JP7064322B2 - 電子機器およびその制御方法、ならびに撮像素子 - Google Patents

電子機器およびその制御方法、ならびに撮像素子 Download PDF

Info

Publication number
JP7064322B2
JP7064322B2 JP2017234300A JP2017234300A JP7064322B2 JP 7064322 B2 JP7064322 B2 JP 7064322B2 JP 2017234300 A JP2017234300 A JP 2017234300A JP 2017234300 A JP2017234300 A JP 2017234300A JP 7064322 B2 JP7064322 B2 JP 7064322B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image data
image
frame memory
path
shooting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017234300A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019103066A5 (ja
JP2019103066A (ja
Inventor
博志 甲斐原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2017234300A priority Critical patent/JP7064322B2/ja
Priority to US16/205,563 priority patent/US10630916B2/en
Publication of JP2019103066A publication Critical patent/JP2019103066A/ja
Publication of JP2019103066A5 publication Critical patent/JP2019103066A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7064322B2 publication Critical patent/JP7064322B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • H04N25/42Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled by switching between different modes of operation using different resolutions or aspect ratios, e.g. switching between interlaced and non-interlaced mode
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/40Extracting pixel data from image sensors by controlling scanning circuits, e.g. by modifying the number of pixels sampled or to be sampled
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/50Control of the SSIS exposure
    • H04N25/53Control of the integration time
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/79Arrangements of circuitry being divided between different or multiple substrates, chips or circuit boards, e.g. stacked image sensors

