JP2001308179A

JP2001308179A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2001308179A
Application number: JP2000124324A
Authority: JP
Inventors: Yushi Inoue; 雄史井上
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 2000-04-25
Filing date: 2000-04-25
Publication date: 2001-11-02
Also published as: US20010034120A1; US6841467B2

Abstract

(57)【要約】【課題】有機系絶縁膜をデュアルダマシンプロセスに
適用した場合にも、マスクとして用いられるレジストパ
ターンの膜べりが発生しても、その下層に配置する層間
絶縁膜の膜べりを発生させることなく、ビアホール及び
配線溝とを形成することができる半導体装置の製造方法
を提供することを目的とする。【解決手段】第１有機系絶縁膜３、第１エッチングス
トップ膜４及び第２有機系絶縁膜５がこの順序で積層さ
れて構成される積層膜に、レジストパターン７、９を用
いたエッチングによって、第２有機系絶縁膜５から第１
有機系絶縁膜３に至る開口を形成するに際して、レジス
トパターン７、９と第２有機系絶縁膜５との間に、開口
形成中に第２有機系絶縁膜５がエッチングされないよう
に保護し得る第２エッチングストップ膜６を形成する半
導体装置の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に関し、より詳細には、デュアルダマシン法により
有機系絶縁膜、ことに低誘電率の有機絶縁膜を含む多層
配線構造を有する半導体装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
半導体装置の微細化及び積層化に伴い、配線遅延が大き
な問題となってきている。つまり、トランジスタの微細
化は、デバイスの動作性能の向上を実現するためにスケ
ーリング則に従って進められてきたが、その一方で、配
線の微細化によって配線抵抗や配線間容量が増大し、Ｒ
Ｃで表わされる配線遅延がＬＳＩの動作速度に対して無
視できなくなってきている。

【０００３】また、配線に流れる電流密度も微細化とと
もに増加し、エレクトロマイグレーションによる配線の
信頼性低下及び配線容量増大による消費電力の増大も深
刻な問題である。そこで、これらの問題に対処するため
に、配線にはＡｌより低抵抗でエレクトロマイグレーシ
ョン耐性が高い材料としてＣｕが用いられるようになっ
てきているが、Ｃｕは従来のドライエッチング技術によ
る加工が難しいため、ＣＭＰ技術を用いたダマシン法が
広く検討されている。特に最近では、配線と接続孔への
埋め込みプラグを同時に形成するデュアルダマシン法が
開発されている。

【０００４】例えば、特開平１１−１８６３９１号公報
には、以下のようなデュアルダマシン法による半導体装
置の製造方法が提案されている。まず、図２（ａ）に示
したように、部分的に第１金属配線１４が埋め込まれた
第１層間絶縁膜２１の上に、第１エッチングストップ膜
３１、第２層間絶縁膜２２、第２エッチングストップ膜
３２及び第３層間絶縁膜２３を順次形成する。

【０００５】続いて、図２（ｂ）に示したように、ビア
ホール形成用のレジストパターン１５を第３層間絶縁膜
２３上に形成し、第２エッチングストップ膜３２と第３
層間絶縁膜２３のエッチング速度がほぼ同じになるエッ
チング条件で、レジストパターン１５をマスクとして用
いて、第２エッチングストップ膜３２と第３層間絶縁膜
２３をエッチングする。エッチングが第２層間絶縁膜２
２に達したら、エッチングストップ膜３１が第２層間絶
縁膜２２よりもエッチング速度が十分に遅くなるエッチ
ング条件で、引き続きレジストパターン１５をマスクと
して用いて、第２層間絶縁膜２２をエッチングする。

【０００６】次いで、図２（ｃ）に示したように、エッ
チング条件を変えて、引き続きレジストパターン１５を
マスクとして用いて、第２層間絶縁膜２２下の第１エッ
チングストップ膜３１をエッチング除去する。これによ
りビアホール１６を形成することができる。

