JP2001319877A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2001319877A5
JP2001319877A5 JP2000134006A JP2000134006A JP2001319877A5 JP 2001319877 A5 JP2001319877 A5 JP 2001319877A5 JP 2000134006 A JP2000134006 A JP 2000134006A JP 2000134006 A JP2000134006 A JP 2000134006A JP 2001319877 A5 JP2001319877 A5 JP 2001319877A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
insulating film
shape
conductive layer
insulating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000134006A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2001319877A (ja
JP4558140B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2000134006A priority Critical patent/JP4558140B2/ja
Priority claimed from JP2000134006A external-priority patent/JP4558140B2/ja
Publication of JP2001319877A publication Critical patent/JP2001319877A/ja
Publication of JP2001319877A5 publication Critical patent/JP2001319877A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4558140B2 publication Critical patent/JP4558140B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

JP2000134006A 2000-05-02 2000-05-02 半導体装置の作製方法 Expired - Fee Related JP4558140B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000134006A JP4558140B2 (ja) 2000-05-02 2000-05-02 半導体装置の作製方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000134006A JP4558140B2 (ja) 2000-05-02 2000-05-02 半導体装置の作製方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008108422A Division JP5063461B2 (ja) 2008-04-18 2008-04-18 El表示装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2001319877A JP2001319877A (ja) 2001-11-16
JP2001319877A5 true JP2001319877A5 (enExample) 2007-06-07
JP4558140B2 JP4558140B2 (ja) 2010-10-06

Family

ID=18642361

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000134006A Expired - Fee Related JP4558140B2 (ja) 2000-05-02 2000-05-02 半導体装置の作製方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4558140B2 (enExample)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4011344B2 (ja) 2001-12-28 2007-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4526764B2 (ja) * 2002-01-17 2010-08-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の生産システム
US6841797B2 (en) 2002-01-17 2005-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device formed over a surface with a drepession portion and a projection portion
US6909240B2 (en) 2002-01-18 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device
KR100979926B1 (ko) 2002-03-05 2010-09-03 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체소자 및 그것을 사용한 반도체장치
US7592980B2 (en) 2002-06-05 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4503246B2 (ja) * 2002-06-25 2010-07-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN103915318A (zh) * 2014-03-17 2014-07-09 京东方科技集团股份有限公司 激光退火设备、多晶硅薄膜及其制作方法
JP6579086B2 (ja) * 2016-11-15 2019-09-25 信越半導体株式会社 デバイス形成方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58112333A (ja) * 1981-12-26 1983-07-04 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS61241909A (ja) * 1985-04-19 1986-10-28 Agency Of Ind Science & Technol Soi結晶形成法
JPH02130913A (ja) * 1988-11-11 1990-05-18 Seiko Epson Corp 薄膜半導体装置
JP3497198B2 (ja) * 1993-02-03 2004-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置および薄膜トランジスタの作製方法
JP3522381B2 (ja) * 1995-03-01 2004-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜半導体デバイス及び薄膜半導体デバイスの作製方法
JP3216861B2 (ja) * 1995-04-10 2001-10-09 シャープ株式会社 多結晶シリコン膜の形成方法および薄膜トランジスタの製造方法
JPH10303128A (ja) * 1997-04-30 1998-11-13 Fujitsu Ltd 成膜方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3844566B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2006210828A (ja) 半導体装置とその製造方法
JP3522441B2 (ja) 半導体装置
KR100286917B1 (ko) 비정질 실리콘의 엑시머 레이저 어닐링에 의한 열적으로 안정한 실리사이드 형성 방법
JPH07235490A (ja) 多結晶シリコン薄膜形成方法およびmosトランジスタのチャネル形成方法
JP2003124114A5 (enExample)
JPH1140501A (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JPH10229048A (ja) 半導体装置の作製方法
JP2001319877A5 (enExample)
KR960030318A (ko) 반도체 장치와 그의 제조 방법
EP0113522B1 (en) The manufacture of semiconductor devices
JP2004335873A (ja) パターン形成方法
JP2000003875A5 (enExample)
CN106548926B (zh) 多晶硅层的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
JP2000208777A5 (ja) 半導体装置およびその作製方法並びに電子機器
JP3374455B2 (ja) 薄膜トランジスタの製造方法
JPH0766152A (ja) 半導体装置の製造方法
JP3431653B2 (ja) Mis型半導体装置の作製方法
JP2001352073A5 (enExample)
JP3033579B2 (ja) 薄膜トランジスタの製法
JP2003151905A5 (enExample)
JP3297770B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2000091331A (ja) 絶縁膜の作製方法および半導体装置の製造方法
JP4316132B2 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2791420B2 (ja) 電界効果型半導体装置の作製方法