Description

本発明は電子機器およびその制御方法、ならびに撮像素子に関する。
複数の光電変換素子が配列され、光学像を電気信号群に変換する撮像素子は、デジタルカメラなどの撮像装置に広く用いられている。従来、CCD撮像素子が主流であったが、近年はCMOS撮像素子が主流になってきている。
通常、CMOS撮像素子は画素ラインごとに駆動されるため、1画面分の画像を構成する画素ラインのうち、異なる画素ライン間では電荷蓄積期間が異なる。そのため、メカニカルシャッタを使用しない撮影モードでフラッシュ光のような照射時間の短い補助光を用いた撮影を行う場合に、補助光の照射期間が電荷蓄積期間から外れる画素ラインが発生することがある(フラッシュバンド現象)。フラッシュバンド現象は、シャッタ速度が速い(電荷蓄積期間が短い)ほど発生しやすい。特許文献1には、他のカメラに装着された補助光源が撮影者の意図しないタイミングで発光されたことに起因するフラッシュバンドの発生を検出し、補正する技術が記載されている。
特開2017-169027号公報
画素ラインごとの電荷蓄積期間のずれを削減すれば、フラッシュバンド現象の発生を抑制することが可能である。ここで、画素ラインごとの電荷蓄積期間のずれは、画素ラインごとの画像信号の読み出し速度を早めることで削減することができる。しかしながら、読み出し速度はデータ転送回路や、読み出した画像データを処理する信号処理回路の処理速度によって制限を受ける。読み出し速度を高めるために転送回路や信号処理回路の処理速度を高めると、回路の規模、消費電力、発熱などが増加する。これらは、コストの上昇や装置の大型化を招くため、望ましくない。
本発明はこのような従来技術の課題に鑑みなされたものであり、撮像動作と連動して発光する補助光源に起因するフラッシュバンド現象の発生を効果的に抑制可能な電子機器およびその制御方法、ならびに撮像素子の提供を目的とする。
上述の目的は、複数の画素と、1フレーム分の画像データを記憶するフレームメモリとを有し、複数の画素から読み出された画像信号に基づく画像データを、フレームメモリに記憶してから外部に出力する第1の経路と、画像データをフレームメモリに記憶せずに外部に出力する第2の経路とを切り替え可能な撮像素子と、補助光源を用いて電子シャッタモードで撮影する際に、予め定められた閾値より速いシャッタ速度が設定されている場合に前記第1の経路を用いて画像データを外部に出力し閾値より速くないシャッタ速度が設定されている場合に第2の経路を用いて画像データを外部に出力するように撮像素子を制御する制御手段と、を有することを特徴とする電子機器によって達成される。
本発明によれば、撮像動作と連動して発光する補助光源に起因するフラッシュバンド現象の発生を効果的に抑制可能な電子機器およびその制御方法、ならびに撮像素子を提供することができる。
本発明の実施形態に係るデジタルカメラの構成例を示す図 本発明の実施形態に係る撮像素子の構造例を示す図 本発明の実施形態に係る画素およびカラムADCブロックの構成例を示す図 本発明の実施形態に係る撮像素子の外観斜視図および垂直断面図 本発明の実施形態に係る撮像素子の垂直断面図 本発明の第1実施形態の動作に関するフローチャート 本発明の第2実施形態に関するタイムチャート
以下、本発明の例示的な実施形態について、添付図面を用いて詳細に説明する。以下の実施形態においては、本発明に係る撮像素子を適用可能な電子機器の一例としてのデジタルカメラに関して説明する。しかしながら、本発明は固体撮像素子を用いる任意の電子機器に適用可能である。このような電子機器にはデジタルカメラをはじめ、パーソナルコンピュータ、タブレットコンピュータ、携帯電話機、スマートフォン、PDA、ゲーム機、ドライブレコーダ、ロボットなどが含まれるが、これらに限定されない。また、本発明は以下に説明する実施形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された範囲内で種々の変形および変更が可能である。
●(第1実施形態)
図1は、本発明の実施形態に係る撮像素子を適用可能な電子機器の一例としてのデジタルカメラの機能構成例を示すブロック図である。
レンズ部101から入射する光束は絞り104にて適切な光量に調整され、撮像素子106の撮像面に被写体像を形成する。撮像面に形成された被写体像は、撮像素子106が有する光電変換素子によって電気信号に変換される。電気信号にはゲイン調整やA/D変換などが行われたのち、画素に設けられたカラーフィルタの色に応じてR(赤)、Gr(緑)、Gb(緑)、B(青)のデジタル画像信号として、信号処理回路107に送られる。信号処理回路107は、受信したデジタル画像信号に対し、ノイズを軽減するローパスフィルタ処理、シェーディング処理、WB処理などの各種の画像処理、さらに各種の補正処理、データの圧縮処理などを行う。
レンズ部101は、レンズ駆動部102によって変倍レンズやフォーカスレンズを駆動することにより画角やフォーカス等が調整される。メカニカルシャッタ103、絞り104はシャッタ・絞り駆動部105によって駆動される。制御部109は例えば1つ以上のプログラマブルプロセッサ(MPU)、プログラムおよび設定値などを記憶する不揮発性メモリ(ROM)、MPUがプログラムを実行するために用いるメモリ(RAM)を有する。制御部109はMPUがプログラムを実行してデジタルカメラの各部を制御することにより、デジタルカメラの機能を実現する。
第1メモリ部108は画像データを一時的に記憶するメモリであり、撮像素子106の外部メモリである。媒体インターフェース(I/F)部110は例えばメモリカードである記録媒体112へのデータ書き込みおよび記録媒体からのデータ読み出しを行う。表示部111はライブビュー画像、撮影画像、GUI、デジタルカメラの各種情報などの表示に用いられる。外部I/F部113は外部機器(コンピュータ等)との通信インターフェースである。第2メモリ部114は制御部109が処理結果などを記憶するために用いる。操作部115はスイッチ、ボタン、キーなどの入力デバイスであり、ユーザがデジタルカメラに指示を入力するために用いる。制御部109は操作部115の操作を検出すると、検出した操作に応じた動作を実行する。