【０００７】レジストパターン１５を剥離した後、図２
（ｄ）に示したように、配線溝形成用のレジストパター
ン１７を第３層間絶縁膜２３上に形成し、このレジスト
パターン１７をマスクとして用いて、第２エッチングス
トップ膜３２が第３層間絶縁膜２３よりもエッチング速
度が十分遅くなるエッチング条件で、第３層間絶縁膜２
３をエッチングし、ビアホール１６を介して第１金属配
線１４に接続される配線溝１８を形成する。

【０００８】続いて、ビアホール１６及び配線溝１８を
完全に埋め込むように、全面に金属膜を形成し、図２
（ｅ）に示したように、第３層間絶縁膜２３上に存在す
る金属膜をＣＭＰ法により除去して、一体形成された金
属配線及び接続プラグ１９をそれぞれ配線溝１８及びビ
アホール１６内に形成する。しかし、この方法では、第
３層間絶縁膜２３上に直接レジストパターン１５、１７
を形成してビアホール１６を開口するため、第３層間絶
縁膜２３として、近年、配線間容量を低減させるために
しばしば用いられる低誘電率有機絶縁膜を用いた場合に
は、ビアホール開口時にこの有機絶縁膜もエッチングさ
れてしまうという問題がある。

【０００９】つまり、有機絶縁膜とレジストとのエッチ
ング速度はほぼ等しいため、上記のようなデュアルダマ
シンプロセスにおいて、レジストパターンをマスクとし
て用いて第３層間絶縁膜、第２層間絶縁膜と２層以上の
有機絶縁膜にわたるビアホールを開口すると、その間
に、レジストパターンも徐々にエッチングされて膜べり
し、しだいに第３層間絶縁膜表面が露出し、ビアホール
の開口が完了するまでに第３層間絶縁膜にもエッチング
が及ぶこととなるという問題がある。

【００１０】これを防止するためには、レジストパター
ンの膜厚を、少なくとも第２層間絶縁膜２２と第３層間
絶縁膜２３とをあわせた膜厚以上に厚膜化する必要があ
るが、レジストパターンの膜厚をあまり厚くすると、露
光時にパターン形成異常が発生し、所定の形状へのパタ
ーニングを完全に行うことができないという新たな問題
が生じる（例えば、０．１２μｍ幅へのパターニングの
場合、レジストの膜厚が５００ｎｍ程度が限界であ
る）。また、特開平１０−１１２５０３号公報には、以
下の技術が提案されている。

【００１１】まず、図３（ａ）に示したように、シリコ
ン基板４０上に、酸化シリコン膜４１、有機低誘電率膜
４２、酸化シリコン膜４３及び配線パターン形成用のレ
ジストパターン４４を形成する。次いで、図３（ｂ）に
示したように、レジストパターン４４をマスクとしてド
ライエッチングにより酸化シリコン４３をエッチング
し、配線パターンの形状を有する開口４５を形成する。
その後、レジストパターン４４を除去する。

【００１２】続いて、図３（ｃ）に示したように、フォ
トリソグラフィ及びエッチング技術により、酸化シリコ
ン膜４３及び有機低誘電率膜４２上にビアホール形成用
のレジストパターン４６を形成する。次に、図３（ｄ）
に示したように、レジストパターン４６をマスクとして
用いて、ドライエッチングにより酸化シリコン膜４３の
開口４５下の有機低誘電率膜４２及び酸化シリコン膜４
１を順次選択的にエッチングし、ビアホール４７を形成
する。この後、レジストパターン４６を除去する。

【００１３】その後、図３（ｅ）に示したように、酸化
シリコン膜４３をマスクとして用い、有機低誘電率膜４
２をエッチングすることにより配線溝４８を形成し、図
３（ｆ）に示したように、ビアホール４７及び配線溝４
８に配線材料を埋め込んで配線４９を形成する。この方
法によれば、ビアホール４７の形成は、レジストパター
ン４６をマスクとしてエッチングにより形成されている
が、有機低誘電率膜は１層で形成されているために、ビ
アホール開口中にレジストパターン４６が膜べりして完
全に除去されてしまうという問題はない。

