JP2001318388A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＴＦＴなどのスイッチング素子を備えたマト
リックス型の液晶表示装置において、Ｖ−Ｔ特性にヒス
テリシスを生じさせずに実効電圧を増大させること、即
ち、表示不良が発生し始める印加電圧を高めることによ
り、高開口率と高コントラスト比とを両立させる。 【解決手段】 ＴＦＴ等のスイッチング素子を使用する
マトリックス型液晶表示装置において、液晶セル内の任
意の画素電極１４に対応する画素部内に形成されるリバ
ースチルトドメイン８と、隣接する画素電極１４に対応
する画素部内に形成されるリバースチルトドメイン１４
との間隔を画素電極１４の最短電極間隔よりも拡げる
か、又は互いに隣接するリバースチルトドメイン８の間
における液晶セル厚を、画素部における液晶セル厚より
狭くする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マトリックス状に
形成された複数の画素電極を有し、薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）等のスイッチング素子を使用する液晶表示装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＴＦＴ等のスイッチング素子を使用した
マトリックス型液晶表示装置は２枚の偏光子に挟持され
た液晶セルを備えており、そのような液晶セル自体は、
対向して配置された一対の透明ガラス基板と、一方の透
明ガラス基板の対向面に設けられ且つ配向膜で覆われた
透明な共通電極と、他方の透明ガラス基板の対向面にマ
トリックス状に配置され且つ配向膜で覆われた複数の透
明な画素電極と、各画素電極にそれぞれ接続されたスイ
ッチング素子としてのＴＦＴと、対向する配向膜間に封
入されたＴＮ液晶とから少なくとも構成されている。こ
のような液晶セルは一般にＴＮ−ＬＣＤと称されてい
る。
【０００３】ところで、マトリックス状に配置された画
素電極に電圧を印加する場合、表示品質の向上のために
各行毎に印加電圧を反転させるライン反転駆動方式や、
各列毎に印加電圧を反転させるカラム反転駆動方式が広
く採用されている。これらの駆動方式においては、隣接
する画素電極間で印加電圧を反転させるので、図６に示
すように、元来液晶に与えられたプレチルトの方向と逆
のチルト方向を持つリバースチルトドメイン６１が各画
素電極６２に対応した画素部内に生ずるという問題があ
る（特許第２９３４８７５号、段落０００５〜０００６
参照）。特にノーマリーホワイトモードの液晶表示で
は、正常な領域との境界のディスクリネーションライン
６３が白抜けをおこしコントラストを低下させる。この
ため、リバースチルトドメイン６１を小さくするために
チルト角を大きくすることが行われているが、製造時の
歩留まりが低下するという問題がある。また、リバース
チルトドメイン６１の発生位置に応じて、遮光材を設け
ることにより光漏れを低減させるようにしているが、開
口率が低下するという問題がある。
【０００４】そこで、ＴＮ−ＬＣＤにおいてコントラス
ト比を上げる手法のひとつとして、対向する共通電極と
画素電極との間に印加される実効電圧を高くする（即
ち、ダイナミックレンジを広くする）という手法が有力
視されている。このように、対向する共通電極と画素電
極との間に印加される実効電圧を高くした場合には、液
晶分子の配向がより垂直となるだけでなく、ディスクリ
ネーションライン６３の発生位置が画素部内の周縁方向
（外側）へ移動するので、コントラスト比を向上させる
ことが可能となる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
実効電圧を高くすると、一部の画素でリバースチルトド
メインが消失し、この消失状態が準安定状態となるの
で、Ｖ（電圧）−Ｔ（光透過強度）特性にヒステリシス
を生じ（図７）、黒表示から中間調表示にした際に、減
点状の画質不良や、特にリバースチルトドメインの表示
不良が隣接するリバースチルトドメインに伝播して滅線
状の重大な画質不良が生ずる。このため、対向する共通
電極と画素電極との間にある値以上の電圧（実効電圧）