補助光源116は例えばフラッシュであり、制御部109の制御により、電荷蓄積期間中に短時間発光する。制御部109は、AE処理の結果やユーザ設定などに応じて補助光源116の発光要否および発光量を決定することができる。なお、補助光源116は内蔵タイプであっても外付けタイプであってもよい。また、カメラに直接装着されていなくても、電子機器による撮像動作と連動して(同期して)発光するように構成されているものでもよく、さらに、複数の補助光源116が接続されていてもよい。
図2は撮像素子106の構成例を示すブロック図である。
撮像素子106は第1の集積回路としての第1の半導体チップ20(撮像層)および第2の集積回路としての第2の半導体チップ21(回路層)を有し、第2の半導体チップ21上に第1の半導体チップ20が積層された構造を有する。第1の半導体チップ20はマトリックス状に配列された複数の画素201を有し、画素201に光が入射するように配置されている(つまり、撮像面を有している)。
画素201は水平方向(行方向)において転送信号線203、リセット信号線204、および行選択信号線205に接続され、垂直方向(列方向)において垂直出力線202に接続されている。なお、垂直出力線202の各々は読み出し行単位で接続先が異なる。
第2の半導体チップ21は、カラムADCブロック211と、行走査回路212、列走査回路213、タイミング制御回路214等の画素駆動回路とを有する。第2の半導体チップはさらに、第1切り替えスイッチ216、第2切替スイッチ217は、フレームメモリ218、P/S変換部219を有する。カラムADCブロック211は、画素201から読み出された画像信号をA/D変換し、画像データとして出力する。
第1の半導体チップ20に画素201を形成し、第2の半導体チップ21に周辺回路を統合することで、撮像素子106の撮像層と回路層とで製造プロセスを異ならせることができる。そのため、例えば回路層を撮像層より細かいプロセスルールで製造することにより、配線の細線化および高密度化による、高速化、小型化、および高機能化(例えばフレームメモリ218の大容量化)を図ることができる。なお、周辺回路とは、画素の駆動回路、読み出し回路、内部メモリ回路、演算回路、ADコンバータ、S/P変換回路などであってよいが、これらに限定されない。
第1切り替えスイッチ216は、チャンネルごとの水平信号線215-a、水平信号線215-bから出力される画像データを第2切替スイッチ217に順次、選択的に出力するためのスイッチである。第1切り替えスイッチ216の動作はタイミング制御回路214もしくは制御部109が制御する。
フレームメモリ218は、撮影によって得られた画像データを一時的に記憶する。画素201からカラムADCブロック211を通じて読み出した画像データをフレームメモリ218に一時的に記憶する場合、読み出し速度は転送回路や信号処理回路107の処理能力の制約を受けない。そのため、転送回路や信号処理回路の処理能力によって決まる読み出し速度の上限を超える速度で画像データを読み出すことが可能になり、画像データの読み出し時間を短縮することができる。その結果、画素ラインごとの蓄積期間のずれを削減し、フラッシュバンド現象の発生を抑制することができる。なお、フレームメモリ218を用いる場合、フレームメモリ218から信号処理回路107へは従前通り転送回路や信号処理回路107の処理能力に応じた速度で画像データを供給する。
第2切替スイッチ217は、第1切替スイッチ216から供給される画像データの出力先を、制御部109の制御に従って、フレームメモリ218かP/S変換部219の一方に切り替える。第2切替スイッチ217は、画像データをフレームメモリ218に一時記憶することなしにP/S変換部219に直接供給するか、フレームメモリ218に一時記憶してからP/S変換部219に供給するかを切り替える。換言すれば、第2切替スイッチ217は、画像データをフレームメモリ218に一時記憶することなしに外部に出力する第1の経路と、画像データをフレームメモリ218に一時記憶してから外部に出力する第2の経路とを切り替える。このように、撮像素子106は読み出した画像信号を出力するための第1の経路と第2の経路とを切り替え可能に構成されている。
後述するように、本実施形態では、撮影に用いるシャッタの種類、補助光源116の使用有無、シャッタ速度などに応じて、画像データをフレームメモリ218に一時記憶するか否かを制御部109が決定する。そして、制御部109は、決定にしたがって第2切替スイッチ217の出力先を制御する。なお、図2では第1および第2切替スイッチ216および217を便宜上メカニカルスイッチのように記載しているが、実際には論理回路などから構成される、機械的可動部を有さないスイッチで構成することができる。
また、撮像素子106の動作は制御部109がタイミング制御回路214を通じて制御する。例えば、画像信号を読み出し、A/D変換を行い、画像データをフレームメモリ218に記憶する一連の処理のデータレートの変更は、制御部109がタイミング制御回路214の動作を変更することによって実現することができる。本実施形態において制御部109は、画像データをフレームメモリ218に一時記憶する場合は、一時記憶させない場合よりも画像信号の読み出しおよびフレームメモリ218への一時記憶までの処理を速く実行するよう、タイミング制御回路214を制御する
P/S変換部219は画像データをシリアルデータに変換して信号処理回路107に出力する。
図3(a)は撮像素子106の画素201の構成例を示す回路図、図3(b)はカラムADCブロック211の機能構成例を示す図である。なお、ここではNチャネルのMOSトランジスタを用いて画素201を構成した例を示している。
画素201において、フォトダイオード(PD)301は光電変換素子であり、受光量に応じた電荷(ここでは電子)を発生する。PD301のカソードは、転送トランジスタ302を介して増幅トランジスタ304のゲートに接続されている。増幅トランジスタ304のゲートに接続したノードは、電荷を電圧に変換するフローティングディフュージョン(FD)部306を構成する。
転送トランジスタ302は、PD301のカソードとFD部306との間に接続され、ゲートに転送信号線203を介して転送パルスφTRGが与えられることによってオンとなり、PD301で発生した信号電荷をFD部306に転送する。
リセットトランジスタ303は、ドレインが画素電源Vddに、ソースがFD部306にそれぞれ接続され、ゲートにリセット信号線204を介してリセットパルスφRSTが与えられることによってオンとなる。PD301からFD部306への信号電荷の転送に先立ってリセットトランジスタ303をオンすることで、FD部306を電源電位Vddでリセットする。