【００１４】しかし、得られた半導体装置における配線
間容量を抑えるためには、酸化シリコン膜のかわりに低
誘電率の有機絶縁膜を使用することが望まれる。一方、
酸化シリコン膜４１に代えて有機低誘電率膜を用いる
と、有機低誘電率膜２層の総膜厚は、レジストパターン
４６の総膜厚よりも大きくなり、上記と同様に、有機低
誘電率膜４２の表面をエッチングしてしまうという問題
が生じる。

【００１５】本発明は上記課題に鑑みなされたものであ
り、有機絶縁膜をデュアルダマシンプロセスに適用した
場合に、マスクとして用いられるレジストパターンの膜
べりが発生しても、その下層に配置する層間絶縁膜の膜
べりを発生させることなく、ビアホール及び配線溝とを
形成することができる半導体装置の製造方法を提供する
ことを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、第１有
機系絶縁膜、第１エッチングストップ膜及び第２有機系
絶縁膜がこの順序で積層されて構成される積層膜に、レ
ジストパターンを用いたエッチングによって、前記第２
有機系絶縁膜から第１有機系絶縁膜に至る開口を形成す
るに際して、前記レジストパターンと第２有機系絶縁膜
との間に、開口形成中に前記第２有機系絶縁膜がエッチ
ングされないように保護し得る第２エッチングストップ
膜を形成する半導体装置の製造方法が提供される。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の半導体装置の製造方法
は、主として、第１有機系絶縁膜、第１エッチングスト
ップ膜及び第２有機系絶縁膜がこの順序で積層されて構
成される積層膜を含む多層配線構造を形成する際に、デ
ュアルダマシン法により接続孔及び配線溝等の開口を形
成する方法である。

【００１８】本発明の半導体装置の製造方法において、
積層膜は、半導体基板上に形成されていることが好まし
い。半導体基板としては、半導体装置を形成する際に使
用するもの、例えば、シリコン、ゲルマニウム等の元素
半導体、ＧａＡｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＺｎＳｅ等の化合物
半導体が挙げられる。なかでもシリコンが好ましい。ま
た、この半導体基板は、いわゆるＳＯＩ構造基板、多層
ＳＯＩ構造基板であってもよい。さらに、この半導体基
板は、積層膜の下層又はその他の領域に素子分離膜、ト
ランジスタ、キャパシタ、抵抗等の半導体素子や回路、
絶縁膜、配線層、ダミー配線層等が任意に組み合わせら
れて形成されていてもよい。例えば、半導体基板上にト
ランジスタやキャパシタの電極又はこれらに接続した配
線層が下層配線として形成されており、その上に、エッ
チングストップ膜を介して第１有機系絶縁膜が形成され
ていてもよい。なお、第１有機系絶縁膜の下にエッチン
グストップ膜を配置する場合には、このエッチングスト
ップ膜は絶縁性を有するとともに、金属元素や不純物、
例えば、銅、リン、砒素、ボロン等の拡散バリア等種々
の機能を有する膜であることが好ましい。具体的には、
シリコン窒化膜、シリコン炭化膜等が挙げられる。

【００１９】積層膜の最も下層を構成する第１有機系絶
縁膜は、有機系の材料から構成される絶縁性を有する膜
であれば特に限定されるものではなく、例えば、ポリテ
トラフルオロエチレン、フッ化ポリアリルエーテル、フ
ッ化ポリイミド等の単層又は積層膜が挙げられる。ま
た、誘電率が３程度以下のものが挙げられる。なかでも
誘電率が低いもの、例えば、誘電率が１．８程度以下の
ものが好ましい。第１有機系絶縁膜の具体例としては、
ＦＬＡＲＥ（商品名、アライドシグナル社製）、ＳｉＬ
Ｋ（商品名、ダウケミカル社製）等の単層又は積層膜が
挙げられる。第１有機系絶縁膜の膜厚は、後述する第２
有機系絶縁膜及び第１エッチングストップ膜の膜厚等の
材料、膜厚、得ようとする半導体装置の機能等により適
宜調整することができる。例えば、後述する第１エッチ
ングストップ膜とともに、いわゆるビアホール、コンタ
クトホール、スルーホール等とよばれる接続孔の高さに
対応する膜厚とすることが好ましい。具体的には、５０
〜１００ｎｍ程度が挙げられる。

