JP2001328199A - 積層膜 - Google Patents
積層膜Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板上に積層形成された金属酸化物薄膜と金
属薄膜との積層膜であって、金属薄膜のアースのための
電極を容易に引き出すことができる積層膜を提供する。 【解決手段】 基板１上に積層形成された金属酸化物薄
膜２と金属薄膜３との積層膜。金属酸化物薄膜２の成膜
幅よりも金属薄膜３の成膜幅が大きく、金属酸化物薄膜
２の縁部２Ａから金属薄膜３の縁部３Ａが張り出してい
る。
属薄膜との積層膜であって、金属薄膜のアースのための
電極を容易に引き出すことができる積層膜を提供する。 【解決手段】 基板１上に積層形成された金属酸化物薄
膜２と金属薄膜３との積層膜。金属酸化物薄膜２の成膜
幅よりも金属薄膜３の成膜幅が大きく、金属酸化物薄膜
２の縁部２Ａから金属薄膜３の縁部３Ａが張り出してい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に金属酸化
物薄膜と金属薄膜とが交互に多層に積層された積層膜に
係り、特に、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の
前面に配置される透明導電性薄膜や熱線反射膜として有
用な積層膜に関する。
物薄膜と金属薄膜とが交互に多層に積層された積層膜に
係り、特に、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の
前面に配置される透明導電性薄膜や熱線反射膜として有
用な積層膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰの前面板には、反射防止性能（即
ち、可視光高透過性（可視光低反射性））、熱線反射
（近赤外カット）性能、電磁波シールド性能等に優れる
ことが要求され、従来、このような要求性能のうち、熱
線反射性と電磁波シールド性とを兼備するものとして、
ＰＥＴフィルム上にＩＴＯ（スズインジウム酸化物）等
の金属酸化物薄膜とＡｇ等の金属薄膜とを交互に多層積
層形成したフィルムが提供されている。なお、金属酸化
物薄膜としては、ＩＴＯの他、酸化スズや酸化亜鉛、ま
たこれらに少量（１０ａｔ．％以下）のドーパントを含
んだものも同様に使用でき、また、ＴｉＯ２やＳｉＯ２
等の絶縁性透明薄膜が採用される場合があり、これらの
絶縁性透明薄膜は、導電性は劣るものの耐候性に優れる
という長所がある。
ち、可視光高透過性（可視光低反射性））、熱線反射
（近赤外カット）性能、電磁波シールド性能等に優れる
ことが要求され、従来、このような要求性能のうち、熱
線反射性と電磁波シールド性とを兼備するものとして、
ＰＥＴフィルム上にＩＴＯ（スズインジウム酸化物）等
の金属酸化物薄膜とＡｇ等の金属薄膜とを交互に多層積
層形成したフィルムが提供されている。なお、金属酸化
物薄膜としては、ＩＴＯの他、酸化スズや酸化亜鉛、ま
たこれらに少量（１０ａｔ．％以下）のドーパントを含
んだものも同様に使用でき、また、ＴｉＯ２やＳｉＯ２
等の絶縁性透明薄膜が採用される場合があり、これらの
絶縁性透明薄膜は、導電性は劣るものの耐候性に優れる
という長所がある。
【０００３】この積層膜の形成方法としては、スパッタ
リング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等、各種
の方法があるが、膜厚制御が容易な点からスパッタリン
グ法が最も好適とされている。
リング法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法等、各種
の方法があるが、膜厚制御が容易な点からスパッタリン
グ法が最も好適とされている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このようなフィルムを
ＰＤＰの前面板等に取り付ける場合、金属薄膜のアース
のための電極を引き出す必要があるが、単に金属酸化物
薄膜と金属薄膜とを交互に積層形成した従来の積層膜で
は、金属酸化物薄膜としてＴｉＯ２やＳｉＯ２等の絶縁
性の薄膜を形成した場合、金属薄膜が絶縁性の金属酸化
物薄膜で覆われてしまうために、金属薄膜をアースする
ための電極の引き出し部位がなく、積層膜から部分的に
金属酸化物薄膜を剥離除去して金属薄膜を表出させ、こ
の部分から電極を引き出すなどの煩雑な加工作業が必要