増幅トランジスタ304は、ゲートがFD部306に、ドレインが画素電源Vddにそれぞれ接続され、リセットトランジスタ303によってリセットした後のFD部306の電位をリセットレベルとして出力する。また増幅トランジスタ304は、転送トランジスタ302によって信号電荷を転送した後のFD部306の電位を信号レベルとして出力する。
選択トランジスタ305は、例えば、ドレインが増幅トランジスタ304のソースに、ソースが垂直出力線202にそれぞれ接続され、ゲートに行選択信号線205を介して選択パルスφSELが与えられることによってオンとなる。選択トランジスタ305はオンすると、増幅トランジスタ304が出力する信号(信号レベル)を垂直出力線202に中継する。
選択トランジスタ305は、画素電源Vddと増幅トランジスタ304のドレインとの間に接続してもよい。また、図3(a)に示した構成は一例であって、例えば増幅トランジスタ304と選択トランジスタ305を1つのトランジスタが兼ねる構成など、他の構成であってもよい。
選択された画素201から垂直出力線202を介して出力される信号は、カラムADCブロック211に転送される。カラムADCブロック211は比較器311、アップダウンカウンタ312、メモリ313、D/Aコンバータ(DAC)314を有する。
比較器311は一対の入力端子の一方に垂直出力線202が接続され、他方にDAC314の出力が接続される。DAC314は、タイミング制御回路214から入力される基準信号に基づいてレベルが線形増加もしくは減少するランプ信号を出力する。そして比較器311は、DAC314から入力されるランプ信号のレベルと、垂直出力線202から入力される画像信号のレベルとを比較する。なお、タイミング制御回路214は制御部109の制御に従ってDAC314へ基準信号を出力する。
比較器311は例えば、画像信号のレベルがランプ信号のレベルより低い場合にはハイレベルの信号を出力し、画像信号のレベルがランプ信号のレベルより高い場合にはローレベルの信号を出力する。
アップダウンカウンタ312は、比較器311に接続され、比較を開始してから比較器311の出力が変化するまでの期間の長さをカウントし、そのカウント値(デジタル値)をメモリ313に出力する。メモリ313に出力されるカウント値は、垂直出力線202から入力される画像信号に対応するデジタル値である。
その後、メモリ313に記憶された画像信号(デジタル値)は、列走査回路213からの信号に同期して水平信号線215-aまたは水平信号線215-bを通じて第1切替スイッチ216を介してフレームメモリ218に転送される。
図4(a)は撮像素子106の外観を模式的に示す斜視図、図4(b)は撮像素子106の断面図をそれぞれ示している。
撮像素子106を構成する第1の半導体チップ(撮像層)および第2の半導体チップ(回路層)は、それぞれのマイクロパッド402、403を電気的および機械的に接続するマイクロバンプ401により一体化されている。
図5は、撮像素子106の断面構造の詳細を模式的に示す図であり、図4と共通する構成については同じ参照数字を付している。なお、図5は図4と上下関係が逆転している転に留意されたい。
第1の半導体チップ20は、Si基板503上に配線層504が形成された構成を有する。
Si基板503の光照射面側には、PD301としてのn型拡散領域507が形成されている。また、Si基板503の表面部(配線層504との境界部)には、PD301のp+拡散領域508、FD部306のn+拡散領域509、トランジスタ302~305のn+拡散領域510が複数形成されている。
配線層504には、SiO2などからなる絶縁層内に、トランジスタ302~305のゲート配線511、信号伝搬用配線512が形成され、さらに表面部(第2の半導体チップ21と対向する面)にはCuなどからなるマイクロパッド402が形成されている。
n+拡散領域509、n+拡散領域510、およびトランジスタのゲート配線511から転送トランジスタ302、リセットトランジスタ303、増幅トランジスタ304、選択トランジスタ305が構成される。
さらに、配線層504には、n+拡散領域510をマイクロパッド402と接続するためのビア514が形成されている。
第2の半導体チップ21は、Si基板505上に配線層506が形成された構成を有する。
Si基板505の表面部(配線層506との境界部)には、トランジスタの拡散領域516が複数形成される。
配線層506には、SiO2などからなる絶縁層内に、トランジスタのゲート配線517、信号伝搬用配線518が形成される。配線層506の表面部(第1の半導体チップ20と対向する面)にはCuなどからなるマイクロパッド403が形成されている。
トランジスタの拡散領域516やトランジスタのゲート配線517、信号伝搬用配線518などから各種回路が構成される。また、配線層506には、拡散領域516等をマイクロパッド403と接続するためのビア520が形成されている。
マイクロパッド402と403は、マイクロバンプ401により電気的かつ機械的に接続されている。
なお、本実施形態では第1の半導体チップ20および第2の半導体チップ21の接続端子としてマイクロバンプを用いる構成例を示したが、マイクロバンプを用いずに第1の半導体チップ20と第2の半導体チップ21とを直接接続する構成としてもよい。
このような構成を有する撮像素子106の駆動方法に関して、図6に示すフローチャートを用いて説明する。本実施形態では、シャッタ速度が予め定められた閾値より短く(速く)、かつ補助光源を使用する撮影に関しては画像データをフレームメモリに転送することで読み出し時間を短縮し、フラッシュバンド現象の発生を抑制する。
本実施形態のデジタルカメラは、撮影にメカニカルシャッタ103を用いる撮影モード(メカシャッタモード)と、メカニカルシャッタ103を用いない撮影モード(電子シャッタモード)と有する。制御部109は、設定されている撮影モードが例えば静音モードであれば電子シャッターモードとするなど、撮影モードに応じて撮影に用いるシャッタの種類を決定することができる。また、撮影モードとは別に、使用するシャッタの種類をユーザが設定可能であってもよい。