を印加することができず、所期のコントラスト比を実現
できないという問題がある。この問題は、高精細で高開
口率の液晶表示素子を実現するために、隣接する画素電
極間距離を短縮した場合に著しく生ずる。従って、ＴＦ
Ｔなどのスイッチング素子を備えたマトリックス型液晶
表示装置においては、高開口率と高コントラスト比とを
両立させることが困難である。
【０００６】本発明は、以上の従来の技術の問題を解決
しようとするものであり、ＴＦＴなどのスイッチング素
子を備えたマトリックス型の液晶表示装置において、Ｖ
−Ｔ特性にヒステリシスを生じさせずに実効電圧を増大
させること、即ち、表示不良が発生し始める印加電圧の
値を高めることにより、高開口率と高コントラスト比と
を両立させることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ＴＦＴな
どのスイッチング素子を備えたマトリックス型の液晶表
示装置において高開口率と高コントラスト比とを両立さ
せるためには、任意の画素電極に対応する画素部内に形
成されるリバースチルトドメインと、隣接する画素電極
に対応する画素部内に形成されるリバースチルトドメイ
ンとの間の相互作用を低減することが有効であり、具体
的には互いに隣接するリバースチルトドメインの間隔を
最短電極間隔よりも広げることにより隣接するリバース
チルトドメイン同士を物理的に引き離せばよいこと、あ
るいは互いに隣接するリバースチルトドメインで挟まれ
た領域の液晶セル厚（即ち、対向する配向膜間距離）
を、画素部の液晶セル厚よりも狭くすることにより隣接
するリバースチルトドメインの厚み方向の断面積の重な
りの程度を小さくすればよいことを見出し、本発明を完
成させるに至った。
【０００８】即ち、本発明は、対向して配置された一対
の基板と、該一対の基板のうちのー方の基板に設けられ
且つ配向膜で覆われた共通電極と、他方の基板にマトリ
ックス状に配置され且つ配向膜で覆われた複数の画素電
極と、各画素電極に接続されたスイッチング素子と、一
対の基板の対向する配向膜間に封入された液晶とから少
なくとも構成される液晶セルを有する液晶表示装置にお
いて、任意の画素電極に対応する画素部内に形成される
リバースチルトドメインと、隣接する画素電極に対応す
る画素部内に形成されるリバースチルトドメインとの間
隔が、画素電極の最短電極間隔よりも広がっているか、
又は互いに隣接するリバースチルトドメインで挟まれた
領域の液晶セル厚が画素部の液晶セル厚より狭くなって
いることを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【０００９】互いに隣接するリバースチルトドメインの
間隔を画素電極の最短電極間隔よりも広げるためには、
好ましくはリバースチルトドメインの長手方向に対応し
た画素電極幅を、リバースチルトドメインが形成されて
いない部分の画素電極幅よりも狭くすればよい。これに
より、隣接するリバースチルトドメイン同士を長手方向
に引き離すことができる。また、画素電極を千鳥格子状
に配列してもよい。これにより、隣接するリバースチル
トドメイン同士を長手方向に対し直交する方向に引き離
すことができる。
【００１０】また、隣接するリバースチルトドメインの
間の液晶セル厚を画素部の液晶セル厚より狭くするため
には、隣接するリバースチルトドメインの間に、液晶セ
ル厚を狭くするような障壁部を形成すればよい。例え
ば、画素電極を作成する前に一般に形成される平坦化膜
にコンタクトホールを作成する際に、そのような障壁部
を形成することができるが、これに限定されるものでは
ない。
【００１１】また、本発明は、本発明の液晶表示装置の
スイッチング素子側の基板が以下の工程（ａ）〜
（ｅ）： （ａ） 基板上に第１層間絶縁層を形成し、その上にト
ランジスタを形成する為の薄膜Ｓｉ層を形成し、その表
面に酸化被膜を形成し、その上にゲート電極とＣｓ電極
とを形成することにより薄膜トランジスタを構成し、更
に薄膜トランジスタ上に第２層間絶縁層を形成する工
程； （ｂ） 第２層間絶縁層の全面に反射防止膜を形成する
工程； （ｃ） 反射防止膜及び第２層間絶縁層に、薄膜Ｓｉ層
に達するコンタクトホールを形成する工程； （ｄ） コンタクトホールに第１配線層を形成する工
程； 及び （ｅ） 全面に第３層間絶縁層を形成し、更にパッシベ
