐｄ及びＩｎよりなる群か
ら選ばれる１種の金属又は２種以上の合金の薄膜が挙げ
られる。
【００１７】金属酸化物薄膜２の膜厚は通常２０〜２０
０ｎｍの範囲で適宜設定され、金属薄膜３の膜厚は通常
５〜２０ｎｍの範囲で適宜決定される。
０ｎｍの範囲で適宜設定され、金属薄膜３の膜厚は通常
５〜２０ｎｍの範囲で適宜決定される。
【００１８】金属薄膜３の上面に形成される酸化物層４
は、その膜厚が過度に厚いと、得られる積層膜の表面抵
抗値が高くなり、過度に薄いとバリヤー層としての機能
を有効に得ることができず、金属薄膜３の酸化劣化で抵
抗値が悪化する。従って、この酸化物層４の膜厚は０．
５〜５ｎｍ程度とするのが好ましい。
は、その膜厚が過度に厚いと、得られる積層膜の表面抵
抗値が高くなり、過度に薄いとバリヤー層としての機能
を有効に得ることができず、金属薄膜３の酸化劣化で抵
抗値が悪化する。従って、この酸化物層４の膜厚は０．
５〜５ｎｍ程度とするのが好ましい。
【００１９】なお、このような積層膜を形成する基板１
としては、用途に応じて各種の材質、厚みのものが用い
られるが、ＰＤＰ等の前面板としての用途においては、
ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタア
クリレート（ＰＭＭＡ）、アクリル、ポリカーボネート
（ＰＣ）、ポリスチレン、トリアセテート、ポリビニル
アルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリウレ
タン、セロファン等、好ましくはＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭ
Ａの透明フィルムであって、通常の場合、１μｍ〜１０
ｍｍ程度の厚さのものが用いられるが、ガラス基板であ
っても良い。
としては、用途に応じて各種の材質、厚みのものが用い
られるが、ＰＤＰ等の前面板としての用途においては、
ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタア
クリレート（ＰＭＭＡ）、アクリル、ポリカーボネート
（ＰＣ）、ポリスチレン、トリアセテート、ポリビニル
アルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリウレ
タン、セロファン等、好ましくはＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭ
Ａの透明フィルムであって、通常の場合、１μｍ〜１０
ｍｍ程度の厚さのものが用いられるが、ガラス基板であ
っても良い。
【００２０】このような本発明の積層膜は、スパッタリ
ング法により金属酸化物薄膜２と金属薄膜３とを交互に
積層形成するに当たり、金属薄膜３を成膜した後、金属
酸化物薄膜２の成膜に先立ち、金属薄膜３を酸素ガス雰
囲気に晒すことにより、或いは金属薄膜３の表面を酸素
プラズマ処理することにより形成することができる。
ング法により金属酸化物薄膜２と金属薄膜３とを交互に
積層形成するに当たり、金属薄膜３を成膜した後、金属
酸化物薄膜２の成膜に先立ち、金属薄膜３を酸素ガス雰
囲気に晒すことにより、或いは金属薄膜３の表面を酸素
プラズマ処理することにより形成することができる。
【００２１】金属薄膜３を酸素ガス雰囲気に晒す時には
基板を加熱してもよい。プラズマ処理の方法としては、
Ａｒ等の不活性ガスにＯ２を混入させた系またはＯ２の
みの系にてプラズマを発生し、被処理物の表面で反応
（酸化）を起こすことができる方法であればいかなる手
法も採用できる。電圧の印加方法は直流、交流、マイク
ロ波等が考えられる。
基板を加熱してもよい。プラズマ処理の方法としては、
Ａｒ等の不活性ガスにＯ２を混入させた系またはＯ２の
みの系にてプラズマを発生し、被処理物の表面で反応
（酸化）を起こすことができる方法であればいかなる手
法も採用できる。電圧の印加方法は直流、交流、マイク
ロ波等が考えられる。
【００２２】本発明の積層膜の形成方法において、その
他の成膜条件については、特に制限はなく、常法に従っ
て積層膜の形成を行うことができる。
他の成膜条件については、特に制限はなく、常法に従っ
て積層膜の形成を行うことができる。
【００２３】即ち、例えば、スパッタリング装置の真空
槽内に金属ターゲットと金属酸化物ターゲットをセット
すると共に基板を配置し、真空槽内を真空引きした後、
ＡｒガスとＯ２ガスを導入して圧力０．１〜１．０Ｐａ
程度に調整すると共に金属酸化物ターゲットに電圧を印
加して、金属酸化物薄膜を形成する。その際の雰囲気ガ
スのＯ２濃度、即ち、ＡｒガスとＯ２との合計に対する
Ｏ２の体積割合は１〜１０ｖｏｌ％とするのが好まし
い。
槽内に金属ターゲットと金属酸化物ターゲットをセット
すると共に基板を配置し、真空槽内を真空引きした後、
ＡｒガスとＯ２ガスを導入して圧力０．１〜１．０Ｐａ
程度に調整すると共に金属酸化物ターゲットに電圧を印
加して、金属酸化物薄膜を形成する。その際の雰囲気ガ
スのＯ２濃度、即ち、ＡｒガスとＯ２との合計に対する
Ｏ２の体積割合は１〜１０ｖｏｌ％とするのが好まし
い。
【００２４】次いで、雰囲気ガスの置換により、系内を
０．１〜１．０Ｐａ程度のＡｒガス雰囲気として金属タ
ーゲットに電圧を印加して、金属薄膜を形成する。その
後、雰囲気ガスの置換により系内を１〜５Ｐａ程度のＯ
２ガス雰囲気として金属薄膜を酸素ガスに晒して金属薄
膜表面に酸化物層を形成する。その後、必要に応じて、
上記金属酸化物薄膜の成膜、金属薄膜の成膜及び酸化物
層の形成を繰り返し行って、積層膜を形成する。
０．１〜１．０Ｐａ程度のＡｒガス雰囲気として金属タ
ーゲットに電圧を印加して、金属薄膜を形成する。その