ユーザにより、操作部115に含まれる電源ボタンがONされると実行されるものとする。S602で制御部109は各種の初期設定処理を実行する。初期設定処理が終了すると制御部109は、静止画撮影のスタンバイ状態の動作を実行する。静止画撮影のスタンバイ状態において制御部109は、表示部111をEVFとして機能させ、操作部115の操作を監視する。具体的には、制御部109は動画撮影を連続的に実行し、ライブビュー画像を生成して表示部111に順次表示するよう、各部を制御する。
S603で制御部109は、操作部115を通じて撮影開始指示(例えばシャッタボタンの全押し操作)が検出されたか否かを判定し、撮影開始指示が検出されたと判定されればS604へ処理を進め、判定されなければS603を繰り返し実行する。なお、S603において撮影開始指示の検出を待機している間に他の指示が検出された場合、制御部109は検出された指示に応じた処理を実行する。
例えば、撮影準備指示(例えばシャッタボタンの半押し操作)が検出された場合、制御部109は、AE処理やAF処理を実行することができる。制御部109は例えば信号処理回路107が生成する評価値やユーザ設定に基づいて、露出条件(補助光源116の点灯要否および光量を含む)を決定したり、レンズ駆動部102を通じてレンズ部101の合焦位置を調整したりすることができる。
S603で撮影開始指示が検出されたと判定された場合、制御部109は記録用の静止画の撮影処理を開始する。S604で制御部109は、電子シャッターモードで撮影を行うか否かを判定し、電子シャッターモードで撮影すると判定した場合にはS606へ、判定しない場合にはS605へ、それぞれ処理を進める。
S605で制御部109は、第2切替スイッチ217の出力先がP/S変換部219となるよう、必要に応じて第2切替スイッチ217を切り替え、処理をS611に進める。これにより、今回の撮影について画素201から読み出され、カラムADCブロック211を通じて得られる画像データは、フレームメモリ218に一時記憶されずに直接P/S変換部219に供給される。このように、制御部109は、メカニカルシャッタ103を用いる撮影に関しては、フレームメモリ218を用いないように撮像素子106の読み出し動作を制御する。これは、メカニカルシャッタ103を用いる場合、全ての画素ラインに共通する蓄積期間内でメカニカルシャッタ103を開閉するため、フラッシュバンド現象が生じないためである。
S606で制御部109は、撮影時に補助光源116を使用するか否か(発光させるか否か)を判定し、使用すると判定した場合にはS608へ、判定しない場合にはS605へ、それぞれ処理を進める。つまり、制御部109は、補助光源116を使用しない撮影に関しては、フレームメモリ218を用いないように撮像素子106の読み出し動作を制御する。これは、補助光源116を使用しなければフラッシュバンド現象が生じないためである。
S608で制御部109は、撮影時のシャッタ速度(Tv)が閾値(Thresh)より高い(速い)か否かを判定し、高いと判定した場合にはS610へ、判定しない場合にはS605へ、それぞれ処理を進める。ここでは電子シャッタを用いるため、シャッタ速度は蓄積期間の長さに相当する。つまり、制御部109は、補助光源116を使用する撮影であっても、シャッタ速度が遅い(閾値以下)場合にはフレームメモリ218を用いないように撮像素子106の読み出し動作を制御する。これは、シャッタ速度が遅ければフラッシュバンド現象が生じないためである。なお、閾値(Thresh)の具体的な値は、撮像素子106の動作クロックや画素数、データ転送回路や信号処理回路の処理能力といった装置固有の特性に加え、画像データの読み出し方法などにも依存するため、予め定めておくことができる。複数の閾値を用意し、例えば読み出し方法に応じて異なる閾値を用いるなど、条件に応じて閾値を使い分けてもよい。
S610で制御部109は、第2切替スイッチ217の出力先がフレームメモリ218となるよう、必要に応じて第2切替スイッチ217を切り替え、処理をS611に進める。つまり、制御部109は、フレームメモリ218を用いずに実現可能な読み出し速度ではフラッシュバンド現象が発生する条件に該当する場合、フレームメモリ218を用いるように撮像素子106の読み出し動作を制御する。
S611で制御部109は、フレームメモリ218を用いると決定していればS612へ、フレームメモリ218を使用しないと決定していればS613へ、それぞれ処理を進める。
なお、制御部109は、S604からS611の処理を、撮像素子106の電荷蓄積処理と並行して実行することができる。
S612で制御部109は、電荷蓄積期間が終了した画素ラインから順に、画素201から画像信号を読み出し、カラムADCブロック211で画像信号を画像データに変換するように撮像素子106の動作を制御する。また、制御部109は、画像データを、第1および第2切替スイッチ216および217を通じてフレームメモリ218に記憶するように撮像素子106の動作を制御する。また、S614で制御部109は、フレームメモリ218に記憶された画像データを、P/S変換部219を介して信号処理回路107に転送するように撮像素子106の動作を制御し、処理をS615に進める。
制御部109は、S612における画像データの記憶動作と、S614における画像データの転送動作とを並行して実行するように撮像素子106の動作を制御することができる。制御部109は、S614における、フレームメモリ218から信号処理回路107への画像データの転送は、転送回路や信号処理回路107の処理能力に応じた速度(第1のデータレート)で実行するようにタイミング制御回路214の動作を制御する。一方、制御部109は、S612における、画像信号の読み出し、A/D変換、画像データのフレームメモリ218への記憶という一連の処理を、第1のデータレートよりも速い第2のデータレートで実行するようにタイミング制御回路214の動作を制御する。
なお、第2のデータレートは、フラッシュバンド現象が発生しない値として予め定めておくことができる。第2のデータレートは固定値であってもよいし、シャッタ速度と補助光源116の発光時間との少なくとも一方に応じて変化する値であってもよい。なお、補助光源の発光期間が、全ての画素ラインに共通する電荷蓄積期間に収まればフラッシュバンド現象は発生しない。つまり、画素ライン間の蓄積期間のずれが小さいほど、フラッシュバンド現象は発生しづらくなる。第2のデータレートが高くなるほど画素ライン間の蓄積期間のずれを小さくすることができるため、高い(速い)シャッタ速度でもフラッシュバンド現象の発生を回避できる。