ーション膜を形成した後に、パッシベーション膜をコン
タクトホール部及び画素開口部についてエッチング除去
し、第３層間絶縁層についてはコンタクトホール部につ
いてエッチング除去し、それらに第２配線層を形成し、
全面に平坦化用有機膜を形成した後に、その平坦化用有
機膜に画素電極用コンタクトホールを開口し、その上
に、任意の画素電極に対応する画素部内に形成されるリ
バースチルトドメインと隣接する画素電極に対応する画
素部内に形成されるリバースチルトドメインとの間隔が
互いに隣接する画素電極の最短電極間隔よりも広くなる
ように画素電極を形成する工程、又は平坦化用有機膜に
画素電極用コンタクトホールを開口する際に、互いに隣
接するリバースチルトドメインで挟まれた領域における
液晶セル厚が画素部における液晶セル厚より狭くなるよ
うに平坦化用有機膜を加工した後に、画素電極を形成す
る工程を含んでなることを特徴とする製造方法を提供す
る。
【００１２】
【発明の実施の態様】以下、本発明の液晶表示素子につ
いて図面を参照しながら説明する。
【００１３】本発明の液晶表示素子は、２枚の偏光子に
挟持された液晶セルを備えており、そのような液晶セル
自体は、図１に示すように、対向して配置された一対の
透明ガラス基板（上基板１、下基板２）と、上基板１の
下面（対向面）に設けられ且つ配向膜３で覆われた透明
な共通電極４と、下基板２の上面（対向面）にマトリッ
クス状に配置され且つ配向膜５で覆われた複数の透明な
画素電極６と、各画素電極６毎にそれぞれ接続されたス
イッチング素子としてのＴＦＴ（図示せず）と、配向膜
３及び５の間に封入され且つそれら間で約９０°連続的
に捩れた捩れネマティック液晶７とから少なくとも構成
されている。
【００１４】このような液晶セルにおいては、下基板２
の上面（対向面）にマトリックス状に走査線及び信号線
（図示せず）が形成されており、画素電極６は、対応す
るＴＦＴを介して走査線及び信号線とそれぞれ接続され
ている。このような液晶セルにおいては、配向処理方向
と電圧駆動方式（ライン反転駆動方式又はカラム反転駆
動方式）により一意的に、ディスクリネーションライン
９を境にリバースチルトドメイン８が形成される。
【００１５】本発明の液晶表示装置は、任意の画素電極
に対応する画素部内に形成されるリバースチルトドメイ
ンと、隣接する画素電極に対応する画素部内に形成され
るリバースチルトドメインとの間の相互作用を低減させ
ることにより高開口率と高コントラスト比とを両立させ
るために、互いに隣接するリバースチルトドメインの間
隔を画素電極の最短電極間隔よりも広げるか、あるいは
互いに隣接するリバースチルトドメインの間の液晶セル
厚（即ち、対向する配向膜間距離）を画素部の液晶セル
厚よりも狭くしている。
【００１６】図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、
互いに隣接するリバースチルトドメインの間隔ｌａを画
素電極の最短電極間隔ｌｂよりも広げる具体的な手法と
しては、互いに隣接するリバースチルトドメイン同士を
長手方向に引き離すために、遮光領域１３に囲まれた画
素電極１４のリバースチルトドメイン８の長手方向に対
応した画素電極幅(リバースチルトドメイン領域の幅)Ｌ
ａを、リバースチルトドメイン８が形成されていない部
分の画素電極幅（ノーマルチルトドメイン領域の幅）Ｌ
ｂよりも狭くする手法が挙げられる。また、長手方向に
直交する方向に引き離すために、図２（ｃ）に示すよう
に、画素電極１４を千鳥格子状に配置する手法が挙げら
れる。図２（ｃ）の態様の場合には、隣接するリバース
チルトドメイン８の対向する端部断面積の重なりも小さ
くなり、隣接するリバースチルトドメイン間の相互作用
を低下させる効果が期待できる。
【００１７】更に、本発明らの知見によれば、対向する
共通電極と画素電極との間に印可可能な実効電圧と、リ
バースチルトドメインの長手方向に直交する方向におけ
る画素電極間隔との間にも密接な関係があり、その間隔
を広げると実効電圧を増大させ得ることがわかった。但
し、間隔を単に広げると遮光領域の面積が広くなり、高
開口率を実現できない。従って、図２（ａ）〜図２
（ｃ）に示した態様を、それぞれ図３（ａ）〜図３
（ｃ）に示すように、リバースチルトドメインの長手方
