JP2001309236A - 電子カメラ - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＯＳ型固体撮像装置を利用した従来の電子
カメラでは、逆光補正を行うことができない。 【解決手段】 光電変換素子行単位で画像信号読み出し
動作および電子シャッタ動作を行うことができるＭＯＳ
型固体撮像装置を備えた電子カメラに、静止画の撮像を
指示する静止画指示信号が発せられたときに所定の電子
シャッタ動作を中止させ、電子シャッタ動作を中止して
いる間に設定される垂直ブランキング期間内に閃光装置
を動作させ、その後に設定される静止画像信号読み出し
期間内に行われる画像信号読み出し動作に基づいてＭＯ
Ｓ型固体撮像装置が出力する画像信号を基に静止画デー
タを出力させる。
カメラでは、逆光補正を行うことができない。 【解決手段】 光電変換素子行単位で画像信号読み出し
動作および電子シャッタ動作を行うことができるＭＯＳ
型固体撮像装置を備えた電子カメラに、静止画の撮像を
指示する静止画指示信号が発せられたときに所定の電子
シャッタ動作を中止させ、電子シャッタ動作を中止して
いる間に設定される垂直ブランキング期間内に閃光装置
を動作させ、その後に設定される静止画像信号読み出し
期間内に行われる画像信号読み出し動作に基づいてＭＯ
Ｓ型固体撮像装置が出力する画像信号を基に静止画デー
タを出力させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子カメラに係り、
特に、ＭＯＳ型固体撮像装置を用いて動画データと静止
画データとを得ることができる電子カメラに関する。
特に、ＭＯＳ型固体撮像装置を用いて動画データと静止
画データとを得ることができる電子カメラに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤ（電荷結合素子）の量産技術が確
立されて以来、ＣＣＤ型固体撮像装置をライン・センサ
あるいはエリア・イメージセンサとして利用した機器が
急速に普及している。
立されて以来、ＣＣＤ型固体撮像装置をライン・センサ
あるいはエリア・イメージセンサとして利用した機器が
急速に普及している。
【０００３】その一方で、ＣＣＤ型固体撮像装置よりも
消費電力が小さいＭＯＳ型固体撮像装置の開発が、携帯
型端末等の普及に伴って進められている。ＭＯＳ型固体
撮像装置は、その消費電力をＣＣＤ型固体撮像装置の例
えば１／５〜１／１０程度にまで低下させることができ
る。
消費電力が小さいＭＯＳ型固体撮像装置の開発が、携帯
型端末等の普及に伴って進められている。ＭＯＳ型固体
撮像装置は、その消費電力をＣＣＤ型固体撮像装置の例
えば１／５〜１／１０程度にまで低下させることができ
る。
【０００４】ＭＯＳ型固体撮像装置は、半導体基板、こ
の半導体基板の一表面側に複数行、複数列に亘って行列
状に形成された多数個の光電変換素子（例えばフォトダ
イオード）、光電変換素子毎に付設されたスイッチング
回路部、光電変換素子列毎にこの光電変換素子列に近接
して配置された出力信号線等を備えている。出力用信号
線は低抵抗であることが望まれ、通常、金属材料によっ
て形成される。
の半導体基板の一表面側に複数行、複数列に亘って行列
状に形成された多数個の光電変換素子（例えばフォトダ
イオード）、光電変換素子毎に付設されたスイッチング
回路部、光電変換素子列毎にこの光電変換素子列に近接
して配置された出力信号線等を備えている。出力用信号
線は低抵抗であることが望まれ、通常、金属材料によっ
て形成される。
【０００５】なお、本明細書では、複数行、複数列に亘
って行列状に亘って形成された多数個の光電変換素子の
配列方向のうちで、出力用信号線の延在方向と同じ方向
に延在している配列方向を「光電変換素子列方向」とい
い、この方向の光電変換素子の配列を「光電変換素子
列」という。光電変換素子列に交差する方向を「光電変
換素子行方向」といい、この方向の光電変換素子の配列
を「光電変換素子行」という。出力用信号線が蛇行して
いる場合は、個々の出力用信号線全体の延在方向をこの
出力用信号線の延在方向とする。
って行列状に亘って形成された多数個の光電変換素子の
配列方向のうちで、出力用信号線の延在方向と同じ方向
に延在している配列方向を「光電変換素子列方向」とい
い、この方向の光電変換素子の配列を「光電変換素子
列」という。光電変換素子列に交差する方向を「光電変
換素子行方向」といい、この方向の光電変換素子の配列
を「光電変換素子行」という。出力用信号線が蛇行して
いる場合は、個々の出力用信号線全体の延在方向をこの
出力用信号線の延在方向とする。
【０００６】構成の異なる幾つかのＭＯＳ型固体撮像装
置が知られている。その１つに、スイッチング回路部の
各々が出力用トランジスタとリセット用トランジスタと
を含んで構成されたＭＯＳ型固体撮像装置がある。本明
細書では、このタイプのＭＯＳ型固体撮像装置を「ＭＯ
Ｓ型固体撮像装置Ｉ」ということがある。
置が知られている。その１つに、スイッチング回路部の
各々が出力用トランジスタとリセット用トランジスタと
を含んで構成されたＭＯＳ型固体撮像装置がある。本明
細書では、このタイプのＭＯＳ型固体撮像装置を「ＭＯ
Ｓ型固体撮像装置Ｉ」ということがある。
【０００７】ＭＯＳ型固体撮像装置Ｉにおけるスイッチ
ング回路部では、１個の出力用トランジスタの制御端子
（ゲート電極）と１個の光電変換素子とが電気的に接続
され、出力用信号線の各々に負荷抵抗が付設される。光
電変換素子に蓄積されている電荷量に応じた電圧が出力
用トランジスタの制御端子に印加されると、対応する出
力用信号線に出力信号（電圧信号）が発生する。この出
力信号はそのまま、またはディジタル信号に変換され
て、画像信号として利用される。
ング回路部では、１個の出力用トランジスタの制御端子
（ゲート電極）と１個の光電変換素子とが電気的に接続
され、出力用信号線の各々に負荷抵抗が付設される。光
電変換素子に蓄積されている電荷量に応じた電圧が出力
用トランジスタの制御端子に印加されると、対応する出
力用信号線に出力信号（電圧信号）が発生する。この出
力信号はそのまま、またはディジタル信号に変換され
て、画像信号として利用される。
【０００８】このとき、光電変換素子に蓄積されている
電荷は消滅しない。そのため、次の出力信号を発生させ
る前に、出力信号を発生させ終わった光電変換素子に蓄
積されたままとなっている電荷を所定の配線等に排出す
ることが必要となる。光電変換素子からの電荷の排出
は、リセット用トランジスタを用いて制御される。１個
の光電変換素子に１個ずつ、リセット用トランジスタが
付設される。
電荷は消滅しない。そのため、次の出力信号を発生させ
る前に、出力信号を発生させ終わった光電変換素子に蓄
積されたままとなっている電荷を所定の配線等に排出す
ることが必要となる。光電変換素子からの電荷の排出
は、リセット用トランジスタを用いて制御される。１個
の光電変換素子に１個ずつ、リセット用トランジスタが
付設される。
【０００９】ところで、動画データを出力する動画モー
ドと静止画データを出力する静止画モードとを有する電
子カメラにおいては、通常、動画モードによる撮像が定
常的に行われ、必要時においてのみ、静止画モードによ
る撮像が行われる。撮像時においては、画像信号読み出
し期間と垂直ブランキング期間とが交互に繰り返し設定
される。
ドと静止画データを出力する静止画モードとを有する電
子カメラにおいては、通常、動画モードによる撮像が定
常的に行われ、必要時においてのみ、静止画モードによ
る撮像が行われる。撮像時においては、画像信号読み出
し期間と垂直ブランキング期間とが交互に繰り返し設定
される。
【００１０】ＭＯＳ型固体撮像装置を備えた電子カメラ
では、画像信号読み出し期間のそれぞれにおいて、１フ
レーム分の画像データを得るうえで必要な出力信号がＭ
ＯＳ型固体撮像装置に発生する。
では、画像信号読み出し期間のそれぞれにおいて、１フ
レーム分の画像データを得るうえで必要な出力信号がＭ
ＯＳ型固体撮像装置に発生する。
【００１１】ＭＯＳ型固体撮像装置がＭＯＳ型固体撮像
装置Ｉである場合、１フレーム分の画像データを得るう
えで必要な出力信号は、例えば光電変換素子行単位で出
力用信号線の各々に順次発生する。各出力用トランジス
タの動作が、光電変換素子行単位で制御される。光電変
換素子行毎に１本の行選択用信号配線が配設され、これ
らの行選択用信号配線を介して、対応するスイッチング
回路部の各々にその動作を制御するための画像信号読み
出し信号が供給される。
装置Ｉである場合、１フレーム分の画像データを得るう
えで必要な出力信号は、例えば光電変換素子行単位で出
力用信号線の各々に順次発生する。各出力用トランジス
タの動作が、光電変換素子行単位で制御される。光電変
換素子行毎に１本の行選択用信号配線が配設され、これ
らの行選択用信号配線を介して、対応するスイッチング
回路部の各々にその動作を制御するための画像信号読み
出し信号が供給される。
【００１２】本明細書では、１フレーム分の画像データ
を得るうえで必要な出力信号をＭＯＳ型固体撮像装置に
発生させる動作を、「画像信号読み出し動作」という。
１回の画像信号読み出し期間中に１回の画像信号読み出
し動作が行われる。通常、画像信号読み出し期間の開始
と共に画像信号読み出し動作が始まり、画像信号読み出
し動作の終了と共に画像信号読み出し期間が終わる。１
回の画像信号読み出し期間は、例えば１／６０秒〜１／
３０秒程度である。
を得るうえで必要な出力信号をＭＯＳ型固体撮像装置に
発生させる動作を、「画像信号読み出し動作」という。
１回の画像信号読み出し期間中に１回の画像信号読み出
し動作が行われる。通常、画像信号読み出し期間の開始
と共に画像信号読み出し動作が始まり、画像信号読み出
し動作の終了と共に画像信号読み出し期間が終わる。１
回の画像信号読み出し期間は、例えば１／６０秒〜１／
３０秒程度である。
【００１３】ＭＯＳ型固体撮像装置がＭＯＳ型固体撮像
装置Ｉである場合、リセット用トランジスタの各々を動
作させることにより、各光電変換素子に蓄積されている
電荷を排出することができる。光電変換素子に光が入射
し続けていれば、新たな電荷蓄積が開始する。したがっ
て、所望の時期に電子シャッタ動作を行うことができ
る。
装置Ｉである場合、リセット用トランジスタの各々を動
作させることにより、各光電変換素子に蓄積されている
電荷を排出することができる。光電変換素子に光が入射
し続けていれば、新たな電荷蓄積が開始する。したがっ
て、所望の時期に電子シャッタ動作を行うことができ
る。
【００１４】電子シャッタ動作は、例えば光電変換素子
行単位でリセット用トランジスタの動作を順次制御する
ことによって行われる。光電変換素子の各々に蓄積され
ている電荷が、光電変換素子行単位で順次排出される。
全ての光電変換素子行を対象にして電子シャッタ動作を
行うのに要する期間は、１回の画像信号読み出し期間の
長さにほぼ等しい。１回の電子シャッタ動作は、例え
ば、１回の画像信号読み出し期間の所定時期に開始され
て、次の画像信号読み出し期間の所定時期に終わる。
行単位でリセット用トランジスタの動作を順次制御する
ことによって行われる。光電変換素子の各々に蓄積され
ている電荷が、光電変換素子行単位で順次排出される。
全ての光電変換素子行を対象にして電子シャッタ動作を
行うのに要する期間は、１回の画像信号読み出し期間の
長さにほぼ等しい。１回の電子シャッタ動作は、例え
ば、１回の画像信号読み出し期間の所定時期に開始され
て、次の画像信号読み出し期間の所定時期に終わる。
【００１５】個々の光電変換素子についてみると、電子
シャッタ動作が行われてから次の画像信号読み出し動作
が行われるまでの期間が、露光時間に相当する。
シャッタ動作が行われてから次の画像信号読み出し動作
が行われるまでの期間が、露光時間に相当する。
【００１６】各リセット用トランジスタの制御のため
に、光電変換素子行毎に１本のリセット信号供給配線が
配設される。リセット信号供給配線を介して、対応する
各リセット用トランジスタにリセット信号が供給され
る。
に、光電変換素子行毎に１本のリセット信号供給配線が
配設される。リセット信号供給配線を介して、対応する
各リセット用トランジスタにリセット信号が供給され
る。
【００１７】必要に応じて、画像信号読み出し動作とこ
れに続く電子シャッタ動作との間の所望の時期、例えば
光電変換素子行単位で出力信号線の各々に出力信号を発
生させ終わるたび毎に、出力信号を発生させ終わった光
電変換素子に蓄積されている電荷が所定の配線等に排出
される。出力用信号線の各々に光電変換素子行単位で出
力信号を発生させる動作と、光電変換素子の各々に蓄積
されている電荷を光電変換素子行単位で排出する動作と
が、光電変換素子行毎にこの順番で順次行われる。その
後の所定時期に、電子シャッタ動作があらためて行われ
る。
れに続く電子シャッタ動作との間の所望の時期、例えば
光電変換素子行単位で出力信号線の各々に出力信号を発
生させ終わるたび毎に、出力信号を発生させ終わった光
電変換素子に蓄積されている電荷が所定の配線等に排出
される。出力用信号線の各々に光電変換素子行単位で出
力信号を発生させる動作と、光電変換素子の各々に蓄積
されている電荷を光電変換素子行単位で排出する動作と
が、光電変換素子行毎にこの順番で順次行われる。その
後の所定時期に、電子シャッタ動作があらためて行われ
る。
【００１８】画像信号読み出し信号を行選択用信号配線
の各々に所定のタイミングで供給する行読み出し走査部
が、多くの場合、同一の半導体基板上に形成される。リ
セット信号をリセット信号供給配線の各々に所定のタイ
ミングで供給する行リセット走査部が、多くの場合、同
一の半導体基板上に形成される。
の各々に所定のタイミングで供給する行読み出し走査部
が、多くの場合、同一の半導体基板上に形成される。リ
セット信号をリセット信号供給配線の各々に所定のタイ
ミングで供給する行リセット走査部が、多くの場合、同
一の半導体基板上に形成される。
【００１９】出力用信号線の出力側にアナログ／ディジ
タル変換器（以下、「Ａ／Ｄ変換器」と略記する。）を
配設することによって、ディジタル出力を得ることがで
きる。Ａ／Ｄ変換器は、入力されたアナログ電圧信号に
応じたディジタル信号を、例えばバッファメモリに出力
する。
タル変換器（以下、「Ａ／Ｄ変換器」と略記する。）を
配設することによって、ディジタル出力を得ることがで
きる。Ａ／Ｄ変換器は、入力されたアナログ電圧信号に
応じたディジタル信号を、例えばバッファメモリに出力
する。
【００２０】Ａ／Ｄ変換器を備えたＭＯＳ型固体撮像装
置においては、Ａ／Ｄ変換器からのディジタル出力が画
像信号となる。
置においては、Ａ／Ｄ変換器からのディジタル出力が画
像信号となる。
【００２１】各走査部、Ａ／Ｄ変換器、バッファメモリ
等の動作は、制御部によって制御される。この制御部
は、多くの場合、同一の半導体基板上に形成される。
等の動作は、制御部によって制御される。この制御部
は、多くの場合、同一の半導体基板上に形成される。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】逆光時に被写体の静止
画像を明るく撮影するためには、被写体が露出不足にな
らないように、ストロボやフラッシュをたくことが望ま
れる。すなわち、逆光補正を行うことが望まれる。
画像を明るく撮影するためには、被写体が露出不足にな
らないように、ストロボやフラッシュをたくことが望ま
れる。すなわち、逆光補正を行うことが望まれる。
【００２３】しかしながら、行順次の画像信号読み出し
動作を前提とするＭＯＳ型固体撮像装置を利用した電子
カメラであって逆光補正機能を有する電子カメラは、未
だ開発されていない。
動作を前提とするＭＯＳ型固体撮像装置を利用した電子
カメラであって逆光補正機能を有する電子カメラは、未
だ開発されていない。
【００２４】本発明の目的は、ＭＯＳ型固体撮像装置を
利用した電子カメラであって、逆光補正された被写体の
静止画データを得ることができる電子カメラを提供する
ことである。
利用した電子カメラであって、逆光補正された被写体の
静止画データを得ることができる電子カメラを提供する
ことである。
【００２５】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点によれ
ば、半導体基板および該半導体基板の一表面側に複数
行、複数列に亘って行列状に形成された多数個の光電変
換素子を有し、垂直ブランキング期間を介して連続的に
設定される画像信号読み出し期間それぞれの期間内に、
前記多数個の光電変換素子の各々の露光時間を規定する
ために該光電変換素子に蓄積されている電荷を光電変換
素子行単位で順次排出する電子シャッタ動作を開始し、
該電子シャッタ動作が開始された画像信号読み出し期間
の次の画像信号読み出し期間内に、前記電子シャッタ動
作によって露光時間が規定された後の光電変換素子の各
々に新たに蓄積された電荷量に応じた出力信号を光電変
換素子行単位で順次発生させる画像信号読み出し動作を
行って、前記出力信号に基づく画像信号を前記光電変換
素子行単位で順次出力することができるＭＯＳ型固体撮
像装置と、前記ＭＯＳ型固体撮像装置が出力した画像信
号を基に、動画データまたは静止画データを出力する映
像信号処理部と、操作されたときに静止画の撮像を指示
する静止画指示信号を発する静止画指示信号発生部と、
所定の信号を受けたときに閃光を発する閃光装置、また
は該閃光装置を着装するための閃光装置着装部と、前記
ＭＯＳ型固体撮像装置に前記画像信号読み出し動作と前
記電子シャッタ動作とを交互に繰り返し行わせて前記映
像信号処理部から動画データを出力させる動画モード制
御を定常的に行う動画モード制御部と、前記静止画指示
信号が発せられたときに、該静止画指示信号が発せられ
た後に設定される静止画像信号読み出し期間内に行われ
た画像信号読み出し動作に基づいて前記ＭＯＳ型固体撮
像装置が出力する画像信号を基に、前記映像信号処理部
から静止画データを出力させる第１の静止画モード制御
部と、前記静止画指示信号が発せられたときに、該静止
画指示信号が発せられた後に行われる筈であった電子シ
ャッタ動作を中止させ、該中止させた電子シャッタ動作
が開始される筈であった画像信号読み出し期間に続けて
設定される垂直ブランキング期間内に前記閃光装置を動
作させるための閃光装置動作信号を発生させ、該閃光装
置動作信号を発生した後に設定される静止画像信号読み
出し期間内に行われた画像信号読み出し動作に基づいて
前記ＭＯＳ型固体撮像装置が出力する画像信号を基に、
前記映像信号処理部から静止画データを出力させる第２
の静止画モード制御部と、前記静止画指示信号が発せら
れたときに動作すべき静止画モード制御部を、複数の静
止画モード制御部のうちから予め指定する静止画モード
指定手段とを備えた電子カメラが提供される。
ば、半導体基板および該半導体基板の一表面側に複数
行、複数列に亘って行列状に形成された多数個の光電変
換素子を有し、垂直ブランキング期間を介して連続的に
設定される画像信号読み出し期間それぞれの期間内に、
前記多数個の光電変換素子の各々の露光時間を規定する
ために該光電変換素子に蓄積されている電荷を光電変換
素子行単位で順次排出する電子シャッタ動作を開始し、
該電子シャッタ動作が開始された画像信号読み出し期間
の次の画像信号読み出し期間内に、前記電子シャッタ動
作によって露光時間が規定された後の光電変換素子の各
々に新たに蓄積された電荷量に応じた出力信号を光電変
換素子行単位で順次発生させる画像信号読み出し動作を
行って、前記出力信号に基づく画像信号を前記光電変換
素子行単位で順次出力することができるＭＯＳ型固体撮
像装置と、前記ＭＯＳ型固体撮像装置が出力した画像信
号を基に、動画データまたは静止画データを出力する映
像信号処理部と、操作されたときに静止画の撮像を指示
する静止画指示信号を発する静止画指示信号発生部と、
所定の信号を受けたときに閃光を発する閃光装置、また
は該閃光装置を着装するための閃光装置着装部と、前記
ＭＯＳ型固体撮像装置に前記画像信号読み出し動作と前
記電子シャッタ動作とを交互に繰り返し行わせて前記映
像信号処理部から動画データを出力させる動画モード制
御を定常的に行う動画モード制御部と、前記静止画指示
信号が発せられたときに、該静止画指示信号が発せられ
た後に設定される静止画像信号読み出し期間内に行われ
た画像信号読み出し動作に基づいて前記ＭＯＳ型固体撮
像装置が出力する画像信号を基に、前記映像信号処理部
から静止画データを出力させる第１の静止画モード制御
部と、前記静止画指示信号が発せられたときに、該静止
画指示信号が発せられた後に行われる筈であった電子シ
ャッタ動作を中止させ、該中止させた電子シャッタ動作