となるという欠点があった。
ＰＤＰの前面板等に取り付ける場合、金属薄膜のアース
のための電極を引き出す必要があるが、単に金属酸化物
薄膜と金属薄膜とを交互に積層形成した従来の積層膜で
は、金属酸化物薄膜としてＴｉＯ２やＳｉＯ２等の絶縁
性の薄膜を形成した場合、金属薄膜が絶縁性の金属酸化
物薄膜で覆われてしまうために、金属薄膜をアースする
ための電極の引き出し部位がなく、積層膜から部分的に
金属酸化物薄膜を剥離除去して金属薄膜を表出させ、こ
の部分から電極を引き出すなどの煩雑な加工作業が必要
となるという欠点があった。
【０００５】本発明は上記従来の問題点を解決し、基板
上に積層形成された金属酸化物薄膜と金属薄膜との積層
膜であって、金属薄膜のアースのための電極を容易に引
き出すことができる積層膜を提供することを目的とす
る。
上に積層形成された金属酸化物薄膜と金属薄膜との積層
膜であって、金属薄膜のアースのための電極を容易に引
き出すことができる積層膜を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の積層膜は、基板
上に積層形成された金属酸化物薄膜と金属薄膜との積層
膜において、該金属酸化物薄膜の成膜幅よりも該金属薄
膜の成膜幅が大きく、該金属酸化物薄膜の縁部から該金
属薄膜の縁部が張り出していることを特徴とする。
上に積層形成された金属酸化物薄膜と金属薄膜との積層
膜において、該金属酸化物薄膜の成膜幅よりも該金属薄
膜の成膜幅が大きく、該金属酸化物薄膜の縁部から該金
属薄膜の縁部が張り出していることを特徴とする。
【０００７】本発明の積層膜は、金属酸化物薄膜の成膜
幅よりも金属薄膜の成膜幅が大きく、金属酸化物薄膜の
縁部から金属薄膜の縁部が張り出しているため、この張
り出し部から容易に電極を引き出すことができる。
幅よりも金属薄膜の成膜幅が大きく、金属酸化物薄膜の
縁部から金属薄膜の縁部が張り出しているため、この張
り出し部から容易に電極を引き出すことができる。
【０００８】本発明は、特に、金属酸化物薄膜と金属薄
膜とを交互に多層に積層形成した積層膜に有効であり、
金属酸化物薄膜としてはＩＴＯ、酸化インジウム、酸化
スズ、酸化亜鉛、酸化チタン及び酸化ケイ素よりなる群
から選ばれる１種の金属酸化物又は２種以上の複合金属
酸化物の薄膜が挙げられる。その他金属酸化物膜として
は、例えば酸化亜鉛膜にＺｎ２＋よりイオン半径の小さ
いＡｌ，Ｓｉ，Ｂ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｆ，Ｇａ
等をドープさせた膜も同様に使用することができる。ド
ープ量としては通常原子比で１０％以下が好ましい。ま
た、金属薄膜としては、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａ
ｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｈｆ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｚｒ，Ｐｂ，Ｐｄ及びＩｎよりなる群か
ら選ばれる１種の金属又は２種以上の合金の薄膜が挙げ
られ、特に、本発明の積層膜は透明導電性薄膜として好
適である。
膜とを交互に多層に積層形成した積層膜に有効であり、
金属酸化物薄膜としてはＩＴＯ、酸化インジウム、酸化
スズ、酸化亜鉛、酸化チタン及び酸化ケイ素よりなる群
から選ばれる１種の金属酸化物又は２種以上の複合金属
酸化物の薄膜が挙げられる。その他金属酸化物膜として
は、例えば酸化亜鉛膜にＺｎ２＋よりイオン半径の小さ
いＡｌ，Ｓｉ，Ｂ，Ｔｉ，Ｓｎ，Ｍｇ，Ｃｒ，Ｆ，Ｇａ
等をドープさせた膜も同様に使用することができる。ド
ープ量としては通常原子比で１０％以下が好ましい。ま
た、金属薄膜としては、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａ
ｌ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｈｆ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｗ，Ｚｒ，Ｐｂ，Ｐｄ及びＩｎよりなる群か
ら選ばれる１種の金属又は２種以上の合金の薄膜が挙げ
られ、特に、本発明の積層膜は透明導電性薄膜として好
適である。
【０００９】本発明の積層膜は、スパッタリング法によ
り形成されることが好ましい。