向に直交する方向において、隣接する画素電極間の間隔
の一部を広くすることが好ましい。このとき、間隔を広
げる部分としては、図３（ａ）〜図３（ｃ）に示すよう
に、リバースチルトドメイン８の断面積の小さいその端
部方向の画素電極部分を広げることが、高開口率の維持
及びリバースチルトドメインの非対称的な発生の点から
好ましいが、リバースチルトドメインの中程を切断する
ように広げてもよい。また、広げる大きさ（深さ）や幅
については、開口率等を考慮して適宜決定することがで
きる。
【００１８】また、互いに隣接するリバースチルトドメ
インの間の液晶セル厚を画素部の液晶セル厚より狭くす
る具体的な手法としては、互いに隣接するリバースチル
トドメインの間に、液晶セル厚を狭くするような障壁部
を形成すればよい（図示せず）。障壁部としては、ＴＦ
Ｔ素子などのスイッチング素子を形成する際に、基板に
凸部を作り込んでもよく、あるいは配向膜を形成した後
に印刷法やディスペンス法などにより、障壁部となるよ
うな構造物を形成してもよい。
【００１９】液晶としては、液晶分子長軸が対向する配
向膜間で約９０°連続的に捩れた捩れネマティック液晶
を使用することが好ましい。また、液晶セルには、各画
素部の周縁の少なくとも一部を遮光するためのブラック
マトリックスを設けることが好ましい。画素部における
液晶セル厚は、４μｍ以下が好ましい。また、画素電極
の大きさは５μｍ〜５０μｍ四方が好ましい。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例（画素電極のリバース
チルトドメイン領域の幅をノーマルチルトドメイン領域
の幅よりも狭くした例）を図面を参照しながら具体的に
説明する。
【００２１】図４（ａ）は、本発明の液晶表示装置のＴ
Ｎ−ＬＣＤ部分を上から見た平面図の一例であるが、但
し、ＴＦＴと信号線及び走査線については図示していな
い。なお、図４（ａ）のＡＢ断面図は、図１と同一の構
造となる。
【００２２】図４（ａ）に示すＴＮ−ＬＣＤにおいて、
下基板及び上基板の配向処理方向（即ち、ラビング方
向）は、それぞれ矢印１１及び矢印１２の方向とした。
遮光領域１３には、信号線、走査線、補助容量電極、Ｔ
ＦＴを設置し、また、下基板の画素電極１４に対応して
開口部１５を形成した。画素電極１４は、遮光領域１３
内の信号線及び走査線にＴＦＴを介して接続した。画素
電極１４への電圧印加方式としては、各行毎に反転駆動
をするライン反転駆動方式を採用した。
【００２３】また、画素電極１４に対応する画素部にお
ける液晶セル厚（即ち、画素部における対向する配向膜
間の距離）を３．５μｍに設定し、下基板及び上基板の
間に左旋性のネマティック液晶を封入した。使用した液
晶の屈折率異方性Δｎは約０．１３であり、誘電率異方
性Δεは約１０であった。
【００２４】また、配向膜としては、プレチルト角がそ
れぞれ約５°のポリイミド膜を使用した。
【００２５】図４（ａ）に示すＴＮ−ＬＣＤにおいて、
画素のピッチを２０μｍ、縦方向の画素電極間隔を
１．５μｍ、横方向の画素電極の最短電極間隔を１．
５μｍに設定した。そして、リバースチルトドメイン８
の領域における縦方向に拡大した電極間隔及び横方向
に拡大した電極間隔のそれぞれと、表示不良の発生す
る駆動電圧との関係を調べた。ここで、電極間隔を
０．５μｍとしたときの電極間隔と表示不良の発生す
る駆動電圧との関係図を図５（ａ）に示し、電極間隔
を３．５μｍとしたときの電極間隔と表示不良の発生
する駆動電圧の関係図を図５（ｂ）に示した。
【００２６】図５（ｂ）から、電極間隔を拡げると、
表示不良が生じ始める駆動電圧（実効電圧）を高くでき
ることがわかる。また、図５（ａ）から、電極間隔を
拡げると、表示不良が生じ始める駆動電圧（実効電圧）
を高くできることがわかる。この場合、電極間隔は、
必要以上に拡げる必要はなく、３．５μｍまで拡げれば
十分である。この液晶セルのディスクリネーションライ
ン９の位置を観測したところ、リバースチルトドメイン
幅が３．０μｍであった。従って、電極間隔がリバ
ースチルトドメイン幅より広がった場合には、表示不
良が起こらない駆動電圧が飽和することがわかる。
【００２７】以上のように、高開口率を実現するため