が開始される筈であった画像信号読み出し期間に続けて
設定される垂直ブランキング期間内に前記閃光装置を動
作させるための閃光装置動作信号を発生させ、該閃光装
置動作信号を発生した後に設定される静止画像信号読み
出し期間内に行われた画像信号読み出し動作に基づいて
前記ＭＯＳ型固体撮像装置が出力する画像信号を基に、
前記映像信号処理部から静止画データを出力させる第２
の静止画モード制御部と、前記静止画指示信号が発せら
れたときに動作すべき静止画モード制御部を、複数の静
止画モード制御部のうちから予め指定する静止画モード
指定手段とを備えた電子カメラが提供される。
【００２６】第１の静止画モード制御部によれば、閃光
装置を使用しないで静止画を撮像することができる。
装置を使用しないで静止画を撮像することができる。
【００２７】ここで、本明細書でいう「閃光装置」と
は、ストロボおよびフラッシュの総称である。ストロボ
は、電子カメラに内蔵されるか、閃光装置着装部に着脱
自在に着装される。フラッシュは、閃光装置着装部に着
脱自在に着装される。
は、ストロボおよびフラッシュの総称である。ストロボ
は、電子カメラに内蔵されるか、閃光装置着装部に着脱
自在に着装される。フラッシュは、閃光装置着装部に着
脱自在に着装される。
【００２８】第２の静止画モード制御部によれば、閃光
装置を使用して静止画を撮像することができる。すなわ
ち、逆光補正を行うことができる。
装置を使用して静止画を撮像することができる。すなわ
ち、逆光補正を行うことができる。
【００２９】第２の静止画モード制御部による制御の下
では、閃光装置を動作させるための閃光装置動作信号
が、１つの垂直ブランキング期間内に発生する。また、
この垂直ブランキング期間の直前に設定された画像信号
読み出し期間内に開始されて次の画像信号読み出し期間
（静止画像信号読み出し期間）内に終わる筈であった電
子シャッタ動作が中止される。
では、閃光装置を動作させるための閃光装置動作信号
が、１つの垂直ブランキング期間内に発生する。また、
この垂直ブランキング期間の直前に設定された画像信号
読み出し期間内に開始されて次の画像信号読み出し期間
（静止画像信号読み出し期間）内に終わる筈であった電
子シャッタ動作が中止される。
【００３０】仮に電子シャッタ動作の最中に閃光装置を
動作させると、例えば、第１行から第Ｎ行（Ｎは正の整
数）の光電変換素子行に対しては閃光装置が動作する前
に電子シャッタ動作が終了し、第（Ｎ＋１）行から最終
行の光電変換素子行に対しては閃光装置が動作した後に
電子シャッタ動作が行われることになる。
動作させると、例えば、第１行から第Ｎ行（Ｎは正の整
数）の光電変換素子行に対しては閃光装置が動作する前
に電子シャッタ動作が終了し、第（Ｎ＋１）行から最終
行の光電変換素子行に対しては閃光装置が動作した後に
電子シャッタ動作が行われることになる。
【００３１】その結果として、第１〜第Ｎ行の光電変換
素子の各々からは逆光補正された被写体の画像信号が得
られ、第（Ｎ＋１）〜最終行の光電変換素子の各々から
は逆光補正されていない被写体の画像信号が得られるこ
とになる。１フレーム分の画像データの中に逆光補正さ
れたデータと逆光補正されなかったデータとが混在する
ことになり、得られる静止画が不自然なものとなる。
素子の各々からは逆光補正された被写体の画像信号が得
られ、第（Ｎ＋１）〜最終行の光電変換素子の各々から
は逆光補正されていない被写体の画像信号が得られるこ
とになる。１フレーム分の画像データの中に逆光補正さ
れたデータと逆光補正されなかったデータとが混在する
ことになり、得られる静止画が不自然なものとなる。
【００３２】しかしながら、電子シャッタ動作が行われ
ていない期間内の垂直ブランキング期間に閃光装置を動
作させることにより、所望の逆光補正がなされた被写体
の静止画データを得ることが可能になる。
ていない期間内の垂直ブランキング期間に閃光装置を動
作させることにより、所望の逆光補正がなされた被写体
の静止画データを得ることが可能になる。
【００３３】
【発明の実施の形態】図１（Ａ）は、ＭＯＳ型固体撮像
装置の一例を模式的に示す平面図であり、図１（Ｂ）
は、ＭＯＳ型固体撮像装置におけるスイッチング回路部
の一例を示す等価回路図である。
装置の一例を模式的に示す平面図であり、図１（Ｂ）
は、ＭＯＳ型固体撮像装置におけるスイッチング回路部
の一例を示す等価回路図である。
【００３４】図１（Ａ）に示すように、ＭＯＳ型固体撮
像装置１００においては、半導体基板１の一表面側に、
フォトダイオードからなる多数個の光電変換素子１０が
正方行列状（行数と列数が異なる場合を含む。）に配置
されている。各光電変換素子１０上にカラーフィルタ、
マイクロレンズを備えていてもよい。
像装置１００においては、半導体基板１の一表面側に、
フォトダイオードからなる多数個の光電変換素子１０が
正方行列状（行数と列数が異なる場合を含む。）に配置
されている。各光電変換素子１０上にカラーフィルタ、
マイクロレンズを備えていてもよい。
【００３５】図示の簡略化された構成においては、計６
４個の光電変換素子１０が８つの光電変換素子行１１と
８つの光電変換素子列１２とに亘って配置されている。
実際のＭＯＳ型固体撮像装置では、光電変換素子の総数
が例えば数１０万〜数１００万に達する。
４個の光電変換素子１０が８つの光電変換素子行１１と
８つの光電変換素子列１２とに亘って配置されている。
実際のＭＯＳ型固体撮像装置では、光電変換素子の総数
が例えば数１０万〜数１００万に達する。
【００３６】半導体基板１の１つの縁に沿って、行順次
にリセット信号を発生することのできる行リセット走査
部４０と、行順次に画像信号読み出し信号を発生するこ
とのできる行読み出し走査部４５とが並列に配設されて
いる。半導体基板１の他の１つの縁に沿って、読み出し
た画像信号をシリアルに出力することのできるアナログ
出力部５０が配設されている。半導体基板１の１つの隅
部に、行リセット走査部４０、行読み出し走査部４５お
よびアナログ出力部５０それぞれの動作を制御すること
のできる制御部６０が配設されている。
にリセット信号を発生することのできる行リセット走査
部４０と、行順次に画像信号読み出し信号を発生するこ
とのできる行読み出し走査部４５とが並列に配設されて
いる。半導体基板１の他の１つの縁に沿って、読み出し
た画像信号をシリアルに出力することのできるアナログ
出力部５０が配設されている。半導体基板１の１つの隅
部に、行リセット走査部４０、行読み出し走査部４５お
よびアナログ出力部５０それぞれの動作を制御すること
のできる制御部６０が配設されている。
【００３７】半導体基板１がｐ型ウェルを備えたｎ型シ
リコン基板からなる場合、個々の光電変換素子１０は、
例えば、前記のｐ型ウェルの所定箇所にｎ型領域を形成
することによって得ることができる。また、前記のｎ型
領域の表面に例えばｐ+ 型領域を形成することにより、
埋め込み型のフォトダイオードからなる光電変換素子１
０を得ることができる。
リコン基板からなる場合、個々の光電変換素子１０は、
例えば、前記のｐ型ウェルの所定箇所にｎ型領域を形成
することによって得ることができる。また、前記のｎ型
領域の表面に例えばｐ+ 型領域を形成することにより、
埋め込み型のフォトダイオードからなる光電変換素子１
０を得ることができる。
【００３８】光電変換素子１０の各々は、読み出しゲー
トとして利用される部分を除き、半導体基板１に形成さ
れたチャンネルストップ領域によって、または、半導体
基板１に形成されたフィールド酸化膜によって、平面視
上取り囲まれる。チャンネルストップ領域は、例えばｐ
+ 型領域によって形成される。ｐ+ 型領域でのｐ型不純
物濃度は、ｐ型ウェルでのｐ型不純物濃度より高い。
トとして利用される部分を除き、半導体基板１に形成さ
れたチャンネルストップ領域によって、または、半導体
基板１に形成されたフィールド酸化膜によって、平面視
上取り囲まれる。チャンネルストップ領域は、例えばｐ
+ 型領域によって形成される。ｐ+ 型領域でのｐ型不純
物濃度は、ｐ型ウェルでのｐ型不純物濃度より高い。
【００３９】図１（Ｂ）に示すように、スイッチング回
路部２０が、光電変換素子１０の各々に付設されてい
る。各スイッチング回路部２０は、出力用トランジスタ
２１、行選択用トランジスタ２２およびリセット用トラ
ンジスタ２３を含む。これらのトランジスタは、例えば
ＭＯＳ型トランジスタである。
路部２０が、光電変換素子１０の各々に付設されてい
る。各スイッチング回路部２０は、出力用トランジスタ
２１、行選択用トランジスタ２２およびリセット用トラ
ンジスタ２３を含む。これらのトランジスタは、例えば
ＭＯＳ型トランジスタである。
【００４０】出力用トランジスタ２１と行選択用トラン
ジスタ２２とは、電源電圧供給配線２５と出力用信号線
３０との間に直列に接続される。出力用トランジスタ２
１の制御端子（ゲート）と光電変換素子１０とが、配線
２６を介して電気的に接続される。行選択用トランジス
タ２２の制御端子（ゲート）と行選択用信号配線２７と
が電気的に接続される。構造的には、行選択用信号配線
２７の一部が行選択用トランジスタ２２のゲート電極を
兼ねていてもよい。
ジスタ２２とは、電源電圧供給配線２５と出力用信号線
３０との間に直列に接続される。出力用トランジスタ２
１の制御端子（ゲート）と光電変換素子１０とが、配線
２６を介して電気的に接続される。行選択用トランジス
タ２２の制御端子（ゲート）と行選択用信号配線２７と
が電気的に接続される。構造的には、行選択用信号配線
２７の一部が行選択用トランジスタ２２のゲート電極を
兼ねていてもよい。
【００４１】リセット用トランジスタ２３は、配線２６
と電源電圧供給配線２５との間に接続される。リセット
用トランジスタ２３の制御端子（ゲート）とリセット信
号供給配線２８とが電気的に接続される。構造的には、
リセット信号供給配線２８の一部がリセット用トランジ
スタ２３のゲート電極を兼ねていてもよい。
と電源電圧供給配線２５との間に接続される。リセット
用トランジスタ２３の制御端子（ゲート）とリセット信
号供給配線２８とが電気的に接続される。構造的には、
リセット信号供給配線２８の一部がリセット用トランジ
スタ２３のゲート電極を兼ねていてもよい。
【００４２】電源電圧供給配線２５は、例えば１行の光
電変換素子行１１（図１（Ａ）参照）に１本ずつ、この
光電変換素子行１１に沿って延在する。１列の光電変換
素子列１２（図１（Ａ）参照）に１本ずつ、この光電変
換素子列１２に沿って電源電圧供給配線２５を延在させ
ることもできる。
電変換素子行１１（図１（Ａ）参照）に１本ずつ、この
光電変換素子行１１に沿って延在する。１列の光電変換
素子列１２（図１（Ａ）参照）に１本ずつ、この光電変
換素子列１２に沿って電源電圧供給配線２５を延在させ
ることもできる。
【００４３】電源電圧供給配線２５は、例えばアルミニ
ウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、タングステン、
タングステン合金、モリブデン、モリブデン合金等の金
属材料によって形成される。
ウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、タングステン、
タングステン合金、モリブデン、モリブデン合金等の金
属材料によって形成される。
【００４４】行選択用信号配線２７は、例えば１行の光
電変換素子行１１に１本ずつ、この光電変換素子行１１
に沿って延在する。各行選択用信号配線２７の一端は行
読み出し走査部４５に達し、ここから画像信号読み出し
信号の供給を受ける。構造的には、行選択用信号配線２
７の一部が行選択用トランジスタ２２のゲート電極を兼
ねていてもよい。
電変換素子行１１に１本ずつ、この光電変換素子行１１
に沿って延在する。各行選択用信号配線２７の一端は行
読み出し走査部４５に達し、ここから画像信号読み出し
信号の供給を受ける。構造的には、行選択用信号配線２
７の一部が行選択用トランジスタ２２のゲート電極を兼
ねていてもよい。
【００４５】リセット信号供給配線２８は、例えば１行
の光電変換素子行１１に１本ずつ、この光電変換素子行
１１に沿って延在する。各リセット信号供給配線２８の
一端は行リセット走査部４０に達し、ここからリセット
信号の供給を受ける。構造的には、リセット信号供給配
線２８の一部がリセット用トランジスタ２３のゲート電
極を兼ねていてもよい。
の光電変換素子行１１に１本ずつ、この光電変換素子行
１１に沿って延在する。各リセット信号供給配線２８の
一端は行リセット走査部４０に達し、ここからリセット
信号の供給を受ける。構造的には、リセット信号供給配
線２８の一部がリセット用トランジスタ２３のゲート電
極を兼ねていてもよい。
【００４６】リセット信号供給配線２８および行選択用
信号配線２７は、例えばポリシリコン層やポリサイド層
（ポリシリコンとシリサイドとの積層）、あるいは、タ
ングステン、タングステン合金、モリブデン、モリブデ
ン合金等の導電性金属材料層によって形成される。
信号配線２７は、例えばポリシリコン層やポリサイド層
（ポリシリコンとシリサイドとの積層）、あるいは、タ
ングステン、タングステン合金、モリブデン、モリブデ
ン合金等の導電性金属材料層によって形成される。
【００４７】出力用信号線３０は、１列の光電変換素子
列１２に１本ずつ、この光電変換素子列１２に沿って延
在する。各出力用信号配線３０の一端は、アナログ出力
部５０に達する。
列１２に１本ずつ、この光電変換素子列１２に沿って延
在する。各出力用信号配線３０の一端は、アナログ出力
部５０に達する。
【００４８】出力用信号線３０は、低抵抗であることが
望ましい。特に電流を流して出力を得る場合には、安定
な出力を得るために、出力用信号線３０を低抵抗にする
ことが望ましい。低抵抗の出力用信号線３０は、例えば
アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、タング
ステン、タングステン合金、モリブデン、モリブデン合
金等の金属材料によって形成することができる。
望ましい。特に電流を流して出力を得る場合には、安定
な出力を得るために、出力用信号線３０を低抵抗にする
ことが望ましい。低抵抗の出力用信号線３０は、例えば
アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金、タング
ステン、タングステン合金、モリブデン、モリブデン合
金等の金属材料によって形成することができる。
【００４９】電源電圧供給配線２５、行選択用信号配線
２７、リセット信号供給配線２８および出力用信号線３
０は、例えば、電気的絶縁層を介して半導体基板１上に
設けられる。半導体基板１内に導電層を形成し、基板上
の導電層と併せて出力用信号線３０を形成することもで
きる。これらの配線は、トランジスタを介して電気的に
接続される他は、互いに電気的に絶縁される。
２７、リセット信号供給配線２８および出力用信号線３
０は、例えば、電気的絶縁層を介して半導体基板１上に
設けられる。半導体基板１内に導電層を形成し、基板上
の導電層と併せて出力用信号線３０を形成することもで
きる。これらの配線は、トランジスタを介して電気的に
接続される他は、互いに電気的に絶縁される。
【００５０】各リセット信号供給配線２８の一端が接続
されている行リセット走査部４０は、例えば、制御部６
０から供給される制御信号を入力信号として受けて水平
同期パルスによってシフト動作するシフトレジスタ、シ
フトレジスタの各段の出力信号と前記制御信号とからリ
セット信号を生成する論理回路等を含んで構成される。
行リセット走査部４０の動作は、制御部６０によって制
御される。
されている行リセット走査部４０は、例えば、制御部６
０から供給される制御信号を入力信号として受けて水平
同期パルスによってシフト動作するシフトレジスタ、シ
フトレジスタの各段の出力信号と前記制御信号とからリ
セット信号を生成する論理回路等を含んで構成される。
行リセット走査部４０の動作は、制御部６０によって制
御される。
【００５１】各行選択用信号配線２７の一端が接続され
ている行読み出し走査部４５は、行リセット走査部４０
と同様にして構成される。行読み出し走査部４５の動作
も、制御部６０によって制御される。
ている行読み出し走査部４５は、行リセット走査部４０
と同様にして構成される。行読み出し走査部４５の動作
も、制御部６０によって制御される。
【００５２】各出力用信号線３０の一端が接続されてい
るアナログ出力部５０は、各出力用信号線３０から同時
に供給される出力信号（アナログ電圧信号）を、順次、
シリアルに出力する。
るアナログ出力部５０は、各出力用信号線３０から同時
に供給される出力信号（アナログ電圧信号）を、順次、
シリアルに出力する。
【００５３】このアナログ出力部５０は、例えば、負荷
トランジスタ、キャパシタ（コンデンサ）、サンプリン
グ用トランジスタ、このサンプリング用トランジスタの
制御端子（ゲート）に接続されたサンプリング信号供給
配線、サンプリング信号を生成する回路、クロックパル
スを基にアナログ電圧信号を順次選択するシフトレジス
タ、選択したアナログ電圧信号を出力として合成するた
めに必要なタイミングパルスを生成する回路等を含んで
構成される。
トランジスタ、キャパシタ（コンデンサ）、サンプリン
グ用トランジスタ、このサンプリング用トランジスタの
制御端子（ゲート）に接続されたサンプリング信号供給
配線、サンプリング信号を生成する回路、クロックパル
スを基にアナログ電圧信号を順次選択するシフトレジス
タ、選択したアナログ電圧信号を出力として合成するた
めに必要なタイミングパルスを生成する回路等を含んで
構成される。
【００５４】負荷トランジスタは、出力用トランジスタ
２１の抵抗の変化に応じて、出力信号（アナログ電圧信
号）を発生させる。キャパシタ（コンデンサ）は、負荷
トランジスタ（出力用信号線３０）に発生したアナログ
電圧信号をサンプル／ホールドする。サンプリング用ト
ランジスタは、サンプリング信号供給配線を介して供給
されるサンプリング制御信号に基づいて、負荷トランジ
スタからキャパシタ（コンデンサ）へのアナログ電圧信
号の供給を制御する。
２１の抵抗の変化に応じて、出力信号（アナログ電圧信
号）を発生させる。キャパシタ（コンデンサ）は、負荷
トランジスタ（出力用信号線３０）に発生したアナログ
電圧信号をサンプル／ホールドする。サンプリング用ト
ランジスタは、サンプリング信号供給配線を介して供給
されるサンプリング制御信号に基づいて、負荷トランジ
スタからキャパシタ（コンデンサ）へのアナログ電圧信
号の供給を制御する。
【００５５】キャパシタに保持されたアナログ電圧信号
は、シフトレジスタによって順次選択され、かつ合成さ
れて、出力信号となる。例えば、キャパシタの各々にス
イッチング用のＭＯＳトランジスタを付設し、これらの
ＭＯＳトランジスタを順次オンして、各キャパシタに保
持されている電荷（アナログ電圧信号）をそのまま電流
の形で出力信号として出力する。あるいは、キャパシタ
の各々に増幅用のＭＯＳトランジスタを付設し、これら
のＭＯＳトランジスタからの出力電圧信号を順次選択し
て電圧信号として出力する。
は、シフトレジスタによって順次選択され、かつ合成さ
れて、出力信号となる。例えば、キャパシタの各々にス
イッチング用のＭＯＳトランジスタを付設し、これらの
ＭＯＳトランジスタを順次オンして、各キャパシタに保
持されている電荷（アナログ電圧信号）をそのまま電流
の形で出力信号として出力する。あるいは、キャパシタ
の各々に増幅用のＭＯＳトランジスタを付設し、これら
のＭＯＳトランジスタからの出力電圧信号を順次選択し
て電圧信号として出力する。
【００５６】アナログ出力部５０の動作も、制御部６０
によって制御される。
によって制御される。
【００５７】制御部６０は、例えばクロックカウンタ、
基準電圧発生回路、クロック発生回路、垂直・水平同期
パルス発生回路、各種制御信号発生回路等を含んで構成
される。
基準電圧発生回路、クロック発生回路、垂直・水平同期
パルス発生回路、各種制御信号発生回路等を含んで構成
される。
【００５８】図２は、実施例による電子カメラの概略を
示すブロック図である。同図に示すように、本実施例の
電子カメラ２００は、図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示
した固体撮像装置１００、撮像光学系１１０、動画モー
ド制御部１２０、第１の静止画モード制御部１３０、第
２の静止画モード制御部１３５、閃光装置１４０、主制
御部１５０、第１切換手段１６０、第２切換手段１６
５、静止画モード指定手段１７０、静止画指示信号発生
部１７５、画像信号処理部１８０、測光部１８５、表示
部１９０等を備えている。必要に応じて、記憶媒体１９
５が具備される。
