JP4212447B2 - 固体撮像装置および電子カメラ - Google Patents
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Description
02に垂直に入射する。一方、右上からマイクロレンズ208に入射した光は、層間絶縁膜207中をマイクロレンズ208の中心から外れた方向に進行し、フォトダイオード202に隣接する素子分離領域に入射する。また、左上からマイクロレンズ208に入射した光は、層間絶縁膜207中をマイクロレンズ208の中心から外れた方向に進行し、ゲート配線204に入射する。ゲート配線204に入射した光の一部はゲート配線204を透過し、ゲート配線204下のシリコン基板201に入射する。一方、ゲート配線204を透過しなかった残りの光は、ゲート配線204と層間絶縁膜207との境界において反射され、フォトダイオード202に入射する。
図1は、本実施例に係る固体撮像装置の回路構成を示す回路図である。
する単位セルのリセットトランジスタ5のソースおよびゲート配線である。
離領域上に設けられた配線20に入射する。配線20に入射した光の一部は配線20を透過し、配線20下のシリコン酸化膜34に入射する。一方、配線20を透過しなかった残りの光は、配線20と層間絶縁膜35とは屈折率が異なることから配線20と層間絶縁膜35との境界において反射され、フォトダイオード17に入射する。また、左上からマイクロレンズ36に入射した光は、層間絶縁膜35中をマイクロレンズ36の中心から外れた方向に進行し、ゲート配線19に入射する。ゲート配線19に入射した光の一部はゲート配線19を透過し、ゲート配線19下のシリコン基板32に入射する。一方、ゲート配線19を透過しなかった残りの光は、ゲート配線19と層間絶縁膜35とは屈折率が異なることからゲート配線19と層間絶縁膜35との境界において反射され、フォトダイオード17に入射する。
置の単位セルの感度を破線で示している。
固体撮像装置と同様の効果を得ることができる。このように、本実施例に係る固体撮像装置において、ゲート配線19と配線20との形状は図2および図3に示したものに限られない。
画像の隣接する画素の明るさを被写体からの光量に応じたものとすることができる。
(適用例)
本実施例に係る固体撮像装置においては、様々な適用例が可能である。この適用例の一つとして、本実施例に係る固体撮像装置を適用した電子カメラについて図8を参照しながら説明する。図8は、本実施例に係る固体撮像装置を適用した電子カメラの構成を示すブロック図である。
ランプするクランプ回路(図示せず)を介してA/D変換回路47に入力される。A/D変換回路47は、例えば、クランプ後のアナログ電圧信号を1サンプル値が10ビットからなるデジタルデータに変換し、このデジタルデータを出力する。
f´(X)=f(X)+α×f(X0)×(X−X0)2
本発明の実施例に係る固体撮像装置を適用した電子カメラにおけるシェーディング補正後の信号波形を示す図9に示す。ここでは、撮像画像の水平方向にシェーディング補正を行う場合を例に挙げて説明する。横軸は撮像画像の水平方向に隣接して並んだ画素の位置を示し、縦軸は画素の信号強度を示している。また、シェーディング補正前の信号波形を実線で示し、シェーディング補正後の信号波形を破線で示している。
2…読み出しトランジスタ
3…増幅トランジスタ
4…アドレストランジスタ
5…リセットトランジスタ
6…読み出し線
7…垂直信号線
8…垂直シフトレジスタ
9…水平アドレス線
10…リセット線
11…負荷トランジスタ
12…水平シフトレジスタ
13…選択トランジスタ
14…水平信号線
15…アンプ
16、23、28…素子領域
18、25、26、30…ドレイン
19、20、22、27、31、41…ゲート配線
20、42…配線
21…ジャンプ配線
24、29…ソース
32…シリコン基板
33、34…シリコン酸化膜
35…層間絶縁膜
36…マイクロレンズ
37、43…カメラレンズ
38、39…凸部
44…MOSセンサ
45…撮像回路
46…ノイズキャンセル回路
47…A/D変換回路
48…タイミング制御回路
49…タイミング発生回路
50…信号処理回路
51…出力回路
52…D/A変換回路
Claims (4)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の上部に設けられた第1のフォトダイオードと、
前記半導体基板の上部において前記第1のフォトダイオードから離間して設けられた拡散層と、
前記第1のフォトダイオードと前記拡散層との間において前記半導体基板の上に第1のゲート絶縁膜を介して設けられた第1のゲート配線と、
前記半導体基板の上において前記第1のフォトダイオードを介して前記第1のゲート配線と対向する位置に、前記第1のフォトダイオードに隣接して設けられた第1の配線と、
前記半導体基板の上部において前記拡散層を介して前記第1のフォトダイオードと対向する位置に、前記拡散層から離間して設けられた第2のフォトダイオードと、
前記第2のフォトダイオードと前記拡散層との間において前記半導体基板の上に第2のゲート絶縁膜を介して設けられた第2のゲート配線と、
前記半導体基板の上において前記第2のフォトダイオードを介して前記第2のゲート配線と対向する位置に、前記第2のフォトダイオードに隣接して設けられた第2の配線とを具備することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記第1の配線は、前記第1のフォトダイオードの一部を覆うように前記半導体基板の上に設けられ、
前記第2の配線は、前記第2のフォトダイオードの一部を覆うように前記半導体基板の上に設けられていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。 - 前記半導体基板、前記第1のゲート配線、前記第2のゲート配線、前記第1の配線および前記第2の配線の上に設けられた層間絶縁膜と、
前記第1のフォトダイオードの上に前記層間絶縁膜を介して設けられた第1のマイクロレンズと、
前記第2のフォトダイオードの上に前記層間絶縁膜を介して設けられた第2のマイクロレンズとを更に具備し、
前記第1のゲート配線の前記第1のフォトダイオードに隣接する側の側面と前記第1の配線の前記第1のフォトダイオードに隣接する側の側面とが、前記第1のフォトダイオードを介して互いに対向する前記半導体基板の上面からの同一高さ位置において、前記第1のマイクロレンズの光軸との距離が等しくなるように設けられ、
前記第2のゲート配線の前記第2のフォトダイオードに隣接する側の側面と前記第2の配線の前記第2のフォトダイオードに隣接する側の側面とが、前記第2のフォトダイオードを介して互いに対向する前記半導体基板の上面からの同一高さ位置において、前記第2のマイクロレンズの光軸との距離が等しくなるように設けられたことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の固体撮像装置。 - 被写体から光学像を受光し、この光学像を所定位置に導く光学系と、
前記所定位置に導かれた光学像を画素単位で前記光学像の光量に対応した電気信号に光電変換する固体撮像装置を有する画像処理手段と、
前記画像処理手段の出力に対してシェーディング補正を行う信号加工手段とを具備し、
前記固体撮像装置が請求項1乃至3のいずれか1項記載の固体撮像装置であることを特徴とする電子カメラ。
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