後、雰囲気ガスの置換により系内を１〜５Ｐａ程度のＯ
２ガス雰囲気として金属薄膜を酸素ガスに晒して金属薄
膜表面に酸化物層を形成する。その後、必要に応じて、
上記金属酸化物薄膜の成膜、金属薄膜の成膜及び酸化物
層の形成を繰り返し行って、積層膜を形成する。
【００２５】
【実施例】以下に実施例及び比較例を挙げて本発明をよ
り具体的に説明する。
り具体的に説明する。
【００２６】実施例１ マグネトロンＤＣスパッタリング装置のターゲットとし
てＩＴＯとＡｇをセットし、基板として厚さ１８８μｍ
のＰＥＴフィルムを用いて積層膜の形成を行った。
てＩＴＯとＡｇをセットし、基板として厚さ１８８μｍ
のＰＥＴフィルムを用いて積層膜の形成を行った。
【００２７】まず、真空槽をターボ分子ポンプで１×１
０−４Ｐａ以下まで排気した後、Ａｒガス２００ｃｃ／
ｍｉｎとＯ２ガス６ｃｃ／ｍｉｎとを真空系内に導入
し、圧力が０．５Ｐａとなるように調整した。この状態
でＩＴＯターゲットに電圧を印加して基板上にＩＴＯ薄
膜を成膜した。次に、真空槽内のガスを全てＡｒガスと
なるように置換して圧力を０．５Ｐａに調整し、その後
Ａｇターゲットに電圧を印加してＡｇ薄膜を成膜した。
真空槽内のガスを全てＯ２ガスとなるように置換して圧
力を１００Ｐａに調整し、１分間保持することにより、
Ａｇ薄膜の表面に酸化物層を形成した。この時基板加熱
は行わなかった。その後、再び上記と同様のＡｒ／Ｏ２
ガス雰囲気でＩＴＯ薄膜を成膜して、基板上に、膜厚３
０ｎｍのＩＴＯ薄膜／膜厚１５ｎｍのＡｇ薄膜／膜厚５
ｎｍのＡｇ２Ｏ層／膜厚３０ｎｍのＩＴＯ薄膜の積層膜
を形成した。
０−４Ｐａ以下まで排気した後、Ａｒガス２００ｃｃ／
ｍｉｎとＯ２ガス６ｃｃ／ｍｉｎとを真空系内に導入
し、圧力が０．５Ｐａとなるように調整した。この状態
でＩＴＯターゲットに電圧を印加して基板上にＩＴＯ薄
膜を成膜した。次に、真空槽内のガスを全てＡｒガスと
なるように置換して圧力を０．５Ｐａに調整し、その後
Ａｇターゲットに電圧を印加してＡｇ薄膜を成膜した。
真空槽内のガスを全てＯ２ガスとなるように置換して圧
力を１００Ｐａに調整し、１分間保持することにより、
Ａｇ薄膜の表面に酸化物層を形成した。この時基板加熱
は行わなかった。その後、再び上記と同様のＡｒ／Ｏ２
ガス雰囲気でＩＴＯ薄膜を成膜して、基板上に、膜厚３
０ｎｍのＩＴＯ薄膜／膜厚１５ｎｍのＡｇ薄膜／膜厚５
ｎｍのＡｇ２Ｏ層／膜厚３０ｎｍのＩＴＯ薄膜の積層膜
を形成した。
【００２８】この積層膜を６０℃、９０％ＲＨの湿熱雰
囲気に４８時間晒す耐候性試験を行い、試験前後の表面
抵抗値を調べ、結果を表１に示した。
囲気に４８時間晒す耐候性試験を行い、試験前後の表面
抵抗値を調べ、結果を表１に示した。
【００２９】比較例１ 実施例１において、酸化物層を形成しなかったこと以外
は同様にして積層膜を形成し、同様に耐候性試験前後の
表面抵抗値を調べ、結果を表１に示した。
は同様にして積層膜を形成し、同様に耐候性試験前後の
表面抵抗値を調べ、結果を表１に示した。
【００３０】表１より、酸化物層を形成することによ
り、抵抗値が低く導電性に優れ、その耐候性にも優れた
積層膜を形成することができることがわかる。
り、抵抗値が低く導電性に優れ、その耐候性にも優れた
積層膜を形成することができることがわかる。
【００３１】
【表１】
【００３２】なお、実施例１の方法で、同様に雰囲気ガ
スの切り換えを行って、ＩＴＯ，Ａｇ７層、バリア３層
の積層膜を形成し、電磁波シールド性熱線カットフィル
ムとしてＰＤＰの前面に配置して使用したところ、長期
に亘り良好な特性を得ることができた。
スの切り換えを行って、ＩＴＯ，Ａｇ７層、バリア３層
の積層膜を形成し、電磁波シールド性熱線カットフィル
ムとしてＰＤＰの前面に配置して使用したところ、長期
に亘り良好な特性を得ることができた。
【００３３】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、金
属薄膜と金属酸化物薄膜との多層積層膜であって、表面
抵抗値が低く、ＰＤＰの前面板の電磁波シールド性熱線
カットフィルム等として有用な高特性積層膜が提供され
る。
属薄膜と金属酸化物薄膜との多層積層膜であって、表面
抵抗値が低く、ＰＤＰの前面板の電磁波シールド性熱線
カットフィルム等として有用な高特性積層膜が提供され
る。
【図１】本発明の積層膜の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 金属酸化物薄膜 ３ 金属薄膜 ４ 酸化物層
フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F100 AA17B AA17D AA17E AA19D AA20B AA20E AA21B AA21D AA21E AA24D AA25B AA25D AA25E AA28B AA28D AA28E AA30D AA33B AA33E AB01C AB01E AB10C AB10E AB12C AB12E AB13C AB13E AB15C AB15E AB16C AB16E AB17C AB17E AB18C AB18E AB21C AB21E AB23C AB24C AB25C AB25E AK42 AT00A BA04 BA05 BA07 BA10A BA10B BA10C BA10E BA13 EH66B EH66C EH66D EH66E EH662 EJ582 EJ612 GB41 JA20D JG01 JG04 JM02B JM02C JM02E JN01 YY00 YY00D 4K029 AA11 AA25 BA04 BA50 BB02 BC09 BD00 CA05 FA05 5G307 FA02 FB01 FB02 FC10