に、隣接する画素電極間の距離を短く設計したＴＮ−Ｌ
ＣＤにおいても、本発明で提案したような画素電極形状
を採用することによって、大きな駆動電圧をかけること
ができる。具体的には、この実施例では、電極間隔を
３．５μｍとし、電極間隔を０．５μｍとしたとき、
表示不良が起こらない駆動電圧は４．５Ｖから６．６Ｖ
へ改善され、高コントラストを実現することが可能とな
る。
【００２８】また、電極間隔を１．５μｍとし、電極
間隔及びを０μｍとしたとき（画素電極が正方形の
場合）に、電極間隔と表示不良の発生する駆動電圧の
関係図を図５（ｃ）に示した。図５（ｃ）から、電極間
隔を拡げると、表示不良が生じ始める駆動電圧（実効
電圧）を高くできることがわかる。具体的には、図４
（ｂ）に示すように、電極間隔を１．５μｍとし、電
極間隔を０．５μｍとしたときに、電極間隔の一部
を幅２．５μｍで０．５μｍ拡げると、表示不良が起こ
らない駆動電圧は５．０Ｖから５．５Ｖへ改善され、高
コントラストを実現することが可能となる。このことか
らも、リバースチルトドメイン部分の画素電極の形状
を、横方向だけでなく縦方向にも切り込みを入れたよう
な形状に加工することが好ましいことがわかる。
【００２９】なお、本発明の液晶表示装置は、スイッチ
ング素子としてＴＦＴに代えてＭＩＭ（金属−絶縁膜−
金属）等の非線形素子を用いることができる。また、配
向処理としてのラビング処理方向や液晶の捩れ角は特に
限定されない。また、カラー表示または白黒表示の透過
型、反射型ＴＮ−ＬＣＤにも適用することができる。更
に、配向膜のプレチルト角も５°に限定されるものでは
ない。
【００３０】以下に、本発明の液晶表示装置で使用する
ＴＦＴ基板の製造例を図８（概略工程図）を参照しなが
ら説明する。
【００３１】工程（ａ）（図８（ａ）） まず、ガラス基板等の絶縁性透明基板８０の表面に、Ｌ
Ｐ−ＣＶＤ（低圧化学的気相成長法）にてｐｏｌｙ−Ｓ
ｉを５０ｎｍ成膜しその上にＷＳｉを２００ｎｍ成膜し
パターニングし遮光膜８１を形成する。
【００３２】その上に、層間絶縁膜８２としてＳｉＯ2
をＡＰ−ＣＶＤ（常圧化学的気相成長法）により６００
ｎｍ成膜する。その後トランジスタを形成する為の薄膜
Ｓｉ層をＬＰ−ＣＶＤにより７５ｎｍ成膜し、熱処理等
により結晶粒を成長させ、パターニングしてＳｉ層８３
を形成する。その後、Ｓｉ層８３の表面を酸化して酸化
被膜８４を形成し、全面にｐ型不純物（Ｂ）を低濃度イ
オン注入する。
【００３３】次に、トランジスタ部を隠すようにマスク
しＣｓ（蓄積容量）部のみにｎ型不純物（Ａｓ）を高濃
度イオン注入し電極を形成し、更にその上にＬＰ−ＣＶ
Ｄによってゲート電極またはＣｓ電極となる第２のＳｉ
層を成膜し、ＰＯＣｌ3等のガス中で熱処理をする事に
よりリン原子を拡散させ低比抵抗化した後にパターニン
グしてゲート電極８５とＣｓ電極８６とを形成する。
【００３４】次に、ｎ−ＭＯＳ形成の為、ｐ−ＭＯＳ形
成部を隠すようにマスクしｎ型不純物（Ａｓ）を高濃度
イオン注入し、引き続きｎ−ＭＯＳ形成の為、画素トラ
ンジスタ及び回路内のｎ−ＭＯＳ部を隠すようにマスク
しｐ型不純物（Ｂ）を高濃度イオン注入する。そして、
ＡＰ−ＣＶＤにより燐シリケートガラス等の層間絶縁層
８７を６００ｎｍ成膜し、熱処理によりイオン注入部の
結晶性を回復させる。
【００３５】工程（ｂ）（図８（ｂ）） 次に、層間絶縁層８７の全面にスパッタリング法により
反射防止の為のＴｉＯＮ層８８を３５ｎｍ成膜する。
【００３６】工程（ｃ）（図８（ｃ）） 次に、コンタクトホール以外の部分をフォトリソグラフ
ィーによりマスキングし、コンタクトホール部分のＴｉ
ＯＮ層８８及び層間絶縁層８７をエッチングしてコンタ
クトホールＣｈを形成する。
【００３７】工程（ｄ）（図８（ｄ）） 次に、５００ｎｍ厚のＡｌ−１％Ｓｉ層８９と、その上
に６０ｎｍ厚のＴｉＯＮ層９０を連続的にスパッタリン
グ成膜し、配線部分をフォトリソグラフィーでマスキン
グ後ＴｉＯＮ／ＡｌＳｉ／ＴｉＯＮの３層構造配線をド
ライエッチングによりパターニングし配線層９１を形成
する。
【００３８】３５ｎｍ厚の下側のＴｉＯＮ層８８は波長
４００ｎｍ〜４５０ｎｍの光を効果的に吸収し、６０ｎ
ｍ厚の上側のＴｉＯＮ層９０は、後のコンタクトホール
エッチングのストッパーとしても機能する。