【００２０】第１有機系絶縁膜上に形成される第１エッ
チングストップ膜は、後述する第１エッチングストップ
膜上に形成される第２有機系絶縁膜を、後述するような
エッチング方法、エッチング条件を選択してエッチング
する際に、エッチングストッパーとして機能し得るもの
であれば特に限定されるものではないが、絶縁性を有す
る膜であることが好ましい。ここで、エッチングストッ
パーとして機能し得るとは、第２有機系絶縁膜に対する
選択比（第２有機系絶縁膜のエッチングレート／第１エ
ッチングストップ膜のエッチングレート）が大きいこと
が必要である。選択比は、第２有機系絶縁膜の材料等に
より適宜調整することができるが、例えば、５程度以
上、１０程度以上、好ましくは１５程度以上、より好ま
しくは２０程度以上が挙げられる。

【００２１】第１エッチングストップ膜の材料として
は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ＢＰＳ
Ｇ膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＡｓＳＧ膜等の単層又は積
層膜が挙げられる。なかでも、シリコン酸化膜が好まし
い。第１エッチングストップ膜の膜厚は、特に限定され
ないが、例えば、５０〜１００ｎｍ程度が挙げられる。
特に、シリコン酸化膜を用いる場合には、５０ｎｍ程度
の膜厚で安定的に形成することができるとともに、１０
０ｎｍ程度よりも厚膜にすると、比較的高い誘電率に起
因して、得られた半導体装置において配線間容量が大き
くなることがあるからである。

【００２２】第１エッチングストップ膜上に形成される
第２有機系絶縁膜は、第１有機系絶縁膜で挙げた材料の
中から適宜選択して用いることができる。なかでも、第
１有機系絶縁膜と同じ材料を選択することが好ましい。
第２有機系絶縁膜の膜厚は、第１有機系絶縁膜及び第１
エッチングストップ膜の膜厚等の材料、膜厚、得ようと
する半導体装置の機能等により適宜調整することができ
る。例えば、通常の配線層の膜厚に対応する膜厚である
ことがこのましい。具体的には、３００〜１０００ｎｍ
程度が挙げられる。

【００２３】レジストパターンは、通常、フォトリソグ
ラフィ工程に用いられるレジストからなるものであれば
その材料は特に限定されるものではなく、ポジ型及びネ
ガ型のいずれのレジストも使用することができる。例え
ば、ノボラック−ナフトキノンジアジド系レジスト、環
化ゴム−ビスアジド系レジスト、化学増幅系レジスト等
が挙げられる。レジストパターンは、第１エッチングス
トップ膜、第２エッチングストップ膜、第１有機系絶縁
膜及び／又は第２有機系絶縁膜をエッチングする場合の
マスクとして用いるものであるため、これら膜に対する
選択比（レジストパターンのエッチングレート／これら
膜のエッチングレート）が小さいことが必要である。選
択比は、レジストパターンを構成する材料、これら膜を
構成する材料、エッチング方法、条件等により異なる
が、１よりも小さいことが好ましい。

【００２４】レジストパターンの形状は、いわゆるビア
ホール、コンタクトホール、スルーホール等の接続孔又
は配線等に対応する開口を有する形状など種々のものが
挙げられる。レジストパターンの膜厚は、通常のフォト
リソグラフィ及びエッチング工程により、適切なパター
ン形状を形成することができるものであれば限定される
ものではなく、例えば、ディアルダマシンプロセスの配
線幅（例えば、０．１２μｍ）のパターンを形成するた
めには、５００ｎｍ程度以下、２００〜５００ｎｍ程度
が適当である。