示すブロック図である。同図に示すように、本実施例の
電子カメラ２００は、図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示
した固体撮像装置１００、撮像光学系１１０、動画モー
ド制御部１２０、第１の静止画モード制御部１３０、第
２の静止画モード制御部１３５、閃光装置１４０、主制
御部１５０、第１切換手段１６０、第２切換手段１６
５、静止画モード指定手段１７０、静止画指示信号発生
部１７５、画像信号処理部１８０、測光部１８５、表示
部１９０等を備えている。必要に応じて、記憶媒体１９
５が具備される。
【００５９】撮像光学系１１０は、ＭＯＳ型固体撮像素
子１００上に光学像を結像させる。ＭＯＳ型固体撮像素
子１００は、撮像光学系１１０が結像した光学像を画像
信号に変換する。撮像光学系１１０は、例えば光学レン
ズ、絞り、オプティカルローパスフィルタ等を含んで構
成される。なお、図２中の矢印Ｌは光束を示す。
子１００上に光学像を結像させる。ＭＯＳ型固体撮像素
子１００は、撮像光学系１１０が結像した光学像を画像
信号に変換する。撮像光学系１１０は、例えば光学レン
ズ、絞り、オプティカルローパスフィルタ等を含んで構
成される。なお、図２中の矢印Ｌは光束を示す。
【００６０】ＭＯＳ型固体撮像素子１００から出力され
た画像信号は画像信号処理部１８０へ送られ、ここで補
間、データ圧縮等の処理を施されて画像データ（動画デ
ータまたは静止画データ）となる。画像信号処理部１８
０は、この画像データを表示部１９０または記録媒体１
９５へ出力する。
た画像信号は画像信号処理部１８０へ送られ、ここで補
間、データ圧縮等の処理を施されて画像データ（動画デ
ータまたは静止画データ）となる。画像信号処理部１８
０は、この画像データを表示部１９０または記録媒体１
９５へ出力する。
【００６１】動画モード制御部１２０は、ＭＯＳ型固体
撮像装置１００を動画モードで駆動させ、映像信号処理
部１８０から動画データを出力させる。ＭＯＳ型固体撮
像装置１００は、動画モード制御部１２０による動画モ
ード制御を定常的に受け、画像信号読み出し動作と電子
シャッタ動作とを交互に繰り返し行う。
撮像装置１００を動画モードで駆動させ、映像信号処理
部１８０から動画データを出力させる。ＭＯＳ型固体撮
像装置１００は、動画モード制御部１２０による動画モ
ード制御を定常的に受け、画像信号読み出し動作と電子
シャッタ動作とを交互に繰り返し行う。
【００６２】第１の静止画モード制御部１３０は、スト
ロボ等の閃光装置１４０を動作させることなく、１フレ
ーム分の静止画用画像信号をＭＯＳ型固体撮像装置１０
０に出力させる。また、この静止画用画像信号を基に、
映像信号処理部１８０から静止画データを出力させる。
ロボ等の閃光装置１４０を動作させることなく、１フレ
ーム分の静止画用画像信号をＭＯＳ型固体撮像装置１０
０に出力させる。また、この静止画用画像信号を基に、
映像信号処理部１８０から静止画データを出力させる。
【００６３】第２の静止画モード制御部１３５は、スト
ロボ等の閃光装置１４０に閃光装置動作信号を供給する
とともに、１フレーム分の静止画用画像信号をＭＯＳ型
固体撮像装置１００に出力させる。閃光装置１４０を動
作させ、逆光補正が行われた１フレーム分の静止画用画
像信号をＭＯＳ型固体撮像装置１００に出力させること
ができる。また、この静止画用画像信号を基に、映像信
号処理部１８０から静止画データを出力させる。
ロボ等の閃光装置１４０に閃光装置動作信号を供給する
とともに、１フレーム分の静止画用画像信号をＭＯＳ型
固体撮像装置１００に出力させる。閃光装置１４０を動
作させ、逆光補正が行われた１フレーム分の静止画用画
像信号をＭＯＳ型固体撮像装置１００に出力させること
ができる。また、この静止画用画像信号を基に、映像信
号処理部１８０から静止画データを出力させる。
【００６４】以下、動画モード制御部１２０によってプ
ログレッシブ走査に対応した画像信号読み出し動作を行
っているときに、第１の静止画モード制御部１３０また
は第２の静止画モード制御１３５による制御に切り換え
る場合を例にとり、電子カメラ２００の動作を説明す
る。
ログレッシブ走査に対応した画像信号読み出し動作を行
っているときに、第１の静止画モード制御部１３０また
は第２の静止画モード制御１３５による制御に切り換え
る場合を例にとり、電子カメラ２００の動作を説明す
る。
【００６５】図３は、電子カメラ２００を動画モード制
御部１２０による動画モード制御の下に動作させたとき
の垂直ブランキングパルス、静止画指示信号、ＭＯＳ型
固体撮像装置１００の動作、閃光装置動作信号、およ
び、画像信号処理部１８０からの出力それぞれの関係を
説明するためのタイミングチャートである。
御部１２０による動画モード制御の下に動作させたとき
の垂直ブランキングパルス、静止画指示信号、ＭＯＳ型
固体撮像装置１００の動作、閃光装置動作信号、およ
び、画像信号処理部１８０からの出力それぞれの関係を
説明するためのタイミングチャートである。
【００６６】垂直ブランキングパルスの電位は例えば３
Ｖ程度である。１つの垂直ブランキングパルスの継続期
間が１つの垂直ブランキング期間に相当する。動画モー
ド制御時での垂直ブランキング期間の長さは、例えば１
ｍ秒程度である。
Ｖ程度である。１つの垂直ブランキングパルスの継続期
間が１つの垂直ブランキング期間に相当する。動画モー
ド制御時での垂直ブランキング期間の長さは、例えば１
ｍ秒程度である。
【００６７】１つの垂直ブランキングパルスが立ち下が
ってから次の垂直ブランキングパルスが立ち上がるまで
の期間が、１つの画像信号読み出し期間に相当する。１
つの画像信号読み出し期間内に、光電変換素子行の数に
応じた数の水平走査期間が、水平ブランキング期間を挟
んで連続的に設定される。光電変換素子行の数が例えば
５００程度の場合の水平走査期間の長さは概ね６０数μ
秒、水平ブランキング期間の長さは概ね１０数μ秒、１
つの画像信号読み出し期間の長さは概ね１／６０〜１／
３０秒である。
ってから次の垂直ブランキングパルスが立ち上がるまで
の期間が、１つの画像信号読み出し期間に相当する。１
つの画像信号読み出し期間内に、光電変換素子行の数に
応じた数の水平走査期間が、水平ブランキング期間を挟
んで連続的に設定される。光電変換素子行の数が例えば
５００程度の場合の水平走査期間の長さは概ね６０数μ
秒、水平ブランキング期間の長さは概ね１０数μ秒、１
つの画像信号読み出し期間の長さは概ね１／６０〜１／
３０秒である。
【００６８】図３中にそれぞれ１本の実線で示すよう
に、静止画指示信号および閃光装置動作信号は発せられ
ていない。
に、静止画指示信号および閃光装置動作信号は発せられ
ていない。
【００６９】ＭＯＳ型固体撮像装置１００における画像
信号読み出し動作のタイミングが太い実線Ｇ１〜Ｇ４に
よって示され、電子シャッタ動作のタイミングが細い実
線ＥＳ１〜ＥＳ４によって示されている。図中の「第１
行」は第１光電変換素子行を意味し、「最終行」は最終
行の光電変換素子行（第８光電変換素子行）を意味す
る。中間の位置は、対応する中間の光電変換素子行を示
す。第１光電変換素子行は、例えば画像信号出力部５０
に最も近い光電変換素子行であり、最終行は例えば画像
信号出力部５０に最も遠い光電変換素子行である。これ
らのことは、後述する図４、図５、図７および図９にお
いても同じである。
信号読み出し動作のタイミングが太い実線Ｇ１〜Ｇ４に
よって示され、電子シャッタ動作のタイミングが細い実
線ＥＳ１〜ＥＳ４によって示されている。図中の「第１
行」は第１光電変換素子行を意味し、「最終行」は最終
行の光電変換素子行（第８光電変換素子行）を意味す
る。中間の位置は、対応する中間の光電変換素子行を示
す。第１光電変換素子行は、例えば画像信号出力部５０
に最も近い光電変換素子行であり、最終行は例えば画像
信号出力部５０に最も遠い光電変換素子行である。これ
らのことは、後述する図４、図５、図７および図９にお
いても同じである。
【００７０】ＭＯＳ型固体撮像装置１００が画像信号読
み出し動作と電子シャッタ動作とを交互に繰り返して、
動画用画像信号を逐次出力する。電子シャッタ動作ＥＳ
から次の画像信号読み出し動作Ｇまでの横方向距離が露
光時間を示す。
み出し動作と電子シャッタ動作とを交互に繰り返して、
動画用画像信号を逐次出力する。電子シャッタ動作ＥＳ
から次の画像信号読み出し動作Ｇまでの横方向距離が露
光時間を示す。
【００７１】動画モード制御部１２０は、露光条件が最
適範囲に入るかまたは最適範囲に近づくように各電子シ
ャッタ動作の開始タイミングを制御するＡＥ動作を行
う。
適範囲に入るかまたは最適範囲に近づくように各電子シ
ャッタ動作の開始タイミングを制御するＡＥ動作を行
う。
【００７２】画像信号処理部１８０は、ＭＯＳ型固体撮
像装置１００が画像信号読み出し動作Ｇ１に基づいて出
力した画像信号を基に動画データＡＤ１を出力し、画像
信号読み出し動作Ｇ２に基づいて出力した画像信号を基
に動画データＡＤ２を出力する。同様に、画像信号読み
出し動作Ｇ３に基づいて供給された画像信号を基に動画
データＡＤ３を出力し、画像信号読み出し動作Ｇ４に基
づいて供給された画像信号を基に動画データＡＤ４を出
力する。静止画データは出力しない。
像装置１００が画像信号読み出し動作Ｇ１に基づいて出
力した画像信号を基に動画データＡＤ１を出力し、画像
信号読み出し動作Ｇ２に基づいて出力した画像信号を基
に動画データＡＤ２を出力する。同様に、画像信号読み
出し動作Ｇ３に基づいて供給された画像信号を基に動画
データＡＤ３を出力し、画像信号読み出し動作Ｇ４に基
づいて供給された画像信号を基に動画データＡＤ４を出
力する。静止画データは出力しない。
【００７３】映像信号処理回路１８０から出力された動
画データは、例えば表示部１９０へ送られ、この表示部
１９０において動画が再生される。あるいは、記憶媒体
１９５へ送られ、ここに記録される。
画データは、例えば表示部１９０へ送られ、この表示部
１９０において動画が再生される。あるいは、記憶媒体
１９５へ送られ、ここに記録される。
【００７４】電子カメラ２００を用いての静止画の撮像
は、第１の静止画モード制御手段１３０または第２の静
止画モード制御手段１３５による制御の下に行われる。
は、第１の静止画モード制御手段１３０または第２の静
止画モード制御手段１３５による制御の下に行われる。
【００７５】静止画モード指定手段１７０によって第１
の静止画モード制御部１３０が指定されているときに、
静止画指示信号発生部１７５が操作されて静止画指示信
号が発せられると、第１の静止画モード制御部１３０に
よる制御が開始される。電子カメラ２００を第１の静止
画モード制御手段１３０の下に動作させることにより、
ストロボ等の閃光装置１４０を動作させることなく静止
画データを得ることができる。
の静止画モード制御部１３０が指定されているときに、
静止画指示信号発生部１７５が操作されて静止画指示信
号が発せられると、第１の静止画モード制御部１３０に
よる制御が開始される。電子カメラ２００を第１の静止
画モード制御手段１３０の下に動作させることにより、
ストロボ等の閃光装置１４０を動作させることなく静止
画データを得ることができる。
【００７６】図４は、電子カメラ２００を第１の静止画
モード制御部１３０による制御の下に動作させたときの
垂直ブランキングパルス、静止画指示信号、ＭＯＳ型固
体撮像装置１００の動作、閃光装置動作信号、および、
画像信号処理部１８０からの出力それぞれの関係を説明
するためのタイミングチャートである。
モード制御部１３０による制御の下に動作させたときの
垂直ブランキングパルス、静止画指示信号、ＭＯＳ型固
体撮像装置１００の動作、閃光装置動作信号、および、
画像信号処理部１８０からの出力それぞれの関係を説明
するためのタイミングチャートである。
【００７７】図４に示した事項のうち図３に示した事項
と共通するものについては、図３で用いた用語または記
号と同じ用語または記号を用いて表して、その説明を省
略する。
と共通するものについては、図３で用いた用語または記
号と同じ用語または記号を用いて表して、その説明を省
略する。
【００７８】第１の静止画モード制御部１３０による制
御は、静止画指示信号ＳＰが発せられた後最初に行われ
る電子シャッタ動作、すなわち、画像信号読み出し期間
Ｈ１に開始される電子シャッタ動作ＥＳ２、および、画
像信号読み出し期間Ｈ１の次に設定される静止画像信号
読み出し期間Ｈ２に行われる画像信号読み出し動作Ｇ３
に対して行われる。この制御は、映像信号処理部１８０
に対しても行われる。
御は、静止画指示信号ＳＰが発せられた後最初に行われ
る電子シャッタ動作、すなわち、画像信号読み出し期間
Ｈ１に開始される電子シャッタ動作ＥＳ２、および、画
像信号読み出し期間Ｈ１の次に設定される静止画像信号
読み出し期間Ｈ２に行われる画像信号読み出し動作Ｇ３
に対して行われる。この制御は、映像信号処理部１８０
に対しても行われる。
【００７９】画像信号読み出し動作Ｇ１、Ｇ２、Ｇ４お
よび電子シャッタ動作ＥＳ１、ＥＳ３、ＥＳ４は、動画
モード制御部１２０によって制御される。
よび電子シャッタ動作ＥＳ１、ＥＳ３、ＥＳ４は、動画
モード制御部１２０によって制御される。
【００８０】第１の静止画モード制御部１３０によって
制御される画像信号読み出し動作Ｇ３は、インターレー
ス走査や高速間引き走査等に対応した画像信号読み出し
動作であってもよいが、プログレッシブ走査に対応した
画像信号読み出し動作であることが好ましい。動画モー
ド制御部１２０によって制御される画像信号読み出し動
作Ｇ１、Ｇ２、Ｇ４がインターレース走査または高速間
引き走査等に対応した画像信号読み出し動作である場合
においても、同様である。
制御される画像信号読み出し動作Ｇ３は、インターレー
ス走査や高速間引き走査等に対応した画像信号読み出し
動作であってもよいが、プログレッシブ走査に対応した
画像信号読み出し動作であることが好ましい。動画モー
ド制御部１２０によって制御される画像信号読み出し動
作Ｇ１、Ｇ２、Ｇ４がインターレース走査または高速間
引き走査等に対応した画像信号読み出し動作である場合
においても、同様である。
【００８１】第１の静止画モード制御部１３０は、露光
条件が最適範囲に入るかまたは最適範囲に近づくよう
に、電子シャッタ動作ＥＳ２の開始タイミングを変更す
るＡＥ動作を行うことができる。
条件が最適範囲に入るかまたは最適範囲に近づくよう
に、電子シャッタ動作ＥＳ２の開始タイミングを変更す
るＡＥ動作を行うことができる。
【００８２】画像信号処理部１８０は、ＭＯＳ型固体撮
像装置１００が画像信号読み出し動作Ｇ３に基づいて出
力した画像信号を基に静止画データＳＤ１を出力する。
他の画像信号読み出し動作Ｇ１、Ｇ２、Ｇ４に基づいて
供給された画像信号を基に、動画データＡＤ１、ＡＤ
２、ＡＤ４を出力する。画像信号読み出し動作Ｇ３に基
づいて供給された画像信号を基にした動画データＡＤ３
は出力しない。ただし、動画データＡＤ３が出力される
ように電子カメラ２００を構成することも可能であろ
う。
像装置１００が画像信号読み出し動作Ｇ３に基づいて出
力した画像信号を基に静止画データＳＤ１を出力する。
他の画像信号読み出し動作Ｇ１、Ｇ２、Ｇ４に基づいて
供給された画像信号を基に、動画データＡＤ１、ＡＤ
２、ＡＤ４を出力する。画像信号読み出し動作Ｇ３に基
づいて供給された画像信号を基にした動画データＡＤ３
は出力しない。ただし、動画データＡＤ３が出力される
ように電子カメラ２００を構成することも可能であろ
う。
【００８３】静止画モード指定手段１７０によって第２
の静止画モード制御部１３５が指定されているときに、
静止画指示信号発生部１７５が操作されて静止画指示信
号が発せられると、第２の静止画モード制御部１３５に
よる制御が開始される。電子カメラ２００を第２の静止
画モード制御手段１３５の下に動作させることにより、
ストロボ等の閃光装置１４０を動作させて、逆光補正さ
れた被写体像の静止画データを得ることができる。
の静止画モード制御部１３５が指定されているときに、
静止画指示信号発生部１７５が操作されて静止画指示信
号が発せられると、第２の静止画モード制御部１３５に
よる制御が開始される。電子カメラ２００を第２の静止
画モード制御手段１３５の下に動作させることにより、
ストロボ等の閃光装置１４０を動作させて、逆光補正さ
れた被写体像の静止画データを得ることができる。
【００８４】図５は、電子カメラ２００を第２の静止画
モード制御部１３５による制御の下に動作させたときの
垂直ブランキングパルス、静止画指示信号、ＭＯＳ型固
体撮像装置１００の動作、閃光装置動作信号、および、
画像信号処理部１８０からの出力それぞれの関係を説明
するためのタイミングチャートである。
モード制御部１３５による制御の下に動作させたときの
垂直ブランキングパルス、静止画指示信号、ＭＯＳ型固
体撮像装置１００の動作、閃光装置動作信号、および、
画像信号処理部１８０からの出力それぞれの関係を説明
するためのタイミングチャートである。
【００８５】図５に示した事項のうち図４に示した事項
と共通するものについては、図４で用いた用語または記
号と同じ用語または記号を用いて表して、その説明を省
略する。
と共通するものについては、図４で用いた用語または記
号と同じ用語または記号を用いて表して、その説明を省
略する。
【００８６】第２の静止画モード制御部１３５による制
御は、静止画指示信号ＳＰが発せられた後最初に行われ
る電子シャッタ動作、すなわち、画像信号読み出し期間
Ｈ１に開始される電子シャッタ動作ＥＳ２、画像信号読
み出し期間Ｈ１の次に設定される静止画像信号読み出し
期間Ｈ２に行われる画像信号読み出し動作Ｇ３、およ
び、閃光装置１４０に対して行われる。この制御は、画
像信号読み出し期間Ｈ１に行われる画像信号読み出し動
作Ｇ２および映像信号処理部１８０に対しても行われ
る。
御は、静止画指示信号ＳＰが発せられた後最初に行われ
る電子シャッタ動作、すなわち、画像信号読み出し期間
Ｈ１に開始される電子シャッタ動作ＥＳ２、画像信号読
み出し期間Ｈ１の次に設定される静止画像信号読み出し
期間Ｈ２に行われる画像信号読み出し動作Ｇ３、およ
び、閃光装置１４０に対して行われる。この制御は、画
像信号読み出し期間Ｈ１に行われる画像信号読み出し動
作Ｇ２および映像信号処理部１８０に対しても行われ
る。
【００８７】画像信号読み出し動作Ｇ１、Ｇ４および電
子シャッタ動作ＥＳ１、ＥＳ３、ＥＳ４は、動画モード
制御部１２０によって制御される。
子シャッタ動作ＥＳ１、ＥＳ３、ＥＳ４は、動画モード
制御部１２０によって制御される。
【００８８】第２の静止画モード制御部１３５は、画像
信号読み出し動作Ｇ２を動画モード制御時と同様にして
実施する。ただし、この画像信号読み出し動作Ｇ２は、
出力信号を発生させ終わった光電変換素子に蓄積されて
いる電荷を光電変換素子行単位で排出するリセット動作
を必ず含む。このリセット動作は、電子シャッタ動作Ｅ
Ｓ２とは別の動作である。例えば、出力用信号線の各々
に光電変換素子行単位で出力信号を発生させる動作とリ
セット動作とが、光電変換素子行毎にこの順番で順次行
われる。
信号読み出し動作Ｇ２を動画モード制御時と同様にして
実施する。ただし、この画像信号読み出し動作Ｇ２は、
出力信号を発生させ終わった光電変換素子に蓄積されて
いる電荷を光電変換素子行単位で排出するリセット動作
を必ず含む。このリセット動作は、電子シャッタ動作Ｅ
Ｓ２とは別の動作である。例えば、出力用信号線の各々
に光電変換素子行単位で出力信号を発生させる動作とリ
セット動作とが、光電変換素子行毎にこの順番で順次行
われる。
【００８９】その一方で、第２の静止画モード制御部１
３５は、画像信号読み出し期間Ｈ１内に開始される筈で
あった電子シャッタ動作ＥＳ２を中止させ、画像信号読
み出し期間Ｈ１と静止画像信号読み出し期間Ｈ２との間
に設定される垂直ブランキング期間Ｖ１に閃光装置動作
信号ＦＰを発する。
３５は、画像信号読み出し期間Ｈ１内に開始される筈で
あった電子シャッタ動作ＥＳ２を中止させ、画像信号読
み出し期間Ｈ１と静止画像信号読み出し期間Ｈ２との間
に設定される垂直ブランキング期間Ｖ１に閃光装置動作
信号ＦＰを発する。
【００９０】閃光装置動作信号ＦＰが発せられることか
ら、垂直ブランキング期間Ｖ１内にストロボ等の閃光装
置１４０を動作させることができる。閃光装置１４０の
発光時間は、閃光装置１４０の性能等に応じて異なる
が、例えば数１０μ秒〜数ｍ秒である。垂直ブランキン
グ期間Ｖ１の長さは、閃光装置１４０の発光時間に応じ
て変化し、例えば１ｍ秒〜１０ｍ秒程度となる。
ら、垂直ブランキング期間Ｖ１内にストロボ等の閃光装
置１４０を動作させることができる。閃光装置１４０の
発光時間は、閃光装置１４０の性能等に応じて異なる