【００３９】工程（ｅ）（図８（ｅ）） 続いてＡＰ−ＣＶＤにより燐シリケートガラス等の層間
絶縁層９２を４００ｎｍ、更にパッシベーションとして
プラズマＣＶＤにより２００ｎｍ厚のＳｉＮ膜９３を成
膜する。ＳｉＮ膜９３をコンタクトホール部、画素開口
部及びＰＡＤ部についてエッチングした後、４００ｎｍ
厚の層間絶縁層をコンタクトホール部、ＰＡＤ部につい
て開口する。その後、工程（ｄ）と同様の方法でＴｉＯ
Ｎ／ＡｌＳｉ／ＴｉＯＮ構造の金属膜を形成しパターニ
ングして配線層９４を形成する。
【００４０】そして熱処理によりトランジスタ特性を回
復させた後、平坦化用有機膜９５をコーティングし、画
素電極コンタクトホール９６とＰＡＤを開口する。最後
に画素電極用ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄ
ｅ）をスパッタリングにより７０ｎｍ成膜し、本願の所
定の条件を満たすようにパターニングして画素電極９７
を形成する。これにより本発明で使用するＴＦＴ基板が
完成する。
【００４１】
【発明の効果】本発明によれば、任意の画素電極に対応
する画素部内に形成されるリバースチルトドメインと、
隣接する画素電極に対応する画素部内に形成されるリバ
ースチルトドメインとの間の距離が画素電極の電極間隔
よりも広がっているか、又は隣接するリバースチルトド
メインの間における液晶セル厚が、画素部における液晶
セル厚より狭くなっているので、隣接するリバースチル
トドメイン同士の相互作用を抑制することができる。従
って、本発明の液晶表示装置は、表示不良を伴うことな
く大きな駆動電圧の印加が可能となるので、高開口率で
高コントラストの液晶表示装置となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示装置の液晶セルの概略断面図
である。
【図２】本発明の液晶表示装置の液晶セルの画素電極の
平面模式図である。
【図３】本発明の液晶表示装置の液晶セルの画素電極の
平面模式図である。
【図４】実施例の液晶表示装置の液晶セルの平面図であ
る。
【図５】液晶表示装置の液晶セルの画素電極間隔と実効
電圧との関係図である。
【図６】従来の液晶セルにおいて発生したリバースチル
トドメインの説明図である。
【図７】従来の液晶セルにおける光透過強度と駆動電圧
との間にヒステリシスが生じた場合の説明図である。
【図８】本発明で使用するＴＦＴ基板の製造工程図であ
る。
【符号の説明】
１…上基板、２…下基板、３，５…配向膜、４…共通電
極、６…画素電極、７…捩れネマティック液晶、８…リ
バースチルトドメイン、９…ディスクリネーションライ
ン、１１…下基板の配向処理方向、１２…上基板の配向
処理方向、１３…遮光領域、１４…画素電極、１５…開
口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 内野 勝秀 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 野田 和宏 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 杉田 英史 鹿児島県国分市野口北５番１号 ソニー国 分株式会社内 (72)発明者 萩田 忠弘 鹿児島県国分市野口北５番１号 ソニー国 分株式会社内 (72)発明者 福森 博美 鹿児島県国分市野口北５番１号 ソニー国 分株式会社内 (72)発明者 嶋 秀一 鹿児島県国分市野口北５番１号 ソニー国 分株式会社内 (72)発明者 貝瀬 喜久夫 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 2H090 LA01 LA04 MA06 2H092 GA13 NA07 PA01 PA06 5C094 AA06 AA42 AA60 BA03 BA43 CA19 EA04 EA07

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 対向して配置された一対の基板と、該一
    対の基板のうちのー方の基板に設けられ且つ配向膜で覆
    われた共通電極と、他方の基板にマトリックス状に配置
    され且つ配向膜で覆われた複数の画素電極と、各画素電
    極に接続されたスイッチング素子と、一対の基板の対向