【００２５】本発明の方法においては、異なる形状の開
口を複数形成する場合には、そのために複数のレジスト
パターンを用いてもよい。例えば、まず、第１及び第２
有機系絶縁膜、第１及び第２エッチングストップ膜に貫
通する接続孔を形成する場合には、その接続孔に対応す
る開口を有したレジストパターンを形成し、その後、第
２有機系絶縁膜及び第２エッチングストップ膜に配線溝
を形成する場合には、その配線溝に対応する開口を有し
たレジストパターンを形成してもよい。なお、接続孔又
は配線溝用のレジストパターンは、この逆の順序で形成
してもよい。

【００２６】レジストパターンと第２有機系絶縁膜との
間に形成される第２エッチングストップ膜は、レジスト
パターンを用いたエッチングによって第２有機系絶縁膜
から第１有機系絶縁膜に至る開口を形成するに際に、第
２有機系絶縁膜がエッチングされないように保護し得る
材料で、保護し得る膜厚で形成することが必要である。

【００２７】また、上記のレジストパターンをマスクと
して用いて第２エッチングストップ膜に開口を形成する
必要があるため、適当なエッチング法及びエッチング条
件でエッチングする際に、レジストパターンに対する選
択比（第２エッチングストップ膜のエッチングレート／
レジストパターンのエッチングレート）が大きいことが
好ましい。

【００２８】ここで、適当なエッチング法としては、酸
やアルカリ溶液又はこれらの混合溶液を用いたウェット
エッチング；気相エッチング、プラズマエッチング、Ｒ
ＩＥエッチング、スパッタエッチング、イオンビームエ
ッチング、光エッチング等のドライエッチングが挙げら
れ、なかでも、気相エッチング、プラズマエッチング等
が好ましい。

【００２９】エッチング条件とは、ウェットエッチング
の場合には、用いる溶液の種類、温度、溶液への接触方
法、接触時間等が挙げられる。また、ドライエッチング
の場合には、エッチング装置の種類、エッチャントとし
て用いるガスの種類又は組み合わせ、流量、パワー、圧
力等が挙げられる。選択比が大きいとは、例えば、５程
度以上、１０程度以上、好ましくは１５程度以上、より
好ましくは２０程度以上が挙げられる。

【００３０】第２エッチングストップ膜の材料として
は、例えば、第１エッチングストップ膜で挙げた材料の
中から適宜選択して用いることができる。なかでも、第
１エッチングストップ膜と同じ材料を選択することが好
ましい。これは、第１エッチングストップ膜を堆積する
装置をそのまま利用でき、第１エッチングストップ膜の
エッチング選択比をそのまま適用できるため有利だから
である。第２エッチングストップ膜の膜厚は、第１及び
第２有機系絶縁膜、第１エッチングストップ膜の膜厚等
の材料、膜厚、得ようとする半導体装置の機能等により
適宜調整することができるが、第１エッチングストップ
膜の膜厚よりも厚膜であることが好ましい。具体的に
は、２５０〜５００ｎｍ程度が挙げられる。以下、本発
明の半導体装置の製造方法の実施の形態について、図面
を参照して説明する。

【００３１】まず、図１（ａ）に示したように、下部配
線層１上に、エッチングストップ膜として膜厚１０〜１
００ｎｍ程度、例えば、５０ｎｍ程度のシリコン窒化膜
２、第１有機ポリマー系絶縁膜３として膜厚５００ｎｍ
程度のFLARE膜、第１エッチングストップ膜４として膜
厚１００ｎｍ程度のシリコン酸化膜、第２有機ポリマー
系絶縁膜５として膜厚５００ｎｍ程度のFLARE膜、第２
エッチングストップ膜６として膜厚３００ｎｍ程度のシ
リコン酸化膜及び膜厚５００ｎｍ程度のビアホール形成
用のレジストパターン７をこの順に形成する。なお、シ
リコン窒化膜２は、下部配線層１上において、Ｃｕの拡
散バリア膜としても機能も果たす。