が、例えば数１０μ秒〜数ｍ秒である。垂直ブランキン
グ期間Ｖ１の長さは、閃光装置１４０の発光時間に応じ
て変化し、例えば１ｍ秒〜１０ｍ秒程度となる。
【００９１】これらの制御を除けば、第２の静止画モー
ド制御部１３５は第１の静止画モード制御部１３０と同
様の制御を行う。電子シャッタ動作を中止している期間
中に閃光装置１４０を動作させることができるので、均
等に逆光補正された被写体像の静止画データを得ること
ができる。
ド制御部１３５は第１の静止画モード制御部１３０と同
様の制御を行う。電子シャッタ動作を中止している期間
中に閃光装置１４０を動作させることができるので、均
等に逆光補正された被写体像の静止画データを得ること
ができる。
【００９２】固体撮像装置１００は、画像信号読み出し
動作時および電子シャッタ動作時に、例えば下記のよう
に動作する。
動作時および電子シャッタ動作時に、例えば下記のよう
に動作する。
【００９３】なお、以下の説明においては、便宜上、光
電変換素子行１１の各々を、アナログ出力部５０に近い
順に、第１光電変換素子行１１、第２光電変換素子行１
１、……第７光電変換素子行１１、第８光電変換素子行
１１と呼ぶものとする。また、第ｎ（ｎは１〜８の整数
を表す。）光電変換素子行１１に対応する出力用トラン
ジスタ２１、行選択用トランジスタ２２、リセット用ト
ランジスタ２３、行選択用信号配線２７およびリセット
信号供給配線２８は、その名称の先頭に「第ｎ」を付け
て表記するものとする。第ｎ光電変換素子行１１に対応
する光電変換素子は、その名称の先頭に「第ｎ行」を付
けて表記するものとする。
電変換素子行１１の各々を、アナログ出力部５０に近い
順に、第１光電変換素子行１１、第２光電変換素子行１
１、……第７光電変換素子行１１、第８光電変換素子行
１１と呼ぶものとする。また、第ｎ（ｎは１〜８の整数
を表す。）光電変換素子行１１に対応する出力用トラン
ジスタ２１、行選択用トランジスタ２２、リセット用ト
ランジスタ２３、行選択用信号配線２７およびリセット
信号供給配線２８は、その名称の先頭に「第ｎ」を付け
て表記するものとする。第ｎ光電変換素子行１１に対応
する光電変換素子は、その名称の先頭に「第ｎ行」を付
けて表記するものとする。
【００９４】まず、画像信号読み出し期間に入ると、制
御部６０が所定の制御信号を行読み出し走査部４５に供
給する。行読み出し走査部４５は、この制御信号に応じ
て、第１行選択用信号配線２７から第８行選択用信号配
線２７まで、所定の順番で画像信号読み出し信号を供給
する。画像信号読み出し動作が開始される。
御部６０が所定の制御信号を行読み出し走査部４５に供
給する。行読み出し走査部４５は、この制御信号に応じ
て、第１行選択用信号配線２７から第８行選択用信号配
線２７まで、所定の順番で画像信号読み出し信号を供給
する。画像信号読み出し動作が開始される。
【００９５】第ｎ行選択用信号配線２７に画像信号読み
出し信号が供給されると、第ｎ行選択用トランジスタ２
２の各々がオンされる。第ｎ出力用トランジスタ２１の
各々が、対応する電源電圧供給配線２５と出力用信号線
３０との間に電気的に接続される。
出し信号が供給されると、第ｎ行選択用トランジスタ２
２の各々がオンされる。第ｎ出力用トランジスタ２１の
各々が、対応する電源電圧供給配線２５と出力用信号線
３０との間に電気的に接続される。
【００９６】第ｎ行光電変換素子１０の各々に蓄積され
ている電荷量に応じて、第ｎ出力用トランジスタ２１の
各々がオンとなる。アナログ出力部５０中の負荷トラン
ジスタと第ｎ出力用トランジスタ２１とで構成されるソ
ースホロアアンプの出力信号（アナログ電圧信号）が、
対応する出力用信号線３０の各々に発生する。
ている電荷量に応じて、第ｎ出力用トランジスタ２１の
各々がオンとなる。アナログ出力部５０中の負荷トラン
ジスタと第ｎ出力用トランジスタ２１とで構成されるソ
ースホロアアンプの出力信号（アナログ電圧信号）が、
対応する出力用信号線３０の各々に発生する。
【００９７】制御部６０がアナログ出力部５０を制御
し、この制御を受けたアナログ出力部５０がアナログ電
圧信号の各々を出力する。すなわち、第ｎ行光電変換素
子２０それぞれに蓄積されている電荷量に応じた画像信
号が、アナログ出力部５０から順次出力される。
し、この制御を受けたアナログ出力部５０がアナログ電
圧信号の各々を出力する。すなわち、第ｎ行光電変換素
子２０それぞれに蓄積されている電荷量に応じた画像信
号が、アナログ出力部５０から順次出力される。
【００９８】制御部６０は、第（ｎ＋１）行選択用信号
配線２７に画像信号読み出し信号が供給される前に行リ
セット走査部４０を制御し、第ｎリセット信号供給配線
２８にリセット信号を供給させる。第ｎリセット信号供
給配線２８へのリセット信号の供給により、第ｎリセッ
ト用トランジスタ２３の各々がオンされる。第ｎ行光電
変換素子１０の各々に蓄積されている電荷が、対応する
電源電圧供給配線２５に排出される。すなわち、第ｎ行
光電変換素子１０の各々がリセットされる。リセットさ
れた第ｎ行光電変換素子１０の各々は、リセット信号が
ローに戻った後、次の電荷の蓄積を開始することができ
る。
配線２７に画像信号読み出し信号が供給される前に行リ
セット走査部４０を制御し、第ｎリセット信号供給配線
２８にリセット信号を供給させる。第ｎリセット信号供
給配線２８へのリセット信号の供給により、第ｎリセッ
ト用トランジスタ２３の各々がオンされる。第ｎ行光電
変換素子１０の各々に蓄積されている電荷が、対応する
電源電圧供給配線２５に排出される。すなわち、第ｎ行
光電変換素子１０の各々がリセットされる。リセットさ
れた第ｎ行光電変換素子１０の各々は、リセット信号が
ローに戻った後、次の電荷の蓄積を開始することができ
る。
【００９９】対応する出力用信号線３０に出力信号を発
生させる動作とリセット動作とを、第１光電変換素子行
１１から第８光電変換素子行１１まで光電変換素子行単
位で順次行うことにより、プログレッシブ走査に対応し
た１回の画像信号読み出し動作が完了する。
生させる動作とリセット動作とを、第１光電変換素子行
１１から第８光電変換素子行１１まで光電変換素子行単
位で順次行うことにより、プログレッシブ走査に対応し
た１回の画像信号読み出し動作が完了する。
【０１００】なお、画像信号読み出し動作は、リセット
動作を含めずに実施することもできる。画像信号読み出
し動作時にリセット動作を行うか否かは、適宜選択可能
である。ただし、動画モード制御時にリセット動作を行
わない場合には、電子シャッタ動作を必ず行う必要があ
る。
動作を含めずに実施することもできる。画像信号読み出
し動作時にリセット動作を行うか否かは、適宜選択可能
である。ただし、動画モード制御時にリセット動作を行
わない場合には、電子シャッタ動作を必ず行う必要があ
る。
【０１０１】電子シャッタ動作は、各光電変換素子１０
の露光時間が所定の時間となるように、画像信号読み出
し動作を終えた光電変換素子行１１から順次、所定のタ
イミングで開始される。露光時間が１回の画像信号読み
出し期間の長さと同じ場合には、上述した画像信号読み
出し動作内でのリセット動作が電子シャッタ動作とな
る。
の露光時間が所定の時間となるように、画像信号読み出
し動作を終えた光電変換素子行１１から順次、所定のタ
イミングで開始される。露光時間が１回の画像信号読み
出し期間の長さと同じ場合には、上述した画像信号読み
出し動作内でのリセット動作が電子シャッタ動作とな
る。
【０１０２】露光時間が１回の画像信号読み出し期間の
長さより短い場合には、画像信号読み出し動作内でのリ
セット動作とは別のタイミングで、電子シャッタ動作が
行われる。この電子シャッタ動作は、上述のリセット動
作と同様の動作である。１回の電子シャッタ動作は、１
つの画像信号読み出し期間の途中から開始され、この画
像信号読み出し期間に続く垂直ブランキング期間内また
は次の画像信号読み出し期間内に終了する。
長さより短い場合には、画像信号読み出し動作内でのリ
セット動作とは別のタイミングで、電子シャッタ動作が
行われる。この電子シャッタ動作は、上述のリセット動
作と同様の動作である。１回の電子シャッタ動作は、１
つの画像信号読み出し期間の途中から開始され、この画
像信号読み出し期間に続く垂直ブランキング期間内また
は次の画像信号読み出し期間内に終了する。
【０１０３】動画モード制御部１２０、第１の静止画モ
ード制御部１３０および第２の静止画モード制御部１３
５それぞれの全てまたは一部を、ＭＯＳ型固体撮像装置
１００と同一の半導体チップに集積化することができ
る。さらに、主制御部１５０もＭＯＳ型固体撮像装置１
００と同一の半導体チップに集積化することができる。
ード制御部１３０および第２の静止画モード制御部１３
５それぞれの全てまたは一部を、ＭＯＳ型固体撮像装置
１００と同一の半導体チップに集積化することができ
る。さらに、主制御部１５０もＭＯＳ型固体撮像装置１
００と同一の半導体チップに集積化することができる。
【０１０４】ＭＯＳ型固体撮像装置１００中の制御部６
０や主制御部１５０とは別に、動画モード制御および／
または静止画モード制御を行う１〜３個の所望数の制御
部を設けることもできる。
０や主制御部１５０とは別に、動画モード制御および／
または静止画モード制御を行う１〜３個の所望数の制御
部を設けることもできる。
【０１０５】主制御部１５０は、例えば中央演算処理装
置（ＣＰＵ）によって構成される。
置（ＣＰＵ）によって構成される。
【０１０６】定常的に行われている動画モード制御部１
２０による動画モード制御から第１または第２の静止画
モード制御部１３０、１３５による制御への切り換え
は、例えばシャッタボタン等を含んで構成される静止画
指示信号発生部１７５が静止画指示信号を発したとき
に、第１切換手段１６０を用いて行われる。
２０による動画モード制御から第１または第２の静止画
モード制御部１３０、１３５による制御への切り換え
は、例えばシャッタボタン等を含んで構成される静止画
指示信号発生部１７５が静止画指示信号を発したとき
に、第１切換手段１６０を用いて行われる。
【０１０７】第１切換手段１６０は、例えば、セレクタ
スイッチ、またはフリップフロップと論理回路等を用い
て構成される。
スイッチ、またはフリップフロップと論理回路等を用い
て構成される。
【０１０８】静止画指示信号が発せられたときに第１の
静止画モード制御部１３０と第２の静止画モード制御部
１３５とのどちらに切り換えるかは、電子カメラ２００
の使用者が静止画モード指定手段１７０によって予め指
定しておくことができる。初期設定で第１の静止画モー
ド制御部１３０を選択するようにしてもよい。
静止画モード制御部１３０と第２の静止画モード制御部
１３５とのどちらに切り換えるかは、電子カメラ２００
の使用者が静止画モード指定手段１７０によって予め指
定しておくことができる。初期設定で第１の静止画モー
ド制御部１３０を選択するようにしてもよい。
【０１０９】静止画指示信号発生部１７５が操作されて
静止画指示信号が発せられると、静止画モード指定手段
１７０によって予め指定された静止画モード制御部によ
る制御に切り換わる。
静止画指示信号が発せられると、静止画モード指定手段
１７０によって予め指定された静止画モード制御部によ
る制御に切り換わる。
【０１１０】静止画モード指定手段１７０は、例えば、
電子カメラ２００の使用者によって操作されるモードセ
レクタのスイッチボタン、またはメニュー表示を見なが
ら操作、選択するメニュー選択スイッチ等を用いて構成
される。
電子カメラ２００の使用者によって操作されるモードセ
レクタのスイッチボタン、またはメニュー表示を見なが
ら操作、選択するメニュー選択スイッチ等を用いて構成
される。
【０１１１】第２切換手段１６５は、例えば、カメラボ
ディに設けられたモードセレクタ、またはフリップフロ
ップと論理回路等を用いて構成される。
ディに設けられたモードセレクタ、またはフリップフロ
ップと論理回路等を用いて構成される。
【０１１２】動画モード制御部１２０による制御から第
１または第２の静止画モード制御部１３０、１３５によ
る制御への切り換えは、静止画の撮像に必要なごく短時
間の間だけ行われる。第１切換手段１６０は、その後、
動画モード制御部１２０による制御に切り換える。
１または第２の静止画モード制御部１３０、１３５によ
る制御への切り換えは、静止画の撮像に必要なごく短時
間の間だけ行われる。第１切換手段１６０は、その後、
動画モード制御部１２０による制御に切り換える。
【０１１３】映像信号処理回路１８０は、ＭＯＳ型固体
撮像装置１００から出力された画像信号を受け取り、こ
れに補間、データ圧縮等の種々の処理を施して、所定の
種類の画像データ（動画データまたは静止画データ）を
出力する。映像信号処理回路１８０は、得られた画像デ
ータのデータ量、各画像信号処理ステップの終了信号、
画像信号処理におけるエラー信号等の情報を主制御部１
５０に送る。
撮像装置１００から出力された画像信号を受け取り、こ
れに補間、データ圧縮等の種々の処理を施して、所定の
種類の画像データ（動画データまたは静止画データ）を
出力する。映像信号処理回路１８０は、得られた画像デ
ータのデータ量、各画像信号処理ステップの終了信号、
画像信号処理におけるエラー信号等の情報を主制御部１
５０に送る。
【０１１４】測光部１８５は、映像信号処理回路１８０
から所定の信号、例えば輝度信号を受け取り、撮像時の
露光条件を数値化する。例えば、中央重点測光、分割測
光等の測光方式が知られている。測光部１８５は、数値
化した露光条件を主制御部１５０に供給する。
から所定の信号、例えば輝度信号を受け取り、撮像時の
露光条件を数値化する。例えば、中央重点測光、分割測
光等の測光方式が知られている。測光部１８５は、数値
化した露光条件を主制御部１５０に供給する。
【０１１５】主制御部１５０は、この値から露光条件を
選択し、その結果を動画モード制御部１２０、第１の静
止画モード制御部１３０および第２の静止画モード制御
部１３５に伝える。動画モード制御部１２０、第１の静
止画モード制御部１３０および第２の静止画モード制御
部１３５は、露光条件が最適範囲に入るか、または最適
範囲に近づくように、個々の電子シャッタ動作の開始タ
イミングまたは個々の電子シャッタ動作における光電変
換素子行毎での電荷排出のタイミングを制御するＡＥ動
作を行うことができる。
選択し、その結果を動画モード制御部１２０、第１の静
止画モード制御部１３０および第２の静止画モード制御
部１３５に伝える。動画モード制御部１２０、第１の静
止画モード制御部１３０および第２の静止画モード制御
部１３５は、露光条件が最適範囲に入るか、または最適
範囲に近づくように、個々の電子シャッタ動作の開始タ
イミングまたは個々の電子シャッタ動作における光電変
換素子行毎での電荷排出のタイミングを制御するＡＥ動
作を行うことができる。
【０１１６】映像信号処理回路１８０から出力された動
画データは、例えば表示部１９０へ送られ、この表示部
１９０において動画が再生される。あるいは、圧縮され
た画像データが記憶媒体１９５へ送られ、ここに記録さ
れる。映像信号処理回路１８０で生成された静止画デー
タについても同様である。
画データは、例えば表示部１９０へ送られ、この表示部
１９０において動画が再生される。あるいは、圧縮され
た画像データが記憶媒体１９５へ送られ、ここに記録さ
れる。映像信号処理回路１８０で生成された静止画デー
タについても同様である。
【０１１７】表示部１９０は、例えば液晶表示装置、エ
レクトロルミネセンス（ＥＬ）表示装置、プラズマ表示
装置、電子管等によって構成される。
レクトロルミネセンス（ＥＬ）表示装置、プラズマ表示
装置、電子管等によって構成される。
【０１１８】記録媒体１９５は、例えばメモリカード、
メモリスティック、コンパクトフラッシュメモリ等の不
揮発性メモリや、メモリテープ、メモリディスク、フロ
ッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気
記録媒体、光記録媒体（ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＣＤ−Ｒ、Ｃ
Ｄ−ＲＷ等）等によって構成される。
メモリスティック、コンパクトフラッシュメモリ等の不
揮発性メモリや、メモリテープ、メモリディスク、フロ
ッピー（登録商標）ディスク、ハードディスク、光磁気
記録媒体、光記録媒体（ＤＶＤ−ＲＡＭ、ＣＤ−Ｒ、Ｃ
Ｄ−ＲＷ等）等によって構成される。
【０１１９】図２において図示を省略したパルス信号発
生部が、所望箇所に配設される。このパルス信号発生部
は、電子カメラ２００内の各装置の動作の統一をとるた
めのクロックパルス信号を生成し、ＭＯＳ型固体撮像装
置１００、映像信号処理部１８０等に供給する。
生部が、所望箇所に配設される。このパルス信号発生部
は、電子カメラ２００内の各装置の動作の統一をとるた
めのクロックパルス信号を生成し、ＭＯＳ型固体撮像装
置１００、映像信号処理部１８０等に供給する。
【０１２０】図６は、他の実施例による電子カメラの概
略を示すブロック図である。同図に示すように、本実施
例の電子カメラ３００では、図２に示した電子カメラ２
００に第３の静止画モード制御部２１０が付設されてい
る。
略を示すブロック図である。同図に示すように、本実施
例の電子カメラ３００では、図２に示した電子カメラ２
００に第３の静止画モード制御部２１０が付設されてい
る。
【０１２１】他の構成は電子カメラ２００と共通してい
るので、図６に示した構成要素のうちで図２に示した構
成要素と共通するものについては、図２で用いた参照符
号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
るので、図６に示した構成要素のうちで図２に示した構
成要素と共通するものについては、図２で用いた参照符
号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【０１２２】ただし、第３の静止画モード制御部２１０
が付設されたのに伴って、第２切換手段および静止画モ
ード指定手段の機能が若干変更されている。このため、
第２切換手段には新たな参照符号「１６５ａ」を付し、
静止画モード指定手段には新たな参照符号「１７０ａ」
を付してある。
が付設されたのに伴って、第２切換手段および静止画モ
ード指定手段の機能が若干変更されている。このため、
第２切換手段には新たな参照符号「１６５ａ」を付し、
静止画モード指定手段には新たな参照符号「１７０ａ」
を付してある。
【０１２３】第３の静止画モード制御部２１０は、前述
した第２の静止画モード制御部１３５と同様に、ストロ
ボ等の閃光装置１４０に閃光装置動作信号を供給すると
ともに、１フレーム分の静止画用画像信号をＭＯＳ型固
体撮像装置１００に出力させる。閃光装置１４０を動作
させ、逆光補正が行われた１フレーム分の静止画用画像
信号をＭＯＳ型固体撮像装置１００に出力させることが
できる。また、この静止画用画像信号を基に、映像信号
処理部１８０から静止画データを出力させる。
した第２の静止画モード制御部１３５と同様に、ストロ
ボ等の閃光装置１４０に閃光装置動作信号を供給すると
ともに、１フレーム分の静止画用画像信号をＭＯＳ型固
体撮像装置１００に出力させる。閃光装置１４０を動作
させ、逆光補正が行われた１フレーム分の静止画用画像
信号をＭＯＳ型固体撮像装置１００に出力させることが
できる。また、この静止画用画像信号を基に、映像信号
処理部１８０から静止画データを出力させる。
【０１２４】第２の静止画モード制御部１３５による制
御の下に得られる静止画用画像信号は、露光時間が１回
の画像信号読み出し期間と１回の垂直ブランキング期間
との和となっている画像信号である。
御の下に得られる静止画用画像信号は、露光時間が１回
の画像信号読み出し期間と１回の垂直ブランキング期間
との和となっている画像信号である。
【０１２５】これに対し、第３の静止画モード制御部２
１０は、露光時間が２回の画像信号読み出し期間より長
い静止画用画像信号が得られるように、ＭＯＳ型固体撮
像装置１００を制御する。
１０は、露光時間が２回の画像信号読み出し期間より長
い静止画用画像信号が得られるように、ＭＯＳ型固体撮
像装置１００を制御する。
【０１２６】第３の静止画モード制御部２１０は、その
全てまたは一部を、ＭＯＳ型固体撮像装置１００と同一
の半導体チップに集積化することができる。また、ＭＯ
Ｓ型固体撮像装置１００中の制御部６０や主制御部１５
０とは別個に設けることもできる。
全てまたは一部を、ＭＯＳ型固体撮像装置１００と同一
の半導体チップに集積化することができる。また、ＭＯ
Ｓ型固体撮像装置１００中の制御部６０や主制御部１５
０とは別個に設けることもできる。
【０１２７】第２切換手段１６５ａは、動画モード制御