    する配向膜間に封入された液晶とから少なくとも構成さ
    れる液晶セルを有する液晶表示装置において、 任意の画素電極に対応する画素部内に形成されるリバー
    スチルトドメインと、隣接する画素電極に対応する画素
    部内に形成されるリバースチルトドメインとの間の間隔
    が、互いに隣接する画素電極の最短電極間隔よりも広く
    なっているか、又は互いに隣接するリバースチルトドメ
    インで挟まれた領域における液晶セル厚が、画素部にお
    ける液晶セル厚より狭くなっていることを特徴とする液
    晶表示装置。
  2. 【請求項２】 リバースチルトドメインの長手方向に対
    応した画素電極幅を、リバースチルトドメインが形成さ
    れていない部分の画素電極幅よりも狭くした請求項１記
    載の液晶表示装置。
  3. 【請求項３】 リバースチルトドメインの長手方向に直
    交する方向において、隣接する画素電極間の間隔の一部
    が広くなっている請求項１又は２記載の液晶表示装置。
  4. 【請求項４】 画素電極を千鳥格子状に配列した請求項
    １記載の液晶表示装置。
  5. 【請求項５】 隣接するリバースチルトドメインの間
    に、液晶セル厚を狭くするような障壁部が形成されてい
    る請求項１記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項６】 液晶は、液晶分子長軸が対向する配向膜
    間で約９０°連続的に捩れた捩れネマティック液晶であ
    る請求項１〜５のいずれかに記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項７】 各画素部の周縁の少なくとも一部に、遮
    光するためのブラックマトリックスが形成されている請
    求項１〜６のいずれかに記載の液晶表示装置。
  8. 【請求項８】 画素部における液晶セル厚が４μｍ以下
    である請求項１〜７のいずれかに記載の液晶表示装置。
  9. 【請求項９】 画素電極の大きさが５μｍ〜５０μｍ四
    方である請求項１〜８のいずれかに記載の液晶表示装
    置。
  10. 【請求項１０】 請求項１記載の液晶表示装置の製造方
    法において、スイッチング素子側の基板が以下の工程
    （ａ）〜（ｅ）： （ａ） 基板上に第１層間絶縁層を形成し、その上にト
    ランジスタを形成する為の薄膜Ｓｉ層を形成し、その表
    面に酸化被膜を形成し、その上にゲート電極とＣｓ電極
    とを形成することにより薄膜トランジスタを構成し、更
    に薄膜トランジスタ上に第２層間絶縁層を形成する工
    程； （ｂ） 第２層間絶縁層の全面に反射防止膜を形成する
    工程； （ｃ） 反射防止膜及び第２層間絶縁層に、薄膜Ｓｉ層
    に達するコンタクトホールを形成する工程； （ｄ） コンタクトホールに第１配線層を形成する工
    程； 及び （ｅ） 全面に第３層間絶縁層を形成し、更にパッシベ
    ーション膜を形成した後に、パッシベーション膜をコン
    タクトホール部及び画素開口部についてエッチング除去
    し、第３層間絶縁層についてはコンタクトホール部につ
    いてエッチング除去し、それらに第２配線層を形成し、
    全面に平坦化用有機膜を形成した後に、その平坦化用有
    機膜に画素電極用コンタクトホールを開口し、その上
    に、任意の画素電極に対応する画素部内に形成されるリ
    バースチルトドメインと隣接する画素電極に対応する画
    素部内に形成されるリバースチルトドメインとの間隔が
    互いに隣接する画素電極の最短電極間隔よりも広くなる
    ように画素電極を形成する工程、又は平坦化用有機膜に
    画素電極用コンタクトホールを開口する際に、互いに隣
    接するリバースチルトドメインで挟まれた領域における
    液晶セル厚が画素部における液晶セル厚より狭くなるよ
    うに平坦化用有機膜を加工した後に、画素電極を形成す
    る工程を含んでなることを特徴とする製造方法。
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