【００３２】次に、図１（ｂ）に示したように、レジス
トパターン７をマスクにして第２エッチングストップ膜
６をエッチングする。ここでのエッチング条件は、ガス流量：Ｃ₄Ｆ₈＝１０〜１５ｓｃｃｍ、ＣＯ＝８０〜１００ｓｃｃｍ、Ｏ₂＝２〜５ｓｃｃｍ、Ａｒ＝５０〜７０ｓｃｃｍ、パワー：１５００〜１７００Ｗ、圧力：５０〜６０ｍｔｏｒｒとした。この際の選択比
（第２エッチングストップ膜６／レジストパターン７）
は３であった。

【００３３】引き続きレジストパターン７をマスクとし
て用いて、第１エッチングストップ膜４が第２有機ポリ
マー系絶縁膜５に対してほとんどエッチングされないよ
うなエッチング条件により、第２有機ポリマー系絶縁膜
５をエッチングする。ここでのエッチング条件は、ガス流量：ＣＨ₃Ｆ＝３０〜４０ｓｃｃｍ、Ｏ₂＝３５〜４５ｓｃｃｍ、Ｎ₂＝１５〜２５ｓｃｃｍ、パワー：４００〜５００Ｗ、圧力：４０〜５０ｍｔｏｒｒとした。この際、図１
（ｃ）に示したように、第２有機ポリマー系絶縁膜５の
エッチングとともに、第２有機ポリマー系絶縁膜５／レ
ジストパターン７＝０．８の選択比で、レジストパター
ン７も徐々にエッチングされる。なお、第２有機ポリマ
ー系絶縁膜５／第１エッチングストップ膜４の選択比は
２０であり、エッチングは第１エッチングストップ膜４
でほぼ止めることができる。

【００３４】続いて、図１（ｄ）に示したように、第２
エッチングストップ膜６をマスクにして、第１エッチン
グストップ膜４をエッチングする。ここでのエッチング
条件は、図１（ｂ）での条件と同様であった。なお、こ
の際のエッチングでは、第１エッチングストップ膜４と
ともに第２エッチングストップ膜６もエッチングされ、
第２エッチングストップ膜６が膜べりするが、完全に除
去されることはない。

【００３５】その後、図１（ｅ）に示したように、第２
エッチングストップ膜６をマスクにして、第１有機ポリ
マー系絶縁膜３を、エッチングストップ膜２が第１有機
ポリマー系絶縁膜３に対してほとんどエッチングされな
いような条件により、エッチングする。ここでのエッチ
ング条件は、図１（ｃ）での条件と同様であった。なお
この際のエッチングはエッチングストップ膜２でほぼ止
めることができる。このようにして、接続孔８を形成す
る。次に、図１（ｆ）に示したように、第２エッチング
ストップ膜６上に、膜厚５００ｎｍ程度の配線溝形成用
のレジストパターン９を形成する。

【００３６】次いで、図１（ｇ）に示したように、レジ
ストパターン９をマスクにしてエッチングストップ膜２
が第２エッチングストップ膜６に対してエッチング速度
が十分遅くなるような条件で、第２エッチングストップ
膜６をエッチングする。引き続き、レジストパターン９
をマスクとして用いて、第２有機ポリマー系絶縁膜５
を、第１エッチングストップ膜４及びエッチングストッ
プ膜２が第２有機ポリマー系絶縁膜５に対してほとんど
エッチングされないような条件でエッチングする。ここ
でのエッチング条件は、図１（ｃ）での条件と同様であ
った。この際、図１（ｈ）に示したように、第２有機ポ
リマー系絶縁膜５のエッチングとともに、レジストパタ
ーン９も徐々にエッチングされるが、エッチングは第１
及び第２エッチングストップ膜４、６で止めることがで
きるとともに、接続孔８の下部配線層１を露出させな
い。このようにして配線溝１０を形成する。