り形成されることが好ましい。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に図面を参照して本発明の積
層膜の実施の形態を詳細に説明する。
層膜の実施の形態を詳細に説明する。
【００１１】図１は本発明の積層膜の実施の形態を示す
断面図である。
断面図である。
【００１２】この積層膜は、基板１上に金属酸化物薄膜
２と金属薄膜３とが積層形成された積層膜であって、金
属酸化物薄膜２の成膜幅よりも金属薄膜３の成膜幅が大
きく、金属酸化物薄膜２の縁部２Ａから金属薄膜３の縁
部３Ａが張り出している。
２と金属薄膜３とが積層形成された積層膜であって、金
属酸化物薄膜２の成膜幅よりも金属薄膜３の成膜幅が大
きく、金属酸化物薄膜２の縁部２Ａから金属薄膜３の縁
部３Ａが張り出している。
【００１３】この金属薄膜３の張り出し部は積層膜の全
周囲に設けても良く、積層膜の一部、例えば、対向する
二辺、或いは一辺にのみ設けても良い。この張り出し部
の張り出し幅（図１のＷ）が小さ過ぎると、電極の引き
出しが困難であり、逆に大き過ぎると基板上に積層膜で
ない部分が幅広に形成され、不利である。従って、この
張り出し部Ｗは、積層膜の寸法によっても異なるが、一
般的には２〜１５ｍｍ程度とするのが好ましい。
周囲に設けても良く、積層膜の一部、例えば、対向する
二辺、或いは一辺にのみ設けても良い。この張り出し部
の張り出し幅（図１のＷ）が小さ過ぎると、電極の引き
出しが困難であり、逆に大き過ぎると基板上に積層膜で
ない部分が幅広に形成され、不利である。従って、この
張り出し部Ｗは、積層膜の寸法によっても異なるが、一
般的には２〜１５ｍｍ程度とするのが好ましい。
【００１４】本発明において、金属酸化物薄膜２及び金
属薄膜３の種類及びその膜厚、積層数としては特に制限
はないが、金属酸化物薄膜２としては、例えば、ＩＴ
Ｏ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２及びＳｉ
Ｏ２よりなる群から選ばれる１種の金属酸化物又は２種
以上の複合金属酸化物の薄膜が挙げられ、金属薄膜３と
しては例えば、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｃｒ，
Ｔｉ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｃｏ及びＩｎよりなる群から
選ばれる１種の金属又は２種以上の合金の薄膜が挙げら
れる。
属薄膜３の種類及びその膜厚、積層数としては特に制限
はないが、金属酸化物薄膜２としては、例えば、ＩＴ
Ｏ、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＴｉＯ２及びＳｉ
Ｏ２よりなる群から選ばれる１種の金属酸化物又は２種
以上の複合金属酸化物の薄膜が挙げられ、金属薄膜３と
しては例えば、Ａｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｃｒ，
Ｔｉ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｃｏ及びＩｎよりなる群から
選ばれる１種の金属又は２種以上の合金の薄膜が挙げら
れる。
【００１５】金属酸化物薄膜２の膜厚は通常２０〜２０
０ｎｍの範囲で適宜設定され、金属薄膜３の膜厚は通常
５〜２０ｎｍの範囲で適宜決定される。
０ｎｍの範囲で適宜設定され、金属薄膜３の膜厚は通常
５〜２０ｎｍの範囲で適宜決定される。
【００１６】特に、本発明の積層膜は、金属酸化物薄膜
として耐候性に優れ、透明性が高いＴｉＯ２，ＳｉＯ２
等の成膜を適用した場合、電極引き出しのための加工を
不要とすることができ、効果的である。
として耐候性に優れ、透明性が高いＴｉＯ２，ＳｉＯ２
等の成膜を適用した場合、電極引き出しのための加工を
不要とすることができ、効果的である。
【００１７】なお、このような積層膜を形成する基板１
としては、用途に応じて各種の材質、厚みのものが用い
られるが、ＰＤＰ等の前面板としての用途においては、
ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタア
クリレート（ＰＭＭＡ）、アクリル、ポリカーボネート
（ＰＣ）、ポリスチレン、トリアセテート、ポリビニル
アルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリウレ
タン、セロファン等、好ましくはＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭ
Ａの透明フィルムであって、通常の場合、１μｍ〜１０
ｍｍ程度の厚さのものが用いられるが、ガラス基板であ
っても良い。
としては、用途に応じて各種の材質、厚みのものが用い
られるが、ＰＤＰ等の前面板としての用途においては、
ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥ
Ｔ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタア
クリレート（ＰＭＭＡ）、アクリル、ポリカーボネート
（ＰＣ）、ポリスチレン、トリアセテート、ポリビニル
アルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリウレ
タン、セロファン等、好ましくはＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭ
Ａの透明フィルムであって、通常の場合、１μｍ〜１０
ｍｍ程度の厚さのものが用いられるが、ガラス基板であ
っても良い。
【００１８】このような本発明の積層膜は、スパッタリ
ング法により金属酸化物薄膜２と金属薄膜３とを交互に
積層形成するに当たり、金属薄膜３の成膜幅を金属酸化
物薄膜２の成膜幅よりも大きくすることにより容易に形
成することができる。
ング法により金属酸化物薄膜２と金属薄膜３とを交互に
積層形成するに当たり、金属薄膜３の成膜幅を金属酸化
物薄膜２の成膜幅よりも大きくすることにより容易に形
成することができる。
【００１９】本発明の積層膜において、スパッタリング
の成膜条件については特に制限はなく、常法に従って積
層膜の形成を行うことができる。
の成膜条件については特に制限はなく、常法に従って積
層膜の形成を行うことができる。
【００２０】即ち、例えば、スパッタリング装置の真空
槽内に金属ターゲットと金属酸化物ターゲットをセット
すると共に基板を配置し、真空槽内を真空引きした後、
ＡｒガスとＯ２ガスを導入して圧力０．１〜１０Ｐａ程
度に調整すると共に金属酸化物ターゲットに電圧を印加
して、金属酸化物薄膜を形成する。その際の雰囲気ガス
のＯ２濃度、即ち、ＡｒガスとＯ２との合計に対するＯ
２の体積割合は０〜２０ｖｏｌ％とするのが好ましい。
次いで、雰囲気ガスの置換により、系内を０．１〜１０
Ｐａ程度のＡｒガス雰囲気として金属ターゲットに電圧
を印加して、金属薄膜を形成する。その後、必要に応じ
て、上記金属酸化物薄膜の成膜及び金属薄膜の成膜を繰
り返し行って、積層膜を形成する。
槽内に金属ターゲットと金属酸化物ターゲットをセット
すると共に基板を配置し、真空槽内を真空引きした後、
ＡｒガスとＯ２ガスを導入して圧力０．１〜１０Ｐａ程
度に調整すると共に金属酸化物ターゲットに電圧を印加
して、金属酸化物薄膜を形成する。その際の雰囲気ガス
のＯ２濃度、即ち、ＡｒガスとＯ２との合計に対するＯ
２の体積割合は０〜２０ｖｏｌ％とするのが好ましい。
次いで、雰囲気ガスの置換により、系内を０．１〜１０
Ｐａ程度のＡｒガス雰囲気として金属ターゲットに電圧
を印加して、金属薄膜を形成する。その後、必要に応じ
て、上記金属酸化物薄膜の成膜及び金属薄膜の成膜を繰
り返し行って、積層膜を形成する。
【００２１】なお、一般にこのような積層膜は、帯状の
基板フィルムを真空槽内に通過させ、フィルムが真空槽
を通過する間に金属酸化物薄膜及び金属薄膜を帯状に積
層形成した後、必要な長さに切断加工して製品とされる
ことから、この連続成膜に当たり、帯状の金属薄膜の成
膜幅を金属酸化物薄膜の成膜幅よりも大きくとって、そ
の対向する２辺或いは１辺において、金属薄膜の縁部が
金属酸化物薄膜の縁部よりも張り出しているものとする
のが好ましい。
基板フィルムを真空槽内に通過させ、フィルムが真空槽
を通過する間に金属酸化物薄膜及び金属薄膜を帯状に積
層形成した後、必要な長さに切断加工して製品とされる
ことから、この連続成膜に当たり、帯状の金属薄膜の成
膜幅を金属酸化物薄膜の成膜幅よりも大きくとって、そ
の対向する２辺或いは１辺において、金属薄膜の縁部が
金属酸化物薄膜の縁部よりも張り出しているものとする
のが好ましい。
【００２２】
【実施例】以下に実施例を挙げて本発明をより具体的に
説明する。
説明する。
【００２３】実施例１ マグネトロンＤＣスパッタリング装置のターゲットとし