部１２０による動画モード制御から第１、第２および第
３の静止画モード制御部１３０、１３５、２１０のいず
れかの制御部による制御へ切り換えることができるよう
に、構成されている。
部１２０による動画モード制御から第１、第２および第
３の静止画モード制御部１３０、１３５、２１０のいず
れかの制御部による制御へ切り換えることができるよう
に、構成されている。
【０１２８】静止画モード指定手段１７０ａは、第１、
第２および第３の静止画モード制御部１３０、１３５、
２１０のどの制御部の下にＭＯＳ型固体撮像装置１００
を動作させるかを指定することができるように、構成さ
れる。
第２および第３の静止画モード制御部１３０、１３５、
２１０のどの制御部の下にＭＯＳ型固体撮像装置１００
を動作させるかを指定することができるように、構成さ
れる。
【０１２９】図６に示した電子カメラ３００の動作は、
第３の静止画モード制御部２１０の制御の下での動作を
除き、図２に示した電子カメラ２００の動作と同様であ
る。
第３の静止画モード制御部２１０の制御の下での動作を
除き、図２に示した電子カメラ２００の動作と同様であ
る。
【０１３０】静止画モード指定手段１７０によって第３
の静止画モード制御部２１０が指定されているときに、
静止画指示信号発生部１７５が操作されて静止画指示信
号が発せられると、第３の静止画モード制御部２１０に
よる制御が開始される。電子カメラ３００を第３の静止
画モード制御手段２１０の下に動作させることにより、
ストロボ等の閃光装置１４０を動作させて、逆光補正お
よび長時間露光された被写体像の静止画データを得るこ
とができる。
の静止画モード制御部２１０が指定されているときに、
静止画指示信号発生部１７５が操作されて静止画指示信
号が発せられると、第３の静止画モード制御部２１０に
よる制御が開始される。電子カメラ３００を第３の静止
画モード制御手段２１０の下に動作させることにより、
ストロボ等の閃光装置１４０を動作させて、逆光補正お
よび長時間露光された被写体像の静止画データを得るこ
とができる。
【０１３１】以下、動画モード制御部１２０によってプ
ログレッシブ走査に対応した画像信号読み出し動作を行
っているときに第３の静止画モード制御部２１０による
制御に切り換える場合を例にとり、電子カメラ３００の
動作を説明する。
ログレッシブ走査に対応した画像信号読み出し動作を行
っているときに第３の静止画モード制御部２１０による
制御に切り換える場合を例にとり、電子カメラ３００の
動作を説明する。
【０１３２】図７は、電子カメラ３００を第３の静止画
モード制御部２１０による制御の下に動作させたときの
垂直ブランキングパルス、静止画指示信号、ＭＯＳ型固
体撮像装置１００の動作、閃光装置動作信号、および、
画像信号処理部１８０からの出力それぞれの関係の一例
を説明するためのタイミングチャートである。
モード制御部２１０による制御の下に動作させたときの
垂直ブランキングパルス、静止画指示信号、ＭＯＳ型固
体撮像装置１００の動作、閃光装置動作信号、および、
画像信号処理部１８０からの出力それぞれの関係の一例
を説明するためのタイミングチャートである。
【０１３３】図７に示した事項のうち図４に示した事項
と共通するものについては、図４で用いた用語または記
号と同じ用語または記号を用いて表して、その説明を省
略する。
と共通するものについては、図４で用いた用語または記
号と同じ用語または記号を用いて表して、その説明を省
略する。
【０１３４】第３の静止画モード制御部２１０による制
御は、静止画指示信号ＳＰが発せられた後最初に行われ
る電子シャッタ動作、すなわち、画像信号読み出し期間
Ｈ１に開始される電子シャッタ動作ＥＳ２、画像信号読
み出し期間Ｈ１の次に設定される画像信号読み出し期間
Ｈ２に行われる画像信号読み出し動作Ｇ３、この画像信
号読み出し期間Ｈ２内に開始される電子シャッタ動作Ｅ
Ｓ３、および、静止画指示信号ＳＰが発せられた後３番
目に設定される画像信号読み出し期間である静止画像信
号読み出し期間Ｈ３に行われる画像信号読み出し動作Ｇ
４に対して行われる。この制御は、画像信号読み出し動
作Ｇ２、閃光装置１４０および映像信号処理部１８０に
対しても行われる。
御は、静止画指示信号ＳＰが発せられた後最初に行われ
る電子シャッタ動作、すなわち、画像信号読み出し期間
Ｈ１に開始される電子シャッタ動作ＥＳ２、画像信号読
み出し期間Ｈ１の次に設定される画像信号読み出し期間
Ｈ２に行われる画像信号読み出し動作Ｇ３、この画像信
号読み出し期間Ｈ２内に開始される電子シャッタ動作Ｅ
Ｓ３、および、静止画指示信号ＳＰが発せられた後３番
目に設定される画像信号読み出し期間である静止画像信
号読み出し期間Ｈ３に行われる画像信号読み出し動作Ｇ
４に対して行われる。この制御は、画像信号読み出し動
作Ｇ２、閃光装置１４０および映像信号処理部１８０に
対しても行われる。
【０１３５】画像信号読み出し動作Ｇ１、Ｇ５および電
子シャッタ動作ＥＳ１、ＥＳ４、ＥＳ５は、動画モード
制御部１２０によって制御される。
子シャッタ動作ＥＳ１、ＥＳ４、ＥＳ５は、動画モード
制御部１２０によって制御される。
【０１３６】第３の静止画モード制御部２１０は、画像
信号読み出し動作Ｇ２を動画モード制御時と同様にして
実施する。ただし、この画像信号読み出し動作Ｇ２は、
出力信号を発生させ終わった光電変換素子に蓄積されて
いる電荷を光電変換素子行単位で排出するリセット動作
を必ず含む。このリセット動作は、電子シャッタ動作Ｅ
Ｓ２とは別の動作である。例えば、出力用信号線の各々
に光電変換素子行単位で出力信号を発生させる動作とリ
セット動作とが、光電変換素子行毎にこの順番で順次行
われる。
信号読み出し動作Ｇ２を動画モード制御時と同様にして
実施する。ただし、この画像信号読み出し動作Ｇ２は、
出力信号を発生させ終わった光電変換素子に蓄積されて
いる電荷を光電変換素子行単位で排出するリセット動作
を必ず含む。このリセット動作は、電子シャッタ動作Ｅ
Ｓ２とは別の動作である。例えば、出力用信号線の各々
に光電変換素子行単位で出力信号を発生させる動作とリ
セット動作とが、光電変換素子行毎にこの順番で順次行
われる。
【０１３７】その一方で、第３の静止画モード制御部２
１０は、画像信号読み出し期間Ｈ１内に開始される筈で
あった電子シャッタ動作ＥＳ２を中止させ、画像信号読
み出し期間Ｈ１と画像信号読み出し期間Ｈ２との間に設
定される垂直ブランキング期間Ｖ１に閃光装置動作信号
ＦＰを発する。また、画像信号読み出し期間Ｈ２に行わ
れる筈であった画像信号読み出し動作Ｇ３、および、こ
の画像信号読み出し期間Ｈ２内に開始される筈であった
電子シャッタ動作ＥＳ３を中止させる。画像信号読み出
し期間Ｈ２の終了後に１回の垂直ブランキング期間Ｖ２
を挟んで設定される静止画像信号読み出し期間Ｈ３に、
画像信号読み出し動作Ｇ４を行う。
１０は、画像信号読み出し期間Ｈ１内に開始される筈で
あった電子シャッタ動作ＥＳ２を中止させ、画像信号読
み出し期間Ｈ１と画像信号読み出し期間Ｈ２との間に設
定される垂直ブランキング期間Ｖ１に閃光装置動作信号
ＦＰを発する。また、画像信号読み出し期間Ｈ２に行わ
れる筈であった画像信号読み出し動作Ｇ３、および、こ
の画像信号読み出し期間Ｈ２内に開始される筈であった
電子シャッタ動作ＥＳ３を中止させる。画像信号読み出
し期間Ｈ２の終了後に１回の垂直ブランキング期間Ｖ２
を挟んで設定される静止画像信号読み出し期間Ｈ３に、
画像信号読み出し動作Ｇ４を行う。
【０１３８】画像信号処理部１８０は、ＭＯＳ型固体撮
像装置１００が画像信号読み出し動作Ｇ４に基づいて出
力した画像信号を基に静止画データＳＤ１を出力する。
他の画像信号読み出し動作Ｇ１、Ｇ２、Ｇ５に基づいて
供給された画像信号を基に、動画データＡＤ１、ＡＤ
２、ＡＤ５を出力する。画像信号読み出し動作Ｇ４に基
づいて供給された画像信号を基にした動画データＡＤ４
は出力しない。ただし、動画データＡＤ４が出力される
ように電子カメラ３００を構成することも可能であろ
う。
像装置１００が画像信号読み出し動作Ｇ４に基づいて出
力した画像信号を基に静止画データＳＤ１を出力する。
他の画像信号読み出し動作Ｇ１、Ｇ２、Ｇ５に基づいて
供給された画像信号を基に、動画データＡＤ１、ＡＤ
２、ＡＤ５を出力する。画像信号読み出し動作Ｇ４に基
づいて供給された画像信号を基にした動画データＡＤ４
は出力しない。ただし、動画データＡＤ４が出力される
ように電子カメラ３００を構成することも可能であろ
う。
【０１３９】これらの制御を除けば、第３の静止画モー
ド制御部２１０は第１の静止画モード制御部１３０と同
様の制御を行う。
ド制御部２１０は第１の静止画モード制御部１３０と同
様の制御を行う。
【０１４０】これらの結果として、露光時間が２回の画
像信号読み出し期間より長く設定された画像信号を基
に、画像信号処理部１８０が静止画データＳＤ１を出力
する。
像信号読み出し期間より長く設定された画像信号を基
に、画像信号処理部１８０が静止画データＳＤ１を出力
する。
【０１４１】閃光装置動作信号ＦＰが発せられることか
ら、垂直ブランキング期間Ｖ１にストロボ等の閃光装置
１４０を動作させることができる。電子シャッタ動作を
中止している期間中に閃光装置１４０を動作させること
ができるので、均等に逆光補正された被写体像の静止画
データを得ることができる。また、露光時間を２回の画
像信号読み出し期間より長く設定できるので、被写体と
その背景との距離が遠く、背景が暗いシーンでも、逆光
補正された被写体像と比較的鮮明な背景とを写すことが
可能になる。
ら、垂直ブランキング期間Ｖ１にストロボ等の閃光装置
１４０を動作させることができる。電子シャッタ動作を
中止している期間中に閃光装置１４０を動作させること
ができるので、均等に逆光補正された被写体像の静止画
データを得ることができる。また、露光時間を２回の画
像信号読み出し期間より長く設定できるので、被写体と
その背景との距離が遠く、背景が暗いシーンでも、逆光
補正された被写体像と比較的鮮明な背景とを写すことが
可能になる。
【０１４２】なお、図７に示した例では、露光時間が２
回の画像信号読み出し期間と２回の垂直ブランキング期
間との和に設定された静止画データＳＤ１を得ている
が、静止画データを得る際の露光時間を３回の画像信号
読み出し期間より長く設定することも可能である。
回の画像信号読み出し期間と２回の垂直ブランキング期
間との和に設定された静止画データＳＤ１を得ている
が、静止画データを得る際の露光時間を３回の画像信号
読み出し期間より長く設定することも可能である。
【０１４３】図８は、更に他の実施例による電子カメラ
の概略を示すブロック図である。同図に示すように、本
実施例の電子カメラ３１０では、図６に示した電子カメ
ラ３００にオートアイリス２２０が付設されている。
の概略を示すブロック図である。同図に示すように、本
実施例の電子カメラ３１０では、図６に示した電子カメ
ラ３００にオートアイリス２２０が付設されている。
【０１４４】他の構成は電子カメラ３００と共通してい
るので、図８に示した構成要素のうちで図６に示した構
成要素と共通するものについては、図６で用いた参照符
号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
るので、図８に示した構成要素のうちで図６に示した構
成要素と共通するものについては、図６で用いた参照符
号と同じ参照符号を付してその説明を省略する。
【０１４５】ただし、オートアイリス２２０が付設され
たのに伴って、動画モード制御部、第１の静止画モード
制御部、第２の静止画モード制御部、第３の静止画モー
ド制御部および主制御部の機能が若干変更されている。
このため、これらの制御部には新たな参照符号を付して
ある。
たのに伴って、動画モード制御部、第１の静止画モード
制御部、第２の静止画モード制御部、第３の静止画モー
ド制御部および主制御部の機能が若干変更されている。
このため、これらの制御部には新たな参照符号を付して
ある。
【０１４６】図示した電子カメラ３１０における主制御
部１５０ａは、測光部１８５から露光条件の信号を受け
取ると、この値から露光条件が最適範囲内であるか否か
を判断し、その結果を動画モード制御部１２０ａおよび
第１の静止画モード制御部１３０ａの他に、第２の静止
画モード制御部１３５ａおよび第３の静止画モード制御
部２１０ａにも伝える。この点で、図６に示した主制御
部１５０と異なる。
部１５０ａは、測光部１８５から露光条件の信号を受け
取ると、この値から露光条件が最適範囲内であるか否か
を判断し、その結果を動画モード制御部１２０ａおよび
第１の静止画モード制御部１３０ａの他に、第２の静止
画モード制御部１３５ａおよび第３の静止画モード制御
部２１０ａにも伝える。この点で、図６に示した主制御
部１５０と異なる。
【０１４７】動画モード制御部１２０ａおよび第１の静
止画モード制御部１３０ａは、ＡＥ動作の他に、オート
アイリス２２０の開閉動作の制御を行うことができる。
この点で、図６に示した動画モード制御部１２０、第１
の静止画モード制御部１３０と異なる。
止画モード制御部１３０ａは、ＡＥ動作の他に、オート
アイリス２２０の開閉動作の制御を行うことができる。
この点で、図６に示した動画モード制御部１２０、第１
の静止画モード制御部１３０と異なる。
【０１４８】本明細書では、オートアイリスの開閉を制
御してＭＯＳ型固体撮像装置１００における光電変換素
子１０の露光量を調節する動作を、露光量調節動作とい
う。この露光量調節動作を、以下、「ＡＩ動作」という
ことがある。
御してＭＯＳ型固体撮像装置１００における光電変換素
子１０の露光量を調節する動作を、露光量調節動作とい
う。この露光量調節動作を、以下、「ＡＩ動作」という
ことがある。
【０１４９】第２の静止画モード制御部１３５ａおよび
第３の静止画モード制御部２１０ａも、ＡＩ動作を行う
ことができる。この点で、図６に示した第２の静止画モ
ード制御部１３５、第３の静止画モード制御部２１０と
異なる。
第３の静止画モード制御部２１０ａも、ＡＩ動作を行う
ことができる。この点で、図６に示した第２の静止画モ
ード制御部１３５、第３の静止画モード制御部２１０と
異なる。
【０１５０】動画モード制御部１２０ａ、第１の静止画
モード制御部１３０ａ、第２の静止画モード制御部１３
５ａおよび第３の静止画モード制御部２１０ａがそれぞ
れＡＩ動作を行うことができることから、図６に示した
電子カメラ３００よりも更に緻密に、光電変換素子の露
光量を制御することができる。
モード制御部１３０ａ、第２の静止画モード制御部１３
５ａおよび第３の静止画モード制御部２１０ａがそれぞ
れＡＩ動作を行うことができることから、図６に示した
電子カメラ３００よりも更に緻密に、光電変換素子の露
光量を制御することができる。
【０１５１】この点を除けば、図８に示した電子カメラ
３１０は、図６に示した電子カメラ３００と同様に動作
する。
３１０は、図６に示した電子カメラ３００と同様に動作
する。
【０１５２】以下、動画モード制御部１２０ａによって
プログレッシブ走査に対応した画像信号読み出し動作を
行っているときに第２の静止画モード制御部１３５ａに
よる制御に切り換える場合を例にとり、電子カメラ３１
０の動作を説明する。
プログレッシブ走査に対応した画像信号読み出し動作を
行っているときに第２の静止画モード制御部１３５ａに
よる制御に切り換える場合を例にとり、電子カメラ３１
０の動作を説明する。
【０１５３】図９は、電子カメラ３１０を第２の静止画
モード制御部１３５ａによる制御の下に動作させたとき
の垂直ブランキングパルス、静止画指示信号、ＭＯＳ型
固体撮像装置１００の動作、閃光装置動作信号、撮像光
学系の絞り（Ｆ値）、および、画像信号処理部１８０か
らの出力それぞれの関係の一例を説明するためのタイミ
ングチャートである。
モード制御部１３５ａによる制御の下に動作させたとき
の垂直ブランキングパルス、静止画指示信号、ＭＯＳ型
固体撮像装置１００の動作、閃光装置動作信号、撮像光
学系の絞り（Ｆ値）、および、画像信号処理部１８０か
らの出力それぞれの関係の一例を説明するためのタイミ
ングチャートである。
【０１５４】図９に示した事項のうち図５に示した事項
と共通するものについては、図５で用いた用語または記
号と同じ用語または記号を用いて表して、その説明を省
略する。
と共通するものについては、図５で用いた用語または記
号と同じ用語または記号を用いて表して、その説明を省
略する。
【０１５５】第２の静止画モード制御部１３５ａによる
制御は、画像信号読み出し動作Ｇ２、電子シャッタ動作
ＥＳ２、画像信号読み出し動作Ｇ３、閃光装置１４０、
オートアイリス２２０および映像信号処理部１８０に対
して行われる。画像信号読み出し動作Ｇ１、Ｇ４および
電子シャッタ動作ＥＳ１、ＥＳ３、ＥＳ４は、動画モー
ド制御部１２０ａによって制御される。
制御は、画像信号読み出し動作Ｇ２、電子シャッタ動作
ＥＳ２、画像信号読み出し動作Ｇ３、閃光装置１４０、
オートアイリス２２０および映像信号処理部１８０に対
して行われる。画像信号読み出し動作Ｇ１、Ｇ４および
電子シャッタ動作ＥＳ１、ＥＳ３、ＥＳ４は、動画モー
ド制御部１２０ａによって制御される。
【０１５６】第２の静止画モード制御部１３５ａによる
制御の下での露光時間は、画像信号読み出し動作Ｇ２か
ら次の画像信号読み出し動作Ｇ３までの横方向距離、す
なわち、１回の画像信号読み出し期間の長さと１回の垂
直ブランキング期間の長さとの和になる。この露光時間
は、動画モード制御部１２０ａによる制御の下での露光
時間より長い。
制御の下での露光時間は、画像信号読み出し動作Ｇ２か
ら次の画像信号読み出し動作Ｇ３までの横方向距離、す
なわち、１回の画像信号読み出し期間の長さと１回の垂
直ブランキング期間の長さとの和になる。この露光時間
は、動画モード制御部１２０ａによる制御の下での露光
時間より長い。
【０１５７】このため、ＡＩ動作を行わないと、動画モ
ード制御部１２０ａによる動画モード制御の下において
は最適な露光条件であったとしても、第２の静止画モー
ド制御部１３５ａによる制御の下では最適な露光条件か
ら外れることがある。
ード制御部１２０ａによる動画モード制御の下において
は最適な露光条件であったとしても、第２の静止画モー
ド制御部１３５ａによる制御の下では最適な露光条件か
ら外れることがある。
【０１５８】これを防止するために、第２の静止画モー
ド制御部１３５ａは、静止画指示信号ＳＰが発せられた
後画像信号読み出し動作Ｇ２が開始される前に、ＡＩ動
作を開始する。露光条件が最適範囲内に入るように、ま
たは、最適範囲に近づくように、オートアイリス２２０
を絞る。撮像光学系１１０の絞り（Ｆ値）を、動画モー
ド制御部１２０ａによる動画モード制御の下での絞りＦ
１より大きな値Ｆ２にする。
ド制御部１３５ａは、静止画指示信号ＳＰが発せられた
後画像信号読み出し動作Ｇ２が開始される前に、ＡＩ動
作を開始する。露光条件が最適範囲内に入るように、ま
たは、最適範囲に近づくように、オートアイリス２２０
を絞る。撮像光学系１１０の絞り（Ｆ値）を、動画モー
ド制御部１２０ａによる動画モード制御の下での絞りＦ
１より大きな値Ｆ２にする。
【０１５９】図５に示した第２の静止画モード制御部１
３５による制御の下で得られる静止画データＳＤ１より
も、適正露出またはそれに近い静止画を再現することが
可能な静止画データＳＤ２を得ることができる。
３５による制御の下で得られる静止画データＳＤ１より
も、適正露出またはそれに近い静止画を再現することが
可能な静止画データＳＤ２を得ることができる。
【０１６０】第２の静止画モード制御部１３５ａによる
ＡＩ動作は、画像信号読み出し動作Ｇ３の終了と同時
に、または、画像信号読み出し動作Ｇ３の終了後画像信
号読み出し動作Ｇ４の開始前に終了する。このＡＩ動作
の終了に続いて、動画モード制御部１２０ａによるＡＩ
動作が開始される。
ＡＩ動作は、画像信号読み出し動作Ｇ３の終了と同時
に、または、画像信号読み出し動作Ｇ３の終了後画像信
号読み出し動作Ｇ４の開始前に終了する。このＡＩ動作
の終了に続いて、動画モード制御部１２０ａによるＡＩ
動作が開始される。
【０１６１】以上実施例による電子カメラについて説明
したが、本発明は上述した実施例に限定されるものでは
ない。
したが、本発明は上述した実施例に限定されるものでは
ない。
【０１６２】例えば、ＭＯＳ型固体撮像装置は、光電変
換素子の各々に蓄積されている電荷量に応じた出力信号
を光電変換素子行単位で順次発生させる画像信号読み出
し動作と、光電変換素子の各々に蓄積されている電荷を
光電変換素子行単位で順次排出する電子シャッタ動作と
を行うことができれば、その構成を適宜変更することが
可能である。
換素子の各々に蓄積されている電荷量に応じた出力信号