【００３７】次に、図１（ｉ）に示したように、第２及
び第１エッチングストップ膜６、４をマスクにして、エ
ッチングストップ膜２をエッチングし、接続孔８下の下
部配線層１を露出させる。ここでのエッチング条件は、ガス流量：ＣＨ₃Ｆ＝５〜１０ｓｃｃｍ、Ｏ₂＝４５〜５５ｓｃｃｍ、パワー：２００〜３００Ｗ、圧力：４０〜５０ｍｔｏｒｒとした。その後、接続孔８及び配線溝１０の内部を完全に埋め込
むように金属膜を形成し、図１（ｊ）に示したように、
第２エッチングストッパ６上に存在する金属膜をＣＭＰ
法により除去して配線１１を形成する。この時、第２エ
ッチングストップ膜６は金属膜を除去する際のエッチン
グストッパとしても機能する。このＣＭＰ法により第２
エッチングストップ膜６は１００ｎｍ程度削りとられ
る。

【００３８】

【発明の効果】本発明によれば、レジストパターンと第
２有機系絶縁膜との間に、開口形成中に第２有機系絶縁
膜がエッチングされないように保護し得る第２エッチン
グストップ膜を形成するため、有機系絶縁膜をデュアル
ダマシンプロセスに適用した場合に、第２エッチングス
トップ膜を形成するという簡便な方法により、エッチン
グ中にレジストパターンが膜べりをおこしても、あるい
は完全にエッチング除去されてしまっても、第２エッチ
ングストップ膜により第２有機系絶縁膜の表面がエッチ
ングされるのを防止することができる。

【００３９】これにより、接続孔及び配線溝のような異
なる形状の開口を複数個形成する場合にも、そのような
開口に対応するレジストパターンを１回形成するのみ
で、連続的にこれらの開口を形成することが可能とな
り、製造プロセスの簡略化、ひいては製造コストの低減
を図ることが可能となるとともに、配線間容量を低減す
ることができ、かつ絶縁膜の膜べりのない、信頼性の高
い半導体装置を製造することが可能となる。特に、第１
及び第２エッチングストップ膜の材料が同一のものであ
れば、ストップ膜を形成する場合の成膜装置を共用する
ことができるため、製造コストのさらなる低減を図るこ
とが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体装置の製造方法の実施の形態を
説明するための要部の製造工程断面図である。

【図２】従来のデュアルダマシンプロセスを説明するた
めの半導体装置の要部の概略断面工程図である。

【図３】従来の別のデュアルダマシンプロセスを説明す
るための半導体装置の要部の概略断面工程図である。

【符号の説明】

１下層配線層２エッチングストップ膜３第１有機ポリマー系絶縁膜（第１有機系絶縁膜）４第１エッチングストップ膜５第２有機ポリマー系絶縁膜（第２有機系絶縁膜）６第２エッチングストップ膜７、９レジストパターン８接続孔１０配線溝１１配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5F004 AA04 DA01 DA23 DA25 DA26 DB03 DB23 DB25 EA23 EB01 EB02 EB03 5F033 HH07 HH11 JJ07 JJ11 KK07 KK11 MM02 QQ10 QQ11 QQ12 QQ13 QQ14 QQ19 QQ21 QQ25 QQ28 QQ38 QQ48 RR04 RR06 RR12 RR13 RR14 RR15 RR21 RR22 RR24 TT04 XX24 XX33 XX34

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１有機系絶縁膜、第１エッチングスト
ップ膜及び第２有機系絶縁膜がこの順序で積層されて構
成される積層膜に、レジストパターンを用いたエッチン
グによって、前記第２有機系絶縁膜から第１有機系絶縁
膜に至る開口を形成するに際して、前記レジストパターンと第２有機系絶縁膜との間に、開
口形成中に前記第２有機系絶縁膜がエッチングされない
ように保護し得る第２エッチングストップ膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】第１エッチングストップ膜と第２エッチ
ングストップ膜とが同一材料からなる膜である請求項１
記載の半導体装置の製造方法。