Claims (11)
- 【請求項１】 基板上に形成された金属酸化物薄膜と金
属薄膜との積層膜において、該金属薄膜の金属酸化物薄
膜との界面に、該金属薄膜を構成する金属の酸化物層が
形成されていることを特徴とする積層膜。 - 【請求項２】 請求項１において、該酸化物層は、該金
属薄膜の基板側と反対側の面に形成されていることを特
徴とする積層膜。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、該酸化物層の
膜厚が０．５〜５ｎｍであることを特徴とする積層膜。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか１項におい
て、金属酸化物薄膜と金属薄膜とが交互に多層に積層形
成された積層膜であることを特徴とする積層膜。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか１項におい
て、金属酸化物薄膜がＩＴＯ、酸化インジウム、酸化ス
ズ、酸化亜鉛、酸化チタン及び酸化ケイ素よりなる群か
ら選ばれる１種の金属酸化物又は２種以上の複合金属酸
化物の薄膜であることを特徴とする積層膜。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれか１項におい
て、金属薄膜がＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｃｒ，
Ｔｉ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，
Ｗ，Ｚｒ，Ｐｂ，Ｐｄ及びＩｎよりなる群から選ばれる
１種の金属又は２種以上の合金の薄膜であることを特徴
とする積層膜。 - 【請求項７】 請求項５又は６において、金属酸化物薄
膜がＩＴＯ薄膜であり、金属薄膜がＡｇ薄膜であること
を特徴とする積層膜。 - 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれか１項におい
て、透明導電性薄膜であることを特徴とする積層膜。 - 【請求項９】 請求項１ないし８のいずれか１項におい
て、表面抵抗値が３．５Ω／□以下であることを特徴と
する積層膜。 - 【請求項１０】 スパッタリング法により、基板上に金
属酸化物薄膜と金属薄膜とを積層形成する積層膜の形成
方法において、金属薄膜の成膜後、金属酸化物薄膜の成
膜に先立ち、該金属薄膜を酸素ガス雰囲気に晒すことに
より請求項１ないし９のいずれか１項に記載の積層膜を
形成することを特徴とする積層膜の形成方法。 - 【請求項１１】 スパッタリング法により、基板上に金
属酸化物薄膜と金属薄膜とを積層形成する積層膜の形成
方法において、金属薄膜の成膜後、金属酸化物薄膜の成
膜に先立ち、該金属薄膜の表面を酸素プラズマで処理す
ることにより請求項１ないし９のいずれか１項に記載の
積層膜を形成することを特徴とする積層膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000146892A JP4432206B2 (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | 積層膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000146892A JP4432206B2 (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | 積層膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001328198A true JP2001328198A (ja) | 2001-11-27 |
| JP4432206B2 JP4432206B2 (ja) | 2010-03-17 |
Family
ID=18653164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000146892A Expired - Fee Related JP4432206B2 (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | 積層膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4432206B2 (ja) |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061220 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090423 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090629 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090811 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091008 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091201 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091214 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
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