を光電変換素子行単位で順次発生させる画像信号読み出
し動作と、光電変換素子の各々に蓄積されている電荷を
光電変換素子行単位で順次排出する電子シャッタ動作と
を行うことができれば、その構成を適宜変更することが
可能である。
【０１６３】例えば、光電変換素子の各々は、正方行列
状に配置する以外に、画素ずらし配置することができ
る。
状に配置する以外に、画素ずらし配置することができ
る。
【０１６４】ここで、本明細書でいう「画素ずらし配
置」とは、奇数番目に当たる光電変換素子列を構成する
各光電変換素子に対し、偶数番目に当たる光電変換素子
列を構成する光電変換素子の各々が、各光電変換素子列
内での光電変換素子同士のピッチＰ1 の約１／２、列方
向にずれ、奇数番目に当たる光電変換素子行を構成する
各光電変換素子に対し、偶数番目に当たる光電変換素子
行を構成する光電変換素子の各々が、各光電変換素子行
内での光電変換素子同士のピッチＰ2 の約１／２、行方
向にずれ、光電変換素子行の各々が奇数列または偶数列
の光電変換素子のみを含む、多数個の光電変換素子の配
置を意味する。上記のピッチＰ1 と上記のピッチＰ2 と
は同じ値であってもよいし、異なる値であってもよい。
置」とは、奇数番目に当たる光電変換素子列を構成する
各光電変換素子に対し、偶数番目に当たる光電変換素子
列を構成する光電変換素子の各々が、各光電変換素子列
内での光電変換素子同士のピッチＰ1 の約１／２、列方
向にずれ、奇数番目に当たる光電変換素子行を構成する
各光電変換素子に対し、偶数番目に当たる光電変換素子
行を構成する光電変換素子の各々が、各光電変換素子行
内での光電変換素子同士のピッチＰ2 の約１／２、行方
向にずれ、光電変換素子行の各々が奇数列または偶数列
の光電変換素子のみを含む、多数個の光電変換素子の配
置を意味する。上記のピッチＰ1 と上記のピッチＰ2 と
は同じ値であってもよいし、異なる値であってもよい。
【０１６５】また、「光電変換素子同士のピッチＰ1 の
約１／２」とは、Ｐ1 ／２を含む他に、製造誤差、設計
上もしくはマスク製作上起こる画素位置の丸め誤差等の
要因によってＰ1 ／２からはずれてはいるものの、得ら
れる固体撮像装置の性能およびその画像の画質からみて
実質的にＰ1 ／２と同等とみなすことができる値をも含
むものとする。本明細書でいう「光電変換素子同士のピ
ッチＰ2 の約１／２」についても同様である。
約１／２」とは、Ｐ1 ／２を含む他に、製造誤差、設計
上もしくはマスク製作上起こる画素位置の丸め誤差等の
要因によってＰ1 ／２からはずれてはいるものの、得ら
れる固体撮像装置の性能およびその画像の画質からみて
実質的にＰ1 ／２と同等とみなすことができる値をも含
むものとする。本明細書でいう「光電変換素子同士のピ
ッチＰ2 の約１／２」についても同様である。
【０１６６】画像信号読み出し動作と電子シャッタ動作
とを光電変換素子行単位で行ううえからは、実施例のＭ
ＯＳ型固体撮像装置１００のように、個々の光電変換素
子にスイッチング回路部を付設することが好ましい。ス
イッチング回路部は、３個のトランジスタを用いて構成
する以外に、４個のトランジスタを用いて構成すること
もできる。
とを光電変換素子行単位で行ううえからは、実施例のＭ
ＯＳ型固体撮像装置１００のように、個々の光電変換素
子にスイッチング回路部を付設することが好ましい。ス
イッチング回路部は、３個のトランジスタを用いて構成
する以外に、４個のトランジスタを用いて構成すること
もできる。
【０１６７】図１０は、４個のトランジスタを用いて構
成されたスイッチング回路部の一例を示す等価回路図で
ある。同図に示すスイッチング回路部２０ａは、図１
（Ｂ）に示したスイッチング回路部２０に、更に、電荷
転送用トランジスタ２４と転送信号供給配線２９とが増
設された構成を有する。
成されたスイッチング回路部の一例を示す等価回路図で
ある。同図に示すスイッチング回路部２０ａは、図１
（Ｂ）に示したスイッチング回路部２０に、更に、電荷
転送用トランジスタ２４と転送信号供給配線２９とが増
設された構成を有する。
【０１６８】このため、図１０に示した構成要素のうち
図１（Ｂ）に示した構成要素と共通するものについて
は、図１（Ｂ）で用いた参照符号と同じ参照符号を付し
てその説明を省略する。
図１（Ｂ）に示した構成要素と共通するものについて
は、図１（Ｂ）で用いた参照符号と同じ参照符号を付し
てその説明を省略する。
【０１６９】電荷転送用トランジスタ２４は、対応する
光電変換素子１０と節点Ｎとの間に接続される。節点Ｎ
は、配線２６とリセット用トランジスタ２３との節点で
ある。転送用トランジスタ２４の制御端子（ゲート）
は、対応する転送信号供給配線２９に電気的に接続され
る。構造的には、転送信号供給配線２９の一部が転送用
トランジスタ２４のゲート電極を兼ねていてもよい。電
荷転送用トランジスタ２４は、例えばＭＯＳトランジス
タからなる。
光電変換素子１０と節点Ｎとの間に接続される。節点Ｎ
は、配線２６とリセット用トランジスタ２３との節点で
ある。転送用トランジスタ２４の制御端子（ゲート）
は、対応する転送信号供給配線２９に電気的に接続され
る。構造的には、転送信号供給配線２９の一部が転送用
トランジスタ２４のゲート電極を兼ねていてもよい。電
荷転送用トランジスタ２４は、例えばＭＯＳトランジス
タからなる。
【０１７０】１行の光電変換素子行に１本ずつ、転送信
号供給配線２９が配設される。個々の転送信号供給配線
２９は、対応する光電変換素子行に沿って延在する。
号供給配線２９が配設される。個々の転送信号供給配線
２９は、対応する光電変換素子行に沿って延在する。
【０１７１】転送信号供給配線２９は、例えばポリシリ
コン、ポリサイド、アルミニウム、タングステン、タン
グステン合金、モリブデン、モリブデン合金等の導電性
材料によって形成される。転送信号供給配線２９は、図
示を省略した電気的絶縁層によって、他の配線および半
導体基板と電気的に絶縁されている。
コン、ポリサイド、アルミニウム、タングステン、タン
グステン合金、モリブデン、モリブデン合金等の導電性
材料によって形成される。転送信号供給配線２９は、図
示を省略した電気的絶縁層によって、他の配線および半
導体基板と電気的に絶縁されている。
【０１７２】例えば図１（Ａ）に示したＭＯＳ型固体撮
像装置１００において光電変換素子１０の各々にスイッ
チング回路部２０ａを付設した場合、半導体基板１上に
第３の走査部が増設される。各転送信号供給配線２９の
一端は、第３の走査部に電気的に接続される。
像装置１００において光電変換素子１０の各々にスイッ
チング回路部２０ａを付設した場合、半導体基板１上に
第３の走査部が増設される。各転送信号供給配線２９の
一端は、第３の走査部に電気的に接続される。
【０１７３】第３の走査部は、各転送信号供給配線２９
に所定のタイミングで転送制御信号を供給する。第３の
走査部の動作は、例えば制御部６０によって制御され
る。
に所定のタイミングで転送制御信号を供給する。第３の
走査部の動作は、例えば制御部６０によって制御され
る。
【０１７４】画像信号読み出し動作は、例えば次のよう
にして行うことができる。
にして行うことができる。
【０１７５】まず、第１光電変換素子行１１に対応する
行選択用信号配線２７に、行読み出し走査部４５から画
像信号読み出し信号を供給する。対応する行選択用トラ
ンジスタ２２の各々がオンする。出力用トランジスタ２
１が、行選択用トランジスタ２２を介して、出力用信号
線３０に接続される。
行選択用信号配線２７に、行読み出し走査部４５から画
像信号読み出し信号を供給する。対応する行選択用トラ
ンジスタ２２の各々がオンする。出力用トランジスタ２
１が、行選択用トランジスタ２２を介して、出力用信号
線３０に接続される。
【０１７６】次いで、第１光電変換素子行１１に対応す
るリセット信号供給配線２８に、行リセット走査部４０
からリセット信号を供給する。対応するリセット用トラ
ンジスタ２３の各々がオンし、このリセット用トランジ
スタ２３に対応する出力用トランジスタ２１それぞれの
ゲート部にある不要電荷が、対応する電源電圧供給配線
２５に排出される。
るリセット信号供給配線２８に、行リセット走査部４０
からリセット信号を供給する。対応するリセット用トラ
ンジスタ２３の各々がオンし、このリセット用トランジ
スタ２３に対応する出力用トランジスタ２１それぞれの
ゲート部にある不要電荷が、対応する電源電圧供給配線
２５に排出される。
【０１７７】リセット信号を供給し終えた後、第１光電
変換素子行１１に対応する転送信号供給配線２９に、第
３の走査部から転送制御信号を供給する。対応する電荷
転送用トランジスタ２４の各々がオンし、光電変換素子
１０に蓄積されている電荷量に応じた電圧が出力用トラ
ンジスタ２１のゲートに印加され、出力用トランジスタ
２１の抵抗値が変化する。出力用トランジスタ２１とア
ナログ出力部５０内の負荷抵抗、例えば負荷トランジス
タとが、電源電圧供給配線２５と接地との間に接続さ
れ、ソースホロアアンプを構成する。第１行光電変換素
子１０の各々に蓄積されている電荷量に応じた出力信号
が、対応する出力用信号線３０の各々に発生する。
変換素子行１１に対応する転送信号供給配線２９に、第
３の走査部から転送制御信号を供給する。対応する電荷
転送用トランジスタ２４の各々がオンし、光電変換素子
１０に蓄積されている電荷量に応じた電圧が出力用トラ
ンジスタ２１のゲートに印加され、出力用トランジスタ
２１の抵抗値が変化する。出力用トランジスタ２１とア
ナログ出力部５０内の負荷抵抗、例えば負荷トランジス
タとが、電源電圧供給配線２５と接地との間に接続さ
れ、ソースホロアアンプを構成する。第１行光電変換素
子１０の各々に蓄積されている電荷量に応じた出力信号
が、対応する出力用信号線３０の各々に発生する。
【０１７８】この後、第２光電変換素子行から最終行の
光電変換素子行まで、上記の操作を順次行う。画像信号
読み出し動作が完了する。
光電変換素子行まで、上記の操作を順次行う。画像信号
読み出し動作が完了する。
【０１７９】なお、必要に応じて、１行の光電変換素子
行１１単位で出力信号線３０の各々に出力信号を発生さ
せ終わった直後に、この行の光電変換素子１０に蓄積さ
れている電荷を電源電圧供給配線２５に排出する。
行１１単位で出力信号線３０の各々に出力信号を発生さ
せ終わった直後に、この行の光電変換素子１０に蓄積さ
れている電荷を電源電圧供給配線２５に排出する。
【０１８０】光電変換素子行１１単位での電荷の排出
は、例えば次のようにして行うことができる。
は、例えば次のようにして行うことができる。
【０１８１】まず、電荷を排出しようとする光電変換素
子行１１（以下、「第ｎ光電変換素子行１１」とい
う。）に対応するリセット信号供給配線２８に、行リセ
ット走査部４０からリセット信号を供給する。対応する
リセット用トランジスタ２３の各々がオンする。
子行１１（以下、「第ｎ光電変換素子行１１」とい
う。）に対応するリセット信号供給配線２８に、行リセ
ット走査部４０からリセット信号を供給する。対応する
リセット用トランジスタ２３の各々がオンする。
【０１８２】次に、第ｎ光電変換素子行１１に対応する
転送信号供給配線２９に、第３の走査部から転送制御信
号を供給する。対応する電荷転送用トランジスタ２４の
各々がオンし、第ｎ行光電変換素子１０の各々に蓄積さ
れている電荷が、対応する電源電圧供給配線２５に排出
される。第ｎ行光電変換素子１０の各々がリセットされ
る。
転送信号供給配線２９に、第３の走査部から転送制御信
号を供給する。対応する電荷転送用トランジスタ２４の
各々がオンし、第ｎ行光電変換素子１０の各々に蓄積さ
れている電荷が、対応する電源電圧供給配線２５に排出
される。第ｎ行光電変換素子１０の各々がリセットされ
る。
【０１８３】このとき、対応する出力用トランジスタ２
１のゲート部に電荷の一部が留まることもあり得る。し
かしながら、この電荷は、第ｎ光電変換素子行１１に対
する次の画像信号読み出し動作の初期段階で電源電圧供
給配線２５に排出される。したがって、第ｎ光電変換素
子行１１に対する次の画像信号読み出し動作時に、この
電荷が混入した状態で出力信号が発生することはない。
１のゲート部に電荷の一部が留まることもあり得る。し
かしながら、この電荷は、第ｎ光電変換素子行１１に対
する次の画像信号読み出し動作の初期段階で電源電圧供
給配線２５に排出される。したがって、第ｎ光電変換素
子行１１に対する次の画像信号読み出し動作時に、この
電荷が混入した状態で出力信号が発生することはない。
【０１８４】なお、第ｎ行光電変換素子１０に蓄積され
ている電荷を排出するために使用されるリセット信号と
転送制御信号とは、リセット信号を先に供給しさえすれ
ば、時間的に離れていてもよい。また、リセット信号と
転送制御信号とは、オーバーラップさせて供給してもよ
い。
ている電荷を排出するために使用されるリセット信号と
転送制御信号とは、リセット信号を先に供給しさえすれ
ば、時間的に離れていてもよい。また、リセット信号と
転送制御信号とは、オーバーラップさせて供給してもよ
い。
【０１８５】電子シャッタ動作では、上述した排出（リ
セット）動作が、第１光電変換素子行から最終行の光電
変換素子行まで順次行われる。
セット）動作が、第１光電変換素子行から最終行の光電
変換素子行まで順次行われる。
【０１８６】光電変換素子の各々に付設されるスイッチ
ング回路部は、１個のトランジスタを用いて構成するこ
ともできる。
ング回路部は、１個のトランジスタを用いて構成するこ
ともできる。
【０１８７】図１１は、１個のトランジスタを用いて構
成されたスイッチング回路部の一例を示す等価回路図で
ある。図１１に示した構成要素のうち図１（Ｂ）に示し
た構成要素と共通するものについては、図１（Ｂ）で用
いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略す
る。
成されたスイッチング回路部の一例を示す等価回路図で
ある。図１１に示した構成要素のうち図１（Ｂ）に示し
た構成要素と共通するものについては、図１（Ｂ）で用
いた参照符号と同じ参照符号を付してその説明を省略す
る。
【０１８８】同図に示すスイッチング回路部２０ｂは、
光電変換素子１０と出力用信号線３０との間に接続され
た１個のトランジスタ２１ａを有する。行選択用信号配
線２７が、トランジスタ２１ａの制御端子（ゲート）に
電気的に接続される。構造的には、行選択用信号配線２
７の一部がトランジスタ２１ａのゲート電極を兼ねてい
てもよい。
光電変換素子１０と出力用信号線３０との間に接続され
た１個のトランジスタ２１ａを有する。行選択用信号配
線２７が、トランジスタ２１ａの制御端子（ゲート）に
電気的に接続される。構造的には、行選択用信号配線２
７の一部がトランジスタ２１ａのゲート電極を兼ねてい
てもよい。
【０１８９】行選択用信号配線２７に所定の電圧を印加
すると、光電変換素子１０に蓄積されている電荷が、対
応する出力用信号線３０に読み出される。出力用信号線
３０に出力信号（電流信号）が流れる。この電流信号
が、そのまま、またはディジタル信号に変換されて、画
像信号となる。光電変換素子行単位で画像信号読み出し
動作を行うことができる。
すると、光電変換素子１０に蓄積されている電荷が、対
応する出力用信号線３０に読み出される。出力用信号線
３０に出力信号（電流信号）が流れる。この電流信号
が、そのまま、またはディジタル信号に変換されて、画
像信号となる。光電変換素子行単位で画像信号読み出し
動作を行うことができる。
【０１９０】電子シャッタ動作時には、各出力用信号線
３０が電源電圧に接続され、この状態で、行選択用信号
配線２７の各々に所定の電圧が順次印加される。光電変
換素子行単位で電子シャッタ動作を行うことができる。
図１（Ａ）に示した行リセット走査部４０を省略するこ
とができる。
３０が電源電圧に接続され、この状態で、行選択用信号
配線２７の各々に所定の電圧が順次印加される。光電変
換素子行単位で電子シャッタ動作を行うことができる。
図１（Ａ）に示した行リセット走査部４０を省略するこ
とができる。
【０１９１】行読み出し走査部の他に行リセット走査部
や第３の走査部を設ける場合、これらの走査部は、各々
を半導体基板の１つの縁に沿わせて並列に配置する他、
半導体基板の複数の箇所に分散配置することもできる。
や第３の走査部を設ける場合、これらの走査部は、各々
を半導体基板の１つの縁に沿わせて並列に配置する他、
半導体基板の複数の箇所に分散配置することもできる。
【０１９２】第１の静止画モード制御部、第２の静止画
モード制御または第３の静止画モード制御部が中止させ
る電子シャッタ動作は、静止画指示信号が発せられた後
最初に行われる筈の電子シャッタ動作に限定されるもの
ではない。電子カメラに求められる性能やその用途、あ
るいは、静止画指示信号が発せられたタイミング等に応
じて、静止画指示信号が発せられた後の所望の時期の電
子シャッタ動作を中止させるように構成することができ
る。
モード制御または第３の静止画モード制御部が中止させ
る電子シャッタ動作は、静止画指示信号が発せられた後
最初に行われる筈の電子シャッタ動作に限定されるもの
ではない。電子カメラに求められる性能やその用途、あ
るいは、静止画指示信号が発せられたタイミング等に応
じて、静止画指示信号が発せられた後の所望の時期の電
子シャッタ動作を中止させるように構成することができ
る。
【０１９３】各実施例の電子カメラを構成するＭＯＳ型
固体撮像装置１００は、アナログの画像信号を出力する
ものであったが、ディジタルの画像信号を出力するもの
であってもよい。
固体撮像装置１００は、アナログの画像信号を出力する
ものであったが、ディジタルの画像信号を出力するもの
であってもよい。
【０１９４】図１２は、ディジタルの画像信号を出力す
ることができるＭＯＳ型固体撮像装置の一例を模式的に
示す平面図である。同図に示すＭＯＳ型固体撮像装置１
００ａは、図１（Ａ）に示したＭＯＳ型固体撮像装置１
００に、更に、ディジタル出力部７０が増設された構成
を有する。
ることができるＭＯＳ型固体撮像装置の一例を模式的に
示す平面図である。同図に示すＭＯＳ型固体撮像装置１
００ａは、図１（Ａ）に示したＭＯＳ型固体撮像装置１
００に、更に、ディジタル出力部７０が増設された構成
を有する。
【０１９５】このため、図１２に示した構成要素のうち
図１（Ａ）に示した構成要素と共通するものについて
は、図１（Ａ）で用いた参照符号と同じ参照符号を付し
てその説明を省略する。制御部については、ディジタル
出力部７０の増設に伴ってその機能が若干変更されてい
るので、新たな参照番号「６０ａ」を付してある。
図１（Ａ）に示した構成要素と共通するものについて
は、図１（Ａ）で用いた参照符号と同じ参照符号を付し
てその説明を省略する。制御部については、ディジタル
出力部７０の増設に伴ってその機能が若干変更されてい
るので、新たな参照番号「６０ａ」を付してある。
【０１９６】ディジタル出力部７０は、例えば、１本の
出力用信号線３０に１個ずつ接続されたＡ／Ｄ変換器
と、Ａ／Ｄ変換器の各々から出力されるディジタル信号
を一時的に保持し、保持したディジタル信号の各々を外
部に出力することができるバッファメモリとを含んで構
成される。
出力用信号線３０に１個ずつ接続されたＡ／Ｄ変換器
と、Ａ／Ｄ変換器の各々から出力されるディジタル信号
を一時的に保持し、保持したディジタル信号の各々を外
部に出力することができるバッファメモリとを含んで構
成される。
【０１９７】各Ａ／Ｄ変換器は、対応する出力用信号線
３０に発生した出力信号に応じてアナログ出力部５０か
ら出力されるアナログの画像信号をディジタル信号に変
換し、バッファメモリに出力する。バッファメモリは、
例えばＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ等の半導体記憶素子を用いて
構成することができる。
３０に発生した出力信号に応じてアナログ出力部５０か
ら出力されるアナログの画像信号をディジタル信号に変
換し、バッファメモリに出力する。バッファメモリは、
例えばＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ等の半導体記憶素子を用いて
構成することができる。
【０１９８】制御部６０ａは、行リセット走査部４０、
行読み出し走査部４５およびアナログ出力部５０の動作
を制御する他、ディジタル出力部７０の動作も制御す
る。
行読み出し走査部４５およびアナログ出力部５０の動作
を制御する他、ディジタル出力部７０の動作も制御す
る。
【０１９９】光電変換素子１０の各々を画素ずらし配置
した場合、２本の出力用信号線３０に１個ずつ、Ａ／Ｄ
変換器を接続することもできる。また、アナログ出力部
５０の出力に１個のみ、Ａ／Ｄ変換器を接続することも
できる。