一方、S613で制御部109は、電荷蓄積期間が終了した画素ラインから順に、画素201から画像信号を読み出し、カラムADCブロック211で画像信号を画像データに変換するように撮像素子106の動作を制御する。そして、制御部109は、画像データを、第1および第2切替スイッチ216および217、およびP/S変換部219を通じて信号処理回路107に転送するように撮像素子106の動作を制御し、処理をS615に進める。この場合、制御部109は、転送回路や信号処理回路の処理能力を超えない第1のデータレートで画像信号の読み出し処理を実行するよう、タイミング制御回路214の動作を制御する。フレームメモリ218を介さずに画像データを信号処理回路107に転送する場合、フレームメモリ218を介する場合と比較して、画像信号の読み出しから信号処理回路107での処理開始までのタイムラグを短縮できる。
S615で信号処理回路107は、画像データに対して所定の画像処理(例えば現像処理、符号化処理など)を実行する。その後、画像データは所定のデータファイルに格納されて記録媒体112に記録されたり、外部I/F部113を通じて外部機器に送信されたりする。
なお、本実施形態では撮影に補助光源を使用する場合、シャッタ速度が閾値より速いか否かを判定する構成について説明した。しかし、補助光源を使用する撮影の場合はシャッタ速度に関係なくフレームメモリ218を用いるように構成してもよい。
以上説明したように、本実施形態によれば、補助光源を用いる撮影時に、画素から読み出した画像信号を、撮像素子内に設けたフレームメモリに一時記憶してから撮像素子の外部回路に転送するようにした。そのため、転送回路や外部回路の処理能力を高めなくても高速で画像信号を読み出すことが可能になり、フラッシュバンド現象の発生を効果的に抑制することができる。
●(第2実施形態)
次に、本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態も第1実施形態と同様の構成を有するデジタルカメラで実施可能であるため、第1実施形態で説明した事項については説明を省略する。補助光源の発光量を決定するための調光動作において、メカニカルシャッタを用いず、かつ補助光源を用いる撮影を行う場合があるが、本発明はこの調光動作時の撮影にも適用することができる。
調光用の静止画撮影は、撮影開始指示(例えばシャッタボタンの全押し)が検出された際に、記録用の静止画撮影に先立って実行される。調光用の静止画撮影時の撮影条件(補助光源116の発光量やシャッタ速度など)は、静止画撮影のスタンバイ状態で撮影している動画のデータについて信号処理回路107を用いて得られる被写体輝度情報などによって制御部109が決定することができる。以下、調光用の静止画撮影時における補助光源116の発光をプリ発光、撮影開始指示によって実行する静止画撮影時における補助光源116の発光を本発光と呼ぶ。
図7は本実施形態において、デジタルカメラが静止画撮影のスタンバイ状態で撮影開始指示を検出し、調光用の静止画撮影を行ってから記録用の静止画撮影を実行し、スタンバイ状態に復帰する一連の動作に関するタイミングチャートである。なお、ここでは本撮影はメカシャッタモードであるものとする。
静止画撮影スタンバイ状態(a)では、上述したように、動画撮影を行い、表示部111にライブビュー画像を表示している。静止画撮影スタンバイ状態において、撮影準備指示が検出されると、制御部109はレンズ部101のAF処理や露出条件を決定するAE処理を実行する。AE処理において、被写体輝度の情報やユーザ設定に基づいて制御部109は補助光源116の発光要否およびプリ発光量を決定する。その後、撮影開始指示が検出されると、デジタルカメラの動作状態は、補助光源116の本発光量を決定するための調光用静止画撮影状態(b)に移行する。
調光用静止画撮影状態(b)に移行すると制御部109はまず、補助光源116をプリ発光させて静止画撮影を実行する。調光用の静止画撮影ではメカニカルシャッタ103を用いない。そのため、制御部109は、第1実施形態で説明した図6のS608からの処理を実行する。電子シャッタ速度が閾値より高い(速い)場合、制御部109は電荷蓄積期間(1)において、第2のデータレートで画像信号を読み出し、フレームメモリ218に記憶するように撮像素子106の動作を制御する。(S612)。そして、制御部109は、フレームメモリ218に記憶された画像データを第1のデータレートで信号処理回路107に転送するように撮像素子106の動作を制御する(S614、期間(2))。一方、電子シャッタ速度が閾値以下の場合、制御部109は期間(2)において第1のデータレートで画像信号を読み出し、フレームメモリ218に記憶せずに撮像素子106の外部に転送するように撮像素子106の動作を制御する(S613)。
画像データの転送が終了すると、信号処理回路107が本発光量を決定するための情報(例えば輝度情報)を画像データから生成する(S615)。そして、この情報に基づいて制御部109が本発光の量を決定する(期間(3))。なお、期間(1)と(2)、(2)と(3)はオーバーラップしていてもよい。
本発光の量が決定されると、デジタルカメラの動作状態は記録用静止画撮影状態(本撮影状態)(c)に遷移し、制御部109は露光(電荷蓄積)を開始する。制御部109は先に決定した本発光の量にしたがって電荷蓄積期間中に補助光源116を点灯(本発光)させる。
電荷蓄積期間が終了すると制御部109はメカニカルシャッタ103を閉じて露光を終了し、画像信号の読み出しおよび転送を開始する。画像データの転送が終了すると、デジタルカメラの動作状態はスタンバイ状態(d)に移行し、制御部109は再び静止画撮影スタンバイ状態の動作を開始する。
本実施形態によれば、補助光源116の調光用の撮影時にも、第1実施形態と同様の効果を実現できる。
(その他の実施形態)
本発明は、上述の実施形態の1以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける1つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、1以上の機能を実現する回路(例えば、ASIC)によっても実現可能である。
101…レンズ部、102…レンズ駆動部、106…撮像素子、107…信号処理回路、108…第1メモリ部、109…制御部、111…表示部、216…第1切替スイッチ、217…第2切替スイッチ、218…フレームメモリ