てＩＴＯとＡｇをセットし、基板として厚さ１８８μｍ
のＰＥＴフィルムを用いて積層膜の形成を行った。
てＩＴＯとＡｇをセットし、基板として厚さ１８８μｍ
のＰＥＴフィルムを用いて積層膜の形成を行った。
【００２４】まず、真空槽をターボ分子ポンプで１×１
０−４Ｐａ以下まで排気した後、Ａｒガス２００ｃｃ／
ｍｉｎとＯ２ガス６ｃｃ／ｍｉｎとを真空系内に導入
し、圧力が０．５Ｐａとなるように調整した。この状態
でＩＴＯターゲットに電圧を印加して基板上にＩＴＯ薄
膜を成膜した。次に、真空槽内のガスを全てＡｒガスと
なるように置換して圧力を０．５Ｐａに調整し、その後
Ａｇターゲットに電圧を印加してＡｇ薄膜を成膜した。
その後、再び上記と同様のガス雰囲気でＩＴＯ薄膜及び
Ａｇ薄膜の成膜を繰り返し行って、図１に示す如く、Ｉ
ＴＯ薄膜／Ａｇ薄膜／ＩＴＯ薄膜／Ａｇ薄膜／ＩＴＯ薄
膜／Ａｇ薄膜／ＩＴＯ薄膜の７層積層膜であって、ＩＴ
Ｏ薄膜の幅が７３０ｍｍ、Ａｇ薄膜の幅が７５０ｍｍ
で、対向する２辺にそれぞれ幅Ｗ＝１０ｍｍの張り出し
部が形成された積層膜を製造した。この積層膜は電磁波
シールド性熱線カットフィルムとしてＰＤＰの前面に配
置するに当たり、Ａｇ薄膜の張り出し部から、容易に電
極を引き出して取り付けることができた。
０−４Ｐａ以下まで排気した後、Ａｒガス２００ｃｃ／
ｍｉｎとＯ２ガス６ｃｃ／ｍｉｎとを真空系内に導入
し、圧力が０．５Ｐａとなるように調整した。この状態
でＩＴＯターゲットに電圧を印加して基板上にＩＴＯ薄
膜を成膜した。次に、真空槽内のガスを全てＡｒガスと
なるように置換して圧力を０．５Ｐａに調整し、その後
Ａｇターゲットに電圧を印加してＡｇ薄膜を成膜した。
その後、再び上記と同様のガス雰囲気でＩＴＯ薄膜及び
Ａｇ薄膜の成膜を繰り返し行って、図１に示す如く、Ｉ
ＴＯ薄膜／Ａｇ薄膜／ＩＴＯ薄膜／Ａｇ薄膜／ＩＴＯ薄
膜／Ａｇ薄膜／ＩＴＯ薄膜の７層積層膜であって、ＩＴ
Ｏ薄膜の幅が７３０ｍｍ、Ａｇ薄膜の幅が７５０ｍｍ
で、対向する２辺にそれぞれ幅Ｗ＝１０ｍｍの張り出し
部が形成された積層膜を製造した。この積層膜は電磁波
シールド性熱線カットフィルムとしてＰＤＰの前面に配
置するに当たり、Ａｇ薄膜の張り出し部から、容易に電
極を引き出して取り付けることができた。
【００２５】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の積層膜によ
れば、金属薄膜と金属酸化物薄膜との多層積層膜から、
金属薄膜のアースのための電極を容易に引き出すことが
できる。このため、本発明の積層膜は、電磁波シールド
性熱線カットフィルム等としてＰＤＰの前面板等に取り
付ける際に、煩雑な加工作業を要することなく、容易に
取り付けて、良好な導電性で高い電磁波シールド性能を
得ることができる。
れば、金属薄膜と金属酸化物薄膜との多層積層膜から、
金属薄膜のアースのための電極を容易に引き出すことが
できる。このため、本発明の積層膜は、電磁波シールド
性熱線カットフィルム等としてＰＤＰの前面板等に取り
付ける際に、煩雑な加工作業を要することなく、容易に
取り付けて、良好な導電性で高い電磁波シールド性能を
得ることができる。
【図１】本発明の積層膜の実施の形態を示す断面図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 金属酸化物薄膜 ３ 金属薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4F100 AA17B AA17D AA20B AA20D AA21B AA21D AA25B AA25D AA28B AA28D AA33B AA33D AB01C AB01E AB10C AB10E AB12C AB12E AB13C AB13E AB15C AB15E AB16C AB16E AB17C AB17E AB18C AB18E AB21C AB21E AB23C AB23E AB24C AB24E AB25C AB25E AK42 AT00A BA03 BA04 BA05 BA07 BA08 BA10A BA10B BA10C BA10D BA10E BA13 DB01 DB01C DB01E DB09 DB10 EH66 EH66B EH66C EH66D EH66E GB41 JD08 JG01 JL02 JM02B JM02C JM02D JM02E JN01 4K029 AA11 AA25 BA03 BA04 BA05 BA06 BA07 BA08 BA12 BA13 BA15 BA17 BA18 BA50 BB02 BC09 BD00 CA05 5G307 FA02 FB01 FB02 FC03