した場合、２本の出力用信号線３０に１個ずつ、Ａ／Ｄ
変換器を接続することもできる。また、アナログ出力部
５０の出力に１個のみ、Ａ／Ｄ変換器を接続することも
できる。
【０２００】ＭＯＳ型固体撮像装置は、白黒撮像用のも
のであってよいし、カラー撮像用のものであってもよ
い。
のであってよいし、カラー撮像用のものであってもよ
い。
【０２０１】白黒撮像用およびカラー撮像用のいずれの
ＭＯＳ型固体撮像装置においても、一般に、光電変換素
子以外の領域において無用の光電変換が行われないよう
に、光遮蔽膜が設けられる。また、光電変換素子での光
利用効率を高めるために、光電変換素子それぞれの上方
にマイクロレンズおよび／またはインナーレンズが１個
ずつ配設されることがある。カラー撮像用のＭＯＳ型固
体撮像装置においては、光電変換素子とこれに対応する
マイクロレンズとの間に色フィルタが配設されることが
ある。
ＭＯＳ型固体撮像装置においても、一般に、光電変換素
子以外の領域において無用の光電変換が行われないよう
に、光遮蔽膜が設けられる。また、光電変換素子での光
利用効率を高めるために、光電変換素子それぞれの上方
にマイクロレンズおよび／またはインナーレンズが１個
ずつ配設されることがある。カラー撮像用のＭＯＳ型固
体撮像装置においては、光電変換素子とこれに対応する
マイクロレンズとの間に色フィルタが配設されることが
ある。
【０２０２】図１３は、カラー撮像用のＭＯＳ型固体撮
像装置の一例を概略的に示す断面図である。
像装置の一例を概略的に示す断面図である。
【０２０３】同図に示すＭＯＳ型固体撮像装置１００ｂ
では、光電変換素子１０、スイッチング回路部およびこ
れに附随する各種の配線、行読み出し走査部等の走査
部、アナログ出力部等の出力部および制御部を形成し終
えた半導体基板１上に、これらの部材を覆う光遮蔽膜１
２が形成されている。
では、光電変換素子１０、スイッチング回路部およびこ
れに附随する各種の配線、行読み出し走査部等の走査
部、アナログ出力部等の出力部および制御部を形成し終
えた半導体基板１上に、これらの部材を覆う光遮蔽膜１
２が形成されている。
【０２０４】半導体基板１は、例えば、ｎ型半導体基板
１ａと、このｎ型半導体基板１ａの一表面側に形成され
たｐ型ウェル１ｂとを備える。
１ａと、このｎ型半導体基板１ａの一表面側に形成され
たｐ型ウェル１ｂとを備える。
【０２０５】個々の光電変換素子１０は、例えば、ｐ型
ウェル１ｂの所定箇所に形成されたｎ型領域１０ａと、
このｎ型領域１０ａ上に形成されたｐ+ 型領域１０ｂと
を備えた埋め込み型のフォトダイオードによって構成さ
れる。
ウェル１ｂの所定箇所に形成されたｎ型領域１０ａと、
このｎ型領域１０ａ上に形成されたｐ+ 型領域１０ｂと
を備えた埋め込み型のフォトダイオードによって構成さ
れる。
【０２０６】例えば、各光電変換素子１０を平面視上取
り囲むチャネルストップ領域２が、ｐ型ウェル１ｂに形
成される。このチャネルストップ領域２は、例えばｐ+
型領域からなる。
り囲むチャネルストップ領域２が、ｐ型ウェル１ｂに形
成される。このチャネルストップ領域２は、例えばｐ+
型領域からなる。
【０２０７】ｐ+ 型領域層１０ｂ、チャネルストップ領
域２およびｐ型ウェル１ｂそれぞれの表面上に、電気的
絶縁層３が形成される。
域２およびｐ型ウェル１ｂそれぞれの表面上に、電気的
絶縁層３が形成される。
【０２０８】半導体基板１の他の場所では、電気的絶縁
層３の上にゲート電極が形成され、ゲート電極の両側に
ｎ型領域が形成されて、トランジスタが形成される。複
数のトランジスタが接続されて、スイッチング回路部を
構成する。ｐ型ウェル内にｎチャネルトランジスタ、ｎ
型ウェル内にｐチャネルトランジスタを形成し、ＣＭＯ
Ｓ回路としてもよい。
層３の上にゲート電極が形成され、ゲート電極の両側に
ｎ型領域が形成されて、トランジスタが形成される。複
数のトランジスタが接続されて、スイッチング回路部を
構成する。ｐ型ウェル内にｎチャネルトランジスタ、ｎ
型ウェル内にｐチャネルトランジスタを形成し、ＣＭＯ
Ｓ回路としてもよい。
【０２０９】スイッチング回路部およびこれに附随する
各種の配線は、電気的絶縁層３上に形成される。これら
の配線同士は、その表面に形成された電気的絶縁膜によ
って、互いに絶縁される。図１３においては、出力用信
号線３０とその表面に形成された電気的絶縁膜３０ａが
示されている。
各種の配線は、電気的絶縁層３上に形成される。これら
の配線同士は、その表面に形成された電気的絶縁膜によ
って、互いに絶縁される。図１３においては、出力用信
号線３０とその表面に形成された電気的絶縁膜３０ａが
示されている。
【０２１０】光遮蔽膜１２は、光電変換素子１０それぞ
れの上に１個ずつ、所定形状の開口部１２ａを有する。
個々の開口部１２ａは、平面視上、対応する光電変換素
子１０におけるｎ型不純物領域１０ａの縁より内側にお
いて開口している。
れの上に１個ずつ、所定形状の開口部１２ａを有する。
個々の開口部１２ａは、平面視上、対応する光電変換素
子１０におけるｎ型不純物領域１０ａの縁より内側にお
いて開口している。
【０２１１】この光遮蔽膜１２は、例えばアルミニウ
ム、クロム、タングステン、チタン、モリブデン等の金
属からなる金属薄膜や、これらの金属の２種以上からな
る合金薄膜、あるいは、前記の金属同士または前記の金
属と前記の合金とを含む群から選択された２種以上を組
み合わせた多層金属薄膜等によって形成される。
ム、クロム、タングステン、チタン、モリブデン等の金
属からなる金属薄膜や、これらの金属の２種以上からな
る合金薄膜、あるいは、前記の金属同士または前記の金
属と前記の合金とを含む群から選択された２種以上を組
み合わせた多層金属薄膜等によって形成される。
【０２１２】電気絶縁材料からなる保護膜１５が、光遮
蔽膜１２上および開口部１２ａから露出している電気的
絶縁層３上に配設される。保護膜１５は、例えば、シリ
コン窒化膜、リンやホウ素を高濃度に含むシリコン酸化
膜等によって形成される。
蔽膜１２上および開口部１２ａから露出している電気的
絶縁層３上に配設される。保護膜１５は、例えば、シリ
コン窒化膜、リンやホウ素を高濃度に含むシリコン酸化
膜等によって形成される。
【０２１３】第１の平坦化膜１６が、保護膜１５上に形
成される。第１の平坦化膜１６はマイクロレンズ用の焦
点調節層としても利用される。必要に応じて、第１の平
坦化膜１６中にインナーレンズが形成される。
成される。第１の平坦化膜１６はマイクロレンズ用の焦
点調節層としても利用される。必要に応じて、第１の平
坦化膜１６中にインナーレンズが形成される。
【０２１４】第１の平坦化膜１６は、例えばフォトレジ
スト等の透明樹脂を例えばスピンコート法によって所望
の厚さに塗布することによって形成される。
スト等の透明樹脂を例えばスピンコート法によって所望
の厚さに塗布することによって形成される。
【０２１５】所定個の色フィルタが、第１の平坦化膜１
６上に形成される。カラー撮像を可能にする複数種の色
フィルタが所定のパターンで形成され、色フィルタアレ
イを構成する。３原色（赤、緑、青）系の色フィルタア
レイ、および、いわゆる補色タイプの色フィルタアレイ
がある。
６上に形成される。カラー撮像を可能にする複数種の色
フィルタが所定のパターンで形成され、色フィルタアレ
イを構成する。３原色（赤、緑、青）系の色フィルタア
レイ、および、いわゆる補色タイプの色フィルタアレイ
がある。
【０２１６】３原色系の色フィルタアレイおよび補色タ
イプの色フィルタアレイのいずれにおいても、個々の光
電変換素子１０の上方に色フィルタが１個ずつ配設され
る。図１３においては２色の色フィルタ１７Ｒ、１７Ｂ
が計３個示されている。
イプの色フィルタアレイのいずれにおいても、個々の光
電変換素子１０の上方に色フィルタが１個ずつ配設され
る。図１３においては２色の色フィルタ１７Ｒ、１７Ｂ
が計３個示されている。
【０２１７】色フィルタアレイは、例えば、所望色の顔
料もしくは染料を含有させた樹脂（カラーレジン）の層
を、フォトリソグラフィ法等の方法によって所定箇所に
形成することによって作製することができる。
料もしくは染料を含有させた樹脂（カラーレジン）の層
を、フォトリソグラフィ法等の方法によって所定箇所に
形成することによって作製することができる。
【０２１８】第２の平坦化膜１８が、色フィルタアレイ
上に形成される。第２の平坦化膜１８は、例えばフォト
レジスト等の透明樹脂を例えばスピンコート法によって
所望の厚さに塗布することによって形成される。
上に形成される。第２の平坦化膜１８は、例えばフォト
レジスト等の透明樹脂を例えばスピンコート法によって
所望の厚さに塗布することによって形成される。
【０２１９】所定個のマイクロレンズ１９が、第２の平
坦化膜１８上に形成される。これらのマイクロレンズ１
９は、個々の光電変換素子１０の上方に１個ずつ配設さ
れ、マイクロレンズアレイを構成する。
坦化膜１８上に形成される。これらのマイクロレンズ１
９は、個々の光電変換素子１０の上方に１個ずつ配設さ
れ、マイクロレンズアレイを構成する。
【０２２０】マイクロレンズ１９は、例えば、屈折率が
概ね１．３〜２．０の透明樹脂（フォトレジストを含
む。）からなる層をフォトリソグラフィ法等によって所
定形状に区画した後、熱処理によって各区画の透明樹脂
層を溶融させ、表面張力によって角部を丸め込ませた後
に冷却することによって得られる。
概ね１．３〜２．０の透明樹脂（フォトレジストを含
む。）からなる層をフォトリソグラフィ法等によって所
定形状に区画した後、熱処理によって各区画の透明樹脂
層を溶融させ、表面張力によって角部を丸め込ませた後
に冷却することによって得られる。
【０２２１】実施例による各電子カメラの動作について
は、動画モード制御部によってプログレッシブ走査に対
応した画像信号読み出し動作を行っているときに第１、
第２または第３の静止画モード制御部による制御に切り
換える場合を例にとり、説明した。
は、動画モード制御部によってプログレッシブ走査に対
応した画像信号読み出し動作を行っているときに第１、
第２または第３の静止画モード制御部による制御に切り
換える場合を例にとり、説明した。
【０２２２】しかしながら、動画モード制御部は、プロ
グレッシブ走査以外の走査、例えばインターレース走査
や間引き走査に対応した画像信号読み出し動作を行って
もよい。
グレッシブ走査以外の走査、例えばインターレース走査
や間引き走査に対応した画像信号読み出し動作を行って
もよい。
【０２２３】例えば図１に示したＭＯＳ型固体撮像装置
１００においてインターレース走査に対応した１回の画
像信号読み出し動作を行う場合には、第１光電変換素子
行１１から第８光電変換素子行１１までの１行おきの光
電変換素子行単位で、対応する出力用信号線３０に出力
信号を発生させる動作とリセット動作とを順次行う。
１００においてインターレース走査に対応した１回の画
像信号読み出し動作を行う場合には、第１光電変換素子
行１１から第８光電変換素子行１１までの１行おきの光
電変換素子行単位で、対応する出力用信号線３０に出力
信号を発生させる動作とリセット動作とを順次行う。
【０２２４】また、図１に示したＭＯＳ型固体撮像装置
１００において間引き走査に対応した１回の画像信号読
み出し動作を行う場合には、第１光電変換素子行１１か
ら第８光電変換素子行１１までの２行以上おきの光電変
換素子行単位で、対応する出力用信号線３０に出力信号
を発生させる動作とリセット動作とを順次行う。
１００において間引き走査に対応した１回の画像信号読
み出し動作を行う場合には、第１光電変換素子行１１か
ら第８光電変換素子行１１までの２行以上おきの光電変
換素子行単位で、対応する出力用信号線３０に出力信号
を発生させる動作とリセット動作とを順次行う。
【０２２５】動画モード制御部によってプログレッシブ
走査以外の走査、例えばインターレース走査や間引き走
査に対応した画像信号読み出し動作を行っているときに
第１、第２または第３の静止画モード制御部による制御
に切り換えることもできる。
走査以外の走査、例えばインターレース走査や間引き走
査に対応した画像信号読み出し動作を行っているときに
第１、第２または第３の静止画モード制御部による制御
に切り換えることもできる。
【０２２６】この場合、動画モード制御部による制御の
下での電子シャッタ動作が完了するのに要する時間と、
第１、第２または第３の静止画モード制御部による制御
の下での画像信号読み出し動作が完了するのに要する時
間とが異なることがある。
下での電子シャッタ動作が完了するのに要する時間と、
第１、第２または第３の静止画モード制御部による制御
の下での画像信号読み出し動作が完了するのに要する時
間とが異なることがある。
【０２２７】すなわち、第１、第２または第３の静止画
モード制御部による制御の下での画像信号読み出し動作
がプログレッシブ走査に対応した画像信号読み出し動作
であると、この画像信号読み出し動作が完了するのに要
する時間は、インターレース走査や間引き走査に対応し
た画像信号読み出し動作での電子シャッタ動作が完了す
るのに要する時間と異なる。その結果として、個々の光
電変換素子の露光時間も、光電変換素子行単位で異なっ
てくる。
モード制御部による制御の下での画像信号読み出し動作
がプログレッシブ走査に対応した画像信号読み出し動作
であると、この画像信号読み出し動作が完了するのに要
する時間は、インターレース走査や間引き走査に対応し
た画像信号読み出し動作での電子シャッタ動作が完了す
るのに要する時間と異なる。その結果として、個々の光
電変換素子の露光時間も、光電変換素子行単位で異なっ
てくる。
【０２２８】このような場合には、個々の光電変換素子
の露光時間を一致させた後に、第１、第２または第３の
静止画モード制御部による制御の下での画像信号読み出
し動作を行うことが好ましい。
の露光時間を一致させた後に、第１、第２または第３の
静止画モード制御部による制御の下での画像信号読み出
し動作を行うことが好ましい。
【０２２９】そのためには、例えば、静止画像信号読み
出し期間を設定する前にプログレッシブ走査に対応した
画像信号読み出し動作と、この画像信号読み出し動作に
つづく電子シャッタ動作とをそれぞれ１回ずつ行う。こ
れらの動作は、動画モード制御部によって制御してもよ
いし、第１、第２または第３の静止画モード制御部によ
って制御してもよい。また、このときの画像信号読み出
し動作に基づく画像データの生成は、行わなくてもよ
い。電子シャッタ動作は、プログレッシブ走査に対応し
た電子シャッタ動作とする。
出し期間を設定する前にプログレッシブ走査に対応した
画像信号読み出し動作と、この画像信号読み出し動作に
つづく電子シャッタ動作とをそれぞれ１回ずつ行う。こ
れらの動作は、動画モード制御部によって制御してもよ
いし、第１、第２または第３の静止画モード制御部によ
って制御してもよい。また、このときの画像信号読み出
し動作に基づく画像データの生成は、行わなくてもよ
い。電子シャッタ動作は、プログレッシブ走査に対応し
た電子シャッタ動作とする。
【０２３０】第２の静止画モード制御が中止させる電子
シャッタ動作の回数は１回に限定されるものではない。
同様に、第２の静止画モード制御部が中止させる電子シ
ャッタ動作は、静止画指示信号が発せられた後最初に設
定される垂直ブランキング期間に開始される筈の電子シ
ャッタ動作に限定されるものではない。電子カメラに求
められる性能やその用途、あるいは、静止画指示信号が
発せられたタイミング等に応じて、静止画指示信号が発
せられた後の所望の時期の電子シャッタ動作を少なくと
も１回中止させるように構成することができる。
シャッタ動作の回数は１回に限定されるものではない。
同様に、第２の静止画モード制御部が中止させる電子シ
ャッタ動作は、静止画指示信号が発せられた後最初に設
定される垂直ブランキング期間に開始される筈の電子シ
ャッタ動作に限定されるものではない。電子カメラに求
められる性能やその用途、あるいは、静止画指示信号が
発せられたタイミング等に応じて、静止画指示信号が発
せられた後の所望の時期の電子シャッタ動作を少なくと
も１回中止させるように構成することができる。
【０２３１】図６に示した電子カメラ３００のように第
３の静止画モード制御部を設ける場合には、第２の静止
画モード制御部を省略することができる。
３の静止画モード制御部を設ける場合には、第２の静止
画モード制御部を省略することができる。
【０２３２】図８に示した電子カメラ３１０のように第
３の静止画モード制御部とオートアイリスとを有する電
子カメラにおいては、第３の静止画モード制御部はＡＩ
動作を行わなくてもよい。
３の静止画モード制御部とオートアイリスとを有する電
子カメラにおいては、第３の静止画モード制御部はＡＩ
動作を行わなくてもよい。
【０２３３】電子カメラは、閃光装置を内蔵したもので
あってもよいし、閃光装置が外装されるものであっても
よい。閃光装置が外装される場合、この電子カメラは、
閃光装置を着装するための閃光装置着装部を有する。こ
の閃光装置着装部は、静止画モード指定手段として利用
することができる。すなわち、閃光装置が着装される
と、閃光装置着装部が第２切換手段１６５（図２参照）
を制御して、第２の静止画モード制御部１３５（図２参
照）を指定するように構成することができる。
あってもよいし、閃光装置が外装されるものであっても
よい。閃光装置が外装される場合、この電子カメラは、
閃光装置を着装するための閃光装置着装部を有する。こ
の閃光装置着装部は、静止画モード指定手段として利用
することができる。すなわち、閃光装置が着装される
と、閃光装置着装部が第２切換手段１６５（図２参照）
を制御して、第２の静止画モード制御部１３５（図２参
照）を指定するように構成することができる。
【０２３４】その他、種々の変更、改良、組み合わせ等
が可能であることは、当業者に自明であろう。
が可能であることは、当業者に自明であろう。
【０２３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ＭＯＳ型固体撮像装置を利用した電子カメラであって、
逆光補正された被写体の静止画データを得ることができ
る電子カメラを提供することができる。ＭＯＳ型固体撮
像装置を利用した電子カメラの用途を拡大することがで
きる。
ＭＯＳ型固体撮像装置を利用した電子カメラであって、
逆光補正された被写体の静止画データを得ることができ
る電子カメラを提供することができる。ＭＯＳ型固体撮
像装置を利用した電子カメラの用途を拡大することがで
きる。
【図１】図１（Ａ）は、ＭＯＳ型固体撮像装置の一例を
模式的に示す平面図であり、図１（Ｂ）は、ＭＯＳ型固
体撮像装置におけるスイッチング回路部の一例を示す等
価回路図である。
模式的に示す平面図であり、図１（Ｂ）は、ＭＯＳ型固
体撮像装置におけるスイッチング回路部の一例を示す等
価回路図である。
【図２】実施例による電子カメラの概略を示すブロック
図である。
図である。
【図３】図２に示した電子カメラを動画モード制御の下
に動作させたときの垂直ブランキングパルス、静止画指
示信号、ＭＯＳ型固体撮像装置の動作、閃光装置動作信
号、および、画像信号処理部からの出力それぞれの関係
を説明するためのタイミングチャートである。
に動作させたときの垂直ブランキングパルス、静止画指
示信号、ＭＯＳ型固体撮像装置の動作、閃光装置動作信
号、および、画像信号処理部からの出力それぞれの関係
を説明するためのタイミングチャートである。
【図４】図２に示した電子カメラを第１の静止画モード
制御部による制御の下に動作させたときの垂直ブランキ
ングパルス、静止画指示信号、ＭＯＳ型固体撮像装置の
動作、閃光装置動作信号、および、画像信号処理部から
の出力それぞれの関係を説明するためのタイミングチャ
ートである。
制御部による制御の下に動作させたときの垂直ブランキ
ングパルス、静止画指示信号、ＭＯＳ型固体撮像装置の
動作、閃光装置動作信号、および、画像信号処理部から
の出力それぞれの関係を説明するためのタイミングチャ
ートである。
【図５】図２に示した電子カメラを第２の静止画モード
制御部による制御の下に動作させたときの垂直ブランキ
ングパルス、静止画指示信号、ＭＯＳ型固体撮像装置の
動作、閃光装置動作信号、および、画像信号処理部から
の出力それぞれの関係を説明するためのタイミングチャ
ートである。
制御部による制御の下に動作させたときの垂直ブランキ
ングパルス、静止画指示信号、ＭＯＳ型固体撮像装置の
動作、閃光装置動作信号、および、画像信号処理部から
の出力それぞれの関係を説明するためのタイミングチャ
ートである。
【図６】他の実施例による電子カメラの概略を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図７】図６に示した電子カメラを第３の静止画モード