Claims (6)

  1. 複数の画素と、1フレーム分の画像データを記憶するフレームメモリとを有し、前記複数の画素から読み出された画像信号に基づく画像データを、前記フレームメモリに記憶してから外部に出力する第1の経路と、前記画像データを前記フレームメモリに記憶せずに外部に出力する第2の経路とを切り替え可能な撮像素子と、
    補助光源を用いて電子シャッタモードで撮影する際に、
    予め定められた閾値より速いシャッタ速度が設定されている場合に前記第1の経路を用いて前記画像データを外部に出力し
    前記閾値より速くないシャッタ速度が設定されている場合に前記第2の経路を用いて前記画像データを外部に出力する
    ように前記撮像素子を制御する制御手段と、
    を有することを特徴とする電子機器。
  2. 前記第2の経路を用いる場合に前記画像データを前記撮像素子の外部に出力する速度が、前記画像データを処理する外部回路の処理能力に依存する速度であることを特徴とする請求項1に記載の電子機器。
  3. 前記第1の経路を用いる場合に前記複数の画素から画像信号を読み出し、読み出された画像信号に基づく画像データを前記フレームメモリに記憶するまでの処理速度は、前記複数の画素の全てに共通する電荷蓄積期間に前記補助光源の発光期間が収まるように定められることを特徴とする請求項1または2に記載の電子機器。
  4. 前記補助光源を用いる撮影が、前記補助光源の調光のための撮影であることを特徴とする請求項1からのいずれか1項に記載の電子機器。
  5. 複数の画素と、1フレーム分の画像データを記憶するフレームメモリとを有し、前記複数の画素から読み出された画像信号に基づく画像データを、前記フレームメモリに記憶してから外部に出力する第1の経路と、前記フレームメモリに記憶せずに外部に出力する第2の経路とを切り替え可能な撮像素子、を有する電子機器の制御方法であって、
    制御手段が、
    補助光源を用いて電子シャッタモードで撮影する際に、
    予め定められた閾値より速いシャッタ速度が設定されている場合に前記第1の経路を用いて前記画像データを外部に出力し
    前記閾値より速くないシャッタ速度が設定されている場合に前記第2の経路を用いて前記画像データを外部に出力する
    ように前記撮像素子を制御する制御工程を有することを特徴とする電子機器の制御方法。
  6. 電子機器が有するコンピュータを、請求項に記載の電子機器の制御方法を実行させるためのプログラム。
JP2017234300A 2017-12-06 2017-12-06 電子機器およびその制御方法、ならびに撮像素子 Active JP7064322B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017234300A JP7064322B2 (ja) 2017-12-06 2017-12-06 電子機器およびその制御方法、ならびに撮像素子
US16/205,563 US10630916B2 (en) 2017-12-06 2018-11-30 Electronic device, method of controlling same, and image sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017234300A JP7064322B2 (ja) 2017-12-06 2017-12-06 電子機器およびその制御方法、ならびに撮像素子