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に積層形成された金属酸化物薄膜
と金属薄膜との積層膜において、 該金属酸化物薄膜の成膜幅よりも該金属薄膜の成膜幅が
大きく、該金属酸化物薄膜の縁部から該金属薄膜の縁部
が張り出していることを特徴とする積層膜。 - 【請求項２】 請求項１において、金属酸化物薄膜と金
属薄膜とが交互に多層に積層形成されてなることを特徴
とする積層膜。 - 【請求項３】 請求項１又は２において、金属酸化物薄
膜がＩＴＯ、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、酸
化チタン及び酸化ケイ素よりなる群から選ばれる１種の
金属酸化物又は２種以上の複合金属酸化物の薄膜である
ことを特徴とする積層膜。 - 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれか１項におい
て、金属薄膜がＡｇ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｃｒ，
Ｔｉ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，
Ｗ，Ｚｒ，Ｐｂ，Ｐｄ及びＩｎよりなる群から選ばれる
１種の金属又は２種以上の合金の薄膜であることを特徴
とする積層膜。 - 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれか１項におい
て、透明導電性薄膜であることを特徴とする積層膜。 - 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれか１項におい
て、スパッタリング法により形成されることを特徴とす
る積層膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000146893A JP2001328199A (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | 積層膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000146893A JP2001328199A (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | 積層膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001328199A true JP2001328199A (ja) | 2001-11-27 |
Family
ID=18653165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000146893A Pending JP2001328199A (ja) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | 積層膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001328199A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003080325A1 (fr) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Corps stratifie en couches minces, cellules en couches minces, capacite, et procede et materiel de fabrication d'un corps stratifie en couches minces |
| US7556719B2 (en) | 2003-05-07 | 2009-07-07 | Nitto Denko Corporation | Method of producing wired circuit board |
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