制御部による制御の下に動作させたときの垂直ブランキ
ングパルス、静止画指示信号、ＭＯＳ型固体撮像装置の
動作、閃光装置動作信号、および、画像信号処理部から
の出力それぞれの関係の一例を説明するためのタイミン
グチャートである。
制御部による制御の下に動作させたときの垂直ブランキ
ングパルス、静止画指示信号、ＭＯＳ型固体撮像装置の
動作、閃光装置動作信号、および、画像信号処理部から
の出力それぞれの関係の一例を説明するためのタイミン
グチャートである。
【図８】更に他の実施例による電子カメラの概略を示す
ブロック図である。
ブロック図である。
【図９】図８に示した電子カメラを第２の静止画モード
制御部による制御の下に動作させたときの垂直ブランキ
ングパルス、静止画指示信号、ＭＯＳ型固体撮像装置の
動作、閃光装置動作信号、撮像光学系の絞り（Ｆ値）、
および、画像信号処理部からの出力それぞれの関係の一
例を説明するためのタイミングチャートである。
制御部による制御の下に動作させたときの垂直ブランキ
ングパルス、静止画指示信号、ＭＯＳ型固体撮像装置の
動作、閃光装置動作信号、撮像光学系の絞り（Ｆ値）、
および、画像信号処理部からの出力それぞれの関係の一
例を説明するためのタイミングチャートである。
【図１０】４個のトランジスタを用いて構成されたスイ
ッチング回路部の一例を示す等価回路図である。
ッチング回路部の一例を示す等価回路図である。
【図１１】１個のトランジスタを用いて構成されたスイ
ッチング回路部の一例を示す等価回路図である。
ッチング回路部の一例を示す等価回路図である。
【図１２】ディジタルの画像信号を出力することができ
るＭＯＳ型固体撮像装置の一例を模式的に示す平面図で
ある。
るＭＯＳ型固体撮像装置の一例を模式的に示す平面図で
ある。
【図１３】カラー撮像用のＭＯＳ型固体撮像装置の一例
を概略的に示す断面図である。
を概略的に示す断面図である。
１…半導体基板、 １０…光電変換素子、 ２０、２０
ａ、２０ｂ…スイッチング回路部、 ２１…出力用トラ
ンジスタ、 ２２…行選択用トランジスタ、２３…リセ
ット用トランジスタ、 ２４…転送用トランジスタ、
２５…電源電圧供給配線、 ２７…行選択用信号配線、
２８…リセット信号供給配線、 ３０…出力用信号
線、 ４０…行リセット走査部、 ４５…行読み出し走
査部、５０…アナログ出力部、 ６０…制御部、 １０
０、１００ａ、１００ｂ…ＭＯＳ型固体撮像装置、 １
１０…撮像光学系、 １２０、１２０ａ…動画モード制
御部、 １３０、１３０ａ…第１の静止画モード制御
部、 １３５、１３５ａ…第２の静止画モード制御部、
１４０…閃光装置、 １５０、１５０ａ…主制御部、
１７０…静止画モード指定手段、 １７５…静止画指
示信号発生部、 １８０…画像信号処理部、 ２００、
３００、３１０…電子カメラ、 ２１０、２１０ａ…第
３の静止画モード制御部、 ２２０…オートアイリス。
ａ、２０ｂ…スイッチング回路部、 ２１…出力用トラ
ンジスタ、 ２２…行選択用トランジスタ、２３…リセ
ット用トランジスタ、 ２４…転送用トランジスタ、
２５…電源電圧供給配線、 ２７…行選択用信号配線、
２８…リセット信号供給配線、 ３０…出力用信号
線、 ４０…行リセット走査部、 ４５…行読み出し走
査部、５０…アナログ出力部、 ６０…制御部、 １０
０、１００ａ、１００ｂ…ＭＯＳ型固体撮像装置、 １
１０…撮像光学系、 １２０、１２０ａ…動画モード制
御部、 １３０、１３０ａ…第１の静止画モード制御
部、 １３５、１３５ａ…第２の静止画モード制御部、
１４０…閃光装置、 １５０、１５０ａ…主制御部、
１７０…静止画モード指定手段、 １７５…静止画指
示信号発生部、 １８０…画像信号処理部、 ２００、
３００、３１０…電子カメラ、 ２１０、２１０ａ…第
３の静止画モード制御部、 ２２０…オートアイリス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） // Ｈ０４Ｎ 101:00 Ｈ０１Ｌ 27/14 Ａ (72)発明者 益金 和行 宮城県黒川郡大和町松坂平１丁目６番地 富士フイルムマイクロデバイス株式会社内 Ｆターム(参考） 4M118 AA10 AB01 BA14 CA02 FA07 FA26 FA28 GB03 GB07 GB11 GC08 GC14 GD04 5C022 AA13 AB12 AB15 AC03 AC46 AC69 AC80 5C024 AX03 BX01 CX54 CY11 CY31 DX04 GX03 GY38 GZ32 GZ36 JX11 JX43
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板および該半導体基板の一表面
側に複数行、複数列に亘って行列状に形成された多数個
の光電変換素子を有し、垂直ブランキング期間を介して
連続的に設定される画像信号読み出し期間それぞれの期
間内に、前記多数個の光電変換素子の各々の露光時間を
規定するために該光電変換素子に蓄積されている電荷を
光電変換素子行単位で順次排出する電子シャッタ動作を
開始し、該電子シャッタ動作が開始された画像信号読み
出し期間の次の画像信号読み出し期間内に、前記電子シ
ャッタ動作によって露光時間が規定された後の光電変換
素子の各々に新たに蓄積された電荷量に応じた出力信号
を光電変換素子行単位で順次発生させる画像信号読み出
し動作を行って、前記出力信号に基づく画像信号を前記
光電変換素子行単位で順次出力することができるＭＯＳ
型固体撮像装置と、 前記ＭＯＳ型固体撮像装置が出力した画像信号を基に、
動画データまたは静止画データを出力する映像信号処理
部と、 操作されたときに静止画の撮像を指示する静止画指示信
号を発する静止画指示信号発生部と、 所定の信号を受けたときに閃光を発する閃光装置、また
は該閃光装置を着装するための閃光装置着装部と、 前記ＭＯＳ型固体撮像装置に前記画像信号読み出し動作
と前記電子シャッタ動作とを交互に繰り返し行わせて前
記映像信号処理部から動画データを出力させる動画モー
ド制御を定常的に行う動画モード制御部と、 前記静止画指示信号が発せられたときに、該静止画指示
信号が発せられた後に設定される静止画像信号読み出し
期間内に行われた画像信号読み出し動作に基づいて前記
ＭＯＳ型固体撮像装置が出力する画像信号を基に、前記
映像信号処理部から静止画データを出力させる第１の静
止画モード制御部と、 前記静止画指示信号が発せられたときに、該静止画指示
信号が発せられた後に行われる筈であった電子シャッタ
動作を中止させ、該中止させた電子シャッタ動作が開始
される筈であった画像信号読み出し期間に続けて設定さ
れる垂直ブランキング期間内に前記閃光装置を動作させ
るための閃光装置動作信号を発生させ、該閃光装置動作
信号を発生した後に設定される静止画像信号読み出し期
間内に行われた画像信号読み出し動作に基づいて前記Ｍ
ＯＳ型固体撮像装置が出力する画像信号を基に、前記映
像信号処理部から静止画データを出力させる第２の静止
画モード制御部と、 前記静止画指示信号が発せられたときに動作すべき静止
画モード制御部を、複数の静止画モード制御部のうちか
ら予め指定する静止画モード指定手段とを備えた電子カ
メラ。 - 【請求項２】 前記画像信号読み出し動作が、前記光電
変換素子の各々に蓄積されている電荷量に応じた出力信
号を光電変換素子行単位で順次発生させる動作と、出力
信号を発生させ終わった光電変換素子の各々に蓄積され
ている電荷を光電変換素子行単位で順次排出する動作と
を含む請求項１に記載の電子カメラ。 - 【請求項３】 前記第２の静止画モード制御部が、前記
静止画指示信号が発せられた後最初に行われる筈であっ
た電子シャッタ動作を中止させる請求項１または請求項
２に記載の電子カメラ。 - 【請求項４】 さらに、前記静止画指示信号が発せられ
たときに、該静止画指示信号が発せられた後に行われる
筈であった電子シャッタ動作を中止させ、該中止させた
電子シャッタ動作が開始される筈であった画像信号読み
出し期間に続けて設定される垂直ブランキング期間内に
前記閃光装置を動作させるための閃光装置動作信号を発
生させ、該閃光装置動作信号が発せられた後の少なくと
も１画像信号読み出し期間は前記画像信号読み出し動作
を行わないと共に前記電子シャッタ動作を開始せず、そ
の後に設定される静止画像信号読み出し期間内に行われ
た画像信号読み出し動作に基づいて前記ＭＯＳ型固体撮
像装置が出力する画像信号を基に、前記映像信号処理部
から静止画データを出力させる第３の静止画モード制御
部を備えた請求項１〜請求項３のいずれかに記載の電子
カメラ。 - 【請求項５】 前記第３の静止画モード制御部が、前記
静止画指示信号が発せられた後最初に行われる筈であっ
た電子シャッタ動作を中止させ、該中止させた電子シャ
ッタ動作が開始される筈であった画像信号読み出し期間
に続けて設定される垂直ブランキング期間内に前記閃光
装置を動作させるための閃光装置動作信号を発生させる
請求項４に記載の電子カメラ。 - 【請求項６】 さらに、前記ＭＯＳ型固体撮像装置に入
射する光量を調整するためのオートアイリスを備え、 前記第２の静止画モード制御部が、その動作時におい
て、該第２の静止画モード制御部による制御の下での露
光時間と前記動画モード制御部による制御の下での露光
時間との違いに起因する露光量の差を前記オートアイリ
スを調節して減少させる露光量調節動作を更に行う請求
項１〜請求項５のいずれかに記載の電子カメラ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000120507A JP4390967B2 (ja) | 2000-04-21 | 2000-04-21 | 電子カメラ |
| US09/837,517 US7151567B2 (en) | 2000-04-21 | 2001-04-19 | Electronic camera with backlight correction capability |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000120507A JP4390967B2 (ja) | 2000-04-21 | 2000-04-21 | 電子カメラ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001309236A true JP2001309236A (ja) | 2001-11-02 |
| JP4390967B2 JP4390967B2 (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=18631304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000120507A Expired - Fee Related JP4390967B2 (ja) | 2000-04-21 | 2000-04-21 | 電子カメラ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7151567B2 (ja) |
| JP (1) | JP4390967B2 (ja) |
Cited By (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005064925A1 (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Olympus Corporation | 撮像装置 |
| WO2007053703A2 (en) * | 2005-11-01 | 2007-05-10 | Searete Llc | Enhanced video/still image correlation |
| JP2009171161A (ja) * | 2008-01-15 | 2009-07-30 | Canon Inc | 撮像システム及び撮像システムの制御方法 |
| US7782365B2 (en) | 2005-06-02 | 2010-08-24 | Searete Llc | Enhanced video/still image correlation |
| US7872675B2 (en) | 2005-06-02 | 2011-01-18 | The Invention Science Fund I, Llc | Saved-image management |
| US7876357B2 (en) | 2005-01-31 | 2011-01-25 | The Invention Science Fund I, Llc | Estimating shared image device operational capabilities or resources |
| US7920169B2 (en) | 2005-01-31 | 2011-04-05 | Invention Science Fund I, Llc | Proximity of shared image devices |
| US8040385B2 (en) | 2002-12-02 | 2011-10-18 | Olympus Corporation | Image pickup apparatus |
| US8072501B2 (en) | 2005-10-31 | 2011-12-06 | The Invention Science Fund I, Llc | Preservation and/or degradation of a video/audio data stream |
| KR101107168B1 (ko) | 2010-01-04 | 2012-01-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 엑스레이 검출장치 및 이의 구동방법 |
| US8233042B2 (en) | 2005-10-31 | 2012-07-31 | The Invention Science Fund I, Llc | Preservation and/or degradation of a video/audio data stream |
| US8253821B2 (en) | 2005-10-31 | 2012-08-28 | The Invention Science Fund I, Llc | Degradation/preservation management of captured data |
| US8350946B2 (en) | 2005-01-31 | 2013-01-08 | The Invention Science Fund I, Llc | Viewfinder for shared image device |
| US8606383B2 (en) | 2005-01-31 | 2013-12-10 | The Invention Science Fund I, Llc | Audio sharing |
| US8681225B2 (en) | 2005-06-02 | 2014-03-25 | Royce A. Levien | Storage access technique for captured data |
| US8681940B2 (en) | 2010-01-05 | 2014-03-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Apparatus and method for X-ray detecting |
| US8804033B2 (en) | 2005-10-31 | 2014-08-12 | The Invention Science Fund I, Llc | Preservation/degradation of video/audio aspects of a data stream |
| US8902320B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-12-02 | The Invention Science Fund I, Llc | Shared image device synchronization or designation |
| US8964054B2 (en) | 2006-08-18 | 2015-02-24 | The Invention Science Fund I, Llc | Capturing selected image objects |
| US8988537B2 (en) | 2005-01-31 | 2015-03-24 | The Invention Science Fund I, Llc | Shared image devices |
| US9001215B2 (en) | 2005-06-02 | 2015-04-07 | The Invention Science Fund I, Llc | Estimating shared image device operational capabilities or resources |
| US9041826B2 (en) | 2005-06-02 | 2015-05-26 | The Invention Science Fund I, Llc | Capturing selected image objects |
| US9076208B2 (en) | 2006-02-28 | 2015-07-07 | The Invention Science Fund I, Llc | Imagery processing |
| US9082456B2 (en) | 2005-01-31 | 2015-07-14 | The Invention Science Fund I Llc | Shared image device designation |
| US9093121B2 (en) | 2006-02-28 | 2015-07-28 | The Invention Science Fund I, Llc | Data management of an audio data stream |
| US9124729B2 (en) | 2005-01-31 | 2015-09-01 | The Invention Science Fund I, Llc | Shared image device synchronization or designation |
| US9167195B2 (en) | 2005-10-31 | 2015-10-20 | Invention Science Fund I, Llc | Preservation/degradation of video/audio aspects of a data stream |
| US9191611B2 (en) | 2005-06-02 | 2015-11-17 | Invention Science Fund I, Llc | Conditional alteration of a saved image |
| US9325781B2 (en) | 2005-01-31 | 2016-04-26 | Invention Science Fund I, Llc | Audio sharing |
| US9451200B2 (en) | 2005-06-02 | 2016-09-20 | Invention Science Fund I, Llc | Storage access technique for captured data |
| US9489717B2 (en) | 2005-01-31 | 2016-11-08 | Invention Science Fund I, Llc | Shared image device |
| US9621749B2 (en) | 2005-06-02 | 2017-04-11 | Invention Science Fund I, Llc | Capturing selected image objects |
| US9819490B2 (en) | 2005-05-04 | 2017-11-14 | Invention Science Fund I, Llc | Regional proximity for shared image device(s) |
| US9910341B2 (en) | 2005-01-31 | 2018-03-06 | The Invention Science Fund I, Llc | Shared image device designation |
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