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2019103066A JP2019103066A (ja) 2019-06-24
JP2019103066A5 JP2019103066A5 (ja) 2021-01-21
JP7064322B2 true JP7064322B2 (ja) 2022-05-10

Family

ID=66658290

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017234300A Active JP7064322B2 (ja) 2017-12-06 2017-12-06 電子機器およびその制御方法、ならびに撮像素子

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10630916B2 (ja)
JP (1) JP7064322B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2022028982A (ja) * 2018-12-05 2022-02-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置、信号処理チップ、および、電子機器
JP2022158526A (ja) * 2021-04-02 2022-10-17 キヤノン株式会社 回路基板、半導体装置、機器、回路基板の駆動方法、半導体装置の製造方法
CN115802133A (zh) * 2021-09-10 2023-03-14 Oppo广东移动通信有限公司 摄像头模组、电子设备、图像获取方法、装置、存储介质

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007178314A (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Institute Of Physical & Chemical Research 固体撮像素子を用いた三次元画像取得方法
JP2014222899A (ja) 2014-06-25 2014-11-27 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法
JP2015012489A (ja) 2013-06-28 2015-01-19 キヤノン株式会社 撮像素子、撮像装置、その制御方法、および制御プログラム
US20170006207A1 (en) 2015-07-02 2017-01-05 Omnivision Technologies, Inc. High dynamic range imaging with reduced frame buffer
JP2017204784A (ja) 2016-05-12 2017-11-16 キヤノン株式会社 撮像装置およびその制御方法、プログラム、並びに記憶媒体

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2511405B (en) * 2012-12-28 2016-01-27 Canon Kk Image pickup element, image pickup apparatus, and method and program for controlling the same
JP6652303B2 (ja) 2016-03-16 2020-02-19 キヤノン株式会社 フラッシュバンド判定装置、その制御方法、および制御プログラム、並びに撮像装置
JP6808350B2 (ja) * 2016-05-12 2021-01-06 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法、プログラム、並びに記憶媒体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007178314A (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Institute Of Physical & Chemical Research 固体撮像素子を用いた三次元画像取得方法
JP2015012489A (ja) 2013-06-28 2015-01-19 キヤノン株式会社 撮像素子、撮像装置、その制御方法、および制御プログラム
JP2014222899A (ja) 2014-06-25 2014-11-27 キヤノン株式会社 撮像装置及びその制御方法
US20170006207A1 (en) 2015-07-02 2017-01-05 Omnivision Technologies, Inc. High dynamic range imaging with reduced frame buffer
JP2017204784A (ja) 2016-05-12 2017-11-16 キヤノン株式会社 撮像装置およびその制御方法、プログラム、並びに記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
US20190174080A1 (en) 2019-06-06
US10630916B2 (en) 2020-04-21
JP2019103066A (ja) 2019-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7978240B2 (en) Enhancing image quality imaging unit and image sensor
JP6190184B2 (ja) 撮像素子、撮像装置、その制御方法、および制御プログラム
JP2019205177A (ja) 電子機器
JP2008011298A (ja) 固体撮像装置及びその制御方法
US10277853B2 (en) Image capturing apparatus and control method of the same
JP2019201430A (ja) 撮像素子および撮像装置
JP7064322B2 (ja) 電子機器およびその制御方法、ならびに撮像素子
JP6413233B2 (ja) 撮像装置および撮像素子
JP2018174586A (ja) 撮像素子および撮像装置
JP2007208885A (ja) 撮像ユニットおよび撮像装置
US10924693B2 (en) Image sensor and image capturing apparatus
US11044411B2 (en) Imaging element and imaging apparatus
JP6632580B2 (ja) 撮像素子および撮像装置
US11089217B2 (en) Image-pickup apparatus and control method thereof
JP2018066928A (ja) 固体撮像素子及びその制御方法並びに撮像装置
JP6757199B2 (ja) 撮像素子およびその駆動方法、ならびに電子機器
WO2023027143A1 (ja) 撮像素子および撮像装置
JP6349659B2 (ja) 電子機器、電子機器の制御方法、及び制御プログラム
JP7247975B2 (ja) 撮像素子及び撮像装置
JP7224930B2 (ja) 撮像装置及び撮像装置の制御方法
JP6863355B2 (ja) 撮像素子および撮像装置
JP2023031698A (ja) 撮像素子および撮像装置
JP2023031696A (ja) 撮像素子および撮像装置
JP6375614B2 (ja) 固体撮像素子及び撮像装置
JP2023031837A (ja) 撮像素子および撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201202

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20201202

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20210103

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210113

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20210831

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210906

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20211105

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20220325

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20220422

